JPH1195265A - 電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロルミネッセント素子 - Google Patents
電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロルミネッセント素子Info
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- JPH1195265A JPH1195265A JP9270490A JP27049097A JPH1195265A JP H1195265 A JPH1195265 A JP H1195265A JP 9270490 A JP9270490 A JP 9270490A JP 27049097 A JP27049097 A JP 27049097A JP H1195265 A JPH1195265 A JP H1195265A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 異なった電子輸送性材料を積層することによ
り、または異なったホール輸送層を積層することにより
電子輸送性やホール輸送性を強化したり、抑制したりす
るための技術および前記技術を応用したエレクトロクロ
ミック素子、有機エレクトロルミネッセント素子の提
供。 【解決手段】 異種の電子輸送性材料の積層膜または異
種のホール輸送性材料の積層膜であって、分子平面が基
板と平行になるような状態で、かつその分子の酸化電位
または還元電位の順番に積層されていることを特徴とす
る電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを
用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロ
ルミネッセント素子。
り、または異なったホール輸送層を積層することにより
電子輸送性やホール輸送性を強化したり、抑制したりす
るための技術および前記技術を応用したエレクトロクロ
ミック素子、有機エレクトロルミネッセント素子の提
供。 【解決手段】 異種の電子輸送性材料の積層膜または異
種のホール輸送性材料の積層膜であって、分子平面が基
板と平行になるような状態で、かつその分子の酸化電位
または還元電位の順番に積層されていることを特徴とす
る電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを
用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロ
ルミネッセント素子。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な電子輸送性
積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレク
トロクロミック素子、および有機エレクトロルミネッセ
ント素子（有機ＥＬ素子）に関する。
積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレク
トロクロミック素子、および有機エレクトロルミネッセ
ント素子（有機ＥＬ素子）に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロクロミック材料はその種類に
よって無機エレクトロクロミック材料と有機エレクトロ
クロミック材料に大別される。無機ＥＣ材料の中で、酸
化タングステン（ｔｕｎｇｓｔｅｎ ｏｘｉｄｅ、ＷＯ
3）系は最も詳しく研究されており、安定な表示性能が
その特徴である。そのほか、酸化イリジウム（ｉｒｉｄ
ｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、プルシアンブルーなど高速応答
性を特徴とする材料が研究されている。有機系では、ビ
オロゲン誘導体が最もよく検討されており、鮮明な表示
色が得られるのが特徴である。このほかに、多色化・高
速応答性などをめざして、有機金属錯体系、ビオロゲン
ポリマー、バソフェナントロリンスルホン酸（ＢＰ
Ｓ2-）の高分子錯体などのエレクトロクロミック材料の
研究が進められている。
よって無機エレクトロクロミック材料と有機エレクトロ
クロミック材料に大別される。無機ＥＣ材料の中で、酸
化タングステン（ｔｕｎｇｓｔｅｎ ｏｘｉｄｅ、ＷＯ
3）系は最も詳しく研究されており、安定な表示性能が
その特徴である。そのほか、酸化イリジウム（ｉｒｉｄ
ｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、プルシアンブルーなど高速応答
性を特徴とする材料が研究されている。有機系では、ビ
オロゲン誘導体が最もよく検討されており、鮮明な表示
色が得られるのが特徴である。このほかに、多色化・高
速応答性などをめざして、有機金属錯体系、ビオロゲン
ポリマー、バソフェナントロリンスルホン酸（ＢＰ
Ｓ2-）の高分子錯体などのエレクトロクロミック材料の
研究が進められている。
【０００３】ビオロゲン誘導体（ｖｉｏｌｏｇｅｎ ｄ
ｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ）系エレクトロクロミック素子
は、表示電極と対向電極の間に、支持電解質を含むビオ
ロゲン系ＥＣ材料溶液が入った構造をとっている。表示
電極側に負電圧を印加すると、無色状態で溶媒に溶けて
いるビオロゲンジカチオンが還元されてラジカルカチオ
ンとなり、これは溶媒に対する溶解度が低いため、電極
上に析出する。このラジカルカチオンが可視領域に吸収
をもつため着色し、表示を行なうことができるものであ
る。そして、極く一般的なエレクトロクロミック素子の
構造は図１に示すようなものである。
ｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ）系エレクトロクロミック素子
は、表示電極と対向電極の間に、支持電解質を含むビオ
ロゲン系ＥＣ材料溶液が入った構造をとっている。表示
電極側に負電圧を印加すると、無色状態で溶媒に溶けて
いるビオロゲンジカチオンが還元されてラジカルカチオ
ンとなり、これは溶媒に対する溶解度が低いため、電極
上に析出する。このラジカルカチオンが可視領域に吸収
をもつため着色し、表示を行なうことができるものであ
る。そして、極く一般的なエレクトロクロミック素子の
構造は図１に示すようなものである。
【０００４】従来から有機エレクトロルミネッセンス
（ＥＬ）素子の発光層、電子輸送層あるいはホール輸送
層として使用できる有機化合物としては、発光材料ある
いは電子輸送材料としては、ｐ−テルフェニルやクアテ
ルフェニルなどの多環化合物およびそれらの誘導体；ナ
フタレン、テトラセン、ピレン、コロネン、クリセン、
アントラセン、ジフェニルアントラセン、ナフタセン、
フェナントレンなどの縮合多環炭化水素化合物およびそ
れらの誘導体；フェナントロリン、バソフェナントロリ
ン、フェナントリジン、アクリジン、キノリン、キノキ
サリン、フェナジンなどの縮合複素環化合物およびそれ
らの誘導体；フルオロセイン、ペリレン、フタロペリレ
ン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナ
フタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニ
ルブタジエン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベ
ンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペン
タジエン、オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェ
ニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾ
ール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニ
ン、キナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体な
どが知られている。
（ＥＬ）素子の発光層、電子輸送層あるいはホール輸送
層として使用できる有機化合物としては、発光材料ある
いは電子輸送材料としては、ｐ−テルフェニルやクアテ
ルフェニルなどの多環化合物およびそれらの誘導体；ナ
フタレン、テトラセン、ピレン、コロネン、クリセン、
アントラセン、ジフェニルアントラセン、ナフタセン、
フェナントレンなどの縮合多環炭化水素化合物およびそ
れらの誘導体；フェナントロリン、バソフェナントロリ
ン、フェナントリジン、アクリジン、キノリン、キノキ
サリン、フェナジンなどの縮合複素環化合物およびそれ
らの誘導体；フルオロセイン、ペリレン、フタロペリレ
ン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナ
フタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニ
ルブタジエン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベ
ンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペン
タジエン、オキシン、アミノキノリン、イミン、ジフェ
ニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾ
ール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニ
ン、キナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導体な
どが知られている。
【０００５】また、特開昭６３−２９５６９５号公報、
特開平８−２２５５７号公報、特開平８−８１４７２号
公報、特開平５−９４７０号公報、特開平５−１７７６
４号公報には、金属キレート錯体化合物、特に金属キレ
ート化オキサイド化合物である、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス［ベンゾ（ｆ）−８−キノリノラト］亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス
（５−メチル−８−キノリノラト）アミルニウム、８−
キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノ
リノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノ
ラト）カルシウムなどの８−キノリノラトあるいはその
誘導体を配位子として少なくとも一つ有する金属錯体も
発光層および電子輸送層として好適に使用できる旨報じ
られている。
特開平８−２２５５７号公報、特開平８−８１４７２号
公報、特開平５−９４７０号公報、特開平５−１７７６
４号公報には、金属キレート錯体化合物、特に金属キレ
ート化オキサイド化合物である、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネ
シウム、ビス［ベンゾ（ｆ）−８−キノリノラト］亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウ
ム、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス
（５−メチル−８−キノリノラト）アミルニウム、８−
キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノ
リノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノ
ラト）カルシウムなどの８−キノリノラトあるいはその
誘導体を配位子として少なくとも一つ有する金属錯体も
発光層および電子輸送層として好適に使用できる旨報じ
られている。
【０００６】さらに、特開平５−２０２０１１号公報、
特開平７−１７９３９４号公報、特開平７−２７８１２
４号公報、特開平７−２２８５７９号公報ではオキサジ
アゾール類、特開平７−１５７４７３号公報ではトリア
ジン類、特開平６−２０３９６３号公報ではスチルベン
誘導体およびジスチリルアリーレン誘導体、特開平６−
１３２０８０号公報や特開平６−８８０７２号公報では
スチリル誘導体、特開平６−１００８５７号公報や特開
平６−２０７１７０号公報ではジオレフィン誘導体が発
光層、電子輸送層として好適に使用できる旨報じられて
いる。
特開平７−１７９３９４号公報、特開平７−２７８１２
４号公報、特開平７−２２８５７９号公報ではオキサジ
アゾール類、特開平７−１５７４７３号公報ではトリア
ジン類、特開平６−２０３９６３号公報ではスチルベン
誘導体およびジスチリルアリーレン誘導体、特開平６−
１３２０８０号公報や特開平６−８８０７２号公報では
スチリル誘導体、特開平６−１００８５７号公報や特開
平６−２０７１７０号公報ではジオレフィン誘導体が発
光層、電子輸送層として好適に使用できる旨報じられて
いる。
【０００７】また、ホール輸送材料としては、例えばト
リアゾール誘導体（米国特許第３，１１２，１９７号明
細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許第
３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘
導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリア
リールアルカン誘導体（特開昭５５−１５６９５３号公
報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘
導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７
２９号明細書、同４，２７８，７４６号明細書、特開昭
５５−８８０６４号公報、同５６−８８１４１号公報、
同５７−４５５４５号公報等参照）、フェニレンジアミ
ン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特
公昭５１−１０１０５号公報、特開昭５４−１１９９２
５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第
３，１８０，７０３号明細書、同３，２４０，５９７号
明細書、同４，２３２，１０３号明細書、特開昭５６−
２２４３７号公報等参照）、アミノ置換カルコン誘導体
（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オ
キサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明
細書などに記載のもの）、スチリルアントラセン誘導体
（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノ
ン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、
ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明
細書、特開昭５７−１１３５０号公報、同５７−１４８
７４９号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１
−２１０３６３号公報、同６１−２２８４５１号公報等
参照）、ポルフィン、１，１０，１５，２０−テトラフ
ェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（II）、１，１
０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポ
ルフィン亜銅（II）、５，１０，１５，２０−テトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポル
フィン、シリコンフタロシアニンオキシド、アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド、フタロシアニン（無金
属）、ジリチウムフタロシアニン、銅テトラメチルフタ
ロシアニン、銅フタロシアニン、クロムフタロシアニ
ン、亜鉛フタロシアニン、鉛フタロシアニン、チタニウ
ムフタロシアニンオキシド、マグネシウムフタロシアニ
ン、銅オクタメチルフタロシアニンなどが知られてい
る。
リアゾール誘導体（米国特許第３，１１２，１９７号明
細書等参照）、オキサジアゾール誘導体（米国特許第
３，１８９，４４７号明細書等参照）、イミダゾール誘
導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照）、ポリア
リールアルカン誘導体（特開昭５５−１５６９５３号公
報、同５６−３６６５６号公報等参照）、ピラゾリン誘
導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７
２９号明細書、同４，２７８，７４６号明細書、特開昭
５５−８８０６４号公報、同５６−８８１４１号公報、
同５７−４５５４５号公報等参照）、フェニレンジアミ
ン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書、特
公昭５１−１０１０５号公報、特開昭５４−１１９９２
５号公報等参照）、アリールアミン誘導体（米国特許第
３，１８０，７０３号明細書、同３，２４０，５９７号
明細書、同４，２３２，１０３号明細書、特開昭５６−
２２４３７号公報等参照）、アミノ置換カルコン誘導体
（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照）、オ
キサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明
細書などに記載のもの）、スチリルアントラセン誘導体
（特開昭５６−４６２３４号公報等参照）、フルオレノ
ン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照）、
ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明
細書、特開昭５７−１１３５０号公報、同５７−１４８
７４９号公報等参照）、スチルベン誘導体（特開昭６１
−２１０３６３号公報、同６１−２２８４５１号公報等
参照）、ポルフィン、１，１０，１５，２０−テトラフ
ェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（II）、１，１
０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポ
ルフィン亜銅（II）、５，１０，１５，２０−テトラキ
ス（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポル
フィン、シリコンフタロシアニンオキシド、アルミニウ
ムフタロシアニンクロリド、フタロシアニン（無金
属）、ジリチウムフタロシアニン、銅テトラメチルフタ
ロシアニン、銅フタロシアニン、クロムフタロシアニ
ン、亜鉛フタロシアニン、鉛フタロシアニン、チタニウ
ムフタロシアニンオキシド、マグネシウムフタロシアニ
ン、銅オクタメチルフタロシアニンなどが知られてい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第一の目的
は、異なった電子輸送性材料を積層することにより、ま
たは異なったホール輸送層を積層することにより電子輸
送性やホール輸送性を強化したり、抑制したりするため
の技術を提供する点にある。
は、異なった電子輸送性材料を積層することにより、ま
たは異なったホール輸送層を積層することにより電子輸
送性やホール輸送性を強化したり、抑制したりするため
の技術を提供する点にある。
【０００９】本発明の第二の目的は、前記技術を応用し
たエレクトロクロミック素子を提供する点にある。
たエレクトロクロミック素子を提供する点にある。
【００１０】本発明の第三の目的は、前記技術を応用し
た有機エレクトロルミネッセント素子を提供する点にあ
る。
た有機エレクトロルミネッセント素子を提供する点にあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、異種の
電子輸送性材料の積層膜または異種のホール輸送性材料
の積層膜であって、分子平面が基板と平行になるような
状態で、かつその分子の酸化電位または還元電位の順番
に積層されていることを特徴とする電子輸送性積層膜ま
たはホール輸送性積層膜に関する。
電子輸送性材料の積層膜または異種のホール輸送性材料
の積層膜であって、分子平面が基板と平行になるような
状態で、かつその分子の酸化電位または還元電位の順番
に積層されていることを特徴とする電子輸送性積層膜ま
たはホール輸送性積層膜に関する。
【００１２】本発明の第二は、前記電子輸送性積層膜が
下記一般式（１）
下記一般式（１）
【化１２】 （式中、Ｒ1は、水素、アルキル基、
【化１３】 よりなる群から選ばれた基であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8は、水素、アルキル基およびアルコ
キシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であ
り、Ｒ6は、水素、アルキル基、アルコキシ基およびア
ミノ基よりなる群から選ばれた基である）で示されるペ
リレンテトラカルボン酸イミド誘導体、下記一般式
（２）
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8は、水素、アルキル基およびアルコ
キシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であ
り、Ｒ6は、水素、アルキル基、アルコキシ基およびア
ミノ基よりなる群から選ばれた基である）で示されるペ
リレンテトラカルボン酸イミド誘導体、下記一般式
（２）
【化１４】 （式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、水素、アルキル基
およびアルコキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選
ばれた基である）で示されるペリレンテトラカルボン酸
無水物誘導体、下記一般式（３）
およびアルコキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選
ばれた基である）で示されるペリレンテトラカルボン酸
無水物誘導体、下記一般式（３）
【化１５】 （式中、Ｒ2、Ｒ3は、水素、アルキル基およびアルコキ
シ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であ
る）で示されるナフタレンテトラカルボン酸無水物誘導
体および、下記一般式（４）
シ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であ
る）で示されるナフタレンテトラカルボン酸無水物誘導
体および、下記一般式（４）
【化１６】 （式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は、水素、アルキ
ル基およびアルコキシ基よりなる群からそれぞれ独立し
て選ばれた基である）で示されるテトラピリジル−ポル
フィン誘導体よりなる群から選ばれた少なくとも１種の
化合物よりなる電子輸送性材料よりなる膜を含有するも
のである請求項１記載の電子輸送性積層膜に関する。
ル基およびアルコキシ基よりなる群からそれぞれ独立し
て選ばれた基である）で示されるテトラピリジル−ポル
フィン誘導体よりなる群から選ばれた少なくとも１種の
化合物よりなる電子輸送性材料よりなる膜を含有するも
のである請求項１記載の電子輸送性積層膜に関する。
【００１３】本発明の第三は、前記電子輸送性積層膜が
下記一般式（５）
下記一般式（５）
【化１７】 （式中、Ｒ1は、
【化１８】 よりなる群から選ばれた基である）で示されるペリレン
テトラカルボン酸イミド誘導体、下記式（６）
テトラカルボン酸イミド誘導体、下記式（６）
【化１９】 で示されるペリレンテトラカルボン酸無水物、下記式
（７）
（７）
【化２０】 で示されるナフタレンテトラカルボン酸無水物、および
下記式（８）
下記式（８）
【化２１】 で示されるテトラピリジル−ポルフィンよりなる群から
選ばれた少なくとも１種の化合物よりなる電子輸送性材
料よりなる膜を含有するものである請求項１記載の電子
輸送性積層膜に関する。
選ばれた少なくとも１種の化合物よりなる電子輸送性材
料よりなる膜を含有するものである請求項１記載の電子
輸送性積層膜に関する。
【００１４】本発明の第四は、前記ホール輸送性積層膜
が下記一般式（９）
が下記一般式（９）
【化２２】 （式中、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は、ハロゲンよりなる
群から選ばれた基であり、ｎは、０〜４の整数であり、
Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｖ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
ＰｔおよびＰｄよりなる群から選ばれた金属または２原
子の水素である）で示されるフタロシアニン錯塩を含む
ものである請求項１記載のホール輸送性積層膜に関す
る。
群から選ばれた基であり、ｎは、０〜４の整数であり、
Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｖ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
ＰｔおよびＰｄよりなる群から選ばれた金属または２原
子の水素である）で示されるフタロシアニン錯塩を含む
ものである請求項１記載のホール輸送性積層膜に関す
る。
【００１５】本発明の第五は、請求項１、２、３または
４記載の電子輸送性またはホール輸送性積層膜を含むエ
レクトロクロミック素子に関する。
４記載の電子輸送性またはホール輸送性積層膜を含むエ
レクトロクロミック素子に関する。
【００１６】本発明の第六は、請求項１、２、３または
４記載の電子輸送性またはホール輸送性積層膜を含む有
機エレクトロルミネッセント素子に関する。
４記載の電子輸送性またはホール輸送性積層膜を含む有
機エレクトロルミネッセント素子に関する。
【００１７】前記分子平面が基板と平行になるような状
態で電子輸送性材料またはホール輸送性材料を積層させ
る一つの方法は、ＮａＣｌ単結晶のような規則性を有す
るベース基板上に第１の電子輸送性材料または第１のホ
ール輸送性材料をエピタキシャル成長させ、ついでこの
第１の電子輸送性材料または第１のホール輸送性材料よ
りなるエピタキシャル成長膜上に、第２の電子輸送性材
料または第２のホール輸送性材料をエピタキシャル成長
させることにより形成することができる。なお、仮の基
板となっている単結晶のような規則性をもつベース基板
は、第１の層をエピタキシャル成長させた後、第２の層
をエピタキシャル成長させた後あるいはそれ以上の複数
層をエピタキシャル成長させた後、任意の段階で溶解除
去し、液中に浮かんだ膜をＩＴＯ被覆ガラス基板に写し
とることにより形成することができる。これに対して、
ＩＴＯガラス基板上に直接蒸着法により形成した膜は、
ＩＴＯガラス基板が無定形であるため、蒸着分子同志の
親和力が強く、分子同志が引き合う結果、蒸着された分
子平面はＩＴＯ基板に対して垂直に並んだ状態となる。
本発明にかかる前記一般式（１）〜（８）で示される化
合物はいずれもｎ型半導性π電子系平面分子(電子輸送
性化合物の平面分子)を形成することができる。
態で電子輸送性材料またはホール輸送性材料を積層させ
る一つの方法は、ＮａＣｌ単結晶のような規則性を有す
るベース基板上に第１の電子輸送性材料または第１のホ
ール輸送性材料をエピタキシャル成長させ、ついでこの
第１の電子輸送性材料または第１のホール輸送性材料よ
りなるエピタキシャル成長膜上に、第２の電子輸送性材
料または第２のホール輸送性材料をエピタキシャル成長
させることにより形成することができる。なお、仮の基
板となっている単結晶のような規則性をもつベース基板
は、第１の層をエピタキシャル成長させた後、第２の層
をエピタキシャル成長させた後あるいはそれ以上の複数
層をエピタキシャル成長させた後、任意の段階で溶解除
去し、液中に浮かんだ膜をＩＴＯ被覆ガラス基板に写し
とることにより形成することができる。これに対して、
ＩＴＯガラス基板上に直接蒸着法により形成した膜は、
ＩＴＯガラス基板が無定形であるため、蒸着分子同志の
親和力が強く、分子同志が引き合う結果、蒸着された分
子平面はＩＴＯ基板に対して垂直に並んだ状態となる。
本発明にかかる前記一般式（１）〜（８）で示される化
合物はいずれもｎ型半導性π電子系平面分子(電子輸送
性化合物の平面分子)を形成することができる。
【００１８】本発明にかかる前記一般式（９）で示され
る化合物は、Ｐ型半導性π電子系平面分子（ホール輸送
性化合物の平面分子）を形成することができる。
る化合物は、Ｐ型半導性π電子系平面分子（ホール輸送
性化合物の平面分子）を形成することができる。
【００１９】前記特定の電子輸送性有機化合物のエピタ
キシャル成長積層薄膜は、繰り返しの電位掃引に対して
還元・再酸化を受け、電子移動が行われ、一方、ホール
輸送性有機化合物のエピタキシャル成長積層薄膜は、繰
り返しの電位掃引に対して酸化・再還元を受け、ホール
移動が行われる。
キシャル成長積層薄膜は、繰り返しの電位掃引に対して
還元・再酸化を受け、電子移動が行われ、一方、ホール
輸送性有機化合物のエピタキシャル成長積層薄膜は、繰
り返しの電位掃引に対して酸化・再還元を受け、ホール
移動が行われる。
【００２０】また、このようなエピタキシャル成長積層
薄膜は、積層順序によって電子輸送性積層膜の場合は電
子の流れを、ホール輸送性積層膜の場合はホールの流れ
を制御することができる。このような挙動は積層薄膜内
の電子移動による還元・再酸化挙動（サイクリックボル
タングラム）および電子スペクトルあるいはホール移動
による酸化・再還元化挙動および電子スペクトルの違い
に焦点を当てることにより解明することができる。
薄膜は、積層順序によって電子輸送性積層膜の場合は電
子の流れを、ホール輸送性積層膜の場合はホールの流れ
を制御することができる。このような挙動は積層薄膜内
の電子移動による還元・再酸化挙動（サイクリックボル
タングラム）および電子スペクトルあるいはホール移動
による酸化・再還元化挙動および電子スペクトルの違い
に焦点を当てることにより解明することができる。
【００２１】本発明の電子輸送性積層膜やホール輸送性
積層膜を電子輸送層あるいはホール輸送層として用いた
有機ＥＬ素子の具体的な構造としては何ら制限はないが
具体例を示すと、陽極／発光層／陰極、陽極／ホール輸
送層／発光層／陰極、陽極／ホール輸送層／発光層／電
子輸送層／陰極、陽極／ホール注入層／発光層／陰極、
陽極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／陰極、陽
極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層
／陰極、などが挙げられる。
積層膜を電子輸送層あるいはホール輸送層として用いた
有機ＥＬ素子の具体的な構造としては何ら制限はないが
具体例を示すと、陽極／発光層／陰極、陽極／ホール輸
送層／発光層／陰極、陽極／ホール輸送層／発光層／電
子輸送層／陰極、陽極／ホール注入層／発光層／陰極、
陽極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／陰極、陽
極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層
／陰極、などが挙げられる。
【００２２】本発明のエレクトロクロミック材料を用い
たエレクトロクロミック素子としては、公知のエレクト
ロクロミック素子の構造を採用することができる。その
１つの代表例を図２に示す。この素子は、セル全体の形
は結晶セルに似ており、透明電極とエレクトロクロミッ
ク材料の薄膜が積層されているガラス板と、必ずしも透
明であるとは限らない薄膜電極が付いているガラス板と
を対向させ、その間を電解液が充填されている構造であ
る。透明電極などの電極と電解液が接触すると腐蝕がお
こる場合には、このような個所は絶縁膜で覆うのが通例
である。また対向電極は無色であるとは限らないので、
この場合には背景層を設け、対向電極が見えないように
する。この背景層としては多孔質のアルミナ（白色）な
どを用いる。
たエレクトロクロミック素子としては、公知のエレクト
ロクロミック素子の構造を採用することができる。その
１つの代表例を図２に示す。この素子は、セル全体の形
は結晶セルに似ており、透明電極とエレクトロクロミッ
ク材料の薄膜が積層されているガラス板と、必ずしも透
明であるとは限らない薄膜電極が付いているガラス板と
を対向させ、その間を電解液が充填されている構造であ
る。透明電極などの電極と電解液が接触すると腐蝕がお
こる場合には、このような個所は絶縁膜で覆うのが通例
である。また対向電極は無色であるとは限らないので、
この場合には背景層を設け、対向電極が見えないように
する。この背景層としては多孔質のアルミナ（白色）な
どを用いる。
【００２３】
【実施例】以下に実施例を示して本発明を説明するが、
本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
【００２４】参考例１ ＩＴＯガラス基板をジクロルメタンおよび２−プロパノ
ールで超音波洗浄後乾燥し、実施例で用いるＩＴＯガラ
ス基板とした。この基板を２５０℃で１時間３０分ベー
キングした後、真空機工社製の真空蒸着装置（ＶＰＣ−
２６０）内に一定温度に保ち、１０-5Ｔｏｒｒ下、蒸着
速度を１〜１０ｎｍ／分に制御して一般式（５）におけ
るＲ1＝Ｈで示されるペリレンテトラカルボン酸イミド
を６０ｎｍの厚みに蒸着した。このものを０．２モルｄ
ｍ-3ＬｉＣｌＯ4水溶液中、０〜−１．０Ｖの範囲で電
位を掃引したところ、電位掃引に伴い電流応答が得ら
れ、蒸着膜の色は表１に示すように変化し、エレクトロ
クロミック特性を有することが立証された。この蒸着膜
は図３に示すように繰り返しの電位掃引に対して安定な
サイクリックボルタンモグラム（ＣＶ）曲線が得られ、
可逆的エレクトロクロミズムを示すとともに電子輸送性
をもつことが分かる。
ールで超音波洗浄後乾燥し、実施例で用いるＩＴＯガラ
ス基板とした。この基板を２５０℃で１時間３０分ベー
キングした後、真空機工社製の真空蒸着装置（ＶＰＣ−
２６０）内に一定温度に保ち、１０-5Ｔｏｒｒ下、蒸着
速度を１〜１０ｎｍ／分に制御して一般式（５）におけ
るＲ1＝Ｈで示されるペリレンテトラカルボン酸イミド
を６０ｎｍの厚みに蒸着した。このものを０．２モルｄ
ｍ-3ＬｉＣｌＯ4水溶液中、０〜−１．０Ｖの範囲で電
位を掃引したところ、電位掃引に伴い電流応答が得ら
れ、蒸着膜の色は表１に示すように変化し、エレクトロ
クロミック特性を有することが立証された。この蒸着膜
は図３に示すように繰り返しの電位掃引に対して安定な
サイクリックボルタンモグラム（ＣＶ）曲線が得られ、
可逆的エレクトロクロミズムを示すとともに電子輸送性
をもつことが分かる。
【００２５】参考例２ 参考例１のＲ1＝Ｈの化合物のかわりに、Ｒ1＝ＣＨ3の
化合物を用いた以外は、参考例１を繰り返した。その結
果を表１に示す。図４は図３の作成と同様に得られた本
実施例蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線であり、可
逆的エレクトロクロミズムを示すとともに電子輸送性を
有することが分かった。
化合物を用いた以外は、参考例１を繰り返した。その結
果を表１に示す。図４は図３の作成と同様に得られた本
実施例蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線であり、可
逆的エレクトロクロミズムを示すとともに電子輸送性を
有することが分かった。
【００２６】参考例３ 参考例１のＲ1＝Ｈの化合物のかわりに、Ｒ1＝フェニル
基の化合物を用いた以外は、参考例２を繰り返した。そ
の結果を表１に示す。この蒸着膜もエレクトロクロミズ
ムを示すとともに電子輸送性を有することが分かった。
基の化合物を用いた以外は、参考例２を繰り返した。そ
の結果を表１に示す。この蒸着膜もエレクトロクロミズ
ムを示すとともに電子輸送性を有することが分かった。
【００２７】参考例４ 参考例１のＲ1＝Ｈの化合物のかわりに、
【化２３】 の化合物を用いた以外は、参考例１を繰り返した。その
結果を表１に示す。この蒸着膜もエレクトロクロミズム
を示すとともに電子輸送性をもつことが分かった。
結果を表１に示す。この蒸着膜もエレクトロクロミズム
を示すとともに電子輸送性をもつことが分かった。
【表１】
【００２８】参考例５ 一般式（５）におけるＲ1＝Ｈの化合物とＲ1＝ＣＨ3の
化合物とを参考例１の要領で共蒸着した。この共蒸着膜
は、それぞれの単独膜では得られない特異な電流応答が
得られた（図５参照）。この共蒸着膜は、２つの化合物
が非常に均一に分散しており、エレクトロクロミズムを
示し、また電子輸送性をもつことが分かった。
化合物とを参考例１の要領で共蒸着した。この共蒸着膜
は、それぞれの単独膜では得られない特異な電流応答が
得られた（図５参照）。この共蒸着膜は、２つの化合物
が非常に均一に分散しており、エレクトロクロミズムを
示し、また電子輸送性をもつことが分かった。
【００２９】比較例１ 一般式（５）におけるＲ1＝Ｈの化合物であるペリレン
テトラカルボン酸イミドを同様の要領でまず蒸着し、つ
いで一般式（５）におけるＲ1＝ＣＨ3化合物をさらに蒸
着して、積層蒸着膜を作った。積層蒸着膜の還元・再酸
化に伴うＣＶ曲線は図６に示す。この積層蒸着膜もエレ
クトロクロミズムを示し、電子輸送性をもつことが分か
った。
テトラカルボン酸イミドを同様の要領でまず蒸着し、つ
いで一般式（５）におけるＲ1＝ＣＨ3化合物をさらに蒸
着して、積層蒸着膜を作った。積層蒸着膜の還元・再酸
化に伴うＣＶ曲線は図６に示す。この積層蒸着膜もエレ
クトロクロミズムを示し、電子輸送性をもつことが分か
った。
【００３０】比較例２ 蒸着の順序を逆にした以外は比較例１を繰り返した。得
られた積層蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を図７
に示す。この積層蒸着膜もエレクトロクロミズムを示
し、電子輸送性をもつことが分かった。
られた積層蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を図７
に示す。この積層蒸着膜もエレクトロクロミズムを示
し、電子輸送性をもつことが分かった。
【００３１】参考例６ 有機化合物として一般式（６）で示されるペリレンテト
ラカルボン酸無水物を選び、電位掃引範囲を０〜−０．
８Ｖとした以外は参考例１を繰り返した。この蒸着膜の
還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を図８に示す。この蒸着膜
もエレクトロクロミズムを示し、電子輸送性をもつこと
が分かった。
ラカルボン酸無水物を選び、電位掃引範囲を０〜−０．
８Ｖとした以外は参考例１を繰り返した。この蒸着膜の
還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を図８に示す。この蒸着膜
もエレクトロクロミズムを示し、電子輸送性をもつこと
が分かった。
【００３２】参考例７ 一般式（６）の化合物のかわりに一般式（７）に示すナ
フタレンテトラカルボン酸無水物を用いる以外は参考例
６を繰り返した。この蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ
曲線を図９に示す。この蒸着膜もエレクトロクロミズム
を示し、電子輸送性をもつことが分かった。またこの蒸
着膜の水溶液中における第一還元電位は−０．４２Ｖを
示した。
フタレンテトラカルボン酸無水物を用いる以外は参考例
６を繰り返した。この蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ
曲線を図９に示す。この蒸着膜もエレクトロクロミズム
を示し、電子輸送性をもつことが分かった。またこの蒸
着膜の水溶液中における第一還元電位は−０．４２Ｖを
示した。
【００３３】比較例３ 一般式（５）におけるＲ1＝ＣＨ3で示されるジメチルペ
リレンテトラカルボン酸（Ｍｅ−ＰＴＣ）を参考例１の
要領でまず蒸着し、ついで一般式（７）で示されるナフ
タレンテトラカルボン酸無水物（ＮＴＣＤＡ）を蒸着
し、積層蒸着膜を作った。この積層蒸着膜は基板面に対
して分子平面が垂直に配列された構造であった。この積
層蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を図１０に示
す。この積層蒸着膜もエレクトロクロミズムを示し、電
子輸送性をもつことが分かった。
リレンテトラカルボン酸（Ｍｅ−ＰＴＣ）を参考例１の
要領でまず蒸着し、ついで一般式（７）で示されるナフ
タレンテトラカルボン酸無水物（ＮＴＣＤＡ）を蒸着
し、積層蒸着膜を作った。この積層蒸着膜は基板面に対
して分子平面が垂直に配列された構造であった。この積
層蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を図１０に示
す。この積層蒸着膜もエレクトロクロミズムを示し、電
子輸送性をもつことが分かった。
【００３４】比較例４ 積層順序を比較例３と逆にした以外は比較例３を繰り返
した。得られた積層蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲
線を図１１に示す。この積層蒸着膜もエレクトロクロミ
ズムを示し、電子輸送性をもつことが分かった。
した。得られた積層蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲
線を図１１に示す。この積層蒸着膜もエレクトロクロミ
ズムを示し、電子輸送性をもつことが分かった。
【００３５】比較例５ 比較例１と同様にして、一般式（８）で示されるテトラ
ピリジル−ポルフィン（ＴＰｙＰｏｒ）を先ず蒸着し、
ついで一般式（６）で示されるペリレンテトラカルボン
酸無水物（ＰＴＣＤＡ）を蒸着して積層蒸着膜を作っ
た。この積層蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を図
１２に示す。この積層蒸着膜もエレクトロクロミズムを
示し、電子輸送性をもつことが分かった。なお、この積
層蒸着膜の還元電位差は０．１８Ｖを示した。
ピリジル−ポルフィン（ＴＰｙＰｏｒ）を先ず蒸着し、
ついで一般式（６）で示されるペリレンテトラカルボン
酸無水物（ＰＴＣＤＡ）を蒸着して積層蒸着膜を作っ
た。この積層蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を図
１２に示す。この積層蒸着膜もエレクトロクロミズムを
示し、電子輸送性をもつことが分かった。なお、この積
層蒸着膜の還元電位差は０．１８Ｖを示した。
【００３６】比較例６ 比較例５の蒸着順序を逆にして積層蒸着膜を作った。こ
の積層蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を図１３に
示す。この積層蒸着膜もエレクトロクロミズムを示し、
電子輸送性をもつことが分かった。なお、この積層蒸着
膜の還元電位差は０．６９Ｖであった。
の積層蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を図１３に
示す。この積層蒸着膜もエレクトロクロミズムを示し、
電子輸送性をもつことが分かった。なお、この積層蒸着
膜の還元電位差は０．６９Ｖであった。
【００３７】参考例８ ＫＣｌ単結晶へき開面をもつＫＣｌ基板上に、一般式
（５）のＲ1＝ＣＨ3で示されるジメチルペリレンテトラ
カルボン酸イミドのエピタキシャル成長薄膜をつくり、
これを水面に浮かべてＫＣｌ基板を溶解し、水面に残っ
た前記エピタキシャル成長薄膜をＩＴＯガラス基板に移
し取り、エピタキシャル成長薄膜を得た。このエピタキ
シャル成長膜のＸ線回折図を図１４に示す。このエピタ
キシャル成長膜の０．２モルｄｍ-3ＬｉＣｌＯ4アセト
ニトリル溶液中におけるＣＶ曲線を図１５に示す。この
エピタキシャル成長膜はエレクトロクロミズムを示すと
ともに電子輸送性を有する。このものの還元電位は−
０．５１Ｖであった。
（５）のＲ1＝ＣＨ3で示されるジメチルペリレンテトラ
カルボン酸イミドのエピタキシャル成長薄膜をつくり、
これを水面に浮かべてＫＣｌ基板を溶解し、水面に残っ
た前記エピタキシャル成長薄膜をＩＴＯガラス基板に移
し取り、エピタキシャル成長薄膜を得た。このエピタキ
シャル成長膜のＸ線回折図を図１４に示す。このエピタ
キシャル成長膜の０．２モルｄｍ-3ＬｉＣｌＯ4アセト
ニトリル溶液中におけるＣＶ曲線を図１５に示す。この
エピタキシャル成長膜はエレクトロクロミズムを示すと
ともに電子輸送性を有する。このものの還元電位は−
０．５１Ｖであった。
【００３８】参考例９ 参考例８のジメチルペリレンテトラカルボン酸イミドの
かわりに一般式（６）に示すペリレンテトラカルボン酸
無水物を用いた以外は参考例８と同様にしてペリレンテ
トラカルボン酸無水物のエピタキシャル成長膜を得た。
このエピタキシャル成長膜のＸ線回折図を図１６に示
す。このエピタキシャル成長膜の０．２モルｄｍ-3Ｌｉ
ＣｌＯ4アセトニトリル溶液中におけるＣＶ曲線を図１
７に示す。このエピタキシャル成長膜はエレクトロクロ
ミズムを示すとともに電子輸送性を有する。このものの
還元電位は−０．４３Ｖであった。
かわりに一般式（６）に示すペリレンテトラカルボン酸
無水物を用いた以外は参考例８と同様にしてペリレンテ
トラカルボン酸無水物のエピタキシャル成長膜を得た。
このエピタキシャル成長膜のＸ線回折図を図１６に示
す。このエピタキシャル成長膜の０．２モルｄｍ-3Ｌｉ
ＣｌＯ4アセトニトリル溶液中におけるＣＶ曲線を図１
７に示す。このエピタキシャル成長膜はエレクトロクロ
ミズムを示すとともに電子輸送性を有する。このものの
還元電位は−０．４３Ｖであった。
【００３９】参考例１０ 参考例８のジメチルペリレンテトラカルボン酸イミドの
かわりに一般式（８）に示すテトラピリジル−ポルフィ
ンを用いた以外は参考例８と同様にしてテトラピリジル
−ポルフィンのエピタキシャル成長膜を得た。このエピ
タキシャル成長膜のＸ線回折図を図１８に示す。このエ
ピタキシャル成長膜の０．２モルｄｍ-3ＬｉＣｌＯ4ア
セトニトリル溶液中におけるＣＶ曲線を図１９に示す。
このエピタキシャル成長膜はエレクトロクロミズムを示
すとともに電子輸送性を有する。このものの還元電位は
−１．１２Ｖであった。
かわりに一般式（８）に示すテトラピリジル−ポルフィ
ンを用いた以外は参考例８と同様にしてテトラピリジル
−ポルフィンのエピタキシャル成長膜を得た。このエピ
タキシャル成長膜のＸ線回折図を図１８に示す。このエ
ピタキシャル成長膜の０．２モルｄｍ-3ＬｉＣｌＯ4ア
セトニトリル溶液中におけるＣＶ曲線を図１９に示す。
このエピタキシャル成長膜はエレクトロクロミズムを示
すとともに電子輸送性を有する。このものの還元電位は
−１．１２Ｖであった。
【００４０】実施例１ 参考例８の要領で、まずテトラピリジル−ポルフィンの
エピタキシャル成長膜をつくり、さらにその上にペリレ
ンテトラカルボン酸無水物のエピタキシャル成長膜を形
成して、積層エピタキシャル成長膜を得た。このエピタ
キシャル成長膜のＸ線回折図を図２０に示し、参考例８
と同様にして測定したＣＶ曲線を図２１に示す。このＣ
Ｖ曲線が示すように、図２１によればテトラピリジル−
ポルフィン層とペリレンテトラカルボン酸無水物層の両
方が還元されており、電子が両層を通して移動すること
が可能であることが分かる。この積層エピタキシャル成
長膜はエレクトロクロミズムを示すとともに電子輸送性
を有し、この場合の還元電位差は０．６９Ｖであった。
エピタキシャル成長膜をつくり、さらにその上にペリレ
ンテトラカルボン酸無水物のエピタキシャル成長膜を形
成して、積層エピタキシャル成長膜を得た。このエピタ
キシャル成長膜のＸ線回折図を図２０に示し、参考例８
と同様にして測定したＣＶ曲線を図２１に示す。このＣ
Ｖ曲線が示すように、図２１によればテトラピリジル−
ポルフィン層とペリレンテトラカルボン酸無水物層の両
方が還元されており、電子が両層を通して移動すること
が可能であることが分かる。この積層エピタキシャル成
長膜はエレクトロクロミズムを示すとともに電子輸送性
を有し、この場合の還元電位差は０．６９Ｖであった。
【００４１】実施例２ 積層順序を逆にした以外は実施例１を繰り返し、ペリレ
ンテトラカルボン酸無水物／テトラピリジル−ポルフィ
ンの積層エピタキシャル成長膜を得た。このエピタキシ
ャル成長膜のＸ線回折図を図２２に示し、参考例８と同
様にして測定したＣＶ曲線を図２３に示す。このＣＶ曲
線が示すように、図２３はペリレンテトラカルボン酸無
水物層のみが還元されており、還元層の制御が可能であ
ることが分る。実施例１と２から積層順序をかえること
によって還元を制御できることが分かる。この積層エピ
タキシャル成長膜はペリレンテトラカルボン酸無水物の
みのエレクトロクロミズムを示し、テトラピリジル−ポ
ルフィリン膜には電子が輸送されていない。
ンテトラカルボン酸無水物／テトラピリジル−ポルフィ
ンの積層エピタキシャル成長膜を得た。このエピタキシ
ャル成長膜のＸ線回折図を図２２に示し、参考例８と同
様にして測定したＣＶ曲線を図２３に示す。このＣＶ曲
線が示すように、図２３はペリレンテトラカルボン酸無
水物層のみが還元されており、還元層の制御が可能であ
ることが分る。実施例１と２から積層順序をかえること
によって還元を制御できることが分かる。この積層エピ
タキシャル成長膜はペリレンテトラカルボン酸無水物の
みのエレクトロクロミズムを示し、テトラピリジル−ポ
ルフィリン膜には電子が輸送されていない。
【００４２】実施例３ 参考例８の要領で、まずテトラピリジル−ポルフィンの
エピタキシャル成長膜をつくり、さらにその上にジメチ
ルペリレンテトラカルボン酸イミドのエピタキシャル成
長膜を形成して、積層エピタキシャル成長膜を得た。こ
のエピタキシャル成長膜のＸ線回折図を図２４に示し、
参考例８と同様にして測定したＣＶ曲線を図２５に示
す。このＣＶ曲線が示すように、図２５によればテトラ
ピリジル−ポルフィン層とジメチルペリレンテトラカル
ボン酸イミド層の両方が還元されており、電子が両層を
通して流れることが可能であることが分かる。この積層
エピタキシャル成長膜はエレクトロクロミズムを示すと
ともに電子輸送性を有し、この場合の還元電位差は０．
６１Ｖであった。
エピタキシャル成長膜をつくり、さらにその上にジメチ
ルペリレンテトラカルボン酸イミドのエピタキシャル成
長膜を形成して、積層エピタキシャル成長膜を得た。こ
のエピタキシャル成長膜のＸ線回折図を図２４に示し、
参考例８と同様にして測定したＣＶ曲線を図２５に示
す。このＣＶ曲線が示すように、図２５によればテトラ
ピリジル−ポルフィン層とジメチルペリレンテトラカル
ボン酸イミド層の両方が還元されており、電子が両層を
通して流れることが可能であることが分かる。この積層
エピタキシャル成長膜はエレクトロクロミズムを示すと
ともに電子輸送性を有し、この場合の還元電位差は０．
６１Ｖであった。
【００４３】実施例４ 積層順序を逆にした以外は実施例３を繰り返し、ジメチ
ルペリレンテトラカルボン酸イミド／テトラピリジル−
ポルフィンの積層エピタキシャル成長膜を得た。このエ
ピタキシャル成長膜のＸ線回折図を図２６に示し、参考
例８と同様にして測定したＣＶ曲線を図２７に示す。こ
のＣＶ曲線が示すように、図２７はジメチルペリレンテ
トラカルボン酸イミドのみが還元されており、還元層の
制御が可能であることが分る。この積層エピタキシャル
成長膜はジメチルペリレンテトラカルボン酸イミド膜の
みがエレクトロクロミズムを示し、テトラピリジル−ポ
ルフィン膜には電子が輸送されていない。
ルペリレンテトラカルボン酸イミド／テトラピリジル−
ポルフィンの積層エピタキシャル成長膜を得た。このエ
ピタキシャル成長膜のＸ線回折図を図２６に示し、参考
例８と同様にして測定したＣＶ曲線を図２７に示す。こ
のＣＶ曲線が示すように、図２７はジメチルペリレンテ
トラカルボン酸イミドのみが還元されており、還元層の
制御が可能であることが分る。この積層エピタキシャル
成長膜はジメチルペリレンテトラカルボン酸イミド膜の
みがエレクトロクロミズムを示し、テトラピリジル−ポ
ルフィン膜には電子が輸送されていない。
【００４４】実施例１と実施例２、および実施例３と実
施例４から積層順序を、電子の流れる順序にしたがって
還元電位を大きく（貴に）してゆくことにより、電子を
スムーズに流すことができ、また逆に積層順序を電子の
流れる順序にしたがって還元電位を小さく（卑に）して
ゆくことにより、電子の流れを抑制できることが分か
る。
施例４から積層順序を、電子の流れる順序にしたがって
還元電位を大きく（貴に）してゆくことにより、電子を
スムーズに流すことができ、また逆に積層順序を電子の
流れる順序にしたがって還元電位を小さく（卑に）して
ゆくことにより、電子の流れを抑制できることが分か
る。
【００４５】参考例１１ 下記式（Ａ）
【化２４】 で示されるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯
体（以下Ａ１ｑと省略することがある）を発光層とし
て、有機ＥＬ素子を作製した。ホール輸送層には下記式
体（以下Ａ１ｑと省略することがある）を発光層とし
て、有機ＥＬ素子を作製した。ホール輸送層には下記式
【化２５】 で示されるアリールアミン誘導体（ＮＰＤ）を蒸着速度
３Å／秒でＩＴＯ基板上に４００Å形成し、その上から
下記式
３Å／秒でＩＴＯ基板上に４００Å形成し、その上から
下記式
【化２６】 で表されるトリス（４−メチル−８−キノリノラト）ア
ルミニウム（Ａｌｍｑ）を発光層として蒸着速度３Å／
秒で３００Å形成した。そのうえに電子輸送層としてジ
メチルペリレンテトラカルボン酸イミド層を同様にして
３００Å形成した。陰極となるＭｇ：Ａｇ合金電極はＭ
ｇ：Ａｇ重量比が１０：１となるように別々の蒸着源か
ら蒸着速度を制御しながら１５００Å蒸着して、有機Ｅ
Ｌ素子を作った。ＩＴＯを陽極、Ｍｇ：Ａｇを陰極とし
て直流電圧を素子に印加すると、ガラス基板をとおして
素子から一応の緑色発光が観測された。
ルミニウム（Ａｌｍｑ）を発光層として蒸着速度３Å／
秒で３００Å形成した。そのうえに電子輸送層としてジ
メチルペリレンテトラカルボン酸イミド層を同様にして
３００Å形成した。陰極となるＭｇ：Ａｇ合金電極はＭ
ｇ：Ａｇ重量比が１０：１となるように別々の蒸着源か
ら蒸着速度を制御しながら１５００Å蒸着して、有機Ｅ
Ｌ素子を作った。ＩＴＯを陽極、Ｍｇ：Ａｇを陰極とし
て直流電圧を素子に印加すると、ガラス基板をとおして
素子から一応の緑色発光が観測された。
【００４６】参考例１２ 参考例１１のジメチルペリレンテトラカルボン酸イミド
層のかわりに、ナフタレンテトラカルボン酸無水物層を
用いたほかは参考例１１を繰り返した。この有機ＥＬ素
子も、一応の発光がみられた。
層のかわりに、ナフタレンテトラカルボン酸無水物層を
用いたほかは参考例１１を繰り返した。この有機ＥＬ素
子も、一応の発光がみられた。
【００４７】実施例５ 参考例１１のジメチルペリレンテトラカルボン酸イミド
層のかわりに、ペリレンテトラカルボン酸無水物のエピ
タキシャル成長膜１５０Åの層をのせ、ついでテトラピ
リジル−ポルフィンのエピタキシャル成長膜１５０Åの
層をのせて電子輸送層としたほかは、参考例１１を繰り
返し、有機ＥＬ素子を作った。このＥＬ素子は、強力な
発光を呈した。
層のかわりに、ペリレンテトラカルボン酸無水物のエピ
タキシャル成長膜１５０Åの層をのせ、ついでテトラピ
リジル−ポルフィンのエピタキシャル成長膜１５０Åの
層をのせて電子輸送層としたほかは、参考例１１を繰り
返し、有機ＥＬ素子を作った。このＥＬ素子は、強力な
発光を呈した。
【００４８】参考例１３ 陽極となるＩＴＯガラス板上に、１０-5Ｔｏｒｒで銅フ
タロンアニン錯体およびトリス（８−キノリノラト）ア
ルミニウム錯体（Ａｌｑ）を逐次それぞれ４００Å厚に
蒸着し、最終に陰極となるＡｇ−Ｍｇの共蒸着を行い、
ＥＬ素子を得た。このＥＬ素子は、駆動電圧１５Ｖで１
２７７ｃｄ／ｍ2の最高輝度を示した。
タロンアニン錯体およびトリス（８−キノリノラト）ア
ルミニウム錯体（Ａｌｑ）を逐次それぞれ４００Å厚に
蒸着し、最終に陰極となるＡｇ−Ｍｇの共蒸着を行い、
ＥＬ素子を得た。このＥＬ素子は、駆動電圧１５Ｖで１
２７７ｃｄ／ｍ2の最高輝度を示した。
【００４９】参考例１４ 銅フタロシアニン錯体のかわりに亜鉛フタロシアニン錯
体を用いた以外は参考例１３を繰り返した。得られたＥ
Ｌ素子は、駆動電圧２０Ｖで、１３８４ｃｄ／ｍ2の最
高輝度を示した。
体を用いた以外は参考例１３を繰り返した。得られたＥ
Ｌ素子は、駆動電圧２０Ｖで、１３８４ｃｄ／ｍ2の最
高輝度を示した。
【００５０】参考例１５ ＩＴＯガラス板上に、１０-5Ｔｏｒｒで銅フタロシアニ
ン錯体（２００Å）、亜鉛フタロシアニン錯体（２００
Å）およびＡｌｑ（４００Å）を蒸着し、最終にＡｇ−
Ｍｇの共蒸着を行い、ＥＬ素子を得た。このＥＬ素子は
駆動電圧１８Ｖで４４８５ｃｄ／ｍ2の最高輝度を示し
た。
ン錯体（２００Å）、亜鉛フタロシアニン錯体（２００
Å）およびＡｌｑ（４００Å）を蒸着し、最終にＡｇ−
Ｍｇの共蒸着を行い、ＥＬ素子を得た。このＥＬ素子は
駆動電圧１８Ｖで４４８５ｃｄ／ｍ2の最高輝度を示し
た。
【００５１】参考例１６ ＩＴＯガラス板上に、１０-5Ｔｏｒｒで亜鉛フタロシア
ニン錯体（２００Å）、銅フタロシアニン錯体（２００
Å）およびＡｌｑ（４００Å）を蒸着し、最終にＡｇ−
Ｍｇの共蒸着を行い、ＥＬ素子を得た。このＥＬ素子は
駆動電圧１８Ｖで８７２ｃｄ／ｍ2の最高輝度を示し
た。
ニン錯体（２００Å）、銅フタロシアニン錯体（２００
Å）およびＡｌｑ（４００Å）を蒸着し、最終にＡｇ−
Ｍｇの共蒸着を行い、ＥＬ素子を得た。このＥＬ素子は
駆動電圧１８Ｖで８７２ｃｄ／ｍ2の最高輝度を示し
た。
【００５２】実施例６ ＫＣｌ単結晶へき開面をもつＫＣｌ基板上に、銅フタロ
シアニン錯体のエピタキシャル成長薄膜２００Åを形成
し、さらにその上に亜鉛フタロシアニン錯体のエピタキ
シャル成長薄膜２００Åをつくり、積層エピタキシャル
成長膜を得た。これを水面に浮かべてＫＣｌ基板を溶解
し、水面に残った前記積層エピタキシャル成長薄膜をＩ
ＴＯガラス基板に移し取り、この上にＡｌｑ膜４００
Å、ついでＡｇ−Ｍｇ陰極を蒸着し、ＥＬ素子を得た。
このものの最高輝度は、参考例１５の最高輝度をも大幅
に上廻るものであった。
シアニン錯体のエピタキシャル成長薄膜２００Åを形成
し、さらにその上に亜鉛フタロシアニン錯体のエピタキ
シャル成長薄膜２００Åをつくり、積層エピタキシャル
成長膜を得た。これを水面に浮かべてＫＣｌ基板を溶解
し、水面に残った前記積層エピタキシャル成長薄膜をＩ
ＴＯガラス基板に移し取り、この上にＡｌｑ膜４００
Å、ついでＡｇ−Ｍｇ陰極を蒸着し、ＥＬ素子を得た。
このものの最高輝度は、参考例１５の最高輝度をも大幅
に上廻るものであった。
【００５３】
【効果】本発明により、電子輸送性材料やホール輸送性
材料にπ共役平面分子を用いるときには、分子平面が基
板平面に対して垂直に配列した層よりなる積層膜に較べ
て分子平面が基板面に平行に、しかも酸化還元電位の順
で積層した膜を用いると電子またはホールの移動効率を
極めて高能率で制御できる。そのためこの積層膜を用い
たエレクトロクロミック素子や有機ＥＬ素子は高い性能
を発揮する。
材料にπ共役平面分子を用いるときには、分子平面が基
板平面に対して垂直に配列した層よりなる積層膜に較べ
て分子平面が基板面に平行に、しかも酸化還元電位の順
で積層した膜を用いると電子またはホールの移動効率を
極めて高能率で制御できる。そのためこの積層膜を用い
たエレクトロクロミック素子や有機ＥＬ素子は高い性能
を発揮する。
【図１】エレクトロクロミック素子の構成例を示す。
【図２】エレクトロクロミック素子の他の構成例を示
す。
す。
【図３】一般式（５）のＲ1＝Ｈの化合物であるペリレ
ンテトラカルボン酸イミドよりなる蒸着膜の還元・再酸
化に伴うＣＶ曲線を示す。
ンテトラカルボン酸イミドよりなる蒸着膜の還元・再酸
化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図４】一般式（５）のＲ1＝ＣＨ3の化合物であるジメ
チルペリレンテトラカルボン酸イミドよりなる蒸着膜の
還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
チルペリレンテトラカルボン酸イミドよりなる蒸着膜の
還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図５】一般式（５）のＲ1＝Ｈの化合物とＲ1＝ＣＨ3
の化合物との共蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を
示す。
の化合物との共蒸着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を
示す。
【図６】一般式（５）のＲ1＝Ｈの化合物をまず蒸着
し、ついでＲ1＝ＣＨ3の化合物を蒸着した積層蒸着膜の
還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
し、ついでＲ1＝ＣＨ3の化合物を蒸着した積層蒸着膜の
還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図７】一般式（５）のＲ1＝ＣＨ3の化合物をまず蒸着
し、ついでＲ1＝Ｈの化合物を蒸着した積層蒸着膜の還
元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
し、ついでＲ1＝Ｈの化合物を蒸着した積層蒸着膜の還
元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図８】ペリレンテトラカルボン酸無水物よりなる蒸着
膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図９】ナフタレンテトラカルボン酸無水物よりなる蒸
着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
着膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図１０】ジメチルペリレンテトラカルボン酸イミド／
ナフタレンテトラカルボン酸無水物蒸着膜（ＩＴＯ／Ｍ
ｅ−ＰＴＣ／ＮＴＣＤＡ）の還元・再酸化に伴うＣＶ曲
線を示す。
ナフタレンテトラカルボン酸無水物蒸着膜（ＩＴＯ／Ｍ
ｅ−ＰＴＣ／ＮＴＣＤＡ）の還元・再酸化に伴うＣＶ曲
線を示す。
【図１１】ナフタレンテトラカルボン酸無水物／ジメチ
ルペリレンテトラカルボン酸イミド蒸着膜（ＩＴＯ／Ｎ
ＴＣＤＡ／Ｍｅ−ＰＴＣ）の還元・再酸化に伴うＣＶ曲
線を示す。
ルペリレンテトラカルボン酸イミド蒸着膜（ＩＴＯ／Ｎ
ＴＣＤＡ／Ｍｅ−ＰＴＣ）の還元・再酸化に伴うＣＶ曲
線を示す。
【図１２】テトラピリジル−ポルフィン／ペリレンテト
ラカルボン酸無水物蒸着膜（ＩＴＯ／ＴＰｙＰｏｒ／Ｐ
ＴＣＤＡ）の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
ラカルボン酸無水物蒸着膜（ＩＴＯ／ＴＰｙＰｏｒ／Ｐ
ＴＣＤＡ）の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図１３】ペリレンテトラカルボン酸無水物／テトラピ
リジル−ポルフィン蒸着膜（ＩＴＯ／ＰＴＣＤＡ／ＴＰ
ｙＰｏｒ）の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
リジル−ポルフィン蒸着膜（ＩＴＯ／ＰＴＣＤＡ／ＴＰ
ｙＰｏｒ）の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図１４】ジメチルペリレンテトラカルボン酸イミドの
エピタキシャル成長膜のＸ線回折図である。横軸は２θ
〔 °〕を示す。
エピタキシャル成長膜のＸ線回折図である。横軸は２θ
〔 °〕を示す。
【図１５】ジメチルペリレンテトラカルボン酸イミドの
エピタキシャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を
示す。
エピタキシャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を
示す。
【図１６】ペリレンテトラカルボン酸無水物のエピタキ
シャル成長膜のＸ線回折図である。
シャル成長膜のＸ線回折図である。
【図１７】ペリレンテトラカルボン酸無水物のエピタキ
シャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
シャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図１８】テトラピリジル−ポルフィンのエピタキシャ
ル成長膜のＸ線回折図である。
ル成長膜のＸ線回折図である。
【図１９】テトラピリジル−ポルフィンのエピタキシャ
ル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
ル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図２０】テトラピリジル−ポルフィンのエピタキシャ
ル成長膜、その上に形成されたペリレンテトラカルボン
酸無水物のエピタキシャル成長膜よりなる積層エピタキ
シャル成長膜のＸ線回折図である。
ル成長膜、その上に形成されたペリレンテトラカルボン
酸無水物のエピタキシャル成長膜よりなる積層エピタキ
シャル成長膜のＸ線回折図である。
【図２１】テトラピリジル−ポルフィンのエピタキシャ
ル成長膜、その上に形成されたペリレンテトラカルボン
酸無水物のエピタキシャル成長膜よりなる積層エピタキ
シャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
ル成長膜、その上に形成されたペリレンテトラカルボン
酸無水物のエピタキシャル成長膜よりなる積層エピタキ
シャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図２２】ペリレンテトラカルボン酸無水物のエピタキ
シャル成長膜、その上に形成されたテトラピリジル−ポ
ルフィンのエピタキシャル成長膜よりなる積層エピタキ
シャル成長膜のＸ線回折図である。
シャル成長膜、その上に形成されたテトラピリジル−ポ
ルフィンのエピタキシャル成長膜よりなる積層エピタキ
シャル成長膜のＸ線回折図である。
【図２３】ペリレンテトラカルボン酸無水物のエピタキ
シャル成長膜、その上に形成されたテトラピリジル−ポ
ルフィンのエピタキシャル成長膜よりなる積層エピタキ
シャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
シャル成長膜、その上に形成されたテトラピリジル−ポ
ルフィンのエピタキシャル成長膜よりなる積層エピタキ
シャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を示す。
【図２４】テトラピリジル−ポルフィンのエピタキシャ
ル成長膜、その上に形成されたジメチルペリレンテトラ
カルボン酸イミドのエピタキシャル成長膜よりなる積層
エピタキシャル成長膜のＸ線回折図である。
ル成長膜、その上に形成されたジメチルペリレンテトラ
カルボン酸イミドのエピタキシャル成長膜よりなる積層
エピタキシャル成長膜のＸ線回折図である。
【図２５】テトラピリジル−ポルフィンのエピタキシャ
ル成長膜、その上に形成されたジメチルペリレンテトラ
カルボン酸イミドのエピタキシャル成長膜よりなる積層
エピタキシャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を
示す。
ル成長膜、その上に形成されたジメチルペリレンテトラ
カルボン酸イミドのエピタキシャル成長膜よりなる積層
エピタキシャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を
示す。
【図２６】ジメチルペリレンテトラカルボン酸イミドの
エピタキシャル成長膜、その上に形成されたテトラピリ
ジル−ポルフィンのエピタキシャル成長膜よりなる積層
エピタキシャル成長膜のＸ線回折図である。
エピタキシャル成長膜、その上に形成されたテトラピリ
ジル−ポルフィンのエピタキシャル成長膜よりなる積層
エピタキシャル成長膜のＸ線回折図である。
【図２７】ジメチルペリレンテトラカルボン酸イミドの
エピタキシャル成長膜、その上に形成されたテトラピリ
ジル−ポルフィンのエピタキシャル成長膜よりなる積層
エピタキシャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を
示す。
エピタキシャル成長膜、その上に形成されたテトラピリ
ジル−ポルフィンのエピタキシャル成長膜よりなる積層
エピタキシャル成長膜の還元・再酸化に伴うＣＶ曲線を
示す。
Claims (6)
- 【請求項１】 異種の電子輸送性材料の積層膜または異
種のホール輸送性材料の積層膜であって、分子平面が基
板と平行になるような状態で、かつその分子の酸化電位
または還元電位の順番に積層されていることを特徴とす
る電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜。 - 【請求項２】 前記電子輸送性積層膜が下記一般式
（１） 【化１】 （式中、Ｒ1は、水素、アルキル基、 【化２】 よりなる群から選ばれた基であり、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、
Ｒ5、Ｒ7およびＲ8は、 水素、アルキル基およびアルコキシ基よりなる群からそ
れぞれ独立して選ばれた基であり、Ｒ6は、水素、アル
キル基、アルコキシ基およびアミノ基よりなる群から選
ばれた基である）で示されるペリレンテトラカルボン酸
イミド誘導体、 下記一般式（２） 【化３】 （式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、水素、アルキル基
およびアルコキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選
ばれた基である）で示されるペリレンテトラカルボン酸
無水物誘導体、 下記一般式（３） 【化４】 （式中、Ｒ2、Ｒ3は、水素、アルキル基およびアルコキ
シ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であ
る）で示されるナフタレンテトラカルボン酸無水物誘導
体および、 下記一般式（４） 【化５】 （式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13およびＲ14は、水素、アルキ
ル基およびアルコキシ基よりなる群からそれぞれ独立し
て選ばれた基である）で示されるテトラピリジル−ポル
フィン誘導体よりなる群から選ばれた少なくとも１種の
化合物よりなる電子輸送性材料よりなる膜を含有するも
のである請求項１記載の電子輸送性積層膜。 - 【請求項３】 前記電子輸送性積層膜が下記一般式
（５） 【化６】 （式中、Ｒ1は、 【化７】 よりなる群から選ばれた基である）で示されるペリレン
テトラカルボン酸イミド誘導体、 下記式（６） 【化８】 で示されるペリレンテトラカルボン酸無水物、 下記式（７） 【化９】 で示されるナフタレンテトラカルボン酸無水物、および
下記式（８） 【化１０】 で示されるテトラピリジル−ポルフィンよりなる群から
選ばれた少なくとも１種の化合物よりなる電子輸送性材
料よりなる膜を含有するものである請求項１記載の電子
輸送性積層膜。 - 【請求項４】 前記ホール輸送性積層膜下が記一般式
（９） 【化１１】 （式中、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3およびＸ4は、ハロゲンよりなる
群から選ばれた基であり、ｎは、０〜４の整数であり、
Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃ
ａ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｖ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
ＰｔおよびＰｄよりなる群から選ばれた金属または２原
子の水素である）で示されるフタロシアニン錯塩を含む
ものである請求項１記載のホール輸送性積層膜。 - 【請求項５】 請求項１、２、３または４記載の電子輸
送性またはホール輸送性積層膜を含むエレクトロクロミ
ック素子。 - 【請求項６】 請求項１、２、３または４記載の電子輸
送性またはホール輸送性積層膜を含む有機エレクトロル
ミネッセント素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27049097A JP3763649B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロルミネッセント素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27049097A JP3763649B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロルミネッセント素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195265A true JPH1195265A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3763649B2 JP3763649B2 (ja) | 2006-04-05 |
Family
ID=17487017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27049097A Expired - Fee Related JP3763649B2 (ja) | 1997-09-17 | 1997-09-17 | 電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロルミネッセント素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3763649B2 (ja) |
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1997
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