JPS58139034A - ビ−ム強度測定装置 - Google Patents
ビ−ム強度測定装置Info
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- JPS58139034A JPS58139034A JP2226282A JP2226282A JPS58139034A JP S58139034 A JPS58139034 A JP S58139034A JP 2226282 A JP2226282 A JP 2226282A JP 2226282 A JP2226282 A JP 2226282A JP S58139034 A JPS58139034 A JP S58139034A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/4257—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to monitoring the characteristics of a beam, e.g. laser beam, headlamp beam
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はビデオディスク等のレーデ−ディスクの光学
系に用いられる対物レンズの集光性能を−1足する場合
に使用して好適なビーム強度測定装置に関する。
系に用いられる対物レンズの集光性能を−1足する場合
に使用して好適なビーム強度測定装置に関する。
第1図はビデオディスクの光学系に用いられている対物
レンズの集光性能を評価するため、対物レンズより出射
し九レーデービームの強度分布を測定する測定装置の従
来例である。
レンズの集光性能を評価するため、対物レンズより出射
し九レーデービームの強度分布を測定する測定装置の従
来例である。
この図に於いて、対物レンズ(1)はレンズホルダー(
2)に収納同定されると共に、対物レンズ(1)より出
射したレーデ−ビームBFi屈折率補正用のグラス(3
)を介して光電変換素子(4)に入射せしめられる。
2)に収納同定されると共に、対物レンズ(1)より出
射したレーデ−ビームBFi屈折率補正用のグラス(3
)を介して光電変換素子(4)に入射せしめられる。
レーザービームBの焦点を含む面内にはこのレーザービ
ームBをカットする光鐘蔽用のナイフエッチ(5)が移
動自在に設けられ、このナイフエッチ(5)を移動させ
て、レーデ−ビーム童を制限したときのビーム強度(エ
ネルギー密f)が光電変換素子(4)によって電気信号
(検出信号)に変供される。
ームBをカットする光鐘蔽用のナイフエッチ(5)が移
動自在に設けられ、このナイフエッチ(5)を移動させ
て、レーデ−ビーム童を制限したときのビーム強度(エ
ネルギー密f)が光電変換素子(4)によって電気信号
(検出信号)に変供される。
実際のビーム強度分布を得るには、光電変換素子(4)
より出力された検出信号とナイフエッチ(5)の変位量
とから求める。即ち、總2図に示すようにレーザービー
ムのエネルギー分布はガウス分布となり、その横軸はビ
ーム中心からの鞄屋であるがら、正しいエネルギー分布
を得るには検出信号の時間軸をナイフエッヂ(5)の変
位量If(ビーム蓮蔽連皺すなわちナイフエッヂ(5)
の移動速It)によって験正する必要があるからである
。
より出力された検出信号とナイフエッチ(5)の変位量
とから求める。即ち、總2図に示すようにレーザービー
ムのエネルギー分布はガウス分布となり、その横軸はビ
ーム中心からの鞄屋であるがら、正しいエネルギー分布
を得るには検出信号の時間軸をナイフエッヂ(5)の変
位量If(ビーム蓮蔽連皺すなわちナイフエッヂ(5)
の移動速It)によって験正する必要があるからである
。
その友め、従来に於いてはこのナイフエッヂ(5)の変
位速度を測定するためマイケルソン干渉計部を使用し、
この干渉針から出力されたナイフエッヂ(5)の変位量
と光電変換素子(4)がら出力された検出信号とから、
゛この検出信号に基づくビームプロファイル(B@am
Profile)の径の較正を行っている。
位速度を測定するためマイケルソン干渉計部を使用し、
この干渉針から出力されたナイフエッヂ(5)の変位量
と光電変換素子(4)がら出力された検出信号とから、
゛この検出信号に基づくビームプロファイル(B@am
Profile)の径の較正を行っている。
このように従来に於いて位元干渉計を使用してナイフエ
ッチ(5)の変位速度を創足するため、ビーム強度測定
装置全体が大型化すると共に、光千参針は通常定盤上に
固定されているため、その移動。
ッチ(5)の変位速度を創足するため、ビーム強度測定
装置全体が大型化すると共に、光千参針は通常定盤上に
固定されているため、その移動。
持ち運びが不可能であった。史に元干渉針を構成する建
う−↑ハーフ建う−等のアライメント調整も必要である
から保守1点−□の面で問題があった。
う−↑ハーフ建う−等のアライメント調整も必要である
から保守1点−□の面で問題があった。
そこで、この発明はこのような点を考慮し、光子−計を
使用することなく光遮蔽体の一位速度を測定できるよう
にして装置の小型等を達成した4のである。
使用することなく光遮蔽体の一位速度を測定できるよう
にして装置の小型等を達成した4のである。
そのため、この発明に於いては光遮蔽体αqとしてw4
3図に示すようなものを使用する。図に於いて、al)
Fi光透過性の基板で、これはレーザーディスクのピッ
ト形成用基板と同一の屈折率を有するものが使用され、
従って仁の基板Uυはピット形成用基板と同一の厚みW
aを有する。基板0υの上面(l1m)には所定幅の光
遮蔽層a3が所定の間隔をもって複数配列形成される。
3図に示すようなものを使用する。図に於いて、al)
Fi光透過性の基板で、これはレーザーディスクのピッ
ト形成用基板と同一の屈折率を有するものが使用され、
従って仁の基板Uυはピット形成用基板と同一の厚みW
aを有する。基板0υの上面(l1m)には所定幅の光
遮蔽層a3が所定の間隔をもって複数配列形成される。
その形成は、例えば基[aυの一面(lla)にクロム
等を#看した後エツチング処理するなど、リソグラフィ
ーの技術を利用して高精度に形成する。
等を#看した後エツチング処理するなど、リソグラフィ
ーの技術を利用して高精度に形成する。
光遮蔽体叫は元軸と直交する面内に移動させる必要があ
るため、この例では図のように基板αυの一端にバイモ
ルフ板Q!1Gが取り付けられ、このバイモルフ板α9
をF9r足の電圧で駆動することにより、所定の方向に
所定の速度でもって移動させるようにしている。
るため、この例では図のように基板αυの一端にバイモ
ルフ板Q!1Gが取り付けられ、このバイモルフ板α9
をF9r足の電圧で駆動することにより、所定の方向に
所定の速度でもって移動させるようにしている。
この駆動手段をもつ光遮蔽体α114図で示すように光
遮蔽層<13が光電変換素子(4)と対向するように、
しかも基板αυの一面(l1m)が対物レンズ(1)よ
p出射したレーザービームBの焦点を含む面内KToる
ように夫々の配置が調整されている。
遮蔽層<13が光電変換素子(4)と対向するように、
しかも基板αυの一面(l1m)が対物レンズ(1)よ
p出射したレーザービームBの焦点を含む面内KToる
ように夫々の配置が調整されている。
IIはバイモルフ板aSK対する駆動系であって、この
駆動系に)より得られる駆動電圧でバイモルフ*aeが
偏倚して光遮蔽体叫は矢印方向に移動する。
駆動系に)より得られる駆動電圧でバイモルフ*aeが
偏倚して光遮蔽体叫は矢印方向に移動する。
それに伴って、ビームスlシトを光遮蔽層azが纏るの
で、その遁蔽位皺に応じた検出信号が光電変換素子(4
)より出力され、これが増幅器(2)にて増幅され良後
、ロー/lスフイルタ(至)に供給されて所定の検出信
号のみ出力される。
で、その遁蔽位皺に応じた検出信号が光電変換素子(4
)より出力され、これが増幅器(2)にて増幅され良後
、ロー/lスフイルタ(至)に供給されて所定の検出信
号のみ出力される。
ここで、菖5図に示すようにビームスポットB。
に対し光迩蔽体輪が全く鐘らない状態の光電変換素子(
4)からの検出出力レベルをvfnとし、光遮蔽体01
によってビームス4ツトB、が完全に達られた伏線での
検出出力レベルをV・とすれは、光遮蔽体(2)がビー
ムス4ットB、を鐘りつつあるときの検出レベルは第5
図Bのように変化する。この検出レベルは恢述するよう
にレーザービームBのビームプロファイル(#像)に対
応する。
4)からの検出出力レベルをvfnとし、光遮蔽体01
によってビームス4ツトB、が完全に達られた伏線での
検出出力レベルをV・とすれは、光遮蔽体(2)がビー
ムス4ットB、を鐘りつつあるときの検出レベルは第5
図Bのように変化する。この検出レベルは恢述するよう
にレーザービームBのビームプロファイル(#像)に対
応する。
従って、光遮蔽体QQがビームス4ツトB1から徐徐に
抜は出るときには、第6図Bに示すような検出レベルと
なって得られる。
抜は出るときには、第6図Bに示すような検出レベルと
なって得られる。
そのため光遮蔽体a0に設けられた1条の光遮蔽層(一
対の光透断面を有する)(13がビームスポットB、を
逓ることによって第7図Aに示すような検出信号SAが
得られる。この検出信号5AFi黴分i路−に供給され
てビームス4ツト径に対応した1対の微分i4ルスS、
、 l 8.、が形成される(第7図B)。
対の光透断面を有する)(13がビームスポットB、を
逓ることによって第7図Aに示すような検出信号SAが
得られる。この検出信号5AFi黴分i路−に供給され
てビームス4ツト径に対応した1対の微分i4ルスS、
、 l 8.、が形成される(第7図B)。
これら微分ノ4ルスS、、 、 S、bの形状はレーザ
ービームBのビームプロファイルそのものである。
ービームBのビームプロファイルそのものである。
微分AルスS、、 * S、bは第1のr−)回路に)
に於いてr−トされた後、1対のコンノ母レータ(混)
。
に於いてr−トされた後、1対のコンノ母レータ(混)
。
(26B)に供給される。絡lのコンパレータ(26A
)は正の微分パルスS、bに対するコン7ル−タであっ
てその基準レベル+Vは■。=0としたとき、最大検出
レベル■□の2’即ちビームスポットB8の中心点に於
ける検出レベルに設定される。同じく、第2のコンノ母
レータ(26B)の基、準電圧−VもビームスlットB
1の中心点に於ける検出レベルに設定される。
)は正の微分パルスS、bに対するコン7ル−タであっ
てその基準レベル+Vは■。=0としたとき、最大検出
レベル■□の2’即ちビームスポットB8の中心点に於
ける検出レベルに設定される。同じく、第2のコンノ母
レータ(26B)の基、準電圧−VもビームスlットB
1の中心点に於ける検出レベルに設定される。
第1及び第2のコンノ譬レータ(26A) 、 (26
B)の出力Bt 1Bm (纂7図C,D )はフリラ
グフロップ■に供給されて、第7図Eに示すようK )
4ルス幅Tt)Aルス信号S、が形成される。この/l
ルスat号sc嬬カウンタ四に供給されてノクルス幅T
の時間が検出される。
B)の出力Bt 1Bm (纂7図C,D )はフリラ
グフロップ■に供給されて、第7図Eに示すようK )
4ルス幅Tt)Aルス信号S、が形成される。この/l
ルスat号sc嬬カウンタ四に供給されてノクルス幅T
の時間が検出される。
ここで、光遮蔽層(2)の幅Cは予め解っているので、
この幅Cとカウンタ(至)で計測された時間Tとから光
迩蔽体叫の変位速[vを知ることができる。
この幅Cとカウンタ(至)で計測された時間Tとから光
迩蔽体叫の変位速[vを知ることができる。
即ち
!=〒 ・・・・・・ (υ
一方、微分回路−の出力は更に第2のr−ト回路参カに
供給された後、時間軸の較正回路(ロ)に供給される。
供給された後、時間軸の較正回路(ロ)に供給される。
即ち、微分することによりレーザービームBのビームプ
ロファイルが婦ヤれるが、ビームプロファイルの横軸(
ビームスポット径であるが、これは検出信号SAの時間
軸でもある)は光遮蔽体oOO変位変位に応じて較正す
る必資がある。
ロファイルが婦ヤれるが、ビームプロファイルの横軸(
ビームスポット径であるが、これは検出信号SAの時間
軸でもある)は光遮蔽体oOO変位変位に応じて較正す
る必資がある。
その九め、第2のr−)回路0めより出力された微分出
力(この例では正の微分出力S、、)がディジタルオシ
ロスコープ(図示せず)に供給されてビームプロファイ
ルのス4ット径に相当する期間(時間)twを求め、そ
の結果からビームス4ツト径が求められる。即ち、この
ビームス4ツト径Wは W=ν・tw ・・・・・・ (2)なおaηは
f −) /4ルスの形成回路であって、後畔するよう
に、光遜蔽体叫の速度誤差が最も少ない時点に得られる
微分出力S、をr−)するように、この例ではバイモル
フ板αSに加える駆動電圧の電圧値を検出して必要なj
’ −) ノ譬ルスGl +G1を形成している。
力(この例では正の微分出力S、、)がディジタルオシ
ロスコープ(図示せず)に供給されてビームプロファイ
ルのス4ット径に相当する期間(時間)twを求め、そ
の結果からビームス4ツト径が求められる。即ち、この
ビームス4ツト径Wは W=ν・tw ・・・・・・ (2)なおaηは
f −) /4ルスの形成回路であって、後畔するよう
に、光遜蔽体叫の速度誤差が最も少ない時点に得られる
微分出力S、をr−)するように、この例ではバイモル
フ板αSに加える駆動電圧の電圧値を検出して必要なj
’ −) ノ譬ルスGl +G1を形成している。
更に、第2のff−)回路0すより出力された正の微分
ノ譬ルスS□は高速7−リエ変換器(FFT) 01に
供給されて、時間領域の信号が空間領域の信号に゛
( 変換される。即ちこれより空間周波数(OFT)を求
1めることができる。即ち、空間周波i15[Fは
FFT(至)の出力である周波数fと光遮蔽体(ト)の
変位速度管とによって求めることができる。
ノ譬ルスS□は高速7−リエ変換器(FFT) 01に
供給されて、時間領域の信号が空間領域の信号に゛
( 変換される。即ちこれより空間周波数(OFT)を求
1めることができる。即ち、空間周波i15[Fは
FFT(至)の出力である周波数fと光遮蔽体(ト)の
変位速度管とによって求めることができる。
F=L ・・・・・・ (3)
!
時間軸補正後のビームプロファイルの一例を第8図に、
そのときの空間周波数Fを第9図に示す。
そのときの空間周波数Fを第9図に示す。
さて、基板(It)として3×3−角のガラス基板を用
い、その上面にスリット輪Cが10I!rlLで、層間
隔がlθμ情のjt鐘蔽層0を形成した場合KFi、4
0■1!!度の長さをもつバイモルフ板a9が使用され
、このバイモルフ板a9は40Hzの正弦波電圧で駆動
される。この駆動によって光遮蔽体C1(lは約100
μm質位する。
い、その上面にスリット輪Cが10I!rlLで、層間
隔がlθμ情のjt鐘蔽層0を形成した場合KFi、4
0■1!!度の長さをもつバイモルフ板a9が使用され
、このバイモルフ板a9は40Hzの正弦波電圧で駆動
される。この駆動によって光遮蔽体C1(lは約100
μm質位する。
測定結果として使用するデータは複数の光遮蔽層a3に
よって得られるデータのうち、光迩蔽体翰O変位速度が
最も安定したときに得られるデータが使用される。正弦
波電圧による駆動の場合には、マイナスの蝦大値からプ
ラスの最大値に変化するその中心付近が、電圧変化の直
紡性が最もよくなるので、この中心付近の電圧でバイモ
ルフ板(l!19が駆動されているときのデータが使用
される。
よって得られるデータのうち、光迩蔽体翰O変位速度が
最も安定したときに得られるデータが使用される。正弦
波電圧による駆動の場合には、マイナスの蝦大値からプ
ラスの最大値に変化するその中心付近が、電圧変化の直
紡性が最もよくなるので、この中心付近の電圧でバイモ
ルフ板(l!19が駆動されているときのデータが使用
される。
〕嗜イモルフ板は駆動電圧に線形に応答するので、正弦
波電圧で駆動する場合と、リニアに変化する電圧で駆動
する場合とでは、たとえ上述のような中心付近の電圧を
使用したときでも、厳密には若干相違する。しかし、そ
の誤差は数/ヤーセント以内なので無視することができ
る。
波電圧で駆動する場合と、リニアに変化する電圧で駆動
する場合とでは、たとえ上述のような中心付近の電圧を
使用したときでも、厳密には若干相違する。しかし、そ
の誤差は数/ヤーセント以内なので無視することができ
る。
即ち、今第10図で示すようにバイモルフ板に加えられ
る正弦波電圧の振幅をb1角周波数をωとすると、時間
tでのバイモルフ板の変位y及びバイモルフ板の変位速
FIILvは y = bginωt ・・・・・・ (4)!
= llalg(alt・+ ++ (5)となる。
る正弦波電圧の振幅をb1角周波数をωとすると、時間
tでのバイモルフ板の変位y及びバイモルフ板の変位速
FIILvは y = bginωt ・・・・・・ (4)!
= llalg(alt・+ ++ (5)となる。
c
図のように、時間丁で丁だけ変位したときにビームプロ
ファイルが得られ九とすると上式より一方、光遮蔽体翰
の変位速fνは(1)式で与えら従って、vTと!との
速度−差Δνは 7 (9)式から明らかなように速度誤差Δ1は周波数に依
存せず、正弦波の振幅すとスリット幅0とに依存し、上
述の数値例の場合には0.3−程度の速度誤差となる。
ファイルが得られ九とすると上式より一方、光遮蔽体翰
の変位速fνは(1)式で与えら従って、vTと!との
速度−差Δνは 7 (9)式から明らかなように速度誤差Δ1は周波数に依
存せず、正弦波の振幅すとスリット幅0とに依存し、上
述の数値例の場合には0.3−程度の速度誤差となる。
従ってスリット幅cq)誤差、カウンタgsKよる時間
測定の誤差等を含めても±1.5−以内の精度で構成で
きるから、バイモルフ板Q1に対する駆動電圧としてリ
ニアに変化する電圧に代え、正弦波電圧を使用してもそ
の影響は殆んどない。
測定の誤差等を含めても±1.5−以内の精度で構成で
きるから、バイモルフ板Q1に対する駆動電圧としてリ
ニアに変化する電圧に代え、正弦波電圧を使用してもそ
の影響は殆んどない。
尚、仁の正弦波電圧による駆動に代え、三角波電圧によ
る駆動あるいはこの三角波をQダンプした電圧による駆
動も考えられる。これらの場合もリニアに変化する駆動
電圧に対してあまり影響の1 でるような誤差とはならない。尚、三角波電圧による場
合には豪共振を生ずるおそれがあるが、三角波電圧をQ
ダンプしたものを使用する場合にはこの複共振を除去で
きるので、速度誤差を最小に止めることができる。
る駆動あるいはこの三角波をQダンプした電圧による駆
動も考えられる。これらの場合もリニアに変化する駆動
電圧に対してあまり影響の1 でるような誤差とはならない。尚、三角波電圧による場
合には豪共振を生ずるおそれがあるが、三角波電圧をQ
ダンプしたものを使用する場合にはこの複共振を除去で
きるので、速度誤差を最小に止めることができる。
第11図はこの発明の更に他の実施例を示し、この例に
於いては検出出力の中値幅時間を測定することにより、
光遮蔽体QQの変位速度を検出し、仁の検出速度からビ
ームプロファイルの時間軸を較正するようにした場合で
ある。上述したようにビームスポットB、の中心点に対
応する検出レベルはその最大レベルV。に対し−となる
のでこの上2 のレベルを半値幅の時間測定の基準レベルとして利用で
きる。
於いては検出出力の中値幅時間を測定することにより、
光遮蔽体QQの変位速度を検出し、仁の検出速度からビ
ームプロファイルの時間軸を較正するようにした場合で
ある。上述したようにビームスポットB、の中心点に対
応する検出レベルはその最大レベルV。に対し−となる
のでこの上2 のレベルを半値幅の時間測定の基準レベルとして利用で
きる。
第11図で示すように増幅器(2)により増幅された検
出信号S、は基準信号を得るため、ポテンショメーター
りに供給され、最大検出電圧vITlと同一の基準電圧
を形成する。そのため、−テンショメータ砿ルの指針が
0となるようにがりュームーを!1111i−ムスIッ
トB8の中心点に対応した基準電圧Tvmが形成され、
これがコンツタレータ−に対し基準電 □圧として供
給される。
出信号S、は基準信号を得るため、ポテンショメーター
りに供給され、最大検出電圧vITlと同一の基準電圧
を形成する。そのため、−テンショメータ砿ルの指針が
0となるようにがりュームーを!1111i−ムスIッ
トB8の中心点に対応した基準電圧Tvmが形成され、
これがコンツタレータ−に対し基準電 □圧として供
給される。
基準電圧i−を設定した彼は、スイッチSWを実線図示
のように切換える仁と罠より、検出信号8□がコン/昔
レータ−に供給されてレベル比較が行われる。その結果
第12図Aの検出信号8□に対しコンツタレータ−から
は同図Bに示す所定の時間幅Tを有するパルス信号札が
得られる。これは前述と同じようにカウンタ翰に供給さ
れてその時間がカウントされる。
のように切換える仁と罠より、検出信号8□がコン/昔
レータ−に供給されてレベル比較が行われる。その結果
第12図Aの検出信号8□に対しコンツタレータ−から
は同図Bに示す所定の時間幅Tを有するパルス信号札が
得られる。これは前述と同じようにカウンタ翰に供給さ
れてその時間がカウントされる。
このようにしても光遮蔽体QQの変位速度1を検出でき
るから、これに基づきビームプロファイルの時間軸を較
正することができる。
るから、これに基づきビームプロファイルの時間軸を較
正することができる。
以上説明したようにこの発明によれば従来のように光干
渉針等を使用して光遮蔽体(至)の変位速度を検出する
必要がないから、構成が極めて簡単となると共に、基板
0υに形成される光遮蔽層(13の精度が極めて高いの
で、光迩藪体翰の変位速度を正確に所定できる。従って
従来よりも正確なげ一ムグロファイルの較正が可能にな
る。
渉針等を使用して光遮蔽体(至)の変位速度を検出する
必要がないから、構成が極めて簡単となると共に、基板
0υに形成される光遮蔽層(13の精度が極めて高いの
で、光迩藪体翰の変位速度を正確に所定できる。従って
従来よりも正確なげ一ムグロファイルの較正が可能にな
る。
爽にこの発明に於いては電気的に変位速[gを測定でき
るから従来よりも測定装置の小型化を図ることができ、
運搬、持ち運びに便利である。又光干渉計等を使用して
いないため保守9点検が容易である。
るから従来よりも測定装置の小型化を図ることができ、
運搬、持ち運びに便利である。又光干渉計等を使用して
いないため保守9点検が容易である。
なお、上述では基板aυに対し複数の光遮蔽層azを形
成したが、少くとも1条の光遮蔽層03があれば、所定
の間隔をもって平行に配された1対の光遮断面を形成で
き、これによって1g5図B及び第6図Bに示す検出信
号S、を得ることができる。従って、原理的にFi1条
の光遮蔽層(13をもつ光迩薮体a呻であればよい。
成したが、少くとも1条の光遮蔽層03があれば、所定
の間隔をもって平行に配された1対の光遮断面を形成で
き、これによって1g5図B及び第6図Bに示す検出信
号S、を得ることができる。従って、原理的にFi1条
の光遮蔽層(13をもつ光迩薮体a呻であればよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は対物レンズの集光性能を測定するためのビーム
強を測定装置の従来例を示す構成図、第2図はビームプ
ロファイルの睨明図、#!3図はこの発明に適用して好
適な光遮蔽体の一例を示す斜視図、第4図はこの発明に
係るビーム’i!i II O所定装置の一例を示す構
成図、#!5図〜第1θ図まではこの発明の動作説明に
供する線図、ml1図はこの発明の他の実施例を示す第
4図と同様な系統図、第12図はその動作説明に供する
波形図である。 (1)は対物レンズ、(4)ti光電震換素子、輪は光
遮蔽体、(13は光遮蔽層、−は微分回路、(26A)
、 (26B)はコンノ奢レータ、@は7リツf70
ツブ、(至)はカクンタ、(至)は高速7−リエ変換器
、Q9はバイモルフ板である。 第1図 第2図 第8図 第7図 第9図 を南閉虐収 停止餉明】
強を測定装置の従来例を示す構成図、第2図はビームプ
ロファイルの睨明図、#!3図はこの発明に適用して好
適な光遮蔽体の一例を示す斜視図、第4図はこの発明に
係るビーム’i!i II O所定装置の一例を示す構
成図、#!5図〜第1θ図まではこの発明の動作説明に
供する線図、ml1図はこの発明の他の実施例を示す第
4図と同様な系統図、第12図はその動作説明に供する
波形図である。 (1)は対物レンズ、(4)ti光電震換素子、輪は光
遮蔽体、(13は光遮蔽層、−は微分回路、(26A)
、 (26B)はコンノ奢レータ、@は7リツf70
ツブ、(至)はカクンタ、(至)は高速7−リエ変換器
、Q9はバイモルフ板である。 第1図 第2図 第8図 第7図 第9図 を南閉虐収 停止餉明】
Claims (1)
- 対物レンズより出射したビームの強度を測定することに
よって上記対物レンズの集光性能を評価するようにし友
ものに於いて、・所定の距離を隔て平行に形成された1
対の光遮断面を有する光遮蔽体が上記対物レン・ズを透
過したレーザービームの焦点を含む面に対し、移動自在
に配され、この焦点の近傍には光電変換素子が配されて
上記光遮蔽体により遮られつつあるレーザービームの強
度が検出されると共に、上記1対の光遮断面の断面間距
離に相幽する上記光遮蔽体の移動時間を測定する手段が
設けられ、この移動時間の計測値と上記検出信号からビ
ーム強度を測定するようにしたビームg!A度測定装置
・
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2226282A JPS58139034A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | ビ−ム強度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2226282A JPS58139034A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | ビ−ム強度測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58139034A true JPS58139034A (ja) | 1983-08-18 |
Family
ID=12077850
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2226282A Pending JPS58139034A (ja) | 1982-02-15 | 1982-02-15 | ビ−ム強度測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58139034A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004030607A1 (de) * | 2004-06-24 | 2006-02-02 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Vermessen des Strahlprofils eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsmaschine |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50118773A (ja) * | 1974-02-28 | 1975-09-17 |
-
1982
- 1982-02-15 JP JP2226282A patent/JPS58139034A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50118773A (ja) * | 1974-02-28 | 1975-09-17 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004030607A1 (de) * | 2004-06-24 | 2006-02-02 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Vermessen des Strahlprofils eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsmaschine |
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