JPS5811065B2 - 交叉磁場使用のスイッチ装置 - Google Patents
交叉磁場使用のスイッチ装置Info
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- JPS5811065B2 JPS5811065B2 JP53057714A JP5771478A JPS5811065B2 JP S5811065 B2 JPS5811065 B2 JP S5811065B2 JP 53057714 A JP53057714 A JP 53057714A JP 5771478 A JP5771478 A JP 5771478A JP S5811065 B2 JPS5811065 B2 JP S5811065B2
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- switch device
- space
- anode
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
- H01J17/02—Details
- H01J17/14—Magnetic means for controlling the discharge
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高電圧印加時に、交叉磁場使用のスイッチ装
置を閉成するスイッチ装置に関する。
置を閉成するスイッチ装置に関する。
互に角度をなして形成された電場と磁場の下に生ずる陰
陽両極間のグロー放電に関する独創的な研究に基づいて
、米国特許2182736の発明が達成され、その後交
叉磁場下に生じたグロー放電を、高電圧下の大電流遮断
に使用するための非常に多くの開発がヒユーズ・エヤク
ラフト社によってなされた。
陽両極間のグロー放電に関する独創的な研究に基づいて
、米国特許2182736の発明が達成され、その後交
叉磁場下に生じたグロー放電を、高電圧下の大電流遮断
に使用するための非常に多くの開発がヒユーズ・エヤク
ラフト社によってなされた。
この場合遮断速度が非常に速いので、該遮断を通常の6
0サイクルラインの電流がほぼ0の間に行なうことがで
きる。
0サイクルラインの電流がほぼ0の間に行なうことがで
きる。
この電流遮断装置は直流遮断に極めて有効であるが、上
記のように交流電流の値がほぼ0の間に急速に交流回路
を遮断するのにも用いられる。
記のように交流電流の値がほぼ0の間に急速に交流回路
を遮断するのにも用いられる。
上記技術の一般的背景は、米国特許No、360497
7および米国特許No、3963960に記載されてい
る。
7および米国特許No、3963960に記載されてい
る。
陰陽両極間に形成された空間、すなわち電極間空間中の
グロー放電を維持するには、該電極間空間内に封入され
たガスの中で陽極に向かって運動する電子の走行行路が
十分に長く、該走行中にガスの多段電離が十分に発生す
る必要がある。
グロー放電を維持するには、該電極間空間内に封入され
たガスの中で陽極に向かって運動する電子の走行行路が
十分に長く、該走行中にガスの多段電離が十分に発生す
る必要がある。
換言すれば、統計的に見て、両極間の各電子は1回以上
の電離を行うために多くの衝突を行なう必要があるので
ある。
の電離を行うために多くの衝突を行なう必要があるので
ある。
ガス圧を適切に維持し、交叉磁場をかけることにより、
両極間の電子の走行行路を長くする問題に関しては米国
特許No、3558960゜No、3638061.N
o、3641384およびNo。
両極間の電子の走行行路を長くする問題に関しては米国
特許No、3558960゜No、3638061.N
o、3641384およびNo。
3769537において論じられている。
上記各米国特許には絶縁破壊電圧とpdとの関係を示す
パッシェンの法則を示す曲線が説明されている。
パッシェンの法則を示す曲線が説明されている。
上記pdのpは気体圧力、dは電極間隙である。
これらの曲線は種々のガスに関し、磁場を印加せぬ場合
についてのデータに基づいて画かれたものであり、該曲
線はガスの導通領域と非導通領域との境を明示している
。
についてのデータに基づいて画かれたものであり、該曲
線はガスの導通領域と非導通領域との境を明示している
。
すなわちパッシェンの曲線はpdのある値に対して、ガ
スの絶縁破壊によってグロー放電が始まる最小の電圧を
示している。
スの絶縁破壊によってグロー放電が始まる最小の電圧を
示している。
米国特許No、3678289には電流遮断の問題およ
び該遮断を行なうためのグロー放電の特性が記載されて
おり、その中には両極間に印加された電圧と電極間空間
に与えられた磁場との関係が示され、これらのパラメー
タの値の関係によってグロー放電が発生するかしないか
の関係が、種々のガスと種々のpdの値に対して説明さ
れている。
び該遮断を行なうためのグロー放電の特性が記載されて
おり、その中には両極間に印加された電圧と電極間空間
に与えられた磁場との関係が示され、これらのパラメー
タの値の関係によってグロー放電が発生するかしないか
の関係が、種々のガスと種々のpdの値に対して説明さ
れている。
米国特許No、3714510およびNo、38905
20は、電極間空間内のガスを電離することにより、交
叉磁場使用のスイッチ装置を閉成する技術を開示してい
る。
20は、電極間空間内のガスを電離することにより、交
叉磁場使用のスイッチ装置を閉成する技術を開示してい
る。
上記電離作用を行なっても、上記スイッチ装置の閉成前
に両極間に高電圧が印加され、また電極間空間に適切に
定められた値の、両極間の電場に直角な磁場だけが与え
られいる場合には、グロー放電によるこのスイッチ装置
の閉成は達成されない。
に両極間に高電圧が印加され、また電極間空間に適切に
定められた値の、両極間の電場に直角な磁場だけが与え
られいる場合には、グロー放電によるこのスイッチ装置
の閉成は達成されない。
その理由は、両電極間に印加された電圧は多くの電子を
駆動して、該電子がガスを多段的に電離させるのに必要
な行路を走行する前に陽極に達するからである。
駆動して、該電子がガスを多段的に電離させるのに必要
な行路を走行する前に陽極に達するからである。
米国特許No、3714510に開示された交叉磁場使
用のスイッチ装置の閉成方法は、両極間にアーク放電を
開始させて該両極間の電圧を低下させ、上記アーク放電
が消滅した後にも、上記両極間の電圧が、グロー放電を
開始させ両極間の導通を実現させるのに十分な程度に低
下させておくものである。
用のスイッチ装置の閉成方法は、両極間にアーク放電を
開始させて該両極間の電圧を低下させ、上記アーク放電
が消滅した後にも、上記両極間の電圧が、グロー放電を
開始させ両極間の導通を実現させるのに十分な程度に低
下させておくものである。
また米国特許3890520に開示された、スイッチ装
置の閉成方法は、両電極間に高電圧を引加するとともに
、電極間空間全体に強い磁場を加えることにより、絶縁
破壊電圧と磁場の強さの関係を示す動作グラフ上の動作
点を右方に移動させる。
置の閉成方法は、両電極間に高電圧を引加するとともに
、電極間空間全体に強い磁場を加えることにより、絶縁
破壊電圧と磁場の強さの関係を示す動作グラフ上の動作
点を右方に移動させる。
すなわち上記両極間の電圧が高いままで、上記該動作点
を導通領域に移動させるのである。
を導通領域に移動させるのである。
しかしこの従来技術から更に進んでアーク放電や、電極
間空間全体に非常に強い磁場を加える磁場発生源を必要
とせず、交叉磁場使用のスイッチ装置を閉成する方法と
この方法を実行するスイッチ装置の出現が要望された。
間空間全体に非常に強い磁場を加える磁場発生源を必要
とせず、交叉磁場使用のスイッチ装置を閉成する方法と
この方法を実行するスイッチ装置の出現が要望された。
この発明の目的は、グロー放電を発生させる局部空間を
電極間空間内に形成する方法を含む交叉磁場使用のスイ
ッチ装置を提供することにある。
電極間空間内に形成する方法を含む交叉磁場使用のスイ
ッチ装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、この発明のスイッチ装置は、
グロー放電により陰陽両極間の導通を実現するように電
極間空間内の適切な局部空間に局部磁場すなわち補助磁
場を発生させる補助磁場発生コイル(以後補助コイルと
記す)が設けられ、該グロー放電の基づく導通状態を上
記局部に発生させ、電極間空間を全域にわたってグロー
放電状態に移行させるように形成されている。
グロー放電により陰陽両極間の導通を実現するように電
極間空間内の適切な局部空間に局部磁場すなわち補助磁
場を発生させる補助磁場発生コイル(以後補助コイルと
記す)が設けられ、該グロー放電の基づく導通状態を上
記局部に発生させ、電極間空間を全域にわたってグロー
放電状態に移行させるように形成されている。
次にこの発明の実施例について説明する。
第1図は交叉磁場使用のスイッチ装置10を示す。
スイッチ装置10は陽極12と陰極14を有し、陰極1
4はスイッチ装置10の外部構造をなし、また内部に真
空を維持する真空外囲としても使用される。
4はスイッチ装置10の外部構造をなし、また内部に真
空を維持する真空外囲としても使用される。
第2図に示す両極12,14間の空間、すなわち電極間
空間16は電極間隔dを有し、内部には適宜の圧力で適
宜のガスが充填されている。
空間16は電極間隔dを有し、内部には適宜の圧力で適
宜のガスが充填されている。
陰極14の外周を取巻く主磁場発生コイル(以後主コイ
ルと記す)18は、上記電極間空間16の中の、上記コ
イル18に囲まれた作動空間に、主磁場を発生させる。
ルと記す)18は、上記電極間空間16の中の、上記コ
イル18に囲まれた作動空間に、主磁場を発生させる。
20は絶縁柱で、外部回路の一方の導線22を陽極12
に接続する働きをなす。
に接続する働きをなす。
他方の導線24は陰極14に接続され、外部回路はスイ
ッチ装置10により開閉される。
ッチ装置10により開閉される。
この実施例では、導線22,24には直列抵抗28とこ
れに接続された充電ずみのコンデンサ26が接続されて
いる。
れに接続された充電ずみのコンデンサ26が接続されて
いる。
スイッチ装置10を動作させてテストするために、コン
デンサ26と抵抗器28を変えて、電圧および電流の適
当なパルス出力が発生するように調整される。
デンサ26と抵抗器28を変えて、電圧および電流の適
当なパルス出力が発生するように調整される。
このとき抵抗器28は電流制御抵抗の働きをなしている
。
。
コンデンサ26は100KVに充電され、抵抗28は5
50オームに選ばれている。
50オームに選ばれている。
主コイル18を励磁すると、該コイル18に囲まれた電
極間空間16中の作動空間にほぼ100ガウスの磁場が
発生されるが、上記作動空間の導通すなわち主導通は生
じない。
極間空間16中の作動空間にほぼ100ガウスの磁場が
発生されるが、上記作動空間の導通すなわち主導通は生
じない。
何故ならば電極間空間16は第5図の動作グラフの導通
領域すなわちスイッチ装置10の閉成領域(斜線を施さ
れた領域)より上方のA点の状態にあるからである。
領域すなわちスイッチ装置10の閉成領域(斜線を施さ
れた領域)より上方のA点の状態にあるからである。
陰極14に装着された電離源30は、ガンマ線およびベ
ータ線源として用いられるセシウム137の5ミリキユ
ーりを保有し、電極間空間16の中に初期電離を起させ
る。
ータ線源として用いられるセシウム137の5ミリキユ
ーりを保有し、電極間空間16の中に初期電離を起させ
る。
しかしそのままでは電極間空間16内に、封入されたガ
スによる多段絶縁破壊は生じない。
スによる多段絶縁破壊は生じない。
その理由は上記電極間空間16内に強い電場が作用して
いるので電子の走行行程は極めて短かく、該空間16内
の電子は両電極12,14間に絶縁破壊を生ずるのに必
要な多段衝突電離を行なう前に陽極に達するからである
。
いるので電子の走行行程は極めて短かく、該空間16内
の電子は両電極12,14間に絶縁破壊を生ずるのに必
要な多段衝突電離を行なう前に陽極に達するからである
。
したがって、この発明のスイッチ装置は前述の主磁場が
加えられた状態に於ても、閉成されることはない。
加えられた状態に於ても、閉成されることはない。
第1図、第2図に示した補助コイル32は、このスイッ
チ装置10に電圧が印加されているとき、該スイッチの
局部にグロー放電を開始させるための磁場を発生させる
コイルで、放電開始コイル又は点火コイルとも呼ばれる
。
チ装置10に電圧が印加されているとき、該スイッチの
局部にグロー放電を開始させるための磁場を発生させる
コイルで、放電開始コイル又は点火コイルとも呼ばれる
。
ある実例によれば、上記補助コイル32は89mm(3
,5インチ)の直径を有し、巻回数100のコイルであ
る。
,5インチ)の直径を有し、巻回数100のコイルであ
る。
上記コイル32を流れる電流は25マイクロフアラツド
のコンデンサ34からイグナイトロン36を介して行な
われ、イグナイトロン36が導通に転すると、コンデン
サ34は補助コイル32を通して放電される。
のコンデンサ34からイグナイトロン36を介して行な
われ、イグナイトロン36が導通に転すると、コンデン
サ34は補助コイル32を通して放電される。
コンデンサ34の充電量は電極間空間16中の補助コイ
ル32の作用範囲すなわち局部空間に適切な強さの局部
環状磁場(補助磁場、放電開始用磁場、点火用磁場とも
呼ばれる)を発生させるのに適する量である。
ル32の作用範囲すなわち局部空間に適切な強さの局部
環状磁場(補助磁場、放電開始用磁場、点火用磁場とも
呼ばれる)を発生させるのに適する量である。
上記補助磁場は上記局部空間の動作点を第5図の動作グ
ラフの導通領域に移動させる。
ラフの導通領域に移動させる。
この実施例では補助コイル32に基づく磁場の強さはほ
ぼ1キロガウスに定められている。
ぼ1キロガウスに定められている。
なおこの補助コイル32により発生される磁場の方向は
第3a図の磁力線38によって示されている。
第3a図の磁力線38によって示されている。
補助コイル32が励磁されると、電極間空間16の中に
補助磁場が発生し、電極間空間16内の電子の走行行路
40(第3b図)は増大する。
補助磁場が発生し、電極間空間16内の電子の走行行路
40(第3b図)は増大する。
該行路40は上記補助磁場の影響下に形成され、第3b
図に示すように曲折するが大孔の形状は円形状をなす。
図に示すように曲折するが大孔の形状は円形状をなす。
上記補助磁場の強さは、該磁場が作用する電極間空間1
6内の局部空間の状態を第5図のB点に移動させ、電子
が陽極に達するまでの行路を十分延長させる。
6内の局部空間の状態を第5図のB点に移動させ、電子
が陽極に達するまでの行路を十分延長させる。
従ってその間に十分な数の衝突電離を発生させ電極間空
間16の多段絶縁破壊および導通を可能とする。
間16の多段絶縁破壊および導通を可能とする。
このようにして、陽極12と陰極14のグロー放電は上
記局部空間から開始される。
記局部空間から開始される。
補助コイル32として環状のコイルを使用するとその巻
線の近くに比較的強い磁場が形成される。
線の近くに比較的強い磁場が形成される。
このコイルを大きな形の陰極14に接近して配置すれば
、非常に僅かのエネルギによってトロイド形の電子トラ
ップが形成される。
、非常に僅かのエネルギによってトロイド形の電子トラ
ップが形成される。
上記トラップは円環状をなし、大きさは相違するが従来
のスイッチ装置に形成された作動空間と同様な作用をな
している。
のスイッチ装置に形成された作動空間と同様な作用をな
している。
この実施例では、上記環状コイルは、より大きな励磁コ
イルとともに使用され、このスイッチ装置を閉成するた
めに用いられる。
イルとともに使用され、このスイッチ装置を閉成するた
めに用いられる。
一度補助コイルの作用を受ける上記局部空間に導通状態
が生ずると、両電極12.14間の電圧は低下し、第5
図の動作点BはCに移動し、多段衝突電離に基づくグロ
ー放電発生の状態となり、スイッチ装置10は平常の導
通状態となる。
が生ずると、両電極12.14間の電圧は低下し、第5
図の動作点BはCに移動し、多段衝突電離に基づくグロ
ー放電発生の状態となり、スイッチ装置10は平常の導
通状態となる。
この状態は第5図の動作グラフでは点りで示される。
補助磁場は次に消滅するが、スイッチ装置10の動作に
影響することはない。
影響することはない。
第5図のB点からD点に移動する道筋は、通常の場合は
図示のようにほぼ直角に屈曲するものではないが、いず
れにしても第5図の導通領域を通るようになっている。
図示のようにほぼ直角に屈曲するものではないが、いず
れにしても第5図の導通領域を通るようになっている。
第4図はスイッチ装置10が閉成される場合の経過を示
す。
す。
図の横軸には経過時間、縦軸には補助コイル電流、主電
流すなわち主コイル18を流れる電流及び両電極間の電
圧すなわち主電圧が画かれている。
流すなわち主コイル18を流れる電流及び両電極間の電
圧すなわち主電圧が画かれている。
図において、時間t0の時点で両電極12,14間に1
00KVが印加され、主コイル18は電極間空間16に
約100ガウスの主磁場を形成するが、このスイッチ装
置10は第5図の点Aの状態すなわち遮断状態のままに
ある。
00KVが印加され、主コイル18は電極間空間16に
約100ガウスの主磁場を形成するが、このスイッチ装
置10は第5図の点Aの状態すなわち遮断状態のままに
ある。
何故ならば、A点は第5図に示された導通領域すなわち
スイッチ装置10の閉成領域外にあるからである。
スイッチ装置10の閉成領域外にあるからである。
次にt1の時点でイグナイトロン36がオンに転じられ
、コンデンサ34は補助コイル32を経て放電され、該
コイル32は補助磁場を発生し、その間に該電磁場の作
用によって形成された電極間空間16内の局部空間の動
作点は第5図のA−の状態からBの状態に移る。
、コンデンサ34は補助コイル32を経て放電され、該
コイル32は補助磁場を発生し、その間に該電磁場の作
用によって形成された電極間空間16内の局部空間の動
作点は第5図のA−の状態からBの状態に移る。
第4図の最上段に示した曲線に示すように、補助コイル
32を流れる電流は、この間増加し、約200マイクロ
秒後(t2と記入されている)約100アンペアに達す
る。
32を流れる電流は、この間増加し、約200マイクロ
秒後(t2と記入されている)約100アンペアに達す
る。
このとき補助磁場は十分に強く、少くとも1キロガウス
に達し、上記局部空間は導通領域に移り、局部的なグロ
ー放電が上記補助コイルの作用の下に発生する。
に達し、上記局部空間は導通領域に移り、局部的なグロ
ー放電が上記補助コイルの作用の下に発生する。
このグロー放電が発生すると両電極12,14間の電圧
は低下し、(第4図の最下段の曲線に示す)該局部空間
の状態は第5図のC点に移動する。
は低下し、(第4図の最下段の曲線に示す)該局部空間
の状態は第5図のC点に移動する。
補助コイル中の電流はパルス的に変化しt3時点で消滅
するが、スイッチ装置10はなお第5図の導通領域にあ
り、該装置10は導通を続けつつ第5図のD点に達する
。
するが、スイッチ装置10はなお第5図の導通領域にあ
り、該装置10は導通を続けつつ第5図のD点に達する
。
その時の主電流の変化は、第4図中段の曲線に示されて
いる。
いる。
上記のように補助コイル32に流れる電流が急激に(1
3時点前に)導通開始に相当する値以下に低下しても、
コンデンサ26の放電に基づく両電極12,14間の導
通、すなわち主導通が継続しているのは、主コイル18
によって生ずる比較的弱い磁場の存在により、第5図に
見るようにグロー放電が継続し得るからである。
3時点前に)導通開始に相当する値以下に低下しても、
コンデンサ26の放電に基づく両電極12,14間の導
通、すなわち主導通が継続しているのは、主コイル18
によって生ずる比較的弱い磁場の存在により、第5図に
見るようにグロー放電が継続し得るからである。
第4図の時点t4において、すなわち主導通開始後約3
00マイクロ秒後に、主磁場は消滅され、主導通は停止
される。
00マイクロ秒後に、主磁場は消滅され、主導通は停止
される。
このことはこのスイッチ装置10の導通が主放電によっ
て行なわれることを示している。
て行なわれることを示している。
時点t2、t4間の主導通電流の減少と両電極間電圧の
低下はコンデンサ26の放電の結果である。
低下はコンデンサ26の放電の結果である。
しかし若し電源が無限に強力であるとすれば、上記主導
通電流は低下することなく維持され、遮断後の両極間1
2,14間の電圧は100KVとなる。
通電流は低下することなく維持され、遮断後の両極間1
2,14間の電圧は100KVとなる。
以前には、高電圧回路に用いられる大形でダイオード型
の交叉磁場使用チューブを導通状態にするために放電さ
せることは実際的でないと考えられていた。
の交叉磁場使用チューブを導通状態にするために放電さ
せることは実際的でないと考えられていた。
その理由はこのようなチューブでは動作点を導通領域に
移行させるために、極めて強力な磁場を必要とし、その
ために必要な少くとも1キロガウスの磁場を前記電極間
空間16に発生させるには、数キロジュール程度の高エ
ネルギを要するという欠点を有したこと、またこのよう
な磁場が形成されたとしても、強力なパルス状磁場を発
生させるには長い時間を必要とし、その結果スイッチ装
置10の閉成動作が遅延し、また電極間空間16中に形
成された強い磁場を所定値以下に減少させるには長い時
間がかかるので、スイッチ10の連動動作が遅延するこ
とという欠点を該装置10が有していたからである。
移行させるために、極めて強力な磁場を必要とし、その
ために必要な少くとも1キロガウスの磁場を前記電極間
空間16に発生させるには、数キロジュール程度の高エ
ネルギを要するという欠点を有したこと、またこのよう
な磁場が形成されたとしても、強力なパルス状磁場を発
生させるには長い時間を必要とし、その結果スイッチ装
置10の閉成動作が遅延し、また電極間空間16中に形
成された強い磁場を所定値以下に減少させるには長い時
間がかかるので、スイッチ10の連動動作が遅延するこ
とという欠点を該装置10が有していたからである。
しかしこの発明の実施例によれば、グロー放電開始に必
要なエネルギは約6ジユールにすぎず、磁場は比較的小
形の補助コイルにより、極めて小さなエネルギ消費の下
に、極めて小さな空間の中に必要な強度に形成される。
要なエネルギは約6ジユールにすぎず、磁場は比較的小
形の補助コイルにより、極めて小さなエネルギ消費の下
に、極めて小さな空間の中に必要な強度に形成される。
上記補助コイルはチューブの周囲を取巻く必要なく陰極
の壁のいずれの場合に取付けられてもよい。
の壁のいずれの場合に取付けられてもよい。
しかし特に対称に形成するなどの必要はない。
その形および配置に必要なことは、上記コイルがたとえ
ば数キロガウス程度の磁場を加えられた電極間の適宜の
局部空間に電子が走行する閉走行路を形成する機能を有
していることである。
ば数キロガウス程度の磁場を加えられた電極間の適宜の
局部空間に電子が走行する閉走行路を形成する機能を有
していることである。
第1図はこの発明のスイッチ装置全体の形状とこれを作
動させるための結線を示す図、第2図は第1図の2−2
断面図、第3a図は第2図の補助コイルの部分の3−3
断面拡大図、第3b図は補助コイルの作用下にとる電子
の運動を示す図、第4図は主コイルおよび補助コイルを
流れる電流、および陰陽両極間電圧の時間的変化を示す
グラフ、第5図は主磁場と両極間電圧の変化による、こ
の発明のスイッチ装置の導通領域を示すグラフである。 10・・・・・・交叉磁場使用のスイッチ装置、12・
・・・・・陽極、14・・・・・・陰極、16・・・・
・・電極間空間、18・・・・・・主コイル、20・・
・・・・絶縁柱、22,24・・・・・・導線、26・
・・・・・コンデンサ、28・・・・・・抵抗器、30
・・・・・・電離源、32・・・・・・補助コイル、3
4・・・・・・コンデンサ、36・・・・・・イグナイ
トロン、38・・・・・・磁力線、40・・・・・・電
子の走行行路。
動させるための結線を示す図、第2図は第1図の2−2
断面図、第3a図は第2図の補助コイルの部分の3−3
断面拡大図、第3b図は補助コイルの作用下にとる電子
の運動を示す図、第4図は主コイルおよび補助コイルを
流れる電流、および陰陽両極間電圧の時間的変化を示す
グラフ、第5図は主磁場と両極間電圧の変化による、こ
の発明のスイッチ装置の導通領域を示すグラフである。 10・・・・・・交叉磁場使用のスイッチ装置、12・
・・・・・陽極、14・・・・・・陰極、16・・・・
・・電極間空間、18・・・・・・主コイル、20・・
・・・・絶縁柱、22,24・・・・・・導線、26・
・・・・・コンデンサ、28・・・・・・抵抗器、30
・・・・・・電離源、32・・・・・・補助コイル、3
4・・・・・・コンデンサ、36・・・・・・イグナイ
トロン、38・・・・・・磁力線、40・・・・・・電
子の走行行路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 陽極と;該陽極と離隔して配置され、該陽極との間
に電極間空間を形成するとともに、該陽極との間に連続
しかつ閉じた閉走行路を定める陰極と;上記電極間空間
内にガスを大気圧より低い圧力に保持する手段と;上記
電極間空間の一部に上記陰陽両極間の最短距離方向およ
び上記閉走行路に対して角度をなす方向に該閉走行路全
体にわたって主磁場を加える主磁場発生手段を備えた交
叉磁場使用のスイッチ装置において、上記電極間空間中
の局部空間内に多段電離およびグロー放電を発生させ、
よって、上記局部空間および上記陰陽両極間に電気的導
通を開始させ、かつ上記両極間の電圧を所定電圧以下に
低下させるのに十分な強さの補助磁場を発生させる補助
磁場発生手段を、上記電極間空間に隣接する場所に設け
たこと、および上記主磁場発生手段が上記閉走行路の中
に、上記陽極および陰極間に所定値を越える電圧が印加
されたときには、このスイッチ装置を導通させることな
く、上記陽極および陰極間に所定値以下の電圧が印加さ
れたときは、多段電離およびグロー放電を生ずる主磁場
を発生させるものであることを特徴とする交叉磁場を使
用するスイッチ装置。 2 上記補助磁場発生手段が、上記陽極又は陰極の一方
に隣接して配置された点火用の補助磁場発生コイルであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載のスイ
ッチ装置。 3 上記補助コイルが、上記電極空間より小さい寸法の
環状の補助磁場を上記電極間空間の中に形成するように
配置されることを特徴とする特許請求の範囲第2項に記
載のスイッチ装置。 4 上記補助コイルがトロイダルコイルであることを特
徴とする特許請求の範囲第2又は第3項のいずれかに記
載のスイッチ装置。 5 上記補助コイルが上記主磁場発生手段である主磁場
発生コイルに近接した場所に局部的にグロー放電を発生
させるように、上記陰極の近くに配置されている特許請
求の範囲第4項に記載のスイッチ装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/797,720 US4091310A (en) | 1977-05-17 | 1977-05-17 | Method and apparatus for on-switching in a crossed-field switch device against high voltage |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS53142864A JPS53142864A (en) | 1978-12-12 |
JPS5811065B2 true JPS5811065B2 (ja) | 1983-03-01 |
Family
ID=25171625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53057714A Expired JPS5811065B2 (ja) | 1977-05-17 | 1978-05-17 | 交叉磁場使用のスイッチ装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4091310A (ja) |
JP (1) | JPS5811065B2 (ja) |
CA (1) | CA1099775A (ja) |
DE (1) | DE2819111C2 (ja) |
FR (1) | FR2391552A1 (ja) |
GB (1) | GB1594918A (ja) |
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-
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- 1977-05-17 US US05/797,720 patent/US4091310A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
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- 1978-04-29 DE DE2819111A patent/DE2819111C2/de not_active Expired
- 1978-05-10 GB GB18677/78A patent/GB1594918A/en not_active Expired
- 1978-05-16 FR FR7814472A patent/FR2391552A1/fr active Granted
- 1978-05-17 JP JP53057714A patent/JPS5811065B2/ja not_active Expired
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GB1594918A (en) | 1981-08-05 |
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