JPS58141685A - 中性粒子入射装置用電源装置 - Google Patents

中性粒子入射装置用電源装置

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Publication number
JPS58141685A
JPS58141685A JP57025002A JP2500282A JPS58141685A JP S58141685 A JPS58141685 A JP S58141685A JP 57025002 A JP57025002 A JP 57025002A JP 2500282 A JP2500282 A JP 2500282A JP S58141685 A JPS58141685 A JP S58141685A
Authority
JP
Japan
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output current
thyristor
rectifier
resistor
current
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Pending
Application number
JP57025002A
Other languages
English (en)
Inventor
Fusao Saito
房男 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS58141685A publication Critical patent/JPS58141685A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/125Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
    • H02M3/135Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は核融合装置の中性粒子入射装置に用いられる高
電圧直流電源装置に係シ、特に構成の簡素化と経済性の
向上を図った電源装置に関する。
〔発明の技術的背景〕
従来、核融合装置の中性粒子入射装置用電源装置として
は、高電圧直流電源装置が採用されている・ 第1図は、この種の電源装置の主回路構成を示す接続図
である。図において、1は変圧器2を介して得られる交
流電力を直流に変換する整流装置、3は直流フィルタ用
コンデンサ、4および5は夫々非線形抵抗器およびレイ
ュレータチ、−fで、これらより上記整流装置1の出力
電流をパイノ々スする24742回路を構成している・
また、6は上記整流装置1の出力電流を入切する高速ス
イッチで、該出力電流を出力端子1.1を介して負荷と
してのイオン源のビーム引出し電極へ供給するようにし
ている・なおζこで、レイ、レータチ、−プ5および高
速スイ、チロ社、大電力真空管を使用している。
かかる電源装置において、今イオン源へ電力を供給する
際には、予めレイ、レータチ、−プ5をオンして、整流
装置II:&出力電流をパイ4スさせ定格電流まで立上
げておく、その後、高速スイッチ6をオンすると同時に
しdf&レータチューブ5をオフさせて、整流装置1の
出力電流をイオン源へ高速に転流させる。一方、イオン
源への電力供給を断つ際には、レギュレータパルプ5を
オンすると同時に高速スイッチ6をオフさせてパイノク
ス回路に高速に転流させる。
ところで、上述した電源装置においてはレギエレータチ
ューブ5および高速スイ、チロとして、高速制御を必要
とすることから大電力真空管を使用している・またこの
場合、真空管には100〜200kVの耐圧を有するも
のが非常に少ないので、真空管の耐圧以上に回路電圧が
上昇しないよう且つリプル電流によって電圧リプルが発
生しないようにするため非線形抵抗4を使用している。
そして、このレギュレータチューブ5と非線形抵抗4か
ら成るパイノ4ス囲路には、負荷と同じ電力損失を発生
する丸め非線形抵抗4としdf、レータチ、−プ5でそ
の損失を分担しなければならないが、真空管としてはせ
いぜい1〜2MWOものまでしかないため、かな夛の損
失分を非線形抵抗4に分担させなければならない、また
、上記回路においては負荷電流の高速な立上げを転流に
よって行なっているため、整流装置1の出力電流の立上
げ速度を最も経済的なレベルまで遅くすることが可能で
ある。
〔背景技術の問題点〕
然乍ら、前述のような回路構成のものにおいては次のよ
うな問題がある・ (、)  真空管の耐圧以上に回路電圧が上昇しないよ
うに、非線形抵抗を使用しなければならないこと・ (b)  真空管の電力損失を大きくとれないため、非
線形抵抗に大部分の損失を負担させなければならないと
と・ (c)  整流装置出力電流の立上りが遅い分だけ24
711回路の通電時間が長くなり、パイ・97回路の要
素を発生熱処理の面から大型なものとしなければならな
いこと番 (d)  大電力真空管は非常に高価で制御回路も複雑
であシ、かつ冷却水を必要とする等不利な面が多いこと
(・)真空管はその構造上、真空度が悪化すると管内フ
ラッシュを起こして短絡状態になることがあるため、ク
ローバスイッチ等のバックアップ保護が必要になること
(r)  毎負荷・ぐルス毎に直流フィルター用コンデ
ンサに充放電を繰返すため、本コンデンサおよび交流側
回路を強固に設計しなければならないとと・ 〔発明の目的〕 本発明は上記のような事情に鑑みて成されたもので、そ
の目的は構成が簡素で経済性の高い中性粒子入射装置用
電源装置を提供することにある・ 〔発明の概豐〕 上記目的を達成するために本発明では1交流を直流に変
換する整流装置と、この整流装置の出力電流を入切する
高速スイッチと、?−)ターンオフサイリスタおよび抵
抗器から構成され前記整流装置の出力電流を・ぐイ・母
スする・々イ・97回路とを具備したことを特徴とする
O〔発明の実施例〕 以下、本発明を図面に示す一実施例に91/へて説明す
る。第2図は、本発明による中性粒子入射装置用電源装
置の主回路の構成例を示す#e絖図であシ、図において
第1図と同一部分には同一符号を付してその説明を省略
し、ここでは異なる部分についてのみ述べる。つまり、
第211は嬉1図における非線形抵抗4、レギュレータ
チューfs、大電力真空管6を削除し1これに代えてバ
イパス回路をダートターンオフサイリスタ9および抵抗
器10から構成すると共に、高速スイッチ1kr−トタ
ーンオフサイリスタ11から構成するようにしたもので
ある。
かかる構成の電源装置において、イオン源へ電力を供給
する際には各f−)ターンオフサイリスタe、x”rを
オフ状態にしたまt直流フィルター用=ンデンサSを充
電しておく・この状態において、C−)ターンオフサイ
リスタ9をオンさせピーク充電されたコンデンサ3の電
圧を定格出力電圧程度に下げると同時に、整流装置1の
出力電流を定格出力電流Ktで立上げる。
この時、抵抗器10は負荷と略等しい抵抗値に選定しで
あるとすると、・々イ・ヤス回路を流れる電流は略定格
出力電流に等しくなる。かかる状態で、r−トターンオ
フサイリスタ11をオンさせると同時にダートターンオ
フサイリスタ9をオフさせ、整流装置1の出力電流を高
速にイオン源側へ転流させる・一方、イオン源への電力
供給を断つ際には、r−トターンオ7サイリスタ9をオ
ンさせると同時にf−)ターンオフサイリスタ11をオ
フさせて1整流装置1の出力電流をパイ・ヤス回路に高
速に転流させる・また、この時直流フィルター用コンデ
ンサ1は再びピーク充電されることになる。
このように、変圧器2を介して得られる交流電力を直流
に変換する整流□装置1と、r−トターンオフサイリス
タ11よ構成υこの整流装置1の出力電流を入切する高
速スイッチとsl’lトートンオフサイリスタ9および
抵抗器10よりib上記整流鋏装1の出力電流をパイ・
ヤスする74421回路とから、核融合装置の高電圧直
流電源装置を構成したものである。
従って、真空管の耐圧に制限された回路電圧を上げるこ
とができ、冷却設備が不要となると共にクローバスイッ
チ等のパックアッグ保展も不要となる。i九、負荷と同
程度の電力損失は全て抵抗器10が負担することになる
が、従来回路に比較し直流フィルター用コンデンサ3は
常に充電されているので、パイノヤス回路の通電時間が
短縮され、抵抗器lOをそれはど大型にしなくとも済む
ことになる・さらに1直流フイルター用コンデンサ3を
毎回充放電させる必賛がなくなると共に、受電し九電力
の利用効率を上昇させることができる・屯って、前述し
た従来の問題点をこと如く解消して、構成が極めて簡素
で経済的な装置を得ゐことができるものである・ 尚、上記実施例で紘高速スイッチをr−)ターンオアサ
イリスタで構成し九が、従来同様に大電力真空管にて構
成して龜よいことは言うまでもない。
その他1本発明はその要旨を変更しない範囲で、種k、
に変形して冥施することができるものである。
〔発明の効果〕
以上説明し友ように本発明によれば、整流装置の出力電
流をパイノ臂スするパイ・ヤス回路をダートターンオフ
サイリスクと抵抗器よ多構成するようにし九ので、構成
が簡素で極めて経済性、信頼性の高い中性粒子入射装置
用電源装置が提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の中性粒子入射装置用高電圧電源装置を示
す接続図、第2図は本発明の一実施例を示す接続図であ
る。 1・・・整流装置、3・・・直流フィルター用コンデン
サ、4・・・非線形抵抗、5・・・レギ、レータチ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)交流を直流に変換する整流装置と、この整流装置
    の出力電流を入切する高速スイッチと、ダートターンオ
    フサイリスタおよび抵抗器から構成され前記整流装置の
    出力電流をパイtJ?スするバイノ臂ス回路とを具備し
    たことを特徴とする中性粒子入射装置用電源装置、  
     ″(2)  高速スイッチはグツトターンオフサイ9
    スタよ多構成するようにし九特許請求の範囲jl (1
    )項記載の中性粒子入射装置用電源装置。
JP57025002A 1982-02-18 1982-02-18 中性粒子入射装置用電源装置 Pending JPS58141685A (ja)

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JP57025002A JPS58141685A (ja) 1982-02-18 1982-02-18 中性粒子入射装置用電源装置

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JP57025002A JPS58141685A (ja) 1982-02-18 1982-02-18 中性粒子入射装置用電源装置

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JPS58141685A true JPS58141685A (ja) 1983-08-23

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ID=12153749

Family Applications (1)

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JP57025002A Pending JPS58141685A (ja) 1982-02-18 1982-02-18 中性粒子入射装置用電源装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS518517A (ja) * 1974-07-11 1976-01-23 Nippon Telegraph & Telephone Chokuryuanteikasochi

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS518517A (ja) * 1974-07-11 1976-01-23 Nippon Telegraph & Telephone Chokuryuanteikasochi

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