JPH116898A - X-ray catoptric system - Google Patents

X-ray catoptric system

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Publication number
JPH116898A
JPH116898A JP9161212A JP16121297A JPH116898A JP H116898 A JPH116898 A JP H116898A JP 9161212 A JP9161212 A JP 9161212A JP 16121297 A JP16121297 A JP 16121297A JP H116898 A JPH116898 A JP H116898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
plane mirror
optical system
rays
intensity
Prior art date
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Pending
Application number
JP9161212A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Seiichi Itabashi
聖一 板橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP9161212A priority Critical patent/JPH116898A/en
Publication of JPH116898A publication Critical patent/JPH116898A/en
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Particle Accelerators (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable the irradiation of objects with highly intense and uniform X rays in a large area by composing an optical system of a plane mirror and a nonplanar mirror and using for the latter the one whose surface form is described by a polynomial expression including a cubic or higher term. SOLUTION: X rays 2 radiated from an X-ray source 1 are incident on a nonplanar mirror 3 at an incidence angle θ1 and are reflected in compliance with the law of regular reflection. Then, the X rays 2 are incident on a plane mirror 4 at an incidence angle θ2 (the same angle as the reflection angle), are regularly reflected by it and are projected on an irradiation surface 5. On this occasion, an X-ray optical system can be composed that combines both high intensity, the irradiation of a large area and the uniformity of high intensity by setting the geometry of the nonplanar mirror 3 described by a function where at least one term includes a term expressed by 1+n+n>=3 in a linear combination of x<1> , y<m> and z<n> when space coordinates are represented by x, y and z. Moreover, the use of the plane mirror 4 for one of the two mirrors can facilitate working and lower the price of it to realize the low price of the whole optical system.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、シンクロトロン放
射光(Synchrotron radiation :SR)等を利用するX
線リソグラフィにおいて、光源から放射されるX線を集
光あるいは拡大し、効率的に露光装置に投影するために
使用するX線反射光学系に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray detector using synchrotron radiation (SR) or the like.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray reflection optical system used in X-ray lithography to collect or expand X-rays emitted from a light source and efficiently project the X-rays on an exposure apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】X線リソグラフィは、X線を使用して超
LSIの微細パターンを形成するもので、X線の波長が
短いため可視光の波長より小さな0.1ミクロン以下の
超微細パターンまで転写することができる技術である。
X線リソグラフィには、X線を発生するX線源と、X線
を使用して微細パターンを転写するX線露光装置、更に
X線源から放射されるX線をX線露光装置に導入するX
線光学系が必要である。ただし、現在はまだレーザのよ
うに指向性が高いX線源がないため、線源から発散する
ようなX線源しか存在しない。したがって、X線露光装
置に強力なX線ビームを照射するためには発散するX線
を集光するX線光学系が不可欠である。特に、X線を反
射によって投影するX線反射光学系は、X線源とX線露
光装置とを効率的に結びつけるものである。
2. Description of the Related Art X-ray lithography uses an X-ray to form a fine pattern of an VLSI. Since the wavelength of the X-ray is short, it is possible to form a fine pattern of 0.1 μm or less smaller than the wavelength of visible light. It is a technology that can be transferred.
In X-ray lithography, an X-ray source that generates X-rays, an X-ray exposure apparatus that transfers a fine pattern using X-rays, and X-rays emitted from the X-ray source are introduced into the X-ray exposure apparatus. X
A line optical system is required. However, at present, there is no X-ray source having a high directivity such as a laser, so that only an X-ray source diverging from the source exists. Therefore, in order to irradiate an X-ray exposure apparatus with a powerful X-ray beam, an X-ray optical system for converging divergent X-rays is indispensable. In particular, an X-ray reflection optical system that projects X-rays by reflection efficiently connects an X-ray source and an X-ray exposure apparatus.

【0003】従来のX線反射光学系において、X線を集
光するX線反射鏡には、球面,円柱面,回転楕円面,楕
円柱,楕円錘,一葉双曲面,二葉双曲面,回転放物面,
楕円放物面,双曲放物面,異なる曲率の球面を組み合わ
せたトロイダル面等の形状が用いられてきた。これらの
面を記述する多項式は直交座標系でそれぞれ以下のよう
に表記される。球面は、(x−x0)2+(y−y0)2
+(z−z0)2=r02と記述され、その形状は図17
のようになり、半径r0がパラメータとなる。円柱面
は、x2+y2=r12 と記述され、その形状は図18の
ようになり、半径r1がパラメータとなる。回転楕円面
は、{(x−x0)2/a02}+{(y−y0)2/b
2}+{(z−z0)2/c02}=1と記述され、そ
の形状は図19のようになり、x軸,y軸,z軸方向の
半径a0,b0,c0がパラメータとなる。
In a conventional X-ray reflection optical system, an X-ray reflecting mirror for condensing X-rays includes a spherical surface, a cylindrical surface, a spheroidal surface, an elliptic cylinder, an elliptical cone, a one-leaf hyperboloid, a two-leaf hyperboloid, and a rotating radiator. Physical surface,
Shapes such as elliptic paraboloids, hyperbolic paraboloids, and toroidal surfaces combining spherical surfaces of different curvatures have been used. The polynomials describing these planes are expressed in the rectangular coordinate system as follows. The spherical surface is (x−x0) 2 + (y−y0) 2
+ (Z-z0) 2 = r0 2 and is described, the shape 17
The radius r0 is a parameter. The cylindrical surface is described as x 2 + y 2 = r1 2 , the shape is as shown in FIG. 18, and the radius r1 is a parameter. Spheroid is, {(x-x0) 2 / a0 2} + {(y-y0) 2 / b
0 2 } + {(z−z 0) 2 / c 0 2 } = 1 and the shape is as shown in FIG. 19, and radii a0, b0, c0 in the x-axis, y-axis, and z-axis directions are parameters and Become.

【0004】楕円柱面は、(x2/a12)+(y2/b
2)=1と記述され、その形状は図20のようにな
り、長軸と短軸の半径a1,b1がパラメータとなる。
楕円錐面は、(x2/a22)+(y2/b22)=(z2
/c22)と記述され、その形状は図21のようにな
り、a2,b2,c2がパラメータとなる。一葉双曲面
は、(x2/a32)+(y2/b32)−(z2/c32
=1と記述され、その形状は図22のようになり、a
3,b3,c3がパラメータとなる。二葉双曲面は、
(x2/a42)−(y2/b42)−(z2/c42)=1
と記述され、その形状は図23のようになり、a4,b
4,c4がパラメータとなる。楕円放物面は、(x2
a52)+(y2/b52)=z/c5と記述され、その
形状は図24のようになり、a5,b5,c5がパラメ
ータとなる。双曲放物面は、(x2/a62)−(y2
b62)=z/c6と記述され、その形状は図25のよ
うになり、a6,b6,c6がパラメータとなる。トロ
イダル面は、x2+y2={R2±(r22−z21/22
と記述され、その形状は図26のようになり、R2,r
2がパラメータとなる。
[0004] The elliptical cylinder surface is (x 2 / a 1 2 ) + (y 2 / b
1 2 ) = 1, the shape is as shown in FIG. 20, and the radii a1 and b1 of the long axis and the short axis are parameters.
The elliptical cone surface is (x 2 / a2 2 ) + (y 2 / b2 2 ) = (z 2
/ C2 2 ), and its shape is as shown in FIG. 21, and a2, b2, and c2 are parameters. Kazuha hyperboloid, (x 2 / a3 2) + (y 2 / b3 2) - (z 2 / c3 2)
= 1, and the shape is as shown in FIG.
3, b3 and c3 are parameters. Futaba hyperboloid is
(X 2 / a4 2) - (y 2 / b4 2) - (z 2 / c4 2) = 1
And its shape is as shown in FIG.
4 and c4 are parameters. The elliptic paraboloid is (x 2 /
a5 2 ) + (y 2 / b5 2 ) = z / c5, and the shape is as shown in FIG. 24, and a5, b5, and c5 are parameters. The hyperbolic paraboloid is (x 2 / a6 2 ) − (y 2 /
b6 2 ) = z / c6, the shape is as shown in FIG. 25, and a6, b6, and c6 are parameters. Toroidal surface, x 2 + y 2 = { R2 ± (r2 2 -z 2) 1/2} 2
And the shape is as shown in FIG.
2 is a parameter.

【0005】何れの方程式も対称軸を座標軸にとる限り
座標x,y,zに関して3次以上の項は含んでいない。
これらの曲面は単純なパラメータで記述できるため、そ
の光学的な特性を把握することが容易であり、かつ対称
性が高いため製作も容易であるため、これらの曲面を使
用した光学系が使用されている。また、特定の露光領域
にX線を効率的に集める目的で、これらの形状の反射鏡
を何枚か組み合わせたX線光学系も使用されている。最
近、半導体産業においてX線リソグラフィを超々LSI
製造工程に使用する試みがなされつつあり、産業的に成
り立つためには、露光効率の向上が必須となっている。
露光効率は露光する時のX線の強度が強く、1回の露光
あたりの露光面積が広いほど高くなる。さらに、露光す
る領域では露光の品質を保つため、領域内でのX線強度
は一定でなければならない。したがって、露光効率の向
上には大きな面積に強度が強く、強度の均一性が高いX
線ビーム形成が不可欠とされ、これを実現するX線光学
系の必要性が高まっている。
[0005] None of the equations include terms of the third or higher order with respect to the coordinates x, y and z as long as the symmetry axis is set as the coordinate axis.
Since these curved surfaces can be described with simple parameters, it is easy to grasp their optical characteristics, and since they are highly symmetrical and easy to manufacture, an optical system using these curved surfaces is used. ing. Further, in order to efficiently collect X-rays in a specific exposure area, an X-ray optical system in which several reflecting mirrors having these shapes are combined is also used. Recently, X-ray lithography has been used in the semiconductor industry
Attempts are being made to use it in the manufacturing process, and it is essential to improve the exposure efficiency in order to be industrially viable.
The exposure efficiency is higher as the intensity of X-rays at the time of exposure is higher and the exposure area per one exposure is wider. Furthermore, in order to maintain the quality of exposure in the region to be exposed, the X-ray intensity in the region must be constant. Therefore, in order to improve the exposure efficiency, the intensity is large over a large area, and the uniformity of the intensity is high.
X-ray beam forming is indispensable, and the necessity of an X-ray optical system for realizing this is increasing.

【0006】電磁波は、物質の表面がなめらかであれば
高い反射率で反射される。電磁波の内、波長が短いX線
を反射するためには、表面のなめらかさは凹凸が原子と
同じ大きさ程に小さいことが必要である。さらに、X線
を反射するためには、反射面と入射するX線が成す角度
を2度以下の低角度にすることで生じる全反射現象を利
用しなければならない。入射角が小さいため、表面の凹
凸だけでなく、平面度を良くすることが重要となる。現
在、高剛性のため変形せず、熱伝導性が高いため熱によ
る変形も無い材料を使用して、前記方程式群で形状が記
述できる形状を持ち、なお且つ表面が非常になめらかな
X線反射鏡の製造が進められている。
[0006] Electromagnetic waves are reflected at a high reflectance if the surface of the substance is smooth. In order to reflect X-rays having a short wavelength among electromagnetic waves, the smoothness of the surface needs to have asperities as small as atoms. Furthermore, in order to reflect X-rays, it is necessary to use a total reflection phenomenon that occurs when the angle between the reflecting surface and the incident X-rays is set to a low angle of 2 degrees or less. Since the incident angle is small, it is important to improve not only the unevenness of the surface but also the flatness. At present, using a material that does not deform due to high rigidity and does not deform due to heat because of its high thermal conductivity, it has a shape whose shape can be described by the above group of equations, and has a very smooth X-ray reflection surface. The manufacture of mirrors is in progress.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】現在X線リソグラフィ
用X線光学系で使用されている前述した球面等の曲面
は、数学的に少ないパラメータで記述され、表面に入射
する光線に対し、パラメータを変えることによって決定
される特定の性質を示す。また、2次以下の項で記述さ
れているため、表面の曲率に対応する偏微分を記述する
関数の次数が1次と低いことから、曲率は空間的に大き
く変動しない。このため加工が容易であり、実際に製作
されているものが多い。しかし、ある位置で特定の性質
を満たすようにパラメータを決めると、他の全領域の性
質が一意に決まってしまう。したがって、性質を変え得
る範囲は限定されてしまう。例えば、反射鏡の中心部の
反射角度を決めることで自動的に周辺部の曲率と形状が
決定されるため、中心部と周辺部で異なる特性を有する
自由な形状を利用することができない。これは表面を記
述する関数が含む項の次数が2次以下であることに対応
している。2次の多項式の偏微分は1次であり、原点で
の傾きが決まると全領域の傾きが決定されるため、周辺
部で独自に曲率を変えることはできない。
The above-mentioned curved surface such as a spherical surface currently used in the X-ray optical system for X-ray lithography is described with mathematically small parameters. Indicates a specific property determined by changing. Also, since the terms are described in terms of the second and lower orders, the order of the function that describes the partial differential corresponding to the curvature of the surface is as low as the first order, so that the curvature does not largely vary spatially. For this reason, processing is easy, and many are actually manufactured. However, if parameters are determined so as to satisfy a specific property at a certain position, the properties of all other areas are uniquely determined. Therefore, the range in which the properties can be changed is limited. For example, since the curvature and the shape of the peripheral portion are automatically determined by determining the reflection angle of the central portion of the reflecting mirror, a free shape having different characteristics between the central portion and the peripheral portion cannot be used. This corresponds to the fact that the order of the terms included in the function describing the surface is 2 or less. The partial derivative of the second-order polynomial is first-order, and if the inclination at the origin is determined, the inclination of the entire region is determined. Therefore, the curvature cannot be independently changed in the peripheral portion.

【0008】このため、様々な要求を同時に満たすため
に、反射鏡を組み合わせる等して自由度を増して対応し
ていた。しかし、X線の場合、X線の反射率が低く、何
枚か組み合わせることでX線の輸送効率が極端に低下す
るため、実際は3枚以上の反射鏡を使用する光学系を採
用することは難しい。さらに、組み合わせる各反射鏡の
特性が限定されているため、X線リソグラフィを産業に
使用していくために必要な要求性能を満たす解を見つけ
ることは困難を極めている。単純に集光だけであれば様
々な系が存在するが、強度は表面の反射点で反射された
時の反射率の相違で数%から数十%変化する。このた
め、光学系を経て照射領域内に到達するX線強度は反射
率の変動分の強度分布を持つ。さらに、反射X線ビーム
そのものも疎密が存在するため、疎な部分の強度は弱
く、密な部分の強度は強い。これらが、複合して照射領
域のX線強度が決定される。例えば2枚の曲面を使用し
た場合、2度反射された後のX線の反射強度とX線の疎
密分布が一定である曲面の組み合わせにしなければなら
ないと同時に、X線を大面積の領域に照射するために
は、どちらか一方、あるいは両方の反射鏡を動かしてX
線を走査する必要がある。したがって、仮に停止した状
態で均一な強度が得られていても、走査によって反射点
がずれ、同時に反射角が変化するため、反射率が変化
し、露光面上のX線強度はもはや一定とはならない。
For this reason, in order to simultaneously satisfy various demands, the degree of freedom has been increased by combining reflectors or the like. However, in the case of X-rays, the reflectivity of X-rays is low, and the transport efficiency of X-rays is extremely reduced by combining several X-rays. Therefore, in practice, it is impossible to employ an optical system using three or more reflecting mirrors. difficult. Furthermore, since the characteristics of each reflector to be combined are limited, it is extremely difficult to find a solution that satisfies the required performance required for using X-ray lithography in industry. There are various systems for simply condensing light, but the intensity varies from several percent to several tens of percent due to the difference in reflectivity when reflected at the reflection point on the surface. For this reason, the X-ray intensity reaching the irradiation area via the optical system has an intensity distribution corresponding to a change in reflectance. Furthermore, since the reflected X-ray beam itself also has density, the intensity of the sparse part is weak, and the intensity of the dense part is strong. These are combined to determine the X-ray intensity of the irradiation area. For example, when two curved surfaces are used, it is necessary to make a combination of the reflection intensity of the X-rays reflected twice and the curved surface where the density distribution of the X-rays is constant. To irradiate, move one or both reflectors to X
Lines need to be scanned. Therefore, even if a uniform intensity is obtained in the stopped state, the reflection point shifts due to scanning and the reflection angle changes at the same time, so that the reflectivity changes and the X-ray intensity on the exposure surface is no longer constant. No.

【0009】特に、大きな面積を持つ領域に強度が一定
なX線を集光するためには、光学系に対するX線の取り
込み量を増やさなければならないため、反射点毎に反射
角が大きくずれると同時に、反射率の変動が大きくなる
ため、これを補正して露光面上で一定の強度分布を得る
ことは難しい。その上、走査による反射角の変動が加わ
ることで、大きな領域での強度を一定に保つことは非常
に困難になる。実際、前記曲面の組み合わせで、X線リ
ソグラフィを半導体産業に導入する際に必要とされる照
射面積、強度と強度均一性を確保したX線光学系は見つ
かっていない。本発明は、X線リソグラフィを半導体産
業で使用するために必要な、大面積、高強度、高均一性
のX線照射を最低1枚ずつの平面鏡と非平面鏡で行うこ
とができるX線反射光学系を提供することを目的とす
る。
In particular, in order to focus X-rays having a constant intensity on a region having a large area, it is necessary to increase the amount of X-rays taken into the optical system. At the same time, since the fluctuation of the reflectance increases, it is difficult to correct this and obtain a constant intensity distribution on the exposure surface. In addition, the fluctuation of the reflection angle due to the scanning makes it very difficult to keep the intensity in a large area constant. In fact, no X-ray optical system has been found that ensures the irradiation area, intensity, and intensity uniformity required when introducing X-ray lithography into the semiconductor industry by combining the curved surfaces. The present invention relates to an X-ray reflection optics capable of performing large-area, high-intensity, and high-uniformity X-ray irradiation required for using the X-ray lithography in the semiconductor industry with at least one plane mirror and one non-plane mirror. It is intended to provide a system.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、請求項1に記
載のように、X線源から放射されるX線を反射によって
所定の領域に投影するX線反射光学系において、光学系
を平面鏡と非平面鏡とで構成し、空間座標をx,y,z
としたとき、非平面鏡は、xlmn の線形結合で少な
くとも1項がl+m+n≧3である項を含む関数によっ
てその形状が記述されるものである。このように、x,
y,zの3次以上の項を含む多項式で表面形状が記述さ
れる非平面鏡を使用することで、曲率を局所的に変える
自由度が増す。これを利用することにより、集光したX
線の反射角による変動とX線の疎密による強度からなる
強度分布が一定のX線ビームを形成する。さらに、この
Xビームを平面鏡によって露光領域に投影する。あるい
は、平面鏡でX線の方向を変えた後に、非平面鏡によっ
て露光領域に投影する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an X-ray reflection optical system for projecting an X-ray radiated from an X-ray source onto a predetermined area by reflection. It consists of a plane mirror and a non-plane mirror, and the spatial coordinates are x, y, z
, The shape of the non-planar mirror is described by a function including a term in which at least one term satisfies l + m + n ≧ 3 in a linear combination of x ly m z n . Thus, x,
By using a non-planar mirror whose surface shape is described by a polynomial including third and higher-order terms of y and z, the degree of freedom to locally change the curvature is increased. By utilizing this, the collected X
An X-ray beam having a constant intensity distribution composed of a variation due to the reflection angle of the ray and an intensity due to the density of the X-ray is formed. Further, this X beam is projected onto an exposure area by a plane mirror. Alternatively, after changing the direction of X-rays with a plane mirror, the light is projected onto an exposure area by a non-plane mirror.

【0011】また、請求項2に記載のように、平面鏡
は、X線を所定の領域に投影するために、入射X線に対
する角度を一定に保ちながら平行移動するものである。
平面鏡を平行移動させることにより、ビームを走査し、
露光領域を拡大することによって大面積露光を可能にす
る。強度が均一なビームを形成する非平面鏡に反射特性
が最も単純で、反射によってX線の性質を変えにくい平
面鏡を組み合わせることで、均一な強度分布を維持した
まま走査投影を可能にする。また、請求項3に記載のよ
うに、平面鏡は、X線を所定の領域に投影するために、
その中心を通りx軸に平行な軸を中心として回転するも
のである。平面鏡を回転させることにより、ビームを走
査し、露光領域を拡大することによって大面積露光を可
能にする。強度が均一なビームを形成する非平面鏡に反
射特性が最も単純で、反射によってX線の性質を変えに
くい平面鏡を組み合わせることで、均一な強度分布を維
持したまま走査投影を可能にする。また、請求項4に記
載のように、入射X線に対する平面鏡の角度を、全反射
現象が生じるような小角度としたものである。このよう
に、平面鏡への入射角を小さくすることで反射率がほぼ
一定の全反射現象を利用できるため、走査による強度変
化の影響を可能な限り小さくすることが可能になる。
Further, as described in the second aspect, the plane mirror translates while keeping the angle with respect to the incident X-ray constant in order to project the X-ray on a predetermined area.
The beam is scanned by translating the plane mirror,
Large-area exposure is enabled by enlarging the exposure area. By combining a non-planar mirror, which forms a beam with uniform intensity, with a plane mirror, which has the simplest reflection characteristics and is unlikely to change the properties of X-rays due to reflection, scanning projection can be performed while maintaining a uniform intensity distribution. Further, as described in claim 3, the plane mirror projects X-rays on a predetermined area.
It rotates about an axis passing through the center and parallel to the x-axis. By rotating the plane mirror, the beam is scanned and a large area exposure is enabled by enlarging the exposure area. By combining a non-planar mirror, which forms a beam with uniform intensity, with a plane mirror, which has the simplest reflection characteristics and is unlikely to change the properties of X-rays due to reflection, scanning projection can be performed while maintaining a uniform intensity distribution. Further, as described in claim 4, the angle of the plane mirror with respect to the incident X-ray is set to a small angle such that a total reflection phenomenon occurs. As described above, by reducing the angle of incidence on the plane mirror, it is possible to use the phenomenon of total reflection in which the reflectance is almost constant, so that the influence of the intensity change due to scanning can be minimized.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

実施の形態の1.次に、本発明の実施の形態について図
面を参照して詳細に説明する。図1は本発明の第1の実
施の形態となるX線反射光学系のブロック図、図2はこ
のX線反射光学系を説明するための概念図である。X線
源1から放射されたX線2は、入射角θ1で非平面鏡3
に入射し、正反射法則に従って反射される。反射された
X線は、平面鏡4に入射角θ2(入射角と反射角は等し
いので、図1では反射角側で表している)で入射して正
反射され、照射面5に投影される。
1. Embodiment 1. Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram of an X-ray reflection optical system according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining the X-ray reflection optical system. The X-rays 2 emitted from the X-ray source 1 are incident on the non-planar mirror 3 at an incident angle θ1.
And is reflected according to the law of specular reflection. The reflected X-rays are incident on the plane mirror 4 at an incident angle θ2 (the incident angle and the reflection angle are equal, and are represented on the reflection angle side in FIG. 1), are specularly reflected, and are projected on the irradiation surface 5.

【0013】このX線反射光学系を真上から俯瞰した図
が図3である。発散するX線を光学系に取り込む取り込
み角θ3は3度と従来より大きな角度とする。X線源1
と非平面鏡3の中心Oとの距離は2500mm、非平面
鏡3の中心Oと平面鏡4の中心Pとの距離は1500m
m、平面鏡4の中心Pと照射面5との距離は6000m
mとする。光学系の全長は10000mm、すなわち1
0mとする。
FIG. 3 is an overhead view of the X-ray reflection optical system from directly above. The capturing angle θ3 for capturing the divergent X-rays into the optical system is 3 degrees, which is larger than the conventional angle. X-ray source 1
And the center O of the non-planar mirror 3 is 2500 mm, and the distance between the center O of the non-planar mirror 3 and the center P of the plane mirror 4 is 1500 m.
m, the distance between the center P of the plane mirror 4 and the irradiation surface 5 is 6000 m
m. The total length of the optical system is 10,000 mm, that is, 1
0 m.

【0014】なお、図1〜図3においては、X線源1か
ら照射面5への方向がy軸方向であり、これと垂直な上
向きの高さ方向がz軸方向であり、y,zと垂直で、y
軸を時計回りにz軸の方へ回転させたときに右ネジが進
む方向がx軸方向(図1、図2では、紙面に垂直で向こ
う側からこちら側へ向かう方向)である。
In FIGS. 1 to 3, the direction from the X-ray source 1 to the irradiation surface 5 is the y-axis direction, the upward vertical direction perpendicular thereto is the z-axis direction, and y, z And perpendicular to, y
The direction in which the right-hand screw advances when the shaft is rotated clockwise toward the z-axis is the x-axis direction (in FIGS. 1 and 2, the direction perpendicular to the plane of the paper and going from the other side to this side).

【0015】シンクロトロンは、発散する方向に垂直な
方向にはX線があまり広がらない特徴を持った線源であ
るため、シンクロトロン放射光(以下、SRと略する)
は平板的な形状を持つ。このため、平面鏡4を固定した
場合に照射面5上に投影されるX線の形状は線状にな
る。非平面鏡3の表面には、X線を効率的に反射するた
めにPtをコートする。X線反射膜材質にはPtの他
に、Au,Re等の重金属、希土類等を使用することが
できる。
The synchrotron is a source having a feature that X-rays do not spread so much in a direction perpendicular to the direction of divergence, so that synchrotron radiation (hereinafter abbreviated as SR) is used.
Has a flat shape. For this reason, when the plane mirror 4 is fixed, the shape of the X-ray projected on the irradiation surface 5 becomes linear. The surface of the non-planar mirror 3 is coated with Pt to efficiently reflect X-rays. As the material of the X-ray reflection film, heavy metals such as Au and Re, rare earth elements and the like can be used in addition to Pt.

【0016】一方、平面鏡4の材質には例えばSi,S
iC,SiO2 等を使用する。入射X線の平面鏡4への
入射角θ2は1度程度の値であり、このような小さい入
射角の場合は表面コートしない方が反射率が高いので、
平面鏡4の表面にはPtをコートしない。なお、X線の
反射率はフレネル係数で計算され、物質によって決まっ
た値を示す。そして、非平面鏡3は、次式で表記できる
形状を持つものとする。
On the other hand, the material of the plane mirror 4 is, for example, Si, S
iC, SiO 2 or the like is used. The incident angle θ2 of the incident X-rays to the plane mirror 4 is a value of about 1 degree. In the case of such a small incident angle, the reflectance is higher when the surface is not coated.
The surface of the plane mirror 4 is not coated with Pt. Note that the reflectivity of X-rays is calculated by the Fresnel coefficient and indicates a value determined depending on the substance. The non-planar mirror 3 has a shape that can be expressed by the following equation.

【0017】 z=0.00478891596331814x2 −1.154277751956243×10-74 +3.854471639859461×10-7y +1.509252456702333×10-62y +3.261658360635767×10-62 +2.872038199932991×10-1022 +1.000955820591195×10-93 +2.988318408770317×10-134 +0.00004221588185391214x2z −0.0004324886855325027yz +3.072408063831085×10-92yz −9.88219364026158×10-82z −6.584041700164457×10-123z ・・・(1)[0017] z = 0.00478891596331814x 2 -1.154277751956243 × 10 -7 x 4 + 3.854471639859461 × 10 -7 y + 1.509252456702333 × 10 -6 x 2 y + 3.261658360635767 × 10 -6 y 2 + 2.872038199932991 × 10 -10 x 2 y 2 + 1.000955820591195 × 10 -9 y 3 + 2.988318408770317 × 10 -13 y 4 + 0.00004221588185391214x 2 z -0.0004324886855325027yz + 3.072408063831085 × 10 -9 x 2 yz -9.88219364026158 × 10 -8 y 2 z -6.584041700164457 × 10 -12 y 3 z ··· (1

【0018】式(1)はx,y,zの3次以上の項を含
み、これにより非平面鏡3が前述した曲線群では記述で
きない複雑な形状であることが分かる。SRが非平面鏡
3の中心O(x=y=z=0)に入射するときの入射角
θ1を1.4度とし、平面鏡4に入射するときの入射角
θ2を0.9度とする。すると、照射面5上には図4の
ようなX線ビームが形成される。図4において、横軸は
X軸方向の位置、縦軸はz軸方向の位置である。
Equation (1) includes terms of the third or higher order of x, y, and z, which indicates that the non-planar mirror 3 has a complicated shape that cannot be described by the above-described curve group. The incident angle θ1 when the SR enters the center O (x = y = z = 0) of the non-planar mirror 3 is 1.4 degrees, and the incident angle θ2 when the SR enters the plane mirror 4 is 0.9 degrees. Then, an X-ray beam as shown in FIG. 4 is formed on the irradiation surface 5. In FIG. 4, the horizontal axis is the position in the X-axis direction, and the vertical axis is the position in the z-axis direction.

【0019】図4は取り込み角θ3を20分割する21
本のX線が発生したと仮定し、このX線の反射光と照射
面5との交点を点で示し、交点間を線で結んだものであ
る。この図4により、x軸方向に関しての点の間隔が等
間隔ではないことが分かる(ただし、数%程度の相違で
ある)。つまり、線上ではX線の疎密が存在し、これに
よってX線強度の変動が発生している。この場合、中心
に比べ、周辺のX線が密になるため、周辺部のX線が強
くなる。X線リソグラフィが必要とするビーム長さは5
0mmであり、このビームの50mm領域の強度が均一
である必要がある。
FIG. 4 is a diagram 21 of dividing the take-in angle θ3 into 20 parts.
Assuming that the X-rays are generated, the intersections between the reflected light of the X-rays and the irradiation surface 5 are indicated by dots, and the intersections are connected by lines. From FIG. 4, it can be seen that the intervals between the points in the x-axis direction are not equal intervals (however, a difference of about several percent). In other words, on the line, the density of X-rays exists, and this causes a change in X-ray intensity. In this case, since the peripheral X-rays are denser than the center, the peripheral X-rays are stronger. X-ray lithography requires a beam length of 5
0 mm, and the intensity of this beam in the 50 mm area needs to be uniform.

【0020】一方、各光線が反射鏡で2回反射される反
射角もそれぞれ異なり、そのため反射率が違うため、光
線の強度も変動する。この場合、中心に比較して周辺部
の反射角が大きいため、反射率が低下し、結果として周
辺部で強度が低下するという、疎密分布から得られる強
度分布とは逆の傾向を示す。
On the other hand, the reflection angles at which each light ray is reflected twice by the reflecting mirror are different from each other, and thus the reflectivity is different, so that the intensity of the light ray also fluctuates. In this case, since the reflection angle at the peripheral portion is larger than that at the center, the reflectance decreases, and as a result, the intensity decreases at the peripheral portion, which is opposite to the intensity distribution obtained from the density distribution.

【0021】ビームの強度は反射率とビームの疎密分布
が掛け合わされたものなので、これによりX線ビーム強
度を計算した結果が図5である。図5において、横軸は
x軸方向の位置、縦軸はX線強度である。また、X線強
度は、x=0におけるビーム強度の値を1として規格化
したものである。図5により、必要とされる50mmの
長さの領域ではビーム強度の変動が4%以内に収まって
いることが分かる。この値は露光の品質を維持するため
に充分な値である。
Since the beam intensity is obtained by multiplying the reflectivity and the density distribution of the beam, the result of calculating the X-ray beam intensity is shown in FIG. In FIG. 5, the horizontal axis represents the position in the x-axis direction, and the vertical axis represents the X-ray intensity. The X-ray intensity is standardized with the value of the beam intensity at x = 0 as 1. From FIG. 5, it can be seen that the fluctuation of the beam intensity is within 4% in the required 50 mm length region. This value is a value sufficient to maintain the quality of exposure.

【0022】図5の計算はシンクロトロンが点光源であ
るとして実施したものであるが、実際のシンクロトロン
は点光源ではなく、x軸,z軸方向にそれぞれ正規分布
した光源である。したがって、光源位置が原点から僅か
ずつずれるため投影されるX線ビーム像もボケてくる。
この結果、照射面5上での強度分布にも広がりが生じ
る。
Although the calculation in FIG. 5 is carried out on the assumption that the synchrotron is a point light source, the actual synchrotron is not a point light source but a light source having a normal distribution in the x-axis and z-axis directions. Therefore, the projected X-ray beam image is blurred because the light source position is slightly shifted from the origin.
As a result, the intensity distribution on the irradiation surface 5 expands.

【0023】強度分布の広がりの程度を知るために、光
源が正規分布に従って分布しているとして光線追跡を実
施した。光源の広がりは例えばx,z方向にそれぞれ
0.8mmの分散を持つ正規分布であると仮定した。こ
れは光源が直径5mm程度にボケていることに相当す
る。この光線追跡の結果を図6に示す。図6では、X線
ビーム強度を濃淡で表し、白い部分ほどX線の強度が強
いことを示している。なお、図6では、z=0の位置が
図4とは異なり、またz軸方向を上下反転して表示して
いるため、曲がる方向が逆になっている。
In order to know the extent of the intensity distribution, ray tracing was performed assuming that the light sources were distributed according to a normal distribution. It is assumed that the spread of the light source is, for example, a normal distribution having a variance of 0.8 mm in each of the x and z directions. This corresponds to the fact that the light source is blurred to a diameter of about 5 mm. FIG. 6 shows the result of the ray tracing. In FIG. 6, the X-ray beam intensity is represented by shading, indicating that the whiter the portion, the higher the X-ray intensity. In FIG. 6, the position of z = 0 is different from that of FIG. 4, and the z-axis direction is displayed upside down, so that the bending direction is reversed.

【0024】図6により、露光面上では中心部で強い強
度分布が生じることが分かる。実際には、このビームを
後述のように平面鏡4によって走査するため、ビームが
z軸方向に移動する。そのため、z軸方向に積分した値
が得られる強度に対応する。そこで、図6のX線強度を
z軸に沿って積分した結果が図7である。
FIG. 6 shows that a strong intensity distribution occurs at the center on the exposed surface. Actually, since this beam is scanned by the plane mirror 4 as described later, the beam moves in the z-axis direction. Therefore, the integrated value in the z-axis direction corresponds to the intensity obtained. Thus, FIG. 7 shows the result of integrating the X-ray intensity in FIG. 6 along the z-axis.

【0025】図7により、光源がボケていても大面積露
光に必要な50mm領域でほぼ4%以内の変動しかない
ことが分かる。非対称的に変動しているのは、光源から
確率的に発生させる光束の密度が確率的に変動している
ためである。これにより光源に広がりがあっても、充分
な強度均一性が確保できることが分かる。
FIG. 7 shows that even if the light source is blurred, there is only a fluctuation of about 4% or less in a 50 mm area required for large-area exposure. The asymmetrical fluctuation is because the density of the light beam stochastically generated from the light source is stochastically changed. This shows that sufficient intensity uniformity can be ensured even if the light source is spread.

【0026】以上のようなことから、X線ビームをz方
向に走査して大面積に照射する。このような走査を行う
ためには、平面鏡4を図1の破線で示すように、入射角
θ2を一定に保ちながら平行移動、すなわち平面鏡自身
と垂直の方向に移動させる。この平行移動により反射ビ
ームは、照射面5上をz軸方向にLだけ移動する。入射
角θ2が小さいため、平面鏡4の移動距離dに対し、照
射面5上におけるビームの移動距離Lは、ほぼ2dとな
る。
As described above, the X-ray beam is scanned in the z direction to irradiate a large area. In order to perform such scanning, the plane mirror 4 is moved in parallel, that is, in a direction perpendicular to the plane mirror itself, while keeping the incident angle θ2 constant, as shown by the broken line in FIG. Due to this parallel movement, the reflected beam moves on the irradiation surface 5 by L in the z-axis direction. Since the incident angle θ2 is small, the moving distance L of the beam on the irradiation surface 5 is approximately 2d with respect to the moving distance d of the plane mirror 4.

【0027】平面鏡4が入射角θ2を一定に保ったまま
平行移動することで、非平面鏡3で反射されたX線が平
面鏡4に入射する角度は全く同一になるので、照射面5
上をz軸方向に移動するビームの強度も全く同じ強度を
有する。したがって、X線ビームが照射面5上において
50mmだけ移動するように平面鏡4を等速移動してや
れば、照射面5の露光領域内には強度変動が4%以内の
非常に均一なX線照射が可能となる。また、平行移動の
速度は一定でよいので、平面鏡4を駆動する駆動機構
(不図示)も単純にすることができる。
When the plane mirror 4 moves in parallel while keeping the incident angle θ2 constant, the angle at which the X-rays reflected by the non-planar mirror 3 enter the plane mirror 4 becomes completely the same, so that the irradiation surface 5
The intensity of the beam traveling upward in the z-axis direction has exactly the same intensity. Therefore, if the plane mirror 4 is moved at a constant speed so that the X-ray beam moves by 50 mm on the irradiation surface 5, a very uniform X-ray irradiation with an intensity variation within 4% within the exposure area of the irradiation surface 5 can be obtained. It becomes possible. Further, since the speed of the parallel movement may be constant, a driving mechanism (not shown) for driving the plane mirror 4 can be simplified.

【0028】なお、本実施の形態では、非平面鏡と平面
鏡を1枚ずつ用いたが、光源の強度が強くなれば、反射
による減衰を相殺できるので、2枚以上の平面鏡と非平
面鏡を組み合わせた光学系を組むことも可能である。ま
た、図1の構成に平面鏡をもう1枚加えて、これを平面
鏡4の動きに同期させることで、露光領域の面積を更に
拡大することができる。
In the present embodiment, one non-planar mirror and one non-planar mirror are used. However, if the intensity of the light source is increased, attenuation due to reflection can be canceled out. Therefore, two or more flat mirrors and non-planar mirrors are combined. It is also possible to build an optical system. Further, by adding another plane mirror to the configuration shown in FIG. 1 and synchronizing this with the movement of the plane mirror 4, the area of the exposure region can be further enlarged.

【0029】実施の形態の2.図8は本発明の第2の実
施の形態となるX線反射光学系のブロック図であり、図
1と同一の構成には同一の符号を付してある。X線反射
光学系としての構成は実施の形態の1とほぼ同様である
が、本実施の形態では、平面鏡4と同様の平面鏡4aを
その中心を通りx軸に平行な軸を中心として微小回転さ
せることにより、実施の形態の1と同様のX線ビーム走
査を実現している。これは、平面鏡4aを微小回転させ
ると、X線ビームが平面鏡4aに入射する角度が僅かに
変化するので、反射X線が照射面5上を移動するからで
ある。
Embodiment 2 FIG. 8 is a block diagram of an X-ray reflection optical system according to a second embodiment of the present invention, and the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. Although the configuration as an X-ray reflection optical system is almost the same as that of the first embodiment, in the present embodiment, a minute rotation is performed around a plane mirror 4a similar to the plane mirror 4 through an axis parallel to the x-axis. By doing so, X-ray beam scanning similar to that of the first embodiment is realized. This is because, when the plane mirror 4a is slightly rotated, the angle at which the X-ray beam enters the plane mirror 4a slightly changes, so that the reflected X-ray moves on the irradiation surface 5.

【0030】図9に平面鏡4aに対するX線の入射角θ
2とX線の反射率との関係を示す。波長はSR露光の中
心波長である0.7nmとし、平面鏡4aの材質は珪化
シリコン(SiC)とする。なお、反射率は、入射光の
強度をI0、反射光の強度をIとしたとき、I/I0と
なる。
FIG. 9 shows the incident angle θ of the X-ray with respect to the plane mirror 4a.
2 shows the relationship between 2 and the reflectivity of X-rays. The wavelength is 0.7 nm, which is the center wavelength of SR exposure, and the material of the plane mirror 4a is silicon silicide (SiC). The reflectance is I / I0, where I0 is the intensity of incident light and I is the intensity of reflected light.

【0031】入射角θ2が1度以下のとき、全反射現象
が生じるため、入射角θ2に対し反射率はほぼ一定の値
を示すが、入射角が大きくなると反射率は急激に低下す
る。1度以下で反射率の変化が少ないということは、平
面鏡4aを回転させて入射角θ2を1度以下の範囲でわ
ずかに変動させても反射強度がほとんど変動しないこと
を意味している。
When the incident angle θ2 is 1 degree or less, the total reflection phenomenon occurs. Therefore, the reflectivity shows a substantially constant value with respect to the incident angle θ2, but the reflectivity sharply decreases as the incident angle increases. The fact that the change in reflectance is small at 1 ° or less means that even if the plane mirror 4a is rotated to slightly change the incident angle θ2 within 1 ° or less, the reflection intensity hardly changes.

【0032】例えば、入射角θ2を0.95度から0.
65度に変化させたとき、X線ビームの照射面5内での
位置は約50mm移動する。このとき、面積が50mm
平方内のX線強度分布は、x軸に沿っては4%以内で、
z軸に沿っては反射率の変動分の変化が発生することに
なる。しかし、z方向の強度の変化は、回転する速度を
僅かに補正することで、実効的になくすことができる。
つまり、X線強度が弱いところでは平面鏡4aの回転速
度を遅くし、X線強度が強いところでは平面鏡4aの回
転速度を速くすればよい。こうして、露光領域内のz軸
に沿ったX線強度分布の変動を0にまで小さくすること
ができる。
For example, the incident angle θ2 is set to 0.95 degrees to 0.5 degrees.
When the angle is changed to 65 degrees, the position of the X-ray beam on the irradiation surface 5 moves by about 50 mm. At this time, the area is 50 mm
The X-ray intensity distribution within the square is within 4% along the x-axis,
A change in the change in the reflectance occurs along the z-axis. However, the change in the intensity in the z direction can be effectively eliminated by slightly correcting the rotating speed.
That is, the rotation speed of the plane mirror 4a may be reduced where the X-ray intensity is low, and the rotation speed of the plane mirror 4a may be increased where the X-ray intensity is high. Thus, the fluctuation of the X-ray intensity distribution along the z-axis in the exposure area can be reduced to zero.

【0033】また、平面鏡4aを0.3度程度回転させ
ることは、その角度が小さいことから、図10のように
平面鏡4aの端部を矢印のように直線的に振動させる機
構を付加するだけで実現できる。これにより回転運動を
単純な直線運動で実現できるため、真空中でも駆動が容
易となる。
Further, rotating the plane mirror 4a by about 0.3 degrees is small in angle, so that only a mechanism for linearly vibrating the end of the plane mirror 4a as shown by an arrow as shown in FIG. 10 is added. Can be realized. As a result, the rotation can be realized by a simple linear motion, so that the driving becomes easy even in a vacuum.

【0034】実施の形態の3.図11は本発明の第3の
実施の形態となるX線反射光学系のブロック図であり、
図1と同一の構成には同一の符号を付してある。このX
線反射光学系では、図11(a)に示すように、X線源
1から放射されるX線2を平面鏡4bで受けて、平面鏡
4bで反射されたX線を非平面鏡3aによって照射面5
上に集光することで、X線リソグラフィに使用できる光
学系を組むことができる。
Embodiment 3 FIG. 11 is a block diagram of an X-ray reflection optical system according to a third embodiment of the present invention.
The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. This X
In the line reflection optical system, as shown in FIG. 11A, an X-ray 2 radiated from an X-ray source 1 is received by a plane mirror 4b, and the X-ray reflected by the plane mirror 4b is irradiated by a non-planar mirror 3a on an irradiation surface 5a.
By focusing the light on the upper side, an optical system that can be used for X-ray lithography can be assembled.

【0035】平面鏡4bは、単にX線源1から放射され
る平板状のX線2の方向を変えるだけであり、全てのX
線に対する反射角は一定であることから、光源の特性を
維持したX線が非平面鏡3aに照射される。したがっ
て、実施の形態の1で使用したような非平面鏡を使用す
れば、照射面5上には強度が均一なX線ビームを形成す
ることができる。
The plane mirror 4b merely changes the direction of the flat X-rays 2 radiated from the X-ray source 1;
Since the reflection angle with respect to the line is constant, the non-planar mirror 3a is irradiated with X-rays that maintain the characteristics of the light source. Therefore, if a non-planar mirror as used in the first embodiment is used, an X-ray beam with uniform intensity can be formed on the irradiation surface 5.

【0036】この平面鏡4bは、X線源1に近い位置に
配置できるため、小さなもので充分である。例えば、X
線源1から1mの位置で3度の光を集光しようとする場
合、幅60mm、長さ100mm程度の大きさがあれば
充分である。鏡が小さくなるため、製作することも、移
動させることも簡単になる。
Since the plane mirror 4b can be arranged at a position close to the X-ray source 1, a small one is sufficient. For example, X
When condensing light at 3 degrees at a position 1 m from the radiation source 1, a size of about 60 mm in width and about 100 mm in length is sufficient. The smaller mirror makes it easier to manufacture and move.

【0037】X線ビームの走査は、平面鏡4bを図11
(b)の破線で示すように、入射X線に対する角度θ4
を一定に保ちながら平行移動、すなわち平面鏡自身と垂
直の方向に移動させる。これにより、非平面鏡3aには
見かけ上平行なビームが照射されることになる。そし
て、非平面鏡3aは、次式で表記できる形状を持つもの
とする。
For scanning of the X-ray beam, the plane mirror 4b is
As shown by the broken line in (b), the angle θ4 with respect to the incident X-ray
Is kept constant, that is, it is moved in a direction perpendicular to the plane mirror itself. Thereby, the non-planar mirror 3a is irradiated with an apparently parallel beam. The non-planar mirror 3a has a shape that can be expressed by the following equation.

【0038】 z=0.005272459206485576x2 −1.725169188977377×10-74 +9.91017414285906×10-7y +3.244080595562593×10-62y +4.888738769269157×10-62 +1.05096295030094×10-922 +2.965195735473839×10-93 +1.188751060487331×10-124 +0.00005466182916289051x2z −0.000828899710554204yz +1.040703384581341×10-82yz −3.413597691380283×10-72z −4.494914685045037×10-113z ・・・(2)[0038] z = 0.005272459206485576x 2 -1.725169188977377 × 10 -7 x 4 + 9.91017414285906 × 10 -7 y + 3.244080595562593 × 10 -6 x 2 y + 4.888738769269157 × 10 -6 y 2 + 1.05096295030094 × 10 -9 x 2 y 2 + 2.965195735473839 × 10 -9 y 3 + 1.188751060487331 × 10 -12 y 4 + 0.00005466182916289051x 2 z -0.000828899710554204yz + 1.040703384581341 × 10 -8 x 2 yz -3.413597691380283 × 10 -7 y 2 z -4.494914685045037 × 10 -11 y 3 z (2)

【0039】X線源1と平面鏡4bの中心との距離を1
300mm、平面鏡4bの中心と非平面鏡3aの中心O
との距離を430mm、非平面鏡3aの中心Oと照射面
5との距離を8270mmとする。X線の取り込み角は
2度とした。X線が平面鏡4bに入射する角度θ4を
0.8度、非平面鏡中心に入射する角度θ5を1.6度
とし、平面鏡4bを最大で約5mm平行移動させると、
照射面5上では図12に示すような領域にX線が照射さ
れる。
The distance between the X-ray source 1 and the center of the plane mirror 4b is set to 1
300 mm, center O of plane mirror 4b and center O of non-planar mirror 3a
Is 430 mm, and the distance between the center O of the non-planar mirror 3a and the irradiation surface 5 is 8270 mm. The X-ray capture angle was 2 degrees. When the angle θ4 at which the X-rays are incident on the plane mirror 4b is 0.8 degrees and the angle θ5 at which the X-rays are incident on the center of the non-planar mirror is 1.6 degrees, and the plane mirror 4b is translated by about 5 mm at the maximum,
On the irradiation surface 5, an area as shown in FIG.

【0040】図12は、取り込み角2度を20分割する
21本のX線が発生したと仮定し、このX線の反射光と
照射面5との各交点を点で示したものである。図12に
おいて、斜線部が面積50mm平方の露光領域に対応し
ている。Aは平面鏡4bの中心がy=1300mmの位
置にあるときの結果である。Bは、y=1300mmの
位置から平面鏡4bを下方向に平行移動させて、平面鏡
4bと入射X線との交点がy軸方向に−100mm移動
したときの結果である。
FIG. 12 shows that 21 X-rays which divide the capture angle of 2 degrees into 20 are generated, and the intersections between the reflected light of the X-rays and the irradiation surface 5 are indicated by dots. In FIG. 12, a hatched portion corresponds to an exposure region having an area of 50 mm square. A is the result when the center of the plane mirror 4b is at the position of y = 1300 mm. B shows the result when the plane mirror 4b is moved downward in parallel from the position of y = 1300 mm, and the intersection between the plane mirror 4b and the incident X-ray moves -100 mm in the y-axis direction.

【0041】また、C,D,Eは、y=1300mmの
位置から平面鏡4bを上方向に平行移動させて、平面鏡
4bと入射X線との交点がy軸方向にそれぞれ100,
200,300mm移動したときの結果である。以上の
ような平行移動において、平面鏡4bは最大で約5mm
移動するだけである。
C, D, and E move the plane mirror 4b upward in parallel from the position of y = 1300 mm, and the intersections between the plane mirror 4b and the incident X-rays are 100 and 100 in the y-axis direction, respectively.
This is the result when the lens is moved 200 and 300 mm. In the parallel movement as described above, the plane mirror 4b is about 5 mm at the maximum.
Just move.

【0042】このA,B,C,D,Eのx軸に沿ったX
線強度を、x=0における強度を1として規格化した結
果が図13である。図13により、50mm幅の領域で
約1%以内の強度変動しかないことが分かる。
X along the x-axis of A, B, C, D and E
FIG. 13 shows the result of normalizing the line intensity with the intensity at x = 0 as 1. FIG. 13 shows that there is only an intensity variation within about 1% in the 50 mm width region.

【0043】ただし、z軸方向に沿っては強度分布が存
在する。しかし、z方向の強度の変化は、平面鏡4bを
平行移動させる速度を僅かに補正することで、実効的に
なくすことができる。つまり、X線強度が弱いところで
は平面鏡4bの移動速度を遅くし、X線強度が強いとこ
ろでは平面鏡4bの移動速度を速くすればよい。こうし
て、露光領域内のz軸に沿ったX線強度分布の変動を0
にまで小さくすることができる。
However, there is an intensity distribution along the z-axis direction. However, the change in the intensity in the z direction can be effectively eliminated by slightly correcting the speed at which the plane mirror 4b is translated. That is, the moving speed of the plane mirror 4b may be reduced where the X-ray intensity is low, and the moving speed of the plane mirror 4b may be increased where the X-ray intensity is high. Thus, the variation of the X-ray intensity distribution along the z-axis in the exposure area is reduced to zero.
Can be reduced to

【0044】実施の形態の4.図14は本発明の第4の
実施の形態となるX線反射光学系のブロック図であり、
図1、図11と同一の構成には同一の符号を付してあ
る。X線反射光学系としての構成は実施の形態の3とほ
ぼ同様であるが、本実施の形態では、平面鏡4bと同様
の平面鏡4cをその中心を通りx軸に平行な軸を中心と
して微小回転させることにより、実施の形態の3と同様
のX線ビーム走査を実現している。つまり、平面鏡4c
を微小回転させることにより、非平面鏡3aにはわずか
に広がったX線ビームが照射されることになる。
Fourth Embodiment FIG. 14 is a block diagram of an X-ray reflection optical system according to a fourth embodiment of the present invention.
1 and 11 are denoted by the same reference numerals. Although the configuration as an X-ray reflection optical system is almost the same as that of the third embodiment, in the present embodiment, a minute rotation is performed around a plane mirror 4c similar to the plane mirror 4b and passing through the center thereof and parallel to the x-axis. By doing so, the same X-ray beam scanning as in the third embodiment is realized. That is, the plane mirror 4c
Is slightly rotated, the non-planar mirror 3a is irradiated with a slightly widened X-ray beam.

【0045】非平面鏡3aの形状を記述する多項式を式
(2)、X線源1と平面鏡4cの中心との距離を130
0mm、平面鏡4cの中心と非平面鏡3aの中心Oとの
距離を430mm、非平面鏡3aの中心Oと照射面5と
の距離を8270mmとする。また、X線の取り込み角
は2度とした。
Equation (2) is a polynomial describing the shape of the non-planar mirror 3a, and the distance between the X-ray source 1 and the center of the plane mirror 4c is 130
0 mm, the distance between the center of the plane mirror 4c and the center O of the non-planar mirror 3a is 430 mm, and the distance between the center O of the non-planar mirror 3a and the irradiation surface 5 is 8270 mm. The X-ray capture angle was 2 degrees.

【0046】X線が平面鏡4cに入射する角度θ4を
0.8度、非平面鏡3aの中心Oに入射する角度θ5を
1.6度とし、平面鏡4cを0.8度から+1mrad
と−4mradだけほんのわずかに回転させると、照射
面5上には図15に示すような分布が形成される。図1
5は、取り込み角2度を20分割する21本のX線が発
生したと仮定し、このX線の反射光と照射面5との各交
点を点で示したものである。図15において、斜線部が
面積50mm平方の露光領域に対応している。
The angle θ4 at which the X-rays are incident on the plane mirror 4c is 0.8 °, the angle θ5 at which the X-ray is incident on the center O of the non-planar mirror 3a is 1.6 °, and the plane mirror 4c is +1 mrad from 0.8 °.
And a slight rotation of -4 mrad, a distribution as shown in FIG. FIG.
Numeral 5 indicates that 21 intersections between the reflected light of the X-rays and the irradiation surface 5 are indicated by dots, assuming that 21 X-rays that divide the capture angle of 2 degrees into 20 are generated. In FIG. 15, a hatched portion corresponds to an exposure region having an area of 50 mm square.

【0047】αは平面鏡4cの中心がy=1300mm
の位置にあって入射角θ4が0.8度のときの結果であ
る。βは、平面鏡4cをX線源1側が上がるように回転
させて、αの場合に対して入射角θ4が1mrad増え
たときの結果である。また、γ,δ,ε,ζは、平面鏡
4cをX線源1側が下がるように回転させて、αの場合
に対して入射角θ4がそれぞれ1mrad,2mra
d,3mrad,4 mrad減ったときの結果であ
る。
Α is y = 1300 mm at the center of the plane mirror 4c.
At the incident angle θ4 of 0.8 degrees. β is a result when the plane mirror 4c is rotated so that the X-ray source 1 side is raised, and the incident angle θ4 is increased by 1 mrad with respect to the case of α. Further, γ, δ, ε, and ζ are obtained by rotating the plane mirror 4c so that the X-ray source 1 side is lowered, so that the incident angles θ4 are 1 mrad and 2 mra with respect to the case of α.
These are the results when d, 3 mrad, and 4 mrad are reduced.

【0048】以上のような回転移動において、平面鏡4
cは最大で5mrad回転するだけである。回転角5m
radは約0.28度に対応する。したがって、平面鏡
4cを僅か0.28度回転させるだけで露光領域の拡大
が実現できる。このα,β,γ,δ,ε,ζのx軸に沿
ったX線強度を、x=0における強度を1として規格化
した結果が図16である。図16により、50mm幅の
領域で約1.2%以内の強度変動しかないことが分か
る。
In the above rotational movement, the plane mirror 4
c rotates only 5 mrad at maximum. Rotation angle 5m
rad corresponds to approximately 0.28 degrees. Therefore, the exposure area can be enlarged by simply rotating the plane mirror 4c by only 0.28 degrees. FIG. 16 shows the result of normalizing the X-ray intensities along the x-axis of α, β, γ, δ, ε, and と し て with the intensity at x = 0 as 1. FIG. 16 shows that there is only an intensity variation within about 1.2% in a 50 mm width region.

【0049】ただし、実施の形態の3と同様にz軸方向
に沿っては強度分布が存在する。しかし、z方向の強度
の変化は、平面鏡4cを回転させる速度を僅かに補正す
ることで、実効的になくすことができる。つまり、X線
強度が弱いところでは平面鏡4cの回転速度を遅くし、
X線強度が強いところでは平面鏡4cの回転速度を速く
すればよい。こうして、露光領域内のz軸に沿ったX線
強度分布の変動を0にまで小さくすることができる。こ
の結果、小さな平面鏡4cの0.3度程度の回転運動を
付加するだけで、50mm平方の大面積領域にX線の強
度均一性が1%程度のX線を照射することができる。
However, as in the third embodiment, an intensity distribution exists along the z-axis direction. However, the change in the intensity in the z direction can be effectively eliminated by slightly correcting the rotation speed of the plane mirror 4c. In other words, the rotational speed of the plane mirror 4c is reduced where the X-ray intensity is weak,
Where the X-ray intensity is high, the rotation speed of the plane mirror 4c may be increased. Thus, the fluctuation of the X-ray intensity distribution along the z-axis in the exposure area can be reduced to zero. As a result, it is possible to irradiate a large area of 50 mm square with X-rays having X-ray intensity uniformity of about 1% only by adding a rotational movement of about 0.3 degrees of the small plane mirror 4c.

【0050】なお、以上の実施の形態では、Ptをコー
トした非平面鏡に対する入射角を2度以下、SiCから
なる平面鏡(Ptコートなし)に対する入射角を1度以
下としているが、これらは使用する材質によって変わる
のは言うまでもない。
In the above embodiment, the incident angle with respect to the non-planar mirror coated with Pt is set to 2 degrees or less, and the incident angle with respect to the plane mirror made of SiC (without Pt coating) is set to 1 degree or less. Needless to say, it depends on the material.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明によれば、請求項1に記載のよう
に、光学系を平面鏡と非平面鏡とで構成し、非平面鏡
を、xlmn の線形結合で少なくとも1項がl+m+
n≧3である項を含む関数によってその形状が記述され
るものとすることにより、従来不可能であった、高強
度,大面積照射,高強度均一性を両立させたX線光学系
が実現できる。また、一方の鏡に平面鏡を使用すること
で加工が容易になり、価格も安価になるため光学系全体
の価格を安価にすることができる。その結果、0.1μ
m級の超微細なパタンを量産することが可能となり、高
速で消費電力が小さな超々LSI量産が可能となる。ま
た、様々なX線光学系、例えばX線縮小光学系、X線顕
微鏡等の照明系として使用することもできる。
According to the present invention, as described in claim 1, an optical system constituted by a plane mirror and a non-planar mirror, the non-planar mirror, the at least one term by the linear combination of x l y m z n l + m +
By describing the shape by a function including a term where n ≧ 3, an X-ray optical system that achieves high intensity, large-area irradiation, and high-intensity uniformity, which was impossible in the past, is realized. it can. Further, by using a plane mirror for one of the mirrors, the processing becomes easy and the price is reduced, so that the price of the entire optical system can be reduced. As a result, 0.1μ
It is possible to mass-produce an m-class ultra-fine pattern, and mass-produce ultra-high-speed LSI with low power consumption. Further, it can be used as an illumination system for various X-ray optical systems, for example, an X-ray reduction optical system, an X-ray microscope, and the like.

【0052】また、請求項2あるいは請求項3に記載の
ように、平面鏡を入射X線に対する角度を一定に保ちな
がら平行移動あるいは中心を通りx軸に平行な軸を中心
として回転させることにより、ビームを走査し、露光領
域を拡大することができ、大面積露光を実現することが
できる。また、平面鏡を僅かに平行移動あるいは回転さ
せるだけで領域拡大ができるため、単純な駆動系で実現
でき、動作が安定すると同時に価格も安価になる。ま
た、平面鏡を光源に近づけた位置に配置すれば、平面鏡
を小さくできるので、領域拡大のための動作量を非常に
小さくすることができる。このため、数十ヘルツ以上の
高速な動作が可能になる。
Further, as described in claim 2 or 3, the plane mirror is translated or rotated about an axis passing through the center and parallel to the x-axis while keeping the angle with respect to the incident X-ray constant. By scanning the beam, the exposure area can be enlarged, and large-area exposure can be realized. Further, since the area can be enlarged by only slightly moving or rotating the plane mirror, it can be realized with a simple drive system, and the operation is stable and the price is low. Further, if the plane mirror is arranged at a position close to the light source, the size of the plane mirror can be reduced, so that the operation amount for enlarging the area can be extremely reduced. For this reason, high-speed operation of several tens of hertz or more is possible.

【0053】また、請求項4に記載のように、入射X線
に対する平面鏡の角度を、全反射現象が生じるような小
角度とすることにより、反射率がほぼ一定の全反射現象
を利用できるため、走査による強度変化の影響を可能な
限り小さくすることが可能になる。
Further, since the angle of the plane mirror with respect to the incident X-ray is set to a small angle such that a total reflection phenomenon occurs, the total reflection phenomenon with a substantially constant reflectance can be used. In addition, it is possible to minimize the influence of the intensity change due to scanning as much as possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施の形態となるX線反射光
学系のブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of an X-ray reflection optical system according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1のX線反射光学系を説明するための概念
図である。
FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining the X-ray reflection optical system of FIG.

【図3】 図2のX線反射光学系を真上から見た鳥瞰図
である。
FIG. 3 is a bird's-eye view of the X-ray reflection optical system of FIG. 2 as viewed from directly above.

【図4】 X線ビームと照射面との交点がつくる線を示
す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a line formed by an intersection between an X-ray beam and an irradiation surface.

【図5】 照射面上のX線のx方向の強度分布を示す図
である。
FIG. 5 is a diagram showing an intensity distribution of an X-ray on an irradiation surface in the x direction.

【図6】 X線源に広がりがある場合の照射面上のX線
強度分布を濃淡で示した図である。
FIG. 6 is a diagram showing an X-ray intensity distribution on an irradiation surface in the case where the X-ray source has a spread, by shading.

【図7】 図6の結果をz軸に沿って積分して得られた
X線強度分布を示す図である。
7 is a diagram showing an X-ray intensity distribution obtained by integrating the result of FIG. 6 along the z-axis.

【図8】 本発明の第2の実施の形態となるX線反射光
学系のブロック図である。
FIG. 8 is a block diagram of an X-ray reflection optical system according to a second embodiment of the present invention.

【図9】 入射X線の平面鏡への入射角と反射率との関
係を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing a relationship between an incident angle of an incident X-ray to a plane mirror and a reflectance.

【図10】 平面鏡を直線的な運動で回転させる概念を
示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a concept of rotating a plane mirror by a linear motion.

【図11】 本発明の第3の実施の形態となるX線反射
光学系のブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram of an X-ray reflection optical system according to a third embodiment of the present invention.

【図12】 X線と照射面との交点を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing an intersection between an X-ray and an irradiation surface.

【図13】 照射面上のX線のx方向の強度分布を示す
図である。
FIG. 13 is a diagram showing the intensity distribution of X-rays on the irradiation surface in the x direction.

【図14】 本発明の第4の実施の形態となるX線反射
光学系のブロック図である。
FIG. 14 is a block diagram of an X-ray reflection optical system according to a fourth embodiment of the present invention.

【図15】 X線と照射面との交点を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing an intersection between an X-ray and an irradiation surface.

【図16】 照射面上のX線のx方向の強度分布を示す
図である。
FIG. 16 is a diagram showing an intensity distribution in the x direction of X-rays on an irradiation surface.

【図17】 球面の形状を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing the shape of a spherical surface.

【図18】 円柱面の形状を示す図である。FIG. 18 is a view showing the shape of a cylindrical surface.

【図19】 回転楕円面の形状を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing the shape of a spheroid.

【図20】 楕円柱面の形状を示す図である。FIG. 20 is a diagram showing a shape of an elliptic cylinder surface.

【図21】 楕円錐面の形状を示す図である。FIG. 21 is a diagram showing a shape of an elliptical cone surface.

【図22】 一葉双曲面の形状を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing the shape of a single-leaf hyperboloid.

【図23】 二葉双曲面の形状を示す図である。FIG. 23 is a diagram showing the shape of a two-lobed hyperboloid.

【図24】 楕円放物面の形状を示す図である。FIG. 24 is a diagram showing a shape of an elliptic paraboloid.

【図25】 双曲放物面の形状を示す図である。FIG. 25 is a diagram showing the shape of a hyperbolic paraboloid.

【図26】 トロイダル面の形状を示す図である。FIG. 26 is a diagram showing a shape of a toroidal surface.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…X線源、2…X線、3、3a…非平面鏡、4、4
a、4b、4c…平面鏡、5…照射面。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... X-ray source, 2 ... X-ray, 3, 3a ... Non-planar mirror, 4, 4
a, 4b, 4c: plane mirror, 5: irradiation surface.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 X線源から放射されるX線を反射によっ
て所定の領域に投影するX線反射光学系において、 光学系を平面鏡と非平面鏡とで構成し、空間座標をx,
y,zとしたとき、前記非平面鏡は、xlmn の線形
結合で少なくとも1項がl+m+n≧3である項を含む
関数によってその形状が記述されるものであることを特
徴とするX線反射光学系。
1. An X-ray reflection optical system for projecting an X-ray radiated from an X-ray source onto a predetermined area by reflection, wherein the optical system is composed of a plane mirror and a non-plane mirror, and spatial coordinates are represented by x and x.
When y, z, the shape of the non-planar mirror is characterized by a function including at least one term of l + m + n ≧ 3 in a linear combination of x ly m z n. X-ray reflection optical system.
【請求項2】 請求項1記載のX線反射光学系におい
て、 前記平面鏡は、X線を所定の領域に投影するために、入
射X線に対する角度を一定に保ちながら平行移動するも
のであることを特徴とするX線反射光学系。
2. The X-ray reflection optical system according to claim 1, wherein the plane mirror translates while maintaining a constant angle with respect to the incident X-ray in order to project the X-ray to a predetermined area. An X-ray reflection optical system, characterized in that:
【請求項3】 請求項1記載のX線反射光学系におい
て、 前記平面鏡は、X線を所定の領域に投影するために、そ
の中心を通りx軸に平行な軸を中心として回転するもの
であることを特徴とするX線反射光学系。
3. The X-ray reflection optical system according to claim 1, wherein the plane mirror rotates about an axis passing through the center and parallel to the x-axis in order to project the X-ray onto a predetermined area. An X-ray reflection optical system, comprising:
【請求項4】 請求項2又は3記載のX線反射光学系に
おいて、 入射X線に対する前記平面鏡の角度は、全反射現象が生
じるような小角度であることを特徴とするX線反射光学
系。
4. The X-ray reflection optical system according to claim 2, wherein the angle of the plane mirror with respect to the incident X-ray is a small angle such that a total reflection phenomenon occurs. .
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4681170A (en) * 1985-08-05 1987-07-21 Furukawa Co., Ltd. Rock drills for drilling continuously arrayed bores
JP2014053192A (en) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp Atom probe measuring apparatus and atom probe measuring method

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