JPH0424873B2 - - Google Patents
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- JPH0424873B2 JPH0424873B2 JP57008450A JP845082A JPH0424873B2 JP H0424873 B2 JPH0424873 B2 JP H0424873B2 JP 57008450 A JP57008450 A JP 57008450A JP 845082 A JP845082 A JP 845082A JP H0424873 B2 JPH0424873 B2 JP H0424873B2
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 12
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転送装置を用いた固体撮像装置に
関するものである。固体撮像装置は、小型軽量、
低消費電力、高信頼性を特徴とし、しかも撮像管
におけるような焼き付きの心配もないため、近
年、多方面にわたつて研究開発がなされている。
関するものである。固体撮像装置は、小型軽量、
低消費電力、高信頼性を特徴とし、しかも撮像管
におけるような焼き付きの心配もないため、近
年、多方面にわたつて研究開発がなされている。
第1図は上述した電荷転送撮像装置のうち、イ
ンターライン転送方式と呼ばれるものの概略図で
あり、複数列の電荷転送装置から成る垂直シフト
レジスタ群10と、各垂直シフトレジスタの片側
に隣接して配置された光電変換素子群11と、各
垂直シフトレジスタの一端に電気的に結合した水
平シフトレジスタ12と、水平シフトレジスタ1
2の一端に設けられた電荷検出部13から構成さ
れている。
ンターライン転送方式と呼ばれるものの概略図で
あり、複数列の電荷転送装置から成る垂直シフト
レジスタ群10と、各垂直シフトレジスタの片側
に隣接して配置された光電変換素子群11と、各
垂直シフトレジスタの一端に電気的に結合した水
平シフトレジスタ12と、水平シフトレジスタ1
2の一端に設けられた電荷検出部13から構成さ
れている。
第2図は第1図に示す電荷転送撮像装置のうち
垂直シフトレジスタ群10と水平シフトレジスタ
12との結合領域14の拡大図であり、垂直シフ
トレジスタ10のチヤネル領域20は垂直電荷転
送電極21,22と、垂直シフトレジスタ10か
ら水平シフトレジスタ12への信号電荷の転送を
制御する垂直トランスフアゲート電極23で被わ
れている。また水平シフトレジスタ12のチヤネ
ル領域24は水平電荷転送電極25,26,2
7,28,29で被われている。さらに同図にお
いて、チヤネル領域20の末端の領域30を水平
電荷転送電極27の一部で被うことにより、垂直
シフトレジスタ10と水平シフトレジスタ12が
電気的に結合されている。
垂直シフトレジスタ群10と水平シフトレジスタ
12との結合領域14の拡大図であり、垂直シフ
トレジスタ10のチヤネル領域20は垂直電荷転
送電極21,22と、垂直シフトレジスタ10か
ら水平シフトレジスタ12への信号電荷の転送を
制御する垂直トランスフアゲート電極23で被わ
れている。また水平シフトレジスタ12のチヤネ
ル領域24は水平電荷転送電極25,26,2
7,28,29で被われている。さらに同図にお
いて、チヤネル領域20の末端の領域30を水平
電荷転送電極27の一部で被うことにより、垂直
シフトレジスタ10と水平シフトレジスタ12が
電気的に結合されている。
第3図は第2図に示す結合領域の−線上の
断面を模式的に示したものである。半導体基板3
1の主面には絶縁層32を介して上述した垂直電
荷転送電極21,22、垂直トランスフアゲート
電極23、水平電荷転送電極27が形成されてい
る。また上記の各電極下には、例えば基板半導体
とは反対の導電型をもつ埋込みチヤネル層33が
形成され、またチヤネル領域の外側には例えば埋
込みチヤネル層33の不純物と反対の導電型不純
物をドーピングしたチヤネルストツプ領域34が
形成されている。また半導体の主面は例えば金属
層35で光遮蔽されている。同図において領域3
6は垂直シフトレジスタと水平シフトレジスタを
電気的に結合している第2図の領域30示し、ま
た領域37は水平シフトレジスタのチヤネル領域
を示している。
断面を模式的に示したものである。半導体基板3
1の主面には絶縁層32を介して上述した垂直電
荷転送電極21,22、垂直トランスフアゲート
電極23、水平電荷転送電極27が形成されてい
る。また上記の各電極下には、例えば基板半導体
とは反対の導電型をもつ埋込みチヤネル層33が
形成され、またチヤネル領域の外側には例えば埋
込みチヤネル層33の不純物と反対の導電型不純
物をドーピングしたチヤネルストツプ領域34が
形成されている。また半導体の主面は例えば金属
層35で光遮蔽されている。同図において領域3
6は垂直シフトレジスタと水平シフトレジスタを
電気的に結合している第2図の領域30示し、ま
た領域37は水平シフトレジスタのチヤネル領域
を示している。
かかる構造の電荷転送撮像装置の動作は、第1
図において光電変換素子群11に入射光量に応じ
て蓄積された信号電荷が映像信号のフレーム周
期、あるいはフイールド周期ごとに対応する垂直
シフトレジスタ群10へ読み出されたのち、映像
信号の水平走査周期(1H)ごとに前記垂直シフ
トレジスタ群10内を並列に下方向に順次転送さ
れる。垂直シフトレジスタ群10の末端まで転送
された信号電荷は、垂直トランスフアゲート電極
23がオン状態となる水平走査周期(1H)ごと
に水平シフトレジスタ12へ並列に注入される。
水平シフトレジスタ12へ送られた信号電荷は、
次の周期で垂直シフトレジスタ群10から信号電
荷が転送されてくる間に、水平方向に順次転送さ
れ、電荷検出部13から映像信号として外部へ取
り出される。
図において光電変換素子群11に入射光量に応じ
て蓄積された信号電荷が映像信号のフレーム周
期、あるいはフイールド周期ごとに対応する垂直
シフトレジスタ群10へ読み出されたのち、映像
信号の水平走査周期(1H)ごとに前記垂直シフ
トレジスタ群10内を並列に下方向に順次転送さ
れる。垂直シフトレジスタ群10の末端まで転送
された信号電荷は、垂直トランスフアゲート電極
23がオン状態となる水平走査周期(1H)ごと
に水平シフトレジスタ12へ並列に注入される。
水平シフトレジスタ12へ送られた信号電荷は、
次の周期で垂直シフトレジスタ群10から信号電
荷が転送されてくる間に、水平方向に順次転送さ
れ、電荷検出部13から映像信号として外部へ取
り出される。
この様な従来の電荷転送撮像装置では、高輝度
被写体を撮像した場合などに、映像が横方向に流
れたり、あるいは映像の前に横線状の偽信号が現
われたりする。撮像動作上好ましくない現像が見
受けられた。この現像は前記電荷転送撮像装置を
単板カラーカメラに応用した場合など、色ずれ、
あるいは色のシエーデングの原因ともなつてい
た。
被写体を撮像した場合などに、映像が横方向に流
れたり、あるいは映像の前に横線状の偽信号が現
われたりする。撮像動作上好ましくない現像が見
受けられた。この現像は前記電荷転送撮像装置を
単板カラーカメラに応用した場合など、色ずれ、
あるいは色のシエーデングの原因ともなつてい
た。
前記現像は第2図あるいは第3図に示す垂直シ
フトレジスタと水平シフトレジスタの結合領域の
構造に起因するものである。第4図a,b,cは
前記現像を説明するために第3図に示す結合領域
の断面図の各部分における電位分布を模式的に示
したもので、第4図a,bは垂直電荷転送電極2
1,22と水平電荷転送電極27がオン状態で、
垂直トランスフアゲート電極23がオフ状態とな
る時点の電位分布を示し、第4図cは水平電荷転
送電極27だけが前記状態からオフ状態に変移し
た時点の電位分布を示している。また第5図はチ
ヤネル領域の幅とこの領域でのチヤネル電位の関
係を示す図である。以後、第2図、第3図、第4
図及び第5図を用いて前記現像を説明する。
フトレジスタと水平シフトレジスタの結合領域の
構造に起因するものである。第4図a,b,cは
前記現像を説明するために第3図に示す結合領域
の断面図の各部分における電位分布を模式的に示
したもので、第4図a,bは垂直電荷転送電極2
1,22と水平電荷転送電極27がオン状態で、
垂直トランスフアゲート電極23がオフ状態とな
る時点の電位分布を示し、第4図cは水平電荷転
送電極27だけが前記状態からオフ状態に変移し
た時点の電位分布を示している。また第5図はチ
ヤネル領域の幅とこの領域でのチヤネル電位の関
係を示す図である。以後、第2図、第3図、第4
図及び第5図を用いて前記現像を説明する。
まず第4図aにおいて第3図に示す領域36の
チヤネル電位Vが領域37のチヤネル電位Hに
比べて小さいのは、第2図に示す領域30のチヤ
ネル幅WVが水平シフトレジスタのチヤネル領域
24の幅WHに比べて小さいためである。すなわ
ち第5図においてチヤネル幅WHを有する領域の
チヤネル電位はHであるが、チヤネル幅WVを有
する領域のチヤネル電位Vは狭チヤネル効果に
より上記チヤネル電位Hよりも小さくなる。こ
のため第4図aにおいて水平シフトレジスタのチ
ヤネル領域37を上記2つのチヤネル電位差H
−Vよりも小さなレベル信号電荷が転送される
場合には、信号電荷は領域36に入いり込まず、
効率の良い転送が行なわれる。ところが同図bに
示すように信号電荷のレベルが上記電位差H−
Vを越える程大きくなると、上記信号電荷の一
部は領域36へ入いり込み、水平シフトレジスタ
の転送効率を著しく劣化させる。これが前述した
高輝度被写体撮像時の映像の横方向への流れの原
因となつていた。さらに同図cに示すように水平
電荷転送電極27がオフ状態となると、領域36
へ入いり込んだ信号電荷の一部は垂直トランスフ
アゲート23下のバリア40を乗り越えて垂直電
荷転送電極22下のウエル41へ注入される。ウ
エル41へ注入された偽の信号電荷は垂直トラン
スフアゲート電極23がオン状態となるタイミン
グで再び水平シフトレジスタへ注入され、あたか
も真の信号電荷であるように振る舞う。これが前
述した高輝度被写体撮像時の横線上の偽信号の発
生原因となつていた。
チヤネル電位Vが領域37のチヤネル電位Hに
比べて小さいのは、第2図に示す領域30のチヤ
ネル幅WVが水平シフトレジスタのチヤネル領域
24の幅WHに比べて小さいためである。すなわ
ち第5図においてチヤネル幅WHを有する領域の
チヤネル電位はHであるが、チヤネル幅WVを有
する領域のチヤネル電位Vは狭チヤネル効果に
より上記チヤネル電位Hよりも小さくなる。こ
のため第4図aにおいて水平シフトレジスタのチ
ヤネル領域37を上記2つのチヤネル電位差H
−Vよりも小さなレベル信号電荷が転送される
場合には、信号電荷は領域36に入いり込まず、
効率の良い転送が行なわれる。ところが同図bに
示すように信号電荷のレベルが上記電位差H−
Vを越える程大きくなると、上記信号電荷の一
部は領域36へ入いり込み、水平シフトレジスタ
の転送効率を著しく劣化させる。これが前述した
高輝度被写体撮像時の映像の横方向への流れの原
因となつていた。さらに同図cに示すように水平
電荷転送電極27がオフ状態となると、領域36
へ入いり込んだ信号電荷の一部は垂直トランスフ
アゲート23下のバリア40を乗り越えて垂直電
荷転送電極22下のウエル41へ注入される。ウ
エル41へ注入された偽の信号電荷は垂直トラン
スフアゲート電極23がオン状態となるタイミン
グで再び水平シフトレジスタへ注入され、あたか
も真の信号電荷であるように振る舞う。これが前
述した高輝度被写体撮像時の横線上の偽信号の発
生原因となつていた。
本発明の目的は上記の欠点を無くした高品質な
電荷転送撮像装置を提供することにある。
電荷転送撮像装置を提供することにある。
本発明によれば一導電型を有する半導体上に形
成された電荷転送装置から成る複数列の垂直シフ
トレジスタ群と、前記垂直シフトレジスタ群に対
応して配置された光電変換素子群と、前記垂直シ
フトレジスタ群の一端に隣接した設けられた電荷
転送水平シフトレジスタと、前記垂直シフトレジ
スタ群の末端のチヤネル領域を前記水平シフトレ
ジスタの水平電荷転送電極の一部で被うことによ
り設けられた前記垂直シフトレジスタ群と前記水
平シフトレジスタとの結合部と、前記水平シフト
レジスタの一端に設けられた電荷検出部とから成
る電荷転送撮像装置であつて、前記水平電荷転送
電極下のチヤネル電位と前記結合部のチヤネル電
位の差が前記電荷転送撮影装置の最大信号レベル
に比べて大きくなるように、前記垂直シフトレジ
スタ群及び前記結合部が構成される前記半導体の
不純物濃度が前記水平シフトレジスタが構成され
る前記半導体の不純物濃度より大きくなるように
したことを特徴とする電荷転送撮像装置が得られ
る。
成された電荷転送装置から成る複数列の垂直シフ
トレジスタ群と、前記垂直シフトレジスタ群に対
応して配置された光電変換素子群と、前記垂直シ
フトレジスタ群の一端に隣接した設けられた電荷
転送水平シフトレジスタと、前記垂直シフトレジ
スタ群の末端のチヤネル領域を前記水平シフトレ
ジスタの水平電荷転送電極の一部で被うことによ
り設けられた前記垂直シフトレジスタ群と前記水
平シフトレジスタとの結合部と、前記水平シフト
レジスタの一端に設けられた電荷検出部とから成
る電荷転送撮像装置であつて、前記水平電荷転送
電極下のチヤネル電位と前記結合部のチヤネル電
位の差が前記電荷転送撮影装置の最大信号レベル
に比べて大きくなるように、前記垂直シフトレジ
スタ群及び前記結合部が構成される前記半導体の
不純物濃度が前記水平シフトレジスタが構成され
る前記半導体の不純物濃度より大きくなるように
したことを特徴とする電荷転送撮像装置が得られ
る。
次に本発明について図面を用いて説明する。
第6図は本発明による電荷転送撮像装置の一実
施例を示し、本発明の基本構成は従来例の第1図
とほぼ同一である。第1図に示す垂直シフトレジ
スタ群10と水平シフトレジスタ12との結合領
域14の断面図であり、従来例の第3図に対応し
ている。また同図において第3図の同一番号のも
のは同一構成要素を示している。同図において垂
直シフトレジスタのチヤネル領域および領域36
は基板31と同一導電型を有し基板31よりもよ
り高濃度の半導体層38上に形成されている。一
般に高濃度の半導体基板上に形成された埋込みチ
ヤネルのチヤネル電位は低濃度の半導体基板上に
形成された場合のチヤネル電位よりも小さな値と
なる。したがつて同一のゲート電圧に対しては第
6図の半導体層38上に形成された埋込みチヤネ
ルのチヤネル電位は水平レジスタのチヤネル領域
37のチヤネル電位よりも全体に浅くなる。この
ため前記従来例において示した第4図a,b,c
に対応する電位分布は第7図a,b,cのように
なる。第7図の水平レジスタのチヤネル領域37
のチヤネル電位Hは従来例と同電位であるが、
領域36のチヤネル電位Vは前記理由により従
来例よりもより低電位となる。したがつてチヤネ
ル電位差H−Vは従来よりも大きな値が得られ
る。この結果第7図bで示すように大量の信号電
荷が蓄積されても従来例において見られたような
領域36での信号電荷の蓄積がなくせる。そのた
め第7図cに示すように水平電荷転送電極27が
オフ状態となつても従来のように信号電荷の一部
が垂直レジスタ側へと注入されることがなくな
る。この結果前記従来観察されていた欠点が除去
される。
施例を示し、本発明の基本構成は従来例の第1図
とほぼ同一である。第1図に示す垂直シフトレジ
スタ群10と水平シフトレジスタ12との結合領
域14の断面図であり、従来例の第3図に対応し
ている。また同図において第3図の同一番号のも
のは同一構成要素を示している。同図において垂
直シフトレジスタのチヤネル領域および領域36
は基板31と同一導電型を有し基板31よりもよ
り高濃度の半導体層38上に形成されている。一
般に高濃度の半導体基板上に形成された埋込みチ
ヤネルのチヤネル電位は低濃度の半導体基板上に
形成された場合のチヤネル電位よりも小さな値と
なる。したがつて同一のゲート電圧に対しては第
6図の半導体層38上に形成された埋込みチヤネ
ルのチヤネル電位は水平レジスタのチヤネル領域
37のチヤネル電位よりも全体に浅くなる。この
ため前記従来例において示した第4図a,b,c
に対応する電位分布は第7図a,b,cのように
なる。第7図の水平レジスタのチヤネル領域37
のチヤネル電位Hは従来例と同電位であるが、
領域36のチヤネル電位Vは前記理由により従
来例よりもより低電位となる。したがつてチヤネ
ル電位差H−Vは従来よりも大きな値が得られ
る。この結果第7図bで示すように大量の信号電
荷が蓄積されても従来例において見られたような
領域36での信号電荷の蓄積がなくせる。そのた
め第7図cに示すように水平電荷転送電極27が
オフ状態となつても従来のように信号電荷の一部
が垂直レジスタ側へと注入されることがなくな
る。この結果前記従来観察されていた欠点が除去
される。
第8図本発明による他の実施例を示すもので、
一導電型を有する半導体基板42上にこの基板と
は反対導電型を有する半導体層41を形成しこの
半導体層上に本撮像装置が構成されている。本実
施例においては前記第6図に示す実施例の基板3
1は半導体層41に対応し、半導体層37は半導
体層40に対応する。本実施例においても半導体
層40は半導体層41よりも高濃度となるように
設定される。この結果本実施例による装置は半導
体層41が第6図の基板31と見なせ、第6図に
示す実施例と同様に考えることができる。
一導電型を有する半導体基板42上にこの基板と
は反対導電型を有する半導体層41を形成しこの
半導体層上に本撮像装置が構成されている。本実
施例においては前記第6図に示す実施例の基板3
1は半導体層41に対応し、半導体層37は半導
体層40に対応する。本実施例においても半導体
層40は半導体層41よりも高濃度となるように
設定される。この結果本実施例による装置は半導
体層41が第6図の基板31と見なせ、第6図に
示す実施例と同様に考えることができる。
以上述べたように本発明によれば従来の電荷転
送撮像装置において高輝度被写体を撮像した場合
に、映像が横方向に流れたり、あるいは映像の前
に横線状の偽信号が現われたりする現像が除去さ
れる。
送撮像装置において高輝度被写体を撮像した場合
に、映像が横方向に流れたり、あるいは映像の前
に横線状の偽信号が現われたりする現像が除去さ
れる。
なお以上の説明では便宜上Nチヤネルデバイス
について説明したがPチヤネルデバイスについて
も本発明の主旨が適用できることは明らかであ
る。
について説明したがPチヤネルデバイスについて
も本発明の主旨が適用できることは明らかであ
る。
第1図はインターライン転送方式の撮像装置の
概略図、第2図は第1図における垂直シフトレジ
スタと水平シフトレジスタの結合領域の拡大図で
従来例を示している。第3図は第2図の−線
上の断面図、第4図a,b,cは第3図における
電位分布模式図、第5図はチヤネル電位のチヤネ
ル幅依存性を示す図、第6図は第1図における垂
直シフトレジスタと水平シフトレジスタの結合領
域の断面図で本発明による構造が示されている。
第7図a,b,cは第6図における電位分布模式
図、第8図は本発明による他の実施例を示す。 図において、10は垂直シフトレジスタ群、1
1は光電変換素子群、12は水平シフトレジス
タ、13は電荷検出部、14は垂直シフトレジス
タと水平シフトレジスタの結合領域、20は垂直
シフトレジスタのチヤネル領域、21,22は垂
直電荷転送電極、23は垂直トランスフアゲート
電極、24,37は水平シフトレジスタのチヤネ
ル領域、25〜29は水平電荷転送電極、30,
36は水平電荷転送電極の一部で被われた垂直シ
フトレジスタの末端領域、31,42は半導体基
板、32は絶縁層、33は埋込みチヤネル層、3
4はチヤネルストツプ領域、35は金属層、41
は半導体基板42と反対導電型を有する半導体
層、38,40はそれぞれ31,41と同一導電
型を有しより高濃度の半導体層である。
概略図、第2図は第1図における垂直シフトレジ
スタと水平シフトレジスタの結合領域の拡大図で
従来例を示している。第3図は第2図の−線
上の断面図、第4図a,b,cは第3図における
電位分布模式図、第5図はチヤネル電位のチヤネ
ル幅依存性を示す図、第6図は第1図における垂
直シフトレジスタと水平シフトレジスタの結合領
域の断面図で本発明による構造が示されている。
第7図a,b,cは第6図における電位分布模式
図、第8図は本発明による他の実施例を示す。 図において、10は垂直シフトレジスタ群、1
1は光電変換素子群、12は水平シフトレジス
タ、13は電荷検出部、14は垂直シフトレジス
タと水平シフトレジスタの結合領域、20は垂直
シフトレジスタのチヤネル領域、21,22は垂
直電荷転送電極、23は垂直トランスフアゲート
電極、24,37は水平シフトレジスタのチヤネ
ル領域、25〜29は水平電荷転送電極、30,
36は水平電荷転送電極の一部で被われた垂直シ
フトレジスタの末端領域、31,42は半導体基
板、32は絶縁層、33は埋込みチヤネル層、3
4はチヤネルストツプ領域、35は金属層、41
は半導体基板42と反対導電型を有する半導体
層、38,40はそれぞれ31,41と同一導電
型を有しより高濃度の半導体層である。
Claims (1)
- 1 一導電型を有する半導体上に形成された電荷
転送装置から成る複数列の垂直シフトレジスタ群
と、前記垂直シフトレジスタ群に対応して配置さ
れた光電変換素子群と、前記垂直シフトレジスタ
群の一端に隣接して設けられた電荷転送水平シフ
トレジスタと、前記垂直シフトレジスタ群の末端
のチヤネル領域を前記水平シフトレジスタの水平
電荷転送電極の一部で被うことにより設けられた
前記垂直シフトレジスタ群と前記水平シフトレジ
スタとの結合部と、前記水平シフトレジスタの一
端に設けられた電荷検出部とから成る電荷転送装
置であつて、前記水平電荷転送電極下のチヤネル
電位と前記結合部のチヤネル電位の差が前記電荷
転送撮像装置の最大信号レベルに比べて大きくな
るように、前記垂直シフトレジスタ群及び前記結
合部が構成される前記半導体の不純物濃度が前記
水平シフトレジスタが構成される前記半導体の不
純物濃度より大きくなるようにしたことを特徴と
する電荷転送撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57008450A JPS58125977A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57008450A JPS58125977A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58125977A JPS58125977A (ja) | 1983-07-27 |
JPH0424873B2 true JPH0424873B2 (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=11693456
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57008450A Granted JPS58125977A (ja) | 1982-01-22 | 1982-01-22 | 電荷転送撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58125977A (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61144874A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Toshiba Corp | 電荷転送装置 |
JPH0355854A (ja) * | 1989-07-25 | 1991-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH04225562A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-14 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
JP2812003B2 (ja) * | 1991-07-22 | 1998-10-15 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
JP2980196B2 (ja) * | 1996-02-29 | 1999-11-22 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
JP5283486B2 (ja) | 2008-11-17 | 2013-09-04 | 長田漁網株式会社 | 漁網の製造方法 |
-
1982
- 1982-01-22 JP JP57008450A patent/JPS58125977A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58125977A (ja) | 1983-07-27 |
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