JPS58125969A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS58125969A JPS58125969A JP57008442A JP844282A JPS58125969A JP S58125969 A JPS58125969 A JP S58125969A JP 57008442 A JP57008442 A JP 57008442A JP 844282 A JP844282 A JP 844282A JP S58125969 A JPS58125969 A JP S58125969A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送装置を用いた固体撮猷製置に関するも
のである。
のである。
固体燻謙装置は、小臘軽漱、低消費電力、１＆信ＩＩＩ
ａを特徴とし、しかも操鍬管にお轄るような焼き付きの
心配もないため、近年、多方面にわたって研究開発がな
されている。
ａを特徴とし、しかも操鍬管にお轄るような焼き付きの
心配もないため、近年、多方面にわたって研究開発がな
されている。
第１図は上述した固体機織装置のうち、インターライン
転送方式と呼ばれるものの概略図でおル複数列の電荷転
送装置から成る垂直シフトレジスタ群ｌＯと、各垂直シ
フトレジスタの片側に一接して配麹されたｆ、電変換素
子群１１と％′１！ｒ垂直シフトレジスタの一端に電気
的に結合した水平シフトレジスタ１２の一端に設けられ
た電荷検ａ１部１３から構成されている。
転送方式と呼ばれるものの概略図でおル複数列の電荷転
送装置から成る垂直シフトレジスタ群ｌＯと、各垂直シ
フトレジスタの片側に一接して配麹されたｆ、電変換素
子群１１と％′１！ｒ垂直シフトレジスタの一端に電気
的に結合した水平シフトレジスタ１２の一端に設けられ
た電荷検ａ１部１３から構成されている。
第２凶は第１図に示す固体撮諏装鈑のうち垂直ＣＣＵレ
ジスタ詳ｌＯと水平ＣＣＵレジスタ１２との結合領域１
４の拡大図でる夕％垂直ＣＣＤレジスタ１０のチャネル
領域２０は垂直電衝転込電極２１．２２と、垂［ＣＣＤ
レジスタｌＯから水平ＣＯＤレジスタ１２への信号電荷
の転送を制−する垂直トランス７アゲー）ｔ４ｉ１２３
で被われている。また水平ＣＣＤレジスタ１２のチャネ
ル置載２４は水平電荷転送電極２５．２６．２７．２８
゜２９で被われている。これらの電憔は２／＃ｉのポリ
シリコとで形成されている０図Ｋかいて１点鎖１で示し
た水平電荷転送電１ｉ２２．２５，２７゜２９はａｔ層
目のポリシリコンで、破線で示した水平電荷転送電極２
１．２３．２６．２８は第２層目のポリシリコンで形成
されている。水平ＣＯＤレジスタは２相駆勘の埋め込み
型ＣＯＤである。
ジスタ詳ｌＯと水平ＣＣＵレジスタ１２との結合領域１
４の拡大図でる夕％垂直ＣＣＤレジスタ１０のチャネル
領域２０は垂直電衝転込電極２１．２２と、垂［ＣＣＤ
レジスタｌＯから水平ＣＯＤレジスタ１２への信号電荷
の転送を制−する垂直トランス７アゲー）ｔ４ｉ１２３
で被われている。また水平ＣＣＤレジスタ１２のチャネ
ル置載２４は水平電荷転送電極２５．２６．２７．２８
゜２９で被われている。これらの電憔は２／＃ｉのポリ
シリコとで形成されている０図Ｋかいて１点鎖１で示し
た水平電荷転送電１ｉ２２．２５，２７゜２９はａｔ層
目のポリシリコンで、破線で示した水平電荷転送電極２
１．２３．２６．２８は第２層目のポリシリコンで形成
されている。水平ＣＯＤレジスタは２相駆勘の埋め込み
型ＣＯＤである。
蓄積領域の水平電荷伝送電極は第１層目のポリシリコン
で形成され、障壁領域の水平電荷転送電極は第２−目の
ポリシリコンで形成されている。水平Ｉｌｌ傭転込′＃
を砺２６と２７．２８は２９とにはそれぞれ同じクロッ
クパルスが印加される。さらに同図において、チャネル
領域２０の末端の領域３０を水平電荷転送ｒ４他２７の
一部で破りことにより％無＆！１ＬＣＣ１）レジスタ１
０と水平ＣＯＤレジスタ１２が電気的に結合されている
。
で形成され、障壁領域の水平電荷転送電極は第２−目の
ポリシリコンで形成されている。水平Ｉｌｌ傭転込′＃
を砺２６と２７．２８は２９とにはそれぞれ同じクロッ
クパルスが印加される。さらに同図において、チャネル
領域２０の末端の領域３０を水平電荷転送ｒ４他２７の
一部で破りことにより％無＆！１ＬＣＣ１）レジスタ１
０と水平ＣＯＤレジスタ１２が電気的に結合されている
。
第３図は第２図に示す結合領域のａｘ−ａｔ’線上の断
面を模式的に示したものである。半導体基板３１の主面
には絶縁層３２を介して上述した垂直電荷転送電極２１
．２２．垂直トランスファゲート電礪２３．水平電荷転
送電極２７が形成されている。また上記の各′＃ｔ＆下
には、基板″Ｐ尋体とは反対の導電型をもつ埋込みチャ
ネルｗＩ３３が形成され、またチャネル領域の外側には
堀込みチャネル層３３の不純物と反対の導電型不純物を
ドーピングしたチャネルストップ領域３４が形成されて
いる。ｔた半導体の主面は、ガえば金属層３５で光遮蔽
されている。同図において領域、３６は垂直ＣＯＤレジ
スタと水平ＣＯＤレジスタを電気的に結合している第２
図の領域３０を示し、また領域３７は水平シフトレジス
タのチャネル領域を示してｈる。
面を模式的に示したものである。半導体基板３１の主面
には絶縁層３２を介して上述した垂直電荷転送電極２１
．２２．垂直トランスファゲート電礪２３．水平電荷転
送電極２７が形成されている。また上記の各′＃ｔ＆下
には、基板″Ｐ尋体とは反対の導電型をもつ埋込みチャ
ネルｗＩ３３が形成され、またチャネル領域の外側には
堀込みチャネル層３３の不純物と反対の導電型不純物を
ドーピングしたチャネルストップ領域３４が形成されて
いる。ｔた半導体の主面は、ガえば金属層３５で光遮蔽
されている。同図において領域、３６は垂直ＣＯＤレジ
スタと水平ＣＯＤレジスタを電気的に結合している第２
図の領域３０を示し、また領域３７は水平シフトレジス
タのチャネル領域を示してｈる。
かかる構造の固体操鐵装置の動作は、第１図において光
電変換素子ｒ＃１１に入射光皺に応じて蓄積された信号
電荷が映像信号のフレーム周期、あるいはフィールド周
期ごとに対応する垂直シフトレジスタ群１０へ読み出さ
れたのち、映像信号の水平走査周期（ＩＨ）ととに前記
垂直シフトレジスタ群１０内を並列に下方向に順次転送
される。
電変換素子ｒ＃１１に入射光皺に応じて蓄積された信号
電荷が映像信号のフレーム周期、あるいはフィールド周
期ごとに対応する垂直シフトレジスタ群１０へ読み出さ
れたのち、映像信号の水平走査周期（ＩＨ）ととに前記
垂直シフトレジスタ群１０内を並列に下方向に順次転送
される。
垂直シフトレジスタ詳１０の末端まで転送された信号電
荷は、垂直トランス７アグート電極２３がオン状態とな
る水平走査周期（ＩＨ）ととに水平ＣＣＵレジスタ１２
へ並列に注入される。水平ＣＣＤレジスタ１２へ送られ
た信号電荷は２次の周期で垂直ＣＣＵレジスタ群１０か
ら信号電荷が転送されてくる間に、水平方向に順次転送
され、電荷検出部１３から映像信号として外部へ取り出
される。
荷は、垂直トランス７アグート電極２３がオン状態とな
る水平走査周期（ＩＨ）ととに水平ＣＣＵレジスタ１２
へ並列に注入される。水平ＣＣＤレジスタ１２へ送られ
た信号電荷は２次の周期で垂直ＣＣＵレジスタ群１０か
ら信号電荷が転送されてくる間に、水平方向に順次転送
され、電荷検出部１３から映像信号として外部へ取り出
される。
この様な従来の固体ｆＩ＆縁装置でＦｉ、高輝匿被写体
を撮像した場合などに、映像の前に横線状の偽信号が現
われたシする。撮歇励作上好ましくない現象が見受けら
れた。この現象は前記鵬本做皺装置ｔ−棒板カラーカメ
２に応用した場合など１色ずれ、あるいは色のシェーデ
ングの原因ともなってｂる。
を撮像した場合などに、映像の前に横線状の偽信号が現
われたシする。撮歇励作上好ましくない現象が見受けら
れた。この現象は前記鵬本做皺装置ｔ−棒板カラーカメ
２に応用した場合など１色ずれ、あるいは色のシェーデ
ングの原因ともなってｂる。
前記現象はＭ２図あるいは第３１！１４Ｊに示す鉱直Ｃ
ＣＤレジスタと水平ＣＣＵレジスタの結合領域の構造に
起因するものである。第４図（ａ） 、 （ｂ） −（
Ｃ）は前記３Ａｆｆｉを説明するために第３図に示す結
倉懺域０断面図の各部分における電位分布を模式的に示
したもので、第４１Ｎ（ａ）、（ｂ）は垂直電荷転送電
極２１ 、２２と水平電荷転送ｔＩＩｔ極２７がオフ状
態て、垂直トランス７アゲート電極２３がオフ状態とな
る時点の電位分布を示し、第４図（Ｃ）は水平−荷転送
電極２７だけが前記状態からオフ状態に変移した時点の
電位分布を示している。また８５図はチャネル値域の幅
とこの領域でのチャネルｗＩＬ位の関係を示す図である
。以後、第２図。
ＣＤレジスタと水平ＣＣＵレジスタの結合領域の構造に
起因するものである。第４図（ａ） 、 （ｂ） −（
Ｃ）は前記３Ａｆｆｉを説明するために第３図に示す結
倉懺域０断面図の各部分における電位分布を模式的に示
したもので、第４１Ｎ（ａ）、（ｂ）は垂直電荷転送電
極２１ 、２２と水平電荷転送ｔＩＩｔ極２７がオフ状
態て、垂直トランス７アゲート電極２３がオフ状態とな
る時点の電位分布を示し、第４図（Ｃ）は水平−荷転送
電極２７だけが前記状態からオフ状態に変移した時点の
電位分布を示している。また８５図はチャネル値域の幅
とこの領域でのチャネルｗＩＬ位の関係を示す図である
。以後、第２図。
第３図、粥４図及び第５因を用いて前記現象を説明する
。
。
まず、＃ｇ４図（ａ）において第３図に示す領域３６の
チャネル値域ψＶが領域３７のチャネル電位ｐ１ａＫ比
べで小さいのは、第２図に示す領域３０のチャネル幅Ｖ
ｖｖが７７、’−ｆＬｃｃＤレジスタのチャネル値域２
４の−Ｗｎに比べて小さいためである。すなわち第５図
におｉてチャネル幅ＷＭを有する領域のチャネルｔｊＬ
位はψＨであるが、チャネル幅ＷＶを有する領域のチャ
ネル電位９１Ｖは狭チャネル効果によシ上記チャネル電
位ψＲよ〕も小さくなる。このため無４Ｖ（ａ）におい
て水平ＣＣＵ）レジスタのチャネル値域３７を上記２つ
のチャネル電位差ψＨ−ψＶよシも小さなレベルの信号
！ＩＥ荷が転送される場合には、信号電荷は領域３６に
入い９込まず、効率の良い転送が行なわれる。ところが
同図（ｂ） Ｋ示すように信号電荷のレベルが上記電位
差デ■−ψＶを越える程大きくなると、上記信号電荷の
一部Ｆｉ領域３６へ入ＬＪ込む、さらに同図（Ｃ）に示
すように水平電荷転送＃Ｉｔ極、２７がオフ状−になる
と、領域３６へ入いり込んだ信号電荷の一部はｍ１ｉＩ
トランスフアゲート２３下のバリア４０を栄り越えて垂
ｕｊＬｉｌ荷転送電−２２下のウェル４１へ注入される
。ウェル４１へ注入された偽の信号電荷は垂直トランス
７アゲート電極２３がオン状態となるタイミングで再び
水平ＣＯＤレジスタへ注入され、あたかも真の信号電荷
であるように振る舞う、これば前述した高輝度被写体撮
歇時の横線上の偽信号の発生原因となっていた。
チャネル値域ψＶが領域３７のチャネル電位ｐ１ａＫ比
べで小さいのは、第２図に示す領域３０のチャネル幅Ｖ
ｖｖが７７、’−ｆＬｃｃＤレジスタのチャネル値域２
４の−Ｗｎに比べて小さいためである。すなわち第５図
におｉてチャネル幅ＷＭを有する領域のチャネルｔｊＬ
位はψＨであるが、チャネル幅ＷＶを有する領域のチャ
ネル電位９１Ｖは狭チャネル効果によシ上記チャネル電
位ψＲよ〕も小さくなる。このため無４Ｖ（ａ）におい
て水平ＣＣＵ）レジスタのチャネル値域３７を上記２つ
のチャネル電位差ψＨ−ψＶよシも小さなレベルの信号
！ＩＥ荷が転送される場合には、信号電荷は領域３６に
入い９込まず、効率の良い転送が行なわれる。ところが
同図（ｂ） Ｋ示すように信号電荷のレベルが上記電位
差デ■−ψＶを越える程大きくなると、上記信号電荷の
一部Ｆｉ領域３６へ入ＬＪ込む、さらに同図（Ｃ）に示
すように水平電荷転送＃Ｉｔ極、２７がオフ状−になる
と、領域３６へ入いり込んだ信号電荷の一部はｍ１ｉＩ
トランスフアゲート２３下のバリア４０を栄り越えて垂
ｕｊＬｉｌ荷転送電−２２下のウェル４１へ注入される
。ウェル４１へ注入された偽の信号電荷は垂直トランス
７アゲート電極２３がオン状態となるタイミングで再び
水平ＣＯＤレジスタへ注入され、あたかも真の信号電荷
であるように振る舞う、これば前述した高輝度被写体撮
歇時の横線上の偽信号の発生原因となっていた。
本発明の目的は上記の欠点を無くし丸高品質な固′体嫌
ｍｉｔ＊を提供することにある。
ｍｉｔ＊を提供することにある。
本発明によれば、配列された各光電変換禦子鮮からの信
号電荷を垂直方向へ転送するための複数り植の垂直ＣＣ
Ｄ（電位結合素子）レジスタと、この垂直ＣＣＤレジス
タの一方の端部に対応して設けられた。蓄積領域と障壁
領域とからなる水平ＣＣＵレジスタとを備え、かつ前記
垂ｆｉｅｃｌ）レジスタの端部と前記水平ＣＣＤレジス
タの障壁領域とが隣接していることを物像とする固体撮
歇装置が得られる。
号電荷を垂直方向へ転送するための複数り植の垂直ＣＣ
Ｄ（電位結合素子）レジスタと、この垂直ＣＣＤレジス
タの一方の端部に対応して設けられた。蓄積領域と障壁
領域とからなる水平ＣＣＵレジスタとを備え、かつ前記
垂ｆｉｅｃｌ）レジスタの端部と前記水平ＣＣＤレジス
タの障壁領域とが隣接していることを物像とする固体撮
歇装置が得られる。
次に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
本発明の一実施例の基本構成は、従来的の第１図とはは
同一である。Ｍ６因は本発明による固体撮像装置のうち
第１図に示す無塩ＣＣＶレジスタ群ｌＯと水平ＣＯＤレ
ジスタ１２との結＠領域１４の拡大画であり、従来Ｎｏ
Ｉ！２図に対応している。また同図において第２図と同
−曽号のものは同−構成費素を示している。垂直ＣＣＬ
）レジスタ１０のチャネル領域２０は垂ｍ電荷転送電極
６１．６２と、垂ＦＩＩＬＣＣＩＪレジスタｌＯから水
平ＣＣＵレジスタ１２への信号＊ｑの転送を１伽する垂
直トランス７７ゲートに極６３で被われている。また水
平ＣＣ１）レジスタ１２のチャネル領域２４は水平電荷
転送ｌＩ価６４〜６９で被われている。これらの電極は
２層のポリシリコンで形成されている０図において、１
点鎖線で示し友水平電荷転送電極６１＝６３−６５＊６
７＊６９は第１ｉ−目のポリシリコンで、破線で示した
水平電荷転送電極６２．６４．６６．６８は第２層目の
ポリシリコンで形成されている。水平ＣＣＤレジスタは
蓄積領域と障壁領域とからなる２相駆動の埋め込みｆＪ
ｌｃｃＤである。蓄積領域の水平電荷転送電極はＭｌ−
目のポリシリコンで形成され（６５゜６７．６９）ｋ障
壁領域の水平電荷転送電極は第２ＪｆＩＩ目のポリシリ
コンで形成されている（６４゜６６．６８）、水平電荷
転送電極６４と６５．６６と６７．６８と６９とがそれ
ぞれ対の電極でアシそれぞれ同じクロックパルスが印加
される。さらに同図におりて、チャネル領域２ｏの末端
の領域７０と７１を水平電荷転送電極６７と６６の一部
で被うことによＬ ｍｍｃｃＤレジスタ１０と水’Ｘｆ
ＬＣＣＤレジスタ１２とが磁気的に結合される。
同一である。Ｍ６因は本発明による固体撮像装置のうち
第１図に示す無塩ＣＣＶレジスタ群ｌＯと水平ＣＯＤレ
ジスタ１２との結＠領域１４の拡大画であり、従来Ｎｏ
Ｉ！２図に対応している。また同図において第２図と同
−曽号のものは同−構成費素を示している。垂直ＣＣＬ
）レジスタ１０のチャネル領域２０は垂ｍ電荷転送電極
６１．６２と、垂ＦＩＩＬＣＣＩＪレジスタｌＯから水
平ＣＣＵレジスタ１２への信号＊ｑの転送を１伽する垂
直トランス７７ゲートに極６３で被われている。また水
平ＣＣ１）レジスタ１２のチャネル領域２４は水平電荷
転送ｌＩ価６４〜６９で被われている。これらの電極は
２層のポリシリコンで形成されている０図において、１
点鎖線で示し友水平電荷転送電極６１＝６３−６５＊６
７＊６９は第１ｉ−目のポリシリコンで、破線で示した
水平電荷転送電極６２．６４．６６．６８は第２層目の
ポリシリコンで形成されている。水平ＣＣＤレジスタは
蓄積領域と障壁領域とからなる２相駆動の埋め込みｆＪ
ｌｃｃＤである。蓄積領域の水平電荷転送電極はＭｌ−
目のポリシリコンで形成され（６５゜６７．６９）ｋ障
壁領域の水平電荷転送電極は第２ＪｆＩＩ目のポリシリ
コンで形成されている（６４゜６６．６８）、水平電荷
転送電極６４と６５．６６と６７．６８と６９とがそれ
ぞれ対の電極でアシそれぞれ同じクロックパルスが印加
される。さらに同図におりて、チャネル領域２ｏの末端
の領域７０と７１を水平電荷転送電極６７と６６の一部
で被うことによＬ ｍｍｃｃＤレジスタ１０と水’Ｘｆ
ＬＣＣＤレジスタ１２とが磁気的に結合される。
このとき垂直ＣＣＬ）レジスタ１０の最終電極である垂
直トランスファゲート６３と水平ＣＣＤレジスタ１２の
障壁領域である水平電荷転送電極６６とが隣接している
。第７図（Ｊｌ）は第６図に示す結合領域■−■′線上
の断面を模式的に示したもので、従来ガの第３図に対応
している。半導体基板３１の主面には絶縁ｈＩｉ３２を
介して上述した垂直電荷転送ｔ［Ｌ６２ 、垂直トラン
ス７アゲート電極６３．水平電荷転送電極６６（障壁算
域）、６７（蓄積領域）が形成されている。上記の各電
極下には基板半導体とは反対の導電型をもつ埋込みチャ
ネル層３３が形成されてｂる。障壁領域の埋込みチャネ
ル層３３の表面には、埋込みチャネル層とは逆導電型の
不純物のイオン注入層７２が形成されておシ、チャネル
電位が蓄積領域に比較して小さくなってｂる。チャネル
領域の外囲には半導体基板３１と同一導電型の不純物を
ドーピングしたチャネルストップ領域３４が形成されて
いる。
直トランスファゲート６３と水平ＣＣＤレジスタ１２の
障壁領域である水平電荷転送電極６６とが隣接している
。第７図（Ｊｌ）は第６図に示す結合領域■−■′線上
の断面を模式的に示したもので、従来ガの第３図に対応
している。半導体基板３１の主面には絶縁ｈＩｉ３２を
介して上述した垂直電荷転送ｔ［Ｌ６２ 、垂直トラン
ス７アゲート電極６３．水平電荷転送電極６６（障壁算
域）、６７（蓄積領域）が形成されている。上記の各電
極下には基板半導体とは反対の導電型をもつ埋込みチャ
ネル層３３が形成されてｂる。障壁領域の埋込みチャネ
ル層３３の表面には、埋込みチャネル層とは逆導電型の
不純物のイオン注入層７２が形成されておシ、チャネル
電位が蓄積領域に比較して小さくなってｂる。チャネル
領域の外囲には半導体基板３１と同一導電型の不純物を
ドーピングしたチャネルストップ領域３４が形成されて
いる。
かかる構造の固体撮鐵装置の動作＃Ｊｉ第１図〜第３図
に示した従来ガと同様である。ここでは第７図（ｂ）
、 （Ｃ）を用いて水平ＣＣＤレジスタでの電荷転送の
模様を説明する。第７図（ｂ） 、 （Ｃ）は第７図（
ａ） Ｋ示す結合領域の電位分布を模式的に示したもの
である。第７図（ｂ）Ｆｉ麩直電荷転送電極６２がオン
状態、垂直トランスファゲート電極６３がオフ状朦、水
平電荷転送ｍ極６６ ｅ ６７がオン状態の時の電位分
布であシ、信号電荷が破線のＷｔ位まで蓄＆領域に蓄積
されている。第７図（ｂ）の状態から水平電荷転送電４
６６．６７がオン状−よりオン状態に変移した時点の電
位分布をＫ ７１ＭＪ （ｃ）に示す。水平電荷転送電
極６６と６７とには常に同一パルスが印加されているの
で、領域７１のチャネル電位は領域７０のチャネル電位
に比較して常に小さい。このために水平電荷転送電極６
６と６７がオフ伏線の時にも、水平ＣＯＤレジスタの蓄
積領域と垂直ＣＣＪＪレジスタの間には、領域７１がｉ
ｔｇＬ的な障壁として存在することＫなり、信号電荷が
水平ＣＣＤレジスタより垂直ＣＣＤレジスタへ’ｆ１ｋ
ｇｍすることはない、従って事始＠による固体撮１＆装
置では高輝度被写体を機械した場合にも横線状の偽信号
の発生が完全に防止できる。
に示した従来ガと同様である。ここでは第７図（ｂ）
、 （Ｃ）を用いて水平ＣＣＤレジスタでの電荷転送の
模様を説明する。第７図（ｂ） 、 （Ｃ）は第７図（
ａ） Ｋ示す結合領域の電位分布を模式的に示したもの
である。第７図（ｂ）Ｆｉ麩直電荷転送電極６２がオン
状態、垂直トランスファゲート電極６３がオフ状朦、水
平電荷転送ｍ極６６ ｅ ６７がオン状態の時の電位分
布であシ、信号電荷が破線のＷｔ位まで蓄＆領域に蓄積
されている。第７図（ｂ）の状態から水平電荷転送電４
６６．６７がオン状−よりオン状態に変移した時点の電
位分布をＫ ７１ＭＪ （ｃ）に示す。水平電荷転送電
極６６と６７とには常に同一パルスが印加されているの
で、領域７１のチャネル電位は領域７０のチャネル電位
に比較して常に小さい。このために水平電荷転送電極６
６と６７がオフ伏線の時にも、水平ＣＯＤレジスタの蓄
積領域と垂直ＣＣＪＪレジスタの間には、領域７１がｉ
ｔｇＬ的な障壁として存在することＫなり、信号電荷が
水平ＣＣＤレジスタより垂直ＣＣＤレジスタへ’ｆ１ｋ
ｇｍすることはない、従って事始＠による固体撮１＆装
置では高輝度被写体を機械した場合にも横線状の偽信号
の発生が完全に防止できる。
なお、ζこではこの発明をインターライン転送方式の撮
像装置を使って説明したが、フレーム転送方式のもので
も同様に実現できる。
像装置を使って説明したが、フレーム転送方式のもので
も同様に実現できる。
第１図はインターライン転送方式の撮１装置の概略図、
＃Ｉ２図は第１図における垂直シフトレジスタと水平シ
フトレジスタの結合領域の拡大−で従来列を示している
。第３１１１Ｆｉ第２図の膳刊１線上の断ｍ図、第４図
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は第３図における電位分布模式
図、第５図はチャネル１を位のチャネル幅依存性を示す
図、第６ｇｌは縞１図における垂直シフトレジスタと水
平シフトレジスタの結合領域の拡大図で本発明による構
造が示されている。第７図（ａ）は第６図の■−■′線
上の断面図、第７図（ｂ）、（：）はｓＩ７図（ａ）Ｋ
＞ける電位分布模式図である。 ｌＯ−・垂直ＣＯＤレジスタ、１１−光電変換素子。 １２−一水平ＣＯＤレジスタ、６４．６６．６８・−・
水平電荷転送電Ｉｉ（障壁領域ハロ５．６７゜６９−・
水平電荷転送電極（蓄積領域）。 代理人弁理士内原 晋 ２１ 胆 ｉｒ ２ 胆 オ′５０ ？４ ロ ｆ ５ 胆 谷ネル暢 オ６図
＃Ｉ２図は第１図における垂直シフトレジスタと水平シ
フトレジスタの結合領域の拡大−で従来列を示している
。第３１１１Ｆｉ第２図の膳刊１線上の断ｍ図、第４図
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は第３図における電位分布模式
図、第５図はチャネル１を位のチャネル幅依存性を示す
図、第６ｇｌは縞１図における垂直シフトレジスタと水
平シフトレジスタの結合領域の拡大図で本発明による構
造が示されている。第７図（ａ）は第６図の■−■′線
上の断面図、第７図（ｂ）、（：）はｓＩ７図（ａ）Ｋ
＞ける電位分布模式図である。 ｌＯ−・垂直ＣＯＤレジスタ、１１−光電変換素子。 １２−一水平ＣＯＤレジスタ、６４．６６．６８・−・
水平電荷転送電Ｉｉ（障壁領域ハロ５．６７゜６９−・
水平電荷転送電極（蓄積領域）。 代理人弁理士内原 晋 ２１ 胆 ｉｒ ２ 胆 オ′５０ ？４ ロ ｆ ５ 胆 谷ネル暢 オ６図
Claims (1)
- 配タリされた各党１に変換素子群からの信号電荷をｉｔ
ｉ厘方肉方向送するための複数りＵの垂＠ｃａｂ（電荷
結合素子）レジスタと、この垂ｌ１ＣＣＪＪレジスタの
一方の端部に対応して設けられた。蓄積領域と障壁領域
とからなる水平ＣＣ１）レジスタと金備え、かつ前記垂
直ＣＣＬ）レジスタの端部と前記水平ＣＣＤレジスタの
障壁領域とが１＃接している仁とを特徴とする固体煉歇
装轍。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008442A JPS58125969A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57008442A JPS58125969A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58125969A true JPS58125969A (ja) | 1983-07-27 |
| JPH0419752B2 JPH0419752B2 (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=11693236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57008442A Granted JPS58125969A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58125969A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213060A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Nec Corp | 電荷結合素子およびその駆動方法 |
| JPS60231360A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-16 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPS62169363A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| US5589698A (en) * | 1993-12-10 | 1996-12-31 | Nec Corporation | Solid state imaging device having sliding potential gradient |
| JP2003258236A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2702409B1 (fr) * | 1993-03-11 | 1995-05-05 | Buchmann Optical Eng | Machine à meuler les verres ophtalmiques comportant des moyens d'asservissement de la valeur de serrage de l'ébauche du verre à meuler. |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546779A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Fujitsu Ltd | Composition charge transfer device |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008442A patent/JPS58125969A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS546779A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-19 | Fujitsu Ltd | Composition charge transfer device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60213060A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-25 | Nec Corp | 電荷結合素子およびその駆動方法 |
| JPH0666346B2 (ja) * | 1984-04-09 | 1994-08-24 | 日本電気株式会社 | 電荷結合素子およびその駆動方法 |
| JPS60231360A (ja) * | 1984-05-02 | 1985-11-16 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH0618265B2 (ja) * | 1984-05-02 | 1994-03-09 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像素子 |
| JPS62169363A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-25 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| US5589698A (en) * | 1993-12-10 | 1996-12-31 | Nec Corporation | Solid state imaging device having sliding potential gradient |
| JP2003258236A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0419752B2 (ja) | 1992-03-31 |
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