JPS58105151A - 感光性樹脂膜の形成方法 - Google Patents
感光性樹脂膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS58105151A JPS58105151A JP20498181A JP20498181A JPS58105151A JP S58105151 A JPS58105151 A JP S58105151A JP 20498181 A JP20498181 A JP 20498181A JP 20498181 A JP20498181 A JP 20498181A JP S58105151 A JPS58105151 A JP S58105151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- wafer
- film
- area
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/092—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by backside coating or layers, by lubricating-slip layers or means, by oxygen barrier layers or by stripping-release layers or means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体集積回路の製造工程における半導体基
板上への感光性樹脂膜の形成方法に関するものである。
板上への感光性樹脂膜の形成方法に関するものである。
半導体集積回路（以下ＩＣと呼ぶ）の製造においては、
エツチング処理の前工程として第１図に示すように半導
体基板１（以下ウェハと呼ぶ）の表面に感光性樹脂２（
以下ホトレジストと呼ぶ）の塗布が行われる。
エツチング処理の前工程として第１図に示すように半導
体基板１（以下ウェハと呼ぶ）の表面に感光性樹脂２（
以下ホトレジストと呼ぶ）の塗布が行われる。
前記ホトレジストにはネカータイプとポジタイプとがあ
シ、従来はネガタイプのものが多く用いられていた。
シ、従来はネガタイプのものが多く用いられていた。
しかし、ＩＣの機能が拡大してサイズの巨大化集積度の
高密度化が進むにつれて、ＩＣのパターン寸法の微細化
が要求されるようになシ、近年では前記のネガタイプに
代って微細パターン形成に有利な高解像力を持つポジタ
イプのホトレジストが主流になシつつある。
高密度化が進むにつれて、ＩＣのパターン寸法の微細化
が要求されるようになシ、近年では前記のネガタイプに
代って微細パターン形成に有利な高解像力を持つポジタ
イプのホトレジストが主流になシつつある。
このポジタイプホトレジスト（例えば商品名：ＡＺ１４
７０ ）の解像力は、通常の超高圧水銀灯を用いるい
わｉる光露光法では１〜２ミクロンであわ、さらに電子
ビーム露光法ではサブミクロンの領域に入っている。こ
のように微細パターン形成にはほとんどボジタイプホト
レジヌトが用いられておシ、将来的にも主流をしめるも
のと考えられる。
７０ ）の解像力は、通常の超高圧水銀灯を用いるい
わｉる光露光法では１〜２ミクロンであわ、さらに電子
ビーム露光法ではサブミクロンの領域に入っている。こ
のように微細パターン形成にはほとんどボジタイプホト
レジヌトが用いられておシ、将来的にも主流をしめるも
のと考えられる。
しかしながら、このボジタイプホトレジヌ）Ｋは脆性が
大きいという欠点があシ、そのためウェハの取扱の最中
にこわれやすく、こわれたホトレジストの小片はダスト
となってウェハ表面に付着しパターン不良を引き起す原
因となる。
大きいという欠点があシ、そのためウェハの取扱の最中
にこわれやすく、こわれたホトレジストの小片はダスト
となってウェハ表面に付着しパターン不良を引き起す原
因となる。
このような間鵜は、前記ホトレジストの脆性に限ラス、
ホトフアプリケーション用装置の観点からも生じる。
ホトフアプリケーション用装置の観点からも生じる。
すなワチ、ホトファブリケーシッンをま、近年において
は、従来のように各工程においてピンセットでウェハを
１枚づつ搬送していた方式から、カセット−カセット方
式の自動搬送機構を有する装置（例えばレジヌト塗布装
置、露光装置など）を用いる方式に代シつつあり、その
自動搬送のさいに次のような不都合が生じる。その例を
第２図に示す露光装置の場合について説明する。
は、従来のように各工程においてピンセットでウェハを
１枚づつ搬送していた方式から、カセット−カセット方
式の自動搬送機構を有する装置（例えばレジヌト塗布装
置、露光装置など）を用いる方式に代シつつあり、その
自動搬送のさいに次のような不都合が生じる。その例を
第２図に示す露光装置の場合について説明する。
カセット３にセットされたウェハ１はエアあるいはベル
ト４で矢符号Ｐの方・向に搬送され、センタリング用の
センタリングガイド５に当たる。ついでプリアラインの
ために、例えば４個のローラ６・・・とフラットゲージ
７を前記ウェハ１の周面に押しつけた状態で回転させ、
前記ウェハ１のファセットを前記フラットゲージ７で検
出して位置合せが行われ、そのあとプリアラインが行わ
れる。
ト４で矢符号Ｐの方・向に搬送され、センタリング用の
センタリングガイド５に当たる。ついでプリアラインの
ために、例えば４個のローラ６・・・とフラットゲージ
７を前記ウェハ１の周面に押しつけた状態で回転させ、
前記ウェハ１のファセットを前記フラットゲージ７で検
出して位置合せが行われ、そのあとプリアラインが行わ
れる。
さらにファインアライメント部８でマスク合せ。
露光が行われ、その後、エアあるいはベルト９で搬送さ
れてレシーバサイドのカセット１０に収納される。
れてレシーバサイドのカセット１０に収納される。
このような自動搬送工程にかけられるウェハ１において
、その表面・〜のホトレジストの塗布処理がスピナー法
などの通常の塗布方法によシ行われている場合、第１図
に示すようにホトレジスト２はウェハ１の表面だけでな
く、側面にまでまわシ込んで付着しており、搬送機構の
各治具ｙＩＣウェハ１が接触して、ウェハ側面部に付着
′走′ゝトレジストがはげおちることになシ、ボ／Ｊイ
ブノｔトレジヌトを採用する場合のホトレジストのＩｈ
ｆｔ性に起因する現象とまったく同様の不都合を発生さ
せることになる。そして以上の問題点は、ＩＣの大形化
、高集積化、パターン微細化が進むにつれて重大なもの
となってくる。
、その表面・〜のホトレジストの塗布処理がスピナー法
などの通常の塗布方法によシ行われている場合、第１図
に示すようにホトレジスト２はウェハ１の表面だけでな
く、側面にまでまわシ込んで付着しており、搬送機構の
各治具ｙＩＣウェハ１が接触して、ウェハ側面部に付着
′走′ゝトレジストがはげおちることになシ、ボ／Ｊイ
ブノｔトレジヌトを採用する場合のホトレジストのＩｈ
ｆｔ性に起因する現象とまったく同様の不都合を発生さ
せることになる。そして以上の問題点は、ＩＣの大形化
、高集積化、パターン微細化が進むにつれて重大なもの
となってくる。
したがって、この発明の目的は、ＩＣの製造工程中にか
けるウェハの取扱において感光性樹脂膜がはげおちてし
まうことのな込感光性樹脂膜の形成方法を提供すること
である。
けるウェハの取扱において感光性樹脂膜がはげおちてし
まうことのな込感光性樹脂膜の形成方法を提供すること
である。
この発明の一実施例を第３図および第４図に示す。すな
わち、この感光性樹脂膜の形成方法は、ポジタイプのホ
トレジストを用いたＩＣの製造工程において、次の手順
によりウェハ１′の表面周辺領域１／ａおよび側面１’
ｂの全周域にわたって、付着したホトレジストを完全除
去するようにしたものである。
わち、この感光性樹脂膜の形成方法は、ポジタイプのホ
トレジストを用いたＩＣの製造工程において、次の手順
によりウェハ１′の表面周辺領域１／ａおよび側面１’
ｂの全周域にわたって、付着したホトレジストを完全除
去するようにしたものである。
（１） ウェハ１′の表面の周辺領域１ ／ ａおよ
び側面１’ｂの全周域にわたって、例えばゼラチンから
なる水溶性の破傷保護膜１１を塗布形成する（第３図（
Ａ））。
び側面１’ｂの全周域にわたって、例えばゼラチンから
なる水溶性の破傷保護膜１１を塗布形成する（第３図（
Ａ））。
（２）ついで、Ｏ１ｉ記ウェハ１′の表面にポジタイプ
のホトレジスト２′（例えば商品名：ＡＺ１４７０など
）を、スピナー法などの通常の塗布方法により所定の厚
さに塗布する３、この塗布処理によシ、前記被覆保護膜
１１の一部領域にもホトレジスト２′の塗布膜が及ぶが
、ウェハ１′の裏面側までは及ばない（同図（Ｂ ）。
のホトレジスト２′（例えば商品名：ＡＺ１４７０など
）を、スピナー法などの通常の塗布方法により所定の厚
さに塗布する３、この塗布処理によシ、前記被覆保護膜
１１の一部領域にもホトレジスト２′の塗布膜が及ぶが
、ウェハ１′の裏面側までは及ばない（同図（Ｂ ）。
（３） ｆｌｉｔ記のホトレジスト塗布処理のあと、
ウェハ１′を水洗（とくに被覆保護膜１１が形成されて
いる周辺部）して被覆保護膜１１を溶解除去し、この被
覆保護膜１１の除去によりウェハ１′から浮き上がった
ホトレジスト塗布膜周辺部を剥離して、周辺領域１／ａ
および側面１’ｂの全周域にわたって７Ｊ（トレジヌト
２′が完全に除去され、表面の主面領域にのみホトレジ
スト塗布膜を残したウェハ１′とする（同図（Ｑ ）。
ウェハ１′を水洗（とくに被覆保護膜１１が形成されて
いる周辺部）して被覆保護膜１１を溶解除去し、この被
覆保護膜１１の除去によりウェハ１′から浮き上がった
ホトレジスト塗布膜周辺部を剥離して、周辺領域１／ａ
および側面１’ｂの全周域にわたって７Ｊ（トレジヌト
２′が完全に除去され、表面の主面領域にのみホトレジ
スト塗布膜を残したウェハ１′とする（同図（Ｑ ）。
さらに詳しく説明すると、ウェハ１′の側面１’ｂおよ
び周辺領域１′ａのみに被覆保護膜１１を形成する工程
は、例えば第４図に示すように真空チャック１２上にウ
ェハ１′を吸着させて中心を合わせ、この状態でウェハ
１′をほぼ垂直に立てゼラチン１３中にウェハ１′の周
辺部（例えば１〜２ミリ程度）を浸し、そのままウェハ
１′と一体に真空チャック１２を回転させて、ウェハ１
′の側面１’ｂおよび周辺領域１／ａの全周域にわたり
ゼラチン１３を付着させる。ついでウェハ１′をゼラチ
ン１３貯留部からはなして適当な回転数で回転させ、余
分なゼラチン１３をふりとばす。
び周辺領域１′ａのみに被覆保護膜１１を形成する工程
は、例えば第４図に示すように真空チャック１２上にウ
ェハ１′を吸着させて中心を合わせ、この状態でウェハ
１′をほぼ垂直に立てゼラチン１３中にウェハ１′の周
辺部（例えば１〜２ミリ程度）を浸し、そのままウェハ
１′と一体に真空チャック１２を回転させて、ウェハ１
′の側面１’ｂおよび周辺領域１／ａの全周域にわたり
ゼラチン１３を付着させる。ついでウェハ１′をゼラチ
ン１３貯留部からはなして適当な回転数で回転させ、余
分なゼラチン１３をふりとばす。
ゼラチン１３からなる被覆保護膜１１とこの被覆保護膜
１１上のホトレジスト２′の除去処理は、例えばホトレ
ジスト塗布処理終了後、ウェハ１′表面にスプレー法に
よシ水をふきかけて被覆保護膜１１を溶解するとともに
、被覆保護膜１１の除去によシウェハ１′から浮き上っ
たホトレジスト塗布膜周辺部をリフトオフするか、ある
いは、前記の被覆保護膜１１の形成の場合と同じ方式で
、水の中にウェハ】′の周辺部のみを浸してウェハ１′
を回転させる方式などが可能であるが、どのような方式
であれ、被覆保護膜１１の一部にホトレジスト２′の塗
布されていない領域（ウェハ１′裏面）がある限り、こ
の部分から被覆保護膜１１の溶解除去がはたされるため
、ウェハ１′から浮き上った状態を呈するホトレジスト
塗布膜周辺部は容易にリフトオフされる。
１１上のホトレジスト２′の除去処理は、例えばホトレ
ジスト塗布処理終了後、ウェハ１′表面にスプレー法に
よシ水をふきかけて被覆保護膜１１を溶解するとともに
、被覆保護膜１１の除去によシウェハ１′から浮き上っ
たホトレジスト塗布膜周辺部をリフトオフするか、ある
いは、前記の被覆保護膜１１の形成の場合と同じ方式で
、水の中にウェハ】′の周辺部のみを浸してウェハ１′
を回転させる方式などが可能であるが、どのような方式
であれ、被覆保護膜１１の一部にホトレジスト２′の塗
布されていない領域（ウェハ１′裏面）がある限り、こ
の部分から被覆保護膜１１の溶解除去がはたされるため
、ウェハ１′から浮き上った状態を呈するホトレジスト
塗布膜周辺部は容易にリフトオフされる。
このように、ウェハｌ′の周辺部全域に水溶性のゼラチ
ン１３からなる被覆保護膜１１を形成して、その上から
ホトレジスト２′を塗布し、そのあと被覆保護膜１１を
水洗除去してホトレジスト塗布膜の周辺部を剥離するよ
うにしたため、ウェハ１′の周辺領域１ ／ ａおよび
側面１’ｂにホトレジスト２′が残ることがなく、ホト
レジスト塗布膜をウェハ１′の主面領域に限定して形成
することができ、工程の途中でのウェハ１′の取扱に伴
ってホトレジスト２′がはげおち、その小片がウェハ１
′上に再付着してパターン不良の発生原因をつくるとい
った不都合が生じず、大面積、微細パターンＩＣの製造
歩留＃）ｆ：大幅に向上させることができる。
ン１３からなる被覆保護膜１１を形成して、その上から
ホトレジスト２′を塗布し、そのあと被覆保護膜１１を
水洗除去してホトレジスト塗布膜の周辺部を剥離するよ
うにしたため、ウェハ１′の周辺領域１ ／ ａおよび
側面１’ｂにホトレジスト２′が残ることがなく、ホト
レジスト塗布膜をウェハ１′の主面領域に限定して形成
することができ、工程の途中でのウェハ１′の取扱に伴
ってホトレジスト２′がはげおち、その小片がウェハ１
′上に再付着してパターン不良の発生原因をつくるとい
った不都合が生じず、大面積、微細パターンＩＣの製造
歩留＃）ｆ：大幅に向上させることができる。
また、この実施例では、前記被覆保護膜１１の材料とし
て水溶性のゼラチン１３を用いているため、ホトレジス
ト塗布後における被覆保−膜１１の除去を水洗処理によ
って行うことができ、その水洗処理に伴ってホトレジス
ト２′の特性に変化を与えたシホトレジスト２′を流失
させるといったおそれがなく、その除去処理を極めて簡
単に行うことができる。
て水溶性のゼラチン１３を用いているため、ホトレジス
ト塗布後における被覆保−膜１１の除去を水洗処理によ
って行うことができ、その水洗処理に伴ってホトレジス
ト２′の特性に変化を与えたシホトレジスト２′を流失
させるといったおそれがなく、その除去処理を極めて簡
単に行うことができる。
もっとも、前記被覆保護膜１１の材料としては、前記の
ゼラチンに限らずそのほかの溶剤によって溶解除去の可
能な材料であってもよいが、その溶剤としては、ホトレ
ジスト２′の特性を変化させたυ、ホトレジスト２′自
体を溶解流失させてしまう有機溶刺々どは避けなければ
ならないことは勿論である。
ゼラチンに限らずそのほかの溶剤によって溶解除去の可
能な材料であってもよいが、その溶剤としては、ホトレ
ジスト２′の特性を変化させたυ、ホトレジスト２′自
体を溶解流失させてしまう有機溶刺々どは避けなければ
ならないことは勿論である。
以上のように、この発明の感光性樹脂膜の形成方法は、
半導体基板の両面周辺部および側面の全周域に被覆保護
膜を塗布形成する被覆保護膜形成工程と、前記半導体基
板の表面にホトレジストを塗布するホトレジスト塗布工
程と、前記ホトレジメトが反応および溶解せずかつ前記
被覆保護膜を溶解する溶剤によシ前記被覆保護膜を前記
半導体基板から溶解除去する被覆保護膜除去工程と、前
記被覆保護膜除去によシ半導体基板周辺部から浮き上っ
たホトレジスト周辺部を前記半導体基板から剥離するホ
トレジスト周辺部剥離工程とを含むものであるため、ウ
ェハの周辺領域および側面にホトレジストが残ることが
なく、ＩＣの製造工程の途中でのウェハの取扱に伴って
ホトレジストがはげおちるのを防止でき、ホトレジスト
の破片に起因するパターン不良の発生を回避して、大面
積。
半導体基板の両面周辺部および側面の全周域に被覆保護
膜を塗布形成する被覆保護膜形成工程と、前記半導体基
板の表面にホトレジストを塗布するホトレジスト塗布工
程と、前記ホトレジメトが反応および溶解せずかつ前記
被覆保護膜を溶解する溶剤によシ前記被覆保護膜を前記
半導体基板から溶解除去する被覆保護膜除去工程と、前
記被覆保護膜除去によシ半導体基板周辺部から浮き上っ
たホトレジスト周辺部を前記半導体基板から剥離するホ
トレジスト周辺部剥離工程とを含むものであるため、ウ
ェハの周辺領域および側面にホトレジストが残ることが
なく、ＩＣの製造工程の途中でのウェハの取扱に伴って
ホトレジストがはげおちるのを防止でき、ホトレジスト
の破片に起因するパターン不良の発生を回避して、大面
積。
微細パターンＩＣの製造歩留シを大幅に向上させること
ができる。
ができる。
第１図は従来例による感光性樹脂膜の形成状態を示すウ
ェハの部分拡大断面図、第２図はプリアライメント機構
付露光装置におけるウェハの自動搬送動作を示す平面図
、第３図（３）ないし回はこの発明の一実施例を示す工
程説明図、第４図はその被覆保護膜形成工程を示す説明
図である。 １′・・・ウェハ（半導体基板）、１′ａ・・周辺領域
、第３図 第４図
ェハの部分拡大断面図、第２図はプリアライメント機構
付露光装置におけるウェハの自動搬送動作を示す平面図
、第３図（３）ないし回はこの発明の一実施例を示す工
程説明図、第４図はその被覆保護膜形成工程を示す説明
図である。 １′・・・ウェハ（半導体基板）、１′ａ・・周辺領域
、第３図 第４図
Claims (2)
- （１）半導体基板の両面周辺部および側面の全周域に被
覆保護膜を塗布形成する被覆保護膜形成工程と、前記半
導体基板の表面にホトレジストを塗布するホトレジスト
塗布工程と、前記ホトレジストが反応および溶解せずか
つ前記被覆保護膜を溶解する溶剤により前記被覆保護膜
を前記半導体基板から醍解除去する被覆保護膜除去工程
と、前記被覆保護膜除去によシ半導体基板周辺部から浮
き上ったホトレジスト周辺部を前記半導体基板から剥離
するホトレジスト周辺部剥離工程とを含む感光性樹脂膜
の形成方法。 - （２）前記被覆保護膜はゼラチンからなり、前記溶剤は
水である特許請求の範囲第（１）項記載の感光性樹脂膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20498181A JPS58105151A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 感光性樹脂膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20498181A JPS58105151A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 感光性樹脂膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58105151A true JPS58105151A (ja) | 1983-06-22 |
Family
ID=16499491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20498181A Pending JPS58105151A (ja) | 1981-12-17 | 1981-12-17 | 感光性樹脂膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58105151A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4665468A (en) * | 1984-07-10 | 1987-05-12 | Nec Corporation | Module having a ceramic multi-layer substrate and a multi-layer circuit thereupon, and process for manufacturing the same |
| JPH0270432U (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-29 | ||
| JP2014045171A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
| JP6400161B1 (ja) * | 2017-08-08 | 2018-10-03 | キヤノン株式会社 | 成膜方法、ドライフィルムの製造方法、および液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2019054252A (ja) * | 2018-10-24 | 2019-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
-
1981
- 1981-12-17 JP JP20498181A patent/JPS58105151A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4665468A (en) * | 1984-07-10 | 1987-05-12 | Nec Corporation | Module having a ceramic multi-layer substrate and a multi-layer circuit thereupon, and process for manufacturing the same |
| JPH0270432U (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-29 | ||
| JP2014045171A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
| JP6400161B1 (ja) * | 2017-08-08 | 2018-10-03 | キヤノン株式会社 | 成膜方法、ドライフィルムの製造方法、および液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2019033171A (ja) * | 2017-08-08 | 2019-02-28 | キヤノン株式会社 | 成膜方法、ドライフィルムの製造方法、および液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2019054252A (ja) * | 2018-10-24 | 2019-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7387855B2 (en) | Anti-ESD photomask blank | |
| JP2002023340A5 (ja) | ||
| US7319073B2 (en) | Method of reducing silicon damage around laser marking region of wafers in STI CMP process | |
| US6506688B2 (en) | Method for removing photoresist layer on wafer edge | |
| WO2017114404A1 (zh) | 一种硅片边缘的保护方法及光刻曝光装置 | |
| JPS58105151A (ja) | 感光性樹脂膜の形成方法 | |
| US7208326B2 (en) | Edge protection process for semiconductor device fabrication | |
| US5885756A (en) | Methods of patterning a semiconductor wafer having an active region and a peripheral region, and patterned wafers formed thereby | |
| JPH01260451A (ja) | ダイシングラインの形成方法 | |
| US7368229B2 (en) | Composite layer method for minimizing PED effect | |
| JP2001230197A (ja) | 端面膜除去方法および電子線描画方法 | |
| CN106505028A (zh) | 掩模图案的形成方法、基板的加工方法及元件芯片的制法 | |
| US6688948B2 (en) | Wafer surface protection method | |
| TWI310579B (en) | Method for utilizing a dry film | |
| JPS5898733A (ja) | 現像装置 | |
| JPH0364758A (ja) | フォトレジスト剥離方法 | |
| JPS6251228A (ja) | ガリウム−砒素モノリシツクマイクロ波集積回路の製造方法 | |
| JPH05275324A (ja) | レジスト除去方法および装置 | |
| JPS61137320A (ja) | ウエハ処理装置 | |
| CN112255884B (zh) | 一种光刻图形的制造方法与制造*** | |
| JPS6179227A (ja) | 感光性レジストを用いたパタ−ン形成方法 | |
| JPH0697066A (ja) | 半導体装置製造用フォトマスク | |
| JPS61184824A (ja) | レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置 | |
| JPS6381354A (ja) | ホトマスク | |
| JPH04249248A (ja) | レチクル・マスクの防塵方法 |