JPS5812671B2 - 多層構造の形成方法 - Google Patents
多層構造の形成方法Info
- Publication number
- JPS5812671B2 JPS5812671B2 JP52153244A JP15324477A JPS5812671B2 JP S5812671 B2 JPS5812671 B2 JP S5812671B2 JP 52153244 A JP52153244 A JP 52153244A JP 15324477 A JP15324477 A JP 15324477A JP S5812671 B2 JPS5812671 B2 JP S5812671B2
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- Japan
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- insulating film
- thickness
- magnetic
- aluminum wiring
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気バブル素子など、徴細パターンを多層に
した構造を有する装置の製造方法に関する。
した構造を有する装置の製造方法に関する。
磁気バブルメモリ素子のコンダクタ・ファスト（Ｃｏｎ
ｄｕｃｔｏｒ ｆｉｒｓｔ）と呼ばれる層構成は、第１
図に示すように、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット
（ＧＧＧ）単結晶基板１上に磁性薄膜２をエピタキシャ
ル成長させ、さらにその上に二酸化シリコン（ＳｉＯ２
）からなる絶縁膜３を被着した後、バブル発生器、ゲー
ト、リプリケータなどの制御用配線として使用されるア
ルミニウム配線パターン４を形成する。
ｄｕｃｔｏｒ ｆｉｒｓｔ）と呼ばれる層構成は、第１
図に示すように、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット
（ＧＧＧ）単結晶基板１上に磁性薄膜２をエピタキシャ
ル成長させ、さらにその上に二酸化シリコン（ＳｉＯ２
）からなる絶縁膜３を被着した後、バブル発生器、ゲー
ト、リプリケータなどの制御用配線として使用されるア
ルミニウム配線パターン４を形成する。
次いで、全面に二酸化シリコンからなる絶縁膜５を被着
し、その上に転送路、ゲート、リプリケータ、検出器と
なるパーマロイパターン６を形成し、その上に二酸化シ
リコンの保護膜７を全面に被着した構造を有する。
し、その上に転送路、ゲート、リプリケータ、検出器と
なるパーマロイパターン６を形成し、その上に二酸化シ
リコンの保護膜７を全面に被着した構造を有する。
この構造においては、パーマロイパターン６と磁性薄膜
２との距離が短かいほどパーマロイパターン６からの磁
束が有効に生かされ、バブル動作マージンを拡げること
ができる。
２との距離が短かいほどパーマロイパターン６からの磁
束が有効に生かされ、バブル動作マージンを拡げること
ができる。
したがって、出来得る限りパーマロイパターン６を磁性
薄膜２に近づけたいのであるが、通常パターン設計上ア
ルミニウム配線パターン４とパーマロイパターン６が重
なり、しかもパーマロイパターン６によりアルミニウム
配線パターン４の一部が重ねられる個所が存在する。
薄膜２に近づけたいのであるが、通常パターン設計上ア
ルミニウム配線パターン４とパーマロイパターン６が重
なり、しかもパーマロイパターン６によりアルミニウム
配線パターン４の一部が重ねられる個所が存在する。
そのためにどうしてもこれらの間に絶縁膜５を介在させ
なければならない。
なければならない。
絶縁膜５の厚さは、ほぼ２３００〔Å〕〜２５００〔Å
〕程度必要である。
〕程度必要である。
しかしながら、平坦部でこの厚さの絶縁膜５を被着した
ときには、アルミニウム配線パターン４のパターンサイ
ドで段切れあるいは肉薄を生じ、この部分で十分な膜厚
を確保することができない。
ときには、アルミニウム配線パターン４のパターンサイ
ドで段切れあるいは肉薄を生じ、この部分で十分な膜厚
を確保することができない。
そこで、従来はバブル動作マージンを犠牲にして、アル
ミニウム配線パターン４の厚さが３０００〔Å〕に対し
て絶縁膜５の厚さを平坦部において５０００〔Å〕とし
、パターンサイドでその厚みが薄くなったとしても必要
最小限の２３００〔Å〕の厚さを確保している。
ミニウム配線パターン４の厚さが３０００〔Å〕に対し
て絶縁膜５の厚さを平坦部において５０００〔Å〕とし
、パターンサイドでその厚みが薄くなったとしても必要
最小限の２３００〔Å〕の厚さを確保している。
本発明は上述の如き従来の欠点を改善する新しい発明で
あり、その目的は、パーマロイパターンとアルミニウム
配線パターンとの間の絶縁を十分確保しながら、パーマ
ロイパターンと磁性薄膜との距離を出来得る限り近ずけ
ることができるような新規な製法を提供することにある
。
あり、その目的は、パーマロイパターンとアルミニウム
配線パターンとの間の絶縁を十分確保しながら、パーマ
ロイパターンと磁性薄膜との距離を出来得る限り近ずけ
ることができるような新規な製法を提供することにある
。
その目的のために本発明の多層構造の形成方法は、基板
上に形成した第１のパターン上に絶縁膜を介して第２の
パターンを積層する多層構造の製法において、第１のパ
ターンが形成されていない部分の基板上に第１のパター
ンの厚さより薄い絶縁薄膜をあらかじめ被着した後、絶
縁膜を全面に被着し、絶縁膜上に第２のパターンを形成
することを特徴とするもので、以下実施例について詳細
に説明する。
上に形成した第１のパターン上に絶縁膜を介して第２の
パターンを積層する多層構造の製法において、第１のパ
ターンが形成されていない部分の基板上に第１のパター
ンの厚さより薄い絶縁薄膜をあらかじめ被着した後、絶
縁膜を全面に被着し、絶縁膜上に第２のパターンを形成
することを特徴とするもので、以下実施例について詳細
に説明する。
アルミニウム配線パターンサイドでの段切れあるいは肉
薄の発生は、アルミニウム配線パターン４の表面から絶
縁膜３までの段差ｔ１（すなわちアルミニウム配線パタ
ーンの厚さ）と該配線パターン４上に被着する絶縁膜５
の厚さｔ２との割合（ｔ２／ｔ１）（以後この割合をα
と表現する）が小さければ小さいほど生じる割合が大き
くなる。
薄の発生は、アルミニウム配線パターン４の表面から絶
縁膜３までの段差ｔ１（すなわちアルミニウム配線パタ
ーンの厚さ）と該配線パターン４上に被着する絶縁膜５
の厚さｔ２との割合（ｔ２／ｔ１）（以後この割合をα
と表現する）が小さければ小さいほど生じる割合が大き
くなる。
ちなみにいえば、第１図に示す従来装置の割合αは１６
７（５０００／３０００）である。
７（５０００／３０００）である。
しかしながら、割合αを１．６７よりも大きくしたとき
にはアルミニウム配線パターンサイドで段切れや肉薄は
なくなり、この部分の厚さも平坦部の膜厚とほぼ等しく
なる。
にはアルミニウム配線パターンサイドで段切れや肉薄は
なくなり、この部分の厚さも平坦部の膜厚とほぼ等しく
なる。
このようなことから段差ｔ１を小さくすれば、上記割合
１．６７を保つ限りアルミニウム配線パターンサイド部
分の絶縁膜の厚さを減少せしめることができる。
１．６７を保つ限りアルミニウム配線パターンサイド部
分の絶縁膜の厚さを減少せしめることができる。
そこで、本発明においては、絶縁膜３の表面に第２図に
示したように、あらかじめ二酸化シリコン（ＳｉＯ２）
などの絶縁膜８を積層し、実質的な段差ｔ１′を減少せ
しめる。
示したように、あらかじめ二酸化シリコン（ＳｉＯ２）
などの絶縁膜８を積層し、実質的な段差ｔ１′を減少せ
しめる。
このため、全面に被着する絶縁膜５の厚さｔ２を従来よ
りも薄く出来る。
りも薄く出来る。
下記の表は、アルミニウム配線パターンの膜厚を３００
０〔Å〕、割合α＝１．６７の条件で絶縁膜３の表面に
積層する絶縁膜８の厚さｔ４と段差ｔ１と絶縁膜５の厚
さｔ２と絶縁膜３上に積層される絶縁膜の厚さ（ｔ２＋
ｔ４）との関係を従来装置のものと比較して示したもの
であり、第３図はこれらの関係をグラフ化したものであ
る。
０〔Å〕、割合α＝１．６７の条件で絶縁膜３の表面に
積層する絶縁膜８の厚さｔ４と段差ｔ１と絶縁膜５の厚
さｔ２と絶縁膜３上に積層される絶縁膜の厚さ（ｔ２＋
ｔ４）との関係を従来装置のものと比較して示したもの
であり、第３図はこれらの関係をグラフ化したものであ
る。
なお、絶縁膜３上に絶縁膜８を積層する方法は種々考え
られているが、１つの方法として、アルミニウム配線パ
ターン４の上にレジスト層を被着した後、液状の二酸化
シリコンをスピンコートし、リフト・オフ法によりレジ
スト層を除去するとともに、その上に被着した二酸化シ
リコンを除去すればよい。
られているが、１つの方法として、アルミニウム配線パ
ターン４の上にレジスト層を被着した後、液状の二酸化
シリコンをスピンコートし、リフト・オフ法によりレジ
スト層を除去するとともに、その上に被着した二酸化シ
リコンを除去すればよい。
以上詳細に説明したように、本発明は、アルミニウム配
線層以外の部分をたとえば該層の層厚の半分の厚さを有
する絶縁膜を積層して埋めたとすれば、段差ｔ１は１５
００〔Å〕となり従来のものと同様割合αを１．６７と
すればアルミニウム配線パターン上に被着する絶縁膜５
′の厚さは２５００〔Å〕となりしたがって、絶縁膜５
上に被着するパーマロイ層と絶縁膜３との間の厚さｔ２
＋ｔ４は４０００〔Å〕となって従来の５０００〔Å〕
に比べてその厚さを２０〔％〕も減少せしめることがで
きる。
線層以外の部分をたとえば該層の層厚の半分の厚さを有
する絶縁膜を積層して埋めたとすれば、段差ｔ１は１５
００〔Å〕となり従来のものと同様割合αを１．６７と
すればアルミニウム配線パターン上に被着する絶縁膜５
′の厚さは２５００〔Å〕となりしたがって、絶縁膜５
上に被着するパーマロイ層と絶縁膜３との間の厚さｔ２
＋ｔ４は４０００〔Å〕となって従来の５０００〔Å〕
に比べてその厚さを２０〔％〕も減少せしめることがで
きる。
このため、本発明によれば、従来のものに比べてバブル
動作マージンを大きくとることができるばかりか、配線
パターンとその上に被着するパーマロイとの間の絶縁は
十分保障出来る。
動作マージンを大きくとることができるばかりか、配線
パターンとその上に被着するパーマロイとの間の絶縁は
十分保障出来る。
前述の如く、磁気バブルメモリ素子のアルミニウム配線
パターン等の制御導体パターンとパーマロイパターン等
の磁性パターンとの多層構造を形成する場合に、磁性パ
ターンは磁性基板に近いことが磁気バブルの制御上望ま
しいものであり、又その磁性パターンは段差の少ない絶
縁膜上に形成することが望ましいものであるが、制御導
体パターンが形成されていない部分に薄い絶縁薄膜を被
着させた後、絶縁膜を被着し、その上に磁性パターンを
形成するものであるから、前述の磁気バブルメモリ素子
に要望される条件を満足させることができるものとなる
。
パターン等の制御導体パターンとパーマロイパターン等
の磁性パターンとの多層構造を形成する場合に、磁性パ
ターンは磁性基板に近いことが磁気バブルの制御上望ま
しいものであり、又その磁性パターンは段差の少ない絶
縁膜上に形成することが望ましいものであるが、制御導
体パターンが形成されていない部分に薄い絶縁薄膜を被
着させた後、絶縁膜を被着し、その上に磁性パターンを
形成するものであるから、前述の磁気バブルメモリ素子
に要望される条件を満足させることができるものとなる
。
第１図は従来の磁気バブルメモリ素子の部分断面図、第
２図は本発明の一実施例を示す部分断面図、第３図は絶
縁膜８の積層厚を変えた場合の他の絶縁膜の変化の様子
を示す曲線図である。 図中、１はＧＧＧ単結晶基板、２は磁性薄膜、３，５，
７，８は絶縁膜、４はアルミニウム配線パターン、６は
パーマロイパターンである。
２図は本発明の一実施例を示す部分断面図、第３図は絶
縁膜８の積層厚を変えた場合の他の絶縁膜の変化の様子
を示す曲線図である。 図中、１はＧＧＧ単結晶基板、２は磁性薄膜、３，５，
７，８は絶縁膜、４はアルミニウム配線パターン、６は
パーマロイパターンである。
Claims (1)
- １磁気バブルメモリ素子の磁性基板上に形成した制御導
体パターンに絶縁膜を介してパーマロイパターン等の磁
性パターンを形成する多層構造の形成方法において、前
記制御導体パターンが形成されていない前記磁性基板上
に該制御導体パターンの厚さより薄い絶縁薄膜を被着さ
せた後、絶縁膜を全面に被着し、該絶縁膜１に前記磁性
パターンを形成する工程を有することを特徴とする多層
構造の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52153244A JPS5812671B2 (ja) | 1977-12-20 | 1977-12-20 | 多層構造の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52153244A JPS5812671B2 (ja) | 1977-12-20 | 1977-12-20 | 多層構造の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5484932A JPS5484932A (en) | 1979-07-06 |
| JPS5812671B2 true JPS5812671B2 (ja) | 1983-03-09 |
Family
ID=15558201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52153244A Expired JPS5812671B2 (ja) | 1977-12-20 | 1977-12-20 | 多層構造の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812671B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036770A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-25 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 内燃機関の燃料噴射制御装置 |
| JPS6075676U (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-27 | いすゞ自動車株式会社 | 燃料噴射装置 |
| JPH027256Y2 (ja) * | 1983-01-31 | 1990-02-21 | ||
| JPH0424137Y2 (ja) * | 1983-09-30 | 1992-06-05 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56143585A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-09 | Nec Corp | Magnetic bubble element |
| JPS58177585A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-18 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
| JPS6074192A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-26 | Fujitsu Ltd | バブルメモリ作成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866783A (ja) * | 1971-12-16 | 1973-09-12 | ||
| JPS4883788A (ja) * | 1972-02-09 | 1973-11-08 | ||
| JPS5140872A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Hitachi Ltd | Bisaipataannokeiseihoho |
-
1977
- 1977-12-20 JP JP52153244A patent/JPS5812671B2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866783A (ja) * | 1971-12-16 | 1973-09-12 | ||
| JPS4883788A (ja) * | 1972-02-09 | 1973-11-08 | ||
| JPS5140872A (ja) * | 1974-10-04 | 1976-04-06 | Hitachi Ltd | Bisaipataannokeiseihoho |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH027256Y2 (ja) * | 1983-01-31 | 1990-02-21 | ||
| JPS6036770A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-25 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 内燃機関の燃料噴射制御装置 |
| JPH0424137Y2 (ja) * | 1983-09-30 | 1992-06-05 | ||
| JPS6075676U (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-27 | いすゞ自動車株式会社 | 燃料噴射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5484932A (en) | 1979-07-06 |
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