JPS58132029A - 基板の表面処理方法 - Google Patents
基板の表面処理方法Info
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- JPS58132029A JPS58132029A JP1335082A JP1335082A JPS58132029A JP S58132029 A JPS58132029 A JP S58132029A JP 1335082 A JP1335082 A JP 1335082A JP 1335082 A JP1335082 A JP 1335082A JP S58132029 A JPS58132029 A JP S58132029A
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- polymer material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は有機高分子材料からなる基板の表面処理方法に
関し、晩に詳しく祉、基板表面を気体放電処理および化
学@場することを特徴とする基板の表向処理方法に関す
る。
関し、晩に詳しく祉、基板表面を気体放電処理および化
学@場することを特徴とする基板の表向処理方法に関す
る。
従来プラスチックフィルム、プラスチック板等に対して
、その表面に設けられる高分子層、金属層、あるいは檀
々の分舷噛との接着性を向上させる目的で真空ダロー放
電処理、プラズマ放電処理、コロナ放電処理等の気体放
電処理を含め先程々の表面処理が行なわれてき友。
、その表面に設けられる高分子層、金属層、あるいは檀
々の分舷噛との接着性を向上させる目的で真空ダロー放
電処理、プラズマ放電処理、コロナ放電処理等の気体放
電処理を含め先程々の表面処理が行なわれてき友。
しかしながら、これらの方法を用いて、有機高分子材料
からなる基板の表向の接着性を所望の程度まで向上させ
るためには、前記気体放電処理の時間を長くしなけれに
ならないか、または放11に強度を太き−くしなければ
ならないために、基板自体が黄色に着色する現象が起こ
る。この様な着色は材料特性上、商品イメージ上好まし
くなく、特に光学部材として前記基板を用いる場合、基
板が表面処理で着色することは致命的な欠陥となる。信
えば、この有機高分子材料からなる基板を光が透過する
条件下で、使用される場合であり、特に、前記基板が光
学的情報紀鍮織体に用いられる場合には、この基板の着
色現象が、前記基板上に記録される情報の書込み、読み
出し等における実質的な光エネルギーの減少、またはレ
ーザ光の様な光の散乱等によシ、情報記録感度の低下や
再生信号の8/N比の低下など、実用上極めて重大な欠
陥の原因となっていた。上記処理時間を短くするか放電
強直を弱めるかして処理の程度を11滅すれば、上記の
不利な点の発現を防止てきるが、前記基板上に設けられ
美記録層勢の所望の接着性等の表内特性が侮られず、こ
れまで気体放電処理は実質的に使用できないとみられて
いた。
からなる基板の表向の接着性を所望の程度まで向上させ
るためには、前記気体放電処理の時間を長くしなけれに
ならないか、または放11に強度を太き−くしなければ
ならないために、基板自体が黄色に着色する現象が起こ
る。この様な着色は材料特性上、商品イメージ上好まし
くなく、特に光学部材として前記基板を用いる場合、基
板が表面処理で着色することは致命的な欠陥となる。信
えば、この有機高分子材料からなる基板を光が透過する
条件下で、使用される場合であり、特に、前記基板が光
学的情報紀鍮織体に用いられる場合には、この基板の着
色現象が、前記基板上に記録される情報の書込み、読み
出し等における実質的な光エネルギーの減少、またはレ
ーザ光の様な光の散乱等によシ、情報記録感度の低下や
再生信号の8/N比の低下など、実用上極めて重大な欠
陥の原因となっていた。上記処理時間を短くするか放電
強直を弱めるかして処理の程度を11滅すれば、上記の
不利な点の発現を防止てきるが、前記基板上に設けられ
美記録層勢の所望の接着性等の表内特性が侮られず、こ
れまで気体放電処理は実質的に使用できないとみられて
いた。
上記着色の問題の他に、強い放電処理によシ発生する失
透また祉白濁化の現象も同様に気体放電処理の使用範8
を限定していた。
透また祉白濁化の現象も同様に気体放電処理の使用範8
を限定していた。
本発明の目的はかかる着色または失透を抑えながら、光
分な表面処理方法を施して、有機高分子材料からなる基
板とその上に設けられる配鍮層等との間OiI着性を改
曽することにある。
分な表面処理方法を施して、有機高分子材料からなる基
板とその上に設けられる配鍮層等との間OiI着性を改
曽することにある。
かかる目的は、有機高分子材料からなる基板表両を気体
放電処理および化学処理することを特徴とする基板の表
面処理方法によって達成される。
放電処理および化学処理することを特徴とする基板の表
面処理方法によって達成される。
本発明の好ましい実施態様に従えば、前記気体放電処理
がプラズマ放電処理もしく拡コロナ放電@層であること
、前記化学処理がアルカリ金属またはアルカリ土類金属
のイオンを含有するアルカリ111液に前記基板を浸漬
する処理であることであり、さらに他の好ましい”実施
一様に従えば、前記有機高分子材料がポリメチルメタク
リル酸又はそのllI4体であることt−特徴とする表
面処理方法とすることである。
がプラズマ放電処理もしく拡コロナ放電@層であること
、前記化学処理がアルカリ金属またはアルカリ土類金属
のイオンを含有するアルカリ111液に前記基板を浸漬
する処理であることであり、さらに他の好ましい”実施
一様に従えば、前記有機高分子材料がポリメチルメタク
リル酸又はそのllI4体であることt−特徴とする表
面処理方法とすることである。
以下、本発明について詳述する。
本発明の気体放電処理とは、III:空ダロー放電処理
、コ0す放電処理およびプラズマ放電処理等をいう。こ
こに、真壁グー−放電処ffiは、高真空中において高
電圧を印加したとぎ電界の陰極付近に発生するグロー放
電発光下に有機高分子材料の基板を曝すことで基板の表
向処理を行なうものである。コロナ放電処理は、大気中
もしくは真空中において、直流高電圧又は交流高電圧を
1縁よシ印加してコロナ放電させて、雰囲気気体をイオ
ン化させ、このイオン流に有411高分子材料の基板を
曝すことで基板の表向処理を行なうものである。また、
プラズマ放電処理は、大気中もしくは特定気体の低中圧
中において、aJ#M波発振を行なわせて、プラズマ放
電f:打なわせ雰囲気の気体をイオン化させ、このイオ
ンIK有機高分子材料の基板を@すことで基板の表−処
理を行なうものである。本発明においては、前記基板の
表面への有機動勢の汚染を防ぐ意味で、プラズマ放電処
理、コロナ放電処理が最も好ましい。
、コ0す放電処理およびプラズマ放電処理等をいう。こ
こに、真壁グー−放電処ffiは、高真空中において高
電圧を印加したとぎ電界の陰極付近に発生するグロー放
電発光下に有機高分子材料の基板を曝すことで基板の表
向処理を行なうものである。コロナ放電処理は、大気中
もしくは真空中において、直流高電圧又は交流高電圧を
1縁よシ印加してコロナ放電させて、雰囲気気体をイオ
ン化させ、このイオン流に有411高分子材料の基板を
曝すことで基板の表向処理を行なうものである。また、
プラズマ放電処理は、大気中もしくは特定気体の低中圧
中において、aJ#M波発振を行なわせて、プラズマ放
電f:打なわせ雰囲気の気体をイオン化させ、このイオ
ンIK有機高分子材料の基板を@すことで基板の表−処
理を行なうものである。本発明においては、前記基板の
表面への有機動勢の汚染を防ぐ意味で、プラズマ放電処
理、コロナ放電処理が最も好ましい。
本発明の化学処理とは、酸処珈、アルカリ処理、カップ
リング剤処理、例えばシラン糸やチタン系カップリング
剤を用いた処理などのいずれか1つ箇えは前2@のいず
れ゛かと後者とを組み合わせた表自処[を盲う。
リング剤処理、例えばシラン糸やチタン系カップリング
剤を用いた処理などのいずれか1つ箇えは前2@のいず
れ゛かと後者とを組み合わせた表自処[を盲う。
本発明の表面処理方法の利点は、気体放電処理後に化学
処理を行なうことによシ、有機高分子材料からなる基板
の着色中失透を実質的に起こさせずに装着性等の光分な
表面特性が得られることである。本発明の表面処理方法
を施した有機高分子材料の基板でFi接着剤や別種の下
引層等を用いる必豐がないために、化学変化等の経時劣
化の問題が無いようにできることも、本発明の−B−処
理方法による利点に含まれる。
処理を行なうことによシ、有機高分子材料からなる基板
の着色中失透を実質的に起こさせずに装着性等の光分な
表面特性が得られることである。本発明の表面処理方法
を施した有機高分子材料の基板でFi接着剤や別種の下
引層等を用いる必豐がないために、化学変化等の経時劣
化の問題が無いようにできることも、本発明の−B−処
理方法による利点に含まれる。
本発明の表面処理方法は、従来の方法による気体放電処
理において着色を生じるか、まえは失透する様な有機高
分子材料においても、特に有効である。本発明の有機高
分子材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレートの様なポリエステル類
、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレンの様なボリ
スチレ/類、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメ
タクリレート、ホリハイドロキ7エチルメタクリレート
の様なテクリルエステル類、ポリカーボネート類、セル
ローストリアセテート、セルロースアセテートブチレー
トの様なセルロース111%であって、本発明の表面処
理方法はいずれにも適用できる。
理において着色を生じるか、まえは失透する様な有機高
分子材料においても、特に有効である。本発明の有機高
分子材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチレンテレフタレートの様なポリエステル類
、ポリスチレン、ポリ−α−メチルスチレンの様なボリ
スチレ/類、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメ
タクリレート、ホリハイドロキ7エチルメタクリレート
の様なテクリルエステル類、ポリカーボネート類、セル
ローストリアセテート、セルロースアセテートブチレー
トの様なセルロース111%であって、本発明の表面処
理方法はいずれにも適用できる。
上記の様な有機高分子材料からなる基板の厚さは限定さ
れず、例えばフィルム状態の79謹厚から30謹厚の板
状基板まで用いることができる。
れず、例えばフィルム状態の79謹厚から30謹厚の板
状基板まで用いることができる。
光学的情報記f&謀体の如く、透明で平渭性に優れた基
板を通して、一般的には、1μm前後のビーム径に絞り
込まれたレーザ光を用いて情報の書き込み、読み出し等
記録、再生を行なうような情報記録法等に好ましく用い
られる有機高分子材料として、ポリメチルメタクリレー
ト樹脂およびその銹導体の場合には、本発明の表面処理
方法が最本好ましい。
板を通して、一般的には、1μm前後のビーム径に絞り
込まれたレーザ光を用いて情報の書き込み、読み出し等
記録、再生を行なうような情報記録法等に好ましく用い
られる有機高分子材料として、ポリメチルメタクリレー
ト樹脂およびその銹導体の場合には、本発明の表面処理
方法が最本好ましい。
本発明の表面処理方法で行なわれる気体放電処理にLl
)゛ラズマ放電処理、コロナ放電処理が特に好ましい処
理法である。
)゛ラズマ放電処理、コロナ放電処理が特に好ましい処
理法である。
コロナ放電処理は直流高電圧もしくは交流高電圧の高圧
発生機、好ましくは電圧が1〜100KVにおいて、出
力1〜20 KW金含有る発生装置を用いて、大気中常
圧下に行うことができる。この処理は放電位置において
コロナ放電下で気体がイオン化している雰−気中を豹電
体支持ローラー上有機為分子材料からなる基板を一速度
毎分1〜500nmにて送って前記基板の表向処理を行
なうのが好ましい。放電電極はタングステン線、金メツ
キー等の細1mlがよく、有機高分子材料の基板上から
0.1〜50−の位置に設置して均一な放電を施して、
柑いることができる。
発生機、好ましくは電圧が1〜100KVにおいて、出
力1〜20 KW金含有る発生装置を用いて、大気中常
圧下に行うことができる。この処理は放電位置において
コロナ放電下で気体がイオン化している雰−気中を豹電
体支持ローラー上有機為分子材料からなる基板を一速度
毎分1〜500nmにて送って前記基板の表向処理を行
なうのが好ましい。放電電極はタングステン線、金メツ
キー等の細1mlがよく、有機高分子材料の基板上から
0.1〜50−の位置に設置して均一な放電を施して、
柑いることができる。
本発明のフラズマ放電処理は最も好ましい処理方法であ
シ、真![o、o 1〜20 Torrの低中圧中の雰
−気で行なわれ、好箇しくは0.1〜2 Torrであ
る。圧力が低すぎるとプラズマ処理効果が充分でなく、
為すぎると過大電流が流れて危険である。
シ、真![o、o 1〜20 Torrの低中圧中の雰
−気で行なわれ、好箇しくは0.1〜2 Torrであ
る。圧力が低すぎるとプラズマ処理効果が充分でなく、
為すぎると過大電流が流れて危険である。
1ラスマ放電を行なわせるaIbfi111tIL発振
用電源への印加電圧Fi0.5〜5KVが好ましく、発
振出力は1〜10 GWが好ましい。低すぎるとカスの
イオン化が翁<、プラズマが安定して発生せず、高すぎ
ると危険である。
用電源への印加電圧Fi0.5〜5KVが好ましく、発
振出力は1〜10 GWが好ましい。低すぎるとカスの
イオン化が翁<、プラズマが安定して発生せず、高すぎ
ると危険である。
プラズマ放電用ガスFikrs N2 %の不活性ガ
スが好筐し、いが、CF4、CF14等のガスも用いる
ことができる。カス流量社用いるカスや扁1lId波発
振条件によ#)14なるが、Arの場合毎分10〜50
mが好ましい。
スが好筐し、いが、CF4、CF14等のガスも用いる
ことができる。カス流量社用いるカスや扁1lId波発
振条件によ#)14なるが、Arの場合毎分10〜50
mが好ましい。
1ラズマ放電用電極間距離は、ガスのaI類や流量、お
よび扁崗波発振条件により異なるが、1〜10cmの間
に設定される。
よび扁崗波発振条件により異なるが、1〜10cmの間
に設定される。
前記有機高分子材料は、プラズマ放電下のガス雰囲気中
に設置されるか、搬送される。
に設置されるか、搬送される。
以上の如く条件を設定することにより、有機高分子材料
からなる基板向に対して、勢力的なプラズマを発生さゼ
ることが可能となシ、好ましい表′内処理が行なわれる
。
からなる基板向に対して、勢力的なプラズマを発生さゼ
ることが可能となシ、好ましい表′内処理が行なわれる
。
上記処理方法で、前記基板の表FkJは好適な状態に活
性化され、次に行なわれる前記基板の化学処理法に対し
て、光分な表面特性が付与されることになる。
性化され、次に行なわれる前記基板の化学処理法に対し
て、光分な表面特性が付与されることになる。
本発明の表面6塩方法で行なわれる化学処理には、有機
高分子材料からなる基板表面の親水性を向上させ得る全
ての処理方法が含まれ、有機高分子の1alii11組
成、重合度、平均分子量およびその表自よに一鵬、また
は蒸着等によシ設けられる層のS類や性質により異なり
、画一的には決定されないが、酸処理、アルカリ処理、
カップリング剤処m勢が含まれる。
高分子材料からなる基板表面の親水性を向上させ得る全
ての処理方法が含まれ、有機高分子の1alii11組
成、重合度、平均分子量およびその表自よに一鵬、また
は蒸着等によシ設けられる層のS類や性質により異なり
、画一的には決定されないが、酸処理、アルカリ処理、
カップリング剤処m勢が含まれる。
酸処理には硝酸、備酸等の無機酸の1〜50重量パーセ
ント水溶液が用いられ、アルカリ処理には水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム勢のアルカリ金jIlitたけ水
酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属のイオンを含む
1〜50重量パーセントの水溶液、メタノールもしくは
エタノール等のアルコール溶液または前記アルコールと
水との任意の比率の混合溶液が用いられる。酸処理、ア
ルカリ処理共に、1〜30分間の処理時間および10〜
90℃の処理lml1jでhyzわれるが、有−高分子
材料自身の処理液への溶解または着色、失透を防止する
ためには、好適な処理条件として、50℃、lO分間程
度がよい。
ント水溶液が用いられ、アルカリ処理には水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム勢のアルカリ金jIlitたけ水
酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属のイオンを含む
1〜50重量パーセントの水溶液、メタノールもしくは
エタノール等のアルコール溶液または前記アルコールと
水との任意の比率の混合溶液が用いられる。酸処理、ア
ルカリ処理共に、1〜30分間の処理時間および10〜
90℃の処理lml1jでhyzわれるが、有−高分子
材料自身の処理液への溶解または着色、失透を防止する
ためには、好適な処理条件として、50℃、lO分間程
度がよい。
前記化学処理後の光分な水洗は基板表面の清浄さを保つ
ために必歎とされる。
ために必歎とされる。
また前記カップリング剤処理には、シラン系カップリン
グ剤やチタン系カップリング剤の0.1〜100重量パ
ーセントの水溶液またはアルコール溶液が用いられる。
グ剤やチタン系カップリング剤の0.1〜100重量パ
ーセントの水溶液またはアルコール溶液が用いられる。
処理時間は1〜30分間、処理m度は10〜70℃で行
なわれる。
なわれる。
シラン系カップリング剤として、例えばトーレ・シリコ
ーン■製のSH6020、SH6026、5)1603
2、 SH6040、SH6050、SH6075、信
越化学■製のKBM−403、KBM−503、Kfl
M−602等を用いることができるが、8H−6040
が、特にポリメチルメタクリレート樹脂を用いた時に好
ましい接着性を与える。
ーン■製のSH6020、SH6026、5)1603
2、 SH6040、SH6050、SH6075、信
越化学■製のKBM−403、KBM−503、Kfl
M−602等を用いることができるが、8H−6040
が、特にポリメチルメタクリレート樹脂を用いた時に好
ましい接着性を与える。
チタン系カップリング剤として、例えば米国Kenri
ch Petroch@m1cals社製のブレンアク
トTT8.38S、4611,55,1388゜134
8%を用いることができるが、希薄溶液で用いた場合、
ポリメチルメタクリート樹脂には。
ch Petroch@m1cals社製のブレンアク
トTT8.38S、4611,55,1388゜134
8%を用いることができるが、希薄溶液で用いた場合、
ポリメチルメタクリート樹脂には。
46Bが好ましいItC′iM性を与える。
本発明において用いられる各種カップリング剤またはそ
の主成分のam式は以下のjlI9である。
の主成分のam式は以下のjlI9である。
以下余白
5H6020: H2N−(CH2)2−N[(−(
CI(2)、−8i(QC)15)3SH6026:
アミノシラン (CH2) 3−81 (OCH5) 5SH6040
; CHz−CI−CH20−(CH2)3−8i(
OCH5)s\に 8)(6050: 1級、2級および3級アミノシラ
ンの混合物S■ 6075 : CH2=CH81
(OCOC[(3)。
CI(2)、−8i(QC)15)3SH6026:
アミノシラン (CH2) 3−81 (OCH5) 5SH6040
; CHz−CI−CH20−(CH2)3−8i(
OCH5)s\に 8)(6050: 1級、2級および3級アミノシラ
ンの混合物S■ 6075 : CH2=CH81
(OCOC[(3)。
KIM 602 : H2N−(C12)2−NH
−(CH2)5−81(OCH3)3H5 TTg : CH3−CH−0−Ti−(OCOC
17H35)5H 461a ; (CslH170)1−’rt −
(P−(OC15H27)、OR14[P+0c15H
z7)20H)2 ―紀シラン糸カップリング剤およびチタン系カップリン
グM紘共にSt状態で基板の表面処理剤として用いる他
に、―布液中に固形分の0.01〜10重量パーセント
分として添加して、―設時に用いても光分Kf用に耐え
得る接着性を与える。
−(CH2)5−81(OCH3)3H5 TTg : CH3−CH−0−Ti−(OCOC
17H35)5H 461a ; (CslH170)1−’rt −
(P−(OC15H27)、OR14[P+0c15H
z7)20H)2 ―紀シラン糸カップリング剤およびチタン系カップリン
グM紘共にSt状態で基板の表面処理剤として用いる他
に、―布液中に固形分の0.01〜10重量パーセント
分として添加して、―設時に用いても光分Kf用に耐え
得る接着性を与える。
本発明の表自処理を施し九有績高分子材料からなる基板
上に設けられるl1114層、例えば、光学的情報記録
媒体用の記録層として、金Is像粒子が分散された高分
子からなる層管用いた場合、本発明の表面処理法の効果
は極めて大きい。例えば、銀粒子が分散され九ゼラチン
層、銅粒子が分散されたポリビニルアルコール層、ま友
は鉄粒子が分散され九ポリスチレン層などにおいて接着
性が着しく改良される。
上に設けられるl1114層、例えば、光学的情報記録
媒体用の記録層として、金Is像粒子が分散された高分
子からなる層管用いた場合、本発明の表面処理法の効果
は極めて大きい。例えば、銀粒子が分散され九ゼラチン
層、銅粒子が分散されたポリビニルアルコール層、ま友
は鉄粒子が分散され九ポリスチレン層などにおいて接着
性が着しく改良される。
本発明の表面処理方法によシ、処理tjikした有機高
分子材料からなる基板を用いることによシ、光学的情報
記録媒体が高品質で安定して供給できる様になった。か
かる有機高分子材料を用いた媒体は基板材料にガラスを
用いたそれに比べて、軽く取シ扱いに@!利であって、
破損しにくい友めに、情報の書ぎ込み、読み出し勢紀録
再生のための高速回転操作が安全に行なわれるという利
点を有し、本発明O@境方法は前記利点tCに嬌めるも
のである。
分子材料からなる基板を用いることによシ、光学的情報
記録媒体が高品質で安定して供給できる様になった。か
かる有機高分子材料を用いた媒体は基板材料にガラスを
用いたそれに比べて、軽く取シ扱いに@!利であって、
破損しにくい友めに、情報の書ぎ込み、読み出し勢紀録
再生のための高速回転操作が安全に行なわれるという利
点を有し、本発明O@境方法は前記利点tCに嬌めるも
のである。
本発明の表面処理方法で処理を施した基板上に記録層等
となる塗布薄II′に設けた時の―布薄膜強度、接着性
等を調べる1合、基板上に設けられ友―布試料の乾燥時
接着特性は、有機高分子材料からなる基板に対する一布
薄@O接着力を意味し、後記の実施例における測定法は
塗布薄穣の上に6己粘着性テープ〔3M:スコッチテー
プ〕を貼付け、このテープをフィルムから急激に剥離さ
せることによシ該薄輿が剥離するか否かによって評価し
た。
となる塗布薄II′に設けた時の―布薄膜強度、接着性
等を調べる1合、基板上に設けられ友―布試料の乾燥時
接着特性は、有機高分子材料からなる基板に対する一布
薄@O接着力を意味し、後記の実施例における測定法は
塗布薄穣の上に6己粘着性テープ〔3M:スコッチテー
プ〕を貼付け、このテープをフィルムから急激に剥離さ
せることによシ該薄輿が剥離するか否かによって評価し
た。
本発明O好ましい実施m様を以下の実施例に基づ−て詳
細かつ具体的に説明する。しかし、本発明の実施態様は
これに限定されるものではない。
細かつ具体的に説明する。しかし、本発明の実施態様は
これに限定されるものではない。
実施例1
清浄な8インチ角O1−犀のポリメチ羨メタクリレート
基板(三菱レーヨン■製、アクリライト)ft日電アネ
ルバ@製のプラズマCVO装置を用いてプラズマ放電処
理した。プラズマ放電処理はアルゴンガスを用いて0.
4 Torrの真空下I KVの電圧を印加して、20
WO高#波出力でプラズマを発生させ、処理時間は10
分間であり九。
基板(三菱レーヨン■製、アクリライト)ft日電アネ
ルバ@製のプラズマCVO装置を用いてプラズマ放電処
理した。プラズマ放電処理はアルゴンガスを用いて0.
4 Torrの真空下I KVの電圧を印加して、20
WO高#波出力でプラズマを発生させ、処理時間は10
分間であり九。
処境済ポリメチルメタクリレート基板を50℃olo7
11@パーセントの水敵化カリウム水溶液に10分浸漬
して化学処理し水洗、乾燥した。
11@パーセントの水敵化カリウム水溶液に10分浸漬
して化学処理し水洗、乾燥した。
前記処理済基板上に0.5重量パーセントのシランカッ
プリングM()−レ拳シリコーン■製ノ81(−604
0)t−含有するコロイド銀のゼラチン溶液を乾燥膜厚
0.5 jmとなる様にワイヤー・パー−布し友。
プリングM()−レ拳シリコーン■製ノ81(−604
0)t−含有するコロイド銀のゼラチン溶液を乾燥膜厚
0.5 jmとなる様にワイヤー・パー−布し友。
比較fll
実施例1゛における化学処理を省いてプラズマ処理のみ
を行なう九。
を行なう九。
比稙f12
実jli+flllにおけるプラズマ放電処fi1−省
いて化学処理のみを行なった。
いて化学処理のみを行なった。
実施fI12
実施例1と同様1cプラズマ処理を行なった後、シラン
カップリング削8H6040C)IOIIE量パーセン
トのメタノールと水の1:111液に室温下で10分間
浸漬し、水洗、乾燥させた。
カップリング削8H6040C)IOIIE量パーセン
トのメタノールと水の1:111液に室温下で10分間
浸漬し、水洗、乾燥させた。
前記処j18If基板上にコロイド銀のゼラチン溶液i
t燥@llO,5jmとなる様にワイヤ・バー−布した
。
t燥@llO,5jmとなる様にワイヤ・バー−布した
。
実施例1〜2、比較9141〜2で得られた試料の乾燥
時接着特性を評価し、その結果を第1表に示した。
時接着特性を評価し、その結果を第1表に示した。
第1表より、本発明に基づく、気体放電処理と化学処理
の組合せられたGflllrを用いた実施例1および2
の表面処理方法が極めて好ましい接着特性を示すことが
明らかである。
の組合せられたGflllrを用いた実施例1および2
の表面処理方法が極めて好ましい接着特性を示すことが
明らかである。
なお、ここで評価し九ポリメチルメタクリレート基板か
らなる試料はすべて優れた透明性を有し、表肉処境によ
シ着色または白濁等の失透は全く鰺められなかった。
らなる試料はすべて優れた透明性を有し、表肉処境によ
シ着色または白濁等の失透は全く鰺められなかった。
以下余白
第 1 表
◎印 ・・・ 全く剥離はみられなかった。
()印 ・・・ 部分的な剥離がみられ友。
X印 ・・・ 殆んど剥離した。
実施f13
実施例1において、−4液としてコロイド金のポリビニ
ルアルコール溶液を用いても優れた乾燥時接着特性を示
した。
ルアルコール溶液を用いても優れた乾燥時接着特性を示
した。
実施1i14
実m9@iにおいて、ポリメチルメタクリレート基板の
かわりにポリカーボネート基板を用いても、同様に優れ
た接着特性を示し、透明性も損なわれなかった。
かわりにポリカーボネート基板を用いても、同様に優れ
た接着特性を示し、透明性も損なわれなかった。
実施例5
実施f11において、化学処理液として水酸化カリウム
水溶液のかわ如に12Nの硫!lIを用い、5分間浸漬
し友。以下同様にして―布試料を141九ところ、優れ
た接着特性を示した。
水溶液のかわ如に12Nの硫!lIを用い、5分間浸漬
し友。以下同様にして―布試料を141九ところ、優れ
た接着特性を示した。
実施例6
清浄な8インチ角の1■屡のポリメチルメタクリレート
ート基板販のヴエーターフォーン(Vat−aphon
e ) 3 KWのコロナ放電処理機を用いて常圧下、
前記基板膜FIaをコロナ放電処理しえ。電極と基板膜
−との距離は1.5雪で2KWの出力で3化学処理以降
は、実施例1と同様に行なって、ms試料を得たところ
、優れた接着特性を示した。
ート基板販のヴエーターフォーン(Vat−aphon
e ) 3 KWのコロナ放電処理機を用いて常圧下、
前記基板膜FIaをコロナ放電処理しえ。電極と基板膜
−との距離は1.5雪で2KWの出力で3化学処理以降
は、実施例1と同様に行なって、ms試料を得たところ
、優れた接着特性を示した。
Claims (1)
- 有機高分子材料からなる基板表面を気体放電処理および
化学処理することを特徴とする基板の表−6場方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1335082A JPS58132029A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 基板の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1335082A JPS58132029A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 基板の表面処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58132029A true JPS58132029A (ja) | 1983-08-06 |
Family
ID=11830652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1335082A Pending JPS58132029A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 基板の表面処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58132029A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5922161A (en) * | 1995-06-30 | 1999-07-13 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Surface treatment of polymers |
JP2008144107A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Air Water Inc | トリアセチルセルロースフィルムの表面処理方法および偏光板 |
JP2015034285A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-02-19 | リケンテクノス株式会社 | 易接着性ポリ(メタ)アクリルイミドフィルムの製造方法 |
-
1982
- 1982-02-01 JP JP1335082A patent/JPS58132029A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5922161A (en) * | 1995-06-30 | 1999-07-13 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Surface treatment of polymers |
JP2008144107A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Air Water Inc | トリアセチルセルロースフィルムの表面処理方法および偏光板 |
JP2015034285A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-02-19 | リケンテクノス株式会社 | 易接着性ポリ(メタ)アクリルイミドフィルムの製造方法 |
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