JPS58126056A - 斜め溝加工方法 - Google Patents

斜め溝加工方法

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JPS58126056A
JPS58126056A JP888382A JP888382A JPS58126056A JP S58126056 A JPS58126056 A JP S58126056A JP 888382 A JP888382 A JP 888382A JP 888382 A JP888382 A JP 888382A JP S58126056 A JPS58126056 A JP S58126056A
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JP
Japan
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grindstone
grinding wheel
flat
oblique groove
work
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JP888382A
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JPS6335380B2 (ja
Inventor
Shigeru Fujimoto
茂 藤本
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Priority to DE3218953A priority patent/DE3218953C2/de
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Publication of JPS6335380B2 publication Critical patent/JPS6335380B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B19/00Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group
    • B24B19/02Single-purpose machines or devices for particular grinding operations not covered by any other main group for grinding grooves, e.g. on shafts, in casings, in tubes, homokinetic joint elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明a、a数の半導体層から々る1流素子にポジテ
ィブベベル形成用の斜め溝を加工する場合に適用される
斜め線加工方法に関する。
し発明の技術的賀歌] 本山−人は、先−である特−昭56−18531号、「
半導体の溝加工方法」において、第1図に示すように被
加工物である11tIt嵩子(1)を被加工#Ij−転
装置に保持して回転するとともに1円板状の研削砥石を
上記整流素子(1)に対して傾斜して設け、この研削砥
石を回転させながら送り装置により移−させ、Il流素
子(1)の外周縁に歯ってポジティブベベル形成用の斜
め溝(2)を加工する方法を出−した。
すなわち、上記lll1l素子11)は、カソード11
1極t3)が抵抗接触されているカソード層(4)、こ
のカソード層(4)に隣接するカソード隣接層ζ5)、
このカソード隣接層(5)に隣接する高比抵抗層(6)
及びこの高比抵抗層(6)とアノード電極(7)との間
にあるアノード層18)からなっている。そうして、上
記4層の境界に紘それぞれPN[合であるJl、Jl及
びJ3が形成されている。しかして、整流卓子(1)の
外J+1111面は、*合J3周縁部においてポジティ
ブベベルとなるように円−状く形成され、かつ上記斜め
縛(2)は、II合J3周嫌部においてポジティブベベ
ルとなるように逆円−状に傾斜づけられている。したが
って、**素子(1)の耐電圧特性は自わめてすぐれた
ものとなつている。第2図は、上記斜め#(2)の加工
を示すもので、厚す10〜100μm4度の例えばダイ
ヤモンド砥粒からなる円環状平形砥石(9)及び一方の
111400μm4!!度の片角度砥石u1からなる研
削砥石u11を用いて、上記平形砥石(9)が!1rI
l素子11)中心側の廁め溝(2)内周面uりに摺接す
るように加工する0このと角、上記研削砥石Uυの送り
方向と上記研削砥石aυの回転軸の軸心は正確に直角に
なるように設定されている。
[背量技術の問題点] 上述したように、研pA眞石Uυの回転軸の軸心と研削
砥石aυの送り方向が直交している結果、第2図に示す
ように、平形砥石(9)の一方の端面と斜め婢(2)の
内周面U擾とが常に接触する結果、内周面a湯が摩擦熱
により高温になり、かつ研削砥石Iの振動によるふれに
↓シ内局面a′IJが衝華力を受けるので、内周11I
lidaとくに第11接合J2周縁部の破砕やエラ、>
S分のチッピングを惹起する。その結果、接合J2にお
けるポジティブベベル伏線が部分的に破壊ζn、 *t
ll素子の表面耐罐圧特性が着しく劣化し、これにとも
ない*i素子としての部品歩留りが低下する。また、研
削砥石11υの寿命も短い。
「発明の目的」 本発明は斜め溝によりポジティブベベルが形成されてい
るPNg合周縁周縁部ける破砕のない斜め溝加工方法を
提供することにある。
[@明の概4R] 研削砥石の切込み方向に対して研削砥石を傾斜させ研削
砥石とこの研削砥石により形成される斜め溝の内周面と
の間に逃げ角を付与するようにし友ものである〇 [発明の実施例コ 以下、本発明を図面を参照して実施例に基づいて詳述す
る。なお、以下の説明において、従来技術の説明に用い
たg1図及び42図中の各部分と同−一所には同一符号
を付しである。
43図は本発明の実施例において用いる斜め溝加工t1
瀘を示している・この斜め#I加工績装は。
被卯f備回転部u4と研削加工部位◆とからなっている
01:起被卯工吻回転部dりは、軸受u9.この軸受u
9に軸支され九1gIIk、軸σe、この回転軸αのの
一端部に同軸に設けられIll流素子(1)のγノード
成極(7)側を真空吸着して回転軸−と同軸に保持する
保持体顛、上記回転輪4の他端部に取付けられたプーリ
圓。
このプーリー婦に近接して設けられ走電IIJ機d場、
この1m機1の回転軸−に取付けられたプーリC21)
及び上記プーリ圓とプーリQ1)との間に4にき掛けら
れたベルト(至)とからなっている〇一方、研削加工物
UΦは、保持体Qりに近接して設けられたノ・ンドル(
至)の回転により矢印(至)方向に進退自在な横送りテ
ーブル(至)、この横送りテーブル(ハ)の上面に矢印
@方向に対して所定の角度傾いて設けられ4IIJ41
I(至)により矢印一方向に進退自在な切込み送りテー
ブル(至)、この切込み送りテーブル(至)の上面に固
定され九′ItlIb機(至)、このIIEII!l横
−の回転軸に一端部が連結されE紀11動機(至)と一
体的に連結された軸受(支))により軸支されたキー船
回転軸φυ及びこの回転軸〕(,3gの他端部に一対の
7ランジ4により回転軸φυと同軸かつ平形砥石(9)
四がll流素子+1)の回転軸心に対向す名ように挟持
固定され九研削砥石συから構成されている。ここで、
上記研削砥石aυを保持する回転軸61の回転軸心−は
、整流素子(1)の回転軸心(至)と同一平面上となり
、かつ上記切込み送りテーブル(至)による切込み送り
方向が上記1gl@軸心−(ロ)がのっている平面に平
行になるように回転軸131)が軸受C30)により軸
支されている0ま九、上記4c#IJ機(至)と軸受(
JO)とは切込み送りテーブル(至)に対して一体的に
回動自在となっていて、かつ回転軸C珍の回転軸心(至
)が以下の条件を満足する位置rc固定されている。す
なわち、回転軸131の回転軸心(至)は。
回転軸心(至)K交差し、かつ切込み送り方向(第3図
矢印罰方向)に平行な直線に直交する直線r!@に対し
て第3図に示すように角度α(数秒ないし数置)だけ時
針回り方向に傾斜させる。換言すれば上記回転軸u1)
は、研削砥石αυの整流素子(1)への切込み時に平形
砥石(9)とこの平形砥石+9) Kより形成された内
周面との間に逃げ角が付与されるような位置に軸受13
0)により軸支されている。
つぎに、上述のように構成され九斜め溝加工装置により
gIi流素子(1)に斜め溝を形成する方法について説
明する。まず、被加工物回転部IO保持体u7)に、こ
の保持体αηの回転軸心(ロ)と同軸に整流素子11)
を保持するとともに、′鑞動磯ll1%(2)を起動し
保持体αη及び研削砥石Oυを回転駆動する。つぎに・
・ンドルdt−操作して、横送りテーブル(至)を11
5!素子Qυに同って嬉3図矢印一方向に進め、研削砥
石(Iυの一部をなす平形砥石−9)の先端部を整aS
子(1)の斜め#(至)を形成する位置に合わせ九のち
、(このと自研削砥石αυの平形砥石I9)@が回転軸
心(至)に対向している。)4111機(至)を作動さ
せて、切込み送りテーブル(至)を整流素子+1)に向
って矢印一方向に送る。この切込み送りテーブル(2)
による切込み送りは研削砥石αυが鳥比抵抗層(6)の
内部に到達するまで継続する。しかして、平形砥石(9
)の先熾は、#I4図矢印(至)方向に切込み(この切
込み方向(至)は、平形砥石(9)がのっている平面に
対して角度α疋け#を斜している。)、整流素子(1)
には円環状の斜め溝1.(ηが形成されるが、箒5図に
示すように!1流素子+1)の回転軸線貴の斜め#c7
)の内周l1r(至)と平形砥石(9)との間には逃げ
角α(前述したように数秒ないし数置)付与されるので
、上記内周#J−と平形砥石(9)とは直接に接触せず
、上記内周面一は摩擦熱により高温に上昇したり、研削
砥石αυの機械的振動くよるふれにより内周面(至)が
傭撃カを受けることがなくなる。したがって、内J4r
ki−の仕上rE槽度が向上しl/X5図のエツジ部分
(至)のチッピングや内周面(至)とくに第1固接合J
2周縁部の破砕を防止することができる0その結果、脩
RIA子のポジティブベベル状態が破壊されることなく
所期のS面耐電圧特性を得ることかで自、*流素子とし
ての製品歩留りが向上する。また、逃げ角αが付された
結果、研削抵抗が低減し、かつ研削液が研削点へ十分に
供給されるので研削砥石aυの工具寿命が著しく長くな
り、製品原価の低減に寄与する。
なお、上記夷總例においては研削砥石αυの回転gms
として゛11E動砿を用いているが、これに臓らず、エ
アータービンを用いてもよい。
また、上記実施料においては、研削磁石(111は。
平形砥石(9)と片角度砥石−とから構成されたもので
あるが、研削砥石Uの構造に拘泥することなく逃げ角す
を円環状の斜め溝の中心側内周面に対してt&せるもの
であれば本発明の要旨の範囲内である。
[発明の効果] 本発明は、以下に列記する格別の効果を奏する。
(イ)II流素子にポジティブベベルを付与するための
逆円−状部位のエツジ部分のチッピング及びカソード隣
接層と高比抵抗1−との接合面外周縁近傍の破砕を防止
できるので、設計上予定された理想的表面耐電圧特性を
得ることかで−る0その結果、整流素子としての製品歩
留りが向上する。
(ロン研削抵抗が低減し、かつ研削液が研削点へ十分に
供給されるので、研削工具寿命が長くなり、製造IJK
Ilfflが低摩になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の斜め溝加工方法の被加工物である!1
流素子の内部構造を示す置部Ffr面図、42図は従来
の斜め溝加工方法を示す図、第3図は本発明の斜め#l
加工方法の実細において用いられる斜め4加工装置の磯
部平面図、第4図は本発明の一実施例における送り方向
を示す図、第5図は本発明の一実施例における斜め師加
工を示す図である。 (1):整流素子(被加工*)、 (111:研削砥石、 6?):斜め擲、(至):内局
面。 第 1図 !4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. +1)被加工物を保持して回転させる方法と、回転中の
    1記被加工物に対して傾斜する研削砥石を回転しながら
    上記被加工物に対して切込ませ上記被加工物に円環状の
    斜め溝を形成する方法とを具備し、上記研削砥石の切込
    み方向に対して上記研削砥石を傾斜させ上記研削砥石と
    上記研削砥石により形成される斜め酵の内周面との間に
    逃げ角を付与することをqII値とする斜め溝加工方法
    っ(2)逃げ角は数秒〜数置であることを特徴とする特
    許請求の1ifljl 1項記載の斜め縛加工方法。
JP888382A 1981-05-20 1982-01-25 斜め溝加工方法 Granted JPS58126056A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP888382A JPS58126056A (ja) 1982-01-25 1982-01-25 斜め溝加工方法
US06/377,008 US4517769A (en) 1981-05-20 1982-05-11 Method and apparatus for forming oblique groove in semiconductor device
GB8214280A GB2098893B (en) 1981-05-20 1982-05-17 Method and apparatus for forming oblique groove in semiconductor device
DE3218953A DE3218953C2 (de) 1981-05-20 1982-05-19 Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung einer Schrägrille in einer Halbleitervorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

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JP888382A JPS58126056A (ja) 1982-01-25 1982-01-25 斜め溝加工方法

Publications (2)

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JPS58126056A true JPS58126056A (ja) 1983-07-27
JPS6335380B2 JPS6335380B2 (ja) 1988-07-14

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ID=11705069

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JP (1) JPS58126056A (ja)

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JPS6335380B2 (ja) 1988-07-14

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