JPS58125969A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS58125969A JPS58125969A JP57008442A JP844282A JPS58125969A JP S58125969 A JPS58125969 A JP S58125969A JP 57008442 A JP57008442 A JP 57008442A JP 844282 A JP844282 A JP 844282A JP S58125969 A JPS58125969 A JP S58125969A
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007562 laser obscuration time method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021395 porridge Nutrition 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
Landscapes
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- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送装置を用いた固体撮猷製置に関するも
のである。
のである。
固体燻謙装置は、小臘軽漱、低消費電力、1&信III
aを特徴とし、しかも操鍬管にお轄るような焼き付きの
心配もないため、近年、多方面にわたって研究開発がな
されている。
aを特徴とし、しかも操鍬管にお轄るような焼き付きの
心配もないため、近年、多方面にわたって研究開発がな
されている。
第1図は上述した固体機織装置のうち、インターライン
転送方式と呼ばれるものの概略図でおル複数列の電荷転
送装置から成る垂直シフトレジスタ群lOと、各垂直シ
フトレジスタの片側に一接して配麹されたf、電変換素
子群11と%′1!r垂直シフトレジスタの一端に電気
的に結合した水平シフトレジスタ12の一端に設けられ
た電荷検a1部13から構成されている。
転送方式と呼ばれるものの概略図でおル複数列の電荷転
送装置から成る垂直シフトレジスタ群lOと、各垂直シ
フトレジスタの片側に一接して配麹されたf、電変換素
子群11と%′1!r垂直シフトレジスタの一端に電気
的に結合した水平シフトレジスタ12の一端に設けられ
た電荷検a1部13から構成されている。
第2凶は第1図に示す固体撮諏装鈑のうち垂直CCUレ
ジスタ詳lOと水平CCUレジスタ12との結合領域1
4の拡大図でる夕%垂直CCDレジスタ10のチャネル
領域20は垂直電衝転込電極21.22と、垂[CCD
レジスタlOから水平CODレジスタ12への信号電荷
の転送を制−する垂直トランス7アゲー)t4i123
で被われている。また水平CCDレジスタ12のチャネ
ル置載24は水平電荷転送電極25.26.27.28
゜29で被われている。これらの電憔は2/#iのポリ
シリコとで形成されている0図Kかいて1点鎖1で示し
た水平電荷転送電1i22.25,27゜29はat層
目のポリシリコンで、破線で示した水平電荷転送電極2
1.23.26.28は第2層目のポリシリコンで形成
されている。水平CODレジスタは2相駆勘の埋め込み
型CODである。
ジスタ詳lOと水平CCUレジスタ12との結合領域1
4の拡大図でる夕%垂直CCDレジスタ10のチャネル
領域20は垂直電衝転込電極21.22と、垂[CCD
レジスタlOから水平CODレジスタ12への信号電荷
の転送を制−する垂直トランス7アゲー)t4i123
で被われている。また水平CCDレジスタ12のチャネ
ル置載24は水平電荷転送電極25.26.27.28
゜29で被われている。これらの電憔は2/#iのポリ
シリコとで形成されている0図Kかいて1点鎖1で示し
た水平電荷転送電1i22.25,27゜29はat層
目のポリシリコンで、破線で示した水平電荷転送電極2
1.23.26.28は第2層目のポリシリコンで形成
されている。水平CODレジスタは2相駆勘の埋め込み
型CODである。
蓄積領域の水平電荷伝送電極は第1層目のポリシリコン
で形成され、障壁領域の水平電荷転送電極は第2−目の
ポリシリコンで形成されている。水平Ill傭転込′#
を砺26と27.28は29とにはそれぞれ同じクロッ
クパルスが印加される。さらに同図において、チャネル
領域20の末端の領域30を水平電荷転送r4他27の
一部で破りことにより%無&!1LCC1)レジスタ1
0と水平CODレジスタ12が電気的に結合されている
。
で形成され、障壁領域の水平電荷転送電極は第2−目の
ポリシリコンで形成されている。水平Ill傭転込′#
を砺26と27.28は29とにはそれぞれ同じクロッ
クパルスが印加される。さらに同図において、チャネル
領域20の末端の領域30を水平電荷転送r4他27の
一部で破りことにより%無&!1LCC1)レジスタ1
0と水平CODレジスタ12が電気的に結合されている
。
第3図は第2図に示す結合領域のax−at’線上の断
面を模式的に示したものである。半導体基板31の主面
には絶縁層32を介して上述した垂直電荷転送電極21
.22.垂直トランスファゲート電礪23.水平電荷転
送電極27が形成されている。また上記の各′#t&下
には、基板″P尋体とは反対の導電型をもつ埋込みチャ
ネルwI33が形成され、またチャネル領域の外側には
堀込みチャネル層33の不純物と反対の導電型不純物を
ドーピングしたチャネルストップ領域34が形成されて
いる。tた半導体の主面は、ガえば金属層35で光遮蔽
されている。同図において領域、36は垂直CODレジ
スタと水平CODレジスタを電気的に結合している第2
図の領域30を示し、また領域37は水平シフトレジス
タのチャネル領域を示してhる。
面を模式的に示したものである。半導体基板31の主面
には絶縁層32を介して上述した垂直電荷転送電極21
.22.垂直トランスファゲート電礪23.水平電荷転
送電極27が形成されている。また上記の各′#t&下
には、基板″P尋体とは反対の導電型をもつ埋込みチャ
ネルwI33が形成され、またチャネル領域の外側には
堀込みチャネル層33の不純物と反対の導電型不純物を
ドーピングしたチャネルストップ領域34が形成されて
いる。tた半導体の主面は、ガえば金属層35で光遮蔽
されている。同図において領域、36は垂直CODレジ
スタと水平CODレジスタを電気的に結合している第2
図の領域30を示し、また領域37は水平シフトレジス
タのチャネル領域を示してhる。
かかる構造の固体操鐵装置の動作は、第1図において光
電変換素子r#11に入射光皺に応じて蓄積された信号
電荷が映像信号のフレーム周期、あるいはフィールド周
期ごとに対応する垂直シフトレジスタ群10へ読み出さ
れたのち、映像信号の水平走査周期(IH)ととに前記
垂直シフトレジスタ群10内を並列に下方向に順次転送
される。
電変換素子r#11に入射光皺に応じて蓄積された信号
電荷が映像信号のフレーム周期、あるいはフィールド周
期ごとに対応する垂直シフトレジスタ群10へ読み出さ
れたのち、映像信号の水平走査周期(IH)ととに前記
垂直シフトレジスタ群10内を並列に下方向に順次転送
される。
垂直シフトレジスタ詳10の末端まで転送された信号電
荷は、垂直トランス7アグート電極23がオン状態とな
る水平走査周期(IH)ととに水平CCUレジスタ12
へ並列に注入される。水平CCDレジスタ12へ送られ
た信号電荷は2次の周期で垂直CCUレジスタ群10か
ら信号電荷が転送されてくる間に、水平方向に順次転送
され、電荷検出部13から映像信号として外部へ取り出
される。
荷は、垂直トランス7アグート電極23がオン状態とな
る水平走査周期(IH)ととに水平CCUレジスタ12
へ並列に注入される。水平CCDレジスタ12へ送られ
た信号電荷は2次の周期で垂直CCUレジスタ群10か
ら信号電荷が転送されてくる間に、水平方向に順次転送
され、電荷検出部13から映像信号として外部へ取り出
される。
この様な従来の固体fI&縁装置でFi、高輝匿被写体
を撮像した場合などに、映像の前に横線状の偽信号が現
われたシする。撮歇励作上好ましくない現象が見受けら
れた。この現象は前記鵬本做皺装置t−棒板カラーカメ
2に応用した場合など1色ずれ、あるいは色のシェーデ
ングの原因ともなってbる。
を撮像した場合などに、映像の前に横線状の偽信号が現
われたシする。撮歇励作上好ましくない現象が見受けら
れた。この現象は前記鵬本做皺装置t−棒板カラーカメ
2に応用した場合など1色ずれ、あるいは色のシェーデ
ングの原因ともなってbる。
前記現象はM2図あるいは第31!14Jに示す鉱直C
CDレジスタと水平CCUレジスタの結合領域の構造に
起因するものである。第4図(a) 、 (b) −(
C)は前記3Affiを説明するために第3図に示す結
倉懺域0断面図の各部分における電位分布を模式的に示
したもので、第41N(a)、(b)は垂直電荷転送電
極21 、22と水平電荷転送tIIt極27がオフ状
態て、垂直トランス7アゲート電極23がオフ状態とな
る時点の電位分布を示し、第4図(C)は水平−荷転送
電極27だけが前記状態からオフ状態に変移した時点の
電位分布を示している。また85図はチャネル値域の幅
とこの領域でのチャネルwIL位の関係を示す図である
。以後、第2図。
CDレジスタと水平CCUレジスタの結合領域の構造に
起因するものである。第4図(a) 、 (b) −(
C)は前記3Affiを説明するために第3図に示す結
倉懺域0断面図の各部分における電位分布を模式的に示
したもので、第41N(a)、(b)は垂直電荷転送電
極21 、22と水平電荷転送tIIt極27がオフ状
態て、垂直トランス7アゲート電極23がオフ状態とな
る時点の電位分布を示し、第4図(C)は水平−荷転送
電極27だけが前記状態からオフ状態に変移した時点の
電位分布を示している。また85図はチャネル値域の幅
とこの領域でのチャネルwIL位の関係を示す図である
。以後、第2図。
第3図、粥4図及び第5因を用いて前記現象を説明する
。
。
まず、#g4図(a)において第3図に示す領域36の
チャネル値域ψVが領域37のチャネル電位p1aK比
べで小さいのは、第2図に示す領域30のチャネル幅V
vvが77、’−fLccDレジスタのチャネル値域2
4の−Wnに比べて小さいためである。すなわち第5図
におiてチャネル幅WMを有する領域のチャネルtjL
位はψHであるが、チャネル幅WVを有する領域のチャ
ネル電位91Vは狭チャネル効果によシ上記チャネル電
位ψRよ〕も小さくなる。このため無4V(a)におい
て水平CCU)レジスタのチャネル値域37を上記2つ
のチャネル電位差ψH−ψVよシも小さなレベルの信号
!IE荷が転送される場合には、信号電荷は領域36に
入い9込まず、効率の良い転送が行なわれる。ところが
同図(b) K示すように信号電荷のレベルが上記電位
差デ■−ψVを越える程大きくなると、上記信号電荷の
一部Fi領域36へ入LJ込む、さらに同図(C)に示
すように水平電荷転送#It極、27がオフ状−になる
と、領域36へ入いり込んだ信号電荷の一部はm1iI
トランスフアゲート23下のバリア40を栄り越えて垂
ujLil荷転送電−22下のウェル41へ注入される
。ウェル41へ注入された偽の信号電荷は垂直トランス
7アゲート電極23がオン状態となるタイミングで再び
水平CODレジスタへ注入され、あたかも真の信号電荷
であるように振る舞う、これば前述した高輝度被写体撮
歇時の横線上の偽信号の発生原因となっていた。
チャネル値域ψVが領域37のチャネル電位p1aK比
べで小さいのは、第2図に示す領域30のチャネル幅V
vvが77、’−fLccDレジスタのチャネル値域2
4の−Wnに比べて小さいためである。すなわち第5図
におiてチャネル幅WMを有する領域のチャネルtjL
位はψHであるが、チャネル幅WVを有する領域のチャ
ネル電位91Vは狭チャネル効果によシ上記チャネル電
位ψRよ〕も小さくなる。このため無4V(a)におい
て水平CCU)レジスタのチャネル値域37を上記2つ
のチャネル電位差ψH−ψVよシも小さなレベルの信号
!IE荷が転送される場合には、信号電荷は領域36に
入い9込まず、効率の良い転送が行なわれる。ところが
同図(b) K示すように信号電荷のレベルが上記電位
差デ■−ψVを越える程大きくなると、上記信号電荷の
一部Fi領域36へ入LJ込む、さらに同図(C)に示
すように水平電荷転送#It極、27がオフ状−になる
と、領域36へ入いり込んだ信号電荷の一部はm1iI
トランスフアゲート23下のバリア40を栄り越えて垂
ujLil荷転送電−22下のウェル41へ注入される
。ウェル41へ注入された偽の信号電荷は垂直トランス
7アゲート電極23がオン状態となるタイミングで再び
水平CODレジスタへ注入され、あたかも真の信号電荷
であるように振る舞う、これば前述した高輝度被写体撮
歇時の横線上の偽信号の発生原因となっていた。
本発明の目的は上記の欠点を無くし丸高品質な固′体嫌
mit*を提供することにある。
mit*を提供することにある。
本発明によれば、配列された各光電変換禦子鮮からの信
号電荷を垂直方向へ転送するための複数り植の垂直CC
D(電位結合素子)レジスタと、この垂直CCDレジス
タの一方の端部に対応して設けられた。蓄積領域と障壁
領域とからなる水平CCUレジスタとを備え、かつ前記
垂fiecl)レジスタの端部と前記水平CCDレジス
タの障壁領域とが隣接していることを物像とする固体撮
歇装置が得られる。
号電荷を垂直方向へ転送するための複数り植の垂直CC
D(電位結合素子)レジスタと、この垂直CCDレジス
タの一方の端部に対応して設けられた。蓄積領域と障壁
領域とからなる水平CCUレジスタとを備え、かつ前記
垂fiecl)レジスタの端部と前記水平CCDレジス
タの障壁領域とが隣接していることを物像とする固体撮
歇装置が得られる。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
本発明の一実施例の基本構成は、従来的の第1図とはは
同一である。M6因は本発明による固体撮像装置のうち
第1図に示す無塩CCVレジスタ群lOと水平CODレ
ジスタ12との結@領域14の拡大画であり、従来No
I!2図に対応している。また同図において第2図と同
−曽号のものは同−構成費素を示している。垂直CCL
)レジスタ10のチャネル領域20は垂m電荷転送電極
61.62と、垂FIILCCIJレジスタlOから水
平CCUレジスタ12への信号*qの転送を1伽する垂
直トランス77ゲートに極63で被われている。また水
平CC1)レジスタ12のチャネル領域24は水平電荷
転送lI価64〜69で被われている。これらの電極は
2層のポリシリコンで形成されている0図において、1
点鎖線で示し友水平電荷転送電極61=63−65*6
7*69は第1i−目のポリシリコンで、破線で示した
水平電荷転送電極62.64.66.68は第2層目の
ポリシリコンで形成されている。水平CCDレジスタは
蓄積領域と障壁領域とからなる2相駆動の埋め込みfJ
lccDである。蓄積領域の水平電荷転送電極はMl−
目のポリシリコンで形成され(65゜67.69)k障
壁領域の水平電荷転送電極は第2JfII目のポリシリ
コンで形成されている(64゜66.68)、水平電荷
転送電極64と65.66と67.68と69とがそれ
ぞれ対の電極でアシそれぞれ同じクロックパルスが印加
される。さらに同図におりて、チャネル領域2oの末端
の領域70と71を水平電荷転送電極67と66の一部
で被うことによL mmccDレジスタ10と水’Xf
LCCDレジスタ12とが磁気的に結合される。
同一である。M6因は本発明による固体撮像装置のうち
第1図に示す無塩CCVレジスタ群lOと水平CODレ
ジスタ12との結@領域14の拡大画であり、従来No
I!2図に対応している。また同図において第2図と同
−曽号のものは同−構成費素を示している。垂直CCL
)レジスタ10のチャネル領域20は垂m電荷転送電極
61.62と、垂FIILCCIJレジスタlOから水
平CCUレジスタ12への信号*qの転送を1伽する垂
直トランス77ゲートに極63で被われている。また水
平CC1)レジスタ12のチャネル領域24は水平電荷
転送lI価64〜69で被われている。これらの電極は
2層のポリシリコンで形成されている0図において、1
点鎖線で示し友水平電荷転送電極61=63−65*6
7*69は第1i−目のポリシリコンで、破線で示した
水平電荷転送電極62.64.66.68は第2層目の
ポリシリコンで形成されている。水平CCDレジスタは
蓄積領域と障壁領域とからなる2相駆動の埋め込みfJ
lccDである。蓄積領域の水平電荷転送電極はMl−
目のポリシリコンで形成され(65゜67.69)k障
壁領域の水平電荷転送電極は第2JfII目のポリシリ
コンで形成されている(64゜66.68)、水平電荷
転送電極64と65.66と67.68と69とがそれ
ぞれ対の電極でアシそれぞれ同じクロックパルスが印加
される。さらに同図におりて、チャネル領域2oの末端
の領域70と71を水平電荷転送電極67と66の一部
で被うことによL mmccDレジスタ10と水’Xf
LCCDレジスタ12とが磁気的に結合される。
このとき垂直CCL)レジスタ10の最終電極である垂
直トランスファゲート63と水平CCDレジスタ12の
障壁領域である水平電荷転送電極66とが隣接している
。第7図(Jl)は第6図に示す結合領域■−■′線上
の断面を模式的に示したもので、従来ガの第3図に対応
している。半導体基板31の主面には絶縁hIi32を
介して上述した垂直電荷転送t[L62 、垂直トラン
ス7アゲート電極63.水平電荷転送電極66(障壁算
域)、67(蓄積領域)が形成されている。上記の各電
極下には基板半導体とは反対の導電型をもつ埋込みチャ
ネル層33が形成されてbる。障壁領域の埋込みチャネ
ル層33の表面には、埋込みチャネル層とは逆導電型の
不純物のイオン注入層72が形成されておシ、チャネル
電位が蓄積領域に比較して小さくなってbる。チャネル
領域の外囲には半導体基板31と同一導電型の不純物を
ドーピングしたチャネルストップ領域34が形成されて
いる。
直トランスファゲート63と水平CCDレジスタ12の
障壁領域である水平電荷転送電極66とが隣接している
。第7図(Jl)は第6図に示す結合領域■−■′線上
の断面を模式的に示したもので、従来ガの第3図に対応
している。半導体基板31の主面には絶縁hIi32を
介して上述した垂直電荷転送t[L62 、垂直トラン
ス7アゲート電極63.水平電荷転送電極66(障壁算
域)、67(蓄積領域)が形成されている。上記の各電
極下には基板半導体とは反対の導電型をもつ埋込みチャ
ネル層33が形成されてbる。障壁領域の埋込みチャネ
ル層33の表面には、埋込みチャネル層とは逆導電型の
不純物のイオン注入層72が形成されておシ、チャネル
電位が蓄積領域に比較して小さくなってbる。チャネル
領域の外囲には半導体基板31と同一導電型の不純物を
ドーピングしたチャネルストップ領域34が形成されて
いる。
かかる構造の固体撮鐵装置の動作#Ji第1図〜第3図
に示した従来ガと同様である。ここでは第7図(b)
、 (C)を用いて水平CCDレジスタでの電荷転送の
模様を説明する。第7図(b) 、 (C)は第7図(
a) K示す結合領域の電位分布を模式的に示したもの
である。第7図(b)Fi麩直電荷転送電極62がオン
状態、垂直トランスファゲート電極63がオフ状朦、水
平電荷転送m極66 e 67がオン状態の時の電位分
布であシ、信号電荷が破線のWt位まで蓄&領域に蓄積
されている。第7図(b)の状態から水平電荷転送電4
66.67がオン状−よりオン状態に変移した時点の電
位分布をK 71MJ (c)に示す。水平電荷転送電
極66と67とには常に同一パルスが印加されているの
で、領域71のチャネル電位は領域70のチャネル電位
に比較して常に小さい。このために水平電荷転送電極6
6と67がオフ伏線の時にも、水平CODレジスタの蓄
積領域と垂直CCJJレジスタの間には、領域71がi
tgL的な障壁として存在することKなり、信号電荷が
水平CCDレジスタより垂直CCDレジスタへ’f1k
gmすることはない、従って事始@による固体撮1&装
置では高輝度被写体を機械した場合にも横線状の偽信号
の発生が完全に防止できる。
に示した従来ガと同様である。ここでは第7図(b)
、 (C)を用いて水平CCDレジスタでの電荷転送の
模様を説明する。第7図(b) 、 (C)は第7図(
a) K示す結合領域の電位分布を模式的に示したもの
である。第7図(b)Fi麩直電荷転送電極62がオン
状態、垂直トランスファゲート電極63がオフ状朦、水
平電荷転送m極66 e 67がオン状態の時の電位分
布であシ、信号電荷が破線のWt位まで蓄&領域に蓄積
されている。第7図(b)の状態から水平電荷転送電4
66.67がオン状−よりオン状態に変移した時点の電
位分布をK 71MJ (c)に示す。水平電荷転送電
極66と67とには常に同一パルスが印加されているの
で、領域71のチャネル電位は領域70のチャネル電位
に比較して常に小さい。このために水平電荷転送電極6
6と67がオフ伏線の時にも、水平CODレジスタの蓄
積領域と垂直CCJJレジスタの間には、領域71がi
tgL的な障壁として存在することKなり、信号電荷が
水平CCDレジスタより垂直CCDレジスタへ’f1k
gmすることはない、従って事始@による固体撮1&装
置では高輝度被写体を機械した場合にも横線状の偽信号
の発生が完全に防止できる。
なお、ζこではこの発明をインターライン転送方式の撮
像装置を使って説明したが、フレーム転送方式のもので
も同様に実現できる。
像装置を使って説明したが、フレーム転送方式のもので
も同様に実現できる。
第1図はインターライン転送方式の撮1装置の概略図、
#I2図は第1図における垂直シフトレジスタと水平シ
フトレジスタの結合領域の拡大−で従来列を示している
。第3111Fi第2図の膳刊1線上の断m図、第4図
(a)、(b)、(c)は第3図における電位分布模式
図、第5図はチャネル1を位のチャネル幅依存性を示す
図、第6glは縞1図における垂直シフトレジスタと水
平シフトレジスタの結合領域の拡大図で本発明による構
造が示されている。第7図(a)は第6図の■−■′線
上の断面図、第7図(b)、(:)はsI7図(a)K
>ける電位分布模式図である。 lO−・垂直CODレジスタ、11−光電変換素子。 12−一水平CODレジスタ、64.66.68・−・
水平電荷転送電Ii(障壁領域ハロ5.67゜69−・
水平電荷転送電極(蓄積領域)。 代理人弁理士内原 晋 21 胆 ir 2 胆 オ′50 ?4 ロ f 5 胆 谷ネル暢 オ6図
#I2図は第1図における垂直シフトレジスタと水平シ
フトレジスタの結合領域の拡大−で従来列を示している
。第3111Fi第2図の膳刊1線上の断m図、第4図
(a)、(b)、(c)は第3図における電位分布模式
図、第5図はチャネル1を位のチャネル幅依存性を示す
図、第6glは縞1図における垂直シフトレジスタと水
平シフトレジスタの結合領域の拡大図で本発明による構
造が示されている。第7図(a)は第6図の■−■′線
上の断面図、第7図(b)、(:)はsI7図(a)K
>ける電位分布模式図である。 lO−・垂直CODレジスタ、11−光電変換素子。 12−一水平CODレジスタ、64.66.68・−・
水平電荷転送電Ii(障壁領域ハロ5.67゜69−・
水平電荷転送電極(蓄積領域)。 代理人弁理士内原 晋 21 胆 ir 2 胆 オ′50 ?4 ロ f 5 胆 谷ネル暢 オ6図
Claims (1)
- 配タリされた各党1に変換素子群からの信号電荷をit
i厘方肉方向送するための複数りUの垂@cab(電荷
結合素子)レジスタと、この垂l1CCJJレジスタの
一方の端部に対応して設けられた。蓄積領域と障壁領域
とからなる水平CC1)レジスタと金備え、かつ前記垂
直CCL)レジスタの端部と前記水平CCDレジスタの
障壁領域とが1#接している仁とを特徴とする固体煉歇
装轍。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57008442A JPS58125969A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57008442A JPS58125969A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58125969A true JPS58125969A (ja) | 1983-07-27 |
JPH0419752B2 JPH0419752B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=11693236
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57008442A Granted JPS58125969A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58125969A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60213060A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Nec Corp | 電荷結合素子およびその駆動方法 |
JPS60231360A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-16 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPS62169363A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
US5589698A (en) * | 1993-12-10 | 1996-12-31 | Nec Corporation | Solid state imaging device having sliding potential gradient |
JP2003258236A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2702409B1 (fr) * | 1993-03-11 | 1995-05-05 | Buchmann Optical Eng | Machine à meuler les verres ophtalmiques comportant des moyens d'asservissement de la valeur de serrage de l'ébauche du verre à meuler. |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS546779A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Fujitsu Ltd | Composition charge transfer device |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008442A patent/JPS58125969A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS546779A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Fujitsu Ltd | Composition charge transfer device |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS60213060A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Nec Corp | 電荷結合素子およびその駆動方法 |
JPH0666346B2 (ja) * | 1984-04-09 | 1994-08-24 | 日本電気株式会社 | 電荷結合素子およびその駆動方法 |
JPS60231360A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-16 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPH0618265B2 (ja) * | 1984-05-02 | 1994-03-09 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像素子 |
JPS62169363A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
US5589698A (en) * | 1993-12-10 | 1996-12-31 | Nec Corporation | Solid state imaging device having sliding potential gradient |
JP2003258236A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0419752B2 (ja) | 1992-03-31 |
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