JPS58103142A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58103142A JPS58103142A JP20212681A JP20212681A JPS58103142A JP S58103142 A JPS58103142 A JP S58103142A JP 20212681 A JP20212681 A JP 20212681A JP 20212681 A JP20212681 A JP 20212681A JP S58103142 A JPS58103142 A JP S58103142A
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Classifications
-
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（υ 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法、特に半導体テッグ面上
の保躾皮膜の整形方法に関す。
の保躾皮膜の整形方法に関す。
（２）技術の背景
ダイナ建ｖり２ンダム アタ令スメモリ（ｄｙｅ闘ｍｌ
Ｃｒａｎｄｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ ：以下Ｄ
ＲＡＭと略称する）及び電荷納会素子（ｃｈａｒｇ＠ｃ
ｏｕｐ１番ｄ ｄｅ−マＩＣ・：以下ＣＣＤと略称する
）のソフトエラー（，１ が電離作用の強要放射＊によって発生することが知られ
ている。
Ｃｒａｎｄｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ ：以下Ｄ
ＲＡＭと略称する）及び電荷納会素子（ｃｈａｒｇ＠ｃ
ｏｕｐ１番ｄ ｄｅ−マＩＣ・：以下ＣＣＤと略称する
）のソフトエラー（，１ が電離作用の強要放射＊によって発生することが知られ
ている。
すなわち、ＤＲＡＭのパッケージ材料等に微量に存在す
るクジン（し）やトリウム（Ｔｈ）が放射性崩壊する際
にアルファ粒子が放出される：とのアルファ粒子が＃Ｄ
ＲＡＭのチップ表面を透過する際に記憶ノード付近に多
数の電子−正孔対を形成して記憶デー−を逆転してソフ
トエ２−となるものである。
るクジン（し）やトリウム（Ｔｈ）が放射性崩壊する際
にアルファ粒子が放出される：とのアルファ粒子が＃Ｄ
ＲＡＭのチップ表面を透過する際に記憶ノード付近に多
数の電子−正孔対を形成して記憶デー−を逆転してソフ
トエ２−となるものである。
仁のソフトエラーは、ＤＲＡＭが高集積化され、各メモ
リーセルの電荷蓄積量が少くなるに伴って顕在化して来
九が、その原因であるαやＴｈは該デバイス中のパッケ
ージ材料特に成形樹脂中のフィラーに多く含まれている
。
リーセルの電荷蓄積量が少くなるに伴って顕在化して来
九が、その原因であるαやＴｈは該デバイス中のパッケ
ージ材料特に成形樹脂中のフィラーに多く含まれている
。
（３）従来技術と問題点
前記のパッケージ材料中のｕ＋Ｔｂに起因するソフトエ
ラーを防止する目的の従来技術による半導体装置の構造
の一例の水平断面図を第１図（ａ）に、垂直断面図を第
１図（ｂ）Ｋ示す。なお断面に現われないワイヤを付記
している。図において、ＩＦｉ手導体チップ、２はチッ
プｌを支持する基板、３は鉄（Ｆ・）ニッケル（Ｎ１）
合金に銀（ムｇ）もしくは金ＣＡｕ）め２１ｍ１Ｖｒ施
し丸ものである。半導体テップｌけ基板２ＫＡｕ−３１
共晶會金４等によりｌンダイングされ、又、チップ１の
パッドと外部電子３とはワイヤ５によ少飯続される。
ラーを防止する目的の従来技術による半導体装置の構造
の一例の水平断面図を第１図（ａ）に、垂直断面図を第
１図（ｂ）Ｋ示す。なお断面に現われないワイヤを付記
している。図において、ＩＦｉ手導体チップ、２はチッ
プｌを支持する基板、３は鉄（Ｆ・）ニッケル（Ｎ１）
合金に銀（ムｇ）もしくは金ＣＡｕ）め２１ｍ１Ｖｒ施
し丸ものである。半導体テップｌけ基板２ＫＡｕ−３１
共晶會金４等によりｌンダイングされ、又、チップ１の
パッドと外部電子３とはワイヤ５によ少飯続される。
本従来技術例においては、半導体チｙ７′ｘ上にポリイ
ンド系樹脂もしくはシリコーン樹脂等よｐなる皮膜６を
アルファ１ｍ阻止の目的で設けた後に、エポキシ偽′脂
によルパッケージ７を形成している。
ンド系樹脂もしくはシリコーン樹脂等よｐなる皮膜６を
アルファ１ｍ阻止の目的で設けた後に、エポキシ偽′脂
によルパッケージ７を形成している。
前記のポリインド系樹脂もしくはシリコーン樹脂等より
なる皮ｊＫ６がアルファ線を阻止する友めには少くとも
１００μ富の厚さを必豐とする。しかるに粘性の大きめ
＃軒を滴下等の方法によってチップｌ上に付着ぜしめる
とき、チップ面上をほぼ均一の厚さに被覆する仁となく
、滴下位置において厚く、チｙ ７’ １ ｆ） Ｊｌ
１辺においては薄く被覆する九めに、この材料を固化し
たとき、彫１図（ｂ）に皮ｌ１４６として示す如く、中
央付近においては厚く、周辺においては薄い皮膜となり
１周辺付近においては目的とするアルファ！ＩＩＩＵ止
効果が得られない結果となる・ チップ１０周辺部分における皮［１６の厚さが、１００
ｋｇ以上となる様に、中央部分が厚い従来の形状の１１
で樹脂量を増加して全体を厚くすると１１は、バラケー
ジ７の肉厚がチップ１の中央部分において過度に薄くな
るという問題を惹起する・（４） 発明の目的 本発明は、半導体チップ面を流動性を有する物質で被覆
し、核物質を固化せしめて該チップ面に■態皮膜を形成
する半導体装置の製造方法において、工業的に容易に実
施できる該皮膜の整形方法を提供することを目的とする
。
なる皮ｊＫ６がアルファ線を阻止する友めには少くとも
１００μ富の厚さを必豐とする。しかるに粘性の大きめ
＃軒を滴下等の方法によってチップｌ上に付着ぜしめる
とき、チップ面上をほぼ均一の厚さに被覆する仁となく
、滴下位置において厚く、チｙ ７’ １ ｆ） Ｊｌ
１辺においては薄く被覆する九めに、この材料を固化し
たとき、彫１図（ｂ）に皮ｌ１４６として示す如く、中
央付近においては厚く、周辺においては薄い皮膜となり
１周辺付近においては目的とするアルファ！ＩＩＩＵ止
効果が得られない結果となる・ チップ１０周辺部分における皮［１６の厚さが、１００
ｋｇ以上となる様に、中央部分が厚い従来の形状の１１
で樹脂量を増加して全体を厚くすると１１は、バラケー
ジ７の肉厚がチップ１の中央部分において過度に薄くな
るという問題を惹起する・（４） 発明の目的 本発明は、半導体チップ面を流動性を有する物質で被覆
し、核物質を固化せしめて該チップ面に■態皮膜を形成
する半導体装置の製造方法において、工業的に容易に実
施できる該皮膜の整形方法を提供することを目的とする
。
（５）発明の構成
本発明の前記目的は、前記チップ面の中央部において前
記流動性を有する物質に対し圧力を加えつつ核物質を固
化することによｐ達成される。
記流動性を有する物質に対し圧力を加えつつ核物質を固
化することによｐ達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明を実施例によシ図面を参照して具体的Ｋａ明
する。
する。
第２図（１）乃至伽）は本発明の第一の実施例を示す模
式図である。すなわち半導体テップ】１が第２図（（転
）ｋ示す如くノズル１２下に置かれ、ノズル１２より流
動性を有する物質、例えばポリインド系樹脂１３を滴下
する。滴下され九樹脂は第２図（ｂ）Ｋ符号１４で示す
如く中央部が厚く周辺部が薄い山形をなす。本実施例に
おいては、第２図（Ｃ） Ｋ示す如くこのチップ１１を
加熱した窒素（Ｎ黛） ｔ−噴出するノズル１５の直下
に送シ、ｔシブ１１の中央部分に加熱Ｎ、を吹きつける
。このＮ、により圧力が加えられる結果、樹脂は符号１
６で示す如く周辺に流動してチップ１１０周辺部におい
て４所要の厚さを保つこととなる。この状態を続けつつ
樹脂を固化することによって、＠２図（ｄ）において符
号１７で示す如く、チップ１１の所要範囲において所要
の厚さを有するポリインド系樹脂による固態皮Ｊ［を得
る。
式図である。すなわち半導体テップ】１が第２図（（転
）ｋ示す如くノズル１２下に置かれ、ノズル１２より流
動性を有する物質、例えばポリインド系樹脂１３を滴下
する。滴下され九樹脂は第２図（ｂ）Ｋ符号１４で示す
如く中央部が厚く周辺部が薄い山形をなす。本実施例に
おいては、第２図（Ｃ） Ｋ示す如くこのチップ１１を
加熱した窒素（Ｎ黛） ｔ−噴出するノズル１５の直下
に送シ、ｔシブ１１の中央部分に加熱Ｎ、を吹きつける
。このＮ、により圧力が加えられる結果、樹脂は符号１
６で示す如く周辺に流動してチップ１１０周辺部におい
て４所要の厚さを保つこととなる。この状態を続けつつ
樹脂を固化することによって、＠２図（ｄ）において符
号１７で示す如く、チップ１１の所要範囲において所要
の厚さを有するポリインド系樹脂による固態皮Ｊ［を得
る。
第３図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の第二の実施例を示す
模式図である・本実施例においては、第一の実施例と同
様にポリインド系樹脂をチップ１１に滴下し、第３図（
ｃ）Ｋ示す如く押え具１８によってチップ１１の中央部
分において樹脂に圧力を加える０この状態において樹脂
を固化することによ〉第３図（ｄ）ｋおいて符号１９で
示す如く所要の固層皮膜を＃る。
模式図である・本実施例においては、第一の実施例と同
様にポリインド系樹脂をチップ１１に滴下し、第３図（
ｃ）Ｋ示す如く押え具１８によってチップ１１の中央部
分において樹脂に圧力を加える０この状態において樹脂
を固化することによ〉第３図（ｄ）ｋおいて符号１９で
示す如く所要の固層皮膜を＃る。
（７） 発明の効果
本発明は半導体チップ面を流動性を有する状態の樹脂等
の物質で被覆し、核物質を固化せしめて皺ｔッグＩＩＫ
固態皮膜を形成するに際して、チップ面の中央部におい
て該物質に対し圧力を加えつつ核物質を固化するととＫ
よシ、所要の形状特に厚さを有する固層皮膜を形成する
半導体装置の製造方法を提供するものであって、皺チッ
プに形成されたＤＲＡＭ等のソフトエラーの防止等、半
導体装置の１頼性向上に効果が大きく、かつ工業的に容
重に奥施し得る利点を有する。
の物質で被覆し、核物質を固化せしめて皺ｔッグＩＩＫ
固態皮膜を形成するに際して、チップ面の中央部におい
て該物質に対し圧力を加えつつ核物質を固化するととＫ
よシ、所要の形状特に厚さを有する固層皮膜を形成する
半導体装置の製造方法を提供するものであって、皺チッ
プに形成されたＤＲＡＭ等のソフトエラーの防止等、半
導体装置の１頼性向上に効果が大きく、かつ工業的に容
重に奥施し得る利点を有する。
第Ｚｌｅｌ（１ｍ）は従来技術による半導体装置の一例
を示す水平断面図、第１図（ｂ）＃′ｉその垂直断面図
、第２図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の一実施例、第３図
体）乃至（句は本発明の他の実−例を示す。 図において、ＩＦｉ半導体チップ、２は基板、３Ｕ外部
端子、４はＡｕ−８１共晶合金、５はワイヤ、６は皮膜
、７けバタケージ、ＩＩＨ半導体チップ、１２はノズル
、１３．１４及び１６は樹脂の形状、１５はノズル、１
７は皮膜、１８は押え具、１９は皮膜を示す。 （ｔス、ン （ｂ〕
Ｃｏ （ｄ）′Ｉ！
３ 図
を示す水平断面図、第１図（ｂ）＃′ｉその垂直断面図
、第２図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の一実施例、第３図
体）乃至（句は本発明の他の実−例を示す。 図において、ＩＦｉ半導体チップ、２は基板、３Ｕ外部
端子、４はＡｕ−８１共晶合金、５はワイヤ、６は皮膜
、７けバタケージ、ＩＩＨ半導体チップ、１２はノズル
、１３．１４及び１６は樹脂の形状、１５はノズル、１
７は皮膜、１８は押え具、１９は皮膜を示す。 （ｔス、ン （ｂ〕
Ｃｏ （ｄ）′Ｉ！
３ 図
Claims (1)
- 半導体チップ向を流動性を有する物質で被覆し、該物質
を固化せしめて該チップ面に動態皮膜を形成する半導体
装置の製造方法において、鋏チＶプ面の中央部において
＃流動性を有する物質に対し圧力を加えつつ皺物質を固
化することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20212681A JPS58103142A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20212681A JPS58103142A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58103142A true JPS58103142A (ja) | 1983-06-20 |
Family
ID=16452388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20212681A Pending JPS58103142A (ja) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58103142A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100778816B1 (ko) | 2005-05-19 | 2007-11-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 마이크로 렌즈의 제조 방법, 마이크로 렌즈, 및 광학막,프로젝션용 스크린, 프로젝터 시스템, 전기 광학 장치,전자 기기 |
-
1981
- 1981-12-15 JP JP20212681A patent/JPS58103142A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100778816B1 (ko) | 2005-05-19 | 2007-11-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 마이크로 렌즈의 제조 방법, 마이크로 렌즈, 및 광학막,프로젝션용 스크린, 프로젝터 시스템, 전기 광학 장치,전자 기기 |
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