JPS581324A - 集積化マルチバイブレ−タ - Google Patents
集積化マルチバイブレ−タInfo
- Publication number
- JPS581324A JPS581324A JP9824481A JP9824481A JPS581324A JP S581324 A JPS581324 A JP S581324A JP 9824481 A JP9824481 A JP 9824481A JP 9824481 A JP9824481 A JP 9824481A JP S581324 A JPS581324 A JP S581324A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- capacitor
- multivibrator
- thin film
- capacitance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/282—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable
- H03K3/2821—Emitters connected to one another by using a capacitor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積化マルチバイブレータに関し。
特にｙｘ変復調器を構成するのに好適な集積化マルチバ
イブレータに関するものである。
イブレータに関するものである。
従来の集積化１Ｍ変復調器等に採用されているマルチバ
イブレータは（り容量接続のための外部端子が必要であ
る。■消費電流が大きい、などという問題があった。
イブレータは（り容量接続のための外部端子が必要であ
る。■消費電流が大きい、などという問題があった。
以下この問題点を図を用いて説明する。
第１図は、従来の集積回路によく採用される非安定マル
チバイブレータの回路図である。図において、１Ｆ１ダ
イオード、２〜１０はトランジスタ、１１〜１７Ｆｉ抵
抗、１８は定電圧源、１９．２０は外部端子、２１はコ
ンデンサ、２２は入力端子。
チバイブレータの回路図である。図において、１Ｆ１ダ
イオード、２〜１０はトランジスタ、１１〜１７Ｆｉ抵
抗、１８は定電圧源、１９．２０は外部端子、２１はコ
ンデンサ、２２は入力端子。
３３は寄生容量である。また第２図の実線は動作波形を
示す。
示す。
つぎに、これらの図を参照して動作を説明する。
今トランジスタ６がオン、トランジスタイがオフの状態
を考える。トランジスタ６および７のコレクタ電位は、
定電圧源１８の電位をｒ、、電源電位をｙ。。、トラン
ジスタのベース、エミッタ間電圧およびダイオードの順
方向電圧を−とすれば、それぞれ ”Ａ ’Ｂｌ ’ −（’００−’ｍｍ ）となる。
を考える。トランジスタ６および７のコレクタ電位は、
定電圧源１８の電位をｒ、、電源電位をｙ。。、トラン
ジスタのベース、エミッタ間電圧およびダイオードの順
方向電圧を−とすれば、それぞれ ”Ａ ’Ｂｌ ’ −（’００−’ｍｍ ）となる。
また、トランジスタ４．５のエイツタ電位はそれぞれ第
２図（Ｃ）、（ｐ）に示されるように、それぞれ（ｒ
−ム ２ＦＢ、 ”ｊ 、 （Ｆｏ。−２Ｆ、、 ’） と
なる。
２図（Ｃ）、（ｐ）に示されるように、それぞれ（ｒ
−ム ２ＦＢ、 ”ｊ 、 （Ｆｏ。−２Ｆ、、 ’） と
なる。
この場合、トランジスタ４のエンツタ電位よりトランジ
スタ５のエイツタ電位の方が高いので、抵抗１５と１４
．抵抗１５と１６の抵抗値が勢しければ、トランジスタ
９がオンとなす、トランジスタ８がオフとなる。
スタ５のエイツタ電位の方が高いので、抵抗１５と１４
．抵抗１５と１６の抵抗値が勢しければ、トランジスタ
９がオンとなす、トランジスタ８がオフとなる。
このため、トランジスタ６のエイツタ電１１ｔｆＩＣの
外部端子１９→コンデン？２１→外部端子２゜→トラン
ジスタ９→トランジスターｏ→抵抗１７→アースの経路
で流れる。
外部端子１９→コンデン？２１→外部端子２゜→トラン
ジスタ９→トランジスターｏ→抵抗１７→アースの経路
で流れる。
トランジスター０．抵抗１７で、電流値Ｉｏの定電流源
を構成し、かつコンデンサ２１の静電容量をＣとするト
、トランジスタ７のエイツタ電位は第２図（Ｂ）に示す
ように傾き！、／ｃで徐々に低下する。またトランジス
タ６のエイツタ電位は第２図（Ｊ） Ｋ示すように（Ｆ
ｏｏ−ＳＦＢ、）である。トランジスタ７のエイツタ電
位が（Ｆ、−５１’□）になるムトランジ・スタフがオ
ンして正帰還がかかり、トランジスタ６はオフし１反転
する。
を構成し、かつコンデンサ２１の静電容量をＣとするト
、トランジスタ７のエイツタ電位は第２図（Ｂ）に示す
ように傾き！、／ｃで徐々に低下する。またトランジス
タ６のエイツタ電位は第２図（Ｊ） Ｋ示すように（Ｆ
ｏｏ−ＳＦＢ、）である。トランジスタ７のエイツタ電
位が（Ｆ、−５１’□）になるムトランジ・スタフがオ
ンして正帰還がかかり、トランジスタ６はオフし１反転
する。
反転後トランジスタ６．７のコレクタ電位けそれぞれげ
。。−Ｆ、、）、ＣＦ、−Ｆ□）となｌ ）ランジスタ
４，５のエイツタ電位は、それぞれ第２図（Ｃ）ｉＺｌ
）Ｋ示すようＫ （ｒｏ。−２１ＦＢｍ） 、 ＣＶＡ
−２ｒ−トナル。トランジスタ７の工、ミＶり電位ハ、
げ。。
。。−Ｆ、、）、ＣＦ、−Ｆ□）となｌ ）ランジスタ
４，５のエイツタ電位は、それぞれ第２図（Ｃ）ｉＺｌ
）Ｋ示すようＫ （ｒｏ。−２１ＦＢｍ） 、 ＣＶＡ
−２ｒ−トナル。トランジスタ７の工、ミＶり電位ハ、
げ。。
−５ＦＢｍ）となる。また、トランジスタ６のエイツタ
電位はこの（Ｆｏ。−５ＦＢＩ）Ｋ、反転直前にコンデ
ン？２１Ｋかかつていた電位差（Ｆｏ。−Ｆ、 ）を加
えた（、 ２Ｆａｏ−ＦＡ−５ｒＢｌ ’）となる。（
第２図（４）（ｎ） ｓｃ示す。）以下同様な動作をく
り返して発振する。
電位はこの（Ｆｏ。−５ＦＢＩ）Ｋ、反転直前にコンデ
ン？２１Ｋかかつていた電位差（Ｆｏ。−Ｆ、 ）を加
えた（、 ２Ｆａｏ−ＦＡ−５ｒＢｌ ’）となる。（
第２図（４）（ｎ） ｓｃ示す。）以下同様な動作をく
り返して発振する。
第２図よに明らかなように、半周期／２ｒは。
２Ｃ（Ｐ’０゜−Ｆ、） ／ １．、となｌ 発１１周
ｆｉ数／ａ。
ｆｉ数／ａ。
４Ｃ（Ｆｏｏ ｊ’Ａ）
また回路が対称であるから、トランジスタ４゜５のエイ
ツタにおける発振出力の偶数次高調波歪は非常に少ない
。またトランジスタ１０のベースに信号を供給し、電流
源を信号で駆動すればｙｗ変調器として動作する。
ツタにおける発振出力の偶数次高調波歪は非常に少ない
。またトランジスタ１０のベースに信号を供給し、電流
源を信号で駆動すればｙｗ変調器として動作する。
ζこで、コンデンサ２１の集積回路への内蔵を考える。
内蔵容量としては、第１図に示すような金属５４−絶縁
物５Ｂ−半導体構造５９よ砂なるものと、第４図に示す
ような金＠５４−絶縁物５日−金属構造５８４よりなる
ものとの２種類の薄膜容量が考えられる。このような薄
膜容量では。
物５Ｂ−半導体構造５９よ砂なるものと、第４図に示す
ような金＠５４−絶縁物５日−金属構造５８４よりなる
ものとの２種類の薄膜容量が考えられる。このような薄
膜容量では。
第５図の等価回路に示すように、上部電極５４と下部電
極３７間の目的とする容量の他に、下部電極５７とアー
ス間に寄生容量が発生するのは避けられない。この寄生
容量の容量値は ＊運上目的とする容量の容量値とほぼ
等しい。なお、第１．４図において、４０け半導体基板
である。
極３７間の目的とする容量の他に、下部電極５７とアー
ス間に寄生容量が発生するのは避けられない。この寄生
容量の容量値は ＊運上目的とする容量の容量値とほぼ
等しい。なお、第１．４図において、４０け半導体基板
である。
すなわち、第１図においてコンデン＋２１を内蔵しよう
とすれば、トランジスタ６または７のエイツタとアース
間に寄生容量がつくことになる。
とすれば、トランジスタ６または７のエイツタとアース
間に寄生容量がつくことになる。
ここで、トランジスタ６の工（ツタに寄生容量がついた
場合の動作を、第１図、第２図を用いて説明する。第１
図に寄生容量５！を破−で示す。なお、寄生容量値は目
的の容量の容量値Ｃと同じとする。また、この場合の動
作波形を第２図の破線で示す。
場合の動作を、第１図、第２図を用いて説明する。第１
図に寄生容量５！を破−で示す。なお、寄生容量値は目
的の容量の容量値Ｃと同じとする。また、この場合の動
作波形を第２図の破線で示す。
時刻−一１において動作状態が反転し九直後のトランジ
スタ６の工（ツタ電位は、寄生容量のために、（−Ｆｏ
。−−Ｆ、 −ＳＦ、、”）となり、その２ 後傾き−で徐々に低下し、ｊｘｊｌ において反Ｃ 転する（第２図４の破線）。時刻−ｔｍｉｊから次の反
転までは、コンデンサ２１を内蔵しない場合と同じであ
る。第、２図から明らかなよう一発振波形は非対称とな
り偶数次高調波歪をもつようになる。
スタ６の工（ツタ電位は、寄生容量のために、（−Ｆｏ
。−−Ｆ、 −ＳＦ、、”）となり、その２ 後傾き−で徐々に低下し、ｊｘｊｌ において反Ｃ 転する（第２図４の破線）。時刻−ｔｍｉｊから次の反
転までは、コンデンサ２１を内蔵しない場合と同じであ
る。第、２図から明らかなよう一発振波形は非対称とな
り偶数次高調波歪をもつようになる。
この非安定マルチバイプレーＩを、家庭用ＶＴＲのＦＭ
変ｖ／４器として使用する場合、第２高調波の下側帯波
が１本来のｐｘ倍信号上側帯波の帯域に入ｐ込む。そし
て、復調時に、この高調波の側帯波は１本来のｙｘキャ
リアに対して復調されるため、その復調された信号は元
の変調信号とは異賞なものとなり１画質劣化を引き起す
ことになる。したがりて、従来回路のままでは、金量管
内蔵させることは不可能である。
変ｖ／４器として使用する場合、第２高調波の下側帯波
が１本来のｐｘ倍信号上側帯波の帯域に入ｐ込む。そし
て、復調時に、この高調波の側帯波は１本来のｙｘキャ
リアに対して復調されるため、その復調された信号は元
の変調信号とは異賞なものとなり１画質劣化を引き起す
ことになる。したがりて、従来回路のままでは、金量管
内蔵させることは不可能である。
また、容量を周辺部品とする場合、 ＩＣの外部端子は
、隣接ピンとの関係などから浮遊容量値が異なるので、
この影響を小さくするため、容量値Ｃとしては数十Ｐ！
が必要となる。その場合の電流ハ、すなわちＡＣＣ１！
０゜−Ｆ、 ） ／は、後で述べる本発明の場合に比べ
て数倍の値となる。
、隣接ピンとの関係などから浮遊容量値が異なるので、
この影響を小さくするため、容量値Ｃとしては数十Ｐ！
が必要となる。その場合の電流ハ、すなわちＡＣＣ１！
０゜−Ｆ、 ） ／は、後で述べる本発明の場合に比べ
て数倍の値となる。
以上述べたように、従来回路では容量接続のための外部
端子２ピンが必要な上、消費電流が大きいという問題が
ある。な訃１以上では、非安定マルチバイブレータを用
いて、従来の問題点をｉｇ明したが、エンツタ間がコン
デンサで結合された一対のトランジスタｔ＃Ｉ成要素と
するマルチバイプレー−について４同様なことがい見る
。
端子２ピンが必要な上、消費電流が大きいという問題が
ある。な訃１以上では、非安定マルチバイブレータを用
いて、従来の問題点をｉｇ明したが、エンツタ間がコン
デンサで結合された一対のトランジスタｔ＃Ｉ成要素と
するマルチバイプレー−について４同様なことがい見る
。
本発明の目的は、従来技術の欠点をなくシ。
コンデンサを内蔵しても高調波歪の劣化がなくかつ消費
電流の少ない集積化ｉルチバイプレータを提供すること
にある。
電流の少ない集積化ｉルチバイプレータを提供すること
にある。
上記の目的を達成するために１本発明は、＊造が非対称
な薄膜容量を２個使うことにより回路を対称にし１発振
波形の高調波歪劣化を招くことなく、容量の内蔵化をは
かることができるようにしている。
な薄膜容量を２個使うことにより回路を対称にし１発振
波形の高調波歪劣化を招くことなく、容量の内蔵化をは
かることができるようにしている。
本発明を、従来例と同じく非安定マルチバイブレータに
採用した一実施例を第６図に示す。
採用した一実施例を第６図に示す。
同図にシいて、第１図と同一符号を付けられた素子は同
一機能を有するものとする。第１．６図の対比から明ら
かなように、この実施例が第１図と一異なるのは、第１
図のコンデンサ旧を符号２５．２４で示した２個の薄膜
容量で構成した点だけである。
一機能を有するものとする。第１．６図の対比から明ら
かなように、この実施例が第１図と一異なるのは、第１
図のコンデンサ旧を符号２５．２４で示した２個の薄膜
容量で構成した点だけである。
そして前記２個の薄膜容量は、容量値、形状を全く同じ
にし、上部電極と下部電極がそれぞれ逆になるように接
続される。すなわち１例えばｆａｌの薄膜容量の上部電
極と第２の薄膜容量の下部電極とがトランジスタ６のエ
ンツタに接続されるとすれば、第１の薄膜容量の下部電
、極と第２の薄膜容量の上部電極とはトランジスタ７の
工（ｙりに接続される。このため、第６図に破線で示す
ように、寄生容量２５．２６が、それぞれトランジスタ
６．７の工ずタタに、対称位置につくととになる。した
がって、各部の波形は、ｔＪ４７図（＃）〜（ｄ）に示
すようになる。すなわち発振波形も対称になり、高調波
歪の劣化本生じない。
にし、上部電極と下部電極がそれぞれ逆になるように接
続される。すなわち１例えばｆａｌの薄膜容量の上部電
極と第２の薄膜容量の下部電極とがトランジスタ６のエ
ンツタに接続されるとすれば、第１の薄膜容量の下部電
、極と第２の薄膜容量の上部電極とはトランジスタ７の
工（ｙりに接続される。このため、第６図に破線で示す
ように、寄生容量２５．２６が、それぞれトランジスタ
６．７の工ずタタに、対称位置につくととになる。した
がって、各部の波形は、ｔＪ４７図（＃）〜（ｄ）に示
すようになる。すなわち発振波形も対称になり、高調波
歪の劣化本生じない。
そこで、いまコンデンサ２５，２４シよび寄生容・量２
５．２６の容量値をＣとすると放電の傾きはｋ・となる
。したがって、半周期イＴけ ５Ｃ（Ｆｏ。−ｒ、 ） ｌＩ となり１発振周波数Ｉは Ｉ Ｉｍ と表わせる。またこの式よ静電流ｌａは、１０（１’（
ｒｏ。−Ｆ、 ） ／となる。今、集積化した場合の容
量値、電流をＣ，ハとし、集積化しない場合のそれをハ
、ごとするとハ’、／７０ ｅａ ｓｃ’ΔＣとなる。
５．２６の容量値をＣとすると放電の傾きはｋ・となる
。したがって、半周期イＴけ ５Ｃ（Ｆｏ。−ｒ、 ） ｌＩ となり１発振周波数Ｉは Ｉ Ｉｍ と表わせる。またこの式よ静電流ｌａは、１０（１’（
ｒｏ。−Ｆ、 ） ／となる。今、集積化した場合の容
量値、電流をＣ，ハとし、集積化しない場合のそれをハ
、ごとするとハ’、／７０ ｅａ ｓｃ’ΔＣとなる。
容量内蔵の場合は、外部端子が不要なので。
ビンの浮遊容量のアンバランスを考慮する必要がなく、
容量イ直を小さくすることができる。−例として、 Ｃ
−１００７Ｆ、 Ｃ婁１０？ｌとすると。
容量イ直を小さくすることができる。−例として、 Ｃ
−１００７Ｆ、 Ｃ婁１０？ｌとすると。
ｔｏ’７６ｅ ＝ ０．２５となり、電流を／４にする
ことができる。
ことができる。
＄８図に１本発明を単安定マルチバイブレータ型遅延回
路に適用した“場合の一例を示す。同図ｖＣおいて、第
６図と同一符号の素子線、同一機能を有するものとする
。差動対２７．２８のペースに信号源５２より信号が供
給される。この回路の動作は良く知られているので、そ
の説明は省略する。
路に適用した“場合の一例を示す。同図ｖＣおいて、第
６図と同一符号の素子線、同一機能を有するものとする
。差動対２７．２８のペースに信号源５２より信号が供
給される。この回路の動作は良く知られているので、そ
の説明は省略する。
なお、ここで定電流源５１の電゛流値を１ｏ、コ７デン
ｔ ２５，２４および寄生容量（図示せず）をＣζする
と、遅延時間富は この遅延回路は、遅延備考と原信号を掛算することによ
り、 ＦＭ−１１１号の復調器として利用すること、が
できる、この実施例において、容量値は。
ｔ ２５，２４および寄生容量（図示せず）をＣζする
と、遅延時間富は この遅延回路は、遅延備考と原信号を掛算することによ
り、 ＦＭ−１１１号の復調器として利用すること、が
できる、この実施例において、容量値は。
容量を周辺部品とした場合に比べ、数分の−にでき、そ
の結果、電流ハを低減できるのは、非安定マルチバイブ
レータの場合と同様である。
の結果、電流ハを低減できるのは、非安定マルチバイブ
レータの場合と同様である。
すなわち、従来でけ ２０として５〜７ ｍ＋＋４を必
要としていたので、約５ａＪの消費電流低減が可能であ
る。
要としていたので、約５ａＪの消費電流低減が可能であ
る。
以上の説明から明らかなように１本発明を採用すること
により、従来、 ＩＣ化の際に外付部品とされていたコ
ンデンサを内蔵することが可能となる。その結果ＩＣの
外部端子を２個削減できるばかりでなく、消費電流を１
〜Ｓ、ａａ削減セきる。−
により、従来、 ＩＣ化の際に外付部品とされていたコ
ンデンサを内蔵することが可能となる。その結果ＩＣの
外部端子を２個削減できるばかりでなく、消費電流を１
〜Ｓ、ａａ削減セきる。−
第１図は従来の集積化非安定マルチパイプレークの回路
図、第２図（１）〜（Ｄ）はその各部の信号波形図、第
Ｓ図および第４図は薄膜容量の物理的構造を示す断面図
、第５図は前記薄膜容量の等価回路図、第６図は本発明
の一実施例の回路図、ｌｌＩｌ図（、）〜（ｄ）はその
各部信号波形図、第８図は本発明の他の実施例の回路図
である。 １９．２０・・・ＩＣの外部端子 ２条、２４・・・薄膜容量 ２５．２６・・・寄生容量 ５４・・・上部金属
電極Ｓ７・・・下部金属電極 ５８．５８ト・・
誘電体４０・・・半導体基体 才 １ 図 才 ３ 図 ｆ ｚ 図 才 ５ 図 ｔ６図 才 ７ 図 才８図
図、第２図（１）〜（Ｄ）はその各部の信号波形図、第
Ｓ図および第４図は薄膜容量の物理的構造を示す断面図
、第５図は前記薄膜容量の等価回路図、第６図は本発明
の一実施例の回路図、ｌｌＩｌ図（、）〜（ｄ）はその
各部信号波形図、第８図は本発明の他の実施例の回路図
である。 １９．２０・・・ＩＣの外部端子 ２条、２４・・・薄膜容量 ２５．２６・・・寄生容量 ５４・・・上部金属
電極Ｓ７・・・下部金属電極 ５８．５８ト・・
誘電体４０・・・半導体基体 才 １ 図 才 ３ 図 ｆ ｚ 図 才 ５ 図 ｔ６図 才 ７ 図 才８図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リ 第１および第２のトランジスタと、第１および瀉
２のトランジスタのエイツタ間に４ｉ［すしたコンデン
サと、第１のトランジスタのベースを第２のトランジス
タのコレクタに接続すル手段と、第２のトランジスタの
ベースヲ第１のトランジスタのコレクタに接続する手段
とを含む集積化マルチバイブレータにおいて、前記コン
デンサは、それぞれが下部電極、誘電体および上部電極
よりなる第１および第２の薄膜容量よりなり、第１薄膜
容量の上部電極および第２薄膜容量の下部電極が第１の
トランジスタのエイツタに接続され、第１薄膜容貴の下
部電極および第２薄膜容量の上部電極が第２のトランジ
スタのエンツタに接続されたことを特徴とする１１１化
マルチバイブレータ。 （２）第１および第２の薄膜容量の形状および容量値が
互いに等しいことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の集積化マルチバイブレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9824481A JPS581324A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 集積化マルチバイブレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9824481A JPS581324A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 集積化マルチバイブレ−タ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581324A true JPS581324A (ja) | 1983-01-06 |
| JPH03807B2 JPH03807B2 (ja) | 1991-01-09 |
Family
ID=14214540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9824481A Granted JPS581324A (ja) | 1981-06-26 | 1981-06-26 | 集積化マルチバイブレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581324A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59212751A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電気泳動媒体材料の製造方法 |
| JPS61253919A (ja) * | 1985-05-04 | 1986-11-11 | Hitachi Ltd | Ｃｒ積ばらつき自己補正装置 |
| JPH0217713A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Hitachi Ltd | 複数発振器を有する電子装置 |
| JPH02230821A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Hitachi Ltd | クロック発生装置及び周波数―電流変換回路 |
| JP2002190738A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Fuji Electric Co Ltd | ディジタル・アナログ変換器及びアナログ・ディジタル変換器 |
-
1981
- 1981-06-26 JP JP9824481A patent/JPS581324A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59212751A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電気泳動媒体材料の製造方法 |
| JPH0457974B2 (ja) * | 1983-05-19 | 1992-09-16 | Agency Science & Tech | |
| JPS61253919A (ja) * | 1985-05-04 | 1986-11-11 | Hitachi Ltd | Ｃｒ積ばらつき自己補正装置 |
| JPH0217713A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-22 | Hitachi Ltd | 複数発振器を有する電子装置 |
| JPH02230821A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Hitachi Ltd | クロック発生装置及び周波数―電流変換回路 |
| JP2002190738A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-07-05 | Fuji Electric Co Ltd | ディジタル・アナログ変換器及びアナログ・ディジタル変換器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03807B2 (ja) | 1991-01-09 |
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