JPS58114500A - 高密度実装基板 - Google Patents
高密度実装基板Info
- Publication number
- JPS58114500A JPS58114500A JP21086481A JP21086481A JPS58114500A JP S58114500 A JPS58114500 A JP S58114500A JP 21086481 A JP21086481 A JP 21086481A JP 21086481 A JP21086481 A JP 21086481A JP S58114500 A JPS58114500 A JP S58114500A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elements
- board
- substrate
- density mounting
- high density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は熱を発生ずる半導体素子の様な電子素子のため
の冷媒液体による熱伝達冷却の効率の高い構造を持つ回
路基板に関する０ また、電気信号の高速伝搬を素子間で必要とする電気素
子のための、素子間信号伝搬距離を短縮した構造を持つ
回路基板に関する。
の冷媒液体による熱伝達冷却の効率の高い構造を持つ回
路基板に関する０ また、電気信号の高速伝搬を素子間で必要とする電気素
子のための、素子間信号伝搬距離を短縮した構造を持つ
回路基板に関する。
また、この基板を使用した、冷却方法、高密度実験方法
に関する。
に関する。
従来の回路基板社、１枚ごとの板であり、素子を実装し
た基板を柵状に構成して使用されている。このような構
造の基板、実装方法を用いると、これらを冷媒液体によ
って冷却しようとした場合、ユリ１（１１隻にした場合
で社、遣！の・ 、 の れを け熱伝１ｌｉｉ１乱
旦羞杢１鷹Ｊさせる。また、棚状とせず輩二玖工２望摩
Ｉを行なえば一１ｊＭ［；６ｆｉＴする。一方、■１数
の基板を棚状に重ね、これを垂直に実装した場合、冷媒
の対流は妨げないが、水平にした場合にも言えるが、基
板上の素子間の信号伝搬距離が長く、素子の性能を改善
しても込１藍ズＬ遅延等により装置の処理能力が向上さ
れないなどの欠点がある。
た基板を柵状に構成して使用されている。このような構
造の基板、実装方法を用いると、これらを冷媒液体によ
って冷却しようとした場合、ユリ１（１１隻にした場合
で社、遣！の・ 、 の れを け熱伝１ｌｉｉ１乱
旦羞杢１鷹Ｊさせる。また、棚状とせず輩二玖工２望摩
Ｉを行なえば一１ｊＭ［；６ｆｉＴする。一方、■１数
の基板を棚状に重ね、これを垂直に実装した場合、冷媒
の対流は妨げないが、水平にした場合にも言えるが、基
板上の素子間の信号伝搬距離が長く、素子の性能を改善
しても込１藍ズＬ遅延等により装置の処理能力が向上さ
れないなどの欠点がある。
本発明は上述の点に鑑みなされたもので熱を発生する半
導体素子の様な電子素子を実装するための基板を断面が
多角形の連続しているｌにカム様構造とＬｌこの内部に
素子を実装することにより、冷媒液体による熱伝達冷却
を行なった場合の効率を高くすることにある。また、基
板をハニカム様構造とすることにより、素子間の信号伝
搬径路を短縮し、信号を高速処理で自る装置を提供する
ものである。
導体素子の様な電子素子を実装するための基板を断面が
多角形の連続しているｌにカム様構造とＬｌこの内部に
素子を実装することにより、冷媒液体による熱伝達冷却
を行なった場合の効率を高くすることにある。また、基
板をハニカム様構造とすることにより、素子間の信号伝
搬径路を短縮し、信号を高速処理で自る装置を提供する
ものである。
本発明は、冷媒波体を使用り走熱伝達冷却において、■
基板が鉛直方向に実装された２き最も対値、また５ＩＩ
ｉによって生じた名り荘ね（蜆μ泉恩こと、■基板を密
に実装した場合素子を近縁して対向させると沸−によっ
て生じた気泡同志が干渉しん却効率か低下ｊるが、一定
収上のｒ＆＆１ＦＩ４を保ってこれを解決できること、
■信号を高速処理するためには基板上の配線長さを短縮
するため、なるべく多くの素子を短く接続で右爽基飯貞
童が必要であるが■基板を８次元構造とすることで改曹
できることを利用し、これらの点を満足するため基板を
Ｗｈ面が多角形の連続見丸構造であるハニカム様構造と
したものであるＯ 以下本発明の高密度実験用基板を図を参照し、
て詳細に説明する。１１８１図は高密度実装
用基板を構成する単位ｉ＆仮の斜視図である。
基板が鉛直方向に実装された２き最も対値、また５ＩＩ
ｉによって生じた名り荘ね（蜆μ泉恩こと、■基板を密
に実装した場合素子を近縁して対向させると沸−によっ
て生じた気泡同志が干渉しん却効率か低下ｊるが、一定
収上のｒ＆＆１ＦＩ４を保ってこれを解決できること、
■信号を高速処理するためには基板上の配線長さを短縮
するため、なるべく多くの素子を短く接続で右爽基飯貞
童が必要であるが■基板を８次元構造とすることで改曹
できることを利用し、これらの点を満足するため基板を
Ｗｈ面が多角形の連続見丸構造であるハニカム様構造と
したものであるＯ 以下本発明の高密度実験用基板を図を参照し、
て詳細に説明する。１１８１図は高密度実装
用基板を構成する単位ｉ＆仮の斜視図である。
単位基板ムは、素子１の実装された単位基板２を偶数リ
ード８で電気的な＃＆続をとって構成する。
ード８で電気的な＃＆続をとって構成する。
ｊｉｌ：ｌＦｉ単位基板ムを断面が四角形であるハニカ
ム構造となるように組立てた高密度実装用基板Ｂの斜視
図である。
ム構造となるように組立てた高密度実装用基板Ｂの斜視
図である。
単位基板ムの１＆気的接続には、リード８をコ＊１１部
４で接続するかあるいは、フィルム状の配線材（図示し
ない）を５の位置にボンドして行なう、機械的な強度は
支持具６によって保たれる。
４で接続するかあるいは、フィルム状の配線材（図示し
ない）を５の位置にボンドして行なう、機械的な強度は
支持具６によって保たれる。
リード端部には第６図（畠）示す如く、ハンダバンプ５
２が単位基板５０上に形成されており、単体基板５０．
５０’ 間をフィルム状の配線材６Ｂをメンディングす
ることにより接続で亀る。
２が単位基板５０上に形成されており、単体基板５０．
５０’ 間をフィルム状の配線材６Ｂをメンディングす
ることにより接続で亀る。
なおフィルム状の配線材■１は亀６１に示す如く、ポリ
イシド掩のフィルム５４上に導体６６及びボンディング
用のパット１５６が印刷岬で形成されたものである。
イシド掩のフィルム５４上に導体６６及びボンディング
用のパット１５６が印刷岬で形成されたものである。
高密度実装用基板としてのハニカム構造に支持する保持
構造としては上下から枠で単位基板を固定するなどの方
法で行うことができる。
構造としては上下から枠で単位基板を固定するなどの方
法で行うことができる。
第２図は、断面が四角であるが、六角形等地の多角形も
もちろん可能である。
もちろん可能である。
無８図は、素子の実装方法を示すが、１ます内に多数の
素子１をかたよ２て実装すると液体で冷却した場合の効
率が低下するのでなるべく分散する。
素子１をかたよ２て実装すると液体で冷却した場合の効
率が低下するのでなるべく分散する。
これらの素子は、素子を基板する単体基板ムをハエカム
状に組立てたることにより高密度実装用基板が８次元的
な接続を持つため、配線長さ＋１％短い。なお７ｔｉ配
線を示す。
状に組立てたることにより高密度実装用基板が８次元的
な接続を持つため、配線長さ＋１％短い。なお７ｔｉ配
線を示す。
第４図は、この基板Ｂを冷媒８に浸漬して冷却したもの
を示す。
を示す。
素子１が発熱すると冷ＩＩＩ＆８＃′ｉ対流、沸雄し、
蒸気は、容器９０内−でｍｌ細して液滴１０とな９素子
１（Ｄ熱が外部へ伝達される。このと自、基ｌｊＢがハ
ニカム 構゛であるため気泡１１の流れ、対流１２が妨
けられることなく起こり、冷却効率は極めて良−０重た
、素子ｌは適当な間隔を持９て高密度ＫＷ４装で龜る。
蒸気は、容器９０内−でｍｌ細して液滴１０とな９素子
１（Ｄ熱が外部へ伝達される。このと自、基ｌｊＢがハ
ニカム 構゛であるため気泡１１の流れ、対流１２が妨
けられることなく起こり、冷却効率は極めて良−０重た
、素子ｌは適当な間隔を持９て高密度ＫＷ４装で龜る。
１１１４ｖ１の実施例は、冷媒ｇＫフルオロカーボンを
使用し、半導体素子を冷却したものであるが、ｄ贅艮の
基 で１００〜１６０個の素子が実装可能である。
使用し、半導体素子を冷却したものであるが、ｄ贅艮の
基 で１００〜１６０個の素子が実装可能である。
素子を高密度に実装することができ、液体を使用した熱
伝趨冷却を効率良く行なうことができる。また、素子間
の信号伝達経路が短いので信号の高速処理も可能である
。
伝趨冷却を効率良く行なうことができる。また、素子間
の信号伝達経路が短いので信号の高速処理も可能である
。
第１図は、高密度実装用基板を構成する単体基板の斜視
図、 ９２図は、高密度実装用基板の構成斜視図、第８図は、
高密度実装用基板の平面図、第４図は、？ｔ４ｖＩｊ度
実装用基板を液体による冷却を行なりな場合の断面図、 第５図はフィルム状の配線材を用いて単体基板間を接続
する場合Ｏ斜視図、 第６図はフィルム状の配線材の平面図ｅ）と断面図（ｂ
）である。 ｔＦｉ素子、２は単位基板、８はコネクタ用端子あるい
はリード、４はコネクタ、６は支持具９は冷却容器、ｓ
Ｆｉ冷媒液体、１２は液の対流。 ｌＯは凝縮した［、１１は気泡◇ 躬 １ 図 躬 ２ 図 ８３ 図 垢４ 口 ０
図、 ９２図は、高密度実装用基板の構成斜視図、第８図は、
高密度実装用基板の平面図、第４図は、？ｔ４ｖＩｊ度
実装用基板を液体による冷却を行なりな場合の断面図、 第５図はフィルム状の配線材を用いて単体基板間を接続
する場合Ｏ斜視図、 第６図はフィルム状の配線材の平面図ｅ）と断面図（ｂ
）である。 ｔＦｉ素子、２は単位基板、８はコネクタ用端子あるい
はリード、４はコネクタ、６は支持具９は冷却容器、ｓ
Ｆｉ冷媒液体、１２は液の対流。 ｌＯは凝縮した［、１１は気泡◇ 躬 １ 図 躬 ２ 図 ８３ 図 垢４ 口 ０
Claims (1)
- 半導体装置を実装する単位基板と、該単位基板を電気的
に接続するコネクタと、該単位基板と該コネクタとを断
面が多角形の／１ニカム構造に支持する支持具とを有す
ることを特徴とする高密度実験基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21086481A JPS58114500A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 高密度実装基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21086481A JPS58114500A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 高密度実装基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114500A true JPS58114500A (ja) | 1983-07-07 |
Family
ID=16596359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21086481A Pending JPS58114500A (ja) | 1981-12-28 | 1981-12-28 | 高密度実装基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114500A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61128598A (ja) * | 1984-11-28 | 1986-06-16 | 富士通株式会社 | 冷却装置 |
| JPH0210890A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Nec Corp | 集積回路の高密度実装構造 |
| JPH03173199A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-26 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 三次元チップパッケージ |
| US6605869B2 (en) | 2001-04-03 | 2003-08-12 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device with improved cooling efficiency and reduced electric resistance |
| KR100694834B1 (ko) * | 2005-06-01 | 2007-03-14 | 주식회사 영신알에프 | 다각 입체형 알에프 엠프 모듈 |
| JP5956098B1 (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-20 | 株式会社ＥｘａＳｃａｌｅｒ | 電子機器、及び電子機器の冷却装置 |
| EP3966661A4 (en) * | 2019-05-07 | 2023-02-01 | Stephane Gauthier | COOLING A COMPUTER PROCESSING UNIT |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5349474U (ja) * | 1976-09-29 | 1978-04-26 | ||
| JPS5444382A (en) * | 1977-09-09 | 1979-04-07 | Interzeag Ag | Method of displaying threshold value detected by automatic perimeter |
| JPS5649180B2 (ja) * | 1973-11-26 | 1981-11-20 |
-
1981
- 1981-12-28 JP JP21086481A patent/JPS58114500A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5649180B2 (ja) * | 1973-11-26 | 1981-11-20 | ||
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0210890A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Nec Corp | 集積回路の高密度実装構造 |
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| JP5956098B1 (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-20 | 株式会社ＥｘａＳｃａｌｅｒ | 電子機器、及び電子機器の冷却装置 |
| WO2016117098A1 (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-28 | 株式会社ＥｘａＳｃａｌｅｒ | 電子機器、及び電子機器の冷却装置 |
| EP3966661A4 (en) * | 2019-05-07 | 2023-02-01 | Stephane Gauthier | COOLING A COMPUTER PROCESSING UNIT |
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