JPH118211A - Device structure for dicing device of ic wafer, dicing method and cleaning method of ic wafer - Google Patents
Device structure for dicing device of ic wafer, dicing method and cleaning method of ic waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣウェハのダイ
シング装置の製造装置、ダイシング方法、及びＩＣウェ
ハの洗浄方法に関する。The present invention relates to an IC wafer dicing apparatus manufacturing apparatus, a dicing method, and an IC wafer cleaning method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来よりＩＣウェハを個々のＩＣチップ
に分離する方法の一つとして、円形ダイヤモンド刃（以
下ブレードと称す）を高速回転しウェハチャックテーブ
ルに固定されたＩＣウェハを切削し分離するダイシング
が用いられている。以下図１〜図２を用い従来のＩＣウ
ェハのダイシング装置の装置構造、ダイシング方法、及
びＩＣウェハの洗浄方法を説明する。2. Description of the Related Art Conventionally, as one method of separating an IC wafer into individual IC chips, a circular diamond blade (hereinafter referred to as a blade) is rotated at a high speed to cut and separate an IC wafer fixed to a wafer chuck table. Dicing is used. The structure of a conventional IC wafer dicing apparatus, a dicing method, and a method of cleaning an IC wafer will be described below with reference to FIGS.
【０００３】図１は、従来技術のＩＣウェハのダイシン
グ装置の装置構造断面図である。図１に於いてＩＣウェ
ハ３はＩＣウェハ固定用粘着テープ２にＩＣウェハ固定
用粘着テープ２の粘着力により貼り付けられ、ダイシン
グ装置上に水平に保たれたウェハチャックテーブル１に
真空吸着により固定される。この状態で高速回転してい
るブレード６をＩＣウェハ３に一定量切り込ませウェハ
チャックテーブル１に平行にブレード６を移動、あるい
はダイシング装置上に水平に保たれたウェハチャックテ
ーブルを水平に移動することによりＩＣウェハ３を個々
のＩＣチップに切削し分離する。ＩＣウェハ３のダイシ
ングの際に発生する切削屑は、ブレードフランジカバー
４に取り付けられたウェハ洗浄水噴出ノズル５より噴出
されたウェハ洗浄水及びブレードフランジカバー４に取
り付けられたブレード冷却水噴出ノズル９より噴出され
たブレード冷却水により洗い流される。その際のウェハ
洗浄水及びブレード冷却水の噴出方向を示したものがウ
ェハ洗浄水噴出方向８及びブレード冷却水噴出方向９で
ある。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a conventional IC wafer dicing apparatus. In FIG. 1, an IC wafer 3 is attached to an IC wafer fixing adhesive tape 2 by the adhesive force of the IC wafer fixing adhesive tape 2, and is fixed to a wafer chuck table 1 horizontally held on a dicing apparatus by vacuum suction. Is done. In this state, the blade 6 rotating at high speed is cut into the IC wafer 3 by a predetermined amount, and the blade 6 is moved in parallel with the wafer chuck table 1 or the wafer chuck table held horizontally on the dicing apparatus is moved horizontally. Thus, the IC wafer 3 is cut into individual IC chips and separated. The cutting chips generated during the dicing of the IC wafer 3 are the wafer cleaning water jetted from the wafer cleaning water jet nozzle 5 attached to the blade flange cover 4 and the blade cooling water jet nozzle 9 attached to the blade flange cover 4. It is washed away by the blade cooling water jetted out. At this time, the directions in which the wafer cleaning water and the blade cooling water are jetted are a wafer cleaning water jetting direction 8 and a blade cooling water jetting direction 9.
【０００４】図２は、従来技術のＩＣウェハのダイシン
グ装置の装置構造断面図である。図２に於いてウェハ洗
浄水をよりＩＣウェハ切削部にあたる様ブレードフラン
ジカバー４に取り付けるウェハ洗浄水噴出ノズル８の位
置及びウェハ洗浄水噴出方向９を変更し、ウェハ洗浄水
がＩＣウェハ３上を流れやすくしダイシングの際発生す
る切削屑を洗い流しやすくしたものである。FIG. 2 is a sectional view showing the structure of a conventional IC wafer dicing apparatus. In FIG. 2, the position of the wafer cleaning water jetting nozzle 8 attached to the blade flange cover 4 and the direction of the wafer cleaning water jetting 9 are changed so that the wafer cleaning water more strikes the IC wafer cutting portion. It is easy to flow and easy to wash away cutting chips generated during dicing.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＩＣウェハのダイシング装置の装置構造では、ダイ
シング時にＩＣウェハが水平に保たれたウェハチャック
テーブル上に固定されているため、ダイシング時に高速
回転するブレードによりＩＣウェハより削り出された切
削屑は、ウェハ洗浄水及びブレード冷却水と共に移動
し、ＩＣウェハ上から洗い流されるが、ウェハ洗浄水と
ブレード冷却水の移動方向及び移動スピードはウェハ洗
浄水及びブレード冷却水の噴射方向、流量、圧力、及び
ブレードの移動方向と移動速度あるいはウェハチャック
テーブルの移動方向と移動速度と多様な条件により決定
されるため、切削屑の移動方向及び移動スピードを制御
しにくいと言う問題点を有していた。However, in the structure of the above-described conventional IC wafer dicing apparatus, the IC wafer rotates at a high speed during dicing because the IC wafer is fixed on a horizontally held wafer chuck table during dicing. The cuttings shaved from the IC wafer by the blade move together with the wafer cleaning water and the blade cooling water and are washed away from the IC wafer, but the moving direction and the moving speed of the wafer cleaning water and the blade cooling water are the same as the wafer cleaning water and the moving speed. It is determined by the jet direction, flow rate and pressure of the blade cooling water and the moving direction and moving speed of the blade or the moving direction and moving speed of the wafer chuck table. It had a problem that it was difficult.
【０００６】また、従来のＩＣウェハのダイシング方法
では、ＩＣウェハが水平に保たれたウェハチャックテー
ブル上に固定されているため、切削屑を含んだウェハ洗
浄水及びブレード冷却水が十分移動せずあるいは移動速
度が十分な速度に達せずＩＣウェハ上に滞留し、切削屑
が再びＩＣウェハの表面に沈殿し付着すると言う問題点
を有してした。Further, in the conventional IC wafer dicing method, since the IC wafer is fixed on a horizontally held wafer chuck table, the wafer cleaning water containing cutting chips and the blade cooling water do not move sufficiently. Alternatively, there has been a problem that the moving speed does not reach a sufficient speed and stays on the IC wafer, so that the cutting debris precipitates and adheres to the surface of the IC wafer again.
【０００７】そこで、本発明は、ダイシング時に高速回
転するブレードによりＩＣウェハより削り出された切削
屑を含んだウェハ洗浄水及びブレード冷却水の移動方向
の制御の必要性を解消したＩＣウェハのダイシング装置
の装置構造及びウェハＩＣの洗浄方法の提供を目的とす
る。Accordingly, the present invention provides a dicing method for an IC wafer which eliminates the need to control the directions of movement of wafer cleaning water and blade cooling water containing cuttings shaved from the IC wafer by a blade rotating at high speed during dicing. It is an object of the present invention to provide an apparatus structure of an apparatus and a method of cleaning a wafer IC.
【０００８】また、本発明は、切削屑を含んだウェハ洗
浄水及びブレード冷却水が、ＩＣウェハ上に滞留し、切
削屑が再びＩＣウェハの表面に沈殿し付着することを解
消したダイシング方法の提供を目的とする。The present invention also relates to a dicing method which eliminates the problem that wafer cleaning water and blade cooling water containing cutting chips stay on the IC wafer and the cutting chips settle and adhere to the surface of the IC wafer again. For the purpose of providing.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
ＩＣウェハのダイシング装置の装置構造は、ＩＣウェハ
のダイシングに使用するダイシング装置に於いて、被加
工体であるＩＣウェハを固定するウェハチャックテーブ
ルが勾配を持った構造であることを特徴とする。According to the first aspect of the present invention, there is provided an apparatus structure of an IC wafer dicing apparatus for fixing an IC wafer to be processed in a dicing apparatus used for dicing an IC wafer. The wafer chuck table has a gradient structure.
【００１０】この発明によれば、ダイシング時に高速回
転するブレードによりＩＣウェハより削り出された切削
屑を含んだウェハ洗浄水及びブレード冷却水は、移動方
向はウェハチャックテーブルの勾配により主に重力によ
り決定される、また移動スピードは主にウェハチャック
テーブルの勾配角度により決定されるため、ウェハ洗浄
水及びブレード冷却水の噴射方向、流量、圧力、及びブ
レードの移動方向と移動速度あるいはウェハチャックテ
ーブルの移動方向と移動速度と多様な条件よる制御が必
要無くなると言う効果を奏する。According to the present invention, the wafer cleaning water and the blade cooling water containing the cutting chips shaved from the IC wafer by the blade rotating at a high speed at the time of dicing are moved mainly by gravity due to the inclination of the wafer chuck table. Since the moving speed is determined mainly by the inclination angle of the wafer chuck table, the jetting direction, flow rate, pressure, and moving direction and moving speed of the wafer cleaning water and blade cooling water or the wafer chuck table are determined. There is an effect that control according to the moving direction, the moving speed, and various conditions is not required.
【００１１】本発明の請求項２記載のＩＣウェハのダイ
シング方法は、ＩＣウェハのダイシングに於いて、被加
工体であるＩＣウェハを勾配を持つウェハチャックテー
ブルに固定し、ダイシングすることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the dicing of an IC wafer, the dicing is performed by fixing an IC wafer to be processed to a wafer chuck table having a gradient. I do.
【００１２】この発明によれば、ダイシング時に高速回
転するブレードによりＩＣウェハから削り出された切削
屑を含んだウェハ洗浄水及びブレード冷却水は、勾配を
持つウェハチャックテーブル上を主に重力により移動す
るため、ＩＣウェハ上に滞留し、切削屑が再びＩＣウェ
ハの表面に沈殿し付着すると言う問題点を解消すると言
う効果を奏する。According to the present invention, the wafer cleaning water and the blade cooling water, which include the cutting chips shaved from the IC wafer by the blade rotating at a high speed during dicing, move on the inclined wafer chuck table mainly by gravity. Therefore, there is an effect that the problem that the cutting waste stays on the IC wafer and the cutting chips settle and adhere to the surface of the IC wafer again is solved.
【００１３】本発明の請求項３のＩＣウェハの洗浄方法
は、ＩＣウェハのダイシングに於いて、被加工体である
ＩＣウェハを勾配を持つウェハチャックテーブルに固定
し、ダイシング時に高速回転するブレードによりＩＣウ
ェハから削り出された切削屑を、ブレード冷却水及びウ
ェハ洗浄水によりウェハチャックテーブルの勾配を利用
して洗浄することを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for cleaning an IC wafer, wherein in the dicing of the IC wafer, the IC wafer to be processed is fixed to a wafer chuck table having a gradient, and a blade which rotates at a high speed during dicing. The present invention is characterized in that cutting chips shaved from an IC wafer are cleaned with blade cooling water and wafer cleaning water by utilizing the gradient of a wafer chuck table.
【００１４】この発明によれば、高速回転するブレード
によりＩＣウェハから削りだされた切削屑を含んだウェ
ハ洗浄水及びブレード冷却水は、勾配を持つウェハチャ
ックテーブル上を主に重力により移動するため、ＩＣウ
ェハ上に滞留し、切削屑が再びＩＣウェハの表面に沈殿
し付着すると言う問題点を解消すると言う効果を奏す
る。According to the present invention, the wafer cleaning water and the blade cooling water containing the cutting chips shaved from the IC wafer by the high-speed rotating blade move on the inclined wafer chuck table mainly by gravity. This has the effect of resolving the problem that swarf stays on the IC wafer and the chips are deposited and adhered to the surface of the IC wafer again.
【００１５】[0015]
【作用】本発明のＩＣウェハのダイシング装置の装置構
造、ダイシング方法、及びＩＣウェハの洗浄方法につい
て説明すると、ＩＣウェハのダイシングに使用するダイ
シング装置に於いて、被加工体であるＩＣウェハを勾配
を持つウェハチャックテーブルに固定し、ダイシングを
実施することにより、高速回転するブレードによりＩＣ
ウェハから削り出された切削屑を含んだウェハ洗浄水及
びブレード冷却水は、ウェハチャックテーブルの勾配に
より重力方向に高いところから低い所へ流れるため、ウ
ェハ洗浄水及びブレード冷却水の噴射方向、流量、圧
力、及びブレードの移動方向と移動速度あるいはウェハ
チャックテーブルの移動方向と移動速度と多様な条件に
支配されること無くＩＣウェハの外に移動する。The device structure, dicing method and cleaning method of the IC wafer dicing apparatus according to the present invention will be described. In the dicing apparatus used for dicing the IC wafer, the IC wafer as the workpiece is inclined. Is fixed on a wafer chuck table with a
Wafer cleaning water and blade cooling water containing cuttings shaved off from the wafer flow from a high place to a low place in the direction of gravity due to the inclination of the wafer chuck table, so that the jetting direction and flow rate of the wafer cleaning water and blade cooling water , Pressure, and the moving direction and moving speed of the blade or the moving direction and moving speed of the wafer chuck table, and move out of the IC wafer without being influenced by various conditions.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１７】図３は、請求項１記載の発明に係わるダイ
シング装置の装置構造断面図である。ダイシング装置が
水平設置時の水平線１０に対し、勾配を持つウェハチャ
ックテーブル１にＩＣウェハ固定用粘着テープ２を介し
ＩＣウェハ３が固定されている。この状態で高速回転す
るブレード６をＩＣウェハ３に接触させ切削を行う。切
削によりＩＣウェハ３より発生した切削屑は、ブレード
フランジカバー４に取り付けられたウェハ洗浄水噴出ノ
ズル５及びブレード冷却水噴出ノズル７よりウェハ洗浄
水噴出方向８及びブレード冷却水噴出方向９に噴出され
たウェハ洗浄水及びブレード冷却水によりウェハチャッ
クテーブル１の勾配により切削部より運び出される。高
速回転するブレード６によりＩＣウェハ３より削り出さ
れた切削屑を含んだウェハ洗浄水及びブレード冷却水
は、勾配を持つウェハチャックテーブル１上を主に重力
により一方向に必ず移動するため、ＩＣウェハ上に滞留
し、切削屑が再びＩＣウェハ３の表面に沈殿し付着する
と言う問題点を解消すると言う効果を奏する。FIG. 3 is a sectional view showing the structure of the dicing apparatus according to the first aspect of the present invention. An IC wafer 3 is fixed to a wafer chuck table 1 having an inclination with respect to a horizontal line 10 when the dicing apparatus is horizontally installed, via an IC wafer fixing adhesive tape 2. In this state, the blade 6 rotating at high speed is brought into contact with the IC wafer 3 to perform cutting. Chips generated from the IC wafer 3 due to the cutting are ejected from a wafer washing water ejection nozzle 5 and a blade cooling water ejection nozzle 7 attached to the blade flange cover 4 in a wafer washing water ejection direction 8 and a blade cooling water ejection direction 9. The wafer cleaning water and the blade cooling water are carried out of the cutting section by the inclination of the wafer chuck table 1. The wafer cleaning water and the blade cooling water containing the cutting chips shaved from the IC wafer 3 by the high-speed rotating blade 6 always move in one direction mainly by gravity on the inclined wafer chuck table 1. This has the effect of resolving the problem that swarf stays on the wafer and the chips are deposited and adhered to the surface of the IC wafer 3 again.
【００１８】図４は、請求項３記載の発明に係わるＩＣ
ウェハの洗浄方法の一実施の形態の要部を示す図であ
る。ダイシング時にＩＣウェハ３より削り出された切削
屑は、ウェハ洗浄水噴出ノズル５及びブレード冷却水噴
出ノズル７よりウェハ洗浄水噴出方向８及びブレード冷
却水噴出方向９に噴出されたウェハ洗浄水及びブレード
冷却水と共に移動する。切削屑を含んだウェハ洗浄水及
びブレード冷却水の流れ方向１１は、ウェハチャックテ
ーブル１の勾配により重力方向に高いところから低い所
へ流れるため、ウェハ洗浄水及びブレード冷却水の噴射
方向、流量、圧力、及びブレードの移動方向と移動速度
あるいはウェハチャックテーブル１の移動方向と移動速
度に支配されること無く移動するため、ＩＣウェハ３上
に滞留し、切削屑が再びＩＣウェハの表面に沈殿し付着
すると言う問題点を解消すると言う効果を奏する。FIG. 4 shows an IC according to the third aspect of the present invention.
FIG. 4 is a diagram illustrating a main part of an embodiment of a wafer cleaning method. The cutting chips shaved off from the IC wafer 3 during dicing are the wafer cleaning water and the blade jetted in the wafer cleaning water jetting direction 8 and the blade cooling water jetting direction 9 from the wafer cleaning water jetting nozzle 5 and the blade cooling water jetting nozzle 7. Moves with cooling water. Since the flow direction 11 of the wafer cleaning water and the blade cooling water containing the cutting chips flows from a high place to a low place in the direction of gravity due to the inclination of the wafer chuck table 1, the jetting direction, flow rate, Since the wafer moves without being influenced by the pressure, the moving direction and the moving speed of the blade, or the moving direction and the moving speed of the wafer chuck table 1, it stays on the IC wafer 3, and the cutting chips settle on the surface of the IC wafer again. This has the effect of eliminating the problem of sticking.
【００１９】また切削屑を含んだウェハ洗浄水及びブレ
ード冷却水の移動速度は、主にダイシング装置が水平設
置時の水平線１０とウェハチャックテーブル水平線１２
とが成す角度により決定され角度は１５度、好ましく
は、５度〜３０度である。この範囲より小さいと切削屑
を含んだウェハ洗浄水及びブレード冷却水が十分な移動
速度に達成せずＩＣウェハ上に滞留し、切削屑が再びＩ
Ｃウェハの表面に沈殿し付着する傾向があり、一方、大
きくなるとウェハ洗浄水及びブレード冷却水の移動速度
が速すぎて十分な洗浄ができなくなる傾向がある。The moving speeds of the wafer cleaning water and the blade cooling water containing cutting chips are mainly determined by the horizontal line 10 and the wafer chuck table horizontal line 12 when the dicing apparatus is installed horizontally.
The angle is determined by the angle formed by the angle and the angle is 15 degrees, preferably 5 degrees to 30 degrees. If it is smaller than this range, the wafer cleaning water and the blade cooling water containing the cutting chips will not reach a sufficient moving speed, and will remain on the IC wafer, and the cutting chips will again be generated.
C tends to settle and adhere to the surface of the wafer. On the other hand, when it is large, the movement speed of the wafer cleaning water and the blade cooling water tends to be too high to perform sufficient cleaning.
【００２０】図５は、請求項２記載の発明に係わるＩＣ
ウェハのダイシング方法の一実施の形態を示す図であ
る。その方法を説明すると、勾配を持つウェハチャック
テーブル１にＩＣウェハ固定用粘着テープ２を介しＩＣ
ウェハ３が固定されている。この状態で高速回転するブ
レード６をＩＣウェハ３に接触させ切削を行うが、ＩＣ
ウェハ３を個々のＩＣチップに分離するため、ＩＣウェ
ハ３の切削の必要な全面のダイシングを実施するため、
ウェハチャックテーブル１もしくは高速回転するブレー
ド６を移動しダイシングにより切削を行う。高速回転す
るブレード６によりＩＣウェハ３より削りだされた切削
屑を含んだウェハ洗浄水及びブレード冷却水は、勾配を
持つウェハチャックテーブル１上を主に重力により一方
向に必ず移動するため、ＩＣウェハ上に滞留し、切削屑
が再びＩＣウェハ３の表面に沈殿し付着すると言う問題
点を解消すると言う効果を奏する。FIG. 5 shows an IC according to the second aspect of the present invention.
FIG. 3 is a diagram illustrating an embodiment of a wafer dicing method. The method will be described. An IC is fixed on a wafer chuck table 1 having a gradient through an adhesive tape 2 for fixing an IC wafer.
The wafer 3 is fixed. In this state, the blade 6 rotating at high speed is brought into contact with the IC wafer 3 to perform cutting.
In order to separate the wafer 3 into individual IC chips and to perform dicing of the entire surface of the IC wafer 3 that requires cutting,
The wafer chuck table 1 or the high-speed rotating blade 6 is moved to perform cutting by dicing. Since the wafer cleaning water and the blade cooling water containing the cutting chips shaved from the IC wafer 3 by the high-speed rotating blade 6 always move in one direction mainly by gravity on the inclined wafer chuck table 1, the IC This has the effect of resolving the problem that swarf stays on the wafer and the chips are deposited and adhered to the surface of the IC wafer 3 again.
【００２１】またウェハチャックテーブル１を移動しダ
イシングを行う場合は、ＩＣウェハ３へのブレード６の
切削深さを一定に保つため、ウェハチャックテーブル１
の移動方向は、ウェハチャックテーブル水平線１２上を
移動する。移動方向は好ましくはウェハチャックテーブ
ル移動方向１４である。ウェハチャックテーブル移動方
向１４と反対方向の移動の場合、切削屑を含んだウェハ
洗浄水及びブレード冷却水が、切削方向に移動するため
ブレード６の切削力低下となる傾向がある。When the wafer chuck table 1 is moved to perform dicing, the wafer chuck table 1 is kept in order to keep the cutting depth of the blade 6 on the IC wafer 3 constant.
Is moved on the wafer chuck table horizontal line 12. The moving direction is preferably the wafer chuck table moving direction 14. In the case of the movement in the direction opposite to the wafer chuck table movement direction 14, the wafer cleaning water and the blade cooling water including the cutting chips move in the cutting direction, and the cutting force of the blade 6 tends to decrease.
【００２２】また高速回転するブレード６を移動し、ダ
イシングを行う場合は、ＩＣウェハ３へのブレード６の
切削深さを一定に保つため、ブレードの移動方向は、ウ
ェハチャックテーブル水平線１２に平行なブレード中心
を通るチャックテーブル平行線１３上を移動する。移動
方向は好ましくは、ブレード移動方向１５である。ブレ
ード移動方向１５と反対方向の移動の場合、切削屑を含
んだウェハ洗浄水及びブレード冷却水が、切削方向に移
動するためブレード６の切削力低下となる傾向がある。When the high-speed rotating blade 6 is moved to perform dicing, the blade is moved in a direction parallel to the wafer chuck table horizontal line 12 in order to keep the cutting depth of the blade 6 on the IC wafer 3 constant. It moves on a chuck table parallel line 13 passing through the center of the blade. The moving direction is preferably the blade moving direction 15. In the case of the movement in the direction opposite to the blade movement direction 15, the wafer cleaning water and the blade cooling water containing the cutting chips move in the cutting direction, and the cutting force of the blade 6 tends to decrease.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上述べた様に、本発明のＩＣウェハの
ダイシング装置の装置構造によれば、ダイシング時に高
速回転するブレードによりＩＣウェハより削り出された
切削屑を含んだウェハ洗浄水及びブレード冷却水は、移
動方向はウェハチャックテーブルの勾配により主に重力
により決定される、また移動スピードは主にウェハチャ
ックテーブルの勾配角度により決定されるため、ウェハ
洗浄水及びブレード冷却水の噴射方向、流量、圧力、及
びブレードの移動方向と移動速度あるいはウェハチャッ
クテーブルの移動方向と移動速度による制御が必要無く
なると言う効果がある。As described above, according to the apparatus structure of the IC wafer dicing apparatus of the present invention, the wafer cleaning water and the blade containing the cutting chips cut from the IC wafer by the blade rotating at high speed during dicing. Since the moving direction of the cooling water is mainly determined by gravity by the gradient of the wafer chuck table, and the moving speed is mainly determined by the gradient angle of the wafer chuck table, the jet direction of the wafer cleaning water and the blade cooling water, There is an effect that control by the flow rate, the pressure, and the moving direction and moving speed of the blade or the moving direction and moving speed of the wafer chuck table becomes unnecessary.
【００２４】また本発明のＩＣウェハのダイシング方法
及びウェハ洗浄方法を用いれば、ダイシング時に高速回
転するブレードによりＩＣウェハより削り出された切削
屑を含んだウェハ洗浄水及びブレード冷却水は、勾配を
持つウェハチャックテーブル上を主に重力により移動す
るため、ＩＣウェハ上に滞留し、切削屑が再びＩＣウェ
ハの表面に沈殿し付着すると言う問題点を解消する効果
がある。Further, according to the IC wafer dicing method and the wafer cleaning method of the present invention, the wafer cleaning water and blade cooling water containing cutting chips shaved from the IC wafer by the blade rotating at high speed during dicing have a gradient. Since it moves on the wafer chuck table mainly by gravity, it has the effect of solving the problem of staying on the IC wafer and causing cutting chips to settle and adhere to the surface of the IC wafer again.
【図１】従来技術のダイシング装置の装置構造断面図で
ある。FIG. 1 is a sectional view showing the structure of a conventional dicing apparatus.
【図２】従来技術のダイシング装置の装置構造断面図で
ある。FIG. 2 is a sectional view of the structure of a conventional dicing apparatus.
【図３】本発明の一実施の形態を表すダイシング装置の
装置構造断面図である。FIG. 3 is a device cross-sectional view of a dicing device according to an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の一実施の形態の要部を示すウェハ洗浄
水及びブレード冷却水の水の流れを示した図である。FIG. 4 is a diagram showing a flow of water for cleaning a wafer and water for cooling a blade, showing a main part of an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の一実施の形態の要部を示すブレード及
びウェハチャックテーブルの移動方向を示した図であ
る。FIG. 5 is a view showing a moving direction of a blade and a wafer chuck table showing a main part of an embodiment of the present invention.
１．ウェハチャックテーブル ２．ＩＣウェハ固定用粘着テープ ３．ＩＣウェハ ４．ブレードフランジカバー ５．ウェハ洗浄水噴出ノズル ６．ブレード ７．ブレード冷却水噴出ノズル ８．ウェハ洗浄水噴出方向 ９．ブレード冷却水噴出方向 １０．ダイシング装置が水平設置時の水平線 １１．切削屑を含んだブレード冷却水及びウェハ洗浄水
の流れ方向 １２．ウェハチャックテーブル水平線 １３．ブレード中心を通るチャックテーブル平行線 １４．ウェハチャックテーブル移動方向 １５．ブレード移動方向1. 1. Wafer chuck table 2. Adhesive tape for fixing IC wafers IC wafer 4. Blade flange cover 5. 5. Wafer cleaning water jet nozzle Blade 7. 7. Blade cooling water jet nozzle 8. Wafer cleaning water jetting direction 9. Blade cooling water jetting direction 10. Horizontal line when the dicing device is installed horizontally. 11. Flow direction of blade cooling water and wafer cleaning water containing cutting chips 12. Wafer chuck table horizontal line 13. Chuck table parallel line passing through blade center 14. Wafer chuck table moving direction Blade moving direction
Claims (3)
ング装置に於いて、被加工体であるＩＣウェハを固定す
るウェハチャックテーブルが勾配を持つ構造であること
を特徴とするＩＣウェハのダイシング装置の装置構造。1. A dicing apparatus used for dicing an IC wafer, wherein a wafer chuck table for fixing an IC wafer to be processed has a structure having a gradient. Construction.
体であるＩＣウェハを勾配を持つウェハチャックテーブ
ルに固定し、ダイシングすることを特徴とするダイシン
グ方法。2. A dicing method for dicing an IC wafer, comprising fixing an IC wafer to be processed to a wafer chuck table having a gradient and dicing.
体であるＩＣウェハを勾配を持つウェハチャックテーブ
ルに固定し、ダイシングの際発生するＩＣウェハの切削
屑を、ウェハチャックテーブルの勾配を利用して洗浄す
ることを特徴とするＩＣウェハの洗浄方法。3. In dicing an IC wafer, an IC wafer to be processed is fixed to a wafer chuck table having a gradient, and cutting chips of the IC wafer generated at the time of dicing are used by utilizing the gradient of the wafer chuck table. A cleaning method for an IC wafer, comprising: cleaning the substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16015097A JPH118211A (en) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Device structure for dicing device of ic wafer, dicing method and cleaning method of ic wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16015097A JPH118211A (en) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Device structure for dicing device of ic wafer, dicing method and cleaning method of ic wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118211A true JPH118211A (en) | 1999-01-12 |
Family
ID=15708963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16015097A Withdrawn JPH118211A (en) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | Device structure for dicing device of ic wafer, dicing method and cleaning method of ic wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118211A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015012092A (en) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 株式会社ディスコ | Cleaning device and processing device |
| CN108922866A (en) * | 2018-09-13 | 2018-11-30 | 环维电子(上海)有限公司 | Chopping disk and cutting machine |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP16015097A patent/JPH118211A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015012092A (en) * | 2013-06-27 | 2015-01-19 | 株式会社ディスコ | Cleaning device and processing device |
| CN108922866A (en) * | 2018-09-13 | 2018-11-30 | 环维电子(上海)有限公司 | Chopping disk and cutting machine |
| CN108922866B (en) * | 2018-09-13 | 2023-10-13 | 环维电子(上海)有限公司 | Cutting disc and cutting machine |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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