JPH1174299A - バンプ形成装置およびバンプ形成方法 - Google Patents

バンプ形成装置およびバンプ形成方法

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JPH1174299A
JPH1174299A JP9232010A JP23201097A JPH1174299A JP H1174299 A JPH1174299 A JP H1174299A JP 9232010 A JP9232010 A JP 9232010A JP 23201097 A JP23201097 A JP 23201097A JP H1174299 A JPH1174299 A JP H1174299A
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JP
Japan
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metal
wire
bump
metal plate
thin
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JP9232010A
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Hirotaka Kobayashi
寛隆 小林
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Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的簡単な方法、比較的単純な装置を用い
て、常温で比較的小さな体積のバンプを形成することが
でき、かつバンプ形成のタクト時間を短くして生産性を
向上することのできるバンプ形成装置およびバンプ形成
方法の実現を課題とする。 【解決手段】 超音波ウェッジボンディング法を用いて
バンプを形成する場合に、ウェッジツール１１の一部に
ワイヤ１３の接合部のワイヤ供給側にくびれを作る突起
１５を設けるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ形成装置お
よびバンプ形成方法に関し、特に半導体装置の電極と基
板とに設けられて両者を接続するバンプの形成装置およ
びこのようなバンプの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の多極化に伴い、チップとリ
ードフレームを接続する方法として従来のワイヤボンデ
ィング方式に代えて、ワイヤレスボンディング方式が用
いられるようになってきている。ワイヤレスボンディン
グ方式の例えばフリップチップ方式は、通常、チップ表
面にはんだバンプを形成し、チップを裏返して基板に位
置合わせした後、はんだを溶かして一度に接続する方法
を採っている。このようにすると接点を平面状に設ける
ことができ、多数の入出力をチップに設けることができ
る。
【０００３】ところで、チップ上のＡｌパッド上もしく
は基板の電極上にダンプを設ける従来の方法をとして次
のようなものがある。まず、メッキやエッチングによる
方法がある。この方法は処理が複雑であってそのため処
理設備が高価格になるという欠点がある。特にチップサ
イズが大きく、バンプ数が少ない場合に特に高価にな
る。また、転写方式とよばれる方式は、バンプ形成用の
基板にリードに位置合わせしたバンプを予め形成してお
き、加圧、加熱してこのバンプをリード上に転写し、次
に転写したバンプとチップ上の電極とを位置合わせして
加圧、加熱してバンプと電極を接続する方法である。し
かし、この方法は、電極数が増えると位置合わせが困難
になるという問題がある。
【０００４】これらの問題を解決する方法として、ワイ
ヤボンディング方式に用いられるボンディング装置を用
いる方法がある。このような方式にはネイルヘッドボン
ディング法（ボールワイヤボンディング法）とウェッジ
ボンディング法の２種類の方法がある。ネイルヘッドボ
ンディング法は、さらに熱圧着法と、超音波併用熱圧着
法に分類される。
【０００５】ネイルヘッドボンディング法はキャピラリ
と呼ばれるツールを用い、キャピラリに通されたワイヤ
の先端を溶融してボールを形成する。そうして、このボ
ールをチップの電極上に加熱圧着して接続し、ボールの
接続後ワイヤを引っ張ってボール直上でワイヤを切断し
てバンプを形成する。最初は加熱圧着時に熱と荷重のみ
を付加していたが、今では、高温でのチップの特性や接
合部の信頼性から、接合時に超音波を付加し、加熱温度
を低くすることができる超音波併用熱圧着法が主流にな
っている。この方法によると、バンプ直上には髭が発生
するためバンプ高さにばらつきが生じる。また、ボール
は後に金属ワイヤを溶融して形成するため、バンプ体積
にむらが生じる。さらに、酸化しやすい金属ワイヤを用
いる場合はボール形成を還元ガス中で行なう必要がある
が、この場合ガスの流れの影響によりさらに体積がばら
つく。また、金属ワイヤに特に酸化しやすい材料を含ん
でいる場合、還元ガス中でもボール表面に酸化物が形成
され接合強度の低下が起きる。そして、この溶融にはキ
ヤビラリーを放電トーチより高くして放電する必要があ
るためバンプ形成タクトは最低８０ｍｓ程度かかる。
【０００６】半田ワイヤを用いて先のようにバンプを形
成しようとすると、ボール形成時に還元ガス（例えばＨ
2 １０％、Ａｒ９０％のものなど）中で行なう必要があ
り、爆発の危険もあって安全再に問題があり、またワイ
ヤの強度からワイヤ直径が４０μｍ以上のものが必要に
なる。このためボールサイズも大きくなるため、１００
μｍ以下のボールバンプを作製することができない。ま
たボール形成後、電極接合までにボール温度が下がらな
いとボールの潰れ方にむらが生じるため、ボール冷却時
間がある程度必要であり、結果的にバンプ形成タクトが
最低１５０ｍｓ程度かかってしまう。また、半田ボール
が柔らかいためキヤビラリーのワイヤ貫通穴に詰まる場
合が有りこの場合はキヤビラリー交換が必要となる。
【０００７】一方、ウェッジボンディング法あるいは超
音波法とも呼ばれる方法がある。これはワイヤをウェッ
ジツールと呼ばれるツールでチップ上の電極およびリー
ドに、超音波を加えながら圧着する方法である。図１２
に、ウェッジボンディング法によってバンプ形成を行う
方法を示した。また図１３に、ウェッジボンディング法
に用いられるウェッジツールの先端部とワイヤの変形の
様子を示す。図１２および図１３で１１はウェッジツー
ル、１２はウェッジツールの圧着面、１３はワイヤ、１
４はワイヤ挿入穴、１６は電極パッドである。また２１
はワイヤ１３を保持するクランプである。
【０００８】図１２に沿ってウェッジボンディング法に
よるバンプ形成方法を説明する。まず、図１２（ａ）の
ようにクランプ２１はワイヤ１３をウェッジツール１１
の後方からワイヤ挿入穴に斜めに挿入し、ワイヤ１３の
先端がウェッジツール１１の下部に構成された圧着面１
２に達する位置までワイヤ１３を送り出す。
【０００９】次に、図１２（ｂ）に示すようにウェッジ
ツール１１を下降させ、圧着面１２によりワイヤ１３の
先端部を電極１６に押し付けてウェッジツール１１に設
けられている図示しない超音波振動源によってウェッジ
ツール１１を介してワイヤ１３に超音波振動を与えるな
がら圧着する。クランプ２１はウェッジツール１１の下
降に合わせて下降し、ウェッジツール１１がワイヤ１３
に超音波振動を与えている間は開いて後方に移動する。
【００１０】次に超音波振動の付与が終了すると、図１
２（ｃ）に示すようにクランプ２１を閉じ、さらに後方
に移動してワイヤ１３を切断する。次に、図１２（ｄ）
に示すようにウェッジツール１１とクランプ２１を上昇
させ、次の位置に動かす。クランプ２１は閉じたままで
前方へ進むことでワイヤ１３をウェッジツール１１下に
送り出す。
【００１１】このようなウェッジツール圧着面１２でワ
イヤ１３を加圧し、超音波振動を与えて接合する方法
は、常温で接合可能であり、溶融形成が特に必要でない
ため溶融時酸化しやすい材料が使用でき、ボール形成が
ないため、ネイルヘッドボンディング法よりもより速く
バンプ形成ができ、バンプ高さをより低く、高さばらつ
きをより少なく形成することができ、また、バンプ上面
を平らに形成できるので、電極の微細ピッチ化に適した
向いていることなどが特徴である。この時、場合によっ
ては接合性を向上させるために、１００〜３００°Ｃ程
度に加熱してバンプ形状を整えることもある。
【００１２】しかし、従来のワイヤボンディング方式に
用いられるウェッジツールなどを用いた場合では、操作
が複雑でバンプ形成に時間がかかるという問題があっ
た。例えば、従来ではクランプがワイヤをウェッジツー
ルに送り出す場合は、図１４に一例を示すような複雑な
動きを行っていた。図１４のワイヤ１３を後に動かす場
合では、図１４（ａ）から図１４（ｂ）のようにクラン
プ２１は閉じてワイヤ１３をくわえた状態で後方に動
き、次に図１４（ｃ）のように開いて前方へ動き、次に
図１４（ｄ）のように再び閉じてワイヤ１３をくわえて
後方に動くといった動作をウェッジツール１１に対する
相対位置を保ちながら行っていた。また、ワイヤ１３を
前に動かす場合はこの逆の動作を行う。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、ワイヤ
ボンディングの手法を用いてバンプを形成する場合、ネ
イルヘッドボンディング法では、ボールの溶融形成が必
要なため高温が必要であり、溶融時酸化しやすい材料が
使用できない、バンプ大きさにばらつきが生じ易い、電
極の微細ピッチ化に適していないなどの問題があった。
また、従来のウェッジボンディング法では、クランプと
ウェッジツールとが相対的な位置を保ちながら相互に移
動し、それに合わせてクランプが開閉を行うなど複雑な
動作が必要であった。
【００１４】本発明はこれらの問題を解決して、比較的
簡単な方法、比較的単純な装置を用いて、常温で比較的
小さな体積のバンプを形成することができ、かつバンプ
形成のタクト時間を短くして生産性を向上することので
きるバンプ形成装置およびバンプ形成方法の実現を課題
とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、金属細線を金属膜または金属板上に押し
付ける押圧面と、この押圧面に超音波振動を励起する超
音波振動励起手段を有し、前記押圧面から前記金属細線
に超音波振動を加えることによって前記金属膜または金
属板と前記金属細線とを接合する接合手段と、この接合
手段に前記金属細線を供給する供給手段とを具備し、前
記接合手段による前記金属膜または金属板と前記金属細
線との接合後に前記金属細線を接合部から分離すること
により金属バンプを形成するバンプ形成装置において、
前記接合手段の一部に前記金属細線の接合部の前記供給
手段側にくびれを作る突起部を設けたことを特徴とす
る。
【００１６】金属細線を金属膜または金属板上に押し付
け、前記金属細線に超音波振動を加えて前記金属膜また
は金属板と前記金属細線とを接合し、この接合後に前記
金属細線を接合部から分離することにより金属バンプを
形成するバンプ形成方法において、前記金属細線を接合
部から分離するに先だって前記金属細線にくびれを形成
し分離を容易にすることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる金属バンプ
形成装置と金属バンプ形成方法を添付図面を参照にして
詳細に説明する。本発明の第１の実施の形態として従来
のワイヤボンディング用のＡｌ配線用のウェッジボンダ
を用いて、はんだバンプを形成する方法を述べる。ウェ
ッジボンダで第１ボンド地点と第２ボンド地点とを同一
の位置に設定し、Ｓｉチップ上の電極パッドに５０μｍ
径のはんだワイヤを接合する。Ｓｉチップ上の電極パッ
ドは下から１μｍ程度の厚みのＡｌ、０．５μｍ程度の
厚みのＮｉおよびＡｕのフラッシュを重ねたものであ
る。
【００１８】接合の条件は、第１ボンドで、超音波の周
波数が６０ｋＨｚ〜２００ｋＨｚ、超音波出力が１ｍＷ
〜５０ｍＷ、超音波発振持続時間が１０ｍｓｅｃ〜５０
ｍｓｅｃ、荷重が２０ｇｆ〜５０ｇｆである。また第２
ボンドの際は荷重３０ｇｆを掛けるのみで超音波は印加
しない。最後にリフローを行ってはんだボールを形成す
る。
【００１９】この方法では最終的に５０μｍ径のはんだ
ワイヤで約６０μｍ径程度の小はんだボールを形成する
ことができる。また、現在使用可能なはんだワイヤの最
も細い物は３０μｍ径のはんだワイヤであり、これによ
り３５μｍ径程度の小はんだボールを形成することがで
きる。このように比較的太いはんだワイヤを用いて小さ
な径のはんだバンプが形成できるので、それだけ限られ
た面積に電極数を多く設けることができる。この方法で
は、また、接合時に還元ガス等を用いないため、安全性
が高まり、またコストを押さえることができる。
【００２０】次に、本発明の第２の実施の形態として金
属バンプ形成装置について説明する。図１に本発明の第
２の実施の形態のウェッジツールの先端部を示した。図
１で１１はウェッジツールの先端部、１２はウェッジツ
ールの圧着面、１３はワイヤ、１４はワイヤ挿入穴、１
５は突起部、１６は電極パッドである。図１に示すよう
にウェッジボンダのウェッジツールの先端１１の圧着面
１２の後方のワイヤ１３の繰出し部の近くに突起部１５
を作り、第１の実施の形態の場合と同様に第１ボンドを
行い、必要あれば同位置に第２ボンドも行ってはんだバ
ンプを形成する。
【００２１】この方法によると、ワイヤの後部が突起部
１５で押し潰されて切断されやすくなるので、クランプ
の後方への移動でワイヤ１３を容易に引きちぎることが
できる。また、クランプを移動させなくても、ウェッジ
ツール自身を圧着状態のまま図の右側に移動させること
でもワイヤの切断が可能になる。
【００２２】この時のウェッジツールとクランプの動作
を図２に示す。まず図２（ａ）から図２（ｂ）のよう
に、ウェッジツール１１は斜め後方に下がりながら、ワ
イヤ１３を電極パッド１６に押し付ける。その後、図２
（ｂ）の状態で超音波が発振されワイヤ１３は接合され
る。クランプ２１は、この時、開いた状態で後方に動
く。
【００２３】超音波発振が終了時には、図２（ｃ）のよ
うに、クランプ２１が閉まり、ウェッジツール１１とク
ランプ２１は同時にワイヤ１３の長さ方向後方に動いて
ワイヤ１３を切断する。もちろん、クランプ２１をさら
に後方に動かしてもいい。ウェッジツール１１とワイヤ
１３との分離が悪い時はさらに超音波を加えると分離し
やすくなることがある。続いて、図２（ｄ）のように、
ウェッジツール１１を上方に動かし、次の接合点に移動
する。クランプ２１は閉じたまま前方に動き、ワイヤ１
３が繰り出され、次のパッド形成に移る。
【００２４】このようにすると、クランプ２１を複雑に
前後へ移動させなくてもワイヤ１３を切断することが可
能で、またワイヤ先端の位置決めも容易になる。したが
って、クランプ２１の前後の動きは、ワイヤ１３を前方
に押し出すためだけの動きとなって、通常のウェッジボ
ンダでの操作よりもシンプルな動きになる。したがっ
て、クランプ２１の開閉と動きが単純なため、タクト時
間の短縮が望める。クランプ２１の開閉には比較的簡単
なソレノイドコイルを用いることも可能である。
【００２５】次に、本発明の第３の実施の形態である金
属バンプ形成装置について説明する。図３に、本発明の
第３の実施の形態のウェッジツールの先端部を示す。図
３で１１はウェッジツール、１２はウェッジツールの圧
着面、１３はワイヤ、１４はワイヤ挿入穴、１５は突起
部、１６は電極パッドである。
【００２６】図３、図４はこのウェッジツールの先端部
１１の動作を示す。図３に示すように、ウェッジツール
１１の圧着面１２の先端部分に突起部１５を作り、この
突起部１５の後方の圧着面１２で、はんだワイヤ１３を
接合した後、図４のようにウェッジツール１１を動かし
て接合部とワイヤ１３の間に突起部１５を押し込み、ク
ランプ２１を閉じてからクランプ２１を後方に動かす
と、突起部１５で押さえられたところからワイヤ１３が
切断されて金属バンプが形成される。
【００２７】この時のウェッジツール１１とクランプ２
１の動作を図５に示す。まず図５（ａ）から図５（ｂ）
のように、ウェッジツール１１は斜め後方に下がりなが
ら、ワイヤ１３をパッド１６に押し付ける。その後、図
５（ｂ）の状態で超音波が発振されワイヤ１３はパッド
１６に接合される。クランプ２１は、この時、開いた状
態で後方に動く。
【００２８】超音波発振が終了後、図５（ｃ）のよう
に、クランプ２１を開いたままで、ウェッジツール１１
をその突起部１５が接合部とワイヤ１３の境界にくるよ
うに移動させ、突起部１５でワイヤ１３を押さえた後、
図５（ｄ）のように、クランプ２１を閉じてワイヤ１３
の長さ方向後方に動いてワイヤ１３を切断する。
【００２９】この方法では、ワイヤ１３を圧着面１２で
押さえながらクランプ２１を動かす必要はなく、クラン
プ２１をウェッジツール１１に対して動かして相対位置
を変えなくてもワイヤ１３の切断ができるため、クラン
プ２１をホーンと一緒に移動させて良く、したがって別
々の駆動装置を設ける必要がなくなって、装置の単純化
が可能であり、処理の高速操作が可能になる。
【００３０】以上に述べた金属バンプ形成の方法や金属
バンプ形成装置を用いて、半導体装置チップを基板に接
続する方法を述べる。まず、本発明の第１の実施の形態
にしたがってチップ上のＡｌ−Ｎｉ−Ａｕの電極パッド
にはんだバンプを形成する。つぎにこのはんだバンプに
フラックスをディスペンサ等で供給した後、チップをリ
フロー炉にいれてはんだバンプをとかし半球状のはんだ
バンプを形成する。図６はこのようにして形成された半
球状のはんだバンプの断面構造を示す断面図である。一
方同様に基板上の電極パッドにも、はんだバンプを形成
し、リフロー炉にいれて半球状のはんだバンプにする。
このように、リフロー炉にいれて半球状のはんだバンプ
を形成すると、 １）バンプの表面が活性化し接合しやすくなる。 ２）電極と金属バンプとがより十分に接合する。 ３）半球状化によりバンプの形状をより幅狭く、より高
さを高くすることができ、チップと基板間にブリッジが
生じにくくなり、チップと基板間の間隔をより広く取
れ、作業性が向上するなどのメリットがある。
【００３１】次に、チップ上のはんだバンプと基板上の
はんだバンプにフラックスを供給した後、位置合わせを
行って突き合わせ、リフロー炉にいれてはんだバンプを
溶かして一度に接続する。チップ、基板を単体でリフロ
ー炉にいれることをやめて、突き合わせてリフロー炉に
いれるだけでもいい。これにより比較的狭い範囲に多数
の接点を設けることができ、チップから基板上に多数の
Ｉ／Ｏを入出力することが可能になる。
【００３２】図７、図８および図９は、本発明の第２ま
たは第３の実施の形態が用いられる金属バンプ形成装置
の一実施例の構成要素の各部を示す略図である。図７
は、クランプ支持部で、２１はクランプ、２２はクラン
プ支点、２３はクランプの開閉を行うソレノイドコイ
ル、２４はクランプを前後に動かすための第１のサーボ
モータ、２５は第１のアームである。
【００３３】図８は、ウェッジツール支持部で、１１は
ウェッジツール、１７は超音波をウェッジツール１１に
伝える円筒形のホーン、１８は超音波発振器との連結コ
イルである。
【００３４】図９は、ウェッジツール駆動部であり、図
９（ａ）はその側面図、図９（ｂ）はそのクランプ支点
側からみた正面図である。３１はクランプ支点、３２は
第２のアーム、３３はホーン支持部、３４はホーン１７
とそれにともなってウェッジツール１１を上下させるた
めの第２のサーボモータ、３５をホーン１７を嵌入する
ための嵌入穴である。
【００３５】これら各部を組上げて、図１０に示すよう
に金属バンプ形成装置は合成される。本発明の金属バン
プ形成装置ではクランプの前後の動きが比較的小さいの
で、図１０に示すように装置は従来のものに比べて構成
が単純であり、それだけ廉価に構成することができる。
【００３６】図１１に、クランプ２１とソレノイドコイ
ル２３との一構成例を示す。図１１ではクランプ２１は
通常、スプリング２７によって押し広げられている。ソ
レノイドコイル２３に通電されると、クランプ２１はス
プリング２７に抗して閉じてワイヤを保持する構成であ
る。従来の方法に比してクランプの開閉を繰り返す頻度
が比較的少ないため、クランプの開閉構造はこのような
簡単な構成でも十分である。
【００３７】以上の説明では、使用するワイヤをはんだ
ワイヤとして説明したが、５００°Ｃ以下の温度で溶融
するようなＰｂ−Ｓｎ合金、Ａｇ−Ｓｎ合金、Ａｇ、Ｓ
ｎ、Ｚｎ、Ｉｎの合金、Ｐｂ−Ｓｎ＋αの合金を同様に
用いることができる。これらの金属素材のワイヤを用い
た場合、リフロー炉にいれて半球状のバンプを形成する
ことが可能である。また、リフロー炉にいれて半球状の
バンプに形成することはできないが、Ａｇ、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｓｎおよびこれらの合金からな
る金属ワイヤをも同様に用いることができる。また以上
の説明でワイヤを使用するように説明したが連続した金
属板、金属箔を同様に用いることも可能である。これに
より、半導体素子の電極とインナーリードの接続の場合
など、種々の目的、用途に本発明のバンプ形成の方法を
用いることができる。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項１の
発明は、超音波ウェッジボンディング法を用いたバンプ
形成装置で、ウェッジツールの一部にワイヤまたは第１
の金属板の接合部のワイヤまたは金属板供給側にくびれ
を作る突起を設けるようにした。これを用いて、ワイヤ
または第１の金属板にくびれを作ると切断位置が安定
し、比較的簡単な方法で容易に比較的小さな体積のバン
プを形成することができ、かつバンプ形成のタクト時間
を短くして生産性を向上することができる。
【００３９】本発明の請求項２および請求項３の発明
は、この突起をウェッジツールの押圧面の前後に設ける
ようにした。これにより、比較的単純で小さな動きによ
ってワイヤまたは第１の金属板にくびれを作ることがで
き、バンプ形成のタクト時間を短くして生産性を向上す
ることができる。
【００４０】本発明の請求項４および請求項６の発明
は、超音波ウェッジボンディング法を用いたバンプ形成
装置で、５００°以下で溶融する金属または合金を素材
としたワイヤまたは第１の金属板を用いるようにし、請
求項７の発明ではこのような金属バンプを形成後に高温
炉内で加熱溶融してバンプ形状を半球状もしくは球状に
するようにした。これにより、このバンプ形成の方法を
半導体素子のワイヤまたは金属板レスボンディングに利
用することができる。さらに、加工が容易で、リフロー
炉で暖めることによりバンプ形状を半球または球状に形
成することができ、バンプ幅をより狭く、バンプ高さを
より高くすることができ、作業性を向上することができ
る。
【００４１】また、本発明の請求項５の発明は、超音波
ウェッジボンディング法を用いたバンプ形成装置で、ワ
イヤまたは第１の金属板にくびれを形成し分離を容易に
するようにした。したがって、比較的簡単な方法で容易
に比較的小さな体積のバンプを形成することができ、か
つバンプ形成のタクト時間を短くして生産性を向上する
ことができる。
【００４２】本発明の請求項６の発明は、ワイヤまたは
金属板の素材をＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｐｄ、
Ｓｎおよびこれらの合金とした。これにより、種々の目
的用途にこのバンプ形成の方法を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態のウェッジツールの先端
部を示す側面図。
【図２】図１の実施の形態のウェッジツールとクランプ
の動作を示す説明図。
【図３】本発明の他の実施の形態のウェッジツールの先
端部を示す側面図。
【図４】図３に示す実施の形態のウェッジツールの先端
部の動きを示す説明図。
【図５】図３に示す実施の形態のウェッジツールとクラ
ンプの動作を示す説明図。
【図６】本発明の実施の形態によって作られる半球状の
はんだバンプの断面構造を示す断面図。
【図７】本発明の実施の形態が用いられる金属バンプ形
成装置のクランプ支持部を示す略図。
【図８】本発明の実施の形態が用いられる金属バンプ形
成装置のウェッジツール支持部を示す略図。
【図９】本発明の実施の形態が用いられる金属バンプ形
成装置のウェッジツール駆動部を示す略図。
【図１０】本発明の実施の形態が用いられる金属バンプ
形成装置の構成図。
【図１１】本発明の実施の形態が用いられる金属バンプ
形成装置のクランプとソレノイドコイルとの構成図。
【図１２】ウェッジボンディング法によりバンプ形成を
行う従来の方法を示す説明図。
【図１３】従来のウェッジツールの先端部とワイヤの変
形の様子を示す説明図。
【図１４】従来の方法でクランプがワイヤをウェッジツ
ールに送り出す場合の動作を示す説明図。
【符号の説明】
１１…ウェッジツール、１２…ウェッジツールの圧着
面、１３…ワイヤ、１４…ワイヤ挿入穴、１５…突起
部、１６…電極パッド、１７…ホーン、１８…連結コイ
ル、２１…クランプ、２２…クランプ支点、２３…ソレ
ノイドコイル、２４…第１のサーボモータ、２５…第１
のアーム、３１…クランプ支点、３２…第２のアーム、
３３…ホーン支持部、３４…第２のサーボモータ、３５
…嵌入穴。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４Ｚ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属細線または第１の金属板を金属膜ま
    たは第２の金属板上に押し付ける押圧面と、この押圧面
    に超音波振動を励起する超音波振動励起手段を有し、前
    記押圧面から前記金属細線または第１の金属板に超音波
    振動を加えることによって前記金属膜または第２の金属
    板と前記金属細線または第１の金属板とを接合する接合
    手段と、この接合手段に前記金属細線または第１の金属
    板を供給する供給手段とを具備し、 前記接合手段による前記金属膜または第２の金属板と前
    記金属細線または第１の金属板との接合後に前記金属細
    線または第１の金属板を接合部から分離することにより
    金属バンプを形成するバンプ形成装置において、 前記接合手段の一部に前記金属細線または第１の金属板
    の接合部の前記供給手段側にくびれを作る突起部を設け
    たことを特徴とするバンプ形成装置。
  2. 【請求項２】 前記突起部は前記押圧面の前記供給手段
    側に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の
    バンプ形成装置。
  3. 【請求項３】 前記突起部は前記押圧面の前記供給手段
    の反対側の先端に設けられていることを特徴とする請求
    項１に記載のバンプ形成装置。
  4. 【請求項４】 金属細線または第１の金属板を金属膜ま
    たは第２の金属板上に押し付け、前記金属細線または第
    １の金属板に超音波振動を加えて前記金属膜または第２
    の金属板と前記金属細線または第１の金属板とを接合
    し、この接合後に前記金属細線または第１の金属板を接
    合部から分離することにより金属バンプを形成するバン
    プ形成方法において、 前記金属細線または第１の金属板が５００°以下で溶融
    する金属または合金を素材として形成されたものである
    ことを特徴とするバンプ形成方法。
  5. 【請求項５】 金属細線または第１の金属板を金属膜ま
    たは第２の金属板上に押し付け、前記金属細線または第
    １の金属板に超音波振動を加えて前記金属膜または第２
    の金属板と前記金属細線または第１の金属板とを接合
    し、この接合後に前記金属細線または第１の金属板を接
    合部から分離することにより金属バンプを形成するバン
    プ形成方法において、 前記金属細線または第１の金属板を接合部から分離する
    に先だって前記金属細線または第１の金属板にくびれを
    形成し分離を容易にすることを特徴とするバンプ形成方
    法。
  6. 【請求項６】 前記金属細線または第１の金属板の素材
    が５００°以下で溶融する金属または合金であることを
    特徴とする請求項５に記載のバンプ形成方法。
  7. 【請求項７】 金属バンプを形成後に高温炉内で加熱溶
    融してバンプ形状を半球状もしくは球状にすることを特
    徴とする請求項４または請求項６に記載のバンプ形成方
    法。
  8. 【請求項８】 前記金属細線の素材がＡｇ、Ａｌ、Ａ
    ｕ、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ｓｎおよびこれらの合金である
    ことを特徴とする請求項５に記載のバンプ形成方法。
JP9232010A 1997-08-28 1997-08-28 バンプ形成装置およびバンプ形成方法 Pending JPH1174299A (ja)

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