JPS5814502Y2 - 近接スイッチ - Google Patents

近接スイッチ

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Publication number
JPS5814502Y2
JPS5814502Y2 JP4353978U JP4353978U JPS5814502Y2 JP S5814502 Y2 JPS5814502 Y2 JP S5814502Y2 JP 4353978 U JP4353978 U JP 4353978U JP 4353978 U JP4353978 U JP 4353978U JP S5814502 Y2 JPS5814502 Y2 JP S5814502Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
coil
proximity switch
detection coil
coil bobbin
Prior art date
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Expired
Application number
JP4353978U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS54146366U (ja
Inventor
山崎博行
Original Assignee
オムロン株式会社
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Publication date
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  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は高周波発振型の近接スイッチに関する。
この種の近接スイッチでは、検出コイルと周囲導体(周
囲の取付用金属体等)との間で形成される浮遊容量が、
問題となる。
近接スイッチの感度が高ければ高いほど、浮遊容量は大
きな問題となる。
すなわち、この浮遊容量を介して検出コイルに侵入して
くる周囲導体の雑音が無視し得ないものとなって近接ス
イッチが誤動作し、あるいは周囲の取付金属体の接地状
態により浮遊容量の影響が変化し検出コイル損失等の特
性変化が生じて、近接スイッチとしての動作距離特性そ
の他の特性が変ってし1うという不都合が生じる。
特に、金属ケース内に納められたタイプのものでは、こ
の金属ケースが(取付けられることによって)周囲導体
に電気的に接続されることになるので、問題となる浮遊
容量は、コイルと金属ケースとのより短い間隙部に形成
され、より大きな静電容量となって、前記の問題がさら
に顕在化することになる。
この考案は上述に鑑み、最少のスペースで検出コイルを
有効に静電シールドするように改善した近接スイッチを
提供することを目的とする。
この考案によれば、コイルボビンのつば部に導電膜を形
成して静電シールドするので、静電シールドに要するス
ペースはどく少なくてすむ。
以下、この考案の一実施例について、図面を参照しなが
ら説明する。
第1図及び第2図において検出コイル11が絶縁性の合
成樹脂等で形成されたコイルボビン12に巻回されてお
り、これが断面E字型のポット型のフェライトコア13
の溝に内蔵されている。
回路部21は第3図に示すような回路構成でなり、プリ
ント基板22上に実装されている。
このフェライトコア13および回路部21等が有底円筒
状の合成樹脂製ケース31内に収納され、更にこの合成
樹脂製ケース31は両端開放型の円筒状金属ケース33
内に収容固定される。
前記フェライトコア13、回路部21等は合成樹脂32
を充填することにより内部で固定される。
そしてゴムバッキング34および押え板35によりケー
ス31内が密封される。
ケーブル23はこのゴムバッキング34および押え板3
5を貫通して引き出されている。
前記金属ケース33の外側面には雄ネジが形成されてお
り、外側面にナツト等を装着して固定できるようになっ
ている。
回路部21は第3図に示すように構成されており、IC
41は検出コイル11および共振コンデンサ42を含ん
で構成される発振回路と、この発振回路の発振状態に応
じてスイッチングするスイッチング回路等からなってい
る。
コンデンサ43は積分用であり、コンデンサ44は平滑
用である。
トランジスタ46は出力用、ツェナーダイオード41は
サージ吸収用である。
コイルボビン12のつば部の背面にはあらかじめ(コイ
ルを巻装する前に) S io 2等の高抵抗導電膜2
5が蒸着により形成されており、第1図及び第2図に示
すようにリード線26を半田付や導電接着剤等で接続す
ることにより、回路21のアースに接続される。
5i02の導電膜25は数10マイクロメータ程度の膜
厚に形成し、10ミリメータ×10ミリメータの面積で
抵抗が数10オーム程度になるようにしておく。
するとこの抵抗により、導電膜25に流れようとする渦
電流は阻止され、このようにコイル近くに導電膜25を
形成したにもかかわらず、コイル11の損失が増大する
等の悪影響が生じない。
しかもこの程度の導電率(抵抗)とすることにより、コ
イル11に対する静電シールド効果は十分に挙げること
ができる。
なお導電膜25としてアルミニウム等の抵抗ノ小さい金
属を蒸着する場合には、余程膜厚を薄くするか、あるい
は第4図に示すように蒸着しない部分を設けて電気的短
絡環が形成されないようにして渦電流が流れないように
する必要がある。
導電膜25はボビン12のつば部の背面(第1図、第2
図、第4図)に設ける以外に前面(第1図、第2図、第
4図とは反対の面)に形成するよう托してもよい。
こうすると静電シールド効果は一層向上する。
導電膜25の形成法としては蒸着の他にメッキを使うこ
とができる。
なお、コイル11の一端を導電膜25に接続し、リード
線26を共用すれば、プリント基板22への接続作業が
減少するので、製造上好ましい。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す縦断面図、第2図は
同実施例の一部を示す縦断面図、第3図は同回路図、第
4図は他の実施例の一部を示す分解斜視図である。 11−−−−−1検出コイル、13・・・・・・フェラ
イトコア、21・・・・・・回路部、25・・・・・・
導電膜、33・・・・・・金属ケース。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)絶縁性コイルボビンに巻装された検出コイルと、
    このコイルボビン及び検出コイルを収納するための溝を
    有するフェライトコアと、前記検出コイルとともに発振
    回路を形成し、被検出物体の接近により発振状態を変化
    させて検出信号を得る回路部と、前記コイルボビンのつ
    ば部に形成された導電膜とを有し、この導電膜を前記回
    路部のアースに接続して前記検出コイルの静電シールド
    を行うようにした近接スイッチ。
  2. (2)前記導電膜は前記コイルボビンのつば部の前面に
    形成された実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の近
    接スイッチ。
  3. (3)前記導電膜は前記コイルボビンのつば部の背面に
    形成された実用新案登録請求の範囲第(1)項記載の近
    接スイッチ。
JP4353978U 1978-04-03 1978-04-03 近接スイッチ Expired JPS5814502Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP4353978U JPS5814502Y2 (ja) 1978-04-03 1978-04-03 近接スイッチ

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JP4353978U JPS5814502Y2 (ja) 1978-04-03 1978-04-03 近接スイッチ

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Publication Number Publication Date
JPS54146366U JPS54146366U (ja) 1979-10-11
JPS5814502Y2 true JPS5814502Y2 (ja) 1983-03-23

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ID=28918153

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JPS54146366U (ja) 1979-10-11

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