JPS5810879A - 半導体磁気抵抗素子 - Google Patents
半導体磁気抵抗素子Info
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- JPS5810879A JPS5810879A JP56108533A JP10853381A JPS5810879A JP S5810879 A JPS5810879 A JP S5810879A JP 56108533 A JP56108533 A JP 56108533A JP 10853381 A JP10853381 A JP 10853381A JP S5810879 A JPS5810879 A JP S5810879A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/82—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of the magnetic field applied to the device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は位置検出器等に用いられ、磁界を受けて電気
的抵抗が変化する半導体磁気抵抗素子に関するものであ
る。
的抵抗が変化する半導体磁気抵抗素子に関するものであ
る。
半導体磁気抵抗素子に用いられる半導体としては！ｎＳ
ｂ、ＩｎＡ３等のホール移動度の大きい暢質が用いられ
、一般にホール移動度を低下させないように不純物の添
加は最小限にとどめられる。その丸めにその半導体の抵
抗値の温度係数が大きい欠点があった。
ｂ、ＩｎＡ３等のホール移動度の大きい暢質が用いられ
、一般にホール移動度を低下させないように不純物の添
加は最小限にとどめられる。その丸めにその半導体の抵
抗値の温度係数が大きい欠点があった。
したがって、従来の磁気抵抗素子においては、第１図に
示すように基板１１上に２個の磁気抵抗体１２，１３が
配列形成され、これら磁気抵抗体１２．１３０各抵抗値
Ｒｍｓ、Ｒｍ麿のバランスの変化を出力とした。例えば
磁気抵抗体１２．１３を一端を共通端子１４に接続し、
各他端を端子１５．１６にそれぞれ接続し、端子１５．
１６間に電圧Ｅを加えておき、端子１４．１６間の電圧
・を出力とすると、ＲｍｇｍＲｍｍの時ｅ−呈であシ、
磁気抵抗体１２に加わる磁界が変化し、Ｒｍｓが変化す
るとそれに応じて、出力電圧・が便化する。すなわち出
力・は で表わされる。いま磁気抵抗体１２に加わる磁界をＢｔ
ｓ磁気抵抗体１３に加わる磁界をＢｍ、温度をＴとする
と、各磁気抵抗体の抵抗値線 Ｒｍｓｗ／（ａｔ）・ｆ（り Ｒｍｇ−／（ｓｇ）＃ｊ’（ｔ） で表わされ、これら抵抗値Ｒｍ＊、Ｒｈ１ｍは、温度と
磁界との関数となる。したがって出力・はとなシ、この
出力・は温度と無関係・で、磁界Ｂ１とＢｓとの不平衡
に相当する出力となる。
示すように基板１１上に２個の磁気抵抗体１２，１３が
配列形成され、これら磁気抵抗体１２．１３０各抵抗値
Ｒｍｓ、Ｒｍ麿のバランスの変化を出力とした。例えば
磁気抵抗体１２．１３を一端を共通端子１４に接続し、
各他端を端子１５．１６にそれぞれ接続し、端子１５．
１６間に電圧Ｅを加えておき、端子１４．１６間の電圧
・を出力とすると、ＲｍｇｍＲｍｍの時ｅ−呈であシ、
磁気抵抗体１２に加わる磁界が変化し、Ｒｍｓが変化す
るとそれに応じて、出力電圧・が便化する。すなわち出
力・は で表わされる。いま磁気抵抗体１２に加わる磁界をＢｔ
ｓ磁気抵抗体１３に加わる磁界をＢｍ、温度をＴとする
と、各磁気抵抗体の抵抗値線 Ｒｍｓｗ／（ａｔ）・ｆ（り Ｒｍｇ−／（ｓｇ）＃ｊ’（ｔ） で表わされ、これら抵抗値Ｒｍ＊、Ｒｈ１ｍは、温度と
磁界との関数となる。したがって出力・はとなシ、この
出力・は温度と無関係・で、磁界Ｂ１とＢｓとの不平衡
に相当する出力となる。
従来の半導体磁気抵抗素子において、多数の検知部、す
なわち多数の磁気抵抗体を必要とする場合は、２個の磁
気抵抗体を組としてそれを多数配列していた。端子を少
なくすることが小形軽量化に不可欠な丸め、第２図に示
すように第１図の端子１５（又は１６）を共通にしたも
のも考えられた。この場合でもｎ個の検知部を作るため
には端子は２ｎ＋１個、磁気抵抗体が２ｎ個必要とした
。
なわち多数の磁気抵抗体を必要とする場合は、２個の磁
気抵抗体を組としてそれを多数配列していた。端子を少
なくすることが小形軽量化に不可欠な丸め、第２図に示
すように第１図の端子１５（又は１６）を共通にしたも
のも考えられた。この場合でもｎ個の検知部を作るため
には端子は２ｎ＋１個、磁気抵抗体が２ｎ個必要とした
。
この発明の目的は端子数及び磁気抵抗体の個数が従来の
ものの約１であ夛、従って従来のものよシボ形、軽量に
適し、しかも温度の影譬を受けないようにすることがで
きる多数の検知部を備えた半導体磁気抵抗素子を提供す
ることにある。
ものの約１であ夛、従って従来のものよシボ形、軽量に
適し、しかも温度の影譬を受けないようにすることがで
きる多数の検知部を備えた半導体磁気抵抗素子を提供す
ることにある。
この発明によれば、磁気抵抗素子ｄｎ個（ｎは３以上の
整数）の磁気抵抗体と、ｎ＋１個の端子とで構成され、
ｎ個の検知部を備える。
整数）の磁気抵抗体と、ｎ＋１個の端子とで構成され、
ｎ個の検知部を備える。
例えば第４図乃至第６図に示すようにガラス、セラミッ
クス尋の基板１１上に１蒸着によシ製造された約１μ集
の厚さの半導体膜がエポキシ樹脂等の接着剤１８で接着
され、更にホトエツチングや化学メッキあるいは電気メ
ッキ等により、所足の形状、配列の磁気抵抗体１７及び
端子１９が形成される。短冊状の磁気抵抗体のｎ個ＩＬ
ｓ〜１７ｎが互に平行に配列され、その各一端にメッキ
層の端子１９１〜１９ｎが形成され、他端子は共通の接
続配線を通じて、端子１９１〜１９ｎと同一側に設けら
れた端子１９１＋ｔに接続される。
クス尋の基板１１上に１蒸着によシ製造された約１μ集
の厚さの半導体膜がエポキシ樹脂等の接着剤１８で接着
され、更にホトエツチングや化学メッキあるいは電気メ
ッキ等により、所足の形状、配列の磁気抵抗体１７及び
端子１９が形成される。短冊状の磁気抵抗体のｎ個ＩＬ
ｓ〜１７ｎが互に平行に配列され、その各一端にメッキ
層の端子１９１〜１９ｎが形成され、他端子は共通の接
続配線を通じて、端子１９１〜１９ｎと同一側に設けら
れた端子１９１＋ｔに接続される。
その基板１１は接着剤２１によシ永久磁石２２上に接着
される。永久磁石２２は磁気抵抗体１７の厚味方向に着
磁されている。或は基板１１０体を永久磁石で作製して
もよい。このようにして各磁気抵抗体１７に対する磁気
バイアスが加えられる。各端子１９にはリード線２３の
一端がそれぞれ接続される。磁性体の近接を検出するマ
ルチ磁気抵抗素子が得られる。
される。永久磁石２２は磁気抵抗体１７の厚味方向に着
磁されている。或は基板１１０体を永久磁石で作製して
もよい。このようにして各磁気抵抗体１７に対する磁気
バイアスが加えられる。各端子１９にはリード線２３の
一端がそれぞれ接続される。磁性体の近接を検出するマ
ルチ磁気抵抗素子が得られる。
更に必要に応じて第５図に示すようにそれぞれの磁気抵
抗体１７をおおうように、ｎ個の磁性体片２４を接着等
によシ装置することにより、感度を高く、かつ分解能を
上げることができる。その磁性体片２４は、鉄、パーマ
ロイ等の軟質磁性体あるいは、希土類コバルト等の硬質
磁性体を用いることができる。これら半導体層１７．端
子１９上に全体にわたって保護用樹脂層２５が形成され
る。
抗体１７をおおうように、ｎ個の磁性体片２４を接着等
によシ装置することにより、感度を高く、かつ分解能を
上げることができる。その磁性体片２４は、鉄、パーマ
ロイ等の軟質磁性体あるいは、希土類コバルト等の硬質
磁性体を用いることができる。これら半導体層１７．端
子１９上に全体にわたって保護用樹脂層２５が形成され
る。
このような構成のこの発明による磁気抵抗素子２６は、
例えば第６図に示すような電気回路に接続□されて使用
される。ｎ個の演算増幅器２７１〜２７ｎ及び（ｎ−１
）個の比較器２８１〜２８ｎが設けら蜆演算増幅器２７
１〜２７ｎの反転入力端子に磁気抵抗素子２６の各磁気
抵抗体１７１〜１７ｎの一端が端子２１１〜２１ｎをそ
れぞれ通じて！Ｉ続される。磁気抵抗素子２６の共通端
子２１ｎ＋ｘは接地され、演算増幅器２７１〜２７ｎの
非反転入力端子には電源２９よシ一定の電圧Ｅ１が同一
抵抗値の抵抗器をそれぞれ通じて加えられる。ｎ個の演
算増幅器２７１〜２７ｎのどれか１個、例えば２７ｎの
出力は比ＩＩＲ器２８１〜２８ｎ−１の設定電圧として
非反転入力端子に供給される。他の（ｎ−１）個の演算
増幅器２７１〜２７ｎ−ｉの出力はそれぞれ（ｎ−１）
個の比較器２８１〜２８ｎ−ｓ の反転入力端子にそ
れぞれ供給される。
例えば第６図に示すような電気回路に接続□されて使用
される。ｎ個の演算増幅器２７１〜２７ｎ及び（ｎ−１
）個の比較器２８１〜２８ｎが設けら蜆演算増幅器２７
１〜２７ｎの反転入力端子に磁気抵抗素子２６の各磁気
抵抗体１７１〜１７ｎの一端が端子２１１〜２１ｎをそ
れぞれ通じて！Ｉ続される。磁気抵抗素子２６の共通端
子２１ｎ＋ｘは接地され、演算増幅器２７１〜２７ｎの
非反転入力端子には電源２９よシ一定の電圧Ｅ１が同一
抵抗値の抵抗器をそれぞれ通じて加えられる。ｎ個の演
算増幅器２７１〜２７ｎのどれか１個、例えば２７ｎの
出力は比ＩＩＲ器２８１〜２８ｎ−１の設定電圧として
非反転入力端子に供給される。他の（ｎ−１）個の演算
増幅器２７１〜２７ｎ−ｉの出力はそれぞれ（ｎ−１）
個の比較器２８１〜２８ｎ−ｓ の反転入力端子にそ
れぞれ供給される。
演算増幅器２７１〜２７ｎの反転入力端子と出力端子と
の間にはそれぞれ同一抵抗値の帰還抵抗器３１が接続さ
れである。
の間にはそれぞれ同一抵抗値の帰還抵抗器３１が接続さ
れである。
例えば磁気抵抗体１７１に磁性体が接近し、磁気抵抗体
１７１の抵抗値Ｒｍ１が増大すると、演算増幅器２７１
の増幅度が減少し、比較器２８１の反転入力端子に加わ
る電圧が減少し、比較器２８ＩはＯＮの信号を出力する
。磁気抵抗体１７１から、その磁性体が遠ざかると比較
器２８１はＯＦＦの信号を出力する。
１７１の抵抗値Ｒｍ１が増大すると、演算増幅器２７１
の増幅度が減少し、比較器２８１の反転入力端子に加わ
る電圧が減少し、比較器２８ＩはＯＮの信号を出力する
。磁気抵抗体１７１から、その磁性体が遠ざかると比較
器２８１はＯＦＦの信号を出力する。
ｋ番目の演算増幅器１７にの出力を・ｋＳＷＢ気抵抗体
１７１（の抵抗値をＲｍｋ、帰還抵抗器３１の抵抗値を
Ｒ１とすると、 ・に−（１＋ ）Ｅｌ ｋ”＝＝１１２，３”
”（” １）ｍｋ となる。
１７１（の抵抗値をＲｍｋ、帰還抵抗器３１の抵抗値を
Ｒ１とすると、 ・に−（１＋ ）Ｅｌ ｋ”＝＝１１２，３”
”（” １）ｍｋ となる。
この出力・ｋを温度Ｔ及び磁界Ｂｋで表わすと１
” −（１＋ｔ＜Ｔ＞ ｔｏｋ＞ ）Ｅ １に＝１ 、
２ 、・―（ｎ−１） とな夛、すべての演算増幅器の出方が温＆Ｔの関数とな
るが、比較器２８１〜２８ｎ−１における動作は、例え
ば演算増幅器２７ｎの出力・ｎを比較器２８１〜２８ｎ
−ｒｉｃ対する設定電圧とした場合、・ｎ−・ｋが正か
負かによシ比較ｌｍ２８にの出力はＯＮがＯＦＦになる
。従って比較器２８１〜２８１− ｔの出力は、温度と
はソ無関係になる。
２ 、・―（ｎ−１） とな夛、すべての演算増幅器の出方が温＆Ｔの関数とな
るが、比較器２８１〜２８ｎ−１における動作は、例え
ば演算増幅器２７ｎの出力・ｎを比較器２８１〜２８ｎ
−ｒｉｃ対する設定電圧とした場合、・ｎ−・ｋが正か
負かによシ比較ｌｍ２８にの出力はＯＮがＯＦＦになる
。従って比較器２８１〜２８１− ｔの出力は、温度と
はソ無関係になる。
また抵抗値Ｒ１を充分大きな値にすると磁気抵抗体１７
１〜１７ｎに流れる電流は、例えば数μＡ〜数１１Ａと
小さなものにすることができ、磁気抵抗素子２６の内部
発熱を極めて小さくすることができる。
１〜１７ｎに流れる電流は、例えば数μＡ〜数１１Ａと
小さなものにすることができ、磁気抵抗素子２６の内部
発熱を極めて小さくすることができる。
従来の磁気抵抗素子の使用法と全く異るものである。す
なわち、従来の磁気抵抗素子において紘先に述べたよう
に出−力・は、 となシ、印加電圧Ｅに比例した出力となるため、感度を
上げるには、Ｒｍｓ及びＲｍｍを充分大きな抵抗値とし
、電圧Ｅをできるだけ大きくしていた。
なわち、従来の磁気抵抗素子において紘先に述べたよう
に出−力・は、 となシ、印加電圧Ｅに比例した出力となるため、感度を
上げるには、Ｒｍｓ及びＲｍｍを充分大きな抵抗値とし
、電圧Ｅをできるだけ大きくしていた。
電圧Ｅの大きさの上限紘、素子の内部発熱量と、熱方散
Ｗｉ積等で決定される熱的抵抗などで決まるものである
。電圧Ｅを大とするための抵抗値Ｒｍｓ、Ｒｍｍを大き
くすることと、熱的抵抗を小とすることとは両方とも磁
気抵抗素子を大形にすることにつながる。
Ｗｉ積等で決定される熱的抵抗などで決まるものである
。電圧Ｅを大とするための抵抗値Ｒｍｓ、Ｒｍｍを大き
くすることと、熱的抵抗を小とすることとは両方とも磁
気抵抗素子を大形にすることにつながる。
この発明の磁気抵抗素子においては、それらの制限は無
く１つの磁気抵抗体１７１〜１７ｎの抵抗値は従来のも
のよりユ〜」−の数十Ω〜Ｐ百Ωあ１０ １００ るいはそれ以下であっても良い。
く１つの磁気抵抗体１７１〜１７ｎの抵抗値は従来のも
のよりユ〜」−の数十Ω〜Ｐ百Ωあ１０ １００ るいはそれ以下であっても良い。
第７図はこの発明による磁気抵抗素子を用いたデジタル
回転角度針を示す。磁性体でできた回転板３３に磁性体
の突起３４を第８図に示すように又は非磁性円板に磁性
体を埋込み、円板を同心リングに分割し、その各リング
を例えば最も外周程最下位桁になるように２進法で重み
を付け、円板３３の中心とする単位角度ごとに２進コー
ドで突起３４を形成する。その回転板３３に相対するよ
うに磁気抵抗素子２６を配置し、その各磁気抵抗体１７
１〜１７ｎ−ｓが円板３３の各２進法で重み付けられた
りｙグと対向させる。
回転角度針を示す。磁性体でできた回転板３３に磁性体
の突起３４を第８図に示すように又は非磁性円板に磁性
体を埋込み、円板を同心リングに分割し、その各リング
を例えば最も外周程最下位桁になるように２進法で重み
を付け、円板３３の中心とする単位角度ごとに２進コー
ドで突起３４を形成する。その回転板３３に相対するよ
うに磁気抵抗素子２６を配置し、その各磁気抵抗体１７
１〜１７ｎ−ｓが円板３３の各２進法で重み付けられた
りｙグと対向させる。
磁気抵抗素子２６の磁気抵抗体１７の数をｎとし、１回
転を測る分解能は、 ６０ ｎｆ１２１−ｔ で表わされ、例えばｎ ＋−１を８とするとｎ−１ｔＩ
Ｏとすると 。
転を測る分解能は、 ６０ ｎｆ１２１−ｔ で表わされ、例えばｎ ＋−１を８とするとｎ−１ｔＩ
Ｏとすると 。
となる。
この角度針は、デジタル信号として高速処理≠（できる
利点があり、例えばポテンションメーターなどを利用し
た゛角度針でデジタル信号を得ようとする場合、アナロ
グ信号をデジタル信号に変換する、いわゆるＡ−Ｄ変換
器の変換速度は、時定数回路を使用するなどのため高速
処理が基本的にむずかしい。従って高速度で変化する角
度をデジタル信号として検出して処理する場合にこの発
明の磁気抵抗素子は利用できる。
利点があり、例えばポテンションメーターなどを利用し
た゛角度針でデジタル信号を得ようとする場合、アナロ
グ信号をデジタル信号に変換する、いわゆるＡ−Ｄ変換
器の変換速度は、時定数回路を使用するなどのため高速
処理が基本的にむずかしい。従って高速度で変化する角
度をデジタル信号として検出して処理する場合にこの発
明の磁気抵抗素子は利用できる。
第９図は磁気駆動により移動体を移動させ、例えはスク
リーンあるいはカーテンの開閉に利用することができる
。即ち第１相コイル列３５と第２相コイル列３６とが、
＃！１０図に示すよ′うに電気角で４分のＫだけずらさ
れて重ねて配され、このコイル列３５．３６の配列方向
に沿って磁性体による位置記録部、例えば２進コード記
録を有する移動用ガイドバー３７が設けられ、このガイ
トノく一３７上に移動体３８が挿通される。移動体３８
にはコイル列３５．３６とＮ、Ｓが対向する磁石３９及
びガイドバー３７の磁気２進コードをｇ取る磁気抵抗素
子２６を備えている。
リーンあるいはカーテンの開閉に利用することができる
。即ち第１相コイル列３５と第２相コイル列３６とが、
＃！１０図に示すよ′うに電気角で４分のＫだけずらさ
れて重ねて配され、このコイル列３５．３６の配列方向
に沿って磁性体による位置記録部、例えば２進コード記
録を有する移動用ガイドバー３７が設けられ、このガイ
トノく一３７上に移動体３８が挿通される。移動体３８
にはコイル列３５．３６とＮ、Ｓが対向する磁石３９及
びガイドバー３７の磁気２進コードをｇ取る磁気抵抗素
子２６を備えている。
第１０図に示すように第１相コイル列３５のコイル３５
Ａ、３５Ｂ・・０と第２相コイル列３６のコイル３６＆
、３６ｂ、・・・それぞれそのコイル列の配列方向に配
列された一対のコイルよ）成シ、その各コイル対はそれ
ぞれの端子４１．４２よシ選択的に電流を流すことがで
き、その一対のコイルは逆向きの磁束を発生する。端子
４１を正側、端子４２を負側として電流を流すと実線矢
印のように電流が流れる。磁石３９の磁極Ｎ、Ｓの間隔
は各コイルの間隔と岬しくされている。ガイドバー３７
上の磁気的位置記録部は例えば電気角で７ごとに１増加
するように第１１図に示すように記録されている。移動
体３８に取付けた磁気抵抗素子２６からの信号をデジタ
ル演算し、コイル列３５．３６を駆動して設定した位置
に移動体３８を移動させる。その時の第１相コイル列３
５、第２相コイル列３６に対する駆動電流は第１２図に
示すようにして移動体３８を第９図において右側に移動
させる。
Ａ、３５Ｂ・・０と第２相コイル列３６のコイル３６＆
、３６ｂ、・・・それぞれそのコイル列の配列方向に配
列された一対のコイルよ）成シ、その各コイル対はそれ
ぞれの端子４１．４２よシ選択的に電流を流すことがで
き、その一対のコイルは逆向きの磁束を発生する。端子
４１を正側、端子４２を負側として電流を流すと実線矢
印のように電流が流れる。磁石３９の磁極Ｎ、Ｓの間隔
は各コイルの間隔と岬しくされている。ガイドバー３７
上の磁気的位置記録部は例えば電気角で７ごとに１増加
するように第１１図に示すように記録されている。移動
体３８に取付けた磁気抵抗素子２６からの信号をデジタ
ル演算し、コイル列３５．３６を駆動して設定した位置
に移動体３８を移動させる。その時の第１相コイル列３
５、第２相コイル列３６に対する駆動電流は第１２図に
示すようにして移動体３８を第９図において右側に移動
させる。
以上述べ友ようにこの発明によれば、・温度に影響され
ない多数の磁気抵抗体をもつ磁気抵抗素子を小形に作る
ことができる。
ない多数の磁気抵抗体をもつ磁気抵抗素子を小形に作る
ことができる。
第１図は従来の磁気抵抗素子を示す図、Ｍ２図は従来の
磁気抵抗素子を多数設けた例を示す接続図、！＠３図は
この発明による磁気抵抗素子の一例を示す平面図、第４
図は第３図のＡ Ａ’Ｍ断面図、第５図は第３図のＢＢ
’線断面図、第６図はこの発明による磁気抵抗素子を用
いた電気的回路を示す図、第７図はこの発明の磁気抵抗
素子を用いた角度検出器を示す図、第８図は円板３３を
示す図、８９図は移動体の磁気駆動装置を示す図、Ｍ２
Ｏ図は１９図の第１相コイル列、第２相コイル列及び移
動体との関係を示す図、第１１図はガイドバー上の磁気
的位置記録の例を示す図、第１２図はコイル列に対する
駆動電流の供給例を示す図である。 １１：基板、１７．１７ｔ 〜１７ｎ：磁気抵抗体、１
８．２１：接着剤層、１ ’Ｊ 、１９ｔ〜１９Ｈ＋＊
：端子、２２：磁石、２３：リード線、２４：磁性体片
、２５：保睦樹脂層。 特許出願人 勧業電気機器株式会社 代理人 草野 車 大 １ 図 第２図 ′７３ 図 第４ 図 ７５図 オ ７ 図 オ８ 図 太６ｔ２１ オ ９ 図 ５ 第１０ 図 第１１図
磁気抵抗素子を多数設けた例を示す接続図、！＠３図は
この発明による磁気抵抗素子の一例を示す平面図、第４
図は第３図のＡ Ａ’Ｍ断面図、第５図は第３図のＢＢ
’線断面図、第６図はこの発明による磁気抵抗素子を用
いた電気的回路を示す図、第７図はこの発明の磁気抵抗
素子を用いた角度検出器を示す図、第８図は円板３３を
示す図、８９図は移動体の磁気駆動装置を示す図、Ｍ２
Ｏ図は１９図の第１相コイル列、第２相コイル列及び移
動体との関係を示す図、第１１図はガイドバー上の磁気
的位置記録の例を示す図、第１２図はコイル列に対する
駆動電流の供給例を示す図である。 １１：基板、１７．１７ｔ 〜１７ｎ：磁気抵抗体、１
８．２１：接着剤層、１ ’Ｊ 、１９ｔ〜１９Ｈ＋＊
：端子、２２：磁石、２３：リード線、２４：磁性体片
、２５：保睦樹脂層。 特許出願人 勧業電気機器株式会社 代理人 草野 車 大 １ 図 第２図 ′７３ 図 第４ 図 ７５図 オ ７ 図 オ８ 図 太６ｔ２１ オ ９ 図 ５ 第１０ 図 第１１図
Claims (1)
- （１）ｎ個（ｎは３以上の整数）の磁気抵抗体と、その
ｎ個の磁気抵抗体の一端にそれぞれ接続され九ｎ個の端
子と、上記ｎ個の磁気抵抗体の他端に共通に接続された
共通端子とを具備する半導体磁気抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108533A JPS5810879A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 半導体磁気抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56108533A JPS5810879A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 半導体磁気抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810879A true JPS5810879A (ja) | 1983-01-21 |
| JPH0221152B2 JPH0221152B2 (ja) | 1990-05-11 |
Family
ID=14487214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56108533A Granted JPS5810879A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 半導体磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810879A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01254880A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Sharp Corp | 磁気パターン検出装置 |
| JP2000088868A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転数センサ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0556660U (ja) * | 1992-01-10 | 1993-07-27 | 河西工業株式会社 | ピラーガーニッシュの取付構造 |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56108533A patent/JPS5810879A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01254880A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-11 | Sharp Corp | 磁気パターン検出装置 |
| JP2000088868A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転数センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0221152B2 (ja) | 1990-05-11 |
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