JPS58130590A - Ceramic circuit board and thick film hybrid ic using same board - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はセラミック基板上に導体層を形成して成る配線
基板および該配線基板を用いた厚膜ハイブリッドＩＣに
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a wiring board formed by forming a conductor layer on a ceramic substrate, and a thick film hybrid IC using the wiring board.

従来より、パワートランジスタやサイリスタ等の大電力
用能動素子を搭載するための配線基板として、　Ａｚ２
ｏ３を主成分としたセラミックスから成るセラミック基
板上にＷ　、　Ｍｏ、Ｗ−ＭＱ　、　Ｗ−Ｍｎ、　Ｍｏ
−Ｍｎ　などの高融点金属で配線構造を形成し、さらに
該高融点金属上に電気めっきまたは化学めっきによシ数
１００μｍ程度のＣｕを厚付けして構成した基板が使用
されている。Traditionally, Az2 has been used as a wiring board for mounting high-power active elements such as power transistors and thyristors.
W, Mo, W-MQ, W-Mn, Mo on a ceramic substrate made of ceramics containing O3 as the main component.
A substrate is used in which a wiring structure is formed of a high-melting point metal such as -Mn, and a layer of Cu with a thickness of about 100 μm is deposited on the high-melting point metal by electroplating or chemical plating.

ところがこのような従来の配線基板の如く高融点金属上
に直接Ｃｕを厚付けするものにあっては、熱処理を行っ
ても高融点金属とＣｕとが互いに拡散せず、接合が強固
にはなされないため、高融点金属とＣｕとの界面に剥離
が生じて所謂ふくれとなり、接着強度が弱くなるという
欠点がある。そこで接着強度を上げるため、高融点金属
とＣｕとの間に数μｔｔｓｏＮｔ層を設けて６００〜９
００℃で熱処理し、これによ３　Ｗ−ＮｌおよびＮｉ−
Ｃｕ　　の拡散層を形成して接着強直を向上させること
が行われている。However, in conventional wiring boards such as this, in which Cu is directly deposited thickly on high-melting point metal, the high-melting point metal and Cu do not diffuse into each other even after heat treatment, and the bond is not strong. Therefore, there is a drawback that peeling occurs at the interface between the high melting point metal and Cu, resulting in so-called blistering, and the adhesive strength becomes weak. Therefore, in order to increase the adhesive strength, a layer of several μttsoNt was provided between the high melting point metal and Cu.
Heat treatment was performed at 00°C, thereby forming 3 W-Nl and Ni-
It has been attempted to form a Cu diffusion layer to improve bond toughness.

第１図にこのよう圧して得た従来の配線基板の断面図を
示す。図中符号１はセラミック基板、２は該セラミック
基板上の高融点金属層であってＷ。FIG. 1 shows a cross-sectional view of a conventional wiring board obtained by pressing in this manner. In the figure, reference numeral 1 is a ceramic substrate, and 2 is a high melting point metal layer on the ceramic substrate.

Ｍ、　、　Ｗ−Ｍｏ、　Ｗ−ＭｎｔたはＭｏ−Ｍｎ　な
どである。３はＮ１層、４はＣｕ層である。上述の如く
高融点金属層２とＣｕ層４とは、その間のＮ１層３によ
りそれぞれＷ−Ｎ　ｉ拡散層、　Ｎ１−Ｃｕ拡散層が形
成されることによシ、互いに強固な接着がなされている
。第１図の高融点金属層２　、　Ｎ１層３．Ｃｕ層４の
膜厚はそれぞれｌｏ　〜ａｏμｍ　、２〜６　ａｍ　、
　２００〜４００μｍであり、Ｃｕ層４の膜厚は他と比
べると非常に厚いが、そのようなＮ１拡散層が存在する
ため、高融点金属１１１２とＣｕ層４との界面間での剥
離は全くなく、接着強度も非常に大きい。M, , W-Mo, W-Mnt or Mo-Mn. 3 is an N1 layer, and 4 is a Cu layer. As mentioned above, the high melting point metal layer 2 and the Cu layer 4 are strongly bonded to each other by forming a W-Ni diffusion layer and an N1-Cu diffusion layer, respectively, by the N1 layer 3 between them. There is. High melting point metal layer 2, N1 layer 3 in FIG. The thickness of the Cu layer 4 is lo ~ ao μm, 2 ~ 6 am, respectively.
The thickness of the Cu layer 4 is 200 to 400 μm, which is very thick compared to the others, but due to the presence of such an N1 diffusion layer, there is no separation between the interface between the high melting point metal 1112 and the Cu layer 4. The adhesive strength is also very high.

しかしながらこのセラミック基板は、これを使用してハ
イブリッドＩＣを作成しようとすると種々の問題を生じ
、実際上その使用は困難なものである。However, this ceramic substrate causes various problems when attempting to use it to create a hybrid IC, making it difficult to use in practice.

まず、ハイブリッドＩＣには微細パターンが必要であシ
、かつ抵抗体をスクリーン印刷で形成するためｋ　Ｃｕ
層の膜厚は数μｍ〜数１０μｍとする必要がある。これ
は第１図の例の場合に比し、Ｃｕ層はずっと薄くなけれ
ばならないということである。First, a hybrid IC requires a fine pattern, and since the resistor is formed by screen printing, kCu
The thickness of the layer needs to be several μm to several tens of μm. This means that the Cu layer must be much thinner than in the example of FIG.

（なおそれ以外の、高融点金属層とＮｉ層との膜厚にり
いては、上記に示した値と同様でよい。）このようにハ
イブリッドＩＣＥ用いるべ（Ｃｕ層を数μｍ〜数１０μ
ｍにしてセラミック配線基板を形成し、これに抵抗体を
印刷の形成し、６００〜９００℃　で焼成した結果、次
のような問題が生じた。(The other film thicknesses of the high-melting point metal layer and the Ni layer may be the same as those shown above.) In this way, hybrid ICE can be used (the Cu layer can be formed from several μm to several tens of μm).
As a result of forming a ceramic wiring board with a temperature of 1.m, printing a resistor thereon, and firing it at 600 to 900°C, the following problem occurred.

■抵抗体と導体との電なｐ部分に、抵抗体とＮｔとが反
応して生じたと思われる析出物が現れ、抵抗値が正常の
抵抗体に比べて高い値を示すようＫなる。(2) A precipitate, which is thought to have been generated by the reaction between the resistor and Nt, appears at the electrically conductive p part between the resistor and the conductor, and the resistance value becomes K higher than that of a normal resistor.

■Ｃｕ層の膜厚が薄いために％　ＣｕがすべてＮｉ＊Ｃ
ｕ合金になシ、結局この導体には全くはんだが付かなく
なる。ｔた、導体抵抗も大きくなる。■Because the Cu layer is thin, %Cu is all Ni*C
In the case of U-alloy, the conductor will not be soldered at all. Furthermore, the conductor resistance also increases.

このようにハイブリッドＩＣに用いるよう力、Ｃｕ層が
薄い配線基板を得ようとする場合には、高融点金属層と
Ｃｕ層との中間ＫＮｉ層を設けるという従来技術は利用
不可能であるわけであプ、このようにして配線基板を形
成しても、ハイブリッドＩＣのセラミック配線基板とし
ては使用できなかったのである。In this way, when trying to obtain a wiring board with a thin Cu layer for use in a hybrid IC, the conventional technique of providing a KNi layer between the high melting point metal layer and the Cu layer cannot be used. Even if a wiring board was formed in this way, it could not be used as a ceramic wiring board for a hybrid IC.

本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を除去して
、配線導体のはんだぬれ性が良好で６９、接着強直を向
上させて該強度が大きく、かつ抵抗体との適合性も良好
であって、ハイブリッドＩＣ用にも使用で龜るセラミッ
ク配線基板を提供するＫある。また、かようなセラミッ
ク配線基板を用いて、しかも微細パターンの形成が可能
であって性能の良好な厚膜ハイブリッドＩＣを提供する
ことをも目的とする。An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned problems of the prior art, to improve the solderability of wiring conductors69, to improve adhesive stiffness and increase the strength, and to have good compatibility with resistors. There is also K, which provides ceramic wiring boards that can be used for hybrid ICs. Another object of the present invention is to provide a thick film hybrid IC that uses such a ceramic wiring board, allows formation of fine patterns, and has good performance.

この目的を達成するため、本発明者らは鋭意研究の結果
、湿式法によって形成した高融点金属の導体に直接鋼め
っきを行って得たＷ−Ｃｕ２層構造の配線導体に、その
抵抗体との接合部に何ら異常を発生させることなく、ま
たはんだぬれ性も良好であり、微細パターン形成も可能
でハイブリッドＩＣに良好に使用できることを見い出し
た。本発明は、このような検討に基づいてなされたもの
である。In order to achieve this objective, the present inventors conducted extensive research and found that a W-Cu two-layer structure wiring conductor, which was obtained by directly plating steel on a refractory metal conductor formed by a wet process, was coated with its resistor. It has been found that the solder wettability is good without causing any abnormality in the bonded portion, and it is possible to form fine patterns, so that it can be used satisfactorily in hybrid ICs. The present invention has been made based on such considerations.

本発明のセラミック配線基板は、セラミック基板上に湿
式法を用いてＷ　、　Ｍｏ、　Ｗ−Ｍｏ、　Ｗ−Ｍｎま
たはＭｏ−Ｍｎのいずれかによｐ高融点金属層を形成し
、骸高融点金属層上に直接鋼めっきを施し、これによっ
て高融点金属層と鋼層との２層構造の配線導体を形成し
て成る。The ceramic wiring board of the present invention is produced by forming a high melting point metal layer of W, Mo, W-Mo, W-Mn or Mo-Mn on a ceramic substrate using a wet method, Steel plating is applied directly onto the layer, thereby forming a wiring conductor with a two-layer structure of a high melting point metal layer and a steel layer.

このように構成すると、はんだぬれ性が良好で、かつ接
着強度も従来の厚膜導体（Ａｇ／Ｐｄ　、Ａｇ／Ｐｔ＠
Ａｕ等）に比較して大きく、抵抗体と接合してもその適
合性に問題がないので抵抗体を形成する端子としても何
ら異状のない配線基板を得ることができる。このような
配線基板は、後記詳述するように微細パターンをも形成
でき、ハイブリッドＩＣ用として良好に使用できる。With this structure, the solder wettability is good and the adhesive strength is also higher than that of conventional thick film conductors (Ag/Pd, Ag/Pt@
It is larger than Au, etc.), and there is no problem in its compatibility even when it is joined to a resistor, so it is possible to obtain a wiring board that does not have any abnormality as a terminal for forming a resistor. Such a wiring board can also be used to form fine patterns, as will be described in detail later, and can be favorably used for hybrid ICs.

よって本発明の厚膜ハイブリッドＩＣは、上記のような
セラミック配線基板を用いて、該基板の配線導体を厚膜
抵抗体の端子および個別部品を搭載するための電極とし
て使用して構成し、これによって性能の良好なハイブリ
ッドＩＣを得るものである。Therefore, the thick film hybrid IC of the present invention is constructed by using a ceramic wiring board as described above, and using the wiring conductor of the board as the terminal of the thick film resistor and the electrode for mounting the individual components. Accordingly, a hybrid IC with good performance can be obtained.

以下、本発明の具体例について説明する。Hereinafter, specific examples of the present invention will be described.

第２図は本発明に係るセラミック配線基板の一実施例を
断面図にて示している。これは、セラミック基板１上に
湿式法を用いて高融点金属のＷ層２を形成し、このＷ層
２上に銅めつき層４を形成し、これＫよシＷ層２と銅層
４との２層とから成る配線導体を形成したものである。FIG. 2 shows a cross-sectional view of an embodiment of the ceramic wiring board according to the present invention. This involves forming a W layer 2 of a high melting point metal on a ceramic substrate 1 using a wet method, forming a copper plating layer 4 on this W layer 2, and then forming a layer 4 on the W layer 2 and a copper layer 4. A wiring conductor consisting of two layers is formed.

本例のセラミック基板１はＡ１２ｏ５を主成分としてお
シ、また本例の湿式法によるＷ層２の形成は、Ｗ微粉末
をペースト状にしたものを用いたスクリーン印刷による
。The ceramic substrate 1 of this example has A12O5 as its main component, and the W layer 2 of this example is formed by a wet method by screen printing using a paste of fine W powder.

以下にこの配線基板の製造プロセスについて説明する。The manufacturing process of this wiring board will be explained below.

まず粒子径が数μｍ以下のＡｔ２０５と、少量の５ｉ０
２及びＭｇＯの微粉末に有機結合剤と有機溶剤とを加え
てボールミルにて十分に混合する。混合して得られたこ
のスラリをドクターブレード法によるキャスティング装
置を用いて、未焼成アルＺす基板（いわゆるグリーンシ
ート）を製造する。First, At205 with a particle size of several μm or less and a small amount of 5i0
An organic binder and an organic solvent are added to the fine powders of No. 2 and MgO, and the mixture is thoroughly mixed in a ball mill. This slurry obtained by mixing is used to produce an unfired aluminum Z substrate (so-called green sheet) using a casting device using a doctor blade method.

このグリーンシートに、Ｗ微粉末をペースト状にしたも
のを用いて、スクリーン印刷にょシ導体配線を形成する
。印刷後、このグリーンシートを自然放置して導体中の
溶剤を蒸発させ、そのｖｋＭＯを発熱体とする電気炉で
焼成した。焼成条件は、常温から２００℃／ｈの速度で
昇温し、１０００　’Ｃで１．５時間保持後、再び２０
０℃／ｈの速度で１６００℃まで昇温し、その後該温ｆ
＆ｃ１時間保持後冷却することＫよつ九。なお雰凹気ガ
スとして、Ｎ２＝１００（１／ｈ　、　Ｈ２＝４００ｔ
／ｈ　の混合ガスを４５℃に保持した水１００ｔのバブ
ラーを通し九ものを用いた。Screen-printed conductor wiring is formed on this green sheet using a paste of W fine powder. After printing, this green sheet was left to stand naturally to evaporate the solvent in the conductor, and then fired in an electric furnace using the vkMO as a heating element. The firing conditions were to raise the temperature from room temperature at a rate of 200°C/h, hold it at 1000'C for 1.5 hours, and then raise it again to 20°C.
The temperature was raised to 1600°C at a rate of 0°C/h, and then the temperature f
&c After holding for 1 hour, cool. In addition, as atmospheric gas, N2 = 100 (1/h, H2 = 400t
/h of mixed gas was passed through a bubbler containing 100 tons of water kept at 45°C.

上記のよう和して得られたセラ建ツク配線基板上に、所
定の膜厚になるよう通常の化学鋼めっきを施した。この
銅めつきＯ速ｆは、２〜３μ？Ｐ！／ｈとした。次いで
これをＮ２雰囲気中にて９００℃、１０分の熱処理を行
った。On the ceramic-built wiring board obtained as described above, ordinary chemical steel plating was applied to a predetermined film thickness. Is this copper plating O speed f 2 to 3μ? P! /h. Next, this was heat-treated at 900° C. for 10 minutes in a N2 atmosphere.

このようＫして得られた基板上の導体から成る１、５■
×２−角のパッドに、ｌ■φの銅線を５ｎ−Ｐｂ　共晶
はんだを用いてはんだ付けし、そのはんだ付けの接着強
度を測定した。この結果を第３図に示す。これは１５０
℃で１０００時間までエージングした結果であシ、横軸
にエージング時間をと９、たて軸に接着強［ｔ−とつ九
グラフで表している。1,5cm consisting of the conductor on the substrate obtained by K.
A copper wire of l■φ was soldered to a ×2-square pad using 5n-Pb eutectic solder, and the adhesive strength of the soldering was measured. The results are shown in FIG. This is 150
The graph shows the results of aging at ℃ for up to 1000 hours, with the aging time on the horizontal axis and the adhesive strength on the vertical axis.

なお図中、比較の九めに本例のＣｕめつき導体の接着強
ｉ１の他、従来のｈｇ／Ｐ、１　導体の接着強度■も併
せて示し丸。図に示す如く、従来のＡｇ−Ｐｄ導体の接
着強度は初期値で２−、エージング後でＩＫｆであった
が、本実施例で作成した導体の接着強度ハ、初期値で４
　”ｑ　ｓエージング後で２．５Ｋｆという非常に大き
な値が得られている。さらに従来のＡｇ／Ｐｄ導体は１
００ｈ程度のエージングで急激な接着強度の低下が見ら
れるが、本実施例の導体ではこのような短時間での急激
な残置低下という現象は起こらない。In the figure, in addition to the adhesion strength i1 of the Cu-plated conductor of this example, the adhesion strength ■ of the conventional hg/P, 1 conductor is also shown at the ninth point of comparison. As shown in the figure, the adhesive strength of the conventional Ag-Pd conductor was 2-2 at the initial value and IKf after aging, but the adhesive strength of the conductor created in this example was 4 at the initial value.
A very large value of 2.5Kf was obtained after qs aging.Furthermore, the conventional Ag/Pd conductor
Although a rapid decrease in adhesive strength is observed after aging for approximately 00 hours, the phenomenon of such a rapid residual decrease in a short period of time does not occur in the conductor of this example.

このように銅めつき導体は、従来の厚膜導体に比較して
、接着強度の点で全く問題がない。As described above, copper-plated conductors have no problems in terms of adhesive strength compared to conventional thick-film conductors.

接着強度が上記の如く優れているのは、高融点金属層２
への銅層４の密着性が優秀であるということのほか、高
融点金属層２自体が基板１に強固に密接着していること
もその一因と考えられる。The high melting point metal layer 2 has excellent adhesive strength as described above.
In addition to the excellent adhesion of the copper layer 4 to the substrate 1, one reason for this is thought to be that the high melting point metal layer 2 itself is firmly and closely attached to the substrate 1.

即ち、上述の如く未焼成アルミナ基板（グリーンシート
）に印刷形成し九高融点金属層（本例ではＷ層）は、ア
ルオナの焼結のために１６００℃の高温処理を行う。こ
の時、副成分として存在する基板中のガラス質が高融点
金属層（Ｗ膚）へ浸み込むことによシ極めて強固な金属
層となる。従来技術の如き通常の９００℃程度で焼成す
る厚膜導体は、導体ペーストのガラス成分が単に焼結ア
ルミナ基板表面に濡れて形成されるものであり、接着力
は本構成に比べて小さい。従って本構成によシ、従来よ
りも強い接着力が得られる。（なお、本発明で高融点金
属を用いる理由は、上述のように該金属をアル電子グリ
ーンシート上に付して、高温処理するためである。また
、このようにグリーンシート上にペースト印刷する湿式
法によれば、ペーストのにじみや広がシがないのでパタ
ーンの微細化が可能になるのであるが、これは後述する
。）上記データは高融点金属としてＷを用いた例におけ
るものであるが、それ以外に高融点金属としてＭ。、　
Ｗ−Ｍ、　、　Ｗ−Ｍｎ、　Ｍｏ−Ｍｎｌ用いて得た導
体について同じ試験を行った所、上記と°同様の優れ丸
物性が得られた。That is, as described above, the nine-high melting point metal layer (W layer in this example) printed on the unsintered alumina substrate (green sheet) is subjected to high temperature treatment at 1600° C. for sintering of aluona. At this time, the glass present in the substrate as a subcomponent penetrates into the high melting point metal layer (W skin), thereby forming an extremely strong metal layer. In the conventional thick film conductor fired at a temperature of about 900° C., the glass component of the conductor paste simply wets the surface of the sintered alumina substrate, and the adhesive force is smaller than that of the present structure. Therefore, with this configuration, stronger adhesive force can be obtained than in the past. (In addition, the reason why a high melting point metal is used in the present invention is that the metal is attached to the aluminum green sheet and subjected to high temperature treatment as described above. Also, paste printing on the green sheet in this way The wet method allows for finer patterns because there is no bleeding or spreading of the paste, but this will be discussed later.) The above data is for an example using W as the high melting point metal. However, M as a high melting point metal. ,
When the same test was conducted on conductors obtained using W-M, W-Mn, and Mo-Mnl, excellent round physical properties similar to those described above were obtained.

次に、本発明のセラきツク配線基板はこれを用いてハイ
ブリッド厚膜ＩＣを形成するのにきわめて好適であるこ
とについて説明する。従来例が厚膜ハイブリッドＩＣに
使用できなかったのは、半田接着性の問題もあるが、導
体層がその抵抗体との適合性に劣るという点が大きい。Next, it will be explained that the ceramic wiring board of the present invention is extremely suitable for forming a hybrid thick film IC. The reason why the conventional example could not be used for thick-film hybrid ICs is partly due to the problem of solder adhesion, but also because the conductor layer has poor compatibility with the resistor.

ところが本発明のセラミック配線基板は、かかる抵抗体
との適合性もきわめて良好なものである。However, the ceramic wiring board of the present invention has extremely good compatibility with such resistors.

具体的に述べれば、上記実施例で作成し九セラミック配
線基板について、その導体配線と抵抗体との適合性を調
べた。抵抗体として、Ｎ２雰囲気焼成用のＬＪＩＢ６系
のペーストであって、シート抵抗値が各々１０Ω１０，
１００Ω１０　＊　Ｉ　ＫΩろ、　ＩＯＫΩるのもの４
撞類を用いた。抵抗体の形成は以下に示すプロセスによ
った。Specifically, the compatibility between the conductor wiring and the resistor was examined for the nine ceramic wiring boards produced in the above example. As a resistor, LJIB6 type paste for N2 atmosphere firing is used, and the sheet resistance value is 10Ω10, 10Ω10,
100Ω10 * I KΩ, IOKΩ 4
I used a string. The resistor was formed by the process shown below.

４種類の抵抗ペーストを別々に印刷した。印刷後室温に
て１０〜１５分間レベリングし、その後１５０℃で１５
〜２０分間の乾燥を行っ九。最後に０２１１Ｉ！度が３
〜５　ＰＰｍ　ＯＮ２雰囲気焼成炉を用いてそれぞれの
試料を９００℃で１０分間焼成した。Four types of resistive pastes were printed separately. After printing, level at room temperature for 10-15 minutes, then level at 150℃ for 15 minutes.
9. Dry for ~20 minutes. Finally 0211I! degree is 3
Each sample was fired at 900° C. for 10 minutes using a ~5 PPm ON2 atmosphere firing furnace.

次表に、以上の方法で形成し良紙抗体の各々のシート抵
抗値を示す。抵抗体の長さｔａ、２簡。The following table shows the sheet resistance values of each of the good paper antibodies formed by the above method. The length of the resistor is ta, 2 pieces.

４■、１０■　として各々データをとった。Data were collected as 4■ and 10■, respectively.

表 いずれの抵抗ペーストもｔが長くなるに従い、そのシー
ト抵抗値は僅かではあるが大きくなる。In any of the resistor pastes in the table, as t becomes longer, the sheet resistance value increases, albeit slightly.

しかしこの変化率は表から明らかなように、数饅揚度と
非常に小さく、抵抗体の長さＫよる影響はほとんど無い
。実質的には無視できる程度と言える。ま九、以上の結
果から、従来例の如き抵抗値が大きくなるというむとも
なく、従って導体配線と抵抗体の適合性も良く、重な多
部分にも何ら異常がないことがわかる。However, as is clear from the table, this rate of change is very small, only a few degrees, and is hardly affected by the length K of the resistor. In reality, it can be said to be negligible. 9. From the above results, it can be seen that the resistance value is not unavoidably large as in the conventional example, and therefore the compatibility between the conductor wiring and the resistor is good, and there is no abnormality in the many overlapping parts.

このように１高融点金属上に直接鋼めっきし九セラミッ
ク配線基板は、抵抗体の端子としても十分圧実用できる
ものである。In this way, a ceramic wiring board formed by direct steel plating on a high melting point metal can be used as a terminal for a resistor.

ま九、ハイブリッドＩＣ用の基板としては、微細パター
ンの形成のために銅層が薄いことが要せられるのである
が、銅めっき層は適宜、必ｌ！に応じて薄厚にできるの
でわシ、その場合でも上記の如く、抵抗体の端子として
適合性良く使用できるのである。Also, as substrates for hybrid ICs require thin copper layers in order to form fine patterns, copper plating layers are indispensable! Since it can be made thinner depending on the requirements, even in that case it can be used with good adaptability as a terminal for a resistor as described above.

また、すでに述ぺ九とおルこのセラミック配線基板は湿
式法で高融点金属層を形成したので、微細パターンを形
成する時ににじみが生じることがなく、微細パターンの
確実な形成が可能である。Further, as already mentioned, since the high melting point metal layer is formed on this ceramic wiring board by a wet method, there is no bleeding when forming a fine pattern, and the fine pattern can be formed reliably.

即ち、湿式法であればセラミックのグリーンシートに厚
膜ペーストを印刷する時、ペースト中の溶剤がグリーン
シー）Ｋ浸み込み、従ってペーストだれによる広がシが
生じるということがない。これに反し、湿式法を用いず
、焼結したセラミック板上に厚膜ペーストを印刷する技
術においては、上記のような浸み込みがない丸め、基板
上にペーストがだれ広がシ、結局微細パターンの形成に
は限界があったものである。That is, with the wet method, when printing a thick film paste on a ceramic green sheet, the solvent in the paste permeates into the green sea), so there is no possibility that the paste will spread due to dripping. On the other hand, in the technique of printing a thick film paste on a sintered ceramic plate without using a wet method, the paste does not spread out on the substrate, and the paste does not spread as described above, resulting in fine particles. There were limits to pattern formation.

以上述べえように本発明によれば、Ｎ１層を介さずに高
融点金属上に直接Ｃｕをめっきするので、Ｎ１とＣｕと
の拡散ということは当然起こらず、はんだぬれ性が良好
となる。かつ接着強度も従来から用いられているＡｇ／
Ｐｄ　系の厚膜導体に比べて非常に大きな値を示す。ま
九従来ＯＮ１層を設けた導体は、それを抵抗体との重な
シ部分で異常析出物が見られ九が、本発明の如＜　Ｃｕ
のみの導体とするととＫよ〕上記のような析出物は全く
見られなくなシ、導体と抵抗体との適合性も非常に良好
になっている。さらに、Ｎｌめつき工程を省略できるの
で、製造工程の短縮が図れる。よって、ハイブリッドＩ
ＣＥ用いた場合も、その製造工程を短くできる。As described above, according to the present invention, since Cu is directly plated on the high melting point metal without using the N1 layer, diffusion of N1 and Cu does not occur, and the solder wettability is improved. Moreover, the adhesive strength is also higher than that of conventionally used Ag/
This value is much larger than that of Pd-based thick film conductors. In the conventional conductor provided with the ON1 layer, abnormal precipitates were observed in the area where it overlapped with the resistor, but as in the present invention,
When using a single conductor, the above-mentioned precipitates are completely absent, and the compatibility between the conductor and resistor is also very good. Furthermore, since the Nl plating step can be omitted, the manufacturing process can be shortened. Therefore, hybrid I
Even when CE is used, the manufacturing process can be shortened.

また、本発明は、このセラミック配線基板を用いてハイ
ブリッドＩＣを形成することにおいて有効である。即ち
、このセラミック配線基板は、高融点金属を湿式法でセ
ラミック基板上に形成するので、ペーストのだれ広がシ
やＫじみといった現象が起こらず、微細パターンも十分
く形成できるからである。Further, the present invention is effective in forming a hybrid IC using this ceramic wiring board. That is, in this ceramic wiring board, a high-melting point metal is formed on a ceramic substrate by a wet method, so phenomena such as paste spreading and K smearing do not occur, and fine patterns can be sufficiently formed.

なお、当然のことではあるが、本発明は上述の具体的実
施例にのみ限定されるものではない。It should be noted that, as a matter of course, the present invention is not limited to the specific embodiments described above.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は従来のセラミック配線基板の断面図である。第
２図は本発明によるセラミック配線基板の一実施例の断
面図である。第３図は該例の導体の接着強度を示すグラ
フであって、従来例と比較して示しである。 ｌ・・・セラミック基板、２・・・高融点金属層（Ｗ層
）、４・・・銅（めつ１り層。 代理人　弁理士　秋　　本　　正　実 第１図 ！ 第２図FIG. 1 is a sectional view of a conventional ceramic wiring board. FIG. 2 is a sectional view of an embodiment of the ceramic wiring board according to the present invention. FIG. 3 is a graph showing the adhesive strength of the conductor of this example, and is compared with the conventional example. l... Ceramic substrate, 2... High melting point metal layer (W layer), 4... Copper (metallic layer. Agent: Patent attorney Tadashi Akimoto Figure 1! Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、　セラミック基板上に湿式法を用いてＷ　、　Ｍｏ
。 Ｗ−ＭＯ，Ｗ−Ｍｎ、　Ｍｏ−Ｍｎのいずれかによシ高
融点金属層を形成し、該高融点金属層上に直接鋼めっき
して、前記高融点金属層と銅層との２層構造の配線導体
を形成して成るセラミック配線基板。 ２　セラミック配線基板上に湿式法を用いてＷＩＭｏ、
　Ｗ−Ｍｏ、　Ｗ−Ｍｎ、　Ｍｏ−Ｍｎのいずれかによ
シ高融点金属層を形成し、該高融点金属層上に直接鋼め
っきして前記高融点金属層と銅層との２層構造の配線導
体を形成してセラきツク配線基板を構成し、該セラミッ
ク配線基板を用いてその配線導体を４腺抵抗体の端子お
よび個別部品を搭載するための電極としたことを特徴と
する厚膜ノ）イブリッドＩＣ。[Claims] 1. W, Mo on a ceramic substrate using a wet method
. A high melting point metal layer is formed using either W-MO, W-Mn, or Mo-Mn, and steel plating is directly performed on the high melting point metal layer to form a double layer of the high melting point metal layer and a copper layer. A ceramic wiring board that forms a structured wiring conductor. 2 WIMo on a ceramic wiring board using a wet method,
A high melting point metal layer is formed using either W-Mo, W-Mn, or Mo-Mn, and steel plating is directly performed on the high melting point metal layer to form a two-layer structure of the high melting point metal layer and a copper layer. A ceramic wiring board is formed by forming a wiring conductor, and the wiring conductor is used as a terminal of a four-gland resistor and an electrode for mounting individual components. Membrane) Hybrid IC.