JPS5810534A - ベンゾフエノン誘導体の製造方法 - Google Patents
ベンゾフエノン誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS5810534A JPS5810534A JP56107596A JP10759681A JPS5810534A JP S5810534 A JPS5810534 A JP S5810534A JP 56107596 A JP56107596 A JP 56107596A JP 10759681 A JP10759681 A JP 10759681A JP S5810534 A JPS5810534 A JP S5810534A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- heteropolyacid
- catalyst
- acid halide
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はベンゾフェノン誘導体を効率良く製造する方法
忙関する。
忙関する。
ベンゾフェノン誘導体は医薬原料、プラスチック添加剤
(紫外線吸収剤)、農薬原料、各種合成用中間体などと
して、有用である。このベンゾフェノン誘導体の製造法
として従来一般的には塩化アルミニウム触媒を用いるフ
リーデル−クラ7ツ型反応による方法が採用されている
。このような例としては、2−クロロベンゾイルクロラ
イドとクロロベンゼンとを塩化アルミニウムの存在下で
反応させて2.4′−ジクロロベンゾフェノンを製造す
る方法がある。
(紫外線吸収剤)、農薬原料、各種合成用中間体などと
して、有用である。このベンゾフェノン誘導体の製造法
として従来一般的には塩化アルミニウム触媒を用いるフ
リーデル−クラ7ツ型反応による方法が採用されている
。このような例としては、2−クロロベンゾイルクロラ
イドとクロロベンゼンとを塩化アルミニウムの存在下で
反応させて2.4′−ジクロロベンゾフェノンを製造す
る方法がある。
しかしながら、この塩化アルミニウムを触媒として用い
るフリーデル−クラ7ツ型反応においては、所定の収率
を得るためには、原料基質に対して当量以上の塩化アル
ミニウムを必要とし、そのため多量の塩化アルミニウム
を使用して行うので反応の操作が困難となシ好ましくな
かった。また、使用された多量の塩化アルミニウム触媒
が回収されず、水溶液として廃水中に流出することがあ
り、それが加水分解により塩酸を生成するので、廃水公
害を拡げる一因となっていた。
るフリーデル−クラ7ツ型反応においては、所定の収率
を得るためには、原料基質に対して当量以上の塩化アル
ミニウムを必要とし、そのため多量の塩化アルミニウム
を使用して行うので反応の操作が困難となシ好ましくな
かった。また、使用された多量の塩化アルミニウム触媒
が回収されず、水溶液として廃水中に流出することがあ
り、それが加水分解により塩酸を生成するので、廃水公
害を拡げる一因となっていた。
本発明者らは、このような塩化アルミニウム触媒を用い
るフリーデル−クラフッ型反応によるベンゾフェノン誘
導体の製造法の欠点を克服するため種々検討を重ねた結
果、安息香酸類の酸ハロゲン化物とベンゼン誘導体を反
応させてベンゾフェノン誘導体を製造するに当り、塩化
アルミニウムの代りに特定のへテロポリ酸化合物を所定
量用いることにより、好収率でベンゾフェノン誘導体を
製造することができ、上記の目的を満足し得ることを見
出した。本発明はこの知見に基づき完成されるに至った
ものである。
るフリーデル−クラフッ型反応によるベンゾフェノン誘
導体の製造法の欠点を克服するため種々検討を重ねた結
果、安息香酸類の酸ハロゲン化物とベンゼン誘導体を反
応させてベンゾフェノン誘導体を製造するに当り、塩化
アルミニウムの代りに特定のへテロポリ酸化合物を所定
量用いることにより、好収率でベンゾフェノン誘導体を
製造することができ、上記の目的を満足し得ることを見
出した。本発明はこの知見に基づき完成されるに至った
ものである。
すなわち本発明は、安息香酸類の酸ハロゲン化物とベン
ゼン誘導体とを反応させるに当り、一般式 %式%(1) (式中、XはOもしくは1〜12の整数を示す)で表わ
されるヘテロポリ酸の存在下で反応を行うことを特徴と
するベンゾフェノン誘導体の装造方法を提供するもので
ある。
ゼン誘導体とを反応させるに当り、一般式 %式%(1) (式中、XはOもしくは1〜12の整数を示す)で表わ
されるヘテロポリ酸の存在下で反応を行うことを特徴と
するベンゾフェノン誘導体の装造方法を提供するもので
ある。
本発明の方法に用いられる上記一般式(I)で表わされ
るヘテロポリ酸触媒の中でH3PMo1204g。
るヘテロポリ酸触媒の中でH3PMo1204g。
H5PMo 1 oV204os H4PMo 1 、
VO46s H6PMogV3040が特に好ましいも
のとしてあげられる。
VO46s H6PMogV3040が特に好ましいも
のとしてあげられる。
ヘテロポリ酸の合成法は一般に公知であり、水溶液中で
原料オキシ酸を縮合させることにより合成できる(例え
ば「触媒J 23 (2)、昭和56年5月11日 p
178〜179参照)。本発明方法に用いられる触媒は
、この方法に準じて製造することができる。
原料オキシ酸を縮合させることにより合成できる(例え
ば「触媒J 23 (2)、昭和56年5月11日 p
178〜179参照)。本発明方法に用いられる触媒は
、この方法に準じて製造することができる。
しかし、このようにして合成されたヘテロポリ酸は通常
、1分子中VC20〜30分子の結晶水を有しているの
で、本発明方法においてはこれを除く必要がある。この
結晶水の除去はへテロポリ酸の室温での真空排気及び、
700℃までの温度範囲での焼成により行うことができ
る。好ましい焼成条件は250〜500℃で2〜4時間
の範囲である。この結晶水の除去が十分でないと原料の
酸ハロゲン化物が容易に加水分解を受けて安息香酸とな
り、収率低下の原因となる。
、1分子中VC20〜30分子の結晶水を有しているの
で、本発明方法においてはこれを除く必要がある。この
結晶水の除去はへテロポリ酸の室温での真空排気及び、
700℃までの温度範囲での焼成により行うことができ
る。好ましい焼成条件は250〜500℃で2〜4時間
の範囲である。この結晶水の除去が十分でないと原料の
酸ハロゲン化物が容易に加水分解を受けて安息香酸とな
り、収率低下の原因となる。
なお、このヘテロポリ酸触媒は、必要に応じ、通常の触
媒担体、例えば活性炭、シリカ、ケイソウ土などに担持
させて用いることができる。
媒担体、例えば活性炭、シリカ、ケイソウ土などに担持
させて用いることができる。
本発明方法は、このヘテロポリ酸触媒の存在下で安息香
酸類の酸ハロゲン化物とベンゼン誘導体とを反応させる
ことにより行われる。
酸類の酸ハロゲン化物とベンゼン誘導体とを反応させる
ことにより行われる。
安息香酸類の酸ハロゲン化物としては、一般式(式中、
Yはハロゲン原子又は低級アルキル基を示し、Xはハロ
ゲン原子を示す) で表わされるものが用いられる。その例としては、ベン
ゾイルクロライド、2−クロロベンゾイルクロライド、
4−クロロベンゾイルクロライド、p−トルオイルクロ
ライドなどがあげられるがこれに限定されない。
Yはハロゲン原子又は低級アルキル基を示し、Xはハロ
ゲン原子を示す) で表わされるものが用いられる。その例としては、ベン
ゾイルクロライド、2−クロロベンゾイルクロライド、
4−クロロベンゾイルクロライド、p−トルオイルクロ
ライドなどがあげられるがこれに限定されない。
一方、ベンゼン誘導体としては、一般式(式中、2は水
素原子又はハロゲン原子を示す)で表わされるものが用
いられる。
素原子又はハロゲン原子を示す)で表わされるものが用
いられる。
この安息香酸類の酸ハロゲン化物とベンゼン誘導体のモ
ル比/fi1:2〜3の範囲が好ましい。この範囲を外
れてベンゼン誘導体の量が少なすぎると生成物が着色す
る傾向を示し、また多すぎると反応速度が低下する、容
積効率が低下するなどの支障があられれる。
ル比/fi1:2〜3の範囲が好ましい。この範囲を外
れてベンゼン誘導体の量が少なすぎると生成物が着色す
る傾向を示し、また多すぎると反応速度が低下する、容
積効率が低下するなどの支障があられれる。
本発明方法において、上記のへテロポリ酸触媒の使用量
は安息香酸類の酸ハロゲン化物に対して、通常1〜20
重量%、好ましくは5〜10重量%の範囲である。触媒
の量が上記範囲の上限を越えると触媒の脱水が不完全の
場合、酸ハロゲン化物が加水分解を受けるため収率が低
下し、下限より少量では、反応速度が遅くなる。
は安息香酸類の酸ハロゲン化物に対して、通常1〜20
重量%、好ましくは5〜10重量%の範囲である。触媒
の量が上記範囲の上限を越えると触媒の脱水が不完全の
場合、酸ハロゲン化物が加水分解を受けるため収率が低
下し、下限より少量では、反応速度が遅くなる。
本発明方法において、反応温度は130〜190℃が好
ましい。この範囲を外れると高温では異性体の副生量お
よび酸ハロゲン化物の分解量がともに増加し、低温では
反応速度が著しく遅くなる。
ましい。この範囲を外れると高温では異性体の副生量お
よび酸ハロゲン化物の分解量がともに増加し、低温では
反応速度が著しく遅くなる。
また、反応圧力は通常常圧から加圧条件下まで任意に選
ぶことができるが、常圧〜50 Kg/all Gの範
囲が好ましい。あまり圧力が高すぎると装置の建設費が
高くなシ実際的でない。圧力が低すぎると反応速度が遅
くなる。
ぶことができるが、常圧〜50 Kg/all Gの範
囲が好ましい。あまり圧力が高すぎると装置の建設費が
高くなシ実際的でない。圧力が低すぎると反応速度が遅
くなる。
本発明方法は、工業的には前記のように、ベンゼン誘導
体を過剰として無溶媒で行ってもよく、また、実験室的
にはヘキサン、二硫化炭素及び、ニトロベンゼンのよう
な溶媒中で行ってもよい。
体を過剰として無溶媒で行ってもよく、また、実験室的
にはヘキサン、二硫化炭素及び、ニトロベンゼンのよう
な溶媒中で行ってもよい。
本発明方法においては、安息香酸の酸・・ロゲン化物と
ベンゼン誘導体が反応して目的のベンゾフェノン誘導体
が得られる。このものは、主に、ベンゼン誘導体の前記
一般式の2に対し、p−位にベンゾイル基が結合したも
のからなる。
ベンゼン誘導体が反応して目的のベンゾフェノン誘導体
が得られる。このものは、主に、ベンゼン誘導体の前記
一般式の2に対し、p−位にベンゾイル基が結合したも
のからなる。
この反応生成物の分離精製は、未反応の原料を減圧留去
したのち、触媒をろ過、水洗などにより適宜分離し、次
いでアルコールで再結晶を行うことにより容易に達成で
きる。
したのち、触媒をろ過、水洗などにより適宜分離し、次
いでアルコールで再結晶を行うことにより容易に達成で
きる。
本発明方法によれば、塩化アルミニウムのように多量を
用いなくても、ヘテロポリ酸触媒を少量用いることKよ
り、好収率でベンゾフェノン誘導体を得ることができる
という優れた利点を有する。
用いなくても、ヘテロポリ酸触媒を少量用いることKよ
り、好収率でベンゾフェノン誘導体を得ることができる
という優れた利点を有する。
しかも、本発明の場合、触媒は、水で分解するようなこ
とがなく、回収、再利用が極めて容易である。本発明方
法は工業的に実施するのに好適である0 次に本発明方法を実施例に基づきさらに詳細に説明する
。
とがなく、回収、再利用が極めて容易である。本発明方
法は工業的に実施するのに好適である0 次に本発明方法を実施例に基づきさらに詳細に説明する
。
実施例1
300mt容のオートクレーブに2−クロロベンゾイル
クロライド50.0 g (286mmot)、りoo
ベンゼン100.0 g (888mmot)及び触媒
として空気中で350℃にて3時間焼成したH3PMO
120400,5〜5 gを仕込み、オートクレーブ内
を窒素で置換後、170℃まで加熱しこの温度で5時間
反応させた。反応終了後オートクレーブ内の圧力は第1
表に示すように9〜25に9/cdGまで昇圧していた
。
クロライド50.0 g (286mmot)、りoo
ベンゼン100.0 g (888mmot)及び触媒
として空気中で350℃にて3時間焼成したH3PMO
120400,5〜5 gを仕込み、オートクレーブ内
を窒素で置換後、170℃まで加熱しこの温度で5時間
反応させた。反応終了後オートクレーブ内の圧力は第1
表に示すように9〜25に9/cdGまで昇圧していた
。
反応終了後反応液をガスクロマトグラフィーで分析した
ところ、2.4’−ジクロロベンゾフェノンが高選択率
かつ好収率で生成していることがわかった。この結果を
第1表に示す。
ところ、2.4’−ジクロロベンゾフェノンが高選択率
かつ好収率で生成していることがわかった。この結果を
第1表に示す。
実施例2
実施例1と同様のオートクレーブに2−クロロベンゾイ
ルクロライド50.0 g (286mmot)、クロ
ロベンゼン100.0 g (888mmot)及び実
施例1と同様の触媒5gを仕込み、オートクレ−プ内を
窒素で置換後反応圧力を2 s ”q/ct aまで昇
圧し、反応温度を130〜190℃の範囲で変えて反応
を開始し5時間反応を行った。反応終了後、反応液をガ
スクロマトグラフィーで分析した。その結果を第2表に
示す。
ルクロライド50.0 g (286mmot)、クロ
ロベンゼン100.0 g (888mmot)及び実
施例1と同様の触媒5gを仕込み、オートクレ−プ内を
窒素で置換後反応圧力を2 s ”q/ct aまで昇
圧し、反応温度を130〜190℃の範囲で変えて反応
を開始し5時間反応を行った。反応終了後、反応液をガ
スクロマトグラフィーで分析した。その結果を第2表に
示す。
実施例3
攪拌機、温度計及び還流冷却器を備えた100mt容の
フラスコに2−クロロベンゾイルクロライド2 s、o
g (143mmot)、クロロベンゼン46.5
g (413mmot)及び空気中300℃で3時間焼
成したH3PMo 1(IV204 (12,5gを仕
込み135℃にて、10時間、還流下で反応させた。
フラスコに2−クロロベンゾイルクロライド2 s、o
g (143mmot)、クロロベンゼン46.5
g (413mmot)及び空気中300℃で3時間焼
成したH3PMo 1(IV204 (12,5gを仕
込み135℃にて、10時間、還流下で反応させた。
反応終了後、反応液をガスクロマトグラフィーで分析し
たところ、仕込んだ2−クロロベンゾイルクロライドに
対するジクロロベンゾフェノンの収率は45,9%であ
シ、その組成は、2.4’−ジクロロベンゾフェノン8
9.4 ess 2 + 2’ yクロロベンゾフ
ェノン10.6%、 4.4’−ジクロロベンゾフェノ
ン0.4%であった。
たところ、仕込んだ2−クロロベンゾイルクロライドに
対するジクロロベンゾフェノンの収率は45,9%であ
シ、その組成は、2.4’−ジクロロベンゾフェノン8
9.4 ess 2 + 2’ yクロロベンゾフ
ェノン10.6%、 4.4’−ジクロロベンゾフェノ
ン0.4%であった。
特許出願人 フクデイハラケミカル株式会社に!A *
fi¥ つ61ゴ・−・声、グ
fi¥ つ61ゴ・−・声、グ
Claims (1)
- (1)安息香酸類の酸ハロゲン化物とベンゼン誘導体と
を反応させるに当り、一般式 %式%(1) (式中、Xは0もしくは1〜12の整数を示す) で表わされるヘテロポリ酸の存在下で反応を行うことを
特徴とするベンゾフェノン誘導体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56107596A JPS5810534A (ja) | 1981-07-11 | 1981-07-11 | ベンゾフエノン誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56107596A JPS5810534A (ja) | 1981-07-11 | 1981-07-11 | ベンゾフエノン誘導体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5810534A true JPS5810534A (ja) | 1983-01-21 |
JPH021822B2 JPH021822B2 (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=14463162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56107596A Granted JPS5810534A (ja) | 1981-07-11 | 1981-07-11 | ベンゾフエノン誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5810534A (ja) |
-
1981
- 1981-07-11 JP JP56107596A patent/JPS5810534A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH021822B2 (ja) | 1990-01-12 |
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