JPH1187783A - 面発光型半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ビーム径が小さくとも高レベルの出射光を出
力する。 【構成】 活性層２３を含む複数の半導体層が積層され
てなる面発光半導体素子において，活性層２３および出
射面２４ａを覆うカバー２７を設ける。このカバー２７
には，光を外部に出射するための窓２８ならびに出射面
２４ａからの出射光および活性層２３からの出射光のそ
れぞれを窓２８に導くための反射面が形成されている。
出射面から直接窓に入射し外部に出射される光に加え
て，カバー２７の反射面において反射した光も窓２８か
ら外部に出射する。窓２８の径を小さくしても窓２８か
ら出射される光の量は多くなり，高レベルの出射光を得
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】この発明は，面発光型半導体発光素子に関
する。

【０００２】

【従来技術とその問題点】面発光型の半導体発光素子の
一例が，図１１に示されている。

【０００３】ｎ−ＧａＡｓ基板１上に，ｎ−ＡｌＡｓ／
ＡｌＧａＡｓ半導体多層反射層２，ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ
下部クラッド層３，ｐ−ＧａＩｎＰ活性層４，ｐ−Ａｌ
ＧａＩｎＰ第１上部クラッド層５，ｎ−ＡｌＧａＡｓ電
流ブロック層６，ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２上部クラッド層
７，ｐ−ＧａＡｓキャップ層８を順次エピタキシャル成
長させる。キャップ層８の中央部に孔を開けて光取り出
し用の窓９を形成する。この窓９に対応する部分の第２
上部クラッド層７から第１上部クラッド層５まで不純物
を拡散させて電流通路領域１０が形成されている。

【０００４】キャップ層８の上面にはｐ型電極１１が形
成され，基板１の下面にはｎ型電極１３が形成されてい
る。窓に対応するｐ型電極１１の部分にも開口１２が形
成されている。

【０００５】電流ブロック層６と第１上部クラッド層５
との界面が逆バイアスのｐ−ｎ接合面になっているの
で，ｐ側電極１１とｎ型電極１３との間に電流を流して
も電流が流れない。電流通路領域１０では電流ブロック
層６がｐ型に反転させられるので電流通路領域１０と対
向する活性層４の部分にのみ電流が注入される。これに
より活性層４が励起され光を発生し，窓９から出射す
る。活性層４から下面の方向に進んだ光は，多層反射層
２によって反射し，上面の方向に反射され窓９から出射
する。

【０００６】このような面発光型半導体発光素子では，
電流密度の増加により出射光の劣化を招いてしまう。ま
たコストダウンを図るのは困難である。

【０００７】また，発光素子に絶縁層を密着しこの絶縁
層に窓を形成すると，注入電流は，活性層全体に広がっ
てしまう。出射される光のレベルは，活性層の大きさと
窓の大きさとの割合によって決まるので，窓を小さくす
ればするほど光の出力レベル（強度）が低下してしま
う。このため，出射光のレベルを維持しつつその径を小
さくするにはおのずと制限がある。

【０００８】

【発明の開示】この発明は，出射光のレベルが高く，コ
ストダウンを図ることができ，かつ出射光の径を小さく
できる面発光型半導体発光素子を提供することを目的と
する。

【０００９】この発明は，活性層を含む複数の半導体層
が積層されてなる面発光型半導体素子において，発光面
を覆うカバーが設けられ，上記カバーには光を外部に出
射するための窓ならびに上記発光面からの出射光を上記
窓に導くための反射面が形成されていることを特徴とす
る。

【００１０】この発明によると，上記カバーは上記活性
層および上記発光面を覆うように設けれている。このカ
バーには上記窓が形成され，かつ上記反射面が形成され
ている。上記発光面からの出射光は上記窓から直接外部
に出射される。上記発光面からの出射光は，上記カバー
の反射面において反射し，上記窓から出射する。

【００１１】この発明によると，上記発光面からの出射
光が上記窓から直接に出射され，かつ，上記発光面から
の出射光が上記反射面において反射し，上記窓から出射
される。上記反射面において反射した光も上記窓から出
射するので，窓からの出射光レベルも高くなる。出射光
レベルが低下することなく，窓の大きさを小さくでき，
径の小さな光を出射できる。

【００１２】上記カバーは，上記活性層の側面に密着し
てもいいし，側面まで覆うようにしてもよい。

【００１３】この場合であっても，上記活性層の側面か
ら出射した光は上記カバーの反射面においては反射し，
上記窓から出射することとなる。

【００１４】上記カバーは，上記発光面に絶縁されて上
記発光面を覆っていることが好ましい。

【００１５】半導体発光素子を発光させるために素子を
流れる電流がカバーに流れることを防止できる。

【００１６】上記カバー内に透明媒質を充填する場合に
は，空気の屈折率よりも大きな屈折率をもつものを充填
する。空気の屈折率よりも大きな屈折率をもつ透明媒質
を充填することにより透明媒質と空気との境界で全反射
がおきるのを防止でき，上記発光面および上記活性層か
らの出射光を外部に導き出すことができる。

【００１７】好ましくは，上記活性層の下面に，上記活
性層において発生した光を反射し，上記窓に導く反射層
が形成されているとよい。

【００１８】上記活性層から下面方向に進む光も上記窓
に導くことができるので，より多くの光を上記窓から出
射させることができる。

【００１９】上記カバーが導電性材料によって形成さ
れ，最上層の半導体層の上面に電極が形成され，上記電
極と上記カバーとが電気的に接続されていてもよい。

【００２０】上記カバーに電流を与えれば，上記電極に
電流が加えられ半導体発光素子に電流が流れ，発光する
こととなる。

【００２１】

【実施例の説明】

第１実施例 図１（Ａ）および（Ｂ）は，第１実施例の面発光型半導
体発光素子を示している。（Ａ）はその構造を模式的に
示す断面図，（Ｂ）は（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図で
ある。

【００２２】ここでは，製造工程を明らかにすることに
より，面発光型半導体発光素子の構造を明らかにする。

【００２３】半導体基板２１上に，下部クラッド層２
２，活性層２３および上部クラッド層２４をＭＢＥ法
（molecular-beam epitaxy：分子線エピタキシ法）また
はＭＯＶＰＥ法（metal organic vapor phase epitaxy
：有機金属気相成長法）などにより，順次エピタキシ
ャル成長させる。光出射面（発光面）２４ａの一部に電
極２５を形成し，半導体基板２１の裏面に電極２９を形
成する。

【００２４】図１（Ａ）において上部から液体状の透明
樹脂材料を滴下し，熱を加えることにより出射面２４ａ
ならびに上部クラッド層２４，活性層２３および下部ク
ラッド層２２の側面を覆うように透明樹脂２６を形成す
る。この透明樹脂２６は光透過率が高いことが望まし
く，上部クラッド層２４の上面における全反射を防ぐた
めにその屈折率は，上部クラッド層２４の屈折率よりも
小さいものが用いられる。例えば，ＯＰＩ（フッ素化ポ
リイミド）を用いることができる。

【００２５】球面状の透明樹脂２６の表面に，Ａｕ，Ａ
ｌ，Ａｇなどを蒸着することにより反射ミラー２７を形
成する。この蒸着のときに透明樹脂２６のほぼ頂点の部
分に対応する部分にはマスクをしておき，蒸着後にマス
クを取り除く。これにより，透明樹脂２６を外部に露出
し光を出射するための窓２８を形成する。

【００２６】反射ミラー２７の形状は球面状であるが，
円錐型，四角錘型，円柱型など任意の形状とすることが
できるのはいうまでもない。

【００２７】下部クラッド層２２には多層反射鏡３０を
形成する。もっともこの多層反射鏡３０は必ずしも設け
なくともよい。電極２５は反射ミラー２７の外部に露出
しており，この露出した部分に電極に電流を流すための
ワイヤが接続される。

【００２８】電極２５，２６間に電流を流すと活性層２
２に電流が流れ，活性層２２は発光する。活性層２２に
おいて発光した光のうち一部の光ＰR1は，反射層３０に
おいて反射し出射面２４ａから出射し，または反射層３
０において反射せずに出射面２４ａから出射して直接に
窓２８から外部に出射する（光ＰD ）。また，出射面２
４ａから出射した光のうち，直接窓２８から外部に出射
した光を除く光ＰR2は，反射ミラー２７と反射鏡３０と
の間で反射され，窓２８から外部に出射する。

【００２９】半導体発光素子に反射ミラー２７を設けて
いるので活性層２３から出射した光を効率よく外部に導
き出すことができる。従来の面発光型半導体発光素子で
は利用できなかった活性層２３の側面から出射する光も
窓２８から外部に導き出すことができる。出射光の光ビ
ーム径を小さくするために窓２８の大きさを小さくして
も反射ミラー２７における反射により光ビームを窓２８
に導くことができるので，発光素子からの出射光レベル
を比較的高く維持できる。

【００３０】さらに，従来の半導体発光素子に用いられ
る材料の屈折率は約３．６である。光の出射面の界面が
空気（屈折率１．０）の場合放射角が臨界角７６度以上
の光しか取り出すことができない。この実施例による半
導体発光素子においては，反射ミラー２７内に透明樹脂
２６を充填しているので，その光の取り出し効率は従来
の半導体発光素子の光取り出し効率の約１．６倍とな
る。もちろん，必ずしも透明樹脂２６を充填する必要は
ない。

【００３１】第２実施例 図２（Ａ）および（Ｂ）は第２実施例の面発光型半導体
発光素子を示している。（Ａ）はその構造を模式的に示
す断面図，（Ｂ）は，（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図で
ある。これらの図において図１（Ａ）または（Ｂ）に示
すものと同一物には同一符号を示して説明を省略する。

【００３２】半導体基板２１上に下部クラッド層２２，
活性層２３および上部クラッド層２４を順次エピタキシ
ャル成長させる。上部クラッド層２４から下部クラッド
層２２までこれらの一部をエッチングする。これにより
上部クラッド層２４および活性層２３の表面積は半導体
基板２１の表面積よりも小さくなり，下部クラッド層２
２には切り欠き部２２ａが形成される。

【００３３】このようにエッチングを行い，下部クラッ
ド層２２に切り欠き部２２ａを形成した場合であっても
活性層２３の側面から出射した光ＰR3は反射ミラー２７
の反射面において反射し，窓２８に導かれ外部に出射さ
れることとなる。ビーム径を小さく維持しつつ，高レベ
ルの光を出射することができる。

【００３４】第３実施例 図３（Ａ）および（Ｂ）は第３実施例の面発光型半導体
発光素子を示している。（Ａ）は，その構造を模式的に
示す断面図，（Ｂ）は（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図で
ある。これらの図において図１（Ａ）もしくは（Ｂ）ま
たは図２（Ａ）もしくは（Ｂ）に示すものと同一物には
同一符号を示して説明を省略する。

【００３５】この実施例による面発光型半導体発光素子
においてもエッチングにより上部クラッド層２４および
活性層２３の表面積よりも半導体基板２１の表面積の方
が大きく，下部クラッド層２２には切り欠き部２２ａが
形成されている。

【００３６】この実施例では反射ミラー４７はほぼ四角
柱の形状であり，その内面が反射面となっている。反射
ミラー４７は絶縁部材４５を介して上部クラッド層２４
および，活性層２３の側面ならびに下部クラッド層２２
の切り欠き部２２ａに固定されている。反射ミラー４７
の内側には透明樹脂４６が充填されている。

【００３７】このような構成を有する面発光型半導体発
光素子でも反射せずに直接窓４８から外部に出射する光
以外の光ＰR が反射ミラー４６において反射し窓４８に
導かれ外部に出射することなる。光ビーム径が小さくと
もレベルの高い出射光が得られる。

【００３８】第４実施例 図４（Ａ）および（Ｂ）は第４実施例の面発光型半導体
発光素子を示している。（Ａ）は，その構造を模式的に
示す断面図，（Ｂ）は（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図で
ある。これらの図において，図１（Ａ）および（Ｂ）か
ら図３（Ａ）および（Ｂ）に示すものと同一物には同一
符号を付し説明を省略する。

【００３９】この実施例においては，出射面２４ａ上に
開口部２５ａが設けられている絶縁層６３が形成されて
いる。絶縁層６３上の一部に電極２５が形成されてい
る。

【００４０】半導体チップ上面には反射部材５０が設け
られている。この反射部材５０には電極２５と２９との
間に電流を流すためのワイヤの取り出し口６２および光
を外部に導くための窓５２が形成されている。反射部材
５０において窓５２が形成されている開口部分には内面
に反射ミラー５１が形成されている。

【００４１】反射部材５０は，半導体材料を用いる場合
にはフォトリソグラフィ工程とエッチング工程とを所定
回数繰り返すことにより形成でき，そのほかの材料を用
いる場合には成形によって作成することができる。内部
がくりぬかれた反射部材が形成されると，この内面に蒸
着法により上述のように反射ミラー５１が形成される。

【００４２】このように面発光型半導体発光素子を形成
した場合であっても出射面２４ａか直接窓５２に入射
し，外部に出射する光のほかに反射ミラー５１において
反射した光ＰR が窓５２に導かれるので窓５２の大きさ
を小さくし，光ビームの径を小さくしてもレベルの高い
出射光を得ることができる。

【００４３】この場合，好ましくは，出射面２４ａの表
面に屈折率が空気の屈折率よりも大きく，かつ上部クラ
ッド層２４の屈折率よりも小さな屈折率を有する膜を形
成する。これにより第１実施例から第３実施例に記載の
面発光型半導体発光素子の透明樹脂と同様に出射面２４
ａからの光取り出し効率が向上し，より光出力の発光素
子が実現できる。

【００４４】第５実施例 図５（Ａ）および（Ｂ）は第５実施例の面発光型半導体
発光素子を示している。（Ａ）はその構造を模式的に示
す断面図，（Ｂ）は（Ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図であ
る。これらの図において図１（Ａ）および（Ｂ）から図
４（Ａ）および（Ｂ）に示すものと同一物には同一符号
を付して説明を省略する。

【００４５】この実施例による面発光型半導体発光素子
においては，反射ミラー２７ａは導電性材料により形成
されている。反射ミラー２７ａは電極２５と接触してい
る。また反射ミラー２７ａの外側の面にはボンディング
・ワイヤ６１が接触している。

【００４６】ボンディング・ワイヤ６１に電流が流され
ることにより，電流は反射ミラー２７ａを通って電極２
５に流れる。これにより電極２５，２９間に電流が流れ
ることとなり，活性層２３において発光する。電極２５
の表面積を小さくできるので発光素子自体の大きさを小
さくすることができ，ウエハ１枚当りに作成可能な発光
素子の数を増加させることができる。

【００４７】電極パターン例 図６（Ａ）および（Ｂ）は面発光型半導体発光素子の出
射面に設けられる電極の平面図を示している。

【００４８】（Ａ）は四角形の枠からなる電極７１であ
る。

【００４９】このように電極７１を形成することにより
出射面２４ａが露出する面積が広くなり，高レベルの光
ビームを出射することができる。

【００５０】（Ｂ）はメッシュ型の電極７２が出射面２
４ａに形成されている。

【００５１】このように電極を形成することにより活性
層の中央部分に電流が流れやすくなり，発光パターンの
内部落ち込みが少なくなり光出力の低下を防止できる。

【００５２】また上述の電極においてはＩＴＯやＣＴＯ
などの透明電極を用いることもできる。電極を，出射面
２４ａの全体に設けてもよいし，一部に設けてもよい。

【００５３】応用例 上述の構造をもつ面発光型半導体発光素子は，光取り出
し効率が高く，高出力の光を出射することができる。さ
らに発光径は小さいので，多くの光学機器，光検出装
置，光情報装置等に応用することができる。

【００５４】図７は，面発光型半導体素子を用いた投光
器を示している。

【００５５】面発光型半導体発光素子８０は，リードフ
レーム８２の取付片に固定されている。発光素子８０の
ｎ側金属電極がリードフレーム８２に電気的に接続され
ている。発光素子８０のｐ側金属電極は別のリードフレ
ーム８３にワイヤによって電気的に接続されている。半
導体発光素子８０，リードフレーム８２の取付片，リー
ドフレーム８２の上部およびワイヤは透明エポキシ樹脂
８４内に封止されている。透明エポキシ樹脂８４の前面
にはフレネル・レンズ８１が形成され，このフレネル・
レンズ８１によって半導体発光素子８０の出射光が集光
される，またはコリメートされる。

【００５６】透明エポキシ樹脂８４のフレネル・レンズ
８１が形成されている前面の両側部分には，突部８４ａ
が設けられている。突部８４ａは，フレネル・レンズ８
１を保護するためのものであり，フレネル・レンズ８１
の円環状突部と同じ高さまたはそれよりも少し突出する
ように形成されている。

【００５７】上述の実施例による面発光型半導体素子は
光取り出し効率が高いので，高い出力の光を出射するこ
とができる。しかも発光径を小さくすることができる。
このため半導体発光素子を用いた投光器も同様に，径が
小さく，かつ高出力の光を出射する。

【００５８】実験によると，焦点距離４．５ｍｍ，直径
３．５ｍｍのフレネル・レンズを用い，半導体発光素子
８０の発光窓の直径を２０ｍｍとしたとき，１ｍの距離
における出射光の直径はわずか４ｍｍ程度であり（従来
の発光ダイオードでは，その光の出射面積が３５０μｍ
角程度のものでは直径７０ｍｍ程度にまで広がってしま
う），径の小さな出射光の維持が実現されている。

【００５９】図７は，面発光型半導体発光素子を備えた
光学式距離センサの概略図を示している。

【００６０】この光学式距離センサは，面発光型半導体
発光素子９０およびコリメート・レンズ９１からなる投
光部と，受光側レンズ９２および位置検出素子９３から
なる受光部とから構成されている。投光部と受光部はケ
ース９５内に収められている。投光部からの投射光はケ
ース９５にあけられた出射窓９６から被測定物ｂに向け
て投射される。被測定物ｂからの反射光はケース９５に
あけられた受光窓９７から受光部の位置検出素子９３に
入射する。

【００６１】ケース９５から被測定物ｂまでの距離また
は被測定物ｂの変位量は三角測量の原理を用いて測定さ
れる。すなわち，被測定物ｂからの反射光が位置検出素
子９３に入射する位置が被測定物ｂの位置に応じて変化
するので，位置検出素子９３の出力信号にもとづいて距
離または変位量が算出される。

【００６２】従来の半導体発光素子はその光の出射面積
が３５０μｍ角程度あるので，長距離の検出や構成度の
検出は困難である。この実施例による半導体発光素子は
発光径の小さい，高出力の光を出射するので被測定物ｂ
に投射されるビームスポットの径が小さくなり分解能が
向上し，程度のよい距離検出を行うことができる。ま
た，高出力の光が出射されるので，長い距離にわたる検
出を行うことが可能となる。

【００６３】レーザ・ダイオードを用いれば，長距離で
高精度の検出が可能ではあるが，安全面で問題がある。
この実施例の半導体発光素子によれば安全面の問題も回
避することができる。

【００６４】図９（Ａ）はこの実施例による半導体発光
素子を備えたバーコード・リーダを示している。同図
（Ｂ）はバーコード・リーダの受光素子によって検知さ
れた受光（バーコード）信号を示している。

【００６５】このバーコード・リーダは，半導体発光素
子１０１，投光側集光レンズ１０２，回転多面鏡１０
６，モータ１０７，走査レンズ１０３，受光側集光レン
ズ１０４および受光素子１０５を備えている。

【００６６】半導体発光素子１０１の出射光は，投光側
集光レンズ１０２によって集光された後，回転多面鏡１
０６の鏡面に入射する。回転多面鏡１０６の鏡面からの
反射光は，走査レンズ１０３を通って投射される。回転
多面鏡１０６はモータ１０７によって一方向に一定速度
で回転駆動される。鏡面が多面体であって一方向に一定
速度で回転しているので，走査レンズ１０３からの投射
光はバーコードａ上を走査する。

【００６７】バーコードａからの反射光は，受光側集光
レンズ１０４によって集光され，受光素子１０５に入射
する。受光素子１０５は入射される光の強度に応じた受
光信号（バーコード信号）を出力し，その受光信号が信
号処理装置（図示略）に与えられる。信号処理装置は，
バーコードａの認識，その他の信号処理を行う。

【００６８】従来の面発光型半導体発光素子は発光径が
４００μｍ程度である。このような発光素子を用い，焦
点距離ｆ＝１５ｍｍの集光レンズで，２５０ｍｍ先にあ
るバーコード上に集光するとバーコード上の光ビーム径
は，約６．７ｍｍ以上となり，一般的に最小線幅が０．
２ｍｍであるバーコードを読み取ることはできない。し
かしながら，上述した実施例による半導体発光素子はそ
の発光径を１０μｍ以下にできるのでバーコード・リー
ダに用いた場合にバーコードリーダ上のビーム径をバー
コードの最小線幅以下にでき，バーコードを読み取るこ
とができる。

【００６９】図１０は，この実施例による半導体発光素
子を備えた光通信装置の概略図を示している。

【００７０】この光通信装置は，投光回路１１１，半導
体発光素子１１２，光ファイバ１１３，受光素子１１４
および受光回路１１５から構成されている。

【００７１】投光回路１１１は入力された送信すべき信
号にもとづいて駆動電流を変化させ，半導体発光素子１
１２が出射する光の光変調（強度変調）を行う。半導体
発光素子１１２から出射された光は光ファイバ１１３内
に導入され，光ファイバ１１３内を伝送された後，受光
素子１１４によって受光される。受光素子１１４の受光
信号は受光回路１１５に与えられ，そこで所定の信号に
変換されて（例えば，ディジタル・データに変化され
て）外部に出力される。光伝送に用いられる光ファイバ
１１３には必要に応じて光増幅器，コネクタ等が接続さ
れ，光ファイバ・ケーブルの延長等が行われる。

【００７２】上述の実施例による半導体発光素子は，微
小発光径を有し出射光の最大出力が大きいので，半導体
発光素子と光ファイバとの高い光結合効率を得ることが
できる。また高速応答性を有するので，高速かつ大容量
のデータ通信およびデータ伝送を行うことができる。光
ファイバには，好ましくはプラスチック・ファイバが用
いられる。プラスチック・ファイバは低損失でＳ／Ｎ比
が高いので，精度のよい光伝送を行うことができる。

【００７３】上記の光通信装置では一方に投光回路が設
けられ，他方に受光回路が設けられている。これは一方
向通信の構成である。上記投光回路と上記受光回路の両
方の機能を備えた投受光回路を少なくとも２組用意し，
それらの投光回路の半導体発光素子と受光回路の受光素
子をそれぞれ２本の光ファイバで光接続するように構成
してもよい。これにより双方向の光通信が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）および（Ｂ）は第１実施例を示すもの
で，（Ａ）はその構造を模式的に示す断面図，（Ｂ）は
Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。

【図２】（Ａ）および（Ｂ）は第２実施例を示すもの
で，（Ａ）はその構造を模式的に示す断面図，（Ｂ）は
Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。

【図３】（Ａ）および（Ｂ）は第３実施例を示すもの
で，（Ａ）はその構造を模式的に示す断面図，（Ｂ）は
Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。

【図４】（Ａ），および（Ｂ）は第４実施例を示すもの
で，（Ａ）はその構造を模式的に示す断面図，（Ｂ）は
Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。

【図５】（Ａ）および（Ｂ）は第５実施例を示すもの
で，（Ａ）はその構造を模式的に示す断面図，（Ｂ）は
Ｉ−Ｉ線に沿う断面図である。

【図６】（Ａ）および（Ｂ）は電極のパターンを示して
いる。

【図７】面発光型半導体素子を用いた投光器の斜視図で
ある。

【図８】面発光型半導体発光素子を備えた光学式距離セ
ンサの概略図である。

【図９】（Ａ）は面発光型半導体発光素子を備えたバー
コード・リーダを示し，（Ｂ）はバーコード・リーダの
受光素子によって検知された受光信号を示している。

【図１０】面発光型半導体発光素子を備えた光通信装置
の概略図である。

【図１１】面発光型半導体発光素子の一例を示してい
る。

【符号の説明】

２３ 活性層 ２４ａ 出射面 ２７，２７ａ，４７ 反射ミラー ２８ 窓

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 活性層を含む複数の半導体層が積層され
   てなる面発光型半導体素子において，発光面を覆うカバ
   ーが設けられ，上記カバーには光を外部に出射するため
   の窓ならびに上記発光面からの出射光を上記窓に導くた
   めの反射面が形成されている，面発光型半導体発光素
   子。
2. 【請求項２】 上記カバーは，上記活性層側面に密着さ
   れている，請求項１に記載の面発光型半導体発光素子。
3. 【請求項３】 上記カバーは，上記発光面に絶縁されて
   上記発光面を覆っているものである，請求項１に記載の
   面発光型半導体素子。
4. 【請求項４】 上記カバー内に，空気の屈折率よりも大
   きい屈折率をもつ透明媒質が充填されている，請求項１
   に記載の面発光型半導体発光素子。
5. 【請求項５】 上記活性層の下面に設けられ，上記活性
   層において発生した光を反射し，上記窓に導く反射層が
   形成されている，請求項１に記載の面発光型半導体発光
   素子。
6. 【請求項６】 上記カバーが導電性材料によって形成さ
   れ，最上層の半導体層の上面に電極が形成され，上記電
   極と上記カバーとが電気的に接続されている，請求項１
   に記載の面発光型半導体発光素子。