JPH1197580A - 半導体装置および集積半導体装置 - Google Patents
半導体装置および集積半導体装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積み重ねる半導体装置の接続信頼性を高く得
るように、容易に位置決めが可能な半導体装置および、
その半導体装置より得られる集積半導体装置を提供する
ことを目的とするものである。 【解決手段】 本発明の半導体装置は、スルーホールを
略半分に切断する箇所で裁断することによって基板の側
端面に断面略半円形の複数の凹部を設けるとともにこの
凹部にアウターリードを形成し、基板の片側面に座ぐり
凹部を形成するとともにこの座ぐり凹部の箇所において
基板の両面に開口する開口部を設け、座ぐり凹部を設け
た面と反対側の面において基板の表面にアウターリード
と接続される回路を形成し、座ぐり凹部に半導体素子を
搭載するとともに開口部を通して半導体素子と回路との
間にワイヤーをボンディングし、上記アウターリードと
ワイヤーおよび半導体素子を封止樹脂により封止し、封
止した樹脂により本半導体装置の上面あるいは下面に凸
状、および/または、凹状の嵌合部を形成してなること
を特徴とする。
るように、容易に位置決めが可能な半導体装置および、
その半導体装置より得られる集積半導体装置を提供する
ことを目的とするものである。 【解決手段】 本発明の半導体装置は、スルーホールを
略半分に切断する箇所で裁断することによって基板の側
端面に断面略半円形の複数の凹部を設けるとともにこの
凹部にアウターリードを形成し、基板の片側面に座ぐり
凹部を形成するとともにこの座ぐり凹部の箇所において
基板の両面に開口する開口部を設け、座ぐり凹部を設け
た面と反対側の面において基板の表面にアウターリード
と接続される回路を形成し、座ぐり凹部に半導体素子を
搭載するとともに開口部を通して半導体素子と回路との
間にワイヤーをボンディングし、上記アウターリードと
ワイヤーおよび半導体素子を封止樹脂により封止し、封
止した樹脂により本半導体装置の上面あるいは下面に凸
状、および/または、凹状の嵌合部を形成してなること
を特徴とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気機器や電子機
器に半導体素子を搭載して実装される半導体装置に関し
するもので、特に、高集積化が可能なリードレスチップ
キャリアで構成される半導体装置および集積半導体装置
に関するものである。
器に半導体素子を搭載して実装される半導体装置に関し
するもので、特に、高集積化が可能なリードレスチップ
キャリアで構成される半導体装置および集積半導体装置
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】集積回路用の半導体パッケージとして、
LCC(リードレスチップキャリア)やQFP(Quad F
lat Packag)が知られている。これらの半導体パッケー
ジは、半導体素子のさらなる高集積化にともなって導体
回路の要領増加が強く要求されるようになっている。そ
のため、導体回路の高密度化も進められている。しか
し、LCCの限られた面積内では係る要求に充分対応す
ることができないので、LCCを積層化して高集積化に
対応する方法が考えられた。たとえば、特許公開平成6
年第140738号や特許公開平成5年第29534号
が知られている。
LCC(リードレスチップキャリア)やQFP(Quad F
lat Packag)が知られている。これらの半導体パッケー
ジは、半導体素子のさらなる高集積化にともなって導体
回路の要領増加が強く要求されるようになっている。そ
のため、導体回路の高密度化も進められている。しか
し、LCCの限られた面積内では係る要求に充分対応す
ることができないので、LCCを積層化して高集積化に
対応する方法が考えられた。たとえば、特許公開平成6
年第140738号や特許公開平成5年第29534号
が知られている。
【0003】これらの半導体パッケージを使用した半導
体装置は、図4に示すごとく、積層配置することにより
高集積化を容易に図ることができる半導体装置30であ
るが、積層化する際にそれぞれの半導体装置30の上面
の電極と下面の電極を相対する位置に配置するのが困難
でショートや導通不良が生じていた。
体装置は、図4に示すごとく、積層配置することにより
高集積化を容易に図ることができる半導体装置30であ
るが、積層化する際にそれぞれの半導体装置30の上面
の電極と下面の電極を相対する位置に配置するのが困難
でショートや導通不良が生じていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の点に鑑
みてなされたものであり、積み重ねる半導体装置の接続
信頼性を高く得るように、容易に位置決めが可能な半導
体装置および、その半導体装置より得られる集積半導体
装置を提供することを目的とするものである。
みてなされたものであり、積み重ねる半導体装置の接続
信頼性を高く得るように、容易に位置決めが可能な半導
体装置および、その半導体装置より得られる集積半導体
装置を提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の半導体装置は、スルーホールを略半分に切断する箇所
で裁断することによって基板1の側端面に断面略半円形
の複数の凹部2を設けるとともにこの凹部2にアウター
リード3を形成し、基板1の片側面に座ぐり凹部4を形
成するとともにこの座ぐり凹部4の箇所において基板1
の両面に開口する開口部7を設け、座ぐり凹部4を設け
た面と反対側の面において基板1の表面にアウターリー
ド3と接続される回路5を形成し、座ぐり凹部4に半導
体素子6を搭載するとともに開口部7を通して半導体素
子6と回路5との間にワイヤー8をボンディングし、上
記アウターリード3とワイヤー8および半導体素子6を
封止樹脂9により封止し、封止した樹脂により本半導体
装置30の上面あるいは下面に凸状、および/または、
凹状の嵌合部10bを形成してなることを特徴とする。
の半導体装置は、スルーホールを略半分に切断する箇所
で裁断することによって基板1の側端面に断面略半円形
の複数の凹部2を設けるとともにこの凹部2にアウター
リード3を形成し、基板1の片側面に座ぐり凹部4を形
成するとともにこの座ぐり凹部4の箇所において基板1
の両面に開口する開口部7を設け、座ぐり凹部4を設け
た面と反対側の面において基板1の表面にアウターリー
ド3と接続される回路5を形成し、座ぐり凹部4に半導
体素子6を搭載するとともに開口部7を通して半導体素
子6と回路5との間にワイヤー8をボンディングし、上
記アウターリード3とワイヤー8および半導体素子6を
封止樹脂9により封止し、封止した樹脂により本半導体
装置30の上面あるいは下面に凸状、および/または、
凹状の嵌合部10bを形成してなることを特徴とする。
【0006】本発明の請求項2に記載の半導体装置は、
上記請求項1に記載の半導体装置30において、該封止
樹脂9で形成された嵌合部10により互いに重ね合わせ
る半導体装置30の方向を一定の方向に限定できること
を特徴とする。
上記請求項1に記載の半導体装置30において、該封止
樹脂9で形成された嵌合部10により互いに重ね合わせ
る半導体装置30の方向を一定の方向に限定できること
を特徴とする。
【0007】本発明の請求項3に記載の半導体装置は、
上記請求項1及び請求項2に記載の半導体装置30にお
いて、基板1に搭載された半導体素子6のワイヤー8が
存する反対の側を封止樹脂9により半導体素子6を露出
して封止したことを特徴とする。
上記請求項1及び請求項2に記載の半導体装置30にお
いて、基板1に搭載された半導体素子6のワイヤー8が
存する反対の側を封止樹脂9により半導体素子6を露出
して封止したことを特徴とする。
【0008】本発明の請求項4に記載の集積半導体装置
は、上記請求項1乃至請求項3に記載の半導体装置30
の互いの嵌合部10を嵌合して半導体装置30を積み重
ねることにより形成されることを特徴とする。
は、上記請求項1乃至請求項3に記載の半導体装置30
の互いの嵌合部10を嵌合して半導体装置30を積み重
ねることにより形成されることを特徴とする。
【0009】本発明の半導体装置30は、半導体素子6
を封止する封止樹脂9の金型に、一方のキャビティ面に
は凹状の嵌合部10bが、他方のキャビティ面には凸状
の嵌合部10aが形成できる形状になっている。これら
の凹状と凸状の嵌合部10が半導体装置30を積層する
際に嵌合し、位置ずれすることなく積層することができ
る。この嵌合部10を使用することにより容易に積層す
ることもできる。また、嵌合部10の位置関係により方
向性を一定にすることができ、積層方向の間違いするこ
となく容易に積層することができる。
を封止する封止樹脂9の金型に、一方のキャビティ面に
は凹状の嵌合部10bが、他方のキャビティ面には凸状
の嵌合部10aが形成できる形状になっている。これら
の凹状と凸状の嵌合部10が半導体装置30を積層する
際に嵌合し、位置ずれすることなく積層することができ
る。この嵌合部10を使用することにより容易に積層す
ることもできる。また、嵌合部10の位置関係により方
向性を一定にすることができ、積層方向の間違いするこ
となく容易に積層することができる。
【0010】さらに、半導体装置30の互いの嵌合部1
0を嵌合して半導体装置30を積層する際、絶縁基板1
の側面に形成された電極に、ガイドピンを係合させて半
導体装置30を積層することにより、さらに積層した半
導体装置30のずれの発生を抑制することができる。
0を嵌合して半導体装置30を積層する際、絶縁基板1
の側面に形成された電極に、ガイドピンを係合させて半
導体装置30を積層することにより、さらに積層した半
導体装置30のずれの発生を抑制することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体装置の積層
方法を一実施形態を示す図面に基づいて具体的に説明す
る。
方法を一実施形態を示す図面に基づいて具体的に説明す
る。
【0012】図1は、本発明に係る半導体装置の一実施
形態を示す断面図で、図2は、図1の半導体装置を上方
より見た上面図である。また図3は、上記実施形態を示
す基板の一部を示す斜視図である。
形態を示す断面図で、図2は、図1の半導体装置を上方
より見た上面図である。また図3は、上記実施形態を示
す基板の一部を示す斜視図である。
【0013】本発明の半導体装置は、図1に示す如く、
半導体搭載部11にボンディングワイヤが通過する開口
部7を有する絶縁基板1より形成された半導体パッケー
ジ20と、絶縁基板1の上面、下面ないし側面に電極が
形成された半導体パッケージ20の半導体搭載部11に
半導体素子6が搭載され、上記絶縁基板1の上面および
下面が樹脂封止され、該封止した樹脂により、上面に凸
状の嵌合部10aを形成され、さらに、下面に該凸状の
嵌合部10aに嵌合する凹状の嵌合部10bが形成されて
いる。
半導体搭載部11にボンディングワイヤが通過する開口
部7を有する絶縁基板1より形成された半導体パッケー
ジ20と、絶縁基板1の上面、下面ないし側面に電極が
形成された半導体パッケージ20の半導体搭載部11に
半導体素子6が搭載され、上記絶縁基板1の上面および
下面が樹脂封止され、該封止した樹脂により、上面に凸
状の嵌合部10aを形成され、さらに、下面に該凸状の
嵌合部10aに嵌合する凹状の嵌合部10bが形成されて
いる。
【0014】上記絶縁基板1に形成された電極は、図3
に示すごとく、予め絶縁基板1の周囲に形成されたスル
ーホールを略半分に切断する箇所で裁断することによっ
て、基板1の側端面に断面略半円形の複数の凹部2を設
け、この凹部2がアウターリード3となる。
に示すごとく、予め絶縁基板1の周囲に形成されたスル
ーホールを略半分に切断する箇所で裁断することによっ
て、基板1の側端面に断面略半円形の複数の凹部2を設
け、この凹部2がアウターリード3となる。
【0015】また、上記開口部7は、基板1の片側面に
座ぐり凹部4を形成するとともに、この座ぐり凹部4の
箇所において形成された基板1の両面に開口している口
である。前記座ぐり凹部4を設けた面と反対側の面にお
いて、前述のアウターリード3と接続される回路5が基
板1の表面に形成されている。
座ぐり凹部4を形成するとともに、この座ぐり凹部4の
箇所において形成された基板1の両面に開口している口
である。前記座ぐり凹部4を設けた面と反対側の面にお
いて、前述のアウターリード3と接続される回路5が基
板1の表面に形成されている。
【0016】さらに、上記絶縁基板1の下面に露出した
開口部7の周囲に設けられた半導体搭載部11に、図に
示すごとく半導体素子6を搭載する際、この開口部7を
通して半導体素子6の電極パッドと半導体パッケージの
電極とを金線などのボンディングワイヤー8により電気
的に接続することができるものである。さらに、ワイヤ
ー8と電極とを保護するために、これらを覆うように封
止樹脂9で封止することにより半導体装置30を得るこ
とができるものである。封止樹脂9により半導体素子6
は基板1にさらに強く固定されるようになっている。ま
た、本発明の半導体装置30は、上記封止樹脂9の封止
形状に特徴を有するもので、上面に凸状の嵌合部10a
が形成され、さらに、下面に該上面の凸状の嵌合部10
aに嵌合する凹状の嵌合部10bが形成されている。これ
らの嵌合部10は、半導体装置30を重ねあわせること
で互いに嵌合することができる形状を有し、円柱状の凸
部と、円筒形の凹部とで構成されている。上面に形成さ
れた凸状の嵌合部10aの高さは、下面に形成された凹
状の嵌合部10bの深さより低い寸法に設定され、半導
体装置30を重ね合わせて嵌合する際に、基板1どうし
が当接しても嵌合部10が嵌合した際に空隙が形成され
るようになっている。これらの嵌合部10は、少なくと
もそれぞれ3ヶ所形成したり、非対称の位置に上面と下
面に配置したり、上面と下面に凹状と凸状の嵌合部10
をそれぞれ設けることが重ねあわせる位置を決定するた
めに必要で、図2に示すごとく、本実施例では上面が方
形の半導体装置30に3ヶ所形成されている。3ヶ所形
成されていると、反転間違いすることなく確実に一定の
方向に位置決めセットすることができる。図1に示す半
導体装置30は、2つを重ねあわせて積載したもので、
下の半導体装置30の基板1のアウターリード3の上部
電極上に、上の半導体装置30の基板1のアウターリー
ド3の下部電極を導電性材料を介して重ね、上下の基板
1を導電性材料で機械的に接合すると共に上下の基板1
を電気的に接続して、2つの半導体装置30を積載する
ようにしてある。この導電性材料としては異方性導電性
接着剤を用いることができる。さらに、上記2つ重ねあ
わせた半導体装置30の上にさらに積載することもでき
る。
開口部7の周囲に設けられた半導体搭載部11に、図に
示すごとく半導体素子6を搭載する際、この開口部7を
通して半導体素子6の電極パッドと半導体パッケージの
電極とを金線などのボンディングワイヤー8により電気
的に接続することができるものである。さらに、ワイヤ
ー8と電極とを保護するために、これらを覆うように封
止樹脂9で封止することにより半導体装置30を得るこ
とができるものである。封止樹脂9により半導体素子6
は基板1にさらに強く固定されるようになっている。ま
た、本発明の半導体装置30は、上記封止樹脂9の封止
形状に特徴を有するもので、上面に凸状の嵌合部10a
が形成され、さらに、下面に該上面の凸状の嵌合部10
aに嵌合する凹状の嵌合部10bが形成されている。これ
らの嵌合部10は、半導体装置30を重ねあわせること
で互いに嵌合することができる形状を有し、円柱状の凸
部と、円筒形の凹部とで構成されている。上面に形成さ
れた凸状の嵌合部10aの高さは、下面に形成された凹
状の嵌合部10bの深さより低い寸法に設定され、半導
体装置30を重ね合わせて嵌合する際に、基板1どうし
が当接しても嵌合部10が嵌合した際に空隙が形成され
るようになっている。これらの嵌合部10は、少なくと
もそれぞれ3ヶ所形成したり、非対称の位置に上面と下
面に配置したり、上面と下面に凹状と凸状の嵌合部10
をそれぞれ設けることが重ねあわせる位置を決定するた
めに必要で、図2に示すごとく、本実施例では上面が方
形の半導体装置30に3ヶ所形成されている。3ヶ所形
成されていると、反転間違いすることなく確実に一定の
方向に位置決めセットすることができる。図1に示す半
導体装置30は、2つを重ねあわせて積載したもので、
下の半導体装置30の基板1のアウターリード3の上部
電極上に、上の半導体装置30の基板1のアウターリー
ド3の下部電極を導電性材料を介して重ね、上下の基板
1を導電性材料で機械的に接合すると共に上下の基板1
を電気的に接続して、2つの半導体装置30を積載する
ようにしてある。この導電性材料としては異方性導電性
接着剤を用いることができる。さらに、上記2つ重ねあ
わせた半導体装置30の上にさらに積載することもでき
る。
【0017】このように2個以上の複数の半導体装置3
0を積載した集積半導体装置40は、その下端の半導体
装置30を図1に示すごとくマザーボード12に半田付
けすることによって、マザーボード12に実装すること
ができるものである。
0を積載した集積半導体装置40は、その下端の半導体
装置30を図1に示すごとくマザーボード12に半田付
けすることによって、マザーボード12に実装すること
ができるものである。
【0018】本実施例では、上面側に凸状の嵌合部10
a、下面側に凹状の嵌合部10bを有する半導体装置30
を説明したが、上面側に凹状の嵌合部10b、下面側に
凸状の嵌合部10aを有する半導体装置30も形成する
ことができ、同様に積み重ねることにより、集積半導体
装置40を形成することができる。
a、下面側に凹状の嵌合部10bを有する半導体装置30
を説明したが、上面側に凹状の嵌合部10b、下面側に
凸状の嵌合部10aを有する半導体装置30も形成する
ことができ、同様に積み重ねることにより、集積半導体
装置40を形成することができる。
【0019】また、図2に示すごとく本発明の半導体装
置30は、下面になる半導体素子6を搭載した側の封止
樹脂9が半導体素子6の表面を覆わないために、半導体
装置30の総厚みを薄くすることができ、さらに、放熱
板の取り付けをすることができる。上述したように、本
発明の半導体装置30及び集積半導体装置40は、基板
1の両面に開口する開口部7を設け、座ぐり凹部4を設
けた面と反対側の面において基板1の表面にアウターリ
ード3と接続される回路5を形成し、座ぐり凹部4に半
導体素子6を搭載するとともに開口部7を通して半導体
素子6と回路5との間にワイヤー8をボンディングし、
上記アウターリード3とワイヤー8および半導体素子6
を封止樹脂9により封止し、封止した樹脂により本半導
体装置30の上面あるいは下面に凸状、および/また
は、凹状の嵌合部10bが形成されているので、配置方
向を気にすることなく容易に積載することができる。
置30は、下面になる半導体素子6を搭載した側の封止
樹脂9が半導体素子6の表面を覆わないために、半導体
装置30の総厚みを薄くすることができ、さらに、放熱
板の取り付けをすることができる。上述したように、本
発明の半導体装置30及び集積半導体装置40は、基板
1の両面に開口する開口部7を設け、座ぐり凹部4を設
けた面と反対側の面において基板1の表面にアウターリ
ード3と接続される回路5を形成し、座ぐり凹部4に半
導体素子6を搭載するとともに開口部7を通して半導体
素子6と回路5との間にワイヤー8をボンディングし、
上記アウターリード3とワイヤー8および半導体素子6
を封止樹脂9により封止し、封止した樹脂により本半導
体装置30の上面あるいは下面に凸状、および/また
は、凹状の嵌合部10bが形成されているので、配置方
向を気にすることなく容易に積載することができる。
【0020】
【発明の効果】上述したように、本発明に係る半導体装
置および集積半導体装置は、基板の側端面に断面略半円
形の複数の凹状のアウターリードを有し、基板の片側面
に座ぐり凹部を形成され、この座ぐり凹部において基板
の両面に開口する開口部を設け、座ぐり凹部に半導体素
子を搭載するとともに前記開口部を通して半導体素子と
回路との間にワイヤーをボンディングし、上記アウター
リードとワイヤーおよび半導体素子を封止樹脂により封
止し、封止した樹脂により本半導体装置の上面あるいは
下面に凸状、および/または、凹状の嵌合部を形成して
なるので、それぞれの半導体装置を積み重ねても容易に
積載することが可能で、高い位置精度を確保することが
できる。また、積載する時間も大幅に短縮することがで
きる。
置および集積半導体装置は、基板の側端面に断面略半円
形の複数の凹状のアウターリードを有し、基板の片側面
に座ぐり凹部を形成され、この座ぐり凹部において基板
の両面に開口する開口部を設け、座ぐり凹部に半導体素
子を搭載するとともに前記開口部を通して半導体素子と
回路との間にワイヤーをボンディングし、上記アウター
リードとワイヤーおよび半導体素子を封止樹脂により封
止し、封止した樹脂により本半導体装置の上面あるいは
下面に凸状、および/または、凹状の嵌合部を形成して
なるので、それぞれの半導体装置を積み重ねても容易に
積載することが可能で、高い位置精度を確保することが
できる。また、積載する時間も大幅に短縮することがで
きる。
【0021】さらに、半導体素子を封止する樹脂を半導
体素子の表面を露出することにより、得られた半導体装
置の全体高さを低くすることができる。
体素子の表面を露出することにより、得られた半導体装
置の全体高さを低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図2】同上の半導体装置の一部の上面図である。
【図3】同上の基板の一部の斜視図である。
【図4】従来の半導体装置を示す断面図である。
1 基板 2 凹部 3 アウターリード 4 座ぐり凹部 5 回路 6 半導体素子 7 開口部 8 ワイヤー 9 封止樹脂 10 嵌合部
Claims (4)
- 【請求項1】 スルーホールを略半分に切断する箇所で
裁断することによって基板の側端面に断面略半円形の複
数の凹部を設けるとともにこの凹部にアウターリードを
形成し、基板の片側面に座ぐり凹部を形成するとともに
この座ぐり凹部の箇所において基板の両面に開口する開
口部を設け、座ぐり凹部を設けた面と反対側の面におい
て基板の表面にアウターリードと接続される回路を形成
し、座ぐり凹部に半導体素子を搭載するとともに開口部
を通して半導体素子と回路との間にワイヤーをボンディ
ングし、上記アウターリードとワイヤーおよび半導体素
子を封止樹脂により封止し、封止した樹脂により本半導
体装置の上面あるいは下面に凸状、および/または、凹
状の嵌合部を形成してなることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項2】 上記請求項1に記載の半導体装置におい
て、該封止樹脂で形成された嵌合部により互いに重ね合
わせる半導体装置の方向を一定の方向に限定できること
を特徴とする半導体装置の積層方法。 - 【請求項3】 上記請求項1及び請求項2に記載の半導
体装置において、基板に搭載された半導体素子のワイヤ
ーが存する反対の側を封止樹脂により半導体素子を露出
して封止したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項4】 上記請求項1乃至請求項3に記載の半導
体装置の互いの嵌合部を嵌合して半導体装置を積み重ね
ることにより形成されることを特徴とする集積半導体装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9257413A JPH1197580A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 半導体装置および集積半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9257413A JPH1197580A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 半導体装置および集積半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1197580A true JPH1197580A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17306040
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9257413A Pending JPH1197580A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | 半導体装置および集積半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1197580A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2396963A (en) * | 2002-11-14 | 2004-07-07 | Agilent Technologies Inc | Semiconductor packaging structure |
JP2007184448A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
WO2014188632A1 (ja) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | パナソニック株式会社 | 放熱構造を有する半導体装置および半導体装置の積層体 |
US9478523B2 (en) | 2014-11-14 | 2016-10-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor packages and methods of fabricating the same |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP9257413A patent/JPH1197580A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2396963A (en) * | 2002-11-14 | 2004-07-07 | Agilent Technologies Inc | Semiconductor packaging structure |
GB2396963B (en) * | 2002-11-14 | 2006-07-26 | Agilent Technologies Inc | Semiconductor packaging structure |
JP2007184448A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-07-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
WO2014188632A1 (ja) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | パナソニック株式会社 | 放熱構造を有する半導体装置および半導体装置の積層体 |
US9478523B2 (en) | 2014-11-14 | 2016-10-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor packages and methods of fabricating the same |
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