JPH1166636A - Optical master disk and irs manufacture - Google Patents
Optical master disk and irs manufactureInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク用、特
に高密度・大容量化を意図したDVD(DigitalVersa
tile Disk) 用の光ディスク用原盤及びその作製方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a DVD (Digital Versa) for optical discs,
The present invention relates to an optical disc master for tile disk and a method of manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、レーザビームを用いて情報を記
録・再生できる追記型或いは書換え型の光ディスクとし
て、CD‐R(Compact Disk‐Recordable) やCD
‐RW(CD‐Rewritable) 等がある。これらの光デ
ィスクでは、レーザビームをトラッキング追従させるた
めのグルーブが予め形成されている。このようなグルー
ブ1は、通常は、図42に示すように断面台形状に形成
されている。2はランド部分である。また、グルーブ1
のトラックピッチTpはオレンジブック等のCD規格に
基づき1.6μmに規格化されている。グルーブ1の半
値幅Thは0.2〜0.6μmの範囲内とされている。
この半値幅部分でのグルーブ1の傾斜角θは、70°以
下、例えば、25〜65°の範囲内とされている(例え
ば、特開平4−358331号公報、特公平4−479
11号公報参照)。このような光ディスクは、対応する
形状の光ディスク用原盤(マスタ)及びそのスタンパを
経て生産される。2. Description of the Related Art Generally, as a write-once or rewritable optical disk capable of recording and reproducing information using a laser beam, a CD-R (Compact Disk-Recordable) or a CD-R is available.
-RW (CD-Rewritable). In these optical disks, grooves for causing the laser beam to follow the tracking are formed in advance. Such a groove 1 is usually formed in a trapezoidal cross section as shown in FIG. 2 is a land portion. Groove 1
Is standardized to 1.6 μm based on the CD standard such as the Orange Book. The half width Th of the groove 1 is in the range of 0.2 to 0.6 μm.
The inclination angle θ of the groove 1 in the half width portion is 70 ° or less, for example, in the range of 25 to 65 ° (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-358331, Japanese Patent Publication No. 4-479).
No. 11). Such an optical disc is produced via a master disc (master) for an optical disc having a corresponding shape and a stamper thereof.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
次世代の光ディスクとして、より一層の高密度・大容量
化を図るため、例えば、トラックピッチTpが現行の
1.6μmから0.8μm程度に狭めたDVD等が実用
段階に入っている。図24はこのようなDVD用の光デ
ィスクにおけるグルーブ2の断面形状を示し、Tpは
0.6〜1.0μmの範囲内となるように規格化され、
例えば、0.8μmとされている。However, in recent years,
As a next-generation optical disk, for example, a DVD in which the track pitch Tp is reduced from the current 1.6 μm to about 0.8 μm has entered the practical stage in order to achieve higher density and higher capacity. FIG. 24 shows the cross-sectional shape of the groove 2 in such an optical disc for DVD, where Tp is standardized to be in the range of 0.6 to 1.0 μm.
For example, it is 0.8 μm.
【0004】このように狭ピッチ化されたDVD用のグ
ルーブ3をCD‐RやCD‐RWと同様な従来のグルー
ブ仕様で形成すると、図43に示すようにランド4の上
部部分を平らにすることができず、R状となってしま
う。このようにランド4の上部に平坦部を有しないグル
ーブ3では、レーザビームによるトラッキング追従を良
好に行えず、結果として、記録・再生動作に支障を来
す。従って、狭ピッチ化されたグルーブの場合でもその
ランド部分を平坦化し得る光ディスク用原盤を提供する
ことが課題である。[0004] When the groove 3 for DVD having a narrow pitch is formed by the conventional groove specification similar to CD-R or CD-RW, the upper part of the land 4 is flattened as shown in FIG. Cannot be performed, resulting in an R shape. As described above, in the groove 3 having no flat portion on the land 4, the tracking following by the laser beam cannot be satisfactorily performed, and as a result, the recording / reproducing operation is hindered. Therefore, it is an object to provide a master for an optical disk capable of flattening the land portion even in the case of a groove having a narrow pitch.
【0005】そこで、本発明は、ランド部分が平らにな
る断面台形状のグルーブを有する光ディスク用原盤を提
供することを第1の目的とする。Accordingly, a first object of the present invention is to provide an optical disk master having a groove having a trapezoidal cross section in which a land portion becomes flat.
【0006】また、本発明は、第1の目的を達成するた
めの光ディスク用原盤の作製方法を提供することを第2
の目的とする。It is another object of the present invention to provide a method for producing a master for an optical disk for achieving the first object.
The purpose of.
【0007】さらには、本発明は、第2の目的を達成す
るためのレジスト盤の具体的構成例を明らかにすること
を第3の目的とする。Further, a third object of the present invention is to clarify a specific configuration example of a resist board for achieving the second object.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明の光
ディスク用原盤は、トラックピッチが0.6〜1.0μ
mの範囲内、半値幅が0.2〜0.6μmの範囲内、そ
の半値幅部分での傾斜角が71〜90°の範囲内となる
グルーブを有している。従って、グルーブの半値幅部分
での傾斜角が71〜90°の範囲内に規定されているの
で、0.6〜1.0μmの範囲内といった狭トラックピ
ッチのグルーブの場合でもランド部分に平坦部を持たせ
ることができる。ここに、トラックピッチが0.6〜
1.0μmの範囲内、半値幅が0.2〜0.6μmの範
囲内という数値範囲は、DVD等の規格に準じた狭トラ
ックピッチ仕様の一般的な規格範囲を意味する。According to a first aspect of the present invention, there is provided an optical disc master having a track pitch of 0.6 to 1.0 μm.
m, the half width is in the range of 0.2 to 0.6 μm, and the inclination angle in the half width portion is in the range of 71 to 90 °. Accordingly, since the inclination angle at the half width portion of the groove is defined within the range of 71 to 90 °, even in the case of the groove having a narrow track pitch such as within the range of 0.6 to 1.0 μm, the flat portion is formed on the land portion. Can be provided. Here, the track pitch is 0.6 ~
A numerical value range of 1.0 μm and a half value width of 0.2 to 0.6 μm means a general specification range of a narrow track pitch specification conforming to a standard such as a DVD.
【0009】請求項2記載の発明は、請求項1記載の光
ディスク用原盤の作製方法であって、ガラス基盤上にこ
のガラス基盤とは異なる屈折率の透明膜による第1層と
フォトレジストによる第2層とが順に積層され、前記第
2層の膜厚とこの第2層を露光する露光光の波長とに対
してこの露光光の反射が強くなるように前記第1層の膜
厚が設定されたレジスト盤に対して、前記波長の露光光
で露光した後、現像することによりグルーブを作製する
ようにした。従って、請求項1記載の光ディスク用原盤
を作製する上で、フォトレジストによる第2層とガラス
基盤との間に露光光の波長に対してその露光光の反射率
を強める膜厚に設定された透明膜による第1層を有する
レジスト盤を用いているので、第2層の第1層に近い部
分での露光強度を強めることができ、この結果、第2層
の第1層に近い部分の露光量が大きくなり、第1層を有
しない場合に比して、第2層底部の幅が広がってグルー
ブの傾斜角が急峻となる。このように、グルーブの傾斜
角を大きくして71〜90°の範囲内となるようにする
ことができ、目的とする狭トラックピッチの光ディスク
用原盤を作製できる。ここに、第1層を形成する透明膜
の屈折率は、ガラス基盤の屈折率と異なっていれば、透
明材として一般的な1.2〜2.7なる範囲内でよい。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical disk master according to the first aspect, wherein a first layer of a transparent film having a refractive index different from that of the glass substrate and a first layer of a photoresist are formed on the glass substrate. The two layers are sequentially stacked, and the thickness of the first layer is set so that the reflection of the exposure light becomes stronger with respect to the thickness of the second layer and the wavelength of the exposure light for exposing the second layer. The exposed resist disk was exposed to exposure light having the above wavelength, and then developed to form a groove. Accordingly, in manufacturing the optical disc master according to the first aspect, the film thickness is set between the second layer of the photoresist and the glass substrate so as to enhance the reflectance of the exposure light with respect to the wavelength of the exposure light. Since the resist disk having the first layer of the transparent film is used, the exposure intensity in the portion of the second layer close to the first layer can be increased, and as a result, the portion of the second layer close to the first layer can be increased. The exposure amount becomes large, and the width of the bottom of the second layer becomes wider and the inclination angle of the groove becomes steeper than when the first layer is not provided. In this manner, the inclination angle of the groove can be increased to fall within the range of 71 to 90 °, and the target optical disk master having a narrow track pitch can be manufactured. Here, as long as the refractive index of the transparent film forming the first layer is different from the refractive index of the glass substrate, it may be in a range of 1.2 to 2.7 which is a general transparent material.
【0010】請求項3記載の発明は、請求項2記載の発
明の光ディスク用原盤の作製方法であって、レジスト盤
における第1層は、露光光の反射率が10%以上となる
ように露光光の反射を強める。従って、レジスト盤に第
1層を設けることにより露光光の反射率を10%以上に
強めているので、グルーブの傾斜角を確実に71〜90
°の範囲内にすることができる。According to a third aspect of the present invention, there is provided the method of manufacturing an optical disk master according to the second aspect of the invention, wherein the first layer of the resist disk is exposed so that the reflectance of the exposure light is 10% or more. Enhances light reflection. Therefore, since the reflectivity of the exposure light is increased to 10% or more by providing the first layer on the resist disk, the inclination angle of the groove can be reliably set to 71 to 90.
° can be in the range.
【0011】ここに、レジスト盤における第1層が露光
光の反射率を10%以上に高めるための第1層の膜厚及
び屈折率は、第2層側の膜厚やこの第2層を露光する露
光光の波長に基づき決定されるもので、その具体例とし
ては、例えば、請求項4ないし39に例示するような数
値範囲の層構成とすることにより、目的が達成される。
ここで、請求項4ないし21に共通な露光光の波長45
7.8nm、請求項22ないし39に共通な露光光の波
長413nmは光ディスク原盤露光用として最も一般的
な数値を意味している。Here, the film thickness and the refractive index of the first layer for the first layer in the resist disk to increase the reflectance of the exposure light to 10% or more are determined by the film thickness on the second layer side and the second layer. It is determined based on the wavelength of the exposure light to be exposed. As a specific example, the object can be achieved by a layer configuration having a numerical range as exemplified in claims 4 to 39.
Here, the wavelength 45 of the exposure light common to claims 4 to 21 is used.
7.8 nm, the wavelength of 413 nm of the exposure light common to claims 22 to 39, means the most common numerical value for exposing an optical disc master.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図1ない
し図42に基づいて説明する。図1に本実施の形態にお
ける光ディスク用原盤11におけるグルーブ断面構造を
模式的に示す。この光ディスク用原盤11のグルーブ1
2は、例えば、DVD規格に合わせて、トラックピッチ
Tpが0.8μm(0.6〜1.0μmの範囲内の中間
値=代表値)、半値幅Thが0.325(0.2〜0.
6μmの範囲内の値)に設定されている他、その半値幅
部分での傾斜角θが71〜90°の範囲内の値に設定さ
れている。これにより、ランド13部分に平坦部を有す
る断面台形状に形成されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 schematically shows a groove cross-sectional structure of an optical disk master 11 according to the present embodiment. Groove 1 of this optical disk master 11
2, the track pitch Tp is 0.8 μm (intermediate value in the range of 0.6 to 1.0 μm = representative value), and the half width Th is 0.325 (0.2 to 0) in accordance with the DVD standard, for example. .
(A value within a range of 6 μm), and the inclination angle θ in the half width portion is set to a value within a range of 71 to 90 °. Thereby, it is formed in a trapezoidal cross section having a flat portion in the land 13 portion.
【0013】このような光ディスク用原盤11は原盤露
光機において所定の波長の露光光を用いて露光した後、
現像することにより作製されるが、図1に示すような諸
元の光ディスク用原盤11とするため、本実施の形態で
は、ガラス基盤上に直接フォトレジスト膜を形成せず、
透明膜による第1層が介在されて、フォトレジスト膜に
よる第2層が積層形成された原盤が用いられている。Such an optical disk master 11 is exposed by using an exposure light of a predetermined wavelength in a master exposure machine,
Although produced by development, in order to obtain the optical disc master 11 having the specifications as shown in FIG. 1, in the present embodiment, a photoresist film is not directly formed on the glass base, but
A master is used in which a first layer made of a transparent film is interposed and a second layer made of a photoresist film is laminated.
【0014】通常、この種の原盤にあっては、ガラス基
盤上にフォトレジスト膜が直接形成され、このフォトレ
ジスト膜を露光するために適当の波長の露光光を照射す
るが、このときの光の反射は、露光光の波長、フォトレ
ジスト膜の屈折率及びその膜厚、ガラス基盤の屈折率に
より決まる。例えば、露光光の波長を457.8nm及
び413nm、ガラス基盤の屈折率を1.515、フォ
トレジスト膜の屈折率を1.65として、フォトレジス
トの膜厚〔Å〕に対する反射率〔%〕を計算した結果を
図2に示す。図2に示す特性によれば、反射率が約4〜
8%の範囲で変動しており、かつ、ある程度周期的に変
動していることがわかる。何れにしても、ガラス基盤上
にフォトレジスト膜が直接形成されている原盤では、露
光光に対する反射率があまり高くないのがわかる。Usually, in this type of master, a photoresist film is formed directly on a glass substrate, and exposure light having an appropriate wavelength is applied to expose the photoresist film. Is determined by the wavelength of the exposure light, the refractive index and thickness of the photoresist film, and the refractive index of the glass substrate. For example, assuming that the wavelength of the exposure light is 457.8 nm and 413 nm, the refractive index of the glass substrate is 1.515, the refractive index of the photoresist film is 1.65, and the reflectance [%] with respect to the thickness [Å] of the photoresist is The calculated result is shown in FIG. According to the characteristics shown in FIG.
It can be seen that it fluctuates in the range of 8% and periodically fluctuates to some extent. In any case, it can be seen that the original disk in which the photoresist film is directly formed on the glass substrate does not have a very high reflectance to exposure light.
【0015】この点、本実施の形態のように、フォトレ
ジストによる第2層とガラス基盤との間に透明膜による
第1層を設けることにより、第2層中で第1層に近い部
分での露光強度を強めることができる。この結果、第2
層の第1層に近い部分の露光量が大きくなり、第2層底
部の幅が広がってグルーブ12の傾斜角θが急峻とな
る。これにより、露光・現像工程を経て作製されるグル
ーブ12の傾斜角θを大きくして71〜90°の範囲内
となるようにすることができ、目的とする狭トラックピ
ッチの光ディスク用原盤11を作製できることになる。In this regard, as in the present embodiment, by providing the first layer made of a transparent film between the second layer made of photoresist and the glass substrate, a portion of the second layer close to the first layer can be formed. Can be increased. As a result, the second
The exposure amount of the portion near the first layer of the layer increases, the width of the bottom of the second layer increases, and the inclination angle θ of the groove 12 becomes steep. This makes it possible to increase the inclination angle θ of the groove 12 produced through the exposure and development steps so as to fall within the range of 71 to 90 °, and to achieve the target optical disk master 11 having a narrow track pitch. It can be manufactured.
【0016】実際は、フォトレジストによる第2層の膜
厚や露光光の波長により、透明膜による第1層の屈折率
と膜厚とが決められる。ここで、第2層の膜厚及び第1
層の屈折率と膜厚とを段階的に変えた場合の反射率を求
めた結果を図4ないし図41に示す。この場合の計算式
について説明する。図3に示すような、ガラス基盤14
(複素屈折率n0*)上に透明膜による第1層15(複素
屈折率n1*,膜厚d1)、フォトレジストによる第2層
16(複素屈折率n2*,膜厚d2 )を積層させてなる原
盤17に波長λの露光光を空気中(複素屈折率n3*)で
照射した場合、ガラス基盤14・第1層15間、第1層
15・第2層16間、第2層16・空気間の各境界面で
のフレネル係数r01* ,r12* ,r23* は、フレ
ネルの法則に従い、r01 * =(n1*−n0*)/(n1*+n0*)r12 * =(n2*−n1*)/(n2*+n1*)r23 * =(n3*−n2*)/(n3*+n2*) で示される。よって、波長λの露光光が第2層16に対
して垂直に入射した場合の反射率Rは、 R=|R23* |2 で求められる。ただし、R23 *={r23*+R12*・exp(−iδ2*)}/{1+
r23*・R12*・exp(−iδ2*) δ2* =4πn2*d2/λR12 *={r12*+r01*・exp(−iδ1*)}/{1+
r12*・r01*・exp(−iδ1*) δ1* =4πn1*d1/λ である。Actually, the refractive index and the thickness of the first layer made of a transparent film are determined by the thickness of the second layer made of a photoresist and the wavelength of exposure light. Here, the thickness of the second layer and the first layer
FIG. 4 to FIG. 41 show the results of determining the reflectance when the refractive index and the film thickness of the layer are changed stepwise. The calculation formula in this case will be described. Glass substrate 14 as shown in FIG.
On the (complex refractive index n 0 *), a first layer 15 (complex refractive index n 1 *, film thickness d 1 ) made of a transparent film and a second layer 16 made of photoresist (complex refractive index n 2 *, film thickness d 2) ) Is irradiated in the air (complex refractive index n 3 *) with the exposure light having the wavelength λ between the glass substrate 14 and the first layer 15 and between the first layer 15 and the second layer 16. The Fresnel coefficients r 01 *, r 12 *, and r 23 * at each boundary surface between the second layer 16 and the air are given by r 01 * = (n 1 * −n 0 *) / (n 1 * + n 0 *) r 12 * = (n 2 * -n 1 *) / (n 2 * + n 1 *) r 23 * = (n 3 * -n 2 *) / (n 3 * + n 2 *) Indicated by Therefore, the reflectance R when the exposure light having the wavelength λ is perpendicularly incident on the second layer 16 can be obtained by R = | R 23 * | 2 . Where R 23 * = {r 23 * + R 12 * exp (−iδ 2 *)} / {1+
r 23 * · R 12 * · exp (−iδ 2 *) δ 2 * = 4πn 2 * d 2 / λR 12 * = {r 12 * + r 01 * exp (−iδ 1 *)} / {1+
r 12 * · r 01 * · exp (−iδ 1 *) δ 1 * = 4πn 1 * d 1 / λ
【0017】また、本実施の形態では、上記計算式によ
る算出に際して、用いる露光光の波長λは、この種の光
ディスク用原盤露光機で最も一般的に用いられているA
rレーザを想定した457.8nm(図4〜図22の場
合)と、Krレーザを想定した413nm(図23〜図
41の場合)とした。また、可変させる第2層16の膜
厚も現行のCD等のグルーブ深さ等を考慮して、400
〜2200Åの範囲で100Å刻みとした。Further, in the present embodiment, the wavelength λ of the exposure light used in the calculation by the above-described formula is A, which is the most commonly used in this type of optical disk master exposure apparatus.
457.8 nm (in the case of FIGS. 4 to 22) assuming an r laser, and 413 nm (in the case of FIGS. 23 to 41) assuming a Kr laser. The thickness of the variable second layer 16 is also set to 400 in consideration of the current groove depth of a CD or the like.
In the range of 22200 °, the interval was 100 °.
【0018】図4は第2層(フォトレジスト膜)16の
膜厚を400Åとした場合の計算結果、図5は第2層1
6の膜厚を500Åとした場合の計算結果を示す。両図
によれば、波長457.8nm、第2層の膜厚400〜
500Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得
るには、第1層15の屈折率が2.0〜2.1の範囲内
であって、かつ、第1層15の膜厚が120〜340Å
の範囲内であることがわかる。FIG. 4 is a calculation result when the thickness of the second layer (photoresist film) 16 is 400 °, and FIG.
6 shows the calculation results when the film thickness of No. 6 was set to 500 °. According to both figures, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 400 to 400 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of 500 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 2.0 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is 120-340Å
It can be seen that it is within the range.
【0019】図6は第2層16の膜厚を600Åとした
場合の計算結果を示す。図5及び図6によれば、波長4
57.8nm、第2層の膜厚500〜600Åの範囲内
なる条件下で、反射率10%以上を得るには、第1層1
5の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であって、かつ、
第1層15の膜厚が680〜1280Åの範囲内である
ことがわかる。FIG. 6 shows a calculation result when the thickness of the second layer 16 is set to 600 °. According to FIG. 5 and FIG.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under a condition of 57.8 nm and a thickness of the second layer of 500 to 600 °, the first layer 1
5, the refractive index is in the range of 1.3 to 1.4, and
It can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 680-1280 °.
【0020】図7は第2層16の膜厚を700Åとした
場合の計算結果を示す。図6及び図7によれば、波長4
57.8nm、第2層の膜厚600〜700Åの範囲内
なる条件下で、反射率10%以上を得るには、第1層1
5の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であって、かつ、
第1層15の膜厚が470〜1260Åの範囲内である
ことがわかる。FIG. 7 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 700 °. According to FIG. 6 and FIG.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of 57.8 nm and the thickness of the second layer in the range of 600 to 700 °, the first layer 1
5, the refractive index is in the range of 1.3 to 1.4, and
It can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 470 to 1260 °.
【0021】図8は第2層16の膜厚を800Åとした
場合の計算結果を示す。図7及び図8によれば、波長4
57.8nm、第2層の膜厚700〜800Åの範囲内
なる条件下で、反射率10%以上を得るには、第1層1
5の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であって、かつ、
第1層15の膜厚が350〜1130Åの範囲内である
ことがわかる。FIG. 8 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 800 °. According to FIG. 7 and FIG.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of 57.8 nm and a thickness of the second layer of 700 to 800 °, the first layer 1
5, the refractive index is in the range of 1.3 to 1.4, and
It can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 350 to 1130 °.
【0022】図9は第2層16の膜厚を900Åとした
場合の計算結果を示す。図8及び図9によれば、波長4
57.8nm、第2層の膜厚800〜900Åの範囲内
なる条件下で、反射率10%以上を得るには、第1層1
5の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であって、かつ、
第1層15の膜厚が350〜910Åの範囲内であるこ
とがわかる。FIG. 9 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 900 °. According to FIG. 8 and FIG.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of 57.8 nm and the thickness of the second layer in the range of 800 to 900 °, the first layer 1
5, the refractive index is in the range of 1.3 to 1.4, and
It can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 350 to 910 °.
【0023】図10は第2層16の膜厚を1000Åと
した場合の計算結果を示す。図9及び図10によれば、
波長457.8nm、第2層の膜厚900〜1000Å
の範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るには、
第1層15の屈折率が2.0〜2.1の範囲内であっ
て、かつ、第1層15の膜厚が770〜1000Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 10 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1000 °. According to FIGS. 9 and 10,
Wavelength 457.8 nm, thickness of second layer 900 to 1000 °
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of
It can be seen that the refractive index of the first layer 15 is in the range of 2.0 to 2.1, and the thickness of the first layer 15 is in the range of 770 to 1000 °.
【0024】図11は第2層16の膜厚を1100Åと
した場合の計算結果を示す。図10及び図11によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚1000〜11
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.9〜2.1の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が700〜1000Å
の範囲内であることがわかる。FIG. 11 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1100 °. According to FIGS. 10 and 11, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 1000 to 11 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.9 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is But 700-1000Å
It can be seen that it is within the range.
【0025】図12は第2層16の膜厚を1200Åと
した場合の計算結果を示す。図11及び図12によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚1100〜12
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が690〜970Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 12 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1200 °. According to FIGS. 11 and 12, the wavelength is 457.8 nm and the thickness of the second layer is 1100 to 12
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 690 to 970 °.
【0026】図13は第2層16の膜厚を1300Åと
した場合の計算結果を示す。図12及び図13によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚1200〜13
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が560〜940Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 13 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1300 °. According to FIGS. 12 and 13, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 1200 to 13 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 560 to 940 °.
【0027】図14は第2層16の膜厚を1400Åと
した場合の計算結果を示す。図13及び図14によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚1300〜14
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が450〜890Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 14 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1400 °. According to FIGS. 13 and 14, the wavelength is 457.8 nm and the thickness of the second layer is 1300 to 14
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 450 to 890 °.
【0028】図15は第2層16の膜厚を1500Åと
した場合の計算結果を示す。図14及び図15によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚1400〜15
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が370〜800Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 15 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1500 °. According to FIGS. 14 and 15, the wavelength is 457.8 nm and the thickness of the second layer is 1400 to 15 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 370-800 °.
【0029】図16は第2層16の膜厚を1600Åと
した場合の計算結果を示す。図15及び図16によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚1500〜16
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が300〜690Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 16 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1600 °. According to FIGS. 15 and 16, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 1500 to 16 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 300 to 690 °.
【0030】図17は第2層16の膜厚を1700Åと
した場合の計算結果を示す。図16及び図17によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚1600〜17
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が250〜540Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 17 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1700 °. According to FIGS. 16 and 17, the wavelength is 457.8 nm and the thickness of the second layer is 1600 to 17
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 250 to 540 °.
【0031】図18は第2層16の膜厚を1800Åと
した場合の計算結果を示す。図17及び図18によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚1700〜18
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.9〜2.1の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が150〜460Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 18 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1800 °. According to FIGS. 17 and 18, the wavelength is 457.8 nm, and the film thickness of the second layer is 1700-18.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.9 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 150 to 460 °.
【0032】図19は第2層16の膜厚を1900Åと
した場合の計算結果を示す。図18及び図19によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚1800〜19
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が2.0〜2.1の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が130〜310Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 19 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1900 °. According to FIGS. 18 and 19, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 1800 to 19
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 2.0 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 130 to 310 °.
【0033】図20は第2層16の膜厚を2000Åと
した場合の計算結果を示す。図19及び図20によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚1900〜20
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.3〜1.4の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が650〜1290Å
の範囲内であることがわかる。FIG. 20 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2000 °. According to FIGS. 19 and 20, the wavelength is 457.8 nm, the thickness of the second layer is 1900 to 20 nm.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4 and the thickness of the first layer 15 is Is 650 ~ 1290Å
It can be seen that it is within the range.
【0034】図21は第2層16の膜厚を2100Åと
した場合の計算結果を示す。図20及び図21によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚2000〜21
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.3〜1.4の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が450〜1250Å
の範囲内であることがわかる。FIG. 21 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2100 °. According to FIGS. 20 and 21, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 2000 to 21.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4 and the thickness of the first layer 15 is Is 450 ~ 1250Å
It can be seen that it is within the range.
【0035】図22は第2層16の膜厚を2200Åと
した場合の計算結果を示す。図21及び図22によれ
ば、波長457.8nm、第2層の膜厚2100〜22
00Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得る
には、第1層15の屈折率が1.3〜1.4の範囲内で
あって、かつ、第1層15の膜厚が340〜1110Å
の範囲内であることがわかる。FIG. 22 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2200 °. According to FIGS. 21 and 22, the wavelength is 457.8 nm, and the thickness of the second layer is 2100 to 2200.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of the range of 00 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4 and the thickness of the first layer 15 is Is 340-1110Å
It can be seen that it is within the range.
【0036】図23は第2層16の膜厚を400Åとし
た場合の計算結果、図24は第2層16の膜厚を500
Åとした場合の計算結果を示す。両図によれば、波長4
13nm、第2層の膜厚400〜500Åの範囲内なる
条件下で、反射率10%以上を得るには、第1層15の
屈折率が1.3〜1.4の範囲内であって、かつ、第1
層15の膜厚が780〜1090Åの範囲内であること
がわかる。FIG. 23 is a calculation result when the thickness of the second layer 16 is set to 400 °, and FIG.
The calculation result when Å is shown. According to both figures, the wavelength 4
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of 13 nm and a thickness of the second layer of 400 to 500 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4. And the first
It can be seen that the thickness of layer 15 is in the range of 780-1090 °.
【0037】図25は第2層16の膜厚を600Åとし
た場合の計算結果を示す。図24及び図25によれば、
波長413nm、第2層の膜厚500〜600Åの範囲
内なる条件下で、反射率10%以上を得るには、第1層
15の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であって、か
つ、第1層15の膜厚が500〜1160Åの範囲内で
あることがわかる。FIG. 25 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is set to 600 °. According to FIGS. 24 and 25,
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of a wavelength of 413 nm and a thickness of the second layer of 500 to 600 °, the refractive index of the first layer 15 must be in the range of 1.3 to 1.4. Further, it can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 500 to 1160 °.
【0038】図26は第2層16の膜厚を700Åとし
た場合の計算結果を示す。図25及び図26によれば、
波長413nm、第2層の膜厚600〜700Åの範囲
内なる条件下で、反射率10%以上を得るには、第1層
15の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であって、か
つ、第1層15の膜厚が350〜1050Åの範囲内で
あることがわかる。FIG. 26 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 700 °. According to FIGS. 25 and 26,
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition that the wavelength is 413 nm and the thickness of the second layer is in the range of 600 to 700 °, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4. Further, it can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 350 to 1050 °.
【0039】図27は第2層16の膜厚を800Åとし
た場合の計算結果を示す。図26及び図27によれば、
波長413nm、第2層の膜厚700〜800Åの範囲
内なる条件下で、反射率10%以上を得るには、第1層
15の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であって、か
つ、第1層15の膜厚が310〜850Åの範囲内であ
ることがわかる。FIG. 27 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 800 °. According to FIGS. 26 and 27,
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of a wavelength of 413 nm and a thickness of the second layer of 700 to 800 °, the refractive index of the first layer 15 must be in the range of 1.3 to 1.4. Further, it can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 310 to 850 °.
【0040】図28は第2層16の膜厚を900Åとし
た場合の計算結果を示す。図27及び図28によれば、
波長413nm、第2層の膜厚800〜900Åの範囲
内なる条件下で、反射率10%以上を得るには、第1層
15の屈折率が2.0〜2.1の範囲内であって、か
つ、第1層15の膜厚が730〜900Åの範囲内であ
ることがわかる。FIG. 28 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 900 °. According to FIGS. 27 and 28,
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the conditions of a wavelength of 413 nm and a thickness of the second layer of 800 to 900 °, the refractive index of the first layer 15 must be in the range of 2.0 to 2.1. Further, it can be seen that the thickness of the first layer 15 is in the range of 730 to 900 °.
【0041】図29は第2層16の膜厚を1000Åと
した場合の計算結果を示す。図28及び図29によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚900〜1000Å
の範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るには、
第1層15の屈折率が1.9〜2.1の範囲内であっ
て、かつ、第1層15の膜厚が640〜900Åの範囲
内であることがわかる。FIG. 29 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1000 °. According to FIGS. 28 and 29, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 900 to 1000 °.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of
It can be seen that the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.9 to 2.1, and the thickness of the first layer 15 is in the range of 640 to 900 °.
【0042】図30は第2層16の膜厚を1100Åと
した場合の計算結果を示す。図29及び図30によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚1000〜1100
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が610〜870Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 30 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1100 °. According to FIGS. 29 and 30, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is from 1000 to 1100.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 610 to 870 °.
【0043】図31は第2層16の膜厚を1200Åと
した場合の計算結果を示す。図30及び図31によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚1100〜1200
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が480〜840Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 31 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1200 °. According to FIGS. 30 and 31, the wavelength is 413 nm and the thickness of the second layer is 1100 to 1200.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 480-840 °.
【0044】図32は第2層16の膜厚を1300Åと
した場合の計算結果を示す。図31及び図32によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚1200〜1300
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が380〜770Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 32 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1300 °. According to FIGS. 31 and 32, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1200 to 1300.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 380-770 °.
【0045】図33は第2層16の膜厚を1400Åと
した場合の計算結果を示す。図32及び図33によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚1300〜1400
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が300〜670Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 33 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1400 °. According to FIGS. 32 and 33, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1300 to 1400.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 300 to 670 °.
【0046】図34は第2層16の膜厚を1500Åと
した場合の計算結果を示す。図33及び図34によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚1400〜1500
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が1.8〜2.1の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が250〜540Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 34 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1500 °. According to FIGS. 33 and 34, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1400 to 1500.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.8 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 250 to 540 °.
【0047】図35は第2層16の膜厚を1600Åと
した場合の計算結果を示す。図34及び図34によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚1500〜1600
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が1.9〜2.1の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が150〜460Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 35 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1600 °. According to FIGS. 34 and 34, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1500 to 1600.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.9 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 150 to 460 °.
【0048】図36は第2層16の膜厚を1700Åと
した場合の計算結果を示す。図35及び図36によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚1600〜1700
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が2.0〜2.1の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が110〜310Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 36 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1700 °. According to FIGS. 35 and 36, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1600 to 1700.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 2.0 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 110 to 310 °.
【0049】図37は第2層16の膜厚を1800Åと
した場合の計算結果を示す。図36及び図37によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚1700〜1800
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が620〜1160Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 37 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1800 °. According to FIGS. 36 and 37, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 1700 to 1800.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4, and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 620 to 1160 °.
【0050】図38は第2層16の膜厚を1900Åと
した場合の計算結果を示す。図37及び図38によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚1800〜1900
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が420〜1120Åの
範囲内であることがわかる。FIG. 38 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 1900 °. According to FIGS. 37 and 38, the wavelength is 413 nm and the thickness of the second layer is 1800 to 1900.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4, and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 420 to 1120 °.
【0051】図39は第2層16の膜厚を2000Åと
した場合の計算結果を示す。図38及び図39によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚1900〜2000
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が310〜970Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 39 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2000 °. 38 and 39, the wavelength is 413 nm and the thickness of the second layer is 1900 to 2000.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4, and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 310 to 970 °.
【0052】図40は第2層16の膜厚を2100Åと
した場合の計算結果を示す。図39及び図40によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚2000〜2100
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が1.3〜1.4の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が370〜700Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 40 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2100 °. According to FIGS. 39 and 40, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is from 2000 to 2100.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 1.3 to 1.4, and the thickness of the first layer 15 is Is in the range of 370 to 700 °.
【0053】図41は第2層16の膜厚を2200Åと
した場合の計算結果を示す。図40及び図41によれ
ば、波長413nm、第2層の膜厚2100〜2200
Åの範囲内なる条件下で、反射率10%以上を得るに
は、第1層15の屈折率が2.0〜2.1の範囲内であ
って、かつ、第1層15の膜厚が630〜900Åの範
囲内であることがわかる。FIG. 41 shows the calculation results when the thickness of the second layer 16 is 2200 °. According to FIGS. 40 and 41, the wavelength is 413 nm, and the thickness of the second layer is 2100 to 2200.
In order to obtain a reflectance of 10% or more under the condition of Å, the refractive index of the first layer 15 is in the range of 2.0 to 2.1 and the thickness of the first layer 15 is Is within the range of 630 to 900 °.
【0054】なお、これらの例示した諸元は、具体的層
構成の一例を示すに過ぎず、例えば、第2層16の膜厚
の可変ステップを変えれば(本実施の形態では、100
Å刻みとした)、それに応じて第1層15側の屈折率及
び膜厚に関する適正範囲も変動し、また、用いる露光光
の波長を変えた場合にもそれに応じて第1層15側の屈
折率及び膜厚に関する適正範囲も変動する。The above-mentioned specifications are merely examples of the specific layer structure. For example, if the step of changing the thickness of the second layer 16 is changed (in the present embodiment, 100
Accordingly, the appropriate range of the refractive index and the film thickness on the first layer 15 side also fluctuates, and the refraction on the first layer 15 side also changes when the wavelength of the exposure light used is changed. Appropriate ranges for the rate and film thickness also vary.
【0055】[0055]
【実施例】まず、露光光の波長が457.8nmの場合
の具体例を第一〜三の実施例及び比較例1〜3として説
明する。First, specific examples in which the wavelength of exposure light is 457.8 nm will be described as first to third examples and comparative examples 1 to 3.
【0056】本発明の第一の実施例を説明する。屈折率
が約2.0のIn2O3なる透明膜をスパッタリング法に
より第1層としてガラス基盤上に膜厚400Åで形成し
た後、このIn2O3膜の表面をHMDS処理し、その上
にフォトレジスト(TSMR‐8900、東京応化製)
を第2層としてスピンコート法により膜厚1700Åで
形成した。この場合、計算上の反射率は15.9%とな
る。このように作製されたレジスト盤を波長457.8
nmの露光光で露光し、現像した結果、半値幅Thが約
0.32μmで傾斜角θが約80°で、ランド13部分
が平坦となるグルーブ12が作製できたものである。A first embodiment of the present invention will be described. After forming a transparent film of In 2 O 3 having a refractive index of about 2.0 as a first layer on a glass substrate by sputtering at a thickness of 400 °, the surface of the In 2 O 3 film is subjected to HMDS treatment. Photoresist (TSMR-8900, manufactured by Tokyo Ohka)
Was formed as a second layer by spin coating at a film thickness of 1700 °. In this case, the calculated reflectance is 15.9%. The resist disk thus prepared was subjected to a wavelength of 457.8.
A groove 12 having a half width Th of about 0.32 μm, an inclination angle θ of about 80 °, and a flat land 13 was produced as a result of exposure and development with exposure light of nm.
【0057】本発明の第二の実施例を説明する。屈折率
が約1.4のMgF2 なる透明膜をスパッタリング法に
より第1層としてガラス基盤上に膜厚400Åで形成し
た後、このMgF2 膜の表面をHMDS処理し、その上
にフォトレジスト(TSMR‐V3、東京応化製)を第
2層としてスピンコート法により膜厚2200Åで形成
した。この場合、計算上の反射率は10.8%となる。
このように作製されたレジスト盤を波長457.8nm
の露光光で露光し、現像した結果、半値幅Thが約0.
52μmで傾斜角θが約80°で、ランド13部分が平
坦となるグルーブ12が作製できたものである。A second embodiment of the present invention will be described. After forming a transparent film made of MgF 2 having a refractive index of about 1.4 as a first layer on a glass substrate by sputtering at a thickness of 400 °, the surface of the MgF 2 film is subjected to HMDS treatment, and a photoresist ( TSMR-V3, manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) was formed as a second layer to a thickness of 2200 ° by spin coating. In this case, the calculated reflectance is 10.8%.
The resist disk manufactured in this manner was set at a wavelength of 457.8 nm.
And developed as a result, the half-value width Th is about 0.
The groove 12 having 52 μm, the inclination angle θ of about 80 °, and the land 13 portion being flat was produced.
【0058】本発明の第三の実施例を説明する。屈折率
が約2.0のIn2O3なる透明膜をスパッタリング法に
より第1層としてガラス基盤上に膜厚200Åで形成し
た後、このIn2O3膜の表面をHMDS処理し、その上
にフォトレジスト(TSMR‐8900、東京応化製)
を第2層としてスピンコート法により膜厚500Åで形
成した。この場合、計算上の反射率は10.8%とな
る。このように作製されたレジスト盤を波長457.8
nmの露光光で露光し、現像した結果、半値幅Thが約
0.55μmで傾斜角θが約75°で、ランド13部分
が平坦となるグルーブ12が作製できたものである。Next, a third embodiment of the present invention will be described. After forming a transparent film of In 2 O 3 having a refractive index of about 2.0 as a first layer on a glass substrate by a sputtering method with a thickness of 200 °, the surface of the In 2 O 3 film is subjected to HMDS treatment. Photoresist (TSMR-8900, manufactured by Tokyo Ohka)
Was formed as a second layer to a film thickness of 500 ° by spin coating. In this case, the calculated reflectance is 10.8%. The resist disk thus prepared was subjected to a wavelength of 457.8.
A groove 12 having a half width Th of about 0.55 μm, an inclination angle θ of about 75 °, and a flat land 13 was produced as a result of exposure and development with exposure light of nm.
【0059】ちなみに、比較例1として、屈折率が約
2.0のIn2O3なる透明膜をスパッタリング法により
ガラス基盤上に膜厚100Åで形成した後、このIn2
O3膜の表面をHMDS処理し、その上にフォトレジス
ト(TSMR‐8900、東京応化製)をスピンコート
法により膜厚1700Åで形成した。この場合、計算上
の反射率は9.6%となる。このように作製されたレジ
スト盤を波長457.8nmの露光光で露光し、現像し
た結果、半値幅Thが約0.33μmで傾斜角θが約7
0°のグルーブが作製されたものである。As a comparative example 1, a transparent film of In 2 O 3 having a refractive index of about 2.0 was formed on a glass substrate by sputtering at a film thickness of 100 °, and then this In 2 O 3 was formed.
The surface of the O 3 film was subjected to HMDS treatment, and a photoresist (TSMR-8900, manufactured by Tokyo Ohka) was formed thereon to a thickness of 1700 ° by spin coating. In this case, the calculated reflectance is 9.6%. The resist disk thus manufactured was exposed to exposure light having a wavelength of 457.8 nm and developed, and as a result, the half width Th was about 0.33 μm and the inclination angle θ was about 7
A groove of 0 ° is formed.
【0060】また、比較例2として、屈折率が約2.0
のIn2O3なる透明膜をスパッタリング法によりガラス
基盤上に膜厚800Åで形成した後、このIn2O3膜の
表面をHMDS処理し、その上にフォトレジスト(TS
MR‐8900、東京応化製)をスピンコート法により
膜厚1700Åで形成した。この場合、計算上の反射率
は4.73%となる。このように作製されたレジスト盤
を波長457.8nmの露光光で露光し、現像した結
果、半値幅Thが約0.33μmで傾斜角θが約60°
のグルーブが作製されたものである。As Comparative Example 2, the refractive index was about 2.0.
After forming a transparent film of In 2 O 3 on a glass substrate by sputtering at a thickness of 800 °, the surface of the In 2 O 3 film is subjected to HMDS treatment, and a photoresist (TS
MR-8900, manufactured by Tokyo Ohka) with a film thickness of 1700 ° by spin coating. In this case, the calculated reflectance is 4.73%. The resist disk thus produced was exposed to light having a wavelength of 457.8 nm and developed. As a result, the half width Th was about 0.33 μm and the inclination angle θ was about 60 °.
Are produced.
【0061】さらに、比較例3として、ガラス基盤上に
フォトレジスト(TSMR‐8900、東京応化製)を
スピンコート法により膜厚1700Åで直接形成した。
この場合、計算上の反射率は5.9%となる。このよう
に作製されたレジスト盤を波長457.8nmの露光光
で露光し、現像した結果、半値幅Thが約0.31μm
で傾斜角θが約68°のグルーブが作製されたものであ
る。Further, as Comparative Example 3, a photoresist (TSMR-8900, manufactured by Tokyo Ohka) was directly formed on a glass substrate to a film thickness of 1700 ° by spin coating.
In this case, the calculated reflectance is 5.9%. The resist disk thus manufactured was exposed to exposure light having a wavelength of 457.8 nm and developed, and as a result, the half width Th was about 0.31 μm.
And a groove having an inclination angle θ of about 68 ° was produced.
【0062】これらの第一ないし第三の実施例及び比較
例1ないし3を総合すると、比較例1,2の結果によれ
ば、第1層15を設けても反射率が10%以下の場合に
は得られるグルーブの傾斜角が70°以下で従来程度に
留まり、かつ、比較例3の結果によれば、第1層を設け
ない場合にはグルーブの傾斜角が約68°に留まること
がわかる。これにより、反射率を10%以上に強める第
1層15を付加させることが重要であることがわかる。
また、波長457.8nmの露光光は一般には、CD等
のトラックピッチTpが1.6μmの場合に用いられて
おり、DVDのような狭トラックピッチの露光には向か
ないとされていたが、これらの実施例によれば、狭トラ
ックピッチの場合でも半値幅部分の傾斜角が71°以上
となるグルーブを作製できることが分かる。When these first to third examples and comparative examples 1 to 3 are combined, the results of comparative examples 1 and 3 show that even when the first layer 15 is provided, the reflectance is 10% or less. According to the result of Comparative Example 3, the inclination angle of the groove is kept at about 68 ° when the first layer is not provided. Recognize. This indicates that it is important to add the first layer 15 for increasing the reflectance to 10% or more.
Exposure light having a wavelength of 457.8 nm is generally used when the track pitch Tp of a CD or the like is 1.6 μm and is not suitable for exposure at a narrow track pitch such as a DVD. According to these examples, it can be seen that a groove having a half-width portion with an inclination angle of 71 ° or more can be manufactured even with a narrow track pitch.
【0063】次に、露光光の波長が413nmの場合の
具体例を第四,五の実施例及び比較例4,5として説明
する。一般に、波長413nmのレーザ光はDVDのマ
スタリング用として使用されている。Next, specific examples in which the wavelength of the exposure light is 413 nm will be described as fourth and fifth embodiments and comparative examples 4 and 5. Generally, laser light having a wavelength of 413 nm is used for mastering DVDs.
【0064】本発明の第四の実施例を説明する。屈折率
が約2.0のIn2O3なる透明膜をスパッタリング法に
より第1層としてガラス基盤上に膜厚150Åで形成し
た後、このIn2O3膜の表面をHMDS処理し、その上
にフォトレジスト(THMR‐iP3300、東京応化
製)を第2層としてスピンコート法により膜厚1650
Åで形成した。この場合、計算上の反射率は11.3%
となる。このように作製されたレジスト盤を波長413
nmの露光光で露光し、現像した結果、半値幅Thが約
0.33μmで傾斜角θが約82°で、ランド13部分
が平坦となるグルーブ12が作製できたものである。Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. After forming a transparent film of In 2 O 3 having a refractive index of about 2.0 as a first layer on a glass substrate by sputtering at a thickness of 150 °, the surface of the In 2 O 3 film is subjected to HMDS treatment, and The photoresist (THMR-iP3300, manufactured by Tokyo Ohka) is used as a second layer to a thickness of 1650 by spin coating
Å formed. In this case, the calculated reflectance is 11.3%
Becomes The resist disk thus manufactured was subjected to wavelength 413.
A groove 12 having a half width Th of about 0.33 μm, an inclination angle θ of about 82 °, and a flat land 13 was produced as a result of exposure and development with exposure light of nm.
【0065】本発明の第五の実施例を説明する。屈折率
が約1.4のMgF2 なる透明膜をスパッタリング法に
より第1層としてガラス基盤上に膜厚800Åで形成し
た後、このMgF2 膜の表面をHMDS処理し、その上
にフォトレジスト(THMR‐iP3300、東京応化
製)を第2層としてスピンコート法により膜厚420Å
で形成した。この場合、計算上の反射率は10.5%と
なる。このように作製されたレジスト盤を波長413n
mの露光光で露光し、現像した結果、半値幅Thが約
0.30μmで傾斜角θが約80°で、ランド13部分
が平坦となるグルーブ12が作製できたものである。Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. After forming a transparent film made of MgF 2 having a refractive index of about 1.4 as a first layer on a glass substrate by sputtering at a thickness of 800 °, the surface of the MgF 2 film is subjected to HMDS treatment, and a photoresist ( THMR-iP3300, manufactured by Tokyo Ohka) as the second layer and a thickness of 420 に よ り by spin coating.
Formed. In this case, the calculated reflectance is 10.5%. The resist disk manufactured in this manner was set to a wavelength of 413n.
As a result of exposure and development with exposure light of m, a groove 12 having a half width Th of about 0.30 μm, an inclination angle θ of about 80 °, and a flat land 13 was produced.
【0066】ちなみに、比較例4として、ガラス基盤上
にフォトレジスト(THMR‐iP3300、東京応化
製)をスピンコート法により膜厚1650Åで形成し
た。この場合、計算上の反射率は7.0%となる。この
ように作製されたレジスト盤を波長413nmの露光光
で露光し、現像した結果、半値幅Thが約0.32μm
で傾斜角θが約67°のグルーブが作製されたものであ
る。As a comparative example 4, a photoresist (THMR-iP3300, manufactured by Tokyo Ohka) was formed on a glass substrate by spin coating at a thickness of 1650 °. In this case, the calculated reflectivity is 7.0%. The resist disk thus manufactured was exposed to exposure light having a wavelength of 413 nm and developed, and as a result, the half width Th was about 0.32 μm.
And a groove having an inclination angle θ of about 67 ° was produced.
【0067】また、比較例5として、ガラス基盤上にフ
ォトレジスト(THMR‐iP3300、東京応化製)
をスピンコート法により膜厚420Åで形成した。この
場合、計算上の反射率は7.2%となる。このように作
製されたレジスト盤を波長413nmの露光光で露光
し、現像した結果、半値幅Thが約0.28μmで傾斜
角θが約35°のグルーブが作製されたものである。As a comparative example 5, a photoresist (THMR-iP3300, manufactured by Tokyo Ohka) was formed on a glass substrate.
Was formed to a thickness of 420 ° by spin coating. In this case, the calculated reflectivity is 7.2%. The resist disk thus manufactured was exposed to light having a wavelength of 413 nm and developed, and as a result, a groove having a half width Th of about 0.28 μm and an inclination angle θ of about 35 ° was manufactured.
【0068】これらの第四,五の実施例及び比較例4,
5を総合すると、比較例4,5の結果によれば、413
nmの波長光を用いる場合も、第1層を設けない場合に
はグルーブの傾斜角を約71°以上にするのが難しいこ
とがわかる。These fourth and fifth examples and comparative examples 4,
5, the results of Comparative Examples 4 and 5 indicate that 413
It can be seen that it is difficult to set the inclination angle of the groove to about 71 ° or more when the first layer is not provided even when the light having the wavelength of nm is used.
【0069】[0069]
【発明の効果】請求項1記載の発明の光ディスク用原盤
によれば、トラックピッチが0.6〜1.0μmの範囲
内、半値幅が0.2〜0.6μmの範囲内、その半値幅
部分での傾斜角が71〜90°の範囲内となるグルーブ
を有しているので、0.6〜1.0μmの範囲内といっ
た狭トラックピッチのグルーブの場合でもランド部分に
平坦部を持たせることができる。According to the master for an optical disk according to the first aspect of the present invention, the track pitch is in the range of 0.6 to 1.0 μm, the half width is in the range of 0.2 to 0.6 μm, and the half width is in the range. Since there is a groove having an inclination angle in the range of 71 to 90 ° at the portion, the land portion has a flat portion even in the case of a groove having a narrow track pitch such as in the range of 0.6 to 1.0 μm. be able to.
【0070】請求項2記載の発明は、請求項1記載の光
ディスク用原盤の作製方法であって、ガラス基盤上にこ
のガラス基盤とは異なる屈折率の透明膜による第1層と
フォトレジストによる第2層とが順に積層され、前記第
2層の膜厚とこの第2層を露光する露光光の波長とに対
してこの露光光の反射が強くなるように前記第1層の膜
厚が設定されたレジスト盤に対して、前記波長の露光光
で露光した後、現像することによりグルーブを作製する
ようにしたので、第2層の第1層に近い部分での露光強
度を強めることができ、この結果、第2層の第1層に近
い部分の露光量が大きくなり、第1層を有しない場合に
比して、第2層底部の幅が広がってグルーブの傾斜角を
急峻にすることができ、よって、グルーブの傾斜角を大
きくして71〜90°の範囲内となるようにすることが
でき、目的とする狭トラックピッチの光ディスク用原盤
を作製することができる。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical disc master according to the first aspect, wherein a first layer of a transparent film having a refractive index different from that of the glass substrate and a first layer of a photoresist are formed on the glass substrate. The two layers are sequentially stacked, and the thickness of the first layer is set so that the reflection of the exposure light becomes stronger with respect to the thickness of the second layer and the wavelength of the exposure light for exposing the second layer. After the exposed resist disk is exposed to the exposure light having the above-described wavelength, the groove is produced by developing, so that the exposure intensity in the portion of the second layer close to the first layer can be increased. As a result, the exposure of the portion of the second layer close to the first layer is increased, and the width of the bottom of the second layer is widened and the inclination angle of the groove is steeper than when the first layer is not provided. Therefore, it is possible to increase the inclination angle of the groove to 71 to 9 ° can be made to be within a range of, it can be produced an optical disc master of the track pitch of interest.
【0071】請求項3記載の発明によれば、請求項2記
載の発明の光ディスク用原盤の作製方法において、レジ
スト盤における第1層は、露光光の反射率が10%以上
となるように露光光の反射を強めるようにしたので、グ
ルーブの傾斜角を確実に71〜90°の範囲内にするこ
とができる。According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing an optical disk master according to the second aspect of the present invention, the first layer on the resist disk is exposed so that the reflectance of the exposure light is 10% or more. Since the reflection of light is enhanced, the inclination angle of the groove can be reliably set in the range of 71 to 90 °.
【0072】請求項4ないし39記載の発明によれば、
第2層の膜厚と第2層に対する露光光の波長457.8
nm又は413nmとの関連で第1層の屈折率と膜厚と
の適正範囲が明らかにされており、反射率を10%以上
に強めるためのレジスト盤の層構成が明らかとなる。According to the invention of claims 4 to 39,
Thickness of second layer and wavelength of exposure light for second layer 457.8
The appropriate range of the refractive index and the film thickness of the first layer is clarified in relation to nm or 413 nm, and the layer constitution of the resist disk for increasing the reflectivity to 10% or more is clarified.
【図1】本発明の一実施の形態を示すグルーブ断面構造
の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a groove sectional structure showing an embodiment of the present invention.
【図2】ガラス基盤上のフォトレジストの反射率特性を
示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing a reflectance characteristic of a photoresist on a glass substrate.
【図3】レジスト盤の層構成を示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a layer configuration of a resist board.
【図4】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜厚
が400Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of a second layer is 400 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図5】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜厚
が500Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 5 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 500 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図6】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜厚
が600Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing a calculation result example when the thickness of the second layer is 600 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図7】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜厚
が700Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 700 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図8】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜厚
が800Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 800 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図9】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜厚
が900Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 900 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図10】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が1000Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 10 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1000 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図11】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が1100Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 11 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1100 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図12】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が1200Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 12 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1200 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図13】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が1300Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 13 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1300 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図14】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が1400Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 14 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1400 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図15】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が1500Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 15 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1500 ° under a condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図16】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が1600Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 16 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1600 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図17】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が1700Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 17 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1700 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図18】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が1800Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 18 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1800 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図19】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が1900Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 19 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1900 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図20】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が2000Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 20 is a characteristic diagram showing a calculation result example when the thickness of the second layer is 2000 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図21】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が2100Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 21 is a characteristic diagram illustrating an example of calculation results when the thickness of the second layer is 2100 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図22】波長457.8nmなる条件で、第2層の膜
厚が2200Åの場合の計算結果例を示す特性図であ
る。FIG. 22 is a characteristic diagram showing a calculation result example when the thickness of the second layer is 2200 ° under the condition of a wavelength of 457.8 nm.
【図23】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
400Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 23 is a characteristic diagram showing a calculation result example when the thickness of the second layer is 400 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図24】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
500Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 24 is a characteristic diagram showing a calculation result example when the thickness of the second layer is 500 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.
【図25】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
600Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 25 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 600 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.
【図26】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
700Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 26 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 700 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.
【図27】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
800Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 27 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 800 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図28】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
900Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 28 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 900 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図29】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
1000Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 29 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1000 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.
【図30】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
1100Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 30 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1100 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図31】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
1200Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 31 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1200 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.
【図32】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
1300Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 32 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1300 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.
【図33】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
1400Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 33 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1400 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図34】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
1500Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 34 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1500 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.
【図35】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
1600Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 35 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1600 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図36】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
1700Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 36 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1700 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図37】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
1800Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 37 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1800 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図38】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
1900Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 38 is a characteristic diagram illustrating an example of calculation results when the thickness of the second layer is 1900 ° under a condition of a wavelength of 413 nm.
【図39】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
2000Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 39 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 2000 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図40】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
2100Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 40 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 2100 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図41】波長413nmなる条件で、第2層の膜厚が
2200Åの場合の計算結果例を示す特性図である。FIG. 41 is a characteristic diagram showing an example of calculation results when the thickness of the second layer is 2200 ° under the condition of a wavelength of 413 nm.
【図42】CD‐R,CD‐RWの一般的なグルーブ断
面構造を示す模式図である。FIG. 42 is a schematic view showing a general groove sectional structure of a CD-R or CD-RW.
【図43】DVD用の従来例を示すグルーブ断面構造の
模式図である。FIG. 43 is a schematic diagram of a groove sectional structure showing a conventional example for DVD.
11 光ディスク用原盤 12 グルーブ 14 ガラス基盤 15 第1層 16 第2層 Tp トラックピッチ Th 半値幅 θ 傾斜角 11 Master Disc for Optical Disc 12 Groove 14 Glass Base 15 First Layer 16 Second Layer Tp Track Pitch Th Half Width θ Inclination Angle
Claims (39)
範囲内、半値幅が0.2〜0.6μmの範囲内、その半
値幅部分での傾斜角が71〜90°の範囲内となるグル
ーブを有することを特徴とする光ディスク用原盤。1. A track pitch in a range of 0.6 to 1.0 μm, a half width in a range of 0.2 to 0.6 μm, and an inclination angle in a half width range of 71 to 90 °. A master disc for an optical disc, characterized by having a groove.
方法であって、ガラス基盤上にこのガラス基盤とは異な
る屈折率の透明膜による第1層とフォトレジストによる
第2層とが順に積層され、前記第2層の膜厚とこの第2
層を露光する露光光の波長とに対してこの露光光の反射
が強くなるように前記第1層の膜厚が設定されたレジス
ト盤に対して、前記波長の露光光で露光した後、現像す
ることによりグルーブを作製するようにしたことを特徴
とする光ディスク用原盤の作製方法。2. The method for producing an optical disk master according to claim 1, wherein a first layer of a transparent film having a refractive index different from that of the glass substrate and a second layer of a photoresist are sequentially laminated on the glass substrate. The thickness of the second layer and the second
After exposing with the exposure light of the wavelength, the resist disc in which the thickness of the first layer is set so that the reflection of the exposure light becomes stronger with respect to the wavelength of the exposure light for exposing the layer, A method for producing a master for an optical disk, characterized in that a groove is produced by performing the method.
反射率が10%以上となるように露光光の反射を強める
ことを特徴とする請求項2記載の光ディスク用原盤の作
製方法。3. The method according to claim 2, wherein the first layer of the resist disc enhances the reflection of the exposure light so that the reflectivity of the exposure light is 10% or more.
膜厚が400〜500Åの範囲内でこの第2層を露光す
る露光光の波長が457.8nmのときに、屈折率が
2.0〜2.1の範囲内で膜厚が120〜340Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。4. The first layer in the resist disk has a refractive index of 2 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 400 to 500 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is in a range of 120 to 340 ° within a range of 0.0 to 2.1.
膜厚が500〜600Åの範囲内でこの第2層を露光す
る露光光の波長が457.8nmのときに、屈折率が
1.3〜1.4の範囲内で膜厚が680〜1280Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。5. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 500 to 600 °. 4. The method according to claim 3, wherein the film thickness is in the range of 680 to 1280 [deg.] Within the range of 0.3 to 1.4.
膜厚が600〜700Åの範囲内でこの第2層を露光す
る露光光の波長が457.8nmのときに、屈折率が
1.3〜1.4の範囲内で膜厚が470〜1260Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。6. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 600 to 700 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is within a range of 470 to 1260 ° within a range of 0.3 to 1.4.
膜厚が700〜800Åの範囲内でこの第2層を露光す
る露光光の波長が457.8nmのときに、屈折率が
1.3〜1.4の範囲内で膜厚が350〜1130Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。7. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 700 to 800 °. 4. The method according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a thickness within a range of 350 to 1130 ° within a range of 0.3 to 1.4.
膜厚が800〜900Åの範囲内でこの第2層を露光す
る露光光の波長が457.8nmのときに、屈折率が
1.3〜1.4の範囲内で膜厚が350〜910Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。8. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 800 to 900 °. 4. The method according to claim 3, wherein the film is formed to have a thickness within a range of 350 to 910 ° within a range of 0.3 to 1.4.
膜厚が900〜1000Åの範囲内でこの第2層を露光
する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折率が
2.0〜2.1の範囲内で膜厚が770〜1000Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。9. The first layer in the resist disk has a refractive index of 2 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 900 to 1000 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is in a range of 770 to 1000 [deg.] Within a range of 0.0 to 2.1.
の膜厚が1000〜1100Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.9〜2.1の範囲内で膜厚が700〜1000
Åの範囲内となるように形成されていることを特徴とす
る請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。10. The first layer of the resist disc has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1000 to 1100 °. The film thickness is 700 to 1000 within the range of 0.9 to 2.1.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of Å.
の膜厚が1100〜1200Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.8〜2.1の範囲内で膜厚が690〜970Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。11. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1100 to 1200 °. The film thickness is 690 to 970 ° in the range of 0.8 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range described above.
の膜厚が1200〜1300Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.8〜2.1の範囲内で膜厚が560〜940Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。12. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1200 to 1300 °. The film thickness is 560 to 940 ° within the range of 0.8 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of.
の膜厚が1300〜1400Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.8〜2.1の範囲内で膜厚が450〜890Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。13. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1300 to 1400 °. The film thickness is 450 to 890 ° within the range of 0.8 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of.
の膜厚が1400〜1500Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.8〜2.1の範囲内で膜厚が370〜800Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。14. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1400 to 1500 °. The film thickness is 370-800Å within the range of 0.8-2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of.
の膜厚が1500〜1600Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.8〜2.1の範囲内で膜厚が300〜690Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。15. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1500 to 1600 °. The film thickness is 300 to 690 ° within the range of 0.8 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of.
の膜厚が1600〜1700Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.8〜2.1の範囲内で膜厚が250〜540Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。16. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1600 to 1700 °. 0.8 to 2.1 in the range of 250 to 540 °
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of.
の膜厚が1700〜1800Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.9〜2.1の範囲内で膜厚が150〜460Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。17. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1700 to 1800 °. The film thickness is 150 to 460 ° within the range of 0.9 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of.
の膜厚が1800〜1900Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が2.0〜2.1の範囲内で膜厚が130〜310Å
の範囲内となるように形成されていることを特徴とする
請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。18. The first layer in the resist disk has a refractive index of 2 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1800 to 1900 °. The film thickness is 130 to 310 ° within the range of 0.0 to 2.1.
4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of.
の膜厚が1900〜2000Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.3〜1.4の範囲内で膜厚が650〜1290
Åの範囲内となるように形成されていることを特徴とす
る請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。19. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1900 to 2000 °. The film thickness is 650 to 1290 within the range of 0.3 to 1.4.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of Å.
の膜厚が2000〜2100Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.3〜1.4の範囲内で膜厚が450〜1250
Åの範囲内となるように形成されていることを特徴とす
る請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。20. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 2000 to 2100 °. The film thickness is 450 to 1250 within the range of 0.3 to 1.4.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of Å.
の膜厚が2100〜2200Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が457.8nmのときに、屈折
率が1.3〜1.4の範囲内で膜厚が340〜1110
Åの範囲内となるように形成されていることを特徴とす
る請求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。21. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 457.8 nm when the thickness of the second layer is in the range of 2100 to 2200 °. The film thickness is 340-1110 within the range of 0.3-1.4.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the optical disk is formed so as to fall within the range of Å.
の膜厚が400〜500Åの範囲内でこの第2層を露光
する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が1.
3〜1.4の範囲内で膜厚が780〜1090Åの範囲
内となるように形成されていることを特徴とする請求項
3記載の光ディスク用原盤の作製方法。22. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1.13 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 400 to 500 °.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 780 to 1090 [deg.] Within a range of 3 to 1.4.
の膜厚が500〜600Åの範囲内でこの第2層を露光
する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が1.
3〜1.4の範囲内で膜厚が500〜1160Åの範囲
内となるように形成されていることを特徴とする請求項
3記載の光ディスク用原盤の作製方法。23. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.13 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 500 to 600 °.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within the range of 500 to 1160 [deg.] Within the range of 3 to 1.4.
の膜厚が600〜700Åの範囲内でこの第2層を露光
する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が1.
3〜1.4の範囲内で膜厚が350〜1050Åの範囲
内となるように形成されていることを特徴とする請求項
3記載の光ディスク用原盤の作製方法。24. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.13 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 600 to 700 °.
4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed to have a thickness within a range of 350 to 1,050 [deg.] Within a range of 3 to 1.4.
の膜厚が700〜800Åの範囲内でこの第2層を露光
する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が1.
3〜1.4の範囲内で膜厚が310〜850Åの範囲内
となるように形成されていることを特徴とする請求項3
記載の光ディスク用原盤の作製方法。25. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1.13 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 700 to 800 °.
The film is formed so that the film thickness is in the range of 310 to 850 ° within the range of 3 to 1.4.
The method for producing the master for an optical disc described above.
の膜厚が800〜900Åの範囲内でこの第2層を露光
する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が2.
0〜2.1の範囲内で膜厚が730〜900Åの範囲内
となるように形成されていることを特徴とする請求項3
記載の光ディスク用原盤の作製方法。26. The first layer of the resist disk having a refractive index of 2.13 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 800 to 900 °.
4. A film according to claim 3, wherein the film thickness is in the range of 730 to 900 [deg.] Within the range of 0 to 2.1.
The method for producing the master for an optical disc described above.
の膜厚が900〜1000Åの範囲内でこの第2層を露
光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.9〜2.1の範囲内で膜厚が640〜900Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。27. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.9 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 900 to 1000 °. 4. The method according to claim 3, wherein the film thickness is in the range of 640 to 900 [deg.] Within the range of 2.1 to 2.1.
の膜厚が1000〜1100Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.8〜2.1の範囲内で膜厚が610〜870Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。28. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.8 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1000 to 1100 °. 4. The method for manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is in the range of 610 to 870 [deg.] Within the range of 2.1 to 2.1.
の膜厚が1100〜1200Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.8〜2.1の範囲内で膜厚が480〜840Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。29. The first layer in the resist disc has a refractive index of 1.8 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1100 to 1200 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 480 to 840 [deg.] Within a range of 2.1 to 2.1.
の膜厚が1200〜1300Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.8〜2.1の範囲内で膜厚が380〜770Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。30. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.8 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1200 to 1300 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a thickness within a range of 380-770 [deg.] Within a range of -2.1.
の膜厚が1300〜1400Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.8〜2.1の範囲内で膜厚が300〜670Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。31. The first layer of the resist disk has a refractive index of 1.8 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1300 to 1400 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 300 to 670 [deg.] Within a range of 2.1 to 2.1.
の膜厚が1400〜1500Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.8〜2.1の範囲内で膜厚が250〜540Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。32. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.8 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1400 to 1500 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a thickness within a range of 250 to 540 [deg.] Within a range of 2.1 to 2.1.
の膜厚が1500〜1600Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.9〜2.1の範囲内で膜厚が150〜460Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。33. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.9 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1500 to 1600 °. 4. The method for producing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed to have a thickness within a range of 150 to 460 ° within a range of 2.1 to 2.1.
の膜厚が1600〜1700Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
2.0〜2.1の範囲内で膜厚が110〜310Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。34. The first layer in the resist disk has a refractive index of 2.0 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1600 to 1700 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed to have a thickness within a range of 110 to 310 [deg.] Within a range of 2.1 to 2.1 [deg.].
の膜厚が1700〜1800Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.3〜1.4の範囲内で膜厚が620〜1160Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。35. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.3 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1700 to 1800 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 620 to 1160 [deg.] Within a range of up to 1.4.
の膜厚が1800〜1900Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.3〜1.4の範囲内で膜厚が420〜1120Åの
範囲内となるように形成されていることを特徴とする請
求項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。36. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.3 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1800 to 1900 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 420 to 1120 [deg.] Within a range of up to 1.4.
の膜厚が1900〜2000Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.3〜1.4の範囲内で膜厚が310〜970Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。37. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.3 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 1900 to 2000 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so as to have a film thickness within a range of 310 to 970 [deg.] Within a range of ~ 1.4.
の膜厚が2000〜2100Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
1.3〜1.4の範囲内で膜厚が370〜700Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。38. The first layer in the resist disk has a refractive index of 1.3 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 2000 to 2100 °. 4. The method according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is in the range of 370-700 [deg.] Within the range of -1.4.
の膜厚が2100〜2200Åの範囲内でこの第2層を
露光する露光光の波長が413nmのときに、屈折率が
2.0〜2.1の範囲内で膜厚が630〜900Åの範
囲内となるように形成されていることを特徴とする請求
項3記載の光ディスク用原盤の作製方法。39. The first layer in the resist disk has a refractive index of 2.0 when the wavelength of exposure light for exposing the second layer is 413 nm when the thickness of the second layer is in the range of 2100 to 2200 °. 4. The method of manufacturing an optical disk master according to claim 3, wherein the film is formed so that the film thickness is within a range of 630 to 900 [deg.] Within a range of from 2.1 to 2.1.
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---|---|---|---|
JP12456798A JPH1166636A (en) | 1997-06-13 | 1998-05-07 | Optical master disk and irs manufacture |
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JP15688197 | 1997-06-13 | ||
JP9-156881 | 1997-06-13 | ||
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1166636A true JPH1166636A (en) | 1999-03-09 |
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ID=26461238
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP12456798A Pending JPH1166636A (en) | 1997-06-13 | 1998-05-07 | Optical master disk and irs manufacture |
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JP (1) | JPH1166636A (en) |
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1998
- 1998-05-07 JP JP12456798A patent/JPH1166636A/en active Pending
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