JPH1187098A - Plasma processor - Google Patents
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- JPH1187098A JPH1187098A JP9238407A JP23840797A JPH1187098A JP H1187098 A JPH1187098 A JP H1187098A JP 9238407 A JP9238407 A JP 9238407A JP 23840797 A JP23840797 A JP 23840797A JP H1187098 A JPH1187098 A JP H1187098A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶基板などをプラズマ処理するプラズマ処理装置に関す
る。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a plasma processing apparatus for performing plasma processing on a semiconductor wafer, a liquid crystal substrate, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子を用いた各種デバイスや記録
媒体デバイスを製造する工程では、半導体ウエハなどの
基板に薄膜を形成するためにプラズマ処理が多く用いら
れている。このプラズマ処理は、処理ガスへの放電によ
ってプラズマを発生させ、このプラズマを利用して内部
に設けられた基板の処理を行うものである。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing various devices and recording medium devices using semiconductor elements, plasma processing is often used to form a thin film on a substrate such as a semiconductor wafer. In the plasma processing, plasma is generated by discharge to a processing gas, and the processing of a substrate provided inside is performed using the plasma.
【０００３】このプラズマ処理を基板に対して行う装置
として、例えば容量結合型のプラズマ処理装置がある。
この構成を図８に示す。このプラズマ処理装置１は、内
部を真空吸引可能であり、形状が例えば円筒形状に形成
された処理容器２を有しており、この処理容器２には、
処理ガスが導入されるようになっている。As an apparatus for performing this plasma processing on a substrate, for example, there is a capacitively coupled plasma processing apparatus.
This configuration is shown in FIG. The plasma processing apparatus 1 has a processing container 2 whose inside is capable of vacuum suction and has a cylindrical shape, for example.
A processing gas is introduced.
【０００４】上記処理容器２内部には、一対の電極板
３，４が対向して設けられている。一方の電極板３には
高周波を発生する高周波電源６が接続されており、また
電極板３の上面には被処理物である基板５を載置できる
ようになっている。他方の電極板４は接地されている。
ただ、電極板４にも、高周波電源が接続されていても構
わない。A pair of electrode plates 3 and 4 are provided inside the processing vessel 2 so as to face each other. A high frequency power supply 6 for generating high frequency is connected to one of the electrode plates 3, and a substrate 5 to be processed can be placed on the upper surface of the electrode plate 3. The other electrode plate 4 is grounded.
However, a high frequency power supply may be connected to the electrode plate 4 as well.
【０００５】このプラズマ処理装置１においては、上記
高周波電源６を作動させ、対向している電極板３，４の
間に存する処理ガスに高周波を印加してプラズマ化す
る。ここで、電極板３，４は対向して設けられているた
め電界が存在し、この電界によってプラズマが基板５の
表面に衝突し、表面の薄膜をパターン化するなど種々の
プラズマ処理が行えるようになっている。In the plasma processing apparatus 1, the high frequency power supply 6 is operated to apply a high frequency to the processing gas existing between the opposing electrode plates 3 and 4 to form a plasma. Here, since the electrode plates 3 and 4 are provided facing each other, an electric field is present, and the electric field causes plasma to collide with the surface of the substrate 5 so that various plasma treatments such as patterning a thin film on the surface can be performed. It has become.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のプラ
ズマ処理装置１では、処理容器２の内壁面２ａに、プラ
ズマ処理反応の副産物として付着物（デポ物）７が発生
することがある。この付着物７は、プラズマ処理を行う
時間が累積するにつれて、厚さが増大するが、このデポ
物７が厚くなると、このデポ物７の重さで脱落、あるい
は剥離してしまい、パーティクル発生の原因となること
がある。In the plasma processing apparatus 1 described above, deposits (deposits) 7 may be generated on the inner wall surface 2a of the processing chamber 2 as a by-product of the plasma processing reaction. The thickness of the deposit 7 increases as the plasma processing time is accumulated. However, when the thickness of the deposit 7 increases, the deposit 7 drops or peels off due to the weight of the deposit 7, causing the generation of particles. May cause.
【０００７】さらに、上記処理容器２の内壁面２ａにデ
ポ物７が付着すると、この内壁面２ａの状態が時間的に
変化し、そのため内壁面２ａからプラズマ発生領域に戻
る活性種も変化することとなってしまう。すなわち、プ
ラズマのプロセスが時間に依存するものとなってしま
う。Further, when the deposit 7 adheres to the inner wall surface 2a of the processing vessel 2, the state of the inner wall surface 2a changes with time, and the active species returning from the inner wall surface 2a to the plasma generation region also changes. Will be. That is, the plasma process is time-dependent.
【０００８】また、高密度プラズマを生成して基板５を
処理する場合、上記処理容器２の内壁面２ａへ入射する
活性種のフラックスが桁違いに大きく、そのため内壁面
２ａから脱離するフラックスも大きなものとなってい
る。この場合、内壁面２ａからプラズマ発生領域内へ脱
離してきた粒子は、電子によって再び解離されたり、電
離されたりして内壁面２ａに入射する。この場合には、
プラズマ発生領域と内壁面２ａとの間を粒子が多量に循
環することとなり、そのためにプラズマ発生領域内の活
性種の組成の変化が生じる場合がある。Further, when processing the substrate 5 by generating high-density plasma, the flux of active species incident on the inner wall surface 2a of the processing vessel 2 is extremely large, so that the flux desorbing from the inner wall surface 2a is also large. It has become big. In this case, the particles that have desorbed from the inner wall surface 2a into the plasma generation region are again dissociated or ionized by the electrons and enter the inner wall surface 2a. In this case,
A large amount of particles circulate between the plasma generation region and the inner wall surface 2a, which may change the composition of the active species in the plasma generation region.
【０００９】このようなパーティクルの発生を防止し、
処理容器２内部での基板５の処理を良好にするために、
内壁面２ａを定期的に洗浄し、デポ物７を除去すること
が必要となるが、そのためにはこの処理容器２の洗浄の
ためにプラズマ処理装置１を長時間に亘って停止させる
必要がある。このため、基板を効率的に処理できない、
といった問題が生じている。In order to prevent the generation of such particles,
In order to improve the processing of the substrate 5 inside the processing container 2,
It is necessary to periodically clean the inner wall surface 2 a to remove the deposit 7, but for that purpose, it is necessary to stop the plasma processing apparatus 1 for a long time to clean the processing container 2. . For this reason, the substrate cannot be efficiently processed,
The problem has arisen.
【００１０】このような不具合を防止するために、図９
に示すような処理容器２内部のプラズマ発生領域である
電極板３，４の周囲に、着脱可能な防着板１１を設けた
プラズマ処理装置１０も存在する。このプラズマ処理装
置１０においては、デポ物７は、防着板１１の内壁面側
に付着し、処理容器２の内壁面２ａにデポ物が付着する
のを防止することが可能となっている。そして防着板１
１を交換、洗浄することで、プラズマ処理装置１０の停
止時間を短縮している。To prevent such a problem, FIG.
There is also a plasma processing apparatus 10 in which a detachable deposition-preventing plate 11 is provided around the electrode plates 3 and 4 which are the plasma generation regions inside the processing container 2 as shown in FIG. In the plasma processing apparatus 10, the deposit 7 adheres to the inner wall surface side of the deposition-preventing plate 11, thereby preventing the deposit from adhering to the inner wall surface 2 a of the processing container 2. And the shield plate 1
By exchanging and cleaning 1, the stop time of the plasma processing apparatus 10 is reduced.
【００１１】しかしながら、このようなプラズマ処理装
置１０では、上記処理容器２内部に基板５を導入するた
めのスリット１２を閉塞して処理容器２を密閉するため
に設けられたゲート弁１３の近傍付近に上記デポ物７が
付着してしまう。このゲート弁１３近傍では、上記処理
容器２内部に基板５を搬入、搬出させるために構造が複
雑になっており、そのためこのゲート弁１３近傍の洗浄
が困難である、といった問題も生じている。However, in such a plasma processing apparatus 10, the vicinity of a gate valve 13 provided to close the processing container 2 by closing the slit 12 for introducing the substrate 5 into the processing container 2. The deposit 7 adheres to the surface. In the vicinity of the gate valve 13, the structure is complicated in order to carry the substrate 5 into and out of the processing container 2. Therefore, there is a problem that it is difficult to clean the vicinity of the gate valve 13.
【００１２】本発明は上記の事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、処理容器の内壁面への
付着物の付着を防止し、また内壁面に付着した活性種が
再びプラズマへ戻るのを防止するプラズマ処理装置を提
供しようとするものである。[0012] The present invention has been made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to prevent the adhered substances from adhering to the inner wall surface of the processing vessel and to allow the active species adhering to the inner wall surface to return to the plasma. It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus that prevents returning.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
処理容器の内壁の少なくとも一部をプラズマ雰囲気から
保護する遮蔽手段を有するプラズマ処理装置において、
上記遮蔽手段の少なくとも一部は、上記処理容器内への
被処理物搬入或いは搬出の際、搬入路或いは搬出路を確
保するために移動する構成であることを特徴とするプラ
ズマ処理装置である。According to the first aspect of the present invention,
In a plasma processing apparatus having shielding means for protecting at least a part of the inner wall of the processing container from a plasma atmosphere,
At least a part of the shielding means is configured to move to secure a carry-in path or a carry-out path at the time of loading or unloading the processing object into or from the processing container.
【００１４】請求項２記載の発明は、上記遮蔽手段は、
上記処理容器の底部側に固定された固定部材と、該固定
部材に係合し、上下駆動手段により上下駆動可能に構成
された駆動部材により構成されていることを特徴とする
請求項１記載のプラズマ処理装置である。According to a second aspect of the present invention, the shielding means includes:
2. The processing container according to claim 1, wherein the processing container includes a fixing member fixed to a bottom side of the processing container, and a driving member engaged with the fixing member and configured to be vertically driven by a vertical driving unit. It is a plasma processing apparatus.
【００１５】請求項３記載の発明は、処理容器の内壁の
少なくとも一部をプラズマ雰囲気から保護する遮蔽手段
を有するプラズマ処理装置において、上記処理容器の外
部にセンサを設け、このセンサと対応する上記処理容器
側壁および上記遮蔽手段にセンサ孔を形成したことを特
徴とするプラズマ処理装置である。According to a third aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus having shielding means for protecting at least a part of an inner wall of a processing container from a plasma atmosphere, wherein a sensor is provided outside the processing container, and the sensor corresponding to the sensor is provided. A plasma processing apparatus, wherein a sensor hole is formed in a processing container side wall and the shielding means.
【００１６】請求項４記載の発明は、処理容器の内壁の
少なくとも一部をプラズマ雰囲気から保護する遮蔽手段
を有するプラズマ処理装置において、上記遮蔽手段の内
面に付着した付着物の剥離を抑制する凹凸を形成したこ
とを特徴とするプラズマ処理装置である。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus having a shielding means for protecting at least a part of an inner wall of a processing container from a plasma atmosphere, wherein the irregularities for suppressing the detachment of attached matter adhered to the inner surface of the shielding means are provided. This is a plasma processing apparatus characterized by forming.
【００１７】請求項５記載の発明は、処理容器の内壁の
少なくとも一部をプラズマ雰囲気から保護する遮蔽手段
を有するプラズマ処理装置において、上記遮蔽手段を冷
却する冷却手段を有することを特徴とするプラズマ処理
装置である。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus having a shielding means for protecting at least a part of an inner wall of a processing container from a plasma atmosphere, comprising a cooling means for cooling the shielding means. Processing device.
【００１８】請求項１の発明によると、上記遮蔽手段の
少なくとも一部は、上記処理容器内への被処理物搬入或
いは搬出の際、搬入路或いは搬出路を確保するために移
動する構成であるため、この遮蔽手段の少なくとも一部
を移動させることにより処理容器内部への被処理物の搬
入或いは搬出が妨げられることがなくなり、また被処理
物の処理中には確実に処理容器を閉塞することが可能と
なっている。According to the first aspect of the present invention, at least a part of the shielding means moves to secure a carry-in path or a carry-out path when loading or unloading the processing object into or from the processing container. Therefore, moving or moving at least a part of the shielding means does not hinder the loading or unloading of the processing object into or from the processing container, and ensures that the processing container is closed during the processing of the processing object. Is possible.
【００１９】請求項２の発明によると、上記遮蔽手段
は、上記処理容器の底部側に固定された固定部材と、該
固定部材に係合し上下駆動手段により上下動可能に構成
された駆動部材により構成されているため、この駆動部
材の上下動により簡単に処理容器内部を遮蔽することが
可能となっている。According to the second aspect of the present invention, the shielding means is a fixing member fixed to the bottom of the processing container, and a driving member which is engaged with the fixing member and is vertically movable by the vertical driving means. Therefore, the inside of the processing container can be easily shielded by the vertical movement of the driving member.
【００２０】請求項３の発明によると、上記処理容器の
外部にセンサを設け、このセンサと対応する上記処理容
器側壁及び上記遮蔽手段にセンサ孔を形成したため、こ
のセンサにより上記処理容器の内部での被処理物のプラ
ズマ処理の終点検出により、一層良好なプラズマ処理を
行うことが可能となっている。According to the third aspect of the present invention, a sensor is provided outside the processing container, and a sensor hole is formed in the processing container side wall and the shielding means corresponding to the sensor. By detecting the end point of the plasma processing of the object to be processed, it is possible to perform better plasma processing.
【００２１】請求項４の発明によると、上記遮蔽手段の
内面に付着した付着物の剥離を抑制する凹凸を形成した
ため、この遮蔽手段の内面に付着した付着物が剥離して
パーティクルを生じさせ、被処理物の表面に再び付着す
るのを防止することが可能となっている。そのため、被
処理物のプラズマ処理をより良好に行うことが可能とな
っている。According to the fourth aspect of the present invention, since irregularities are formed to suppress the detachment of the adhered matter adhered to the inner surface of the shielding means, the adhered matter adhered to the inner surface of the shield means is peeled off to generate particles, It is possible to prevent the adherence to the surface of the object to be processed again. Therefore, it is possible to more favorably perform the plasma processing of the object to be processed.
【００２２】請求項５の発明によると、上記遮蔽手段を
冷却する冷却手段が設けられたため、この遮蔽手段に付
着した付着物が再び脱離してプラズマ中へ戻るのを防止
することが可能となっている。そのため、プラズマプロ
セスにおいてプラズマの活性種の組成変化が生じるのを
防止することが可能となり、被処理物の処理に変動を生
じさせることがなくなる。According to the fifth aspect of the present invention, since the cooling means for cooling the shielding means is provided, it is possible to prevent the deposits attached to the shielding means from detaching again and returning to the plasma. ing. For this reason, it is possible to prevent a change in the composition of the active species of the plasma from occurring in the plasma process, and it is possible to prevent the processing of the object to be processed from fluctuating.
【００２３】[0023]
（第一の実施の形態）以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図１に基づいて説明する。プラズマ処理装置２０
は、形状が例えば底面および上端面を有する円筒形状で
あり、導電性を有する材質より形成された処理容器２１
を有している。この処理容器２１の底面には、処理容器
内部を真空吸引するための図示しない吸引路が設けられ
ている。上記処理容器２１の上端面は、この処理容器２
１から取り外し可能に設けられている。(First Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. Plasma processing device 20
Is a cylindrical shape having, for example, a bottom surface and an upper end surface, and is formed of a conductive container.
have. A suction path (not shown) for vacuum-suctioning the inside of the processing container is provided on the bottom surface of the processing container 21. The upper end surface of the processing container 21 is
1 is detachably provided.
【００２４】この処理容器２１内部には、一対の電極板
２２，２３が対向して設けられている。そのうち第１の
電極板２２には、３ＫＨｚの高周波を発生させる高周波
電源２４が接続されている。この高周波電源２４は、図
示しないが高周波電力のインピーダンス調整を行うマッ
チングボックスなどを介して接続されている。そして、
第２の電極板２３は、接地されたものとなっている。A pair of electrode plates 22 and 23 are provided inside the processing container 21 so as to face each other. The first electrode plate 22 is connected to a high frequency power supply 24 for generating a high frequency of 3 KHz. The high frequency power supply 24 is connected via a matching box (not shown) for adjusting the impedance of the high frequency power. And
The second electrode plate 23 is grounded.
【００２５】そして本実施の形態では、上記第２の電極
板２３に処理ガスを導入するための図示しない導入路が
形成されている。この導入路は、上記第２の電極板２３
の軸部２３ａの内部に形成され、この処理容器２１の外
部に設けられた供給源と連通している。In the present embodiment, an introduction path (not shown) for introducing a processing gas into the second electrode plate 23 is formed. This introduction path is connected to the second electrode plate 23.
And is communicated with a supply source provided outside the processing container 21.
【００２６】この導入路は、上記軸部２３ａの内部より
上記第２の電極板２３の中央部もしくは第２の電極板２
３の全体に亘って設けられていて、上記第１の電極板２
２との間に処理ガスを導入可能となっている。なお、こ
のように処理ガスを導入する導入路が第２の電極板２３
に形成されている構成でなくても、電極板２２，２３間
に導入できる形態であれば、他の部位に形成されていて
も構わない。The introduction path extends from the inside of the shaft portion 23a to the center of the second electrode plate 23 or the second electrode plate 2
3, the first electrode plate 2
2, a processing gas can be introduced. In addition, the introduction path for introducing the processing gas is the second electrode plate 23.
Even if it is a form that can be introduced between the electrode plates 22 and 23, it may be formed in another part.
【００２７】このような構成により、上記処理ガスは第
１の電極板２２と第２の電極板２３の間でプラズマ化さ
れて活性種を形成するようになっている。上記処理容器
２１の側面には、内部に基板２５を搬入するためのスリ
ット２６が形成されており、処理容器２１の内部の密封
状態を維持するために、このスリット２６に対応した開
閉可能なゲート弁２７が設けられている。With such a configuration, the processing gas is converted into plasma between the first electrode plate 22 and the second electrode plate 23 to form active species. A slit 26 for carrying the substrate 25 therein is formed on a side surface of the processing container 21. An openable and closable gate corresponding to the slit 26 is provided in order to maintain a sealed state inside the processing container 21. A valve 27 is provided.
【００２８】処理ガスのプラズマ化により形成された活
性種は、上記第１の電極板２２の上面に載置される基板
２５表面の薄膜に対して処理を行うが、基板２５の表面
以外の部分にデポ物３２を形成してしまう。The active species formed by the plasma conversion of the processing gas is applied to the thin film on the surface of the substrate 25 placed on the upper surface of the first electrode plate 22. In this case, the deposit 32 is formed.
【００２９】このため上記処理容器２１の内部底面に
は、固定部材である上記処理容器２１の内壁面２１ａよ
りも小径であり、リング状に形成された筒状部材２８が
取り付けられている。この筒状部材２８の上端は、上記
基板２５の搬送を妨げないように、上記スリット２６の
下端と同じ高さ或いは若干低く形成されている。For this reason, a ring-shaped cylindrical member 28 having a smaller diameter than the inner wall surface 21a of the processing container 21 as a fixing member is attached to the inner bottom surface of the processing container 21. The upper end of the cylindrical member 28 is formed at the same height or slightly lower than the lower end of the slit 26 so as not to hinder the transfer of the substrate 25.
【００３０】一方、筒状部材２８の上方位置には、筒状
部材２８に係合する、駆動部材である蓋部材２９が設け
られている。この蓋部材２９は、上面２９ａとこの上面
２９ａの縁部より下方に所定の長さだけ突出したスカー
ト部２９ｂより構成されており、また上面２９ａにはこ
の蓋部材２９を上下駆動させるための上下駆動機構３０
の駆動軸３１に連結されている。On the other hand, a lid member 29 which is a driving member and is engaged with the cylindrical member 28 is provided above the cylindrical member 28. The lid member 29 includes an upper surface 29a and a skirt portion 29b projecting a predetermined length below an edge of the upper surface 29a. Drive mechanism 30
Is connected to the drive shaft 31.
【００３１】なお、この駆動軸３１は、上記処理容器２
１の上端面に形成された挿通部を介して上下動可能とな
っている。ここで、上記スカート部２９ｂは、上記筒状
部材２８と係合した場合にこの蓋部材２９の上面が上記
第２の電極板２３と所定の隙間を有して接触しない長さ
に形成されている。The drive shaft 31 is connected to the processing vessel 2
1 can be moved up and down via an insertion portion formed on the upper end surface of the first member. Here, the skirt portion 29b is formed to have a length such that the upper surface of the lid member 29 does not contact the second electrode plate 23 with a predetermined gap when engaged with the tubular member 28. I have.
【００３２】上下駆動機構３０は、例えば油圧シリンダ
より構成されていて、上記駆動軸３１がピストンとなっ
ている。そのため、この駆動軸３１を油圧により上下駆
動させることによってこの駆動軸３１に取り付けられて
いる蓋部材２９を上下駆動させることが可能となってい
る。The vertical drive mechanism 30 is composed of, for example, a hydraulic cylinder, and the drive shaft 31 is a piston. Therefore, it is possible to vertically drive the lid member 29 attached to the drive shaft 31 by vertically driving the drive shaft 31 by hydraulic pressure.
【００３３】ここで、上記蓋部材２９には、上記第２の
電極板２３の軸部２３ａを挿通させ、この蓋部材２９の
上下方向への摺動が妨げられずに自在とするための通孔
が形成されている。Here, the shaft portion 23a of the second electrode plate 23 is inserted through the cover member 29 so that the sliding of the cover member 29 in the vertical direction can be freely performed without being hindered. A hole is formed.
【００３４】以上のような構成を有するプラズマ処理装
置２０の作用について、以下に述べる。上記ゲート弁２
７を開放するとともに、上記上下駆動機構３０を作動さ
せて上記蓋部材２９を上方に移動させ、上記第１の電極
板２２への基板２５の搬送路を確保した後、上記基板２
５を処理容器２１の内部の第１の電極板２２の上面に載
置する（図１（ｂ）参照）。基板２５を載置した後に、
上記ゲート弁２７を閉塞し、この処理容器２１内部を密
閉する。The operation of the plasma processing apparatus 20 having the above configuration will be described below. Gate valve 2 above
7 is opened, and the vertical drive mechanism 30 is operated to move the lid member 29 upward to secure a transport path for the substrate 25 to the first electrode plate 22.
5 is placed on the upper surface of the first electrode plate 22 inside the processing vessel 21 (see FIG. 1B). After placing the substrate 25,
The gate valve 27 is closed, and the inside of the processing container 21 is sealed.
【００３５】ゲート弁２７によりスリット２６を閉塞し
て処理容器２１を密閉した後に、上記上下駆動機構３０
を作動させ、この上下駆動機構３０に連動する蓋部材２
９を上記筒状部材２８へ係合させ、この内部を閉塞す
る。そして図示しない吸引手段を作動させ、この処理容
器２１の内部を真空吸引する。これとともに第１の電極
板２２と第２の電極板２３の間に処理ガスを導入し、上
記高周波電源２４を作動させて上記第１の電極板２２に
高周波を印加する。After the slit 26 is closed by the gate valve 27 to seal the processing vessel 21, the vertical drive mechanism 30
To operate the lid member 2 interlocked with the vertical drive mechanism 30.
9 is engaged with the cylindrical member 28, and the inside is closed. Then, a suction unit (not shown) is operated to vacuum-evacuate the inside of the processing container 21. At the same time, a processing gas is introduced between the first electrode plate 22 and the second electrode plate 23, and the high frequency power supply 24 is operated to apply a high frequency to the first electrode plate 22.
【００３６】すると、上記第１の電極板２２と第２の電
極板２３の間に導入された処理ガスは、この高周波によ
ってプラズマ化され、上記基板２５の表面に対してプラ
ズマ処理を行う活性種を生成することとなる（図１
（ａ）参照）。Then, the processing gas introduced between the first electrode plate 22 and the second electrode plate 23 is turned into plasma by this high frequency, and is an active species for performing plasma processing on the surface of the substrate 25. (See FIG. 1).
(A)).
【００３７】ここで、上記筒状部材２８と蓋部材２９に
より閉塞された空間内部で上記活性種が生成されるた
め、デポ物３２は上記筒状部材２８と蓋部材２９の内壁
に付着する。結果、上記内壁面２１ａへの付着を防止し
ている。Here, since the active species is generated inside the space closed by the cylindrical member 28 and the lid member 29, the deposit 32 adheres to the inner walls of the cylindrical member 28 and the lid member 29. As a result, adhesion to the inner wall surface 21a is prevented.
【００３８】このような構成とすることで、処理容器２
１より筒状部材２８と蓋部材２９を取り出して、他の筒
状部材２８や蓋部材２９に取り替えるか、もしくはこれ
らを洗浄して使用することが可能となるので、プラズマ
処理装置２０の停止時間を短縮可能なものとなってい
る。With such a configuration, the processing vessel 2
1, the tubular member 28 and the cover member 29 can be taken out and replaced with another tubular member 28 or the cover member 29, or they can be cleaned and used, so that the plasma processing apparatus 20 can be stopped. Can be shortened.
【００３９】基板２５のプラズマ処理の終了後、上記上
下駆動機構３０を再び作動させ、上記蓋部材２９を上方
へ駆動させてこの閉塞された空間を開放する。それとと
もに、上記ゲート弁２７を開放し、第１の電極板２２の
上に載置された上記基板２５を処理容器２１の外部へと
搬出する（図１（ｂ）参照）。After the plasma processing of the substrate 25 is completed, the vertical drive mechanism 30 is operated again to drive the cover member 29 upward to open the closed space. At the same time, the gate valve 27 is opened, and the substrate 25 placed on the first electrode plate 22 is carried out of the processing vessel 21 (see FIG. 1B).
【００４０】（第二の実施の形態）以下、本発明の第二
の実施の形態について、図２に基づいて説明する。な
お、本実施の形態のプラズマ処理装置４０においては、
上記第一の実施の形態と同様の構成については同じ符号
を付して説明する。すなわち、プラズマ処理装置４０
は、処理容器２１、第１の電極板２２、高周波電源２
４、スリット２６、ゲート弁２７を有している。(Second Embodiment) Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the plasma processing apparatus 40 of the present embodiment,
The same components as those in the first embodiment will be described with the same reference numerals. That is, the plasma processing apparatus 40
Are a processing container 21, a first electrode plate 22, a high-frequency power source 2
4, a slit 26 and a gate valve 27 are provided.
【００４１】処理容器２１内部に突出した第１の電極板
２２は、上面に基板２５を載置可能としており、この第
１の電極板２２は上記処理容器２１に対して固定的に設
けられている。一方、第２の電極板４１は、軸部４１ａ
の上端が上下駆動機構４２に連結されており、この上下
駆動機構４２を駆動させることによって上下駆動可能と
なっている。The first electrode plate 22 protruding into the processing container 21 allows a substrate 25 to be placed on the upper surface thereof. The first electrode plate 22 is provided fixed to the processing container 21. I have. On the other hand, the second electrode plate 41 has a shaft portion 41a.
The upper end is connected to a vertical drive mechanism 42, and the vertical drive mechanism 42 can be driven vertically by driving the vertical drive mechanism 42.
【００４２】この第２の電極板４１は、軸部４１ａの内
部を処理ガスが導通可能に形成されている。そして、こ
の軸部４１ａを導通した処理ガスは、上記第２の電極板
４１の全体に亘って形成された導入路に導入され、上記
第１の電極板２２と第２の電極板４１の間に介在させる
ようになっている。The second electrode plate 41 is formed so that the processing gas can flow through the inside of the shaft portion 41a. Then, the processing gas conducted through the shaft portion 41 a is introduced into an introduction path formed over the entirety of the second electrode plate 41, and is introduced between the first electrode plate 22 and the second electrode plate 41. To intervene.
【００４３】上記第２の電極板４１の周縁部には、防着
部材４３が全周に亘って取り付けられている。この防着
部材４３は、上記第２の電極板４１の周縁部から下方へ
向かい所定の長さだけスカート状に突出して形成されて
いる。At the periphery of the second electrode plate 41, a deposition-preventing member 43 is attached over the entire periphery. The attachment-preventing member 43 is formed so as to protrude downward from the peripheral edge of the second electrode plate 41 in a skirt shape by a predetermined length.
【００４４】ここで、上記内壁面２１ａには、係合部材
４４がこの内壁面２１ａの全周に亘って形成されてい
る。この係合部材４４は、上記第１の電極板２２と所定
の隙間を有して取り付けられている。またこの係合部材
４４の高さは上記第１の電極板２２の上面よりも低くな
るように設けられており、基板２５の第１の電極板２２
の上面への載置を良好にしている。この係合部材４４
は、上記防着部材４３の下端部が当接するように設けら
れており、そのためこの係合部材４４と防着部材４３、
上記第２の電極板４１とで処理空間を形成して上記内壁
面２１ａに活性種を含んだ気体が流通するのを遮断して
いる。Here, an engaging member 44 is formed on the inner wall surface 21a over the entire circumference of the inner wall surface 21a. The engagement member 44 is attached to the first electrode plate 22 with a predetermined gap. The height of the engagement member 44 is provided so as to be lower than the upper surface of the first electrode plate 22.
On the upper surface is excellent. This engagement member 44
Is provided so that the lower end portion of the above-described attachment prevention member 43 abuts.
A processing space is formed with the second electrode plate 41 to block a gas containing active species from flowing through the inner wall surface 21a.
【００４５】上記処理容器２１の底面には、外部に設け
られた吸引手段に連結された排気路４５が形成されてお
り、この排気路４５は上記処理容器２１内部および係合
部材４４と防着部材４３、第２の電極板４１により形成
される処理空間の内部を真空吸引可能としている。An exhaust path 45 connected to a suction means provided outside is formed on the bottom surface of the processing container 21, and the exhaust path 45 prevents the inside of the processing container 21 and the engaging member 44 from adhering. The inside of the processing space formed by the member 43 and the second electrode plate 41 can be suctioned by vacuum.
【００４６】以上のような構成を有するプラズマ処理装
置４０の作用について、以下に説明する。上記ゲート弁
２７を開放するとともに、上記上下駆動機構４２により
上記防着部材４３を上方に移動させて基板２５の搬送路
を確保し、上記第１の電極板２２の上面に基板２５を載
置する（図２（ｂ）参照）。そして、ゲート弁２７を閉
塞して処理容器２１を密閉し、上記上下駆動機構４２を
作動させて上記防着部材４３を上記係合部材４４と係合
させ、この防着部材４３と係合部材４４の係合によって
上記処理容器２１の内壁面２１ａと、第１の電極板２２
と第２の電極板４１とが対向している部分を遮断する
（図２（ａ）参照）。The operation of the plasma processing apparatus 40 having the above configuration will be described below. The gate valve 27 is opened, and the attachment / detachment member 43 is moved upward by the vertical drive mechanism 42 to secure a transport path for the substrate 25, and the substrate 25 is placed on the upper surface of the first electrode plate 22. (See FIG. 2B). Then, the processing valve 21 is sealed by closing the gate valve 27, and the up-down driving mechanism 42 is operated to engage the attachment-preventing member 43 with the engaging member 44. 44, the inner wall surface 21a of the processing container 21 and the first electrode plate 22
The portion where the second electrode plate 41 and the second electrode plate 41 face each other is blocked (see FIG. 2A).
【００４７】なお、上記防着部材４３と係合部材４４と
が係合した場合には、上記第１の電極板２２と第２の電
極板４１の間の間隔が適宜となるように調整されてお
り、これによって処理ガス導入後に基板２５に対して良
好なプラズマ処理を行えるようになっている。When the attachment member 43 is engaged with the attachment member 43, the distance between the first electrode plate 22 and the second electrode plate 41 is adjusted to be appropriate. As a result, good plasma processing can be performed on the substrate 25 after the introduction of the processing gas.
【００４８】このように、上記第２の電極板４１に防着
部材４３を取り付けたため、プラズマ発生領域である第
１の電極板２２と第２の電極板４１の間を、処理容器２
１の内壁面２１ａから遮蔽する機構の構成を簡単にする
ことができる。As described above, since the deposition-inhibiting member 43 is attached to the second electrode plate 41, the space between the first electrode plate 22 and the second electrode plate 41, which is a plasma generation area, is formed between the processing vessel 2 and the second electrode plate.
The structure of the mechanism for shielding the inner wall surface 21a from the first inner wall surface 21a can be simplified.
【００４９】なお、本実施の形態はこのような構成に限
られず、図３に示すように、上記係合部材４４の上記防
着部材４３が係合する位置に、例えば凹形状からなるラ
ビリンス機構４５を設けても構わない。この場合には、
上記第１の電極板２２および第２の電極板４１の間のプ
ラズマ発生領域で生じる活性種を含む雰囲気が、上記内
壁面２１ａ側へ導通するのを、より一層防止することが
可能となっている。The present embodiment is not limited to such a configuration. As shown in FIG. 3, a labyrinth mechanism having a concave shape is provided at a position where the protective member 43 of the engaging member 44 is engaged. 45 may be provided. In this case,
It is possible to further prevent the atmosphere containing active species generated in the plasma generation region between the first electrode plate 22 and the second electrode plate 41 from conducting to the inner wall surface 21a. I have.
【００５０】また、上記係合部材４４と防着部材４３の
間の隙間が大きくなるのを防止でき、さらにこれら係合
部材４４と防着部材４３が互いに干渉するのも防止可能
となっている。Further, it is possible to prevent the gap between the engaging member 44 and the attachment-preventing member 43 from becoming large, and to prevent the engagement member 44 and the attachment-preventing member 43 from interfering with each other. .
【００５１】（第三の実施の形態）以下、本発明の第三
の実施の形態について、図４に基づいて説明する。な
お、本実施の形態でも、上述の第一の実施の形態で述べ
た構成と同様の構成については同じ符号を付して説明す
る。すなわち、プラズマ処理装置５０は、処理容器２
１、第１の電極板２２、第２の電極板２３、高周波電源
２４、スリット２６、ゲート弁２７を有している。(Third Embodiment) Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same components as those described in the first embodiment will be described with the same reference numerals. That is, the plasma processing apparatus 50 includes the processing container 2
1, a first electrode plate 22, a second electrode plate 23, a high-frequency power supply 24, a slit 26, and a gate valve 27.
【００５２】そしてこの処理容器２１の内部には、内壁
面２１ａへのデポ物の付着を防止するための防着部材５
１が、上記内壁面２１ａと所定の間隔を有して設けられ
ている。なお、この防着部材５１には、基板２５を上記
第１の電極板２２に載置するために、スリット５２が上
記スリット２６と上記第１の電極板２２の間の位置に形
成されていて、基板２５の搬送経路を確保するようにな
っている。ここで、必要がある場合には、上記スリット
５２を閉塞するための閉塞手段を設ける構成であっても
構わない。The inside of the processing container 21 is provided with a deposition-inhibiting member 5 for preventing deposition of deposits on the inner wall surface 21a.
1 is provided at a predetermined distance from the inner wall surface 21a. Note that a slit 52 is formed in the attachment member 51 at a position between the slit 26 and the first electrode plate 22 in order to mount the substrate 25 on the first electrode plate 22. , A transfer path for the substrate 25 is secured. Here, if necessary, a configuration may be adopted in which a closing means for closing the slit 52 is provided.
【００５３】上記処理容器２１および防着部材５１の側
面には、基板２５の処理の終点を検出するためのセンサ
を取り付けるセンサ取付け孔５３ａ，５３ｂが形成され
ている。そして、上記処理容器２１の外方にセンサ５４
を取り付けて、上記センサ取付け孔５３ａ，５３ｂを介
して上記処理容器２１内部のプラズマの発光強度を検出
し、基板２５の処理の終点を検出可能としている。Sensor mounting holes 53a and 53b for mounting a sensor for detecting the end point of the processing of the substrate 25 are formed on the side surfaces of the processing container 21 and the attachment-preventing member 51. A sensor 54 is provided outside the processing container 21.
To detect the emission intensity of the plasma inside the processing vessel 21 through the sensor mounting holes 53a and 53b, thereby making it possible to detect the end point of the processing of the substrate 25.
【００５４】このようなプラズマ処理装置５０による
と、上記基板２５に対してプラズマエッチング処理など
を行い、このプラズマエッチング処理の終点に至った場
合には、上記処理容器２１内部での発光特性が変化して
上記センサ取付け孔５３ａ，５３ｂを介してセンサ５４
により検出可能となっている。そのため一層良好に基板
２５のプラズマ処理を行うことが可能となっている。According to the plasma processing apparatus 50, the substrate 25 is subjected to a plasma etching process or the like. When the plasma etching process reaches the end point, the light emission characteristics in the processing vessel 21 change. The sensor 54 through the sensor mounting holes 53a and 53b.
Can be detected. Therefore, the plasma processing of the substrate 25 can be performed more favorably.
【００５５】（第四の実施の形態）以下、本発明の第四
の実施の形態について、図５に基づいて説明する。な
お、本実施の形態でも、上述の第一の実施の形態で述べ
た構成と同様の構成については同じ符号を付して説明す
る。すなわち、プラズマ処理装置６０は、処理容器２
１、第１の電極板２２、第２の電極板２３、高周波電源
２４、スリット２６、ゲート弁２７を有している。(Fourth Embodiment) Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same components as those described in the first embodiment will be described with the same reference numerals. That is, the plasma processing apparatus 60 includes the processing container 2
1, a first electrode plate 22, a second electrode plate 23, a high-frequency power supply 24, a slit 26, and a gate valve 27.
【００５６】処理容器２１には、上述の第一の実施の形
態と同様に、上記第１の電極部材２２と第２の電極部材
２３の間のプラズマ発生領域を覆うように防着部材６１
が設けられており、この防着部材６１の内壁面には、大
きさが例えば略１０ｍｍ以下に形成された突起体６２が
多数形成されている。なお、この防着部材６１の表面
は、例えば櫛状の溝を形成するものであっても、あるい
はこの表面の表面粗さを粗くするアルマイト処理などに
より微細な孔を形成するものであっても、構わない。As in the case of the first embodiment, the processing container 21 includes a deposition-inhibiting member 61 so as to cover the plasma generation region between the first electrode member 22 and the second electrode member 23.
Are provided on the inner wall surface of the attachment-preventing member 61, and a large number of projections 62 each having a size of, for example, approximately 10 mm or less are formed. The surface of the deposition-inhibiting member 61 may be formed with, for example, a comb-shaped groove, or may be formed with fine holes by alumite treatment or the like to increase the surface roughness of the surface. ,I do not care.
【００５７】また、上記防着部材６１には、上記基板２
５を上記第１の電極板２２に載置するために、スリット
６３が形成されていて、基板２５の搬送経路が確保され
たものとなっている。なお、必要がある場合には、この
スリット６３を閉塞するための閉塞手段を設けても構わ
ない。Further, the substrate 2 is attached to the deposition-inhibiting member 61.
A slit 63 is formed in order to place the substrate 5 on the first electrode plate 22, and a transport path for the substrate 25 is secured. If necessary, a closing means for closing the slit 63 may be provided.
【００５８】このようなプラズマ処理装置６０による
と、上記防着部材６１によってプラズマ発生領域と内壁
面２１ａとが遮られており、防着部材６１の表面にデポ
物３２が付着するが、この防着部材６１の表面にデポ物
３２が付着した場合には、この防着部材６１の表面に多
数の微小な凹凸からなる突起体６２が形成されているた
め、この防着部材６１に付着したデポ物３２が防着部材
６１の表面から剥離し難くなっている。According to such a plasma processing apparatus 60, the plasma generation region and the inner wall surface 21a are blocked by the deposition-inhibiting member 61, and the deposit 32 adheres to the surface of the deposition-inhibiting member 61. When the deposit 32 adheres to the surface of the attachment member 61, the projection 62 formed of a number of minute irregularities is formed on the surface of the attachment member 61. The object 32 is hardly peeled off from the surface of the deposition-inhibiting member 61.
【００５９】そのため、このデポ物３２が剥離すること
によって生じるパーティクルの発生を防止することが可
能となり、よってパーティクルが基板２５の表面に付着
してプラズマ処理が悪化することを防止することができ
る。Therefore, it is possible to prevent the generation of particles caused by the separation of the deposit 32, thereby preventing the particles from adhering to the surface of the substrate 25 and deteriorating the plasma processing.
【００６０】（第五の実施の形態）以下、本発明の第五
の実施の形態について、図６に基づいて説明する。な
お、本実施の形態においても、上記第一の実施の形態と
同様の構成については同じ符号を付して説明する。すな
わち、プラズマ処理装置７０は、処理容器２１、第１の
電極板２２、第２の電極板２３、高周波電源２４、スリ
ット２６、ゲート弁２７を有している。(Fifth Embodiment) Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In this embodiment, the same components as those in the first embodiment will be described with the same reference numerals. That is, the plasma processing apparatus 70 includes the processing container 21, the first electrode plate 22, the second electrode plate 23, the high-frequency power supply 24, the slit 26, and the gate valve 27.
【００６１】上記処理容器２１の内部には、プラズマ発
生領域で発生する活性種が付着した場合にこれを捕捉す
る捕捉手段としての冷却壁７１が設けられている。この
冷却壁７１は、上記第１の電極板２２および第２の電極
板２３の間のプラズマ発生領域を全周に亘って覆うよう
に設けられている。Inside the processing vessel 21, a cooling wall 71 is provided as a capturing means for capturing active species generated in the plasma generation region when they adhere. The cooling wall 71 is provided so as to cover the entire plasma generation region between the first electrode plate 22 and the second electrode plate 23.
【００６２】上記冷却壁７１は、処理容器２１の外部に
設けられた冷却媒体供給源に連結されており、そして例
えば冷却媒体を流通可能な配管が九十九折り状に折れ曲
げられた形状に形成されている。この冷却壁７１は、表
面温度が例えば液体窒素（沸点−195.8 。Ｃ）のような
冷却媒体が循環することにより、通常のプラズマ処理を
処理容器２１内部で行う場合の内壁面２１ａの温度に比
較して低く維持することが可能となっている。The cooling wall 71 is connected to a cooling medium supply source provided outside the processing container 21, and for example, a pipe through which the cooling medium can flow is formed in a 99-fold shape. Is formed. The surface temperature of the cooling wall 71 is compared with the temperature of the inner wall surface 21a when normal plasma processing is performed inside the processing vessel 21 by circulating a cooling medium such as liquid nitrogen (boiling point: -195.8. C). It is possible to keep it low.
【００６３】なお、冷却媒体としては、液体空気（一気
圧において沸点−191.5 。Ｃ）、液体ヘリウム（沸点−
268.9 。Ｃ）など、工業的に用いられている種々のもの
を使用することが可能である。As a cooling medium, liquid air (boiling point: 191.5 C at one atmosphere), liquid helium (boiling point:
268.9. Various industrially used materials such as C) can be used.
【００６４】また、上述のように配管が九十九折り状に
設けられていなくても、冷却媒体がこの冷却壁７１の内
部を流通可能であり、かつ冷却壁７１の表面の温度が室
温よりも低い温度に冷却されるものであれば、冷却壁７
１はどのようなものであっても構わない。Even if the pipe is not provided in a 99-fold form as described above, the cooling medium can flow through the inside of the cooling wall 71, and the temperature of the surface of the cooling wall 71 becomes lower than room temperature. If the cooling wall 7 is also cooled to a low temperature,
1 may be anything.
【００６５】この冷却壁７１は、上記処理容器２１内部
に取り付けられるが、この処理容器２１内部より冷却壁
７１は脱着自在に設けられている。そのためこの冷却壁
７１の表面にデポ物３２が付着し、表面を洗浄する必要
が生じても、処理容器２１の内部から取り外して洗浄す
ることが容易となっている。The cooling wall 71 is mounted inside the processing container 21, and the cooling wall 71 is provided detachably from the processing container 21. Therefore, even if the deposit 32 adheres to the surface of the cooling wall 71 and the surface needs to be cleaned, it can be easily removed from the inside of the processing container 21 for cleaning.
【００６６】ここで、処理容器２１内部に処理ガスとし
て例えばフロンガス（ＣＦ4 ）を導入し、このフロンガ
ス（ＣＦ4 ）を高周波の印加によりプラズマ化した場合
のフッ素原子の処理容器２１内部での密度と、上記冷却
壁７１の表面の温度との関係のグラフを、図７に示す。
このグラフによると、冷却壁７１の表面の温度を冷却す
れば、プラズマ発生領域内に存在する活性種が強く付着
され、解離し難くなり、そのため処理容器２１内部のフ
ッ素原子の密度が減少することが読み取れる。Here, for example, a fluorocarbon gas (CF 4 ) is introduced as a processing gas into the processing vessel 21, and the density of fluorine atoms in the processing vessel 21 when the fluorocarbon gas (CF 4 ) is turned into a plasma by applying a high frequency. FIG. 7 is a graph showing the relationship between the temperature and the temperature of the surface of the cooling wall 71.
According to this graph, if the temperature of the surface of the cooling wall 71 is cooled, active species present in the plasma generation region are strongly adhered and become difficult to be dissociated, so that the density of fluorine atoms inside the processing vessel 21 decreases. Can be read.
【００６７】なお、この図７において、１３０Ｋから１
５０Ｋにかけてフッ素原子の密度のピークが存在する
が、これはちょうどフロンガスの沸点近辺に相当してい
る。このことより、上記冷却壁７１の温度が上昇してい
くと、フロンガスが沸騰して液体から気体に変化する場
合に、活性種の生成が熱解離により一時的に増加し、こ
のためにピークが現れた、と考えられる。It should be noted that in FIG.
There is a peak of the density of fluorine atoms up to 50 K, which corresponds to the vicinity of the boiling point of Freon gas. From this, when the temperature of the cooling wall 71 rises, when the chlorofluorocarbon gas boils and changes from a liquid to a gas, the generation of active species temporarily increases due to thermal dissociation. It seems that it has appeared.
【００６８】また、図７の実験を行ったときに、処理容
器２１内部でのフッ素原子の密度だけでなく、ラジカル
としてプラズマ発生領域で発生するＣＦ3 ，ＣＦ2 ，Ｃ
Ｆも同時に減少するのが確認された。このため、所定の
温度まで十分に冷却された上記冷却壁７１は、活性種を
強く付着する効果を有していることが確認された。When the experiment of FIG. 7 was performed, not only the density of fluorine atoms in the processing vessel 21 but also CF 3 , CF 2 , C
It was confirmed that F also decreased at the same time. For this reason, it was confirmed that the cooling wall 71 sufficiently cooled to a predetermined temperature has an effect of strongly attaching active species.
【００６９】このようなプラズマ処理装置７０による
と、上記処理容器２１内部にプラズマ発生領域を覆うと
ともに、表面に付着したデポ物３２（活性種）が再びプ
ラズマ発生領域に飛散しないように捕捉する捕捉手段と
しての冷却壁７１が設けられたため、この冷却壁７１の
表面に活性種が付着した場合には、この表面から脱離し
てプラズマ発生領域中に再び戻るのを防止することが可
能となっている。According to such a plasma processing apparatus 70, the plasma generation region is covered inside the processing container 21, and the deposition 32 (active species) attached to the surface is captured so as not to be scattered again into the plasma generation region. Since the cooling wall 71 is provided as a means, when active species adhere to the surface of the cooling wall 71, it is possible to prevent the active species from desorbing from the surface and returning to the plasma generation region again. I have.
【００７０】そのため、基板２５へのプラズマ処理のプ
ロセスにおいて活性種の組成変化が生じ、安定的に基板
２５を処理できない、といった不具合を防止することが
可能となっている。Therefore, it is possible to prevent a problem that the composition of the active species is changed in the process of the plasma processing on the substrate 25 and the substrate 25 cannot be processed stably.
【００７１】また、上記冷却壁７１の冷却温度を低下さ
せた場合、プラズマ発生領域内に存在するラジカルの減
少の度合いが異なるものとなっている。そのため、冷却
壁７１の冷却温度を調整することにより、プラズマ発生
領域内でのラジカルの組成比を制御できる可能性をも有
している。When the cooling temperature of the cooling wall 71 is lowered, the degree of reduction of radicals present in the plasma generation region is different. Therefore, by adjusting the cooling temperature of the cooling wall 71, there is a possibility that the composition ratio of radicals in the plasma generation region can be controlled.
【００７２】以上、本発明の一実施の形態について説明
したが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となってい
る。以下それについて述べる。上記各実施の形態では、
容量結合型のプラズマ処理装置についてそれぞれ説明し
たが、プラズマ処理装置は容量結合型以外のもの、例え
ばイオンビーム型プラズマ処理装置、マイクロ波励起プ
ラズマ処理装置など、種々のプラズマ処理装置に適用可
能である。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be variously modified. This is described below. In each of the above embodiments,
Each of the capacitively coupled plasma processing apparatuses has been described. However, the plasma processing apparatus can be applied to various plasma processing apparatuses other than the capacitively coupled plasma processing apparatus, such as an ion beam plasma processing apparatus and a microwave excitation plasma processing apparatus. .
【００７３】[0073]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によると、上記遮蔽手段の少なくとも一部は、上記処
理容器内への被処理物搬入或いは搬出の際、搬入路或い
は搬出路を確保するために移動する構成であるため、こ
の遮蔽手段の少なくとも一部を移動させることにより処
理容器内部への被処理物の搬入或いは搬出が妨げられる
ことがなくなり、また被処理物の処理中には確実に処理
容器を閉塞することが可能となる。As described above, according to the first aspect of the present invention, at least a part of the shielding means forms a loading path or a discharging path when loading or unloading the processing object into or from the processing container. By moving the shielding means, at least a part of the shielding means does not hinder the loading or unloading of the processing object into or from the processing container. Can reliably close the processing container.
【００７４】請求項２記載の発明によると、上記遮蔽手
段は、上記処理容器の底部側に固定された固定部材と、
該固定部材に係合し上下駆動手段により上下動可能に構
成された駆動部材により構成されているため、この駆動
部材の上下動により簡単に処理容器内部を遮蔽すること
が可能となる。According to the second aspect of the present invention, the shielding means comprises: a fixing member fixed to the bottom of the processing container;
Since the drive member is configured to be engaged with the fixed member and configured to be vertically movable by the vertical drive means, the inside of the processing container can be easily shielded by the vertical movement of the drive member.
【００７５】請求項３記載の発明によると、上記処理容
器の外部にセンサを設け、このセンサと対応する上記処
理容器側壁及び上記遮蔽手段にセンサ孔を形成したた
め、このセンサにより上記処理容器の内部での被処理物
のプラズマ処理の終点検出により、一層良好なプラズマ
処理を行うことが可能となる。According to the third aspect of the present invention, a sensor is provided outside the processing container, and a sensor hole is formed in the processing container side wall and the shielding means corresponding to the sensor. By detecting the end point of the plasma processing of the object to be processed, it is possible to perform a better plasma processing.
【００７６】請求項４記載の発明によると、上記遮蔽手
段の内面に付着した付着物の剥離を抑制する凹凸を形成
したため、この遮蔽手段の内面に付着した付着物が剥離
してパーティクルを生じさせ、被処理物の表面に再び付
着するのを防止することが可能となっている。そのた
め、被処理物のプラズマ処理をより良好に行うことが可
能となる。According to the fourth aspect of the present invention, since the irregularities are formed to suppress the detachment of the adhered matter adhered to the inner surface of the shielding means, the adhered matter adhered to the inner surface of the shield means is peeled to generate particles. Thus, it is possible to prevent the adherence to the surface of the object to be processed again. Therefore, it is possible to more favorably perform the plasma processing of the object to be processed.
【００７７】請求項５記載の発明によると、上記遮蔽手
段を冷却する冷却手段が設けられたため、この遮蔽手段
に付着した付着物が再び脱離してプラズマ中へ戻るのを
防止することが可能となっている。そのため、プラズマ
プロセスにおいてプラズマの活性種の組成変化が生じる
のを防止することが可能となり、被処理物の処理に変動
を生じさせることがなくなる。According to the fifth aspect of the present invention, since the cooling means for cooling the shielding means is provided, it is possible to prevent the deposits attached to the shielding means from detaching again and returning to the plasma. Has become. Therefore, it is possible to prevent a change in the composition of the active species of the plasma from occurring in the plasma process, and it is possible to prevent the processing of the object to be processed from fluctuating.
【図１】本発明の第一の実施の形態に係わるプラズマ処
理装置の構成を示す側断面図であり、（ａ）は基板をプ
ラズマ処理する状態を示し、（ｂ）は基板を処理容器内
に搬送する状態を示す図。FIGS. 1A and 1B are side sectional views showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A shows a state in which a substrate is subjected to plasma processing, and FIG. FIG.
【図２】本発明の第二の実施の形態に係わるプラズマ処
理装置の構成を示す側断面図であり、（ａ）は基板をプ
ラズマ処理する状態を示し、（ｂ）は基板を処理容器内
に搬送する状態を示す図。FIGS. 2A and 2B are side sectional views showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, wherein FIG. 2A shows a state in which a substrate is subjected to plasma processing, and FIG. FIG.
【図３】本発明の第二の実施の形態に係わるプラズマ処
理装置の変形例を示す図。FIG. 3 is a diagram showing a modified example of the plasma processing apparatus according to the second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第三の実施の形態に係わるプラズマ処
理装置の構成を示す側断面図。FIG. 4 is a side sectional view showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第四の実施の形態に係わるプラズマ処
理装置の構成を示す側断面図。FIG. 5 is a side sectional view showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第五の実施の形態に係わるプラズマ処
理装置の構成を示す側断面図。FIG. 6 is a side sectional view showing a configuration of a plasma processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第五の実施の形態に係わり、処理容器
内部でのフッ素原子密度と温度との関係を示すグラフ。FIG. 7 is a graph showing a relationship between a fluorine atom density and a temperature inside a processing container according to a fifth embodiment of the present invention.
【図８】従来のプラズマ処理装置の構成を示す側断面
図。FIG. 8 is a side sectional view showing a configuration of a conventional plasma processing apparatus.
【図９】従来の防着板を設けたプラズマ処理装置の構成
を示す側断面図。FIG. 9 is a side sectional view showing a configuration of a conventional plasma processing apparatus provided with a deposition prevention plate.
２０，４０，５０，６０，７０…プラズマ処理装置 ２１…処理容器 ２２…第１の電極板 ２３，４１…第２の電極板 ２４…高周波電源 ２５…基板 ２８…筒状部材 ２９…蓋部材 ３０，４２…上下駆動機構 ４３…防着部材 ４４…係合部材 ５３ａ，５３ｂ…センサ取付け孔 ５４…センサ ６２…突起体 ７１…冷却壁 20, 40, 50, 60, 70 Plasma processing device 21 Processing container 22 First electrode plate 23, 41 Second electrode plate 24 High frequency power supply 25 Substrate 28 Cylindrical member 29 Cover member 30 .., 42... Up-down drive mechanism 43...
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｃ (72)発明者 山華 雅司 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI H01L 21/31 H01L 21/302 C (72) Inventor Masaji Yamaka 33 Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Pref. Inside
Claims (5)
ズマ雰囲気から保護する遮蔽手段を有するプラズマ処理
装置において、 上記遮蔽手段の少なくとも一部は、上記処理容器内への
被処理物搬入或いは搬出の際、搬入路或いは搬出路を確
保するために移動する構成であることを特徴とするプラ
ズマ処理装置。1. A plasma processing apparatus having a shielding means for protecting at least a part of an inner wall of a processing container from a plasma atmosphere, wherein at least a part of the shielding means is used for loading or unloading an object to be processed into or out of the processing container. In this case, the plasma processing apparatus is configured to move to secure a carry-in path or a carry-out path.
に固定された固定部材と、該固定部材に係合し、上下駆
動手段により上下駆動可能に構成された駆動部材により
構成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズ
マ処理装置。2. The shielding means comprises a fixing member fixed to the bottom side of the processing container, and a driving member engaged with the fixing member and configured to be vertically driven by a vertical driving means. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein:
ズマ雰囲気から保護する遮蔽手段を有するプラズマ処理
装置において、 上記処理容器の外部にセンサを設け、このセンサと対応
する上記処理容器側壁および上記遮蔽手段にセンサ孔を
形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。3. A plasma processing apparatus having shielding means for protecting at least a part of an inner wall of a processing container from a plasma atmosphere, wherein a sensor is provided outside the processing container, and a side wall of the processing container corresponding to the sensor and the shielding. A plasma processing apparatus, wherein a sensor hole is formed in the means.
ズマ雰囲気から保護する遮蔽手段を有するプラズマ処理
装置において、 上記遮蔽手段の内面に付着した付着物の剥離を抑制する
凹凸を形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。4. A plasma processing apparatus having a shielding means for protecting at least a part of an inner wall of a processing container from a plasma atmosphere, wherein irregularities are formed to suppress the detachment of attached matter adhered to the inner surface of the shielding means. Plasma processing apparatus.
ズマ雰囲気から保護する遮蔽手段を有するプラズマ処理
装置において、 上記遮蔽手段を冷却する冷却手段を有することを特徴と
するプラズマ処理装置。5. A plasma processing apparatus having shielding means for protecting at least a part of an inner wall of a processing container from a plasma atmosphere, comprising a cooling means for cooling said shielding means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9238407A JPH1187098A (en) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | Plasma processor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP9238407A JPH1187098A (en) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | Plasma processor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187098A true JPH1187098A (en) | 1999-03-30 |
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ID=17029756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9238407A Pending JPH1187098A (en) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | Plasma processor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187098A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001057359A (en) * | 1999-08-17 | 2001-02-27 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| WO2002007197A1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-01-24 | Applied Materials Inc. | Adapter, chamber, and plasma processing device |
| JP2003173899A (en) * | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | Discharge plasma processor |
| JP2004527077A (en) * | 2001-03-27 | 2004-09-02 | アピト コープ．エス．アー． | Plasma surface treatment method and apparatus for implementing the method |
| EP1505172A2 (en) * | 2003-08-06 | 2005-02-09 | Ulvac, Inc. | Device and method for manufacturing thin films |
| JP2006249576A (en) * | 2005-02-14 | 2006-09-21 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | Gas supply tube for plasma treatment |
| JP2006269806A (en) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment device |
| JP2007012663A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Shibaura Mechatronics Corp | Pressure reduction treating apparatus and pressure reduction treatment method |
| JP2009062579A (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Film deposition system |
| JP5072096B2 (en) * | 2005-09-09 | 2012-11-14 | 株式会社アルバック | Ion source and plasma processing apparatus |
-
1997
- 1997-09-03 JP JP9238407A patent/JPH1187098A/en active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001057359A (en) * | 1999-08-17 | 2001-02-27 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing device |
| WO2002007197A1 (en) * | 2000-07-18 | 2002-01-24 | Applied Materials Inc. | Adapter, chamber, and plasma processing device |
| JP2004527077A (en) * | 2001-03-27 | 2004-09-02 | アピト コープ．エス．アー． | Plasma surface treatment method and apparatus for implementing the method |
| JP2003173899A (en) * | 2001-12-05 | 2003-06-20 | Sekisui Chem Co Ltd | Discharge plasma processor |
| EP1505172A2 (en) * | 2003-08-06 | 2005-02-09 | Ulvac, Inc. | Device and method for manufacturing thin films |
| EP1505172A3 (en) * | 2003-08-06 | 2005-12-28 | Ulvac, Inc. | Device and method for manufacturing thin films |
| JP2006249576A (en) * | 2005-02-14 | 2006-09-21 | Toyo Seikan Kaisha Ltd | Gas supply tube for plasma treatment |
| JP2006269806A (en) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Tokyo Electron Ltd | Plasma treatment device |
| JP4546303B2 (en) * | 2005-03-24 | 2010-09-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing equipment |
| JP2007012663A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Shibaura Mechatronics Corp | Pressure reduction treating apparatus and pressure reduction treatment method |
| JP5072096B2 (en) * | 2005-09-09 | 2012-11-14 | 株式会社アルバック | Ion source and plasma processing apparatus |
| JP2009062579A (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Film deposition system |
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