JPH1192924A - スパッタリング装置 - Google Patents

スパッタリング装置

Info

Publication number
JPH1192924A
JPH1192924A JP25117597A JP25117597A JPH1192924A JP H1192924 A JPH1192924 A JP H1192924A JP 25117597 A JP25117597 A JP 25117597A JP 25117597 A JP25117597 A JP 25117597A JP H1192924 A JPH1192924 A JP H1192924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
target block
substrate holder
turret
holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25117597A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobumasa Nanbu
信政 南部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RAIKU KK
Original Assignee
RAIKU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RAIKU KK filed Critical RAIKU KK
Priority to JP25117597A priority Critical patent/JPH1192924A/ja
Publication of JPH1192924A publication Critical patent/JPH1192924A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空槽内に複数のターゲットブロックを収容
しながらも、真空槽の内容積を小さくし、また放電用の
給電回路及び冷却用の配管を簡略にする。 【解決手段】 偏平な箱型の真空槽2の下方にターゲッ
トハウス15を連設する。ターゲットハウス15内にタ
ーレット式に切替え可能に4個のターゲットブロック2
2a,22b,22c,22dを配置する。ターレット
板の回転により、一つのターゲットブロック22aを基
板ホルダ5の回転面に対面する使用位置に移動させるこ
とができる。使用位置に移動したターゲットブロック2
2aに対してのみ、放電用の給電と冷却水の供給が行わ
れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数のターゲット
ブロックを収容したスパッタリング装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】光学薄膜や導電性薄膜などの各種の薄膜
を形成する際にスパッタリングが行われる。スパッタリ
ングでは、グロー放電で生成された陽イオンを電気的に
加速してターゲット材料に衝突させ、これにより叩き出
された原子を下地基板に被着させることによって成膜が
行われる。グロー放電のために真空槽内にはアルゴンガ
スなどの不活性ガスが導入されるが、化学反応性スパッ
タリングを行う際にはさらに酸素ガス,窒素ガスなどの
反応ガスの導入も行われる。
【0003】スパッタリングで形成した薄膜は、抵抗加
熱方式や電子線加熱方式に代表される真空蒸着法で形成
した薄膜と比較して、成膜に時間がかかるという難点は
あるものの、膜構造が緻密で物理,化学的に安定したも
のが得られ、また基板への付着力の強い薄膜が得られる
という利点がある。
【0004】スパッタリング装置は、真空槽の内部に下
地基板を保持した基板ホルダと、ターゲットブロックと
を収容して構成され、さらに真空槽の内部を真空引きす
るための真空排気装置と、基板ホルダとターゲットブロ
ックとの間でグロー放電を生じさせるための電気系装置
と、不活性ガスや反応性ガスの供給装置などを備えてい
る。
【0005】ターゲットブロックは成膜時に陰電極とな
るターゲットホルダにターゲット材料を固着したもの
で、下地基板に正対するように真空槽内部に配置されて
いる。成膜時のグロー放電によってターゲットブロック
が高温度になると、ターゲットホルダの電気抵抗が大き
くなって放電電流を抑制し、グロー放電を安定に保つこ
とが困難になってくるため、ターゲットブロックには水
冷用の配管を行うのが通常となっている。
【0006】一方、薄膜の量産に適したスパッタリング
装置は、例えば特開平7−70748号公報に記載され
ているように、真空槽内部に複数のターゲットブロック
を配置している。ターゲットブロックにそれぞれ同じタ
ーゲット材料を装着し、基板ホルダを回転させながら同
時に成膜を行うことによって、成膜時間を短縮すること
が可能となる。また、複数のターゲットブロックに異種
のターゲット材料を装着した用いることも可能で、これ
によれば一回の真空引きで異種の薄膜を組み合わせた多
層膜の成膜も行うことができるようになる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、真空槽
内に複数のターゲットブロックを配置すると、単層膜,
多層膜のいずれにしても効率的な成膜ができるようにな
るが、ターゲットブロックの設置スペースを確保するた
めに真空槽の内容積が増えることが避けられず、一回の
真空引きに要する時間が長くなる。また、各々のターゲ
ットブロックに対して水冷用の配管が必要になる他、成
膜の開始及び停止を制御するためのシャッタ機構もター
ゲットブロックごとに設けなくてはならないため、スパ
ッタリング装置の構造が複雑化しやすい。
【0008】本発明は上記背景に鑑みてなされたもの
で、その目的は、真空槽の内容積をあまり大きくせずに
複数のターゲットブロックを真空槽内に配置し、これら
のターゲットブロックを順次に使用することによって、
一回の真空引きの後に、充分な膜厚で成膜を行うことが
でき、あるいは多層膜の成膜も行うことができるように
したスパッタリング装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するにあたり、複数のターゲットブロックをターレット
式に切替え使用できるようにしたもので、回転自在なタ
ーレット板に複数のターゲットブロックを保持させ、タ
ーレット板を切替え回転することによって、複数のター
ゲットブロックのうちの一つを基板ホルダの回転面に対
面する位置に移動させることができるようにしたもので
ある。
【0010】前記ターゲットブロックを、円筒形のター
ゲットホルダとその外周面に固着された円筒形のターゲ
ット材料とから構成し、ターゲットブロックの両端を一
対のターレット板の間に保持させ、ターレット板を回転
してターゲットブロックの切替えを行うようにすること
によって、ターレット構造を複雑化させずに済む。さら
に、使用位置に移動してきたターゲットブロックに対し
てのみ、放電のための電力の供給や、冷却水の供給を行
う構成にすることによって、給電用の配線や冷却水の配
管が簡単になり、装置の小型化及びローコスト化が達成
される。
【0011】
【発明の実施の形態】図1及び図2に本発明を適用した
スパッタリング装置の外観及び要部断面を示す。偏平な
箱状をした真空槽2の背面側に開閉自在なドア3が設け
られ、このドア3を開くことによって、真空槽2に基板
ホルダ5の出し入れを行うことができる。基板ホルダ5
は円錐ドーム状で、その周面には下地基板の外径に応じ
た開口が形成されており、周知の基板載置用の治具(ヤ
トイ)を利用することによって図示のように多数の下地
基板6を載置することができる。下地基板6はスパッタ
リングによる薄膜の形成対象となるもので、としては、
ガラスレンズやプラスチックレンズ、ガラスプレート,
プラスチックプレートなど、様々なものが対象となり得
る。
【0012】基板ホルダ5の頂部にギヤ7が固定されて
いる。図2に示すように、ギヤ7は基板ホルダ5の頂部
よりも大径となっており、真空槽2の天板に固定された
案内レール8によって支持できるようにしてある。した
がって、ギヤ7の下面を案内レール8上でスライドさせ
ながら、基板ホルダ5を真空槽2内に収容させることが
できる。そして、基板ホルダ5を所定の位置まで送り込
むと、真空槽2の天板に設けられた駆動ギヤ10が基板
ホルダ5のギヤ7と噛み合う。
【0013】所定の収容位置において、ギヤ7の下面は
ローラ,ベアリングなどの回転支持手段によって回転自
在に保持されるようにしてあるため、モータ11によっ
て駆動ギヤ10を回転させると、基板ホルダ5は水平姿
勢のまま回転する。また、真空槽2には、油拡散ポンプ
や分子ターボポンプ,スクロール型ドライ真空ポンプな
どの適宜の真空排気装置12が取り付られており、真空
排気装置12を作動させることによって、真空槽2の内
部を10-6Torr以下の高真空にすることができる。真空
槽2を支持する一対の脚部14,14の間に、ターゲッ
トハウス15が設けられている。図2に示すように、タ
ーゲットハウス15は真空槽2と空間的に連絡され、真
空排気装置12により真空槽2と同様に真空引きされ
る。
【0014】図3にも概略的に示すように、ターゲット
ハウス15の内部には一対のターレット板16,17が
設けられ、一方のターレット板16はボルト18により
回転軸19と一体に連結され、他方のターレット板17
は固定の支軸20に対して回転自在に嵌め込まれてい
る。ターレット板16,17の間には、円柱形状をした
4個のターゲットブロック22a,22b,22c,2
2dが固定され、また各々のターゲットブロック間を区
画するように4枚の仕切り板23が固定されている(図
3では仕切り板23の図示を省略してある)。
【0015】回転軸19にはギヤ24が固定され、ター
ゲットハウス15の外部に固定されたモータ25の駆動
により回転させることができる。回転軸19の回転とと
もにターレット板16が回転し、またターゲットブロッ
ク及び仕切り板23によって連結された他方のターレッ
ト板17も支軸20の回りに同方向に回転する。なお、
符号21はロータリー式のシャッタを示す。
【0016】ターゲットブロックの両端はターレット板
16,17の外面よりも突出し、ソレノイド26,27
の駆動によって電極26a,27aが接触したときに電
源の供給が行われる。ソレノイド26,27及び電極2
6a,27aは、ターレット板16,17で保持された
4個のターゲットブロックのうち、真空槽2との連通部
分、すなわち基板ホルダ5の回転面に対面する使用位置
に移動してきたターゲットブロック(図3におけるター
ゲットブロック22a)の両端に対面する位置にのみ設
けられている。
【0017】また、使用位置に移動してきたターゲット
ブロック22aに対してのみ、ターゲットブロック冷却
用の給水が行われるようになっている。これは、図3に
破線で示すように、回転軸19の内部に挿通してある給
水パイプからの冷却水が、ターレット板16の内部に形
成された給水路を通してターゲットブロック22aにの
み供給されることによって達成される。なお、ターゲッ
トブロック22aを通った後、冷却水は他方のターレッ
ト板17の給水路を経て支軸20の内部に設けられた排
水管を通って排水される。
【0018】図4にターレット板16側の要部断面を示
す。回転軸19は、ターゲットハウス15の外壁に固定
された給水パイプ30の外周面に対し、気密にかつ回転
自在に軸受けされ、回転軸19は給水パイプ30を中心
にして回転自在である。もちろん、回転軸19の外周面
とターゲットハウス15の外壁との間も気密に軸受けさ
れている。給水パイプ30の先端には、内部を通ってき
た冷却水を上方にのみ向けるための栓31が嵌め込まれ
ている。
【0019】回転軸19に対してターレット板16がボ
ルト18で固定されている。ターレット板16の内部に
は、ターゲットブロック22a〜22dの取付位置ごと
に4つの給水路33が放射状に設けられている。ただ
し、上記のように栓31は上方にのみ給水を送るため、
図4においてはターゲットブロック22aにのみ給水が
行われる。
【0020】ターレット板16の内側の面には支軸20
を受け入れるスリーブ34が固定されている。この実施
形態では、支軸20を固定して用いているため、ターレ
ット板16が回転するときは支軸20の先端も軸受けと
して作用する。なお、支軸20をターレット板16と回
転方向において係合させる構造にすることによって、支
軸20を回転式に用いることも可能で、この場合には支
軸20の他端側も他方のターレット板17にその回転方
向において係合させればよい。
【0021】ターゲットブロック22aは、ターゲット
材料36、ターゲットホルダ37、マグネットブロック
38から構成されている。ターゲット材料36は下地基
板6に被着される薄膜材料を円筒形状にしたもので、銅
などの良導体からなる円筒形状をしたターゲットホルダ
37の外周面に密着して固定されている。マグネットブ
ロック38は、軟鉄からなる基板38a上に永久磁石3
8b,38cを固定したもので、ターゲットホルダ37
の中空部内に配置される。
【0022】永久磁石38bは長手方向がターゲットホ
ルダ37と一致し、ターゲットホルダ37の内壁に向い
た先端の磁極がN極となっている。永久磁石38cは、
永久磁石38bを矩形状に取り囲むように配置され、タ
ーゲットホルダ37の内壁に向いた先端の磁極はS極と
なっている。これにより、ターゲット材料36の外表面
の母線に対して直交する向きに磁力線が発生し、スパッ
タリング効率を向上させることができる。
【0023】ターゲットホルダ37の両端には電極部材
40が嵌め込みによって固定され、その先端はターレッ
ト板16の外方に突出している。この電極部材40は、
テフロンなどによってターレット板16に対して電気的
に絶縁されている。ターゲットハウス15の外壁に固定
されたソレノイド26を駆動すると、電極26aが突出
して電極部材40に接触する。なお、この構造は、ター
ゲットブロック22aの他方の側でも同様である。この
ように、両端を同電位にすることによって、安定したス
パッタリングを行うことができる。
【0024】ターゲットホルダ37の電極部材40に電
極26aが接触すると、ターゲットブロック37が電気
的に能動状態となり、放電のための陰電極となる。ま
た、基板ホルダ5は周知のように放電時に陽極となる。
電極部材40には冷却水を通すための給水穴が形成され
ているため、給水パイプ30から送られたきた冷却水
は、図中に破線で示す経路を通って流れ、スパッタリン
グ時にターゲットブロック22aを冷やす。他方のター
レット板17側についても、ターゲットホルダ37を通
ってきた冷却水は、ターレット板17の内部に形成され
た排水路を通り、さらに支軸20の内部に設けられた排
水パイプを経て排水される。
【0025】スパッタリングを行うときには、まず真空
排気装置12により真空槽2及びターゲットハウス15
内を高真空にする。次に、適当な真空度になるまでアル
ゴンガスなどの不活性ガスを導入する。最初に用いるタ
ーゲット材料22aが使用位置にくるようにモータ25
を駆動してターレット板16,17を回転させる。
【0026】給水パイプ30から冷却水を供給してター
ゲットブロック22aを冷却する。次にソレノイド2
6,27を駆動し、各々の電極26a,27aをターゲ
ットブロック22aの両端に接触させ、シャッタ21を
閉じた状態のままターゲットブロック22aが陰電極、
基板ホルダ5が陽電極となるように高電圧を印加する。
これによりグロー放電が開始されるが、シャッタ21が
閉じているので未だスパッタリングは行われない。
【0027】シャッタ21を開放することによってスパ
ッタリングが開始され、ターゲット材料36から飛散し
た原子が下地基板6に被着される。なお、このとき基板
ホルダ5はゆっくりと回転を行っている。したがって、
ターゲット材料36から飛散した原子は基板ホルダ5で
保持された下地基板6の全てに被着する。その被着膜厚
は、ターゲットハウス15のほぼ真上に位置する真空槽
2の天板に取り付られた膜厚監視装置44で監視するこ
とができる。
【0028】ターゲットブロック22aを用いたスパッ
タリングにより、下地基板6に予定した膜厚で薄膜が形
成されたことが膜厚監視装置44で確認されたときに
は、シャッタ21を閉じる。次にソレノイド26,27
の駆動をオフし、電極26a,27aをターゲットブロ
ック22aの両端から離す。これにより放電が停止し、
また冷却水の供給を一旦停止させることによってターゲ
ットブロック22aによるスパッタリングが終了する。
【0029】続いてターゲットブロック22bでスパッ
タリングを行うには、モータ25の駆動によりターレッ
ト板16,17を90°回転させる。給水パイプ30の
先端に固定した栓31によって、ターゲットブロック2
2bに対する給水路が形成される。なお、ターレット板
16,17の回転中には給水が自動的に断たれるよう
に、給水パイプ30の前段に電磁弁を設け、自動的にそ
の開閉制御を行うようにしてもよい。
【0030】こうしてターゲットブロック22bを使用
位置に移動させた後は、ターゲットブロック22aを用
いたスパッタリング工程と同様、冷却水の供給、ソレノ
イド26,27の駆動、シャッタ21の開放により、ス
パッタリングを行うことができる。以後は、同様の手順
でターゲットブロック22c,22dを用いてスパッタ
リングを継続的に行うことができる。
【0031】ターゲットブロック22a〜22dに用い
るターゲット材料を同じものにしたときには、ターゲッ
ト材料を新しく交換しながら4回分のスパッタリングを
行うことができるため、一回の真空引きで膜厚が充分な
成膜が可能となる。また、ターゲット材料の種類をター
ゲットブロックごとに変えておけば、一回の真空引きで
多層膜のスパッタリング成膜を行うことができる。
【0032】なお、ターゲット材料を交換するときに
は、支軸20を引き抜き、またボルト18を外すことに
よって、ターゲットブロックごとターレット板16,1
7をターゲットハウス15から取り出す。その後に、電
極部材40をターレット板16に固定しているボルトを
取り外すなどして、ターゲットハウス15の外で自在に
ターゲットブロックの交換を行うことができる。
【0033】図5に本発明の他の実施形態を概略的に示
す。この実施形態は、四角筒形状の真空槽50に円筒形
状の基板ホルダ51を収容し、基板ホルダ51の外周面
に下地基板を保持させるようにしておく。ターゲットハ
ウス52を真空槽50の一側壁に連設し、その内部に前
述した実施形態で用いたターレット板16,17を含む
ターゲット機構部分53を垂直な軸を中心にして回転自
在に配置する。この実施形態においても、ターレット板
16,17を90°ずつ回転してターゲットブロックの
切替えを行うことによって、全く同様の効果が得られ
る。
【0034】
【発明の効果】以上のように、本発明のスパッタリング
装置によれば、ターゲットブロックを複数個保持したタ
ーレット板を回転してターゲットブロックを切替え使用
できるようにしたから、真空槽内部の限られた個所にタ
ーレット板を含むターゲット機構部分を集約的にまとめ
ることができるようになり、真空槽内の様々な個所に複
数のターゲットブロックを配置したものと比較して、真
空槽の内容積を大きくせずに済み、また放電用の給電回
路や冷却用の配管設備も簡単になり、スパッタリング装
置の小型化及びローコスト化に寄与するところが大き
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を用いたスパッタリング装置の外観図で
ある。
【図2】図1に示すスパッタリング装置の概略要部断面
図である。
【図3】図1に示すスパッタリング装置のターゲットハ
ウス部の概略断面図である。
【図4】ターレット機構部の要部断面図である。
【図5】本発明の他の実施形態を示す概略図である。
【符号の説明】
2 真空槽 5 基板ホルダ 6 下地基板 15 ターゲットハウス 16,17 ターレット板 19 回転軸 20 支軸 22a ターゲットブロック 26,27 ソレノイド 26a,27a 電極 36 ターゲット材料 37 ターゲットホルダ 38 マグネットブロック 40 電極部材

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空槽内に回転自在に収容され、薄膜の
    被着対象となる下地基板を保持した基板ホルダと、基板
    ホルダの回転面に対面するように配置され、放電によっ
    て下地基板に向かって薄膜材料を飛散させるターゲット
    ブロックとを備えたスパッタリング装置において、 回転自在なターレット板に複数のターゲットブロックを
    保持させ、ターレット板を切替え回転することによっ
    て、複数のターゲットブロックのうちの一つを基板ホル
    ダの回転面に対面する位置に移動させることができるよ
    うにしたことを特徴とするスパッタリング装置。
  2. 【請求項2】 前記ターゲットブロックは、円筒形のタ
    ーゲットホルダとその外周面に固着された円筒形のター
    ゲット材料とからなり、ターゲットブロックの両端が一
    対のターレット板の間に保持されていることを特徴する
    請求項1記載のスパッタリング装置。
  3. 【請求項3】 基板ホルダの回転面と対面する位置に移
    動したターゲットブロックに対してのみ、その両端から
    放電用の電力供給が行われることを特徴とする請求項2
    記載のスパッタリング装置。
  4. 【請求項4】 基板ホルダの回転面と対面する位置に移
    動したターゲットブロックに対してのみ、冷却水の供給
    が行われることを特徴とする請求項1記載のスパッタリ
    ング装置。
JP25117597A 1997-09-16 1997-09-16 スパッタリング装置 Pending JPH1192924A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25117597A JPH1192924A (ja) 1997-09-16 1997-09-16 スパッタリング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25117597A JPH1192924A (ja) 1997-09-16 1997-09-16 スパッタリング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1192924A true JPH1192924A (ja) 1999-04-06

Family

ID=17218808

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25117597A Pending JPH1192924A (ja) 1997-09-16 1997-09-16 スパッタリング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1192924A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010150579A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Canon Anelva Corp スパッタリング装置
JP2012057755A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Canon Anelva Corp ロータリージョイント、及びスパッタリング装置
JP2012117128A (ja) * 2010-12-02 2012-06-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ガス導入機構を備えたキャンロールおよびそれを用いた長尺基板の処理装置ならびに処理方法
CN102994960A (zh) * 2011-09-14 2013-03-27 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 电弧离子镀膜装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010150579A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Canon Anelva Corp スパッタリング装置
JP2012057755A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Canon Anelva Corp ロータリージョイント、及びスパッタリング装置
JP2012117128A (ja) * 2010-12-02 2012-06-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ガス導入機構を備えたキャンロールおよびそれを用いた長尺基板の処理装置ならびに処理方法
CN102994960A (zh) * 2011-09-14 2013-03-27 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 电弧离子镀膜装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2704870A1 (fr) Dispositif de pulvérisation à champ magnétique, et installation de traitement sous vide associée.
US11732349B2 (en) In-line coater for vacuum deposition of thin film coatings
KR100509666B1 (ko) 벌크물질진공코팅장치
KR101406341B1 (ko) 성막 장치
JP2003188115A (ja) 半導体配線形成方法及び装置、半導体デバイス製造方法及び装置、並びにウエハ
JPH1192924A (ja) スパッタリング装置
JP3471200B2 (ja) スパッタリング装置のターゲット構造
CN102737950B (zh) 用在磁控溅射设备中的一体化阳极和活性反应气体源装置
JPH11302841A (ja) スパッタ装置
JP2000144411A (ja) スパッタリング装置および成膜方法
JP3810132B2 (ja) スパッタリング装置
US4938859A (en) Ion bombardment device with high frequency
JP3448227B2 (ja) セルフスパッタリング方法
JPH11335832A (ja) イオン注入方法及びイオン注入装置
KR102059638B1 (ko) 다종 타겟을 구비한 이온 플레이팅 장치
US6841202B1 (en) Device and method for the vacuum plasma processing of objects
JPH11293456A (ja) スパッタ装置
JP3415212B2 (ja) スパッタ成膜装置
KR20040083611A (ko) 스퍼터링 시스템용 챔버장치
JP2005320599A (ja) カソード取付構造体、カソード取付構造体を用いた薄膜形成装置および薄膜形成方法
JPH05339725A (ja) スパッタリング装置
US20080185287A1 (en) Sputtering apparatus with rotatable workpiece carrier
JPH1180945A (ja) スパッタリング装置
JP2001230217A (ja) 基板処理装置及び方法
JP3443994B2 (ja) 内周面に膜形成した管体の製法及びその製造装置