JPH1179884A - Liquid phase epitaxial growth apparatus and growing method - Google Patents
Liquid phase epitaxial growth apparatus and growing methodInfo
- Publication number
- JPH1179884A JPH1179884A JP23362397A JP23362397A JPH1179884A JP H1179884 A JPH1179884 A JP H1179884A JP 23362397 A JP23362397 A JP 23362397A JP 23362397 A JP23362397 A JP 23362397A JP H1179884 A JPH1179884 A JP H1179884A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solution
- semiconductor substrate
- epitaxial growth
- liquid phase
- phase epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体溶液中で半導
体基板上に半導体結晶を成長させる液相エピタキシャル
成長装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid phase epitaxial growth apparatus for growing a semiconductor crystal on a semiconductor substrate in a semiconductor solution.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４は従来例の液相エピタキシャル成長
装置および成長工程をを示す図である。図４（ａ）に示
されるように、筐体５１はその中央部に仕切板５２を有
しており、成長漕５３と、溶液漕５４に分けられてい
る。溶液漕５４には筐体５１の外部から溶液を押すため
のピストン５５が取付けられている。この液相エピタキ
シャル成長装置５０は、一般に高純度処理をされたグラ
ファイトによって形成されている。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a view showing a conventional liquid phase epitaxial growth apparatus and a growth process. As shown in FIG. 4A, the housing 51 has a partition plate 52 at the center thereof, and is divided into a growth tank 53 and a solution tank 54. A piston 55 for pushing the solution from outside the housing 51 is attached to the solution tank 54. The liquid phase epitaxial growth apparatus 50 is generally formed of graphite that has been subjected to high purity processing.
【０００３】成長漕５３にはグラファイトの基板フォル
ダー５６に支持された半導体基板５７が入れられてい
る。一方、溶液漕５４にはエピタキシャル成長層の材料
となる材料５８’が入れられている。半導体基板５７と
して例えば、ＧａＡｓ基板が使用され、また、材料５
８’としてはＧａ、ＧａＡｓ多結晶およびドーパント等
が使用される。A growth tank 53 contains a semiconductor substrate 57 supported by a graphite substrate folder 56. On the other hand, the solution tank 54 contains a material 58 'to be a material of the epitaxial growth layer. As the semiconductor substrate 57, for example, a GaAs substrate is used.
As 8 ', Ga, GaAs polycrystal, dopant and the like are used.
【０００４】この状態で、液相エピタキシャル成長装置
５０を水素ガス雰囲気中の成長炉に入れ、８００〜１０
００℃程度まで昇温する。すると溶液漕の物質が溶解し
て、図４（ｂ）に示すように溶液５８になる。この状態
で、温度をしばらく一定に保ち液相エピタキシャル成長
装置５０の温度を安定させる。In this state, the liquid-phase epitaxial growth apparatus 50 is put into a growth furnace in a hydrogen gas atmosphere, and
The temperature is raised to about 00 ° C. Then, the substance in the solution tank is dissolved to form a solution 58 as shown in FIG. In this state, the temperature is kept constant for a while, and the temperature of the liquid phase epitaxial growth apparatus 50 is stabilized.
【０００５】次に、ピストン５５を仕切板５２の方向に
移動させる。すると図４（ｃ）に示されるように溶液５
８は仕切板５２を乗り越えて、成長漕５３の方へ移動す
る。基板ホルダー５６および、それに縦置された半導体
基板５７が溶液５８に浸される。この状態で徐々に冷却
し、半導体基板５７上に溶液５８の成分をエピタキシャ
ル成長させる。[0005] Next, the piston 55 is moved in the direction of the partition plate 52. Then, as shown in FIG.
8 moves over the partition plate 52 toward the growth tank 53. The substrate holder 56 and the semiconductor substrate 57 placed vertically on the substrate holder 56 are immersed in the solution 58. In this state, the component is gradually cooled, and the components of the solution 58 are epitaxially grown on the semiconductor substrate 57.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】液相エピタキシャル成
長法では、成長の過程として、成長界面まで成長物質が
運ばれていく過程と、運ばれた物質が結晶となって析出
する過程の２つの過程があるが、前者の成長過程に影響
するものの１つとして、溶液を降温させたときの放熱の
状態があり、その放熱の状態は、成長漕の形状及び素材
とその中にある溶液との温度特性の差が影響している。In the liquid phase epitaxial growth method, two processes of growth are carried out: a process of transporting a grown material to a growth interface and a process of depositing the transported material as crystals. However, one of the factors that influence the former growth process is the state of heat radiation when the temperature of the solution is lowered. The heat radiation state depends on the shape of the growth tank and the temperature characteristics of the material and the solution in it. The difference is affecting.
【０００７】すなわち、溶液の溶媒であるＧａはグラフ
ァイトの液相エピタキシャル成長装置に比べ熱伝導率が
小さいので、冷却過程において成長漕の内壁付近と成長
漕の中心付近では温度差が生じる。つまり、成長漕の内
壁付近では冷却操作に対する反応が早く成長しやすい半
面、成長漕の中心付近では、冷却操作に対する反応が遅
く成長しにくい。That is, since Ga, which is the solvent of the solution, has a lower thermal conductivity than the liquid phase epitaxial growth apparatus for graphite, a temperature difference occurs near the inner wall of the growth tank and near the center of the growth tank during the cooling process. That is, the reaction to the cooling operation tends to grow quickly near the inner wall of the growth tank, but the reaction to the cooling operation is slow and hard to grow near the center of the growth tank.
【０００８】さらに、図４の従来例に示すような半導体
基板を縦置きに並べた構造である場合、一度にできるだ
け多くの半導体基板の処理を行うためには基板と基板と
の間隔をできるだけ狭くする必要があり、基板中央部で
は溶質の供給がされ難い状態となり成長速度が遅くな
る。一方、基板の周辺部は基板の外周方向からも溶液が
周囲を取り囲むので溶質の供給源となっており、成長速
度が大きくなる。Further, in the case of a structure in which semiconductor substrates are arranged vertically as shown in the conventional example of FIG. 4, in order to process as many semiconductor substrates as possible at once, the distance between the substrates is made as small as possible. In the central part of the substrate, it is difficult to supply the solute, and the growth rate is reduced. On the other hand, the periphery of the substrate is also a solute supply source since the solution also surrounds the periphery from the outer peripheral direction of the substrate, and the growth rate increases.
【０００９】上述のように、従来例の液相エピタキシャ
ル成長装置では半導体基板中央部に比べ周辺部が厚くな
りエピタキシャル成長膜厚が不均一になっていた。As described above, in the conventional liquid phase epitaxial growth apparatus, the peripheral portion is thicker than the central portion of the semiconductor substrate, and the epitaxial growth film thickness is not uniform.
【００１０】本発明は上述の問題点を鑑みてなされたも
のであり、半導体基板に均一なエピタキシャル成長層が
形成できる液相エピタキシャル成長装置を提供すること
を目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a liquid phase epitaxial growth apparatus capable of forming a uniform epitaxial growth layer on a semiconductor substrate.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
液相エピタキシャル成長装置は半導体材料を溶融した溶
液中で半導体基板上に結晶を成長させる液相エピタキシ
ャル成長装置において、半導体基板近傍の溶液を周りの
溶液から隔離するための遮蔽部材を有することを特徴と
するものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid phase epitaxial growth apparatus for growing a crystal on a semiconductor substrate in a solution in which a semiconductor material is melted. It has a shielding member for isolating it from the surrounding solution.
【００１２】また、本発明の請求項２記載の液相エピタ
キシャル成長装置は、エピタキシャル成長するときには
前記遮蔽部材の外側が溶液に接していることを特徴とす
るものである。In the liquid phase epitaxial growth apparatus according to a second aspect of the present invention, the outside of the shielding member is in contact with the solution during epitaxial growth.
【００１３】また、本発明の請求項３記載の液相エピタ
キシャル成長方法は半導体材料を溶融した溶液中で半導
体基板上に結晶を成長させる液相エピタキシャル成長方
法であって、溶液中に半導体基板を浸した後、半導体基
板近傍の溶液を半導体基板とともに隔離するとともに、
その他の溶液を遮蔽部材の周りに配置して冷却を行い、
前記半導体基板上に結晶を成長させることを特徴とする
ものである。A liquid phase epitaxial growth method according to a third aspect of the present invention is a liquid phase epitaxial growth method for growing a crystal on a semiconductor substrate in a solution in which a semiconductor material is melted, wherein the semiconductor substrate is immersed in the solution. Later, while isolating the solution near the semiconductor substrate together with the semiconductor substrate,
Other solutions are placed around the shielding member and cooled,
A crystal is grown on the semiconductor substrate.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態であ
る液相エピタキシャル成長装置を示す略断面図である。
図１において筐体１１は仕切板１２で２つの部分に分け
られており、一方はシャッター１９を格納するための格
納室１３であり、もう一方は溶液漕１４である。仕切板
１２には遮蔽部材であるシャッター１９が移動するため
の開口部１２ａが設けられており、シャッター１９は連
接棒２０を操作することによって、格納室１３と溶液漕
１４との間を移動させることができる。シャッター１９
は開口部１２ａと嵌め合わされており、シャッター１９
と開口部１２ａの隙間から溶液が漏れることはない。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a liquid phase epitaxial growth apparatus according to an embodiment of the present invention.
In FIG. 1, the casing 11 is divided into two parts by a partition plate 12, one of which is a storage chamber 13 for storing a shutter 19, and the other is a solution tank 14. The partition plate 12 is provided with an opening 12a through which a shutter 19 as a shielding member is moved. The shutter 19 is moved between the storage chamber 13 and the solution tank 14 by operating the connecting rod 20. be able to. Shutter 19
Is fitted with the opening 12a, and the shutter 19
The solution does not leak from the gap between the opening 12a.
【００１５】シャッター１９と対向する位置に基板を保
持するための基板ホルダー１６が設けられ、その中に半
導体基板を所定の間隔をもって縦置できる。基板ホルダ
ー１６は連接棒１５の先に取付けられており、連接棒１
５を操作することにより、基板ホルダー１６は開口部１
２ａを介して、格納室１３と溶液漕１４との間を移動さ
せることができる。また、基板ホルダー１６は壁部１６
ａ及び壁部１６ｂを有しており、壁部１６ａは基板ホル
ダーが１６が格納室１３に移動したとき、開口部１２ａ
を塞ぐ機能があり、また、壁部１６ｂは基板ホルダーが
溶液漕１４に移動したとき、格納室１３にあるシャッタ
ー１９内の空間に溶液が侵入しないようにする働きがあ
る。A substrate holder 16 for holding the substrate is provided at a position facing the shutter 19, and the semiconductor substrates can be vertically arranged at a predetermined interval in the substrate holder. The substrate holder 16 is attached to the end of the connecting rod 15,
5, the substrate holder 16 moves the opening 1
It is possible to move between the storage chamber 13 and the solution tank 14 via 2a. Further, the substrate holder 16 is attached to the wall 16.
a and a wall portion 16b, and the wall portion 16a has an opening 12a when the substrate holder 16 moves to the storage room 13.
The wall 16b has a function of preventing the solution from entering the space inside the shutter 19 in the storage chamber 13 when the substrate holder moves to the solution tank 14.
【００１６】上述の液相エピタキシャル成長装置１０
は、高純度処理されたグラファイトより形成されてい
る。半導体基板１７は基板ホルダー１６内に所定の間隔
をおいて縦置されている。The above-described liquid phase epitaxial growth apparatus 10
Is formed from graphite that has been subjected to high purity processing. The semiconductor substrates 17 are vertically arranged at predetermined intervals in the substrate holder 16.
【００１７】図２は液相エピタキシャル成長装置よるエ
ピタキシャル成長の工程図であり、また、図３はその工
程の温度制御を示すグラフである。FIG. 2 is a process chart of the epitaxial growth using the liquid phase epitaxial growth apparatus, and FIG. 3 is a graph showing the temperature control in the process.
【００１８】図２（ａ）において、シャッター１９は格
納室１３にあり、シャッター１９内には基板ホルダー１
６が挿入されている。基板ホルダー１６には例えばＧａ
Ａｓ材料でできた半導体基板１７が縦方向に所定の間隔
をもって多数固定されている。In FIG. 2A, the shutter 19 is located in the storage room 13, and the substrate holder 1 is located in the shutter 19.
6 has been inserted. For example, Ga
A large number of semiconductor substrates 17 made of As material are fixed at predetermined intervals in the vertical direction.
【００１９】基板ホルダー１６は格納室１３側にあっ
て、壁部１６ａによって、開口部１２ａを塞ぐようにセ
ットされている。溶液漕１４にはエピタキシャル成長さ
せる溶液の成分であるＧａ、ＧａＡｓの多結晶、ドーパ
ント等の材料１８’が入れられている。The substrate holder 16 is located on the storage chamber 13 side, and is set so as to close the opening 12a with the wall 16a. The solution tank 14 is filled with a material 18 'such as Ga, GaAs polycrystal, or dopant, which is a component of a solution to be epitaxially grown.
【００２０】この状態で液相エピタキシャル成長装置１
０を水素ガス雰囲気中の成長炉に入れ、図３に示される
ように温度を制御して、８００〜１０００℃まで昇温す
ることにより、図２（ｂ）に示されるように、材料１
８’を融解させて溶液１８にする。続いて、図３に示さ
れるように、所定の時間（１〜３時間程度）この温度を
維持（ホールド）して全体が均一な組成の溶液になるよ
うにする。In this state, the liquid phase epitaxial growth apparatus 1
0 was put into a growth furnace in a hydrogen gas atmosphere, and the temperature was controlled as shown in FIG. 3 to raise the temperature to 800 to 1000 ° C., thereby obtaining the material 1 as shown in FIG.
8 ′ is melted into solution 18. Subsequently, as shown in FIG. 3, the temperature is maintained (held) for a predetermined period of time (about 1 to 3 hours) so that a solution having a uniform composition as a whole is obtained.
【００２１】続いて、図２（ｃ）に示されるように、連
接棒１５を操作して、基板ホルダー１６を半導体基板１
７とともに溶液１８の満たされた溶液漕１４に引き入
れ、半導体基板１７を溶液１８に接触させる。このと
き、シャッター１９内に溶液１８が流れ込むと溶液漕１
４の液面レベルがさがり、半導体基板１７の面内に溶液
１８が接触しない怖れがある。しかし、シャッター１９
内の基板ホルダー１６は壁部１６ｂによってシャッター
１９と嵌め合わされているので、シャッター１９内の空
間に溶液１８が流れ込むことを防ぐことができる。Subsequently, as shown in FIG. 2C, the connecting rod 15 is operated to move the substrate holder 16 to the semiconductor substrate 1.
The semiconductor substrate 17 is brought into contact with the solution 18 together with the solution 7 into the solution tank 14 filled with the solution 18. At this time, when the solution 18 flows into the shutter 19, the solution tank 1
There is a fear that the liquid level of 4 drops and the solution 18 does not contact the surface of the semiconductor substrate 17. However, shutter 19
Since the substrate holder 16 inside is fitted to the shutter 19 by the wall portion 16b, it is possible to prevent the solution 18 from flowing into the space inside the shutter 19.
【００２２】続いて、図２（ｄ）に示されるように、連
接棒２０を操作することにより、シャッター１９を溶液
漕１４の中に移動させる。シャッター１９の周りは溶液
でみたされ、シャッター１９の内の溶液１８ａとシャッ
ター１９の外の溶液１８ｂが遮断される。結晶成長に使
用される液体は、シャッター１９の内側の溶液１８ａだ
けであり、結晶成長するのに必要最小限の溶液に限られ
る。また、シャッター１９の外側の溶液１８ｂがエピタ
キシャル層の成長に使われることはない。Subsequently, as shown in FIG. 2D, the shutter 19 is moved into the solution tank 14 by operating the connecting rod 20. The solution around the shutter 19 is seen, and the solution 18a inside the shutter 19 and the solution 18b outside the shutter 19 are shut off. The liquid used for crystal growth is only the solution 18a inside the shutter 19, and is limited to a minimum solution necessary for crystal growth. Further, the solution 18b outside the shutter 19 is not used for growing the epitaxial layer.
【００２３】続いて、図２（ｅ）に示されるように、連
接棒１５および連接棒２０を操作して基板ホルダー１６
をエピタキシャル成長位置に移動する。Subsequently, as shown in FIG. 2E, the connecting rods 15 and 20 are operated to operate the substrate holder 16.
To the epitaxial growth position.
【００２４】図３に示されるように図２（ｃ）、
（ｄ）、（ｅ）の操作完了後に冷却が行われ、０．５℃
／ｍｉｎ〜３℃／ｍｉｎの冷却速度で５００℃〜７００
℃まで降温させることにより結晶成長させ、半導体基板
１７上にエピタキシャル層が形成される。このとき、シ
ャッタの外側はその大部分が溶液１８ｂと接触してお
り、冷却過程で熱伝導率の良いグラファイトのシャッタ
ー１９が溶液１８に比べて急激に温度が低下することは
ない。As shown in FIG. 3, FIG.
After completion of the operations (d) and (e), cooling is performed,
/ Min to 3 ° C / min at a cooling rate of 500 ° C to 700 ° C
The crystal is grown by lowering the temperature to ° C., and an epitaxial layer is formed on the semiconductor substrate 17. At this time, most of the outside of the shutter is in contact with the solution 18b, and the temperature of the graphite shutter 19 having good thermal conductivity does not drop sharply compared with the solution 18 during the cooling process.
【００２５】その後、成長炉から液相エピタキシャル成
長装置を取りだし、液相エピタキシャル成長装置を各パ
ーツに分解して半導体基板及び溶液を取り出す。Thereafter, the liquid phase epitaxial growth apparatus is taken out of the growth furnace, and the liquid phase epitaxial growth apparatus is disassembled into parts, and the semiconductor substrate and the solution are taken out.
【００２６】従来例に示したエピタキシャル成長法で
は、基板の中央部のエピタキシャル成長層にくらべ、周
辺部のエピタキシャル成長層は平均２０％程度厚かった
が、上述の方法によってエピタキシャル成長を行った結
果、５％程度に抑えることができた。In the epitaxial growth method shown in the conventional example, the thickness of the epitaxial growth layer in the peripheral portion is about 20% thicker than the thickness of the epitaxial growth layer in the central portion of the substrate. Could be suppressed.
【００２７】シャッター１９の周りが溶液１８ｂによっ
て満たされており、冷却過程におけるシャッター１９と
溶液との温度差は少なくなるので、シャッター１９内の
溶液の温度分布が均一に近付くので、半導体基板上に均
一なエピタキシャル層が形成することができる。The periphery of the shutter 19 is filled with the solution 18b, and the temperature difference between the shutter 19 and the solution in the cooling process is reduced, so that the temperature distribution of the solution in the shutter 19 approaches uniformity. A uniform epitaxial layer can be formed.
【００２８】また、エピタキシャル成長に使用される溶
液はシャッター内の溶液に限られ、基板の外周方向から
の溶質の補給がなくなるので、基板の周辺部が中央部よ
りも多く成長することを防止でき、均一なエピタキシャ
ル層を形成することができる。Further, the solution used for epitaxial growth is limited to the solution in the shutter, and solutes are not supplied from the outer peripheral direction of the substrate. Therefore, it is possible to prevent the peripheral portion of the substrate from growing more than the central portion. A uniform epitaxial layer can be formed.
【００２９】[0029]
【発明の効果】本発明の請求項１記載の液相エピタキシ
ャル成長装置によれば、半導体材料を溶融した溶液中で
半導体基板上に結晶を成長させる液相エピタキシャル成
長装置であって、半導体基板近傍の溶液を周りの溶液か
ら隔離するための遮蔽部材を有することにより、半導体
基板の周辺部が中央部よりも多く成長することを防止で
き、半導体基板上に均一なエピタキシャル層を形成する
ことができる。According to the liquid phase epitaxial growth apparatus according to the first aspect of the present invention, there is provided a liquid phase epitaxial growth apparatus for growing a crystal on a semiconductor substrate in a solution in which a semiconductor material is melted. Having a shielding member for isolating the semiconductor substrate from the surrounding solution can prevent the peripheral portion of the semiconductor substrate from growing more than the central portion, and can form a uniform epitaxial layer on the semiconductor substrate.
【００３０】また、本発明の請求項２記載の液相エピタ
キシャル成長装置によれば、エピタキシャル成長すると
きには前記遮蔽部材の外側が溶液に接していることを特
徴とするものであり、外側の溶液が遮蔽部材からの放熱
を防ぐため、遮蔽部材と半導体基板近傍の溶液との温度
差が少なくなり、半導体基板上に均一なエピタキシャル
層を形成することができる。Further, according to the liquid phase epitaxial growth apparatus of the second aspect of the present invention, the outside of the shielding member is in contact with the solution during epitaxial growth, and the outer solution is the shielding member. In order to prevent heat radiation from the semiconductor substrate, the temperature difference between the shielding member and the solution near the semiconductor substrate is reduced, and a uniform epitaxial layer can be formed on the semiconductor substrate.
【００３１】また、本発明の請求項３記載の液相エピタ
キシャル成長方法によれば、半導体材料を溶融した溶液
中で半導体基板上に結晶を成長させる液相エピタキシャ
ル成長方法であって、溶液中に半導体基板を浸した後、
半導体基板近傍の溶液を半導体基板とともに隔離すると
ともに、その他の溶液を遮蔽部材の周りに配置して冷却
を行い、前記半導体基板上に結晶を成長させることによ
り、半導体基板上に均一なエピタキシャル層を形成する
ことができる。According to a third aspect of the present invention, there is provided a liquid phase epitaxial growth method for growing a crystal on a semiconductor substrate in a solution in which a semiconductor material is melted. After soaking,
While isolating the solution near the semiconductor substrate together with the semiconductor substrate, arranging other solutions around the shielding member to perform cooling, and growing crystals on the semiconductor substrate, a uniform epitaxial layer is formed on the semiconductor substrate. Can be formed.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明の一実施の形態である液相エピタキシャ
ル成長装置を示す略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a liquid phase epitaxial growth apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態である液相エピタキシャ
ル成長装置よるエピタキシャル成長の工程を示す略断面
図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a step of epitaxial growth by a liquid phase epitaxial growth apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図３】液相エピタキシャル成長装置の温度制御を示す
グラフである。FIG. 3 is a graph showing temperature control of the liquid phase epitaxial growth apparatus.
【図４】従来例の液相エピタキシャル成長装置および成
長工程を示す略断面図である。FIG. 4 is a schematic sectional view showing a conventional liquid phase epitaxial growth apparatus and a growth process.
１０ 液相エピタキシャル成長装置 １１ 筐体 １２ 仕切板 １２ａ （仕切板の）開口部 １３ 格納室 １４ 溶液漕 １５ 連接棒 １６ 基板ホルダ １６ａ、１６ｂ （基板ホルダの）壁部 １７ 半導体基板 １８ 溶液 １８ａ （シャッターの内側の）溶液 １８ｂ （シャッターの外側の）溶液 １９ シャッター ２０ 連接棒 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Liquid-phase epitaxial growth apparatus 11 Housing 12 Partition plate 12a Opening (of partition plate) 13 Storage room 14 Solution tank 15 Connecting rod 16 Substrate holder 16a, 16b Wall of substrate holder 17 Semiconductor substrate 18 Solution 18a (of shutter) Solution 18b (inside) Solution 19 (outside shutter) 19 Shutter 20 Connecting rod
Claims (3)
板上に結晶を成長させる液相エピタキシャル成長装置に
おいて、半導体基板近傍の溶液をその周りの溶液から隔
離するための遮蔽部材を有することを特徴とする液相エ
ピタキシャル成長装置。1. A liquid phase epitaxial growth apparatus for growing a crystal on a semiconductor substrate in a solution in which a semiconductor material is melted, comprising a shielding member for isolating a solution near the semiconductor substrate from a solution around the semiconductor substrate. Liquid phase epitaxial growth equipment.
装置であって、エピタキシャル成長するときには前記遮
蔽部材の外側が溶液に接していることを特徴とする液相
エピタキシャル成長装置。2. The liquid phase epitaxial growth apparatus according to claim 1, wherein the outside of said shielding member is in contact with a solution during epitaxial growth.
板上に結晶を成長させる液相エピタキシャル成長方法で
あって、溶液中に半導体基板を浸した後、半導体基板近
傍の溶液を半導体基板とともに隔離するとともに、その
他の溶液を遮蔽部材の周りに配置して冷却を行い、前記
半導体基板上に結晶を成長させることを特徴とする液相
エピタキシャル成長方法。3. A liquid phase epitaxial growth method for growing a crystal on a semiconductor substrate in a solution in which a semiconductor material is melted, wherein the solution near the semiconductor substrate is isolated together with the semiconductor substrate after the semiconductor substrate is immersed in the solution. And a liquid phase epitaxial growth method comprising arranging another solution around the shielding member and performing cooling to grow a crystal on the semiconductor substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23362397A JPH1179884A (en) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | Liquid phase epitaxial growth apparatus and growing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23362397A JPH1179884A (en) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | Liquid phase epitaxial growth apparatus and growing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1179884A true JPH1179884A (en) | 1999-03-23 |
Family
ID=16957956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23362397A Pending JPH1179884A (en) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | Liquid phase epitaxial growth apparatus and growing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1179884A (en) |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP23362397A patent/JPH1179884A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8492774B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing a SiC single crystal film | |
| US3632431A (en) | Method of crystallizing a binary semiconductor compound | |
| US3665888A (en) | Horizontal liquid phase crystal growth apparatus | |
| KR20200010711A (en) | Apparatus for growing silicon carbide single cryatal and method for growing silicon carbide single cryatal | |
| US4904336A (en) | Method of manufacturing a single crystal of compound semiconductor and apparatus for the same | |
| CN114574944A (en) | Silicon carbide single crystal liquid phase growth device and method | |
| US6206012B1 (en) | Method of avoiding wall particle contamination in depositing films | |
| JP2008239480A (en) | Semiconductor crystal | |
| EP3026146A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SiC SUBSTRATES | |
| JPH1179884A (en) | Liquid phase epitaxial growth apparatus and growing method | |
| US3697330A (en) | Liquid epitaxy method and apparatus | |
| US20210230768A2 (en) | Method for producing silicon carbide single crystal | |
| US3804060A (en) | Liquid epitaxy apparatus | |
| US4201623A (en) | Method for making epitaxial silicon crystals with uniform doping levels | |
| JP2002274995A (en) | Method of manufacturing silicon carbide single crystal ingot | |
| RU2054495C1 (en) | Gallium arsenide monocrystal growing method for manufacturing integrated circuit substrates | |
| US5340553A (en) | Method of removing oxygen from a controlled atmosphere | |
| JPS6090897A (en) | Method and apparatus for manufacturing compound semiconductor single crystal | |
| WO2020241578A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL INGOT | |
| JP2000026190A (en) | Equipment for growing compound single crystal and method for growing compound single crystal, using the same | |
| JPS62119198A (en) | Device for rotating and pulling up single crystal provided with magnetic field impressing device | |
| KR20210004468A (en) | Single crystal growth device and single crystal growth method of using the same | |
| JP3214133B2 (en) | Epitaxial growth apparatus and epitaxial growth method | |
| JPS6131385A (en) | Liquid phase epitaxial growth process | |
| JPS61280613A (en) | Liquid epitaxial growing process |