JPH1195238A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH1195238A
JPH1195238A JP25558697A JP25558697A JPH1195238A JP H1195238 A JPH1195238 A JP H1195238A JP 25558697 A JP25558697 A JP 25558697A JP 25558697 A JP25558697 A JP 25558697A JP H1195238 A JPH1195238 A JP H1195238A
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liquid crystal
electrode
pixel
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crystal display
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JP25558697A
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Masahiko Yamaguchi
雅彦 山口
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Alps Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 開口率を低下させることなく、広視野角化を
図ることができる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 ソース線15とゲート線16が直交して
設けられ、これら配線によって区画された領域が画素1
7a、17bとなっている。ソース線15とゲート線1
6の各交点近傍に薄膜トランジスタ19が設けられ、ゲ
ート線16の一部をソース線15に沿って延出させた部
分からなる配向電極18が、ソース線15方向に並んだ
隣接する画素間で隔離して各画素毎に1本ずつ設けられ
ている。そして、この配向電極18は、1本おきのソー
ス線15を挟んで隣接する2つの画素において当該ソー
ス線15に沿うように当該ソース線15の両側に併設さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、視野角依存性が少
なく、見る方向によらずに良好な視認性を有する液晶表
示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般にTNモードの液晶表示装置におい
ては、その視野角依存性が問題となっている。図18は
TNモードの液晶表示装置の一般的な視野角依存性を示
すものであり、図18における曲線で囲まれた領域がコ
ントラスト(CR)10以上の範囲を示している。この
図に示すように、TNモードの液晶表示装置は、左右方
向からの視認性はある程度良好であるものの、上下方
向、特に上方向からの視認性が悪いことが明らかであ
る。
【0003】このような背景から、近年、液晶表示装置
の視野角を広げるための様々な構造が提案されている。
その一つに画素単位の配向分割化構造がある。この配向
分割化構造とは、各画素に電圧を印加した時に液晶分子
が立ち上がる向きが異なる領域を持たせた構造のことで
あり、例えば一つの画素を2分割し、2分割した画素の
配向膜にそれぞれ異なる配向処理を施すことによりこの
構造を実現することができる。ところが、微細な画素に
対して分割領域毎に異なる配向処理を施すのは煩雑な作
業が必要となるため、工程が複雑になり、歩留まりも低
下しやすいという問題がある。また、広視野角化を実現
する他の手段として、視野角を拡げる機能を持つ位相差
フィルムを液晶セルに貼付するという方法もあるが、こ
のフィルムは高価なものであり、製造コストが高騰する
という問題がある。また、従来、対向基板側に設けられ
ていた共通電極を画素電極側に設け、液晶分子に対して
基板に平行な電界を印加して液晶分子を基板に平行な面
内で駆動する(In-Plane Switching, IPS)という広
視野角化技術も提案されている。しかしながら、IPS
構造の場合、液晶セル内の電極配置が複雑になり、開口
率が低下するという問題を抱えている。
【0004】広視野角化を実現するさらに他の手段とし
て、画素電極の四辺を囲むように設けた配向制御電極、
いわゆる囲い電極を備えた液晶表示装置がある。図16
および図17は囲い電極を備えた液晶表示装置の1つの
画素の構成を示すものである。図16に示すように、ゲ
ート配線1(走査配線)とソース配線2(信号配線)が
交差して設けられ、交点の近傍には薄膜トランジスタ3
が設けられている。これらゲート配線1、ソース配線2
によって区画された領域内に薄膜トランジスタ3のドレ
イン電極に接続された矩形状の画素電極4が設けられ、
画素電極4の四辺を囲むように配向制御電極5が設けら
れている。また、断面構造を見ると、図17に示すよう
に、一方の基板6上に絶縁膜7を介して画素電極4、配
向制御電極5がそれぞれ設けられ、液晶層8を挟んでこ
の基板6と対向する他方の基板9上には対向電極10が
設けられている。そして、この対向電極10には、図1
6に示すように、画素の対角線に沿ってX字状の窓11
が形成されている。
【0005】この液晶表示装置においては、図17に示
すように、液晶層8を挟んで対向する画素電極4と対向
電極10との間に電界が生じるのは勿論のこと、一方の
基板6上における画素電極4と配向制御電極5との間に
も電界が生じ、これら電界によって液晶分子の傾く方向
が制御される。ここで、配向制御電極5は画素電極4の
四辺を囲むように配置されているため、画素電極4の各
辺近傍の液晶分子は、その辺に沿って配置された配向制
御電極5に向かう電界の方向(図16中に矢印で示す方
向)にそれぞれ傾くことになる。すなわち、1つの画素
内で2本の対角線を境界として液晶の配向方向が異なる
4つの領域ができ、各配向方向による非対称なコントラ
ストが画素内で平均化されるため、視野角を拡大するこ
とができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記囲
い電極を備えた液晶表示装置においては、画素内におけ
る液晶の配向方向が異なる4つの領域の境界近傍では液
晶分子の配向の乱れ(以下、ディスクリネーションとい
う)が生じ、この部分で光漏れが発生する恐れがあっ
た。そこで、対向基板側にX字状のブラックマスクを設
けるなどして光漏れを目立たなくする対策が必要となる
が、その反面、このようにすると開口率が低下するとい
う問題が生じてしまう。特に、画素の中央にこの種のブ
ラックマスクを設けなければならないというのは極めて
不利なことである。すなわち、この方法では、囲い電極
の採用により広視野角化を図ったところで開口率が低下
するという問題が避けられなかった。
【0007】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、開口率を低下させることなく、広
視野角化を図ることができる液晶表示装置を提供するこ
とを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層
が設けられ、これら一対の基板のうち一方の基板の対向
面上に、複数の信号配線と複数の走査配線とが互いに直
交して設けられ、これら配線によって区画された領域が
画素となり、上記信号配線と走査配線の各交点近傍に薄
膜トランジスタが設けられるとともに、上記各画素内の
上記薄膜トランジスタに接続された画素電極との間で上
記液晶層に電界を印加する配向電極が、1本おきの信号
配線を挟んで隣接する2つの画素において当該信号配線
に沿って当該信号配線の両側に併設されたことを特徴と
するものである。
【0009】液晶表示装置において、一方の基板上に画
素電極に加えて配向電極を設けた場合、液晶層を挟んで
対向する画素電極と対向電極との間に生じた電界は画素
電極と同一基板上に設けられた配向電極に引っ張られ、
電界は配向電極の側に向けて傾くことになる。そこで、
本発明の液晶表示装置では、1本おきの信号配線を挟ん
で隣接する2つの画素において、配向電極が当該信号配
線に沿って当該信号配線の両側に併設されているため、
この2つの画素について見た場合、配向電極側、すなわ
ち2つの画素の中央の信号配線側に向けてそれぞれ逆方
向に電界が傾くことになり、各方向に傾いた電界に応じ
て液晶分子が傾いて立ち上がる。また、隣接する2つの
画素で逆方向に電界が傾くという関係は、配向電極が併
設されていない信号配線を挟んで隣接する2つの画素に
おいても同様である。すると、液晶の配向方向による非
対称なコントラストが、信号配線を挟んで隣接する2つ
の画素で平均化されることになり、この液晶表示装置の
構成により全体として視野角を拡大することができる。
【0010】さらに、本発明の液晶表示装置の場合、囲
い電極を設けた従来の液晶表示装置のように画素の中央
でディスクリネーションが生じるようなことがなく、デ
ィスクリネーションが生じたとしてもそれは隣接する画
素間の信号配線に沿った個所で生じるのみである。とこ
ろが、この個所は一般的な液晶表示装置においてもとも
とブラックマスクが設けられる個所であるから、本発明
の構成に起因するディスクリネーションが開口率に悪影
響を及ぼすことはない。したがって、本発明の液晶表示
装置によれば、開口率を低下させることなく広視野角化
が図れる、という効果を奏することができる。
【0011】また、上記配向電極自体の形態としては、
以下に示すような種々の形態を採ることができる。例え
ば、配向電極を信号配線や走査配線とは独立して別個に
設け、信号配線に沿って並ぶ複数の画素にわたって信号
配線の延設方向に長く延ばした構成としてもよい。ま
た、これに対して、配向電極を別個に設けるのではな
く、各走査配線の一部を各信号配線に沿って延出させた
部分で構成し、走査配線同士で短絡しないように信号配
線方向に並んだ隣接する画素間で隔離したものとしても
よい。前者の場合、配向電極を信号配線や走査配線とは
別に独立して設けるため、この配向電極を例えばアース
線としても用い、接地電位等の一定の電位を常時印加し
ておくことができる。また、接地電位ではなく、負の電
位を印加してもよい。いずれにしても、この構成によっ
て画素電極と配向電極との間に電位差が生じるため、画
素電極と対向電極との間に生じた電界を配向電極の側に
向けて傾かせることができる。後者の場合、配向電極が
走査配線と一体的に形成されるため、従来の液晶表示装
置における走査配線のパターン形状を設計変更するのみ
で済み、配向電極を設けることにより従来に比べて製造
プロセスが複雑になることもない。
【0012】その他、配向電極を上記信号配線および上
記走査配線に沿ってジグザグ状に設けてもよい。この構
成とした場合、信号配線を挟んで隣接する2つの画素の
みならず、走査配線を挟んで隣接する2つの画素に関し
ても、電界の傾く方向が逆になり、液晶分子の傾く方向
も逆になるため、非対称なコントラストが隣接する2つ
の画素で平均化されて視野角が拡大するという上記と同
様の作用が生じることになる。したがって、全体として
視野角が拡大するという効果がより顕著になる。また、
走査配線を挟んで隣接する2つの画素間で走査配線に沿
った個所に生じるディスクリネーションに関しても、ブ
ラックマスクの設置により開口率に影響するものではな
い。
【0013】さらに、上記画素電極に接続した容量電極
を、絶縁膜を介して上記配向電極に対向して設け、これ
ら容量電極、絶縁膜、配向電極によって蓄積容量部を形
成する構成としてもよい。液晶表示装置にとって画素電
極の電荷を保持する蓄積容量部は必要不可欠なものであ
るが、上記の構成とする場合、例えば、容量電極を信号
配線と同層で、配向電極を走査配線と同層で形成するこ
とができる。したがって、蓄積容量部を形成するために
新たな層を用いることがなく、製造プロセスを複雑にす
ることがない。このように、上記構成によれば、簡単な
マスクパターンの変更のみで蓄積容量部を容易に形成す
ることができる。
【0014】また、上記一方の基板と対向する他方の基
板上に設けられた対向電極に、上記画素の上記配向電極
が設けられた側と反対側に位置する縁部に沿って窓を設
ける構成としてもよい。本発明の液晶表示装置において
は、画素電極と対向電極間または画素電極と配向電極間
の電位差、これら電極の相対的な位置関係によって、電
界の曲がり具合が変わり、液晶分子の傾き具合が変わる
ものである。そして、この液晶分子の傾き具合を調節す
ることによって、コントラストの視野角依存性を制御す
ることができる。そこで、上記のように、対向電極のう
ち配向電極を設けた側と反対側の縁部に窓を形成した場
合、画素電極の配向電極から離れた側の端部ではその直
上に対向電極が存在しないことになるため、画素電極と
対向電極との間に生じる電界が、窓を設けない場合に比
べて配向電極側にさらに傾いた状態となる。このよう
に、対向電極に窓を設け、さらに窓の寸法を最適化する
ことによって液晶分子の傾き具合を変えることができ、
コントラストの視野角依存性を制御することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)以下、本発明の第1の実施の形態
を図1ないし図4を参照して説明する。図1は本実施の
形態の液晶表示装置全体の画素構成を示す平面図、図2
は同、拡大図、図3は薄膜トランジスタの部分で切断し
た断面図、図4は画素電極の部分で切断した断面図を示
している。本実施の形態は、薄膜トランジスタを逆スタ
ガ型とし、画素電極との間で液晶層に電界を印加する配
向電極をゲート線と同層で構成した例である。
【0016】図1は本実施の形態の液晶表示装置の特徴
点を説明するための図である。本実施の形態の液晶表示
装置は、複数のソース線15(信号配線)と複数のゲー
ト線16(走査配線)が互いに直交して設けられ、これ
ら配線15、16によって区画された領域が画素17と
なっている。ソース線15とゲート線16の各交点近傍
に薄膜トランジスタ(この図では図示を省略する)が設
けられ、各ゲート線16の一部を各ソース線15に沿っ
て延出させた部分からなる配向電極18が、ソース線1
5に沿う方向に並んだ隣接する画素17間で隔離して各
画素17毎に1本ずつ設けられている。そして、この配
向電極18は、1本おきのソース線15を挟んで隣接す
る2つの画素17において当該ソース線15に沿って当
該ソース線15の両側に併設されている。また、配向電
極18が両側に併設された部分は、ソース線15に沿う
方向(図1における縦方向)において互い違いになって
いる。
【0017】図2は図1の一部を拡大視したものであ
る。この図を用いて本液晶表示装置の平面構成を詳細に
見ると、ソース線15とゲート線16が互いに直交して
設けられ、これら配線15、16により区画された領域
が、ソース線15の延びる方向が長辺方向、ゲート線1
6の延びる方向が短辺方向とされた長方形状の画素17
となっている。また、ソース線15とゲート線16の各
交点近傍に薄膜トランジスタ19が設けられ、ソース線
15、ゲート線16から薄膜トランジスタ19のソース
電極20、ゲート電極21がそれぞれ延出している。ま
た、薄膜トランジスタ19のドレイン電極22にはコン
タクトホール23を介して画素電極24が接続されてい
る。そして、各画素17において各ゲート線16の一部
をソース線15に沿って延出させた配向電極18が設け
られている。
【0018】また、1本のソース線15を挟んで隣接す
る2つの画素17に着目すると、例えば図2中の4つの
画素のうち、左上の画素17aでは配向電極18がこの
画素における右側に設けられ、一方、右上の画素17b
では配向電極18がこの画素における左側に設けられる
というように、1本のソース線15を挟んで隣接する2
つの画素17a、17bにおける配向電極18は、これ
ら各画素17a、17bのそれぞれ反対側に配置されて
いる。このように隣接する画素17a、17bで配向電
極18が反対側に配置されているという関係は、図1中
の左下の画素と右下の画素においても同様であり、さら
にはソース線15に沿って並ぶ2つの画素、例えば左上
の画素と左下の画素においても同様である。
【0019】図3は本実施の形態の液晶表示装置の断面
構造を示すものである。この液晶表示装置は、図3に示
すように、第1の基板25の表面上に薄膜トランジスタ
19、画素電極24、配向電極18が設けられ、第2の
基板26の表面上にカラーフィルタ27、ブラックマス
ク28、対向電極29が設けられ、これら一対の基板2
5、26間に液晶層41が設けられたものである。ここ
で用いる液晶は、負の誘電率異方性を有するもの、正の
誘電率異方性を有するもののいずれであってもよい。な
お、ここでは配向膜の図示は省略する。
【0020】また、薄膜トランジスタ19の部分には、
第1の基板25上にゲート線16から導出されたゲート
電極21が形成され、このゲート電極21を覆うように
SiO2やSiNx等からなるゲート絶縁膜30が形成さ
れている。ゲート電極21の上方にあたるゲート絶縁膜
30上面にはアモルファスシリコン(a−Si)からな
る半導体層31が設けられ、さらにこの半導体層31上
にn+ 型a−Si層32が設けられ、その上にアルミニ
ウム等の導電体からなるドレイン電極22とソース線1
5から導出されたソース電極20が形成されている。そ
して、これらドレイン電極22、ソース電極20を覆う
ようにSiO2やSiNx等からなるパッシベーション膜
33が形成されるとともに、ドレイン電極22上にこの
パッシベーション膜33を貫通するコンタクトホール2
3が形成され、このコンタクトホール23を通じてドレ
イン電極22と電気的に接続されるITO等の透明導電
性材料からなる画素電極24がパッシベーション膜33
上に形成されている。さらに、ゲート電極21の側方に
このゲート電極21と同層の配向電極18が設けられて
いる。
【0021】本実施の形態の液晶表示装置においては、
液晶層41を挟んで対向する画素電極24と対向電極2
9との間に電界が印加されることで液晶分子が駆動され
る。ところが、通常、画素電極24は1ないし10V程
度の電位、配向電極18はその配向電極18に通じるゲ
ート線16に走査電圧が印加されていない状態で−6V
程度の電位となっているため、画素電極24と配向電極
18との間には大きな電位差が生じる。その結果、図4
に示すように、画素電極24と対向電極29との間に生
じた電界Eは画素電極24と同一基板上に設けられた配
向電極18に引っ張られ、電界Eは配向電極18の側に
向けて傾くようになる。この場合、図4における左右方
向は画素電極24の短辺方向であるため、電界Eは特に
傾きやすい。なお、ゲート線16に走査電圧が印加され
た際には画素電極24と配向電極18間の電位差は小さ
くなるが、走査電圧は瞬間的にパルスの形で印加される
ものであり、液晶の配向方向には影響しない。
【0022】そこで、1本のソース線15を挟んで隣接
する2つの画素17について見た場合、画素17内にお
いて配向電極18の設けられた位置が互いに逆であるこ
とから、その電界Eの傾く方向も逆になり、図1に傾き
方向を矢印Eで示したように、各方向に傾いた電界Eに
応じて液晶分子が傾いて立ち上がる。すると、液晶の配
向方向による非対称なコントラストが、1本のソース線
15を挟んで隣接する2つの画素17で平均化されるこ
とになり、この液晶表示装置の構成により全体として視
野角を拡大することができる。さらに、本実施の形態の
場合、図1から明らかなように、ソース線15に沿う方
向に並ぶ2つの画素17においても電界Eの傾きが逆方
向になるため、この2つの画素17でもコントラストが
平均化され、視野角を拡大する効果がより大きくなる。
【0023】また、本実施の形態の液晶表示装置の場
合、囲い電極を設けた従来の液晶表示装置のように画素
の中央でディスクリネーションが生じるようなことがな
く、ディスクリネーションが生じたとしてもそれは隣接
する画素17間のソース線15近傍の個所(例えば図4
中符号Dで示す個所)で生じるのみである。ところが、
この個所はソース線15が通っており、通常の液晶表示
装置でも元来ブラックマスク28が設けられる個所であ
るから、本実施の形態の構成によるディスクリネーショ
ンが開口率に悪影響を及ぼすことはない。したがって、
本実施の形態の液晶表示装置によれば、開口率を低下さ
せることなく広視野角化が図れる、という効果を奏する
ことができる。
【0024】さらに、本実施の形態の液晶表示装置の場
合、各配向電極18がゲート線16と一体的に形成され
るため、従来の液晶表示装置におけるゲート線のパター
ン形状を設計変更するのみで済み、配向電極18を設け
ることにより従来に比べて製造プロセスが複雑になるこ
ともない。
【0025】なお、本実施の形態では、図1に示したよ
うに、配向電極18が両側に併設された部分がソース線
15方向に並ぶ画素17において互い違いになるように
配置した結果、ソース線15方向に並ぶ2つの画素17
において非対称なコントラストが平均化されるという効
果が得られた。しかしながら、この効果を求めないので
あれば、図5に示すように、配向電極18が両側に併設
された部分がソース線15方向に並ぶ画素17で直線状
に並ぶように配置してもよい。この構成でも、ソース線
15を挟んで隣接する2つの画素17でコントラストが
平均化され、液晶表示装置全体として視野角を拡大する
ことができるという効果が得られるのは勿論である。
【0026】(第2の実施の形態)以下、本発明の第2
の実施の形態を図6、図7を参照して説明する。図6は
本実施の形態の液晶表示装置の1画素の構成を示す平面
図、図7は画素電極の部分で切断した断面図を示してい
る。本実施の形態の液晶表示装置が第1の実施の形態と
異なる点は、容量電極を設けた上で第1の実施の形態と
同様の配向電極を蓄積容量部の一方の電極としても兼用
し、これらにより蓄積容量部を構成した点である。そこ
で、図6、図7において、図1ないし図4と共通の構成
要素に関しては同一の符号を付し、詳細な説明は省略す
る。
【0027】本実施の形態の液晶表示装置には、図6お
よび図7に示すように、ゲート線16の一部をソース線
15に沿って延出させた配向電極18の上方に、ゲート
絶縁膜30を介してソース線15と同層で形成した容量
電極34が配向電極18と略同一形状に設けられてい
る。そして、この容量電極34およびその側方に位置す
るソース線15を覆うようにパッシベーション膜33が
形成されるとともに、容量電極34上にこのパッシベー
ション膜33を貫通するコンタクトホール35が形成さ
れ、このコンタクトホール35を通じて容量電極34と
画素電極24が電気的に接続されている。したがって、
これら容量電極34、ゲート絶縁膜30、配向電極18
によって蓄積容量部36が構成されている。
【0028】液晶表示装置にとって1本のゲート線が走
査された後、次の走査に至るまで画素電極の電荷を保持
する蓄積容量部は必要不可欠なものであるが、本実施の
形態の場合、その蓄積容量部36が容量電極34、ゲー
ト絶縁膜30、配向電極18によって構成されている。
また、容量を構成する電極のうち、容量電極34はソー
ス線15と同層で、配向電極18はゲート線16と同層
で構成されている。したがって、蓄積容量部36を形成
するために新たな層を用いる必要がなく、製造プロセス
を複雑にすることがない。このように、本実施の形態の
液晶表示装置によれば、開口率を低下させることなく広
視野角化が図れるという第1の実施の形態と同様の効果
が得られるのに加えて、簡単なマスクパターンの変更の
みで蓄積容量部を容易に形成することができる。
【0029】(第3の実施の形態)以下、本発明の第3
の実施の形態を図8、図9を参照して説明する。図8は
本実施の形態の液晶表示装置の画素の構成を示す平面
図、図9は画素電極の部分で切断した断面図を示してい
る。本実施の形態の液晶表示装置に関しては、第1の基
板側の構成は第1の実施の形態と全く同様であり、第2
の基板側の対向電極に窓を設けた点のみが第1の実施の
形態と異なっている。そこで、図8、図9において、図
1ないし図4と共通の構成要素に関しては同一の符号を
付し、詳細な説明は省略する。
【0030】本発明の液晶表示装置においては、画素電
極と対向電極間または画素電極と配向電極間の電位差、
これら電極の相対的な位置関係によって、電界の曲がり
具合が変わり、液晶分子の傾き具合が変わるものであ
る。そして、この液晶分子の傾き具合を調節することに
よって、コントラストの視野角依存性を制御することが
できる。その場合、第1の実施の形態の構成のみでは液
晶分子の傾き量が不充分であり、傾き量をより大きくし
たい場合には、図8および図9に示す本実施の形態の構
成のように、画素電極24と対向する対向電極29のう
ち、画素電極24の上方であって配向電極18と反対側
に位置する辺に沿った部分に窓37を形成するとよい。
【0031】対向電極29にこのような窓37を形成し
た場合、図9に示すように、画素電極24の配向電極1
8から離れた側の端部ではその上方に対向電極29が存
在しないことになるため、画素電極24と対向電極29
との間に生じる電界E’が窓を設けない場合(図4にお
ける電界E)に比べて配向電極18側により傾いた状態
となる。このように、対向電極29に窓37を設け、さ
らに窓37の寸法を最適化することによって液晶分子の
傾き具合を変えることができ、コントラストの視野角依
存性を制御することができる。なお、図8に示したよう
に複数の画素全てにわたって対向電極29を設けるので
はなく、図10に示したように、各画素毎に分割した対
向電極29aを設け、この分割対向電極29aのソース
線15に沿う部分を切り欠いて窓37aとしてもよい。
【0032】(第4の実施の形態)以下、本発明の第4
の実施の形態を図11ないし図14を参照して説明す
る。図11は本実施の形態の液晶表示装置全体の画素構
成を示す平面図、図12は同、拡大図、図13は薄膜ト
ランジスタの部分で切断した断面図、図14は画素電極
の部分で切断した断面図を示している。本実施の形態の
液晶表示装置が第1の実施の形態と異なる点は、第1の
実施の形態が配向電極をゲート線と同層で一体的に形成
したのに対し、本実施の形態では配向電極をゲート線や
ソース線とは別に独立して設けた点である。そこで、図
11ないし図14において、図1ないし図4と共通の構
成要素に関しては同一の符号を付し、詳細な説明は省略
する。
【0033】図11は本実施の形態の液晶表示装置の特
徴点を説明するための図である。本実施の形態の液晶表
示装置は、ソース線15とゲート線16が直交して設け
られ、これら配線15、16によって区画された領域が
画素17となっている。ソース線15とゲート線16の
各交点近傍に薄膜トランジスタ(この図では図示を省略
する)が設けられ、ソース線15やゲート線16とは別
に設けられた配向電極38が、1本おきのソース線15
を挟んで隣接する2つの画素17において当該ソース線
15に沿って当該ソース線15の両側に併設されてい
る。また、この配向電極38は、ソース線15に沿う方
向に並ぶ複数の画素17にわたってソース線15の延設
方向に長く延びている。
【0034】図12は図11の一部を拡大視したもので
ある。図12に示すように、ソース線15とゲート線1
6により区画された領域が、ソース線15の延びる方向
が長辺方向、ゲート線16の延びる方向が短辺方向とさ
れた長方形状の画素となっている。また、ソース線15
とゲート線16の各交点近傍に薄膜トランジスタ19が
設けられており、薄膜トランジスタ19のドレイン電極
22には画素電極24が接続されている。また、1本の
ソース線15を挟んで隣接する2つの画素17に着目す
ると、例えば図12中の左側の画素17aでは配向電極
38がこの画素17aにおける左側に設けられ、一方、
右側の画素17bでは配向電極38がこの画素17bに
おける右側に設けられるというように、1本のソース線
15を挟んで隣接する2つの画素17における配向電極
38は、これら各画素17のそれぞれ反対側の辺に沿う
ように配置されている。
【0035】この液晶表示装置は、図13に示すよう
に、第1の基板25の表面上にアルミニウム等の導電体
からなる配向電極38が設けられ、この配向電極38を
覆うようにSiO2やSiNx等からなる絶縁膜39が設
けられ、その絶縁膜39上に第1の実施の形態と同様の
逆スタガ型の薄膜トランジスタ19が設けられている。
この薄膜トランジスタ19は、ゲート電極21が配向電
極38の上方に重なるよう配置されている。また、第2
の基板26側の構成は第1の実施の形態と同様である。
そして、これら一対の基板25、26間に液晶層41が
設けられている。
【0036】本実施の形態の液晶表示装置においては、
第1の実施の形態と異なり、配向電極38をゲート線1
6とは別に独立して設けているため、この配向電極38
を例えばアース線として兼用し、接地電位等の一定の電
位を常時印加しておくことができる。また、接地電位で
はなく、負の電位を印加してもよい。いずれにしても、
この構成によって画素電極24と配向電極38との間に
電位差が生じ、図14に示すように、画素電極24と対
向電極38との間に生じた電界Eは画素電極24と同一
基板上に設けられた配向電極38に引っ張られ、電界E
は配向電極38の側に向けて傾くようになる。
【0037】そして、1本のソース線15を挟んで隣接
する2つの画素17について見た場合、画素17内にお
いて配向電極38の設けられた位置が互いに逆であるこ
とから、その電界Eの傾く方向も逆になり、図11に傾
き方向を矢印Eで示したように、各方向に傾いた電界E
に応じて液晶分子が傾いて立ち上がる。すると、液晶の
配向方向による非対称なコントラストが、1本のソース
線15を挟んで隣接する2つの画素17で平均化される
ことになり、この液晶表示装置の構成により全体として
視野角を拡大することができる。また、本実施の形態に
おいても、ディスクリネーションが生じるのは開口率に
影響しない隣接する画素17間のソース線15に沿った
個所(図14中符号Dで示す個所)である。したがっ
て、本実施の形態の液晶表示装置によっても、開口率を
低下させることなく広視野角化が図れる、という効果を
奏することができる。
【0038】(第5の実施の形態)以下、本発明の第5
の実施の形態を図15を参照して説明する。図15は本
実施の形態の液晶表示装置の画素の構成を示す平面図で
ある。本実施の形態の液晶表示装置は配向電極をゲート
線やソース線とは別に独立して設けたものであり、断面
構造は第4の実施の形態と同様であるが、平面的な構造
が異なり、第4の実施の形態が配向電極を直線状に設け
たのに対し、本実施の形態では配向電極をジグザグ状に
設けている。そこで、図15において、図12と共通の
構成要素に関しては同一の符号を付し、詳細な説明は省
略する。
【0039】この液晶表示装置においては、図15に示
すように、配向電極40がゲート線16よりも下層に形
成されるとともに、1本のソース線15に沿って並ぶ複
数の画素17a、17bにわたってジグザグ状に形成さ
れている。具体的には、図15に図示した4つの画素の
うち左側の列の画素17aに関しては、上側の画素で
は、配向電極40はこの画素の薄膜トランジスタ19の
ゲート電極21下方を通り、その薄膜トランジスタ19
に接続されたソース線15(この画素における左側のソ
ース線)に沿って配置され、下側の画素では、配向電極
40はこの画素の上側で屈曲し、今度はこの画素の右隣
の画素の薄膜トランジスタ19に接続されたソース線1
5(この画素における右側のソース線)に沿って配置さ
れている。また、右側の列の画素17bに関しては、左
側の列とは逆のジグザグ状となっており、上側の画素で
は、配向電極40はこの画素の右隣の画素の薄膜トラン
ジスタ19に接続されたソース線15(この画素におけ
る右側のソース線)に沿って配置され、下側の画素で
は、配向電極40はこの画素の上側で屈曲し、この画素
の薄膜トランジスタ19に接続されたソース線15(こ
の画素における左側のソース線)に沿って配置されてい
る。すなわち、本実施の形態の液晶表示装置の場合、配
向電極40は、1本のソース線15を挟んで隣接する2
つの画素17a、17bにおいてこれら各画素のそれぞ
れ反対側の辺に沿って配置されると同時に、ソース線1
5方向に沿って並ぶ2つの画素においても、これら画素
のそれぞれ反対側の辺に沿って配置されている。
【0040】本実施の形態においても、上記第1ないし
第4の実施の形態と同様、隣接する2つの画素で電界の
傾く方向が逆になり、液晶分子の傾く方向も逆になるた
め、液晶の配向方向による非対称なコントラストが隣接
する2つの画素で平均化されて視野角が拡大するという
作用が生じる。また、本実施の形態の場合、第1の実施
の形態と同様、ソース線15を挟んで隣接する2つの画
素のみならず、ソース線15方向に沿って並ぶ2つの画
素に対しても上記の作用が生じることになる。したがっ
て、全体として視野角が拡大するという効果がより顕著
になる。また、ソース線15方向に沿って並ぶ2つの画
素間でゲート線16に沿った個所に生じるディスクリネ
ーションに関しても、ブラックマスクの設置により開口
率に影響するものではない。したがって、本実施の形態
の液晶表示装置によっても、開口率を低下させることな
く広視野角化が図れる、という効果を奏することができ
る。
【0041】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記第1ないし第5の実施の形態では、配向電極を
ゲート線と同層もしくはゲート線よりも下層に形成し、
全て配向電極が画素電極よりも下層側にある例を示した
が、本発明における配向電極は画素電極と同層で形成
し、画素電極と横並びになる構成としてもよい。また、
上記実施の形態では薄膜トランジスタが逆スタガ型の例
を示したが、この薄膜トランジスタはスタガ型であって
もよい。
【0042】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
液晶表示装置によれば、1本おきの信号配線を挟んで隣
接する2つの画素において、配向電極が当該信号配線に
沿って当該信号配線の両側に併設されているため、この
2つの画素について見た場合、配向電極側、すなわち2
つの画素の中央の信号配線側に向けてそれぞれ逆方向に
電界が傾くことになり、各方向に傾いた電界に応じて液
晶分子が傾いて立ち上がる。また、隣接する2つの画素
で逆方向に電界が傾くという関係は、配向電極が併設さ
れていない信号配線を挟んで隣接する2つの画素におい
ても同様である。その結果、液晶の配向方向による非対
称なコントラストが、信号配線を挟んで隣接する2つの
画素で平均化されることになり、この液晶表示装置の構
成により全体として視野角を拡大することができる。さ
らに、本発明の液晶表示装置の場合、囲い電極を設けた
従来の液晶表示装置のように画素の中央でディスクリネ
ーションが生じるようなことがなく、ディスクリネーシ
ョンが生じたとしてもそれは隣接する画素間の信号配線
に沿った個所で生じるのみである。ところが、この個所
は通常の液晶表示装置において元来ブラックマスクが設
けられる個所であるから、本発明の構成によるディスク
リネーションが開口率に悪影響を及ぼすことはない。し
たがって、本発明の液晶表示装置によれば、開口率を低
下させることなく広視野角化が図れる、という効果を奏
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態である液晶表示装
置の画素全体の概略構成を示す平面図である。
【図2】 同、液晶表示装置の要部の拡大図である。
【図3】 図2のA−A線に沿う断面図である。
【図4】 図2のB−B線に沿う断面図である。
【図5】 同、液晶表示装置において配向電極の位置を
変えた例を示す平面図である。
【図6】 本発明の第2の実施の形態である液晶表示装
置の画素の構成を示す平面図である。
【図7】 図6のC−C線に沿う断面図である。
【図8】 本発明の第3の実施の形態である液晶表示装
置の画素の構成を示す平面図である。
【図9】 図8のD−D線に沿う断面図である。
【図10】 同、実施の形態の液晶表示装置において、
対向電極の形態を変えた例を示す平面図である。
【図11】 本発明の第4の実施の形態である液晶表示
装置の画素全体の概略構成を示す平面図である。
【図12】 同、液晶表示装置の要部の拡大図である。
【図13】 図12のE−E線に沿う断面図である。
【図14】 図12のF−F線に沿う断面図である。
【図15】 本発明の第5の実施の形態である液晶表示
装置の画素の構成を示す平面図である。
【図16】 囲い電極を用いた従来の液晶表示装置の画
素の構成を示す平面図である。
【図17】 図16のG−G線に沿う断面図である。
【図18】 TNモードの液晶表示装置の一般的な視野
角依存性を示す図である。
【符号の説明】
15 ソース線(信号配線) 16 ゲート線(走査配線) 17,17a,17b 画素 18,38,40 配向電極 19 薄膜トランジスタ 24 画素電極 25 第1の基板 26 第2の基板 29 対向電極 34 容量電極 36 蓄積容量部 37 窓 41 液晶層

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の基板間に液晶層が設けられ、これ
    ら一対の基板のうち、一方の基板の対向面上に、複数の
    信号配線と複数の走査配線とが互いに直交して設けら
    れ、これら配線によって区画された領域が画素となり、
    前記信号配線と走査配線の各交点近傍に薄膜トランジス
    タが設けられるとともに、前記各画素内の前記薄膜トラ
    ンジスタに接続された画素電極との間で前記液晶層に電
    界を印加する配向電極が、1本おきの信号配線を挟んで
    隣接する2つの画素において当該信号配線に沿って当該
    信号配線の両側に併設されたことを特徴とする液晶表示
    装置。
  2. 【請求項2】 信号配線の両側に併設された前記配向電
    極が、前記信号配線の延設方向に延びていることを特徴
    とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 信号配線の両側に併設された前記配向電
    極が、前記各走査配線の一部を前記各信号配線に沿って
    延出させた部分からなり、かつ前記信号配線方向に並ん
    だ隣接する画素間で隔離したことを特徴とする請求項1
    に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項4】 一対の基板間に液晶層が設けられ、これ
    ら一対の基板のうち一方の基板の対向面上に、複数の信
    号配線と複数の走査配線とが互いに直交して設けられ、
    これら配線によって区画された領域が画素となり、前記
    信号配線と走査配線の各交点近傍に薄膜トランジスタが
    設けられるとともに、前記各画素内の前記薄膜トランジ
    スタに接続された画素電極との間で前記液晶層に電界を
    印加する配向電極が、前記信号配線および前記走査配線
    に沿ってジグザグ状に設けられ、かつ1本おきの信号配
    線を挟んで隣接する2つの画素において当該信号配線に
    沿って当該信号配線の両側に併設されたことを特徴とす
    る液晶表示装置。
  5. 【請求項5】 前記画素電極に接続された容量電極が絶
    縁膜を介して前記配向電極に対向して設けられ、これら
    容量電極、絶縁膜、配向電極が蓄積容量部を構成してい
    ることを特徴とする請求項1または4に記載の液晶表示
    装置。
  6. 【請求項6】 前記一方の基板と対向する他方の基板上
    に設けられた対向電極に、前記画素の前記配向電極が設
    けられた側と反対側に位置する縁部に沿って窓が設けら
    れたことを特徴とする請求項1または4に記載の液晶表
    示装置。
JP25558697A 1997-09-19 1997-09-19 液晶表示装置 Withdrawn JPH1195238A (ja)

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TW087114077A TW493098B (en) 1997-09-19 1998-08-26 Liquid crystal display
CNB981193234A CN1143167C (zh) 1997-09-19 1998-09-11 液晶显示装置
KR1019980038246A KR100296161B1 (ko) 1997-09-19 1998-09-16 액정 표시 장치

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003066491A (ja) * 2001-08-28 2003-03-05 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
CN114784022A (zh) * 2022-05-10 2022-07-22 长沙惠科光电有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置

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JP2003066491A (ja) * 2001-08-28 2003-03-05 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置
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CN114784022B (zh) * 2022-05-10 2023-05-23 长沙惠科光电有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置

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