JPH1166636A - Optical master disk and irs manufacture - Google Patents

Optical master disk and irs manufacture

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JPH1166636A
JPH1166636A JP12456798A JP12456798A JPH1166636A JP H1166636 A JPH1166636 A JP H1166636A JP 12456798 A JP12456798 A JP 12456798A JP 12456798 A JP12456798 A JP 12456798A JP H1166636 A JPH1166636 A JP H1166636A
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layer
range
thickness
wavelength
refractive index
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JP12456798A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Masuzawa
正弘 升澤
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Ricoh Co Ltd
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Ricoh Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical master disk having grooves of trapezoid-shaped sections in which land parts become flat even in the case of a narrow track pitch. SOLUTION: Flat parts can be provided at the land parts 13 even in the case of grooves 12 having a narrow track pitch Tp, which is within the range of 0. 6 to 1.0 μm, by having the steep grooves 12 in which the track pitch Tp is within the range of 0.6 to 1.0 μm, the half-value width Th is within the range of 0.2 to 0.6 μm, the tilt angle θ at the half-value width thereof is within the range of 71 to 90 deg.. Thus, the intensity of exposed light of a second layer at an area close to a first layer is increased to make the slope steep by the use of a resist disk having the first layer by a transparent film set to a film thickness which intensifies the reflectivity of the exposed light thereof with respect to a film thickness of the second layer and the wavelength of the exposed light between the second layer and the glass substrate by a photoresist.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク用、特
に高密度・大容量化を意図したＤＶＤ（ＤigitalＶersa
tile Ｄisk） 用の光ディスク用原盤及びその作製方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DVD (Digital Versa) for optical discs,
The present invention relates to an optical disc master for tile disk and a method of manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般に、レーザビームを用いて情報を記
録・再生できる追記型或いは書換え型の光ディスクとし
て、ＣＤ‐Ｒ（Ｃompact Ｄisk‐Ｒecordable） やＣＤ
‐ＲＷ（ＣＤ‐Ｒewritable） 等がある。これらの光デ
ィスクでは、レーザビームをトラッキング追従させるた
めのグルーブが予め形成されている。このようなグルー
ブ１は、通常は、図４２に示すように断面台形状に形成
されている。２はランド部分である。また、グルーブ１
のトラックピッチＴｐはオレンジブック等のＣＤ規格に
基づき１．６μｍに規格化されている。グルーブ１の半
値幅Ｔｈは０．２〜０．６μｍの範囲内とされている。
この半値幅部分でのグルーブ１の傾斜角θは、７０°以
下、例えば、２５〜６５°の範囲内とされている（例え
ば、特開平４−３５８３３１号公報、特公平４−４７９
１１号公報参照）。このような光ディスクは、対応する
形状の光ディスク用原盤（マスタ）及びそのスタンパを
経て生産される。2. Description of the Related Art Generally, as a write-once or rewritable optical disk capable of recording and reproducing information using a laser beam, a CD-R (Compact Disk-Recordable) or a CD-R is available.
-RW (CD-Rewritable). In these optical disks, grooves for causing the laser beam to follow the tracking are formed in advance. Such a groove 1 is usually formed in a trapezoidal cross section as shown in FIG. 2 is a land portion. Groove 1
Is standardized to 1.6 μm based on the CD standard such as the Orange Book. The half width Th of the groove 1 is in the range of 0.2 to 0.6 μm.
The inclination angle θ of the groove 1 in the half width portion is 70 ° or less, for example, in the range of 25 to 65 ° (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-358331, Japanese Patent Publication No. 4-479).
No. 11). Such an optical disc is produced via a master disc (master) for an optical disc having a corresponding shape and a stamper thereof.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
次世代の光ディスクとして、より一層の高密度・大容量
化を図るため、例えば、トラックピッチＴｐが現行の
１．６μｍから０．８μｍ程度に狭めたＤＶＤ等が実用
段階に入っている。図２４はこのようなＤＶＤ用の光デ
ィスクにおけるグルーブ２の断面形状を示し、Ｔｐは
０．６〜１．０μｍの範囲内となるように規格化され、
例えば、０．８μｍとされている。However, in recent years,
As a next-generation optical disk, for example, a DVD in which the track pitch Tp is reduced from the current 1.6 μm to about 0.8 μm has entered the practical stage in order to achieve higher density and higher capacity. FIG. 24 shows the cross-sectional shape of the groove 2 in such an optical disc for DVD, where Tp is standardized to be in the range of 0.6 to 1.0 μm.
For example, it is 0.8 μm.

【０００４】このように狭ピッチ化されたＤＶＤ用のグ
ルーブ３をＣＤ‐ＲやＣＤ‐ＲＷと同様な従来のグルー
ブ仕様で形成すると、図４３に示すようにランド４の上
部部分を平らにすることができず、Ｒ状となってしま
う。このようにランド４の上部に平坦部を有しないグル
ーブ３では、レーザビームによるトラッキング追従を良
好に行えず、結果として、記録・再生動作に支障を来
す。従って、狭ピッチ化されたグルーブの場合でもその
ランド部分を平坦化し得る光ディスク用原盤を提供する
ことが課題である。[0004] When the groove 3 for DVD having a narrow pitch is formed by the conventional groove specification similar to CD-R or CD-RW, the upper part of the land 4 is flattened as shown in FIG. Cannot be performed, resulting in an R shape. As described above, in the groove 3 having no flat portion on the land 4, the tracking following by the laser beam cannot be satisfactorily performed, and as a result, the recording / reproducing operation is hindered. Therefore, it is an object to provide a master for an optical disk capable of flattening the land portion even in the case of a groove having a narrow pitch.

【０００５】そこで、本発明は、ランド部分が平らにな
る断面台形状のグルーブを有する光ディスク用原盤を提
供することを第１の目的とする。Accordingly, a first object of the present invention is to provide an optical disk master having a groove having a trapezoidal cross section in which a land portion becomes flat.

【０００６】また、本発明は、第１の目的を達成するた
めの光ディスク用原盤の作製方法を提供することを第２
の目的とする。It is another object of the present invention to provide a method for producing a master for an optical disk for achieving the first object.
The purpose of.

【０００７】さらには、本発明は、第２の目的を達成す
るためのレジスト盤の具体的構成例を明らかにすること
を第３の目的とする。Further, a third object of the present invention is to clarify a specific configuration example of a resist board for achieving the second object.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の光
ディスク用原盤は、トラックピッチが０．６〜１．０μ
ｍの範囲内、半値幅が０．２〜０．６μｍの範囲内、そ
の半値幅部分での傾斜角が７１〜９０°の範囲内となる
グルーブを有している。従って、グルーブの半値幅部分
での傾斜角が７１〜９０°の範囲内に規定されているの
で、０．６〜１．０μｍの範囲内といった狭トラックピ
ッチのグルーブの場合でもランド部分に平坦部を持たせ
ることができる。ここに、トラックピッチが０．６〜
１．０μｍの範囲内、半値幅が０．２〜０．６μｍの範
囲内という数値範囲は、ＤＶＤ等の規格に準じた狭トラ
ックピッチ仕様の一般的な規格範囲を意味する。According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical disc master having a track pitch of 0.6 to 1.0 μm.
m, the half width is in the range of 0.2 to 0.6 μm, and the inclination angle in the half width portion is in the range of 71 to 90 °. Accordingly, since the inclination angle at the half width portion of the groove is defined within the range of 71 to 90 °, even in the case of the groove having a narrow track pitch such as within the range of 0.6 to 1.0 μm, the flat portion is formed on the land portion. Can be provided. Here, the track pitch is 0.6 ~
A numerical value range of 1.0 μm and a half value width of 0.2 to 0.6 μm means a general specification range of a narrow track pitch specification conforming to a standard such as a DVD.

【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の光
ディスク用原盤の作製方法であって、ガラス基盤上にこ
のガラス基盤とは異なる屈折率の透明膜による第１層と
フォトレジストによる第２層とが順に積層され、前記第
２層の膜厚とこの第２層を露光する露光光の波長とに対
してこの露光光の反射が強くなるように前記第１層の膜
厚が設定されたレジスト盤に対して、前記波長の露光光
で露光した後、現像することによりグルーブを作製する
ようにした。従って、請求項１記載の光ディスク用原盤
を作製する上で、フォトレジストによる第２層とガラス
基盤との間に露光光の波長に対してその露光光の反射率
を強める膜厚に設定された透明膜による第１層を有する
レジスト盤を用いているので、第２層の第１層に近い部
分での露光強度を強めることができ、この結果、第２層
の第１層に近い部分の露光量が大きくなり、第１層を有
しない場合に比して、第２層底部の幅が広がってグルー
ブの傾斜角が急峻となる。このように、グルーブの傾斜
角を大きくして７１〜９０°の範囲内となるようにする
ことができ、目的とする狭トラックピッチの光ディスク
用原盤を作製できる。ここに、第１層を形成する透明膜
の屈折率は、ガラス基盤の屈折率と異なっていれば、透
明材として一般的な１．２〜２．７なる範囲内でよい。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical disk master according to the first aspect, wherein a first layer of a transparent film having a refractive index different from that of the glass substrate and a first layer of a photoresist are formed on the glass substrate. The two layers are sequentially stacked, and the thickness of the first layer is set so that the reflection of the exposure light becomes stronger with respect to the thickness of the second layer and the wavelength of the exposure light for exposing the second layer. The exposed resist disk was exposed to exposure light having the above wavelength, and then developed to form a groove. Accordingly, in manufacturing the optical disc master according to the first aspect, the film thickness is set between the second layer of the photoresist and the glass substrate so as to enhance the reflectance of the exposure light with respect to the wavelength of the exposure light. Since the resist disk having the first layer of the transparent film is used, the exposure intensity in the portion of the second layer close to the first layer can be increased, and as a result, the portion of the second layer close to the first layer can be increased. The exposure amount becomes large, and the width of the bottom of the second layer becomes wider and the inclination angle of the groove becomes steeper than when the first layer is not provided. In this manner, the inclination angle of the groove can be increased to fall within the range of 71 to 90 °, and the target optical disk master having a narrow track pitch can be manufactured. Here, as long as the refractive index of the transparent film forming the first layer is different from the refractive index of the glass substrate, it may be in a range of 1.2 to 2.7 which is a general transparent material.

【００１０】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発
明の光ディスク用原盤の作製方法であって、レジスト盤
における第１層は、露光光の反射率が１０％以上となる
ように露光光の反射を強める。従って、レジスト盤に第
１層を設けることにより露光光の反射率を１０％以上に
強めているので、グルーブの傾斜角を確実に７１〜９０
°の範囲内にすることができる。According to a third aspect of the present invention, there is provided the method of manufacturing an optical disk master according to the second aspect of the invention, wherein the first layer of the resist disk is exposed so that the reflectance of the exposure light is 10% or more. Enhances light reflection. Therefore, since the reflectivity of the exposure light is increased to 10% or more by providing the first layer on the resist disk, the inclination angle of the groove can be reliably set to 71 to 90.
° can be in the range.

【００１１】ここに、レジスト盤における第１層が露光
光の反射率を１０％以上に高めるための第１層の膜厚及
び屈折率は、第２層側の膜厚やこの第２層を露光する露
光光の波長に基づき決定されるもので、その具体例とし
ては、例えば、請求項４ないし３９に例示するような数
値範囲の層構成とすることにより、目的が達成される。
ここで、請求項４ないし２１に共通な露光光の波長４５
７．８ｎｍ、請求項２２ないし３９に共通な露光光の波
長４１３ｎｍは光ディスク原盤露光用として最も一般的
な数値を意味している。Here, the film thickness and the refractive index of the first layer for the first layer in the resist disk to increase the reflectance of the exposure light to 10% or more are determined by the film thickness on the second layer side and the second layer. It is determined based on the wavelength of the exposure light to be exposed. As a specific example, the object can be achieved by a layer configuration having a numerical range as exemplified in claims 4 to 39.
Here, the wavelength 45 of the exposure light common to claims 4 to 21 is used.
7.8 nm, the wavelength of 413 nm of the exposure light common to claims 22 to 39, means the most common numerical value for exposing an optical disc master.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１ない
し図４２に基づいて説明する。図１に本実施の形態にお
ける光ディスク用原盤１１におけるグルーブ断面構造を
模式的に示す。この光ディスク用原盤１１のグルーブ１
２は、例えば、ＤＶＤ規格に合わせて、トラックピッチ
Ｔｐが０．８μｍ（０．６〜１．０μｍの範囲内の中間
値＝代表値）、半値幅Ｔｈが０．３２５（０．２〜０．
６μｍの範囲内の値）に設定されている他、その半値幅
部分での傾斜角θが７１〜９０°の範囲内の値に設定さ
れている。これにより、ランド１３部分に平坦部を有す
る断面台形状に形成されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 schematically shows a groove cross-sectional structure of an optical disk master 11 according to the present embodiment. Groove 1 of this optical disk master 11
2, the track pitch Tp is 0.8 μm (intermediate value in the range of 0.6 to 1.0 μm = representative value), and the half width Th is 0.325 (0.2 to 0) in accordance with the DVD standard, for example. .
(A value within a range of 6 μm), and the inclination angle θ in the half width portion is set to a value within a range of 71 to 90 °. Thereby, it is formed in a trapezoidal cross section having a flat portion in the land 13 portion.

【００１３】このような光ディスク用原盤１１は原盤露
光機において所定の波長の露光光を用いて露光した後、
現像することにより作製されるが、図１に示すような諸
元の光ディスク用原盤１１とするため、本実施の形態で
は、ガラス基盤上に直接フォトレジスト膜を形成せず、
透明膜による第１層が介在されて、フォトレジスト膜に
よる第２層が積層形成された原盤が用いられている。Such an optical disk master 11 is exposed by using an exposure light of a predetermined wavelength in a master exposure machine,
Although produced by development, in order to obtain the optical disc master 11 having the specifications as shown in FIG. 1, in the present embodiment, a photoresist film is not directly formed on the glass base, but
A master is used in which a first layer made of a transparent film is interposed and a second layer made of a photoresist film is laminated.

【００１４】通常、この種の原盤にあっては、ガラス基
盤上にフォトレジスト膜が直接形成され、このフォトレ
ジスト膜を露光するために適当の波長の露光光を照射す
るが、このときの光の反射は、露光光の波長、フォトレ
ジスト膜の屈折率及びその膜厚、ガラス基盤の屈折率に
より決まる。例えば、露光光の波長を４５７．８ｎｍ及
び４１３ｎｍ、ガラス基盤の屈折率を１．５１５、フォ
トレジスト膜の屈折率を１．６５として、フォトレジス
トの膜厚〔Å〕に対する反射率〔％〕を計算した結果を
図２に示す。図２に示す特性によれば、反射率が約４〜
８％の範囲で変動しており、かつ、ある程度周期的に変
動していることがわかる。何れにしても、ガラス基盤上
にフォトレジスト膜が直接形成されている原盤では、露
光光に対する反射率があまり高くないのがわかる。Usually, in this type of master, a photoresist film is formed directly on a glass substrate, and exposure light having an appropriate wavelength is applied to expose the photoresist film. Is determined by the wavelength of the exposure light, the refractive index and thickness of the photoresist film, and the refractive index of the glass substrate. For example, assuming that the wavelength of the exposure light is 457.8 nm and 413 nm, the refractive index of the glass substrate is 1.515, the refractive index of the photoresist film is 1.65, and the reflectance [%] with respect to the thickness [Å] of the photoresist is The calculated result is shown in FIG. According to the characteristics shown in FIG.
It can be seen that it fluctuates in the range of 8% and periodically fluctuates to some extent. In any case, it can be seen that the original disk in which the photoresist film is directly formed on the glass substrate does not have a very high reflectance to exposure light.

【００１５】この点、本実施の形態のように、フォトレ
ジストによる第２層とガラス基盤との間に透明膜による
第１層を設けることにより、第２層中で第１層に近い部
分での露光強度を強めることができる。この結果、第２
層の第１層に近い部分の露光量が大きくなり、第２層底
部の幅が広がってグルーブ１２の傾斜角θが急峻とな
る。これにより、露光・現像工程を経て作製されるグル
ーブ１２の傾斜角θを大きくして７１〜９０°の範囲内
となるようにすることができ、目的とする狭トラックピ
ッチの光ディスク用原盤１１を作製できることになる。In this regard, as in the present embodiment, by providing the first layer made of a transparent film between the second layer made of photoresist and the glass substrate, a portion of the second layer close to the first layer can be formed. Can be increased. As a result, the second
The exposure amount of the portion near the first layer of the layer increases, the width of the bottom of the second layer increases, and the inclination angle θ of the groove 12 becomes steep. This makes it possible to increase the inclination angle θ of the groove 12 produced through the exposure and development steps so as to fall within the range of 71 to 90 °, and to achieve the target optical disk master 11 having a narrow track pitch. It can be manufactured.

【００１６】実際は、フォトレジストによる第２層の膜
厚や露光光の波長により、透明膜による第１層の屈折率
と膜厚とが決められる。ここで、第２層の膜厚及び第１
層の屈折率と膜厚とを段階的に変えた場合の反射率を求
めた結果を図４ないし図４１に示す。この場合の計算式
について説明する。図３に示すような、ガラス基盤１４
（複素屈折率ｎ0*）上に透明膜による第１層１５（複素
屈折率ｎ1*，膜厚ｄ1）、フォトレジストによる第２層
１６（複素屈折率ｎ2*，膜厚ｄ2 ）を積層させてなる原
盤１７に波長λの露光光を空気中（複素屈折率ｎ3*）で
照射した場合、ガラス基盤１４・第１層１５間、第１層
１５・第２層１６間、第２層１６・空気間の各境界面で
のフレネル係数ｒ01* ，ｒ12* ，ｒ23* は、フレ
ネルの法則に従い、ｒ01 * ＝（ｎ1*−ｎ0*）／（ｎ1*＋ｎ0*）ｒ12 * ＝（ｎ2*−ｎ1*）／（ｎ2*＋ｎ1*）ｒ23 * ＝（ｎ3*−ｎ2*）／（ｎ3*＋ｎ2*） で示される。よって、波長λの露光光が第２層１６に対
して垂直に入射した場合の反射率Ｒは、 Ｒ＝｜Ｒ23* ｜2 で求められる。ただし、Ｒ23 *＝{ｒ23*＋Ｒ12*・exp(−ｉδ2*)}／{１＋
ｒ23*・Ｒ12*・exp(−ｉδ2*) δ2* ＝４πｎ2*ｄ2／λＲ12 *＝{ｒ12*＋ｒ01*・exp(−ｉδ1*)}／{１＋
ｒ12*・ｒ01*・exp(−ｉδ1*) δ1* ＝４πｎ1*ｄ1／λ である。Actually, the refractive index and the thickness of the first layer made of a transparent film are determined by the thickness of the second layer made of a photoresist and the wavelength of exposure light. Here, the thickness of the second layer and the first layer
FIG. 4 to FIG. 41 show the results of determining the reflectance when the refractive index and the film thickness of the layer are changed stepwise. The calculation formula in this case will be described. Glass substrate 14 as shown in FIG.
On the (complex refractive index n 0 *), a first layer 15 (complex refractive index n 1 *, film thickness d 1 ) made of a transparent film and a second layer 16 made of photoresist (complex refractive index n 2 *, film thickness d 2) ) Is irradiated in the air (complex refractive index n 3 *) with the exposure light having the wavelength λ between the glass substrate 14 and the first layer 15 and between the first layer 15 and the second layer 16. The Fresnel coefficients r 01 *, r 12 *, and r 23 * at each boundary surface between the second layer 16 and the air are given by r 01 * = (n 1 * −n 0 *) / (n 1 * + n 0 *) r 12 * = (n 2 * -n 1 *) / (n 2 * + n 1 *) r 23 * = (n 3 * -n 2 *) / (n 3 * + n 2 *) Indicated by Therefore, the reflectance R when the exposure light having the wavelength λ is perpendicularly incident on the second layer 16 can be obtained by R = | R 23 * | 2 . Where R 23 * = {r 23 * + R 12 * exp (−iδ 2 *)} / {1+
r 23 * · R 12 * · exp (−iδ 2 *) δ 2 * = 4πn 2 * d 2 / λR 12 * = {r 12 * + r 01 * exp (−iδ 1 *)} / {1+
r 12 * · r 01 * · exp (−iδ 1 *) δ 1 * = 4πn 1 * d 1 / λ

【００１７】また、本実施の形態では、上記計算式によ
る算出に際して、用いる露光光の波長λは、この種の光
ディスク用原盤露光機で最も一般的に用いられているＡ
ｒレーザを想定した４５７．８ｎｍ（図４〜図２２の場
合）と、Ｋｒレーザを想定した４１３ｎｍ（図２３〜図
４１の場合）とした。また、可変させる第２層１６の膜
厚も現行のＣＤ等のグルーブ深さ等を考慮して、４００
〜２２００Åの範囲で１００Å刻みとした。Further, in the present embodiment, the wavelength λ of the exposure light used in the calculation by the above-described formula is A, which is the most commonly used in this type of optical disk master exposure apparatus.
457.8 nm (in the case of FIGS. 4 to 22) assuming an r laser, and 413 nm (in the case of FIGS. 23 to 41) assuming a Kr laser. The thickness of the variable second layer 16 is also set to 400 in consideration of the current groove depth of a CD or the like.
In the range of ２2200 °, the interval was 100 °.

【００１８】図４は第２層（フォトレジスト膜）１６の
膜厚を４００Åとした場合の計算結果、図５は第２層１
６の膜厚を５００Åとした場合の計算結果を示す。両図
によれば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚４００〜
５００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得
るには、第１層１５の屈折率が２．０〜２．１の範囲内
であって、かつ、第１層１５の膜厚が１２０〜３４０Å
の範囲内であることがわかる。FIG. 4 is a calculation result when the thickness of the second layer (photoresist film) 16 is 400 °, and FIG.
6 shows the calculation results when the film thickness of No. 6 was set to 500 °. According to both figures, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 400 to 400 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of 500 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 2.0 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is 120-340Å
It can be seen that it is within the range.

【００１９】図６は第２層１６の膜厚を６００Åとした
場合の計算結果を示す。図５及び図６によれば、波長４
５７．８ｎｍ、第２層の膜厚５００〜６００Åの範囲内
なる条件下で、反射率１０％以上を得るには、第１層１
５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であって、かつ、
第１層１５の膜厚が６８０〜１２８０Åの範囲内である
ことがわかる。FIG. 6 shows a calculation result when the thickness of the second layer 16 is set to 600 °. According to FIG. 5 and FIG.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under a condition of 57.8 nm and a thickness of the second layer of 500 to 600 °, the first layer 1
5, the refractive index is in the range of 1.3 to 1.4, and
It can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 680-1280 °.

【００２０】図７は第２層１６の膜厚を７００Åとした
場合の計算結果を示す。図６及び図７によれば、波長４
５７．８ｎｍ、第２層の膜厚６００〜７００Åの範囲内
なる条件下で、反射率１０％以上を得るには、第１層１
５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であって、かつ、
第１層１５の膜厚が４７０〜１２６０Åの範囲内である
ことがわかる。FIG. 7 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 700 °. According to FIG. 6 and FIG.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of 57.8 nm and the thickness of the second layer in the range of 600 to 700 °, the first layer 1
5, the refractive index is in the range of 1.3 to 1.4, and
It can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 470 to 1260 °.

【００２１】図８は第２層１６の膜厚を８００Åとした
場合の計算結果を示す。図７及び図８によれば、波長４
５７．８ｎｍ、第２層の膜厚７００〜８００Åの範囲内
なる条件下で、反射率１０％以上を得るには、第１層１
５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であって、かつ、
第１層１５の膜厚が３５０〜１１３０Åの範囲内である
ことがわかる。FIG. 8 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 800 °. According to FIG. 7 and FIG.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of 57.8 nm and a thickness of the second layer of 700 to 800 °, the first layer 1
5, the refractive index is in the range of 1.3 to 1.4, and
It can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 350 to 1130 °.

【００２２】図９は第２層１６の膜厚を９００Åとした
場合の計算結果を示す。図８及び図９によれば、波長４
５７．８ｎｍ、第２層の膜厚８００〜９００Åの範囲内
なる条件下で、反射率１０％以上を得るには、第１層１
５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であって、かつ、
第１層１５の膜厚が３５０〜９１０Åの範囲内であるこ
とがわかる。FIG. 9 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 900 °. According to FIG. 8 and FIG.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of 57.8 nm and the thickness of the second layer in the range of 800 to 900 °, the first layer 1
5, the refractive index is in the range of 1.3 to 1.4, and
It can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 350 to 910 °.

【００２３】図１０は第２層１６の膜厚を１０００Åと
した場合の計算結果を示す。図９及び図１０によれば、
波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚９００〜１０００Å
の範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るには、
第１層１５の屈折率が２．０〜２．１の範囲内であっ
て、かつ、第１層１５の膜厚が７７０〜１０００Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 10 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1000 °. According to FIGS. 9 and 10,
Wavelength 457.8 nm, thickness of second layer 900 to 1000 °
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of
It can be seen that the refractive index of the first layer 15 is in the range of 2.0 to 2.1, and the thickness of the first layer 15 is in the range of 770 to 1000 °.

【００２４】図１１は第２層１６の膜厚を１１００Åと
した場合の計算結果を示す。図１０及び図１１によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚１０００〜１１
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．９〜２．１の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が７００〜１０００Å
の範囲内であることがわかる。FIG. 11 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1100 °. According to FIGS. 10 and 11, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 1000 to 11 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.9 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is But 700-1000Å
It can be seen that it is within the range.

【００２５】図１２は第２層１６の膜厚を１２００Åと
した場合の計算結果を示す。図１１及び図１２によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚１１００〜１２
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が６９０〜９７０Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 12 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1200 °. According to FIGS. 11 and 12, the wavelength is 457.8 nm and the thickness of the second layer is 1100 to 12
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 690 to 970 °.

【００２６】図１３は第２層１６の膜厚を１３００Åと
した場合の計算結果を示す。図１２及び図１３によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚１２００〜１３
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が５６０〜９４０Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 13 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1300 °. According to FIGS. 12 and 13, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 1200 to 13 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 560 to 940 °.

【００２７】図１４は第２層１６の膜厚を１４００Åと
した場合の計算結果を示す。図１３及び図１４によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚１３００〜１４
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が４５０〜８９０Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 14 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1400 °. According to FIGS. 13 and 14, the wavelength is 457.8 nm and the thickness of the second layer is 1300 to 14
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 450 to 890 °.

【００２８】図１５は第２層１６の膜厚を１５００Åと
した場合の計算結果を示す。図１４及び図１５によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚１４００〜１５
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が３７０〜８００Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 15 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1500 °. According to FIGS. 14 and 15, the wavelength is 457.8 nm and the thickness of the second layer is 1400 to 15 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 370-800 °.

【００２９】図１６は第２層１６の膜厚を１６００Åと
した場合の計算結果を示す。図１５及び図１６によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚１５００〜１６
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が３００〜６９０Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 16 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1600 °. According to FIGS. 15 and 16, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 1500 to 16 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 300 to 690 °.

【００３０】図１７は第２層１６の膜厚を１７００Åと
した場合の計算結果を示す。図１６及び図１７によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚１６００〜１７
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が２５０〜５４０Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 17 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1700 °. According to FIGS. 16 and 17, the wavelength is 457.8 nm and the thickness of the second layer is 1600 to 17
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 250 to 540 °.

【００３１】図１８は第２層１６の膜厚を１８００Åと
した場合の計算結果を示す。図１７及び図１８によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚１７００〜１８
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．９〜２．１の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が１５０〜４６０Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 18 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1800 °. According to FIGS. 17 and 18, the wavelength is 457.8 nm, and the film thickness of the second layer is 1700-18.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.9 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 150 to 460 °.

【００３２】図１９は第２層１６の膜厚を１９００Åと
した場合の計算結果を示す。図１８及び図１９によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚１８００〜１９
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が２．０〜２．１の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が１３０〜３１０Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 19 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1900 °. According to FIGS. 18 and 19, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 1800 to 19
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 2.0 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 130 to 310 °.

【００３３】図２０は第２層１６の膜厚を２０００Åと
した場合の計算結果を示す。図１９及び図２０によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚１９００〜２０
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が６５０〜１２９０Å
の範囲内であることがわかる。FIG. 20 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2000 °. According to FIGS. 19 and 20, the wavelength is 457.8 nm, the thickness of the second layer is 1900 to 20 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4 and the thickness of the first layer 15 is Is 650 ~ 1290Å
It can be seen that it is within the range.

【００３４】図２１は第２層１６の膜厚を２１００Åと
した場合の計算結果を示す。図２０及び図２１によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚２０００〜２１
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が４５０〜１２５０Å
の範囲内であることがわかる。FIG. 21 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2100 °. According to FIGS. 20 and 21, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 2000 to 21.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4 and the thickness of the first layer 15 is Is 450 ~ 1250Å
It can be seen that it is within the range.

【００３５】図２２は第２層１６の膜厚を２２００Åと
した場合の計算結果を示す。図２１及び図２２によれ
ば、波長４５７．８ｎｍ、第２層の膜厚２１００〜２２
００Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得る
には、第１層１５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内で
あって、かつ、第１層１５の膜厚が３４０〜１１１０Å
の範囲内であることがわかる。FIG. 22 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2200 °. According to FIGS. 21 and 22, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 2100 to 2200.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4 and the thickness of the first layer 15 is Is 340-1110Å
It can be seen that it is within the range.

【００３６】図２３は第２層１６の膜厚を４００Åとし
た場合の計算結果、図２４は第２層１６の膜厚を５００
Åとした場合の計算結果を示す。両図によれば、波長４
１３ｎｍ、第２層の膜厚４００〜５００Åの範囲内なる
条件下で、反射率１０％以上を得るには、第１層１５の
屈折率が１．３〜１．４の範囲内であって、かつ、第１
層１５の膜厚が７８０〜１０９０Åの範囲内であること
がわかる。FIG. 23 is a calculation result when the thickness of the second layer 16 is set to 400 °, and FIG.
The calculation result when Å is shown. According to both figures, the wavelength 4
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of 13 nm and a thickness of the second layer of 400 to 500 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4. And the first
It can be seen that the thickness of layer 15 is in the range of 780-1090 °.

【００３７】図２５は第２層１６の膜厚を６００Åとし
た場合の計算結果を示す。図２４及び図２５によれば、
波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚５００〜６００Åの範囲
内なる条件下で、反射率１０％以上を得るには、第１層
１５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であって、か
つ、第１層１５の膜厚が５００〜１１６０Åの範囲内で
あることがわかる。FIG. 25 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is set to 600 °. According to FIGS. 24 and 25,
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of a wavelength of 413 nm and a thickness of the second layer of 500 to 600 °, the refractive index of the first layer 15 must be in the range of 1.3 to 1.4. Further, it can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 500 to 1160 °.

【００３８】図２６は第２層１６の膜厚を７００Åとし
た場合の計算結果を示す。図２５及び図２６によれば、
波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚６００〜７００Åの範囲
内なる条件下で、反射率１０％以上を得るには、第１層
１５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であって、か
つ、第１層１５の膜厚が３５０〜１０５０Åの範囲内で
あることがわかる。FIG. 26 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 700 °. According to FIGS. 25 and 26,
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition that the wavelength is 413 nm and the thickness of the second layer is in the range of 600 to 700 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4. Further, it can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 350 to 1050 °.

【００３９】図２７は第２層１６の膜厚を８００Åとし
た場合の計算結果を示す。図２６及び図２７によれば、
波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚７００〜８００Åの範囲
内なる条件下で、反射率１０％以上を得るには、第１層
１５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であって、か
つ、第１層１５の膜厚が３１０〜８５０Åの範囲内であ
ることがわかる。FIG. 27 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 800 °. According to FIGS. 26 and 27,
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of a wavelength of 413 nm and a thickness of the second layer of 700 to 800 °, the refractive index of the first layer 15 must be in the range of 1.3 to 1.4. Further, it can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 310 to 850 °.

【００４０】図２８は第２層１６の膜厚を９００Åとし
た場合の計算結果を示す。図２７及び図２８によれば、
波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚８００〜９００Åの範囲
内なる条件下で、反射率１０％以上を得るには、第１層
１５の屈折率が２．０〜２．１の範囲内であって、か
つ、第１層１５の膜厚が７３０〜９００Åの範囲内であ
ることがわかる。FIG. 28 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 900 °. According to FIGS. 27 and 28,
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the conditions of a wavelength of 413 nm and a thickness of the second layer of 800 to 900 °, the refractive index of the first layer 15 must be in the range of 2.0 to 2.1. Further, it can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 730 to 900 °.

【００４１】図２９は第２層１６の膜厚を１０００Åと
した場合の計算結果を示す。図２８及び図２９によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚９００〜１０００Å
の範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るには、
第１層１５の屈折率が１．９〜２．１の範囲内であっ
て、かつ、第１層１５の膜厚が６４０〜９００Åの範囲
内であることがわかる。FIG. 29 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1000 °. According to FIGS. 28 and 29, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 900 to 1000 °.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of
It can be seen that the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.9 to 2.1, and the thickness of the first layer 15 is in the range of 640 to 900 °.

【００４２】図３０は第２層１６の膜厚を１１００Åと
した場合の計算結果を示す。図２９及び図３０によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚１０００〜１１００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が６１０〜８７０Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 30 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1100 °. According to FIGS. 29 and 30, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is from 1000 to 1100.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 610 to 870 °.

【００４３】図３１は第２層１６の膜厚を１２００Åと
した場合の計算結果を示す。図３０及び図３１によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚１１００〜１２００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が４８０〜８４０Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 31 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1200 °. According to FIGS. 30 and 31, the wavelength is 413 nm and the thickness of the second layer is 1100 to 1200.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 480-840 °.

【００４４】図３２は第２層１６の膜厚を１３００Åと
した場合の計算結果を示す。図３１及び図３２によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚１２００〜１３００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が３８０〜７７０Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 32 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1300 °. According to FIGS. 31 and 32, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1200 to 1300.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 380-770 °.

【００４５】図３３は第２層１６の膜厚を１４００Åと
した場合の計算結果を示す。図３２及び図３３によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚１３００〜１４００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が３００〜６７０Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 33 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1400 °. According to FIGS. 32 and 33, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1300 to 1400.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 300 to 670 °.

【００４６】図３４は第２層１６の膜厚を１５００Åと
した場合の計算結果を示す。図３３及び図３４によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚１４００〜１５００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が１．８〜２．１の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が２５０〜５４０Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 34 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1500 °. According to FIGS. 33 and 34, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1400 to 1500.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 250 to 540 °.

【００４７】図３５は第２層１６の膜厚を１６００Åと
した場合の計算結果を示す。図３４及び図３４によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚１５００〜１６００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が１．９〜２．１の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が１５０〜４６０Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 35 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1600 °. According to FIGS. 34 and 34, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1500 to 1600.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.9 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 150 to 460 °.

【００４８】図３６は第２層１６の膜厚を１７００Åと
した場合の計算結果を示す。図３５及び図３６によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚１６００〜１７００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が２．０〜２．１の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が１１０〜３１０Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 36 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1700 °. According to FIGS. 35 and 36, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1600 to 1700.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 2.0 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 110 to 310 °.

【００４９】図３７は第２層１６の膜厚を１８００Åと
した場合の計算結果を示す。図３６及び図３７によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚１７００〜１８００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が６２０〜１１６０Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 37 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1800 °. According to FIGS. 36 and 37, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1700 to 1800.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4, and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 620 to 1160 °.

【００５０】図３８は第２層１６の膜厚を１９００Åと
した場合の計算結果を示す。図３７及び図３８によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚１８００〜１９００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が４２０〜１１２０Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 38 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1900 °. According to FIGS. 37 and 38, the wavelength is 413 nm and the thickness of the second layer is 1800 to 1900.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4, and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 420 to 1120 °.

【００５１】図３９は第２層１６の膜厚を２０００Åと
した場合の計算結果を示す。図３８及び図３９によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚１９００〜２０００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が３１０〜９７０Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 39 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2000 °. 38 and 39, the wavelength is 413 nm and the thickness of the second layer is 1900 to 2000.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4, and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 310 to 970 °.

【００５２】図４０は第２層１６の膜厚を２１００Åと
した場合の計算結果を示す。図３９及び図４０によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚２０００〜２１００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が１．３〜１．４の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が３７０〜７００Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 40 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2100 °. According to FIGS. 39 and 40, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is from 2000 to 2100.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4, and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 370 to 700 °.

【００５３】図４１は第２層１６の膜厚を２２００Åと
した場合の計算結果を示す。図４０及び図４１によれ
ば、波長４１３ｎｍ、第２層の膜厚２１００〜２２００
Åの範囲内なる条件下で、反射率１０％以上を得るに
は、第１層１５の屈折率が２．０〜２．１の範囲内であ
って、かつ、第１層１５の膜厚が６３０〜９００Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 41 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2200 °. According to FIGS. 40 and 41, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 2100 to 2200.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 2.0 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is within the range of 630 to 900 °.

【００５４】なお、これらの例示した諸元は、具体的層
構成の一例を示すに過ぎず、例えば、第２層１６の膜厚
の可変ステップを変えれば（本実施の形態では、１００
Å刻みとした）、それに応じて第１層１５側の屈折率及
び膜厚に関する適正範囲も変動し、また、用いる露光光
の波長を変えた場合にもそれに応じて第１層１５側の屈
折率及び膜厚に関する適正範囲も変動する。The above-mentioned specifications are merely examples of the specific layer structure. For example, if the step of changing the thickness of the second layer 16 is changed (in the present embodiment, 100
Accordingly, the appropriate range of the refractive index and the film thickness on the first layer 15 side also fluctuates, and the refraction on the first layer 15 side also changes when the wavelength of the exposure light used is changed. Appropriate ranges for the rate and film thickness also vary.

【００５５】[0055]

【実施例】まず、露光光の波長が４５７．８ｎｍの場合
の具体例を第一〜三の実施例及び比較例１〜３として説
明する。First, specific examples in which the wavelength of exposure light is 457.8 nm will be described as first to third examples and comparative examples 1 to 3.

【００５６】本発明の第一の実施例を説明する。屈折率
が約２．０のＩｎ2Ｏ3なる透明膜をスパッタリング法に
より第１層としてガラス基盤上に膜厚４００Åで形成し
た後、このＩｎ2Ｏ3膜の表面をＨＭＤＳ処理し、その上
にフォトレジスト（ＴＳＭＲ‐８９００、東京応化製）
を第２層としてスピンコート法により膜厚１７００Åで
形成した。この場合、計算上の反射率は１５．９％とな
る。このように作製されたレジスト盤を波長４５７．８
ｎｍの露光光で露光し、現像した結果、半値幅Ｔｈが約
０．３２μｍで傾斜角θが約８０°で、ランド１３部分
が平坦となるグルーブ１２が作製できたものである。A first embodiment of the present invention will be described. After forming a transparent film of In 2 O 3 having a refractive index of about 2.0 as a first layer on a glass substrate by sputtering at a thickness of 400 °, the surface of the In 2 O 3 film is subjected to HMDS treatment. Photoresist (TSMR-8900, manufactured by Tokyo Ohka)
Was formed as a second layer by spin coating at a film thickness of 1700 °. In this case, the calculated reflectance is 15.9%. The resist disk thus prepared was subjected to a wavelength of 457.8.
A groove 12 having a half width Th of about 0.32 μm, an inclination angle θ of about 80 °, and a flat land 13 was produced as a result of exposure and development with exposure light of nm.

【００５７】本発明の第二の実施例を説明する。屈折率
が約１．４のＭｇＦ2 なる透明膜をスパッタリング法に
より第１層としてガラス基盤上に膜厚４００Åで形成し
た後、このＭｇＦ2 膜の表面をＨＭＤＳ処理し、その上
にフォトレジスト（ＴＳＭＲ‐Ｖ３、東京応化製）を第
２層としてスピンコート法により膜厚２２００Åで形成
した。この場合、計算上の反射率は１０．８％となる。
このように作製されたレジスト盤を波長４５７．８ｎｍ
の露光光で露光し、現像した結果、半値幅Ｔｈが約０．
５２μｍで傾斜角θが約８０°で、ランド１３部分が平
坦となるグルーブ１２が作製できたものである。A second embodiment of the present invention will be described. After forming a transparent film made of MgF 2 having a refractive index of about 1.4 as a first layer on a glass substrate by sputtering at a thickness of 400 °, the surface of the MgF 2 film is subjected to HMDS treatment, and a photoresist ( TSMR-V3, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was formed as a second layer to a thickness of 2200 ° by spin coating. In this case, the calculated reflectance is 10.8%.
The resist disk manufactured in this manner was set at a wavelength of 457.8 nm.
And developed as a result, the half-value width Th is about 0.
The groove 12 having 52 μm, the inclination angle θ of about 80 °, and the land 13 portion being flat was produced.

【００５８】本発明の第三の実施例を説明する。屈折率
が約２．０のＩｎ2Ｏ3なる透明膜をスパッタリング法に
より第１層としてガラス基盤上に膜厚２００Åで形成し
た後、このＩｎ2Ｏ3膜の表面をＨＭＤＳ処理し、その上
にフォトレジスト（ＴＳＭＲ‐８９００、東京応化製）
を第２層としてスピンコート法により膜厚５００Åで形
成した。この場合、計算上の反射率は１０．８％とな
る。このように作製されたレジスト盤を波長４５７．８
ｎｍの露光光で露光し、現像した結果、半値幅Ｔｈが約
０．５５μｍで傾斜角θが約７５°で、ランド１３部分
が平坦となるグルーブ１２が作製できたものである。Next, a third embodiment of the present invention will be described. After forming a transparent film of In 2 O 3 having a refractive index of about 2.0 as a first layer on a glass substrate by a sputtering method with a thickness of 200 °, the surface of the In 2 O 3 film is subjected to HMDS treatment. Photoresist (TSMR-8900, manufactured by Tokyo Ohka)
Was formed as a second layer to a film thickness of 500 ° by spin coating. In this case, the calculated reflectance is 10.8%. The resist disk thus prepared was subjected to a wavelength of 457.8.
A groove 12 having a half width Th of about 0.55 μm, an inclination angle θ of about 75 °, and a flat land 13 was produced as a result of exposure and development with exposure light of nm.

【００５９】ちなみに、比較例１として、屈折率が約
２．０のＩｎ2Ｏ3なる透明膜をスパッタリング法により
ガラス基盤上に膜厚１００Åで形成した後、このＩｎ2
Ｏ3膜の表面をＨＭＤＳ処理し、その上にフォトレジス
ト（ＴＳＭＲ‐８９００、東京応化製）をスピンコート
法により膜厚１７００Åで形成した。この場合、計算上
の反射率は９．６％となる。このように作製されたレジ
スト盤を波長４５７．８ｎｍの露光光で露光し、現像し
た結果、半値幅Ｔｈが約０．３３μｍで傾斜角θが約７
０°のグルーブが作製されたものである。As a comparative example 1, a transparent film of In 2 O 3 having a refractive index of about 2.0 was formed on a glass substrate by sputtering at a film thickness of 100 °, and then this In 2 O 3 was formed.
The surface of the O 3 film was subjected to HMDS treatment, and a photoresist (TSMR-8900, manufactured by Tokyo Ohka) was formed thereon to a thickness of 1700 ° by spin coating. In this case, the calculated reflectance is 9.6%. The resist disk thus manufactured was exposed to exposure light having a wavelength of 457.8 nm and developed, and as a result, the half width Th was about 0.33 μm and the inclination angle θ was about 7
A groove of 0 ° is formed.

【００６０】また、比較例２として、屈折率が約２．０
のＩｎ2Ｏ3なる透明膜をスパッタリング法によりガラス
基盤上に膜厚８００Åで形成した後、このＩｎ2Ｏ3膜の
表面をＨＭＤＳ処理し、その上にフォトレジスト（ＴＳ
ＭＲ‐８９００、東京応化製）をスピンコート法により
膜厚１７００Åで形成した。この場合、計算上の反射率
は４．７３％となる。このように作製されたレジスト盤
を波長４５７．８ｎｍの露光光で露光し、現像した結
果、半値幅Ｔｈが約０．３３μｍで傾斜角θが約６０°
のグルーブが作製されたものである。As Comparative Example 2, the refractive index was about 2.0.
After forming a transparent film of In 2 O 3 on a glass substrate by sputtering at a thickness of 800 °, the surface of the In 2 O 3 film is subjected to HMDS treatment, and a photoresist (TS
MR-8900, manufactured by Tokyo Ohka) with a film thickness of 1700 ° by spin coating. In this case, the calculated reflectance is 4.73%. The resist disk thus produced was exposed to light having a wavelength of 457.8 nm and developed. As a result, the half width Th was about 0.33 μm and the inclination angle θ was about 60 °.
Are produced.

【００６１】さらに、比較例３として、ガラス基盤上に
フォトレジスト（ＴＳＭＲ‐８９００、東京応化製）を
スピンコート法により膜厚１７００Åで直接形成した。
この場合、計算上の反射率は５．９％となる。このよう
に作製されたレジスト盤を波長４５７．８ｎｍの露光光
で露光し、現像した結果、半値幅Ｔｈが約０．３１μｍ
で傾斜角θが約６８°のグルーブが作製されたものであ
る。Further, as Comparative Example 3, a photoresist (TSMR-8900, manufactured by Tokyo Ohka) was directly formed on a glass substrate to a film thickness of 1700 ° by spin coating.
In this case, the calculated reflectance is 5.9%. The resist disk thus manufactured was exposed to exposure light having a wavelength of 457.8 nm and developed, and as a result, the half width Th was about 0.31 μm.
And a groove having an inclination angle θ of about 68 ° was produced.

【００６２】これらの第一ないし第三の実施例及び比較
例１ないし３を総合すると、比較例１，２の結果によれ
ば、第１層１５を設けても反射率が１０％以下の場合に
は得られるグルーブの傾斜角が７０°以下で従来程度に
留まり、かつ、比較例３の結果によれば、第１層を設け
ない場合にはグルーブの傾斜角が約６８°に留まること
がわかる。これにより、反射率を１０％以上に強める第
１層１５を付加させることが重要であることがわかる。
また、波長４５７．８ｎｍの露光光は一般には、ＣＤ等
のトラックピッチＴｐが１．６μｍの場合に用いられて
おり、ＤＶＤのような狭トラックピッチの露光には向か
ないとされていたが、これらの実施例によれば、狭トラ
ックピッチの場合でも半値幅部分の傾斜角が７１°以上
となるグルーブを作製できることが分かる。When these first to third examples and comparative examples 1 to 3 are combined, the results of comparative examples 1 and 3 show that even when the first layer 15 is provided, the reflectance is 10% or less. According to the result of Comparative Example 3, the inclination angle of the groove is kept at about 68 ° when the first layer is not provided. Recognize. This indicates that it is important to add the first layer 15 for increasing the reflectance to 10% or more.
Exposure light having a wavelength of 457.8 nm is generally used when the track pitch Tp of a CD or the like is 1.6 μm and is not suitable for exposure at a narrow track pitch such as a DVD. According to these examples, it can be seen that a groove having a half-width portion with an inclination angle of 71 ° or more can be manufactured even with a narrow track pitch.

【００６３】次に、露光光の波長が４１３ｎｍの場合の
具体例を第四，五の実施例及び比較例４，５として説明
する。一般に、波長４１３ｎｍのレーザ光はＤＶＤのマ
スタリング用として使用されている。Next, specific examples in which the wavelength of the exposure light is 413 nm will be described as fourth and fifth embodiments and comparative examples 4 and 5. Generally, laser light having a wavelength of 413 nm is used for mastering DVDs.

【００６４】本発明の第四の実施例を説明する。屈折率
が約２．０のＩｎ2Ｏ3なる透明膜をスパッタリング法に
より第１層としてガラス基盤上に膜厚１５０Åで形成し
た後、このＩｎ2Ｏ3膜の表面をＨＭＤＳ処理し、その上
にフォトレジスト（ＴＨＭＲ‐ｉＰ３３００、東京応化
製）を第２層としてスピンコート法により膜厚１６５０
Åで形成した。この場合、計算上の反射率は１１．３％
となる。このように作製されたレジスト盤を波長４１３
ｎｍの露光光で露光し、現像した結果、半値幅Ｔｈが約
０．３３μｍで傾斜角θが約８２°で、ランド１３部分
が平坦となるグルーブ１２が作製できたものである。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. After forming a transparent film of In 2 O 3 having a refractive index of about 2.0 as a first layer on a glass substrate by sputtering at a thickness of 150 °, the surface of the In 2 O 3 film is subjected to HMDS treatment, and The photoresist (THMR-iP3300, manufactured by Tokyo Ohka) is used as a second layer to a thickness of 1650 by spin coating
Å formed. In this case, the calculated reflectance is 11.3%
Becomes The resist disk thus manufactured was subjected to wavelength 413.
A groove 12 having a half width Th of about 0.33 μm, an inclination angle θ of about 82 °, and a flat land 13 was produced as a result of exposure and development with exposure light of nm.

【００６５】本発明の第五の実施例を説明する。屈折率
が約１．４のＭｇＦ2 なる透明膜をスパッタリング法に
より第１層としてガラス基盤上に膜厚８００Åで形成し
た後、このＭｇＦ2 膜の表面をＨＭＤＳ処理し、その上
にフォトレジスト（ＴＨＭＲ‐ｉＰ３３００、東京応化
製）を第２層としてスピンコート法により膜厚４２０Å
で形成した。この場合、計算上の反射率は１０．５％と
なる。このように作製されたレジスト盤を波長４１３ｎ
ｍの露光光で露光し、現像した結果、半値幅Ｔｈが約
０．３０μｍで傾斜角θが約８０°で、ランド１３部分
が平坦となるグルーブ１２が作製できたものである。Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. After forming a transparent film made of MgF 2 having a refractive index of about 1.4 as a first layer on a glass substrate by sputtering at a thickness of 800 °, the surface of the MgF 2 film is subjected to HMDS treatment, and a photoresist ( THMR-iP3300, manufactured by Tokyo Ohka) as the second layer and a thickness of 420 に よ り by spin coating.
Formed. In this case, the calculated reflectance is 10.5%. The resist disk manufactured in this manner was set to a wavelength of 413n.
As a result of exposure and development with exposure light of m, a groove 12 having a half width Th of about 0.30 μm, an inclination angle θ of about 80 °, and a flat land 13 was produced.

【００６６】ちなみに、比較例４として、ガラス基盤上
にフォトレジスト（ＴＨＭＲ‐ｉＰ３３００、東京応化
製）をスピンコート法により膜厚１６５０Åで形成し
た。この場合、計算上の反射率は７．０％となる。この
ように作製されたレジスト盤を波長４１３ｎｍの露光光
で露光し、現像した結果、半値幅Ｔｈが約０．３２μｍ
で傾斜角θが約６７°のグルーブが作製されたものであ
る。As a comparative example 4, a photoresist (THMR-iP3300, manufactured by Tokyo Ohka) was formed on a glass substrate by spin coating at a thickness of 1650 °. In this case, the calculated reflectivity is 7.0%. The resist disk thus manufactured was exposed to exposure light having a wavelength of 413 nm and developed, and as a result, the half width Th was about 0.32 μm.
And a groove having an inclination angle θ of about 67 ° was produced.

【００６７】また、比較例５として、ガラス基盤上にフ
ォトレジスト（ＴＨＭＲ‐ｉＰ３３００、東京応化製）
をスピンコート法により膜厚４２０Åで形成した。この
場合、計算上の反射率は７．２％となる。このように作
製されたレジスト盤を波長４１３ｎｍの露光光で露光
し、現像した結果、半値幅Ｔｈが約０．２８μｍで傾斜
角θが約３５°のグルーブが作製されたものである。As a comparative example 5, a photoresist (THMR-iP3300, manufactured by Tokyo Ohka) was formed on a glass substrate.
Was formed to a thickness of 420 ° by spin coating. In this case, the calculated reflectivity is 7.2%. The resist disk thus manufactured was exposed to light having a wavelength of 413 nm and developed, and as a result, a groove having a half width Th of about 0.28 μm and an inclination angle θ of about 35 ° was manufactured.

【００６８】これらの第四，五の実施例及び比較例４，
５を総合すると、比較例４，５の結果によれば、４１３
ｎｍの波長光を用いる場合も、第１層を設けない場合に
はグルーブの傾斜角を約７１°以上にするのが難しいこ
とがわかる。These fourth and fifth examples and comparative examples 4,
5, the results of Comparative Examples 4 and 5 indicate that 413
It can be seen that it is difficult to set the inclination angle of the groove to about 71 ° or more when the first layer is not provided even when the light having the wavelength of nm is used.

【００６９】[0069]

【発明の効果】請求項１記載の発明の光ディスク用原盤
によれば、トラックピッチが０．６〜１．０μｍの範囲
内、半値幅が０．２〜０．６μｍの範囲内、その半値幅
部分での傾斜角が７１〜９０°の範囲内となるグルーブ
を有しているので、０．６〜１．０μｍの範囲内といっ
た狭トラックピッチのグルーブの場合でもランド部分に
平坦部を持たせることができる。According to the master for an optical disk according to the first aspect of the present invention, the track pitch is in the range of 0.6 to 1.0 μm, the half width is in the range of 0.2 to 0.6 μm, and the half width is in the range. Since there is a groove having an inclination angle in the range of 71 to 90 ° at the portion, the land portion has a flat portion even in the case of a groove having a narrow track pitch such as in the range of 0.6 to 1.0 μm. be able to.

【００７０】請求項２記載の発明は、請求項１記載の光
ディスク用原盤の作製方法であって、ガラス基盤上にこ
のガラス基盤とは異なる屈折率の透明膜による第１層と
フォトレジストによる第２層とが順に積層され、前記第
２層の膜厚とこの第２層を露光する露光光の波長とに対
してこの露光光の反射が強くなるように前記第１層の膜
厚が設定されたレジスト盤に対して、前記波長の露光光
で露光した後、現像することによりグルーブを作製する
ようにしたので、第２層の第１層に近い部分での露光強
度を強めることができ、この結果、第２層の第１層に近
い部分の露光量が大きくなり、第１層を有しない場合に
比して、第２層底部の幅が広がってグルーブの傾斜角を
急峻にすることができ、よって、グルーブの傾斜角を大
きくして７１〜９０°の範囲内となるようにすることが
でき、目的とする狭トラックピッチの光ディスク用原盤
を作製することができる。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical disc master according to the first aspect, wherein a first layer of a transparent film having a refractive index different from that of the glass substrate and a first layer of a photoresist are formed on the glass substrate. The two layers are sequentially stacked, and the thickness of the first layer is set so that the reflection of the exposure light becomes stronger with respect to the thickness of the second layer and the wavelength of the exposure light for exposing the second layer. After the exposed resist disk is exposed to the exposure light having the above-described wavelength, the groove is produced by developing, so that the exposure intensity in the portion of the second layer close to the first layer can be increased. As a result, the exposure of the portion of the second layer close to the first layer is increased, and the width of the bottom of the second layer is widened and the inclination angle of the groove is steeper than when the first layer is not provided. Therefore, it is possible to increase the inclination angle of the groove to 71 to 9 ° can be made to be within a range of, it can be produced an optical disc master of the track pitch of interest.

【００７１】請求項３記載の発明によれば、請求項２記
載の発明の光ディスク用原盤の作製方法において、レジ
スト盤における第１層は、露光光の反射率が１０％以上
となるように露光光の反射を強めるようにしたので、グ
ルーブの傾斜角を確実に７１〜９０°の範囲内にするこ
とができる。According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing an optical disk master according to the second aspect of the present invention, the first layer on the resist disk is exposed so that the reflectance of the exposure light is 10% or more. Since the reflection of light is enhanced, the inclination angle of the groove can be reliably set in the range of 71 to 90 °.

【００７２】請求項４ないし３９記載の発明によれば、
第２層の膜厚と第２層に対する露光光の波長４５７．８
ｎｍ又は４１３ｎｍとの関連で第１層の屈折率と膜厚と
の適正範囲が明らかにされており、反射率を１０％以上
に強めるためのレジスト盤の層構成が明らかとなる。According to the invention of claims 4 to 39,
Thickness of second layer and wavelength of exposure light for second layer 457.8
The appropriate range of the refractive index and the film thickness of the first layer is clarified in relation to nm or 413 nm, and the layer constitution of the resist disk for increasing the reflectivity to 10% or more is clarified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の一実施の形態を示すグルーブ断面構造
の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a groove sectional structure showing an embodiment of the present invention.

【図２】ガラス基盤上のフォトレジストの反射率特性を
示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing a reflectance characteristic of a photoresist on a glass substrate.

【図３】レジスト盤の層構成を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a layer configuration of a resist board.

【図４】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜厚
が４００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of a second layer is 400 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図５】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜厚
が５００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 500 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図６】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜厚
が６００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing a calculation result example when the thickness of the second layer is 600 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図７】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜厚
が７００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 700 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図８】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜厚
が８００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 800 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図９】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜厚
が９００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 900 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図１０】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が１０００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 10 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1000 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図１１】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が１１００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 11 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1100 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図１２】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が１２００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 12 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1200 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図１３】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が１３００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 13 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1300 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図１４】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が１４００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 14 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1400 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図１５】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が１５００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 15 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1500 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図１６】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が１６００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 16 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1600 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図１７】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が１７００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 17 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1700 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図１８】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が１８００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 18 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1800 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図１９】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が１９００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 19 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1900 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図２０】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が２０００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 20 is a characteristic diagram showing a calculation result example when the thickness of the second layer is 2000 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図２１】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が２１００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 21 is a characteristic diagram illustrating an example of calculation results when the thickness of the second layer is 2100 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図２２】波長４５７．８ｎｍなる条件で、第２層の膜
厚が２２００Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 22 is a characteristic diagram showing a calculation result example when the thickness of the second layer is 2200 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.

【図２３】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
４００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 23 is a characteristic diagram showing a calculation result example when the thickness of the second layer is 400 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図２４】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
５００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 24 is a characteristic diagram showing a calculation result example when the thickness of the second layer is 500 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.

【図２５】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
６００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 25 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 600 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.

【図２６】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
７００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 26 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 700 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.

【図２７】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
８００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 27 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 800 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図２８】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
９００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 28 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 900 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図２９】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
１０００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 29 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1000 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.

【図３０】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
１１００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 30 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1100 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図３１】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
１２００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 31 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1200 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.

【図３２】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
１３００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 32 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1300 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.

【図３３】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
１４００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 33 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1400 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図３４】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
１５００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 34 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1500 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.

【図３５】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
１６００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 35 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1600 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図３６】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
１７００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 36 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1700 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図３７】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
１８００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 37 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1800 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図３８】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
１９００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 38 is a characteristic diagram illustrating an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1900 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.

【図３９】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
２０００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 39 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 2000 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図４０】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
２１００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 40 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 2100 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図４１】波長４１３ｎｍなる条件で、第２層の膜厚が
２２００Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 41 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 2200 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.

【図４２】ＣＤ‐Ｒ，ＣＤ‐ＲＷの一般的なグルーブ断
面構造を示す模式図である。FIG. 42 is a schematic view showing a general groove sectional structure of a CD-R or CD-RW.

【図４３】ＤＶＤ用の従来例を示すグルーブ断面構造の
模式図である。FIG. 43 is a schematic diagram of a groove sectional structure showing a conventional example for DVD.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１ 光ディスク用原盤 １２ グルーブ １４ ガラス基盤 １５ 第１層 １６ 第２層 Ｔｐ トラックピッチ Ｔｈ 半値幅 θ 傾斜角 11 Master Disc for Optical Disc 12 Groove 14 Glass Base 15 First Layer 16 Second Layer Tp Track Pitch Th Half Width θ Inclination Angle

Claims (39)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 トラックピッチが０．６〜１．０μｍの
範囲内、半値幅が０．２〜０．６μｍの範囲内、その半
値幅部分での傾斜角が７１〜９０°の範囲内となるグル
ーブを有することを特徴とする光ディスク用原盤。1. A track pitch in a range of 0.6 to 1.0 μm, a half width in a range of 0.2 to 0.6 μm, and an inclination angle in a half width range of 71 to 90 °. A master disc for an optical disc, characterized by having a groove. 【請求項２】 請求項１記載の光ディスク用原盤の作製
方法であって、ガラス基盤上にこのガラス基盤とは異な
る屈折率の透明膜による第１層とフォトレジストによる
第２層とが順に積層され、前記第２層の膜厚とこの第２
層を露光する露光光の波長とに対してこの露光光の反射
が強くなるように前記第１層の膜厚が設定されたレジス
ト盤に対して、前記波長の露光光で露光した後、現像す
ることによりグルーブを作製するようにしたことを特徴
とする光ディスク用原盤の作製方法。2. The method for producing an optical disk master according to claim 1, wherein a first layer of a transparent film having a refractive index different from that of the glass substrate and a second layer of a photoresist are sequentially laminated on the glass substrate. The thickness of the second layer and the second
After exposing with the exposure light of the wavelength, the resist disc in which the thickness of the first layer is set so that the reflection of the exposure light becomes stronger with respect to the wavelength of the exposure light for exposing the layer, A method for producing a master for an optical disk, characterized in that a groove is produced by performing the method. 【請求項３】 レジスト盤における第１層は、露光光の
反射率が１０％以上となるように露光光の反射を強める
ことを特徴とする請求項２記載の光ディスク用原盤の作
製方法。3. The method according to claim 2, wherein the first layer of the resist disc enhances the reflection of the exposure light so that the reflectivity of the exposure light is 10% or more. 【請求項４】 レジスト盤における第１層は、第２層の
膜厚が４００〜５００Åの範囲内でこの第２層を露光す
る露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折率が
２．０〜２．１の範囲内で膜厚が１２０〜３４０Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。4. The first layer in the resist disk has a refractive index of 2 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 400 to 500 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is in a range of 120 to 340 ° within a range of 0.0 to 2.1. 【請求項５】 レジスト盤における第１層は、第２層の
膜厚が５００〜６００Åの範囲内でこの第２層を露光す
る露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折率が
１．３〜１．４の範囲内で膜厚が６８０〜１２８０Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。5. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 500 to 600 °. 4. The method according to claim 3, wherein the film thickness is in the range of 680 to 1280 [deg.] Within the range of 0.3 to 1.4. 【請求項６】 レジスト盤における第１層は、第２層の
膜厚が６００〜７００Åの範囲内でこの第２層を露光す
る露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折率が
１．３〜１．４の範囲内で膜厚が４７０〜１２６０Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。6. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 600 to 700 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is within a range of 470 to 1260 ° within a range of 0.3 to 1.4. 【請求項７】 レジスト盤における第１層は、第２層の
膜厚が７００〜８００Åの範囲内でこの第２層を露光す
る露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折率が
１．３〜１．４の範囲内で膜厚が３５０〜１１３０Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。7. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 700 to 800 °. 4. The method according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a thickness within a range of 350 to 1130 ° within a range of 0.3 to 1.4. 【請求項８】 レジスト盤における第１層は、第２層の
膜厚が８００〜９００Åの範囲内でこの第２層を露光す
る露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折率が
１．３〜１．４の範囲内で膜厚が３５０〜９１０Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。8. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 800 to 900 °. 4. The method according to claim 3, wherein the film is formed to have a thickness within a range of 350 to 910 ° within a range of 0.3 to 1.4. 【請求項９】 レジスト盤における第１層は、第２層の
膜厚が９００〜１０００Åの範囲内でこの第２層を露光
する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折率が
２．０〜２．１の範囲内で膜厚が７７０〜１０００Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。9. The first layer in the resist disk has a refractive index of 2 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 900 to 1000 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is in a range of 770 to 1000 [deg.] Within a range of 0.0 to 2.1. 【請求項１０】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１０００〜１１００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．９〜２．１の範囲内で膜厚が７００〜１０００
Åの範囲内となるように形成されていることを特徴とす
る請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。10. The first layer of the resist disc has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1000 to 1100 °. The film thickness is 700 to 1000 within the range of 0.9 to 2.1.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of Å. 【請求項１１】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１１００〜１２００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．８〜２．１の範囲内で膜厚が６９０〜９７０Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。11. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1100 to 1200 °. The film thickness is 690 to 970 ° in the range of 0.8 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range described above. 【請求項１２】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１２００〜１３００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．８〜２．１の範囲内で膜厚が５６０〜９４０Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。12. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1200 to 1300 °. The film thickness is 560 to 940 ° within the range of 0.8 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of. 【請求項１３】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１３００〜１４００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．８〜２．１の範囲内で膜厚が４５０〜８９０Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。13. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1300 to 1400 °. The film thickness is 450 to 890 ° within the range of 0.8 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of. 【請求項１４】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１４００〜１５００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．８〜２．１の範囲内で膜厚が３７０〜８００Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。14. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1400 to 1500 °. The film thickness is 370-800Å within the range of 0.8-2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of. 【請求項１５】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１５００〜１６００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．８〜２．１の範囲内で膜厚が３００〜６９０Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。15. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1500 to 1600 °. The film thickness is 300 to 690 ° within the range of 0.8 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of. 【請求項１６】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１６００〜１７００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．８〜２．１の範囲内で膜厚が２５０〜５４０Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。16. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1600 to 1700 °. 0.8 to 2.1 in the range of 250 to 540 °
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of. 【請求項１７】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１７００〜１８００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．９〜２．１の範囲内で膜厚が１５０〜４６０Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。17. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1700 to 1800 °. The film thickness is 150 to 460 ° within the range of 0.9 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of. 【請求項１８】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１８００〜１９００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が２．０〜２．１の範囲内で膜厚が１３０〜３１０Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。18. The first layer in the resist disk has a refractive index of 2 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1800 to 1900 °. The film thickness is 130 to 310 ° within the range of 0.0 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of. 【請求項１９】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１９００〜２０００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．３〜１．４の範囲内で膜厚が６５０〜１２９０
Åの範囲内となるように形成されていることを特徴とす
る請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。19. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1900 to 2000 °. The film thickness is 650 to 1290 within the range of 0.3 to 1.4.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of Å. 【請求項２０】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が２０００〜２１００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．３〜１．４の範囲内で膜厚が４５０〜１２５０
Åの範囲内となるように形成されていることを特徴とす
る請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。20. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 2000 to 2100 °. The film thickness is 450 to 1250 within the range of 0.3 to 1.4.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of Å. 【請求項２１】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が２１００〜２２００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４５７．８ｎｍのときに、屈折
率が１．３〜１．４の範囲内で膜厚が３４０〜１１１０
Åの範囲内となるように形成されていることを特徴とす
る請求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。21. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 2100 to 2200 °. The film thickness is 340-1110 within the range of 0.3-1.4.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of Å. 【請求項２２】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が４００〜５００Åの範囲内でこの第２層を露光
する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が１．
３〜１．４の範囲内で膜厚が７８０〜１０９０Åの範囲
内となるように形成されていることを特徴とする請求項
３記載の光ディスク用原盤の作製方法。22. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1.13 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 400 to 500 °.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 780 to 1090 [deg.] Within a range of 3 to 1.4. 【請求項２３】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が５００〜６００Åの範囲内でこの第２層を露光
する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が１．
３〜１．４の範囲内で膜厚が５００〜１１６０Åの範囲
内となるように形成されていることを特徴とする請求項
３記載の光ディスク用原盤の作製方法。23. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.13 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 500 to 600 °.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within the range of 500 to 1160 [deg.] Within the range of 3 to 1.4. 【請求項２４】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が６００〜７００Åの範囲内でこの第２層を露光
する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が１．
３〜１．４の範囲内で膜厚が３５０〜１０５０Åの範囲
内となるように形成されていることを特徴とする請求項
３記載の光ディスク用原盤の作製方法。24. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.13 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 600 to 700 °.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed to have a thickness within a range of 350 to 1,050 [deg.] Within a range of 3 to 1.4. 【請求項２５】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が７００〜８００Åの範囲内でこの第２層を露光
する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が１．
３〜１．４の範囲内で膜厚が３１０〜８５０Åの範囲内
となるように形成されていることを特徴とする請求項３
記載の光ディスク用原盤の作製方法。25. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1.13 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 700 to 800 °.
The film is formed so that the film thickness is in the range of 310 to 850 ° within the range of 3 to 1.4.
The method for producing the master for an optical disc described above. 【請求項２６】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が８００〜９００Åの範囲内でこの第２層を露光
する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が２．
０〜２．１の範囲内で膜厚が７３０〜９００Åの範囲内
となるように形成されていることを特徴とする請求項３
記載の光ディスク用原盤の作製方法。26. The first layer of the resist disk having a refractive index of 2.13 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 800 to 900 °.
4. A film according to claim 3, wherein the film thickness is in the range of 730 to 900 [deg.] Within the range of 0 to 2.1.
The method for producing the master for an optical disc described above. 【請求項２７】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が９００〜１０００Åの範囲内でこの第２層を露
光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．９〜２．１の範囲内で膜厚が６４０〜９００Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。27. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.9 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 900 to 1000 °. 4. The method according to claim 3, wherein the film thickness is in the range of 640 to 900 [deg.] Within the range of 2.1 to 2.1. 【請求項２８】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１０００〜１１００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．８〜２．１の範囲内で膜厚が６１０〜８７０Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。28. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.8 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1000 to 1100 °. 4. The method for manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is in the range of 610 to 870 [deg.] Within the range of 2.1 to 2.1. 【請求項２９】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１１００〜１２００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．８〜２．１の範囲内で膜厚が４８０〜８４０Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。29. The first layer in the resist disc has a refractive index of 1.8 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1100 to 1200 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 480 to 840 [deg.] Within a range of 2.1 to 2.1. 【請求項３０】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１２００〜１３００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．８〜２．１の範囲内で膜厚が３８０〜７７０Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。30. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.8 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1200 to 1300 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a thickness within a range of 380-770 [deg.] Within a range of -2.1. 【請求項３１】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１３００〜１４００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．８〜２．１の範囲内で膜厚が３００〜６７０Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。31. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1.8 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1300 to 1400 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 300 to 670 [deg.] Within a range of 2.1 to 2.1. 【請求項３２】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１４００〜１５００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．８〜２．１の範囲内で膜厚が２５０〜５４０Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。32. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.8 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1400 to 1500 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a thickness within a range of 250 to 540 [deg.] Within a range of 2.1 to 2.1. 【請求項３３】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１５００〜１６００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．９〜２．１の範囲内で膜厚が１５０〜４６０Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。33. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.9 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1500 to 1600 °. 4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed to have a thickness within a range of 150 to 460 ° within a range of 2.1 to 2.1. 【請求項３４】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１６００〜１７００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
２．０〜２．１の範囲内で膜厚が１１０〜３１０Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。34. The first layer in the resist disk has a refractive index of 2.0 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1600 to 1700 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed to have a thickness within a range of 110 to 310 [deg.] Within a range of 2.1 to 2.1 [deg.]. 【請求項３５】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１７００〜１８００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．３〜１．４の範囲内で膜厚が６２０〜１１６０Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。35. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.3 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1700 to 1800 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 620 to 1160 [deg.] Within a range of up to 1.4. 【請求項３６】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１８００〜１９００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．３〜１．４の範囲内で膜厚が４２０〜１１２０Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。36. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.3 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1800 to 1900 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 420 to 1120 [deg.] Within a range of up to 1.4. 【請求項３７】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が１９００〜２０００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．３〜１．４の範囲内で膜厚が３１０〜９７０Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。37. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.3 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1900 to 2000 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 310 to 970 [deg.] Within a range of ~ 1.4. 【請求項３８】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が２０００〜２１００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
１．３〜１．４の範囲内で膜厚が３７０〜７００Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。38. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.3 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 2000 to 2100 °. 4. The method according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is in the range of 370-700 [deg.] Within the range of -1.4. 【請求項３９】 レジスト盤における第１層は、第２層
の膜厚が２１００〜２２００Åの範囲内でこの第２層を
露光する露光光の波長が４１３ｎｍのときに、屈折率が
２．０〜２．１の範囲内で膜厚が６３０〜９００Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項３記載の光ディスク用原盤の作製方法。39. The first layer in the resist disk has a refractive index of 2.0 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 2100 to 2200 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is within a range of 630 to 900 [deg.] Within a range of from 2.1 to 2.1.
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