JPH1195239A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JPH1195239A JPH1195239A JP26031397A JP26031397A JPH1195239A JP H1195239 A JPH1195239 A JP H1195239A JP 26031397 A JP26031397 A JP 26031397A JP 26031397 A JP26031397 A JP 26031397A JP H1195239 A JPH1195239 A JP H1195239A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エッチング工程において残渣を生じることな
く、しかも後工程における耐蝕性の高い液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】この発明の液晶表示装置１の透明導電性膜
１８の製造方法は、水蒸気ガスを添加したスパッタガス
を用いたスパッタリング法であり、水蒸気ガスの添加量
は、分圧にして、０．００２Ｐａから０．０１０Ｐａで
あることを特徴とする。
く、しかも後工程における耐蝕性の高い液晶表示装置を
提供する。 【解決手段】この発明の液晶表示装置１の透明導電性膜
１８の製造方法は、水蒸気ガスを添加したスパッタガス
を用いたスパッタリング法であり、水蒸気ガスの添加量
は、分圧にして、０．００２Ｐａから０．０１０Ｐａで
あることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置に
係り、特に、アレイ基板に設けられる透明導電性膜の製
造方法に関する。
係り、特に、アレイ基板に設けられる透明導電性膜の製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、高画質、薄型、軽量および低消費
電力等の理由から、携帯機器あるいはノート型コンピュ
ータ等の表示部に、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）等をスイッチング素子に用いたアクティブマトリク
ス基板と対向基板の間に液晶材を封止したアクティブマ
トリクス駆動液晶表示装置が広く利用されている。
電力等の理由から、携帯機器あるいはノート型コンピュ
ータ等の表示部に、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）等をスイッチング素子に用いたアクティブマトリク
ス基板と対向基板の間に液晶材を封止したアクティブマ
トリクス駆動液晶表示装置が広く利用されている。
【０００３】上述したアクティブマトリクス駆動液晶表
示装置のアクティブマトリクス基板には、画素電極とし
て利用されるＩＴＯ（酸化インジウム）膜が利用されて
いる。このＩＴＯ膜を形成する方法としては、２００°
Ｃ程度の高温でスパッタリングする方法と、低温で成膜
し、パターンニングした後、熱処理する方法が知られて
いる。
示装置のアクティブマトリクス基板には、画素電極とし
て利用されるＩＴＯ（酸化インジウム）膜が利用されて
いる。このＩＴＯ膜を形成する方法としては、２００°
Ｃ程度の高温でスパッタリングする方法と、低温で成膜
し、パターンニングした後、熱処理する方法が知られて
いる。
【０００４】しかしながら、高温で成膜する方法では、
パターンニングのためのエッチング工程（後工程）にお
けるエッチングレートが低下して製造効率が低下するこ
とが知られている。
パターンニングのためのエッチング工程（後工程）にお
けるエッチングレートが低下して製造効率が低下するこ
とが知られている。
【０００５】また、低温で成膜し、パターンニングした
後、熱処理する方法では、エッチングレートは高いが後
工程であるエッチング工程でエッチング残渣が生じるこ
とが知られている。このことから、低温で成膜する方法
において、ＩＴＯ膜を成膜する際に用いるスパッタガス
に、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を分圧（添加）する方法が提案さ
れている。
後、熱処理する方法では、エッチングレートは高いが後
工程であるエッチング工程でエッチング残渣が生じるこ
とが知られている。このことから、低温で成膜する方法
において、ＩＴＯ膜を成膜する際に用いるスパッタガス
に、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を分圧（添加）する方法が提案さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、通常の
アクティブマトリックス基板の製造方法においては、ソ
ース電極およびドレイン電極を形成する前に、それぞれ
の電極と低抵抗シリコン膜との良好なコンタクトを得る
ためにフッ酸を含む薬液により洗浄することにより低抵
抗シリコン層表面の酸化膜の層を除去する工程を含んで
おり、上述したような水蒸気ガスを添加して形成したＩ
ＴＯ膜を形成した場合、非晶質の膜にエッチング残渣が
生じないという利点があるが耐食性が低く、エッチング
加工後にアニール処理を行ったとしてもＩＴＯ膜の表面
が腐食されて白濁する問題がある。
アクティブマトリックス基板の製造方法においては、ソ
ース電極およびドレイン電極を形成する前に、それぞれ
の電極と低抵抗シリコン膜との良好なコンタクトを得る
ためにフッ酸を含む薬液により洗浄することにより低抵
抗シリコン層表面の酸化膜の層を除去する工程を含んで
おり、上述したような水蒸気ガスを添加して形成したＩ
ＴＯ膜を形成した場合、非晶質の膜にエッチング残渣が
生じないという利点があるが耐食性が低く、エッチング
加工後にアニール処理を行ったとしてもＩＴＯ膜の表面
が腐食されて白濁する問題がある。
【０００７】この発明の目的は、エッチング工程におい
て残渣を生じることなく、しかも後工程における耐蝕性
を向上可能な透明導電成膜を有する液晶表示装置の製造
方法を提供することにある。
て残渣を生じることなく、しかも後工程における耐蝕性
を向上可能な透明導電成膜を有する液晶表示装置の製造
方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上述した問
題点に基づきなされたもので、絶縁基板上にＩＴＯから
なる透明導電性膜を備えたアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、前記透明導電性膜の成膜工程は、水
蒸気ガスを添加したスパッタリング法で、かつ、その水
蒸気ガスの添加量は、分圧にして、０．００２Ｐａから
０．０１０Ｐａであることを特徴とすることを特徴とす
る。
題点に基づきなされたもので、絶縁基板上にＩＴＯから
なる透明導電性膜を備えたアクティブマトリクス型液晶
表示装置において、前記透明導電性膜の成膜工程は、水
蒸気ガスを添加したスパッタリング法で、かつ、その水
蒸気ガスの添加量は、分圧にして、０．００２Ｐａから
０．０１０Ｐａであることを特徴とすることを特徴とす
る。
【０００９】また、この発明は、絶縁基板上にＩＴＯか
らなる透明導電性膜を備えたアクティブマトリクス型液
晶表示装置において、前記透明導電性膜の成膜工程は、
水蒸気ガスを添加したスパッタリング法で、かつ、その
水蒸気ガスの添加量は、分圧にして、０．００２Ｐａか
ら０．０１０Ｐａであり、かつ、その後、２００°Ｃ以
上の熱による熱処理工程を有することを特徴とする。
らなる透明導電性膜を備えたアクティブマトリクス型液
晶表示装置において、前記透明導電性膜の成膜工程は、
水蒸気ガスを添加したスパッタリング法で、かつ、その
水蒸気ガスの添加量は、分圧にして、０．００２Ｐａか
ら０．０１０Ｐａであり、かつ、その後、２００°Ｃ以
上の熱による熱処理工程を有することを特徴とする。
【００１０】さらに、この発明は、絶縁基板上にＩＴＯ
からなる透明導電性膜を備えたアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記透明導電性膜の成膜工程
は、水蒸気ガスを添加したスパッタリング法であり、そ
の水蒸気ガスの添加量は、分圧にして、０．００２Ｐａ
から０．０１０Ｐａであり、かつ、その後、２００°Ｃ
以上の熱による熱処理工程を有し、かつ、その後、フッ
酸を含んだ水溶液にて表面処理する工程と、を有するこ
とを特徴とする。
からなる透明導電性膜を備えたアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記透明導電性膜の成膜工程
は、水蒸気ガスを添加したスパッタリング法であり、そ
の水蒸気ガスの添加量は、分圧にして、０．００２Ｐａ
から０．０１０Ｐａであり、かつ、その後、２００°Ｃ
以上の熱による熱処理工程を有し、かつ、その後、フッ
酸を含んだ水溶液にて表面処理する工程と、を有するこ
とを特徴とする。
【００１１】またさらに、この発明は、水蒸気ガスの添
加量が、分圧にして０．００５Ｐａ以上０．０１０Ｐａ
以下であることを特徴とする。さらにまた、この発明
は、水蒸気ガスの添加量が、分圧にして概ね０．００５
Ｐａであり、熱処理温度は、好ましくは概ね２３０°Ｃ
であることを特徴とする。
加量が、分圧にして０．００５Ｐａ以上０．０１０Ｐａ
以下であることを特徴とする。さらにまた、この発明
は、水蒸気ガスの添加量が、分圧にして概ね０．００５
Ｐａであり、熱処理温度は、好ましくは概ね２３０°Ｃ
であることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態を詳細に説明する。図１は、逆スタガー型
の液晶表示装置に利用されるアクティブマトリクス液晶
表示パネルの概略断面を示す概略図である。
の実施の形態を詳細に説明する。図１は、逆スタガー型
の液晶表示装置に利用されるアクティブマトリクス液晶
表示パネルの概略断面を示す概略図である。
【００１３】図１に示すように、液晶表示パネル１は、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造を有するアクティブマ
トリックス基板１０、このアクティブマトリックス基板
１０に対向配置される対向基板３０および両基板間に注
入・封止される液晶材５０により構成される。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）構造を有するアクティブマ
トリックス基板１０、このアクティブマトリックス基板
１０に対向配置される対向基板３０および両基板間に注
入・封止される液晶材５０により構成される。
【００１４】次に、液晶表示パネルの製造方法を、アク
ティブマトリックス基板の製造工程を中心に説明する。
図１に示されるように、第１に、アクティブマトリクス
基板１０に利用されるとなるガラス基板１１の一主平面
すなわち一方の面に、金属あるいは合金の薄層を形成
し、所定パターンにエッチングして図示しない走査電極
（１２）とゲート電極１２を、形成する。
ティブマトリックス基板の製造工程を中心に説明する。
図１に示されるように、第１に、アクティブマトリクス
基板１０に利用されるとなるガラス基板１１の一主平面
すなわち一方の面に、金属あるいは合金の薄層を形成
し、所定パターンにエッチングして図示しない走査電極
（１２）とゲート電極１２を、形成する。
【００１５】次に、ゲート電極１２を覆うように、例え
ばＳｉＯｘ（酸化シリコン）等からなる第１のゲート絶
縁膜１３を、例えばプラズマＣＶＤ法により、所定の厚
さ、積層する。
ばＳｉＯｘ（酸化シリコン）等からなる第１のゲート絶
縁膜１３を、例えばプラズマＣＶＤ法により、所定の厚
さ、積層する。
【００１６】続いて、所定厚さの第２のゲート絶縁膜１
４と、後述するＴＦＴ構造におけるチャネル（半導体）
層として利用されるアモルファスシリコン（以下、ａ−
Ｓｉと示す）膜１５とエッチングストッパ（保護絶縁
膜）層１６を、それぞれ、順に堆積する。
４と、後述するＴＦＴ構造におけるチャネル（半導体）
層として利用されるアモルファスシリコン（以下、ａ−
Ｓｉと示す）膜１５とエッチングストッパ（保護絶縁
膜）層１６を、それぞれ、順に堆積する。
【００１７】次に、エッチングストッパ層１６のみをエ
ッチングして、所定の形状、例えば島状に加工する。続
いて、低抵抗シリコン（以下、Ｓｉと示す）層１７を、
所定厚さ形成し、低抵抗Ｓｉ層１７とａ−Ｓｉ膜１５と
第２のゲート絶縁膜１４を、同一パターンにエッチング
する。
ッチングして、所定の形状、例えば島状に加工する。続
いて、低抵抗シリコン（以下、Ｓｉと示す）層１７を、
所定厚さ形成し、低抵抗Ｓｉ層１７とａ−Ｓｉ膜１５と
第２のゲート絶縁膜１４を、同一パターンにエッチング
する。
【００１８】次に、画素電極である透明導電性膜すなわ
ちＩＴＯ膜１８を、例えばスパッタリングにより、５０
ナノメートル（以下、ｎｍと示す）形成する。なお、Ｉ
ＴＯ膜１８としては、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）
に、スズ（Ｓｎ）を１０重量百分率（ｗｔ％）を添加し
たものを用いている。また、ＩＴＯ膜１８の成膜条件
は、パワー密度を１０Ｗ／平方センチメートルとし、ス
パッタガスとして、アルゴン（Ａｒ）ガスを圧力０．６
Ｐａ、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）ガスを分圧で０．００５Ｐａ混
合した混合ガスを用いている。このとき、ステージの温
度は、常温（室温）としている。
ちＩＴＯ膜１８を、例えばスパッタリングにより、５０
ナノメートル（以下、ｎｍと示す）形成する。なお、Ｉ
ＴＯ膜１８としては、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）
に、スズ（Ｓｎ）を１０重量百分率（ｗｔ％）を添加し
たものを用いている。また、ＩＴＯ膜１８の成膜条件
は、パワー密度を１０Ｗ／平方センチメートルとし、ス
パッタガスとして、アルゴン（Ａｒ）ガスを圧力０．６
Ｐａ、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）ガスを分圧で０．００５Ｐａ混
合した混合ガスを用いている。このとき、ステージの温
度は、常温（室温）としている。
【００１９】続いて、フォトリソグラフィ手法を用いて
所望のレジストパターンを形成し、シュウ酸を主成分と
したエッチング液により、ウエットエッチングする。次
に、フォトレジストを剥離し、常圧において、窒素（Ｎ
2 ）ガス雰囲気中で加熱処理する。また、加熱温度は、
２３０°Ｃとする。なお、加熱中のＮ2 ガス雰囲気は、
１Ｔｏｒｒ程度であってもよい。
所望のレジストパターンを形成し、シュウ酸を主成分と
したエッチング液により、ウエットエッチングする。次
に、フォトレジストを剥離し、常圧において、窒素（Ｎ
2 ）ガス雰囲気中で加熱処理する。また、加熱温度は、
２３０°Ｃとする。なお、加熱中のＮ2 ガス雰囲気は、
１Ｔｏｒｒ程度であってもよい。
【００２０】続いて、バッファードフッ酸溶液Ｂ−ＨＦ
を用いて、第１のゲート絶縁膜１３に対し、走査電極
（１２）に走査信号を印加するためのコンタクトホール
を形成する。
を用いて、第１のゲート絶縁膜１３に対し、走査電極
（１２）に走査信号を印加するためのコンタクトホール
を形成する。
【００２１】次に、希フッ酸溶液を用いて、低抵抗Ｓｉ
層１７の表面に形成された酸化膜を除去（アニール）
し、ソース電極１９、ドレイン電極２０および図示しな
い信号線に対応する電極部材としてのクロム（Ｃｒ）層
を、所定の厚さ堆積し、フォトレジストを配置してパタ
ーンニングする。なお、ソース電極１９は、ＩＴＯ膜す
なわち画素電極１８と一部で接続されることはいうまで
もない。
層１７の表面に形成された酸化膜を除去（アニール）
し、ソース電極１９、ドレイン電極２０および図示しな
い信号線に対応する電極部材としてのクロム（Ｃｒ）層
を、所定の厚さ堆積し、フォトレジストを配置してパタ
ーンニングする。なお、ソース電極１９は、ＩＴＯ膜す
なわち画素電極１８と一部で接続されることはいうまで
もない。
【００２２】続いて、ソース電極１９およびドレイン電
極２０をマスクとし、チャネル上部の低抵抗Ｓｉ層１７
をエッチングにより除去する。以下、画素電極１８とソ
ース電極１９とドレイン電極２０と露出されたエッチン
グストッパ層１６をパッシベーション膜２１で覆い、さ
らに配向膜２２を積層する。
極２０をマスクとし、チャネル上部の低抵抗Ｓｉ層１７
をエッチングにより除去する。以下、画素電極１８とソ
ース電極１９とドレイン電極２０と露出されたエッチン
グストッパ層１６をパッシベーション膜２１で覆い、さ
らに配向膜２２を積層する。
【００２３】次に、上述したアクティブマトリックス基
板１０と別の工程で形成された対向基板３０をアクティ
ブマトリックス基板１０に所定間隔で対向させ、両基板
間に液晶材５０を注入し、封止した後、所定の領域に駆
動回路等を付加することで、液晶表示装置が提供され
る。なお、対向基板３０は、ガラス基板３１に、周知の
ブラックマトリック（遮光膜）３２、カラーフィルタ３
３、対向電極３４および配向膜３５が順に形成されたも
ので、さまざまな構成が、既に提案されているから、詳
細な説明は省略する。
板１０と別の工程で形成された対向基板３０をアクティ
ブマトリックス基板１０に所定間隔で対向させ、両基板
間に液晶材５０を注入し、封止した後、所定の領域に駆
動回路等を付加することで、液晶表示装置が提供され
る。なお、対向基板３０は、ガラス基板３１に、周知の
ブラックマトリック（遮光膜）３２、カラーフィルタ３
３、対向電極３４および配向膜３５が順に形成されたも
ので、さまざまな構成が、既に提案されているから、詳
細な説明は省略する。
【００２４】図２は、図１に示した液晶表示パネル１に
おける画素電極すなわちＩＴＯ膜１８の結晶性を評価す
るためにＸ線回折スペクトルを測定した結果を示すグラ
フである。
おける画素電極すなわちＩＴＯ膜１８の結晶性を評価す
るためにＸ線回折スペクトルを測定した結果を示すグラ
フである。
【００２５】図２に示されるように、混合ガス中のＨ2
Ｏガスの分圧を０．００１Ｐａ，同０．００２Ｐａおよ
び０．００５Ｐａのそれぞれとして、Ｘ線回折スペクト
ルを測定すると、Ｈ2 Ｏガスの分圧が０．００２Ｐａ
で、２θスケールの３０°付近に見られるピークが、Ｈ
2 Ｏガスを混合しない場合に比較して１／２程度に低減
されることが認められる。また、Ｈ2 Ｏガスの分圧が
０．００５Ｐａである場合に、２θスケールの３０°付
近に見られるピークが大幅に低減されることが認められ
る。
Ｏガスの分圧を０．００１Ｐａ，同０．００２Ｐａおよ
び０．００５Ｐａのそれぞれとして、Ｘ線回折スペクト
ルを測定すると、Ｈ2 Ｏガスの分圧が０．００２Ｐａ
で、２θスケールの３０°付近に見られるピークが、Ｈ
2 Ｏガスを混合しない場合に比較して１／２程度に低減
されることが認められる。また、Ｈ2 Ｏガスの分圧が
０．００５Ｐａである場合に、２θスケールの３０°付
近に見られるピークが大幅に低減されることが認められ
る。
【００２６】図３は、混合ガス中のＨ2 Ｏガスの分圧と
透過率との関係を示すグラフである。図３に示されるよ
うに、混合ガス中のＨ2 Ｏガスの分圧が０．０１０Ｐａ
よりも高い場合、ＨＦによる表面酸化膜除去の工程によ
りＩＴＯ膜１８の腐食が発生して透過率が急激に低下
し、一般的なＩＴＯの透過率の仕様である８０％を下回
る白濁が認められた。
透過率との関係を示すグラフである。図３に示されるよ
うに、混合ガス中のＨ2 Ｏガスの分圧が０．０１０Ｐａ
よりも高い場合、ＨＦによる表面酸化膜除去の工程によ
りＩＴＯ膜１８の腐食が発生して透過率が急激に低下
し、一般的なＩＴＯの透過率の仕様である８０％を下回
る白濁が認められた。
【００２７】図４は、図１に示した液晶表示パネルにお
ける画素電極すなわちＩＴＯ膜１８を上述した方法で製
造したものにおける分光透過率を示すグラフである。図
４に示されるように、液晶表示パネル１において必要と
される可視光すなわち波長４００ｎｍないし７００ｎｍ
の光の全域において、８０％より高い透過率が確保でき
ることが認められる。
ける画素電極すなわちＩＴＯ膜１８を上述した方法で製
造したものにおける分光透過率を示すグラフである。図
４に示されるように、液晶表示パネル１において必要と
される可視光すなわち波長４００ｎｍないし７００ｎｍ
の光の全域において、８０％より高い透過率が確保でき
ることが認められる。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の液晶表
示装置は、画素電極としてのＩＴＯを製造する際に、ス
パッタガスとして、アルゴン（Ａｒ）ガスを圧力０．６
Ｐａ、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）ガスを分圧で０．００５Ｐａ混
合した混合ガスを用いている。これにより、次の工程で
あるエッチングレートに影響を与えることなく、しかも
エッチング残渣となりやすい微結晶粒が生じることを防
止できる。従って、エッチング残渣がなく、白濁等によ
る画質の劣化の生じない液晶表示パネルが提供できる。
示装置は、画素電極としてのＩＴＯを製造する際に、ス
パッタガスとして、アルゴン（Ａｒ）ガスを圧力０．６
Ｐａ、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）ガスを分圧で０．００５Ｐａ混
合した混合ガスを用いている。これにより、次の工程で
あるエッチングレートに影響を与えることなく、しかも
エッチング残渣となりやすい微結晶粒が生じることを防
止できる。従って、エッチング残渣がなく、白濁等によ
る画質の劣化の生じない液晶表示パネルが提供できる。
【図１】この発明の実施の形態である製造方法が適用さ
れる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の概略平
面図。
れる液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の概略平
面図。
【図２】図１を用いて説明したＩＴＯ膜の製造方法にお
いて、混合ガス中の水蒸気ガスの分圧とＩＴＯ膜のＸ線
回折スペクトルとの関係を示すグラフ。
いて、混合ガス中の水蒸気ガスの分圧とＩＴＯ膜のＸ線
回折スペクトルとの関係を示すグラフ。
【図３】図１を用いて説明したＩＴＯ膜の製造方法にお
いて、混合ガス中の水蒸気ガスの分圧とＩＴＯ膜の透過
率との関係を示すグラフ。
いて、混合ガス中の水蒸気ガスの分圧とＩＴＯ膜の透過
率との関係を示すグラフ。
【図４】図１を用いて説明したＩＴＯ膜の製造方法によ
り得られるＩＴＯ膜の分光透過率を示すグラフ。
り得られるＩＴＯ膜の分光透過率を示すグラフ。
１ …アクティブマトリクス型液晶表示パネル、 １０ …アクティブマトリクス基板、 １１ …ガラス基板、 １２ …ゲート電極、 １３ …第１のゲート絶縁膜、 １４ …第２のゲート絶縁膜、 １５ …アモルファスシリコン膜、 １６ …エッチングストッパ層、 １７ …低抵抗シリコン層、 １８ …透明導電性膜、 １９ …ソース電極、 ２０ …ドレイン電極、 ２１ …パッシベーション膜、 ２２ …配向膜、 ３０ …対向基板、 ５０ …液晶材。
Claims (5)
- 【請求項１】絶縁基板上にＩＴＯからなる透明導電性膜
を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、 前記透明導電性膜の成膜工程は、水蒸気ガスを添加した
スパッタリング法で、かつ、その水蒸気ガスの添加量
は、分圧にして、０．００２Ｐａから０．０１０Ｐａで
あることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】絶縁基板上にＩＴＯからなる透明導電性膜
を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、 前記透明導電性膜の成膜工程は、水蒸気ガスを添加した
スパッタリング法で、かつ、その水蒸気ガスの添加量
は、分圧にして、０．００２Ｐａから０．０１０Ｐａで
あり、かつ、その後、２００°Ｃ以上の熱による熱処理
工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項３】絶縁基板上にＩＴＯからなる透明導電性膜
を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、 前記透明導電性膜の成膜工程は、水蒸気ガスを添加した
スパッタリング法であり、 その水蒸気ガスの添加量は、分圧にして、０．００２Ｐ
ａから０．０１０Ｐａであり、かつ、 その後、２００°Ｃ以上の熱による熱処理工程を有し、
かつ、 その後、フッ酸を含んだ水溶液にて表面処理する工程
と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項４】上記水蒸気ガスの添加量は、分圧にして、
０．００５Ｐａ以上であることを特徴とする請求項１な
いし３のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】上記水蒸気ガスの添加量は、分圧にして、
概ね０．００５Ｐａであり、熱処理温度は、好ましくは
概ね２３０°Ｃであることを特徴とする請求項１ないし
３のいづれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26031397A JPH1195239A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26031397A JPH1195239A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195239A true JPH1195239A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17346297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26031397A Pending JPH1195239A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1195239A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005181670A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Ulvac Japan Ltd | 極薄ｉｔｏ膜の製造方法 |
| US7012657B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-03-14 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of fabricating liquid crystal display device |
| WO2009044893A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
| CN104535597A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-04-22 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 触摸屏镀层的检测方法及装置 |
| CN110678575A (zh) * | 2017-05-31 | 2020-01-10 | 株式会社爱发科 | 成膜装置和成膜方法 |
-
1997
- 1997-09-25 JP JP26031397A patent/JPH1195239A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7012657B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-03-14 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Method of fabricating liquid crystal display device |
| US7046314B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-05-16 | Nec Lcd Technologies Ltd. | Method of fabricating liquid crystal display device |
| US7110058B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-09-19 | Nec Lcd Technologies | Method of fabricating liquid crystal display device |
| JP2005181670A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Ulvac Japan Ltd | 極薄ｉｔｏ膜の製造方法 |
| WO2009044893A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
| JPWO2009044888A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2011-02-10 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム系ターゲット |
| JP5464319B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2014-04-09 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム系ターゲット |
| CN104535597A (zh) * | 2014-12-15 | 2015-04-22 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 触摸屏镀层的检测方法及装置 |
| CN110678575A (zh) * | 2017-05-31 | 2020-01-10 | 株式会社爱发科 | 成膜装置和成膜方法 |
| CN110678575B (zh) * | 2017-05-31 | 2021-08-31 | 株式会社爱发科 | 成膜装置和成膜方法 |
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