JPS58120774A - 無電解メツキ方法 - Google Patents
無電解メツキ方法Info
- Publication number
- JPS58120774A JPS58120774A JP189782A JP189782A JPS58120774A JP S58120774 A JPS58120774 A JP S58120774A JP 189782 A JP189782 A JP 189782A JP 189782 A JP189782 A JP 189782A JP S58120774 A JPS58120774 A JP S58120774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- substrates
- electroless plating
- catalysts
- electroless
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/285—Sensitising or activating with tin based compound or composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/2006—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
- C23C18/2026—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by radiant energy
- C23C18/2033—Heat
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/28—Sensitising or activating
- C23C18/30—Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
無電解メッキによる導電層の形成は、絶縁基板面に回路
パターンを形成したり、絶縁基板面を導電化するため（
広く行われている。
パターンを形成したり、絶縁基板面を導電化するため（
広く行われている。
無電解メッキは一般に、前処理として絶縁基板面にメッ
キ触媒を付着させた後に行う。
キ触媒を付着させた後に行う。
ところで、従来、メッキ触媒を付着させた後、速やかに
無電解メッキ処理を行５場合には問題はなかったが、メ
ッキ触媒付着後，相当時間経過してから無電解メッキを
行った場合、しばしばメッキ触媒付着部に均一に金属が
析出しない現象が発生する。
無電解メッキ処理を行５場合には問題はなかったが、メ
ッキ触媒付着後，相当時間経過してから無電解メッキを
行った場合、しばしばメッキ触媒付着部に均一に金属が
析出しない現象が発生する。
本発明はこの問題を解決して、メッキ触媒付着工程と無
電解メッキ工程とを時間をおいて行った場合でもメッキ
触媒付着部に均一に金属が析出する無電解メッキ方法を
提供することを主たる目的とする。
電解メッキ工程とを時間をおいて行った場合でもメッキ
触媒付着部に均一に金属が析出する無電解メッキ方法を
提供することを主たる目的とする。
本発明による無電解メッキ方法は絶縁基板面にメッキ触
媒を付着する工程、無電解メッキ工程の前に加熱処理を
施す工程およびメッキ触媒の付着部に無電解メッキによ
って導電層を形成する工程を有することを特徴とするも
のである。
媒を付着する工程、無電解メッキ工程の前に加熱処理を
施す工程およびメッキ触媒の付着部に無電解メッキによ
って導電層を形成する工程を有することを特徴とするも
のである。
即ち、本発明は無電解メッキ工程の前に加熱処理を行う
ことによって、本発明の所期の目的を連成するものであ
る。
ことによって、本発明の所期の目的を連成するものであ
る。
加熱処理によって無電解メッキ処理の際、金属をメッキ
触媒付着部へ均一に析出させることができるのは、メッ
キ触媒の付着後、経時的に活性度が低下したメッキ触媒
の活性度が加熱処理によってメッキ触媒の付着直優の状
ｌＭ＃′ｃ回復できるからであると考えられる。
触媒付着部へ均一に析出させることができるのは、メッ
キ触媒の付着後、経時的に活性度が低下したメッキ触媒
の活性度が加熱処理によってメッキ触媒の付着直優の状
ｌＭ＃′ｃ回復できるからであると考えられる。
加熱処理の温度条件は適宜定められるが、通常、８０℃
以上特には９０℃以上が好適である。またメッキ触媒の
活性度の回復という点から、加熱処理はメッキ触媒の付
着工程と無電解メッキ工程との間隔又は、メツキレシス
トパターンの乾燥工程と無電解メッキ工程との間隔が２
時間以上、特には８時間以上であるプロセスに好適であ
る。
以上特には９０℃以上が好適である。またメッキ触媒の
活性度の回復という点から、加熱処理はメッキ触媒の付
着工程と無電解メッキ工程との間隔又は、メツキレシス
トパターンの乾燥工程と無電解メッキ工程との間隔が２
時間以上、特には８時間以上であるプロセスに好適であ
る。
メッキ触媒の付着処理および無電解メッキ処理について
は、従来より知られる各種の方法が利用できる。これら
の方法については、例えば文献、石橋知著「無電解メッ
キ」（朝倉書店刊）第１５１〜１６４頁に詳述されてい
る。ここではその代表的ない（つかの方法を説明すると
、絶縁基板表面に無電解メッキによって金属の析出を容
易にするメッキ触媒として絶縁基板表面に一様に分布さ
せる微まず塩化第１スズ溶液に浸漬し、基板表面に還元
性のＳｎ を表面に吸着さセ、次いで塩化パラジウム
溶液に浸漬することにより先に吸着したＳｎ の還元
作用により金属パラジウムが表面に分布形成される。こ
のために塩化第１スズ１０１と塩酸４０ｍｊ／ｌ の
混合溶液および塩化パラジウム０．５１と塩酸１０ ｘ
ｎｅ／ｌ の混合溶液にて処理される。その後メッキ
槽中で無電解メッキを行う。メッキ槽中に含まれる成分
はメッキの種類によって異なるが一般には、主成分とし
て硫酸ニッケル、クエン酸ナトリウム、次亜リン酸ナト
リウムおよび酢駿ナトリウムが含有される。例えば銅を
析出させる為のメッキ液の組成の１つは次に示される。
は、従来より知られる各種の方法が利用できる。これら
の方法については、例えば文献、石橋知著「無電解メッ
キ」（朝倉書店刊）第１５１〜１６４頁に詳述されてい
る。ここではその代表的ない（つかの方法を説明すると
、絶縁基板表面に無電解メッキによって金属の析出を容
易にするメッキ触媒として絶縁基板表面に一様に分布さ
せる微まず塩化第１スズ溶液に浸漬し、基板表面に還元
性のＳｎ を表面に吸着さセ、次いで塩化パラジウム
溶液に浸漬することにより先に吸着したＳｎ の還元
作用により金属パラジウムが表面に分布形成される。こ
のために塩化第１スズ１０１と塩酸４０ｍｊ／ｌ の
混合溶液および塩化パラジウム０．５１と塩酸１０ ｘ
ｎｅ／ｌ の混合溶液にて処理される。その後メッキ
槽中で無電解メッキを行う。メッキ槽中に含まれる成分
はメッキの種類によって異なるが一般には、主成分とし
て硫酸ニッケル、クエン酸ナトリウム、次亜リン酸ナト
リウムおよび酢駿ナトリウムが含有される。例えば銅を
析出させる為のメッキ液の組成の１つは次に示される。
硫酸鋼 ２９ ｔ／１炭酸ナ
トリウム ２５ 〃酒石酸カリウムナ
トリウム １４０ ＃ＥＤＴＡ ）リエタノールア
ミン １７−カ七イソーダ
４０ 〃５７ｂホルマリン液 １６６ ＃
またニッケルを析出させるためのメッキ液の組成の１つ
は次に示される。
トリウム ２５ 〃酒石酸カリウムナ
トリウム １４０ ＃ＥＤＴＡ ）リエタノールア
ミン １７−カ七イソーダ
４０ 〃５７ｂホルマリン液 １６６ ＃
またニッケルを析出させるためのメッキ液の組成の１つ
は次に示される。
硫酸ニッケル ３５ ｔｅｌクエン
酸ナトリクム １０ ＃酢酸ナトリウム
１０ 〃次亜リン酸ナトリウム
１５ ｇ／ｌ硫酸マグネシウム
２０ 。
酸ナトリクム １０ ＃酢酸ナトリウム
１０ 〃次亜リン酸ナトリウム
１５ ｇ／ｌ硫酸マグネシウム
２０ 。
析出させる金属の種類は特に限られるものではないが、
実用上、銅、ニッケル、＠、金９等が多用される。導電
皮膜は通常０．２〜０５μ程度に設定される。
実用上、銅、ニッケル、＠、金９等が多用される。導電
皮膜は通常０．２〜０５μ程度に設定される。
本発明による無電解メッキ方法によって、絶縁基板の全
面に導電層を形成する場合には、メッキ触媒を全面に付
着させればよいが、導電層をパターン状に形成して、プ
リント回路やパターン電極とする場合には、メッキ触媒
もパターン状に付着又は露呈させることが必要である。
面に導電層を形成する場合には、メッキ触媒を全面に付
着させればよいが、導電層をパターン状に形成して、プ
リント回路やパターン電極とする場合には、メッキ触媒
もパターン状に付着又は露呈させることが必要である。
このパターン状に付着させる方法としては、基板表面に
パターン状のメツキレシスト層を形成し、メツキレシス
トの撥水作用によりメッキ触媒をメツキレシスト層が形
成されていない部分に選択的に形成することによってパ
ターン状にメッキ触媒を付着できる。
パターン状のメツキレシスト層を形成し、メツキレシス
トの撥水作用によりメッキ触媒をメツキレシスト層が形
成されていない部分に選択的に形成することによってパ
ターン状にメッキ触媒を付着できる。
また、他の方法では基板の表面全体にメッキ触媒を付着
させてから、その上にパターン状のメツキレシスト層を
形成することによって、メツキレシスト層でマスクされ
ていない部分ではメッキ触媒が露呈して、結果的にパタ
ーン状にメッキ触媒を形成し得る。特に後者の方法は、
金属の析出が必要でない部分のメッキ触媒をメツキレシ
ストでマスクしているため、無電解メッキによって高い
精度の導電パターンを形成することができる。
させてから、その上にパターン状のメツキレシスト層を
形成することによって、メツキレシスト層でマスクされ
ていない部分ではメッキ触媒が露呈して、結果的にパタ
ーン状にメッキ触媒を形成し得る。特に後者の方法は、
金属の析出が必要でない部分のメッキ触媒をメツキレシ
ストでマスクしているため、無電解メッキによって高い
精度の導電パターンを形成することができる。
実施例
紙フェノール積層板（東芝ケミカル社製、商品名； Ｔ
ＬＢ −３３２） ＜フェノール変性ニトリルゴムな塗
布し、１８０℃で６０分加熱硬化させ【下引樹脂層を形
成した。次にクロム酸−硫酸混液（Ｃｒｙｓ が１０
０ ｇ／ｌ 、 ９８−硫酸が１００ｍ１／ｌ ）に４
０℃で６分間浸漬処理して下引樹脂層を粗面化した後、
水洗後金塩酸（３５チＨｃｌ ２叩ｍｌ／ｌ ）に２０
℃で５分間浸漬し水洗した。
ＬＢ −３３２） ＜フェノール変性ニトリルゴムな塗
布し、１８０℃で６０分加熱硬化させ【下引樹脂層を形
成した。次にクロム酸−硫酸混液（Ｃｒｙｓ が１０
０ ｇ／ｌ 、 ９８−硫酸が１００ｍ１／ｌ ）に４
０℃で６分間浸漬処理して下引樹脂層を粗面化した後、
水洗後金塩酸（３５チＨｃｌ ２叩ｍｌ／ｌ ）に２０
℃で５分間浸漬し水洗した。
次に、パラジウム・スズコロイド溶液（商品名；Ｍ Ｋ
−２２０、室町化学社製）Ｋ２０℃で６分間浸漬して
から水洗し、さらにスズを除去するために塩酸溶液（商
品名； Ｍ Ｋ −３３０、室町化学社製）に２０℃で
６分間浸漬して水洗後、１００℃で１０分間乾燥するこ
とＫより、パラジウム金属のメッキ触媒を下引樹脂層面
に付着させた。
−２２０、室町化学社製）Ｋ２０℃で６分間浸漬して
から水洗し、さらにスズを除去するために塩酸溶液（商
品名； Ｍ Ｋ −３３０、室町化学社製）に２０℃で
６分間浸漬して水洗後、１００℃で１０分間乾燥するこ
とＫより、パラジウム金属のメッキ触媒を下引樹脂層面
に付着させた。
次に、メツキレシストインク（商品名；８Ｂ−６０Ｇ。
タムラ製作所製）をスクリーン印刷法によりプリント回
路パターン状に塗布し、１６０℃で３０分間乾燥し、メ
ツキレシストインク層を形成した。
路パターン状に塗布し、１６０℃で３０分間乾燥し、メ
ツキレシストインク層を形成した。
その後室内に所定時間（５分、２時間、８時間。
１６時間、４０時間）放置後、加熱処理（１００℃１５
分間又は１５０℃１５分間）をしてから２分後（下記組
成のメッキ浴で無電解鋼メッキを７０℃で１０時間行い
、プリント回路を形成した。
分間又は１５０℃１５分間）をしてから２分後（下記組
成のメッキ浴で無電解鋼メッキを７０℃で１０時間行い
、プリント回路を形成した。
硫酸銅 １２１１ＥＤＴＡ
）リエタノールアミン ４０ ＃ＮａＯＨ６１ ３７％ホルマリン ８−〃ＮａＣＮ
２０ ｐｐｍこのように
して製造したプリント回路について、室内放置時間を変
えた場合、無電解メッキ前の加熱処理条件を変えた場合
の影響を調べた結果、次の表に示される結果を得た。な
お、この表において無析出部出現百分率とは、プリント
回路を１００枚製造当り銅が部分的にメッキされなかっ
た部分を持つ欠陥品の発生率である。
）リエタノールアミン ４０ ＃ＮａＯＨ６１ ３７％ホルマリン ８−〃ＮａＣＮ
２０ ｐｐｍこのように
して製造したプリント回路について、室内放置時間を変
えた場合、無電解メッキ前の加熱処理条件を変えた場合
の影響を調べた結果、次の表に示される結果を得た。な
お、この表において無析出部出現百分率とは、プリント
回路を１００枚製造当り銅が部分的にメッキされなかっ
た部分を持つ欠陥品の発生率である。
第１表
上記の表から明らかなように加熱処理の効果は顕著なも
のがあり、メツキレシストインク乾燥後の経時に拘らず
、回路形成部の局部無析出は皆無であることが認められ
た。
のがあり、メツキレシストインク乾燥後の経時に拘らず
、回路形成部の局部無析出は皆無であることが認められ
た。
また、本実施例において、無電解鋼メッキの代りに、無
電解ニッケルメッキを行った場合も加熱処理によって無
析出部の解消が達成できた。
電解ニッケルメッキを行った場合も加熱処理によって無
析出部の解消が達成できた。
出願人 キャノン株式会社
トニ２と−１
Claims (1)
- １、絶縁基板面にメッキ触媒を付着する工程、無電解メ
ッキ工程の前に加熱処理を施す工程およびメッキ触媒の
付着部に無電解メッキによって導電層を形成する工程を
有することを特徴とする無電解メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP189782A JPS58120774A (ja) | 1982-01-09 | 1982-01-09 | 無電解メツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP189782A JPS58120774A (ja) | 1982-01-09 | 1982-01-09 | 無電解メツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58120774A true JPS58120774A (ja) | 1983-07-18 |
Family
ID=11514370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP189782A Pending JPS58120774A (ja) | 1982-01-09 | 1982-01-09 | 無電解メツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58120774A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018001496A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | セーレン株式会社 | 導電性フォームおよびその製造方法 |
-
1982
- 1982-01-09 JP JP189782A patent/JPS58120774A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018001496A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | セーレン株式会社 | 導電性フォームおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2046202C (en) | Method for fabricating printed circuits | |
| US4585502A (en) | Process for producing printed circuit board | |
| US3666549A (en) | Method of making additive printed circuit boards and product thereof | |
| JPS60207395A (ja) | スルーホールメツキした電気プリント回路板の製造法 | |
| JPH022949B2 (ja) | ||
| EP0060805B1 (de) | Herstellverfahren für und nach diesem Verfahren hergestellte Leiterplatten | |
| JPH01503101A (ja) | 水性アルカリで現像及び剥離し得るフォトレジストを用いる、印刷配線板のアディテイブ製造方法 | |
| CH652268A5 (de) | Verfahren zur herstellung von gegen hitzeschockeinwirkung widerstandsfaehigen gedruckten schaltungen. | |
| JPS636628B2 (ja) | ||
| USRE28042E (en) | Method of making additive printed circuit boards and product thereof | |
| JPS58120774A (ja) | 無電解メツキ方法 | |
| JPS6349397B2 (ja) | ||
| KR100235930B1 (ko) | 인쇄 배선 보드와 그 형성 방법 | |
| JP3276919B2 (ja) | 樹脂基材への高密着性めっき方法およびこれに用いる銅めっき液 | |
| JPH0376599B2 (ja) | ||
| JPS5856386A (ja) | 印刷配線板の製造法 | |
| JPS5952557B2 (ja) | 印刷配線板の製造法 | |
| JP3474291B2 (ja) | ガラス又はセラミックス基板へのめっき層の形成方法 | |
| JPS60217695A (ja) | 無電解めつき前処理法及びプリント配線板の製造法 | |
| JPS588597B2 (ja) | プリント回路板の製造方法 | |
| JP2737599B2 (ja) | プリント配線板の銅回路パターン上への無電解めっき方法 | |
| JPH079078B2 (ja) | 非導電体表面に直接電気メッキする方法 | |
| JPS6021226B2 (ja) | 絶縁基板の無電解メツキ法 | |
| JPS6118357B2 (ja) | ||
| JPH06158336A (ja) | 無電解銅めっき皮膜の形成方法 |