JPS58111027A - 感光性樹脂膜およびそれを使用するレジスト像の形成方法 - Google Patents
感光性樹脂膜およびそれを使用するレジスト像の形成方法Info
- Publication number
- JPS58111027A JPS58111027A JP20816181A JP20816181A JPS58111027A JP S58111027 A JPS58111027 A JP S58111027A JP 20816181 A JP20816181 A JP 20816181A JP 20816181 A JP20816181 A JP 20816181A JP S58111027 A JPS58111027 A JP S58111027A
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- film
- photosensitive resin
- resin film
- contg
- meth
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は感光性樹脂膜に関するものであり、更に詳しく
は、印刷配線作製用に適した感光性樹脂膜およびそれを
使用するレジスト像の形成方法に関する。印刷配線作製
用の感光性樹脂膜(以下フォトレジスト膜と言う)とし
て、ドライフィルムと呼ばれるフィルム状フォトレジス
ト膜が従来の液状フォトレジストに代って広く用いられ
るようになった。このフィルム状フォトレジスト膜はポ
リエチレンテレフタレート(以下PIljTと略す)な
どの支持体膜に感光性樹に熱圧着して用いられる。この
フィルム状フォトレジストは専門の施設で肉厚にPET
膜上に形成されるので、印刷配線作製工場で積層板に液
状レジストを塗布乾燥する場合の多くの問題点(ピンホ
ールの発生、ゴミの付着、膜厚の不均−1環境汚染)を
避けられるだけでなく、スルホール内壁保護のテンティ
ング、充分な高さのめつき土手、取扱い容易など液状レ
ジストにない特命がある。
は、印刷配線作製用に適した感光性樹脂膜およびそれを
使用するレジスト像の形成方法に関する。印刷配線作製
用の感光性樹脂膜(以下フォトレジスト膜と言う)とし
て、ドライフィルムと呼ばれるフィルム状フォトレジス
ト膜が従来の液状フォトレジストに代って広く用いられ
るようになった。このフィルム状フォトレジスト膜はポ
リエチレンテレフタレート(以下PIljTと略す)な
どの支持体膜に感光性樹に熱圧着して用いられる。この
フィルム状フォトレジストは専門の施設で肉厚にPET
膜上に形成されるので、印刷配線作製工場で積層板に液
状レジストを塗布乾燥する場合の多くの問題点(ピンホ
ールの発生、ゴミの付着、膜厚の不均−1環境汚染)を
避けられるだけでなく、スルホール内壁保護のテンティ
ング、充分な高さのめつき土手、取扱い容易など液状レ
ジストにない特命がある。
しかしながら感光膜が厚いためおよびPETカバー(貼
りつけ前に支持体であったもの)をつけたまま露光する
ために解像性は液体レジストにくらべ著しく劣る。
りつけ前に支持体であったもの)をつけたまま露光する
ために解像性は液体レジストにくらべ著しく劣る。
市販のフィルム状フォトレジストは液状aまたは液状に
近い架橋性モノマとバインダポリマを主成分としている
ので、積層板に貼りつけたレジスト膜からPITカバー
(厚さは通常25ミクロン)を剥がして使用すると密着
させたフォトマスクがレジスト膜に粘着し再使用できな
くなる。また、露光部の重合による硬化が酸素の侵入に
よって妨げられる。これらを避けるために、銅面等の画
像形成表面にはりつけたフォトレジスト膜のPETカバ
ーを剥がしてから感光膜面にポリビニルアルコール水溶
液を塗布乾燥してポリビニルフルフールの薄膜を形成し
、フォトマスクを密着させ露光し、重合進行のだめの保
持ののちポリビニルフルフール膜を水洗で除いてから現
像を行なう方法の記述がある。
近い架橋性モノマとバインダポリマを主成分としている
ので、積層板に貼りつけたレジスト膜からPITカバー
(厚さは通常25ミクロン)を剥がして使用すると密着
させたフォトマスクがレジスト膜に粘着し再使用できな
くなる。また、露光部の重合による硬化が酸素の侵入に
よって妨げられる。これらを避けるために、銅面等の画
像形成表面にはりつけたフォトレジスト膜のPETカバ
ーを剥がしてから感光膜面にポリビニルアルコール水溶
液を塗布乾燥してポリビニルフルフールの薄膜を形成し
、フォトマスクを密着させ露光し、重合進行のだめの保
持ののちポリビニルフルフール膜を水洗で除いてから現
像を行なう方法の記述がある。
しかしながらこの方法ではフィルム状フォトレジスト膜
の操作性のよいことの大半が失われるし、またポリビニ
ルアルコール水溶液の塗布乾燥によって粘着性が充分に
消去できるわけではない。後者は感光膜中のべ7タエリ
スリトールトリアクリレートのような単量体がポリビニ
ルアルコール塗布液あるいは乾燥ポリビニルアルコール
膜に侵入するためと考えられる。
の操作性のよいことの大半が失われるし、またポリビニ
ルアルコール水溶液の塗布乾燥によって粘着性が充分に
消去できるわけではない。後者は感光膜中のべ7タエリ
スリトールトリアクリレートのような単量体がポリビニ
ルアルコール塗布液あるいは乾燥ポリビニルアルコール
膜に侵入するためと考えられる。
本発明はフィルム状フォトレジスト膜の取扱い易さを失
なわずにフォトマスクのくりかえし使用を可能にし、か
つ解像性を高くすることができる重合型のフィルム状フ
ォトレジスト膜に関するものである。本発明の重合型フ
イルム状フォトレジスト膜は、このレジスト膜の重合性
単量体が浸透して粘着性になることなく、かつ水洗等の
工程を要することなく現像溶媒で除去可能な重合体の薄
膜とPF!T膜などの強靭な可撓性膜とを積層したもの
を支持体膜としてこの上に積層したフォトレジスト膜で
あって、このフォレジスト膜と上記薄膜との接着が支持
体膜の2層間の接着より強いものである。さらに具体的
には(メタ)アクリル酸エステル単量体が浸透せずかつ
現像溶媒で除去可能な非芳香族炭化水素を主成分とする
重合体の薄膜(以下IC膜と略す)をPET膜、セロハ
ン膜などの強靭な可撓性膜上に積層してなる支持体膜上
に、これらの両層間の接着より強く接着されているアク
リルyび/lたはメタクリル酸エステル含有フォトレジ
スト膜およびこのフォトレジスト膜を使用するレジスト
像の形成方法である。
なわずにフォトマスクのくりかえし使用を可能にし、か
つ解像性を高くすることができる重合型のフィルム状フ
ォトレジスト膜に関するものである。本発明の重合型フ
イルム状フォトレジスト膜は、このレジスト膜の重合性
単量体が浸透して粘着性になることなく、かつ水洗等の
工程を要することなく現像溶媒で除去可能な重合体の薄
膜とPF!T膜などの強靭な可撓性膜とを積層したもの
を支持体膜としてこの上に積層したフォトレジスト膜で
あって、このフォレジスト膜と上記薄膜との接着が支持
体膜の2層間の接着より強いものである。さらに具体的
には(メタ)アクリル酸エステル単量体が浸透せずかつ
現像溶媒で除去可能な非芳香族炭化水素を主成分とする
重合体の薄膜(以下IC膜と略す)をPET膜、セロハ
ン膜などの強靭な可撓性膜上に積層してなる支持体膜上
に、これらの両層間の接着より強く接着されているアク
リルyび/lたはメタクリル酸エステル含有フォトレジ
スト膜およびこのフォトレジスト膜を使用するレジスト
像の形成方法である。
フィルム状フォトレジスト膜に用いられる重合型感光膜
は、室温で液状の重合性単量体を全量の1/3程度含有
して居り、膜が厚い場合でも未露光部は現像時に短時間
で除去される長所がある。他方前記のようにフォトマス
クに粘着する欠点がある。
は、室温で液状の重合性単量体を全量の1/3程度含有
して居り、膜が厚い場合でも未露光部は現像時に短時間
で除去される長所がある。他方前記のようにフォトマス
クに粘着する欠点がある。
本発明の7オトレジスト膜の単量体としてL好ましくは
、重合性が高くか、つ架橋を生じる多官能性のアクリル
i「ではメタクリル酸エステルが用いられる。例えばペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、トリエチレング
リコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリ
アクリレート等である。
、重合性が高くか、つ架橋を生じる多官能性のアクリル
i「ではメタクリル酸エステルが用いられる。例えばペ
ンタエリスリトールトリアクリレート、トリエチレング
リコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリ
アクリレート等である。
ξメカアクリル酸エステル類が浸透しない(もし可塑剤
などの他の液状添加物がある場合はこれらも浸透しない
ことが必要)重合体としてはPET、ポリアクリロニト
リル、ポリエチレンなど多種類あるが、これらのうちで
本発明で必須とする現像溶媒(主に1.1. s −)
リクロルエタンが用いられる)で容易に除去され、かつ
実用性があるものは数すくない。この条件にかな藏 うものとしては脂肪族および脂肪族炭化水素すなわち非
芳香族炭化水素を主成分とする身重合体が挙げられる。
などの他の液状添加物がある場合はこれらも浸透しない
ことが必要)重合体としてはPET、ポリアクリロニト
リル、ポリエチレンなど多種類あるが、これらのうちで
本発明で必須とする現像溶媒(主に1.1. s −)
リクロルエタンが用いられる)で容易に除去され、かつ
実用性があるものは数すくない。この条件にかな藏 うものとしては脂肪族および脂肪族炭化水素すなわち非
芳香族炭化水素を主成分とする身重合体が挙げられる。
(ポリスチレン膜はアクリル酸エステルが容易に浸透す
る。)具体的には例えば、環化ゴム、ポリブタジェン、
エチレン−ブタジェン共重合体などの炭素−炭素不飽給
合を有する重合体である。非芳香族炭化水素を主成分と
する重合体であっても、液状に近いものや粘着性のもの
は使用できないことは言うまでなく、’rgが高いもの
の方が望ましい。HC膜の機能は長期間保存されること
が必要冨゛あり、また積層板へ熱圧着するときの高温処
理後も維持されることが重要である。さらにまた、感光
膜をHC膜上に塗布乾燥によって作るならば乾燥時の熱
処理に耐えることも必要である。
る。)具体的には例えば、環化ゴム、ポリブタジェン、
エチレン−ブタジェン共重合体などの炭素−炭素不飽給
合を有する重合体である。非芳香族炭化水素を主成分と
する重合体であっても、液状に近いものや粘着性のもの
は使用できないことは言うまでなく、’rgが高いもの
の方が望ましい。HC膜の機能は長期間保存されること
が必要冨゛あり、また積層板へ熱圧着するときの高温処
理後も維持されることが重要である。さらにまた、感光
膜をHC膜上に塗布乾燥によって作るならば乾燥時の熱
処理に耐えることも必要である。
HC膜をPICT膜やセロ・・ン膜などの可撓性膜上に
形成する方法としては、溶液の塗布乾燥によるのが簡単
である。このPIT膜などは露光前に剥がされるので、
不透明であっても厚いものでも差支えない。また膜間の
接着強さの調節にあらかじめ膜面を処理しておいてもよ
い。
形成する方法としては、溶液の塗布乾燥によるのが簡単
である。このPIT膜などは露光前に剥がされるので、
不透明であっても厚いものでも差支えない。また膜間の
接着強さの調節にあらかじめ膜面を処理しておいてもよ
い。
HC膜の厚さに明確表上限はないが、露光前KPICT
膜を除く効果がHC膜の厚さに応じて小さくなり、また
HC膜があまり薄いと塗布損じなどによυ感光膜中の単
量体がHC膜上に出る恐れがあるのでHC膜厚は01〜
5ミクロンが適当で、特に0.5〜2ミクロン程度が最
もよい。
膜を除く効果がHC膜の厚さに応じて小さくなり、また
HC膜があまり薄いと塗布損じなどによυ感光膜中の単
量体がHC膜上に出る恐れがあるのでHC膜厚は01〜
5ミクロンが適当で、特に0.5〜2ミクロン程度が最
もよい。
(メタ)アクリル酸エステル単量体を含有する重合型感
光膜のバインダとしてはこれらの単量体になじみのよい
(メタ)テクリル酸エステルやアリルエステルを主体と
する重合体が用いられている。これらの重合体および(
メタ)アクリル識エステルから成る感光膜とHC1!#
!との接着は、可撓性膜をはがす時にHC膜を感光膜光
膜中の重合体の組成あるいは添加剤等を選択することに
よっても、HC膜上に積層する方法によっても変えるこ
とができる。接着強度を大きくするためには、上記HC
膜上に感光膜の溶液を塗布乾燥して膜を形成する方法が
好ましい。
光膜のバインダとしてはこれらの単量体になじみのよい
(メタ)テクリル酸エステルやアリルエステルを主体と
する重合体が用いられている。これらの重合体および(
メタ)アクリル識エステルから成る感光膜とHC1!#
!との接着は、可撓性膜をはがす時にHC膜を感光膜光
膜中の重合体の組成あるいは添加剤等を選択することに
よっても、HC膜上に積層する方法によっても変えるこ
とができる。接着強度を大きくするためには、上記HC
膜上に感光膜の溶液を塗布乾燥して膜を形成する方法が
好ましい。
ここで使用する感光膜溶液の溶媒は上記HC膜を溶解し
ないことが必要であり、MBKなどのケトン類やエステ
ル類のうちから選択して用いられる。
ないことが必要であり、MBKなどのケトン類やエステ
ル類のうちから選択して用いられる。
られる。
感光膜にはバインダポリマ、重合性単量体、光重合開始
剤、重合禁止剤のほかに可塑剤、銅面への接着力増強剤
、染料などが加えられることもある。可塑剤はエステル
類が用いられることが多くまた選択の自由度が大きいの
で、一般K(メタ)アクリル酸エステル単量体が滲透し
8ないHC膜で可塑剤の浸透も防げる。光重合開始剤そ
の他の添加物は、HC膜にほとんど浸入しないしまた浸
入してもHC膜や感光膜の機能を変えることはないと考
えられる。実験的にもこれら添加物のこのような影響は
みとめられない。重合型感光膜はやわらかくて傷つきや
すいので、ポリオレフィン膜などで覆って保護する方が
よい。
剤、重合禁止剤のほかに可塑剤、銅面への接着力増強剤
、染料などが加えられることもある。可塑剤はエステル
類が用いられることが多くまた選択の自由度が大きいの
で、一般K(メタ)アクリル酸エステル単量体が滲透し
8ないHC膜で可塑剤の浸透も防げる。光重合開始剤そ
の他の添加物は、HC膜にほとんど浸入しないしまた浸
入してもHC膜や感光膜の機能を変えることはないと考
えられる。実験的にもこれら添加物のこのような影響は
みとめられない。重合型感光膜はやわらかくて傷つきや
すいので、ポリオレフィン膜などで覆って保護する方が
よい。
本発明のフォトレジスト膜を用いてレジスト障を形成さ
せるKは、フォトレジスト膜面を、もしポリオレフィン
カバーがあるならばこれを剥したのち、銅面等の画像形
成用表面に熱圧着等で積層し、ついで支持体膜のHC膜
層以外の部分(可撓性膜)を剥がしてからフォトマスク
を真空密着して露光する。常圧に戻すとフォトマスクは
汚れあるいは傷なしに剥がれる。1,1゜1−トリクロ
ルエタン等の現像液スプレで現像するとHC膜はすぐに
除去される。露光直後にPIT膜などのカバーを除去す
ると明確な+m aを与えないような感光膜でも、HC
膜をつけておくと解像性のよいレジストr象が得られ、
HC膜が酸素による重合妨害の除去にも有効であること
が示される。
せるKは、フォトレジスト膜面を、もしポリオレフィン
カバーがあるならばこれを剥したのち、銅面等の画像形
成用表面に熱圧着等で積層し、ついで支持体膜のHC膜
層以外の部分(可撓性膜)を剥がしてからフォトマスク
を真空密着して露光する。常圧に戻すとフォトマスクは
汚れあるいは傷なしに剥がれる。1,1゜1−トリクロ
ルエタン等の現像液スプレで現像するとHC膜はすぐに
除去される。露光直後にPIT膜などのカバーを除去す
ると明確な+m aを与えないような感光膜でも、HC
膜をつけておくと解像性のよいレジストr象が得られ、
HC膜が酸素による重合妨害の除去にも有効であること
が示される。
以下に実施例により詳細に説明する。
実施例1
厚さ20ミクロ/のセロ・・ン膜および厚さ25ミクロ
ンのPBT膜の上に各々環化ゴムのトルエン溶液を塗布
し室温および加熱空気で乾燥させて厚さ約1ミクロンの
膜を形成させた。メタクリル酸メチ在クリル酸エチル共
重合体(a:l)、その4/lOのペンタエリスリトー
ルトリアクリレート、27100の2−t−ブチルアン
トラキノンおよび微量の重合禁止剤を溶解したM’EK
溶液を上記各々の環化ゴム膜上に塗布し赤外線ヒータで
乾燥させて厚さ40ミクロンの感光膜を形成させん。
ンのPBT膜の上に各々環化ゴムのトルエン溶液を塗布
し室温および加熱空気で乾燥させて厚さ約1ミクロンの
膜を形成させた。メタクリル酸メチ在クリル酸エチル共
重合体(a:l)、その4/lOのペンタエリスリトー
ルトリアクリレート、27100の2−t−ブチルアン
トラキノンおよび微量の重合禁止剤を溶解したM’EK
溶液を上記各々の環化ゴム膜上に塗布し赤外線ヒータで
乾燥させて厚さ40ミクロンの感光膜を形成させん。
この感光膜にポリエチレンカバーをつけて37°Cに4
週間保持したのちポリエチレンカバーを剥がして銅張り
ガラス布エポキシ積層板の研磨した銅粒面(現像所要時
間を知るために銅面にはトリクロルエタン易溶の色マー
クがらけである)に加熱ラミネータを用いて圧着した。
週間保持したのちポリエチレンカバーを剥がして銅張り
ガラス布エポキシ積層板の研磨した銅粒面(現像所要時
間を知るために銅面にはトリクロルエタン易溶の色マー
クがらけである)に加熱ラミネータを用いて圧着した。
セロハン膜およびPET膜を各積層板から引き剥がすと
き環化ゴム膜がセロノ・ン膜側およびPFiT膜側につ
いてくることはなく、また指触テストでは環化ゴム面に
粘着性は全く感じられなかった。銀塩フィルムフォトマ
スクを真空密着させ超高圧水銀灯で露光したのち常圧に
戻すと上記フォトマスクは容易に剥離し、マスクに何等
の傷も汚れもなかった。露光した感光膜を加熱ロール間
を通して露光部の硬化を促進させ、ついで1.1.1−
トリクロルエタンのスブしで現「象した。現像所要時間
がHC膜の存在によって増加することは認められなかっ
た。得られた各々のレジスト海は厚さ25ミクロンのP
DTカバーをつけたまま露光した厚さ20ミクロンの感
光膜(HC膜なし)に劣らぬ解r象を示した。
き環化ゴム膜がセロノ・ン膜側およびPFiT膜側につ
いてくることはなく、また指触テストでは環化ゴム面に
粘着性は全く感じられなかった。銀塩フィルムフォトマ
スクを真空密着させ超高圧水銀灯で露光したのち常圧に
戻すと上記フォトマスクは容易に剥離し、マスクに何等
の傷も汚れもなかった。露光した感光膜を加熱ロール間
を通して露光部の硬化を促進させ、ついで1.1.1−
トリクロルエタンのスブしで現「象した。現像所要時間
がHC膜の存在によって増加することは認められなかっ
た。得られた各々のレジスト海は厚さ25ミクロンのP
DTカバーをつけたまま露光した厚さ20ミクロンの感
光膜(HC膜なし)に劣らぬ解r象を示した。
特許出願大東し株式会社
Claims (2)
- (1) アクリル酸エステルおよび/またはメタクリ
ル酸エステルガ浸透せずかつ現像液で除去し得る非芳香
族炭化水素を主成分とする重合体の薄膜を可撓性膜上に
積層してなる支持体膜上に、上記両層間の接着強度より
強く接着されているアクリル酸エステルおよび/または
メタクリル酸エステル含有感光性樹脂膜。 - (2) アクリル酸エステルおよび/またはメタクリ
ル醸エステルが浸透せずかつ現像液で除去し得る非芳香
族炭化水素を主成分とする重合体の薄膜を可撓性膜上に
積層してなる支持体膜上に、上記両層間の接着強度より
強く接着されているアクリル酸エステルおよび/または
メタクリル殿エステル含有感光性樹脂膜を画像形成表面
に積層し、次いで可撓性膜を除去した後、露光現像する
ことを特徴とするレジスト像の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20816181A JPS58111027A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 感光性樹脂膜およびそれを使用するレジスト像の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20816181A JPS58111027A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 感光性樹脂膜およびそれを使用するレジスト像の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58111027A true JPS58111027A (ja) | 1983-07-01 |
Family
ID=16551658
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20816181A Pending JPS58111027A (ja) | 1981-12-24 | 1981-12-24 | 感光性樹脂膜およびそれを使用するレジスト像の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58111027A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016042170A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-03-31 | 新光電気工業株式会社 | レジストパターン形成方法及び配線基板の製造方法 |
-
1981
- 1981-12-24 JP JP20816181A patent/JPS58111027A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016042170A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-03-31 | 新光電気工業株式会社 | レジストパターン形成方法及び配線基板の製造方法 |
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