JPH1164653A - Array waveguide grating element - Google Patents
Array waveguide grating elementInfo
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- JPH1164653A JPH1164653A JP21657497A JP21657497A JPH1164653A JP H1164653 A JPH1164653 A JP H1164653A JP 21657497 A JP21657497 A JP 21657497A JP 21657497 A JP21657497 A JP 21657497A JP H1164653 A JPH1164653 A JP H1164653A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光交換、
光情報処理等に用いられるアレイ導波路格子素子に関す
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to optical communication, optical switching,
The present invention relates to an arrayed waveguide grating element used for optical information processing and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】光通信技術の高度化に伴い、大容量の通
信を実現するために波長多重（ＷＤＭ）化された信号を
用いることが行われており、かかる技術の開発が重要な
課題となっている。多重化された光の中から必要とする
波長のみを任意に抽出したり（バンドパスフィルタ
ー）、必要な波長の信号のみを分離したり必要な波長の
光を追加したり（波長合分波器）、波長に応じて出射経
路を変更したり（波長ルーター）することができる機能
を持つ素子は、ＷＤＭシステムの中で非常に重要な役割
を果たしている。2. Description of the Related Art With the advancement of optical communication technology, wavelength multiplexed (WDM) signals have been used in order to realize large-capacity communication. Has become. It is possible to arbitrarily extract only the required wavelength from the multiplexed light (bandpass filter), separate only the signal of the required wavelength, and add the light of the required wavelength (wavelength multiplexer / demultiplexer). An element having the function of changing the emission path (wavelength router) according to the wavelength plays a very important role in the WDM system.
【０００３】アレイ導波路格子素子はフィルター特性が
急峻で高い消光比を有し、規則的な周期性を持ち、かつ
多入力・多出力ポート構成を有するので、容易に波長合
分波器および波長ルーター等を構成することができる。
アレイ導波路格子素子は、このように優れた特性を有す
るので、ＷＤＭ用集積回路部品の基本要素の１つとして
期待されている。特に、半導体ハイメサ導波路構造を用
いると、非常に小型の偏波無依存フィルターを実現する
ことができるので、その実用化が待たれている。An arrayed waveguide grating element has a steep filter characteristic, a high extinction ratio, a regular periodicity, and a multi-input / multi-output port configuration. A router or the like can be configured.
Since the arrayed waveguide grating element has such excellent characteristics, it is expected to be one of the basic elements of an integrated circuit component for WDM. In particular, when a semiconductor high-mesa waveguide structure is used, a very small polarization-independent filter can be realized.
【０００４】図１に、従来のアレイ導波路格子素子の構
成図を示す。入力導波路１を接続した第１スラブ導波路
２と、出力導波路５を接続した第２スラブ導波路４とを
アレイ導波路３の両端に有する。また、図２は、図１に
おける直線Ａ−Ａ′で切断したときのアレイ導波路格子
素子の断面を示す。図２（ａ）は導波路がハイメサ導波
路構造の場合の断面図であり、（ｂ）は埋め込み導波路
構造の場合の断面図であり、（ｃ）は埋め込みリブ導波
路構造の場合の断面図であり、（ｄ）はリブ導波路構造
の場合の断面図である。このように様々な導波路構造で
導波路素子は作製されるが、一般に、半導体導波路は、
光伝送に用いられる通常の光ファイバと比較すると導波
路の光学的なスポットサイズがかなり小さくなるので、
光ファイバと接続する場合、接続効率が悪く接続時のミ
スアライメントに対するトレランスも小さくなる。その
ため非常に厳密な位置合わせを行わなければならずモジ
ュール化が困難であり、実用化の妨げの原因となってい
た。もちろん、光ファイバとの接続を重視して設計する
ことは可能であり、かかる設計に基づいて導波路を形成
すれば接続効率は高くなるが、ＬＤ、ＡＭＴ、Ｇａｔ
ｅ、ＳＷ等の半導体デバイスとのスポットサイズや導波
路構造の適合性が悪くなるので、集積化を図ることは困
難になる、という問題があった。FIG. 1 shows a configuration diagram of a conventional arrayed waveguide grating element. A first slab waveguide 2 connected to the input waveguide 1 and a second slab waveguide 4 connected to the output waveguide 5 are provided at both ends of the arrayed waveguide 3. FIG. 2 shows a cross section of the arrayed waveguide grating element taken along a line AA 'in FIG. 2A is a cross-sectional view when the waveguide has a high-mesa waveguide structure, FIG. 2B is a cross-sectional view when the buried waveguide structure is used, and FIG. 2C is a cross-sectional view when the buried rib waveguide structure is used. It is a figure, (d) is sectional drawing in the case of a rib waveguide structure. As described above, a waveguide element is manufactured with various waveguide structures. In general, a semiconductor waveguide is
Since the optical spot size of the waveguide is considerably smaller than that of a normal optical fiber used for optical transmission,
When connecting to an optical fiber, the connection efficiency is poor and the tolerance for misalignment during connection is small. For this reason, very strict alignment must be performed, and modularization is difficult, which has hindered practical use. Of course, it is possible to design with emphasis on the connection with the optical fiber, and if the waveguide is formed based on such a design, the connection efficiency will be high. However, LD, AMT, Gat
There is a problem that compatibility with a semiconductor device such as e, SW or the like and the compatibility of the waveguide structure are deteriorated, so that it is difficult to achieve integration.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決すべくなされたものであり、本発明の目的は、光フ
ァイバーとの光学的なスポットサイズの不一致を解消
し、接続効率を高くしつつ、結合トレランスを拡大し、
かつ安価なモジュールを可能とするアレイ導波路格子素
子を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to eliminate the mismatch of the optical spot size with the optical fiber and increase the connection efficiency. While increasing the coupling tolerance,
It is another object of the present invention to provide an arrayed waveguide grating element that enables an inexpensive module.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、入力導波路を
接続した第１スラブ導波路および出力導波路を接続した
第２スラブ導波路をアレイ導波路の両端に有する光導波
路回路を具備するアレイ導波路格子素子であって、入力
導波路および出力導波路にスポットサイズ変換部を有
し、このスポットサイズ変換部の少なくとも片側が２層
以上の多層のコア導波路からなるように構成されている
ことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention comprises an optical waveguide circuit having a first slab waveguide connected to an input waveguide and a second slab waveguide connected to an output waveguide at both ends of an arrayed waveguide. An arrayed waveguide grating element having an input waveguide and an output waveguide, having a spot size conversion section, wherein at least one side of the spot size conversion section is formed of a multilayer core waveguide having two or more layers. It is characterized by being.
【０００７】ここで、スポットサイズ変換部はテーパ導
波路を具備することができる。Here, the spot size converter can include a tapered waveguide.
【０００８】また、スポットサイズ変換部は薄膜コアを
具備することができる。[0008] The spot size converter may include a thin film core.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】図３は、本発明のアレイ導波路格
子素子の実施形態を示す模式図である。入力導波路１１
に接続する第１スラブ導波路１２と出力導波路１５に接
続する第２スラブ導波路１４とをアレイ導波路１３の両
端に有し、入力導波路１１にスポットサイズ変換部１
６、出力導波路１５にスポットサイズ変換部１７を有す
る。入力導波路１１および出力導波路１５は１本以上の
導波路から構成される。本発明のアレイ導波路格子素子
は、少なくとも片側が２層以上の多層のコア導波路から
構成される部分を有するように構成されている。なお、
スポットサイズ変換部の設置位置は入力導波路および出
力導波路に限定されるものではなく、入力導波路（出力
導波路）と第１スラブ導波路（第２スラブ導波路）との
境界部分でも、その他適当な位置でもよい。ここで、第
１スラブ導波路と第２スラブ導波路とは同一の構成でも
異なっていてもよい。FIG. 3 is a schematic view showing an embodiment of an arrayed waveguide grating device according to the present invention. Input waveguide 11
And a second slab waveguide 14 connected to the output waveguide 15 at both ends of the arrayed waveguide 13, and the input waveguide 11 has a spot size converter 1
6. The output waveguide 15 has a spot size converter 17. The input waveguide 11 and the output waveguide 15 are composed of one or more waveguides. The arrayed waveguide grating element of the present invention is configured so that at least one side has a portion constituted by a multilayer core waveguide having two or more layers. In addition,
The installation position of the spot size conversion unit is not limited to the input waveguide and the output waveguide, but may be the boundary position between the input waveguide (output waveguide) and the first slab waveguide (second slab waveguide). Other appropriate positions may be used. Here, the first slab waveguide and the second slab waveguide may have the same configuration or different configurations.
【００１０】図４に本発明のコア層が多層構造の場合の
導波路を示すが、これは図３の直線Ａ−Ａ′で切断した
ときの断面図である。説明上、（ａ）および（ｂ）に２
層構造を、（ｃ）および（ｄ）に３層構造を示したが３
層以上の多層構造をとることも可能であり、ここに示し
た態様に限定されるものではない。図４（ａ）は導波路
がハイメサ導波路構造の場合の断面を表し、（ｂ）は埋
め込み導波路構造の場合の断面を表し、（ｃ）は埋め込
みリブ導波路構造の場合の断面を表し、（ｄ）はリブ導
波路構造の場合の断面を表す。FIG. 4 shows a waveguide in the case where the core layer of the present invention has a multilayer structure, and is a cross-sectional view taken along a line AA 'in FIG. For the sake of explanation, 2 in (a) and (b)
The three-layer structure is shown in (c) and (d).
It is also possible to take a multilayer structure having more than two layers, and it is not limited to the embodiment shown here. 4A shows a cross section when the waveguide has a high-mesa waveguide structure, FIG. 4B shows a cross section when the waveguide has a buried waveguide structure, and FIG. 4C shows a cross section when the waveguide has a buried rib waveguide structure. , (D) show a cross section in the case of a rib waveguide structure.
【００１１】本発明のアレイ導波路格子素子は、光ファ
イバーとの結合を容易にするため、例えば入力導波路お
よび出力導波路の端部にスポットサイズ変換部を有す
る。本発明に用いられるスポットサイズ変換部を図５に
示すが、図５（ａ）、（ｂ）に導波路がハイメサ導波路
構造の場合のスポットサイズ変換部を、（ｃ）にハイメ
サ導波路→埋め込み導波路構造の場合のスポットサイズ
変換部を、（ｄ）に埋め込み導波路−リブ導波路構造の
場合のスポットサイズ変換部を、（ｅ）に埋め込み導波
路−リブ導波路構造の場合のスポットサイズ変換部を示
す。本発明において、導波路のコア層は単層ではなく２
層以上の多層構造であるが、多層構造としたのは以下の
理由による。すなわち、アレイ導波路格子素子のフィル
ター特性は、アレイ導波路の等価屈折率や光閉じこめ係
数等によって大きく変化するが、かかるフィルター特性
に影響を与えずに容易にスポットサイズ変換構造を作製
できるようにするためである。The arrayed waveguide grating element of the present invention has a spot size converter at, for example, an end of an input waveguide and an output waveguide to facilitate coupling with an optical fiber. FIG. 5 shows a spot size converter used in the present invention. FIGS. 5A and 5B show a spot size converter when the waveguide has a high mesa waveguide structure, and FIG. 5C shows a high mesa waveguide. The spot size converter in the case of the buried waveguide structure is shown in (d), the spot size converter in the case of the buried waveguide-rib waveguide structure is shown in (d), and the spot in the case of the buried waveguide-rib waveguide structure is shown in (e). 3 shows a size conversion unit. In the present invention, the core layer of the waveguide is not a single layer but 2 layers.
Although the multilayer structure has more than two layers, the multilayer structure is used for the following reason. In other words, the filter characteristics of the arrayed waveguide grating element vary greatly depending on the equivalent refractive index of the arrayed waveguide, the light confinement coefficient, and the like, but the spot size conversion structure can be easily manufactured without affecting the filter characteristics. To do that.
【００１２】以下に、図４（ｂ）に示すような埋め込み
導波路を例にとり、図６を用いてコア層を多層化するこ
とによる効果を説明する。図６（ａ）はThe effect of the multi-layered core layer will be described below with reference to FIG. 6, taking an example of an embedded waveguide as shown in FIG. 4B. FIG. 6 (a)
【００１３】[0013]
【外１】 [Outside 1]
【００１４】を示すグラフである。導波路の幅が非常に
広い場合には、3 is a graph showing the above. If the waveguide is very wide,
【００１５】[0015]
【外２】 [Outside 2]
【００１６】はスラブ導波路とほぼ同じ状態となるため
膜厚によって決定される。また、Is approximately the same as that of the slab waveguide, and is determined by the film thickness. Also,
【００１７】[0017]
【外３】 [Outside 3]
【００１８】導波路幅によって決定される。ところが導
波路幅が狭くなっていくと、導波路として光を閉じこめ
る能力が弱くなっていくので、導波路から光が大きく漏
れ出すようになる。It is determined by the waveguide width. However, as the waveguide width becomes narrower, the ability of the waveguide to confine light becomes weaker, so that light leaks out of the waveguide greatly.
【００１９】図６から明らかなように、スポットサイズ
を拡大するのに、膜厚が厚い場合には導波路を非常に細
くする必要がある。例えば、波長が１．１μｍ組成のＩ
ｎＧａＡｓＰで０．３μｍ厚程度の場合には、導波路幅
０．２μｍ以下のような極めて細い導波路幅に加工する
必要がある。従ってＬＳＩプロセス等で良く知られてい
るように、再現性のよい露光を行うことが非常に困難と
なる。また、図６から明らかように、導波路幅に対して
非常に急峻にスポットサイズが変化するので、作製誤差
がわずかでも素子特性は大きく変わってしまう。従っ
て、スポットサイズの制御が非常に困難となる。一方、
導波路の膜厚を薄くする（薄膜コア）と、As is apparent from FIG. 6, in order to increase the spot size, it is necessary to make the waveguide extremely thin when the film thickness is large. For example, I having a wavelength of 1.1 μm
In the case of nGaAsP having a thickness of about 0.3 μm, it is necessary to process the waveguide to an extremely narrow waveguide width of 0.2 μm or less. Therefore, it is very difficult to perform exposure with good reproducibility, as is well known in LSI processes and the like. In addition, as is apparent from FIG. 6, since the spot size changes very steeply with respect to the waveguide width, even if the manufacturing error is slight, the element characteristics are greatly changed. Therefore, it becomes very difficult to control the spot size. on the other hand,
By reducing the thickness of the waveguide (thin film core),
【００２０】[0020]
【外４】 [Outside 4]
【００２１】導波路幅の減少に対してスポットサイズの
広がりがゆるくなる。導波路を薄膜化することにより、
スポットサイズ変換の作製が容易になることは良く知ら
れており、従来の手法としては、選択成長を用いて導波
路部分に対して、スポット変換部の膜厚を徐々に薄くす
るという手法が取られていた。また、導波路の組成を短
波長化することでも薄膜化と同じ効果を有するので、短
波長化した導波路を接続するか若しくはそれとともにス
ポット変換部の膜厚を徐々に薄くするという手法が取ら
れていた。しかしながら、これらの手法は、成長回数の
増加による欠陥密度の増加や部分的な選択成長による膜
厚の不均一などを生じるため、きわめて均一で大規模な
導波路を要するアレイ導波路格子には適用が困難であっ
た。As the waveguide width decreases, the spread of the spot size decreases. By thinning the waveguide,
It is well known that the spot size conversion can be easily manufactured. As a conventional method, a method of gradually reducing the thickness of the spot conversion portion with respect to the waveguide portion by using selective growth is adopted. Had been. Also, shortening the wavelength of the composition of the waveguide has the same effect as thinning the waveguide.Therefore, a method of connecting a waveguide having a shorter wavelength or gradually reducing the film thickness of the spot converter together with it is taken. Had been. However, these methods cause an increase in defect density due to an increase in the number of times of growth and an uneven film thickness due to partial selective growth. Therefore, these methods are applied to arrayed waveguide gratings that require extremely uniform and large-scale waveguides. Was difficult.
【００２２】それに対して、本発明においては、均一な
成長を行ったウエハーに対して、導波路の形成を行うこ
とができるというメリットを有しているとともに、導波
路を多層構造とすることにより、スポットサイズをいく
つかの段階に分けて変換することを可能にしている。す
なわち、必要とされる導波路幅も広くなるので、作製が
容易になると同時に作製トレランスも拡大される。導波
路を多層構造とすることにより、好ましくは上層の導波
路をテーパー状に形成することにより、あらかじめ導波
路の膜厚を薄くしておけば、作製上のトレランスを拡大
することができ、非常に簡易にスポットサイズ変換部を
有するアレイ導波路格子素子を作製することができる。
本発明において、「導波路の膜厚を薄くする（薄膜コ
ア）」とは、導波路の縦方向のスポットサイズが光ファ
イバのスポットサイズと一致するような膜厚にすること
を意味する。従って最適な膜厚は、コアとクラッドの組
成すなわち屈折率によって異なり、コアの組成がＩｎＰ
に近くなればなるほど、その膜厚は厚くなり、ＩｎＧａ
Ａｓに近くなればなるほどその膜厚は薄くなる。On the other hand, the present invention has an advantage that a waveguide can be formed on a wafer on which a uniform growth has been performed, and the waveguide has a multilayer structure. In this way, the spot size can be converted in several stages. That is, since the required waveguide width is also increased, the fabrication becomes easy and the fabrication tolerance is expanded. By forming the waveguide in a multilayer structure, preferably by forming the upper layer waveguide in a tapered shape, if the film thickness of the waveguide is reduced in advance, the manufacturing tolerance can be increased, Thus, an arrayed waveguide grating element having a spot size converter can be easily manufactured.
In the present invention, “thinning the thickness of the waveguide (thin film core)” means that the film has a thickness such that the vertical spot size of the waveguide matches the spot size of the optical fiber. Therefore, the optimum film thickness depends on the composition of the core and the clad, that is, the refractive index.
, The film thickness increases, and InGa
The closer to As, the thinner the film thickness.
【００２３】本発明のアレイ導波路格子素子を構成する
スポットサイズ変換部の製造方法を図７を用いて説明す
る。まず第一工程で、下部クラッド層２１上に２層のコ
ア層（下層導波路２２、上層導波路２３）を形成し、図
７（ａ）に示すように上段のコア層（上層導波路２３）
をテーパー状に除去する。ただし、図７（ｂ）に示すよ
うに下層導波路２２と上層導波路２３との間にはドライ
エッチングマージンがあるように構成されている。この
２層の導波路の間の層の組成はクラッドと同一でも異な
っていてもよい。第二工程では、図７（ｃ）に示すよう
にコア層の上にクラッドを再成長させて、上部クラッド
層２４を形成する。第三工程では、図７（ｄ）に示すよ
うにスポットサイズの広がり等を決定して所望の形状に
する。A method of manufacturing a spot size converter constituting the arrayed waveguide grating element of the present invention will be described with reference to FIG. First, in a first step, two core layers (a lower waveguide 22 and an upper waveguide 23) are formed on the lower cladding layer 21, and as shown in FIG. 7A, an upper core layer (the upper waveguide 23) is formed. )
Is removed in a tapered shape. However, as shown in FIG. 7B, the lower waveguide 22 and the upper waveguide 23 are configured to have a dry etching margin. The composition of the layer between the two waveguides may be the same as or different from the cladding. In the second step, as shown in FIG. 7C, the cladding is regrown on the core layer to form the upper cladding layer 24. In the third step, the spread of the spot size and the like are determined as shown in FIG.
【００２４】実際の作製においては、ドライエッチング
等の手法が用いられる。ドライエッチングの深さ精度
は、エッチング深さにもよるが、一般にエッチング深さ
に対して数％の値となる。単層の導波路構造では、エッ
チング深さの誤差が大きいのでスポットサイズが大きく
変化してしまうが、本発明によればエッチングの深さに
対するトレランスを非常に大きくすることができるの
で、安定した膜厚の導波路を作製することができ、作製
許容度を拡大することができた。In actual production, a technique such as dry etching is used. Although the dry etching depth accuracy depends on the etching depth, it is generally several% of the etching depth. In the case of a single-layer waveguide structure, the spot size changes greatly due to a large error in the etching depth. However, according to the present invention, the tolerance for the etching depth can be greatly increased, so that a stable film can be obtained. A waveguide having a large thickness can be manufactured, and the manufacturing tolerance can be expanded.
【００２５】本発明は、アレイ導波路格子素子の入力部
分および出力部分の特性を改善するためにこの部分にス
ポットサイズ変換部を設けているが、他の素子の一部に
これを適用することも可能であり、組成や構造の異なる
導波路を接合することも可能である。According to the present invention, a spot size converter is provided in this portion to improve the characteristics of the input portion and the output portion of the arrayed waveguide grating element. It is also possible to join waveguides having different compositions and structures.
【００２６】また、本発明は材料の系に依存しないた
め、ＩｎＰ系、ＧａＡｓ系、ＳｉＯ2等、光導波路とし
て用いられる材料系に適用することができる。Since the present invention does not depend on a material system, it can be applied to a material system used as an optical waveguide, such as an InP system, a GaAs system, and SiO 2 .
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、アレイ導波路格子素子
は簡易な構成となり、素子の多機能化、経済化を図るこ
とができた。すなわち、波長チューニングが容易で、他
の導波路型デバイスとの集積化も容易に図ることがで
き、アレイ導波路格子素子のモジュール化を簡略化で
き、大容量ＷＤＭシステム等で必要とされる波長依存性
を利用する種々のアプリケーションの基本素子を安価に
提供することができた。具体的には、光ファイバーと簡
易に接続でき、モジュール化が容易となり、安価な、バ
ンドパスフィルター、波長合分波器、波長ルーター等を
実現することができた。According to the present invention, the arrayed waveguide grating device has a simple structure, and the device can be multifunctional and economical. That is, wavelength tuning is easy, integration with other waveguide devices can be easily attained, modularization of the arrayed waveguide grating element can be simplified, and the wavelength required for a large-capacity WDM system or the like is required. The basic element for various applications utilizing the dependency could be provided at low cost. Specifically, a simple connection with an optical fiber, modularization became easy, and inexpensive bandpass filters, wavelength multiplexer / demultiplexers, wavelength routers, and the like were realized.
【図１】従来のアレイ導波路格子素子の概略模式図であ
る。FIG. 1 is a schematic diagram of a conventional arrayed waveguide grating element.
【図２】図１における直線Ａ−Ａ′で切断したときの、
従来のアレイ導波路格子素子の断面図であり、（ａ）は
導波路がハイメサ導波路構造の場合の断面図であり、
（ｂ）は埋め込み導波路構造の場合の断面図であり、
（ｃ）は埋め込みリブ導波路構造の場合の断面図であ
り、（ｄ）はリブ導波路構造の場合の断面図である。FIG. 2 shows a cross section taken along a line AA ′ in FIG.
It is sectional drawing of the conventional array waveguide grating element, (a) is sectional drawing in case a waveguide has a high mesa waveguide structure,
(B) is a sectional view in the case of a buried waveguide structure,
(C) is a cross-sectional view in the case of a buried rib waveguide structure, and (d) is a cross-sectional view in the case of a rib waveguide structure.
【図３】本発明のアレイ導波路格子素子の概略模式図で
ある。FIG. 3 is a schematic diagram of an arrayed waveguide grating element of the present invention.
【図４】図３の直線Ａ−Ａ′で切断したときの、従来の
アレイ導波路格子素子の断面図であり、（ａ）および
（ｂ）は２層構造の場合であり、（ｃ）および（ｄ）は
３層構造の場合である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional arrayed waveguide grating element when cut along a line AA ′ in FIG. 3, (a) and (b) show a case of a two-layer structure, and (c) And (d) are for a three-layer structure.
【図５】本発明の種々の態様のスポットサイズ変換部の
模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram of a spot size conversion unit according to various embodiments of the present invention.
【図６】埋め込み導波路のスポットサイズと導波路幅と
の関係を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing a relationship between a spot size of an embedded waveguide and a waveguide width.
【図７】本発明のスポットサイズ変更部の作製工程を示
す図である。FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing process of a spot size changing unit according to the present invention.
１ 入力導波路 ２ 第１スラブ導波路 ３ アレイ導波路 ４ 第２スラブ導波路 ５ 出力導波路 １１ 入力導波路 １２ 第１スラブ導波路 １３ アレイ導波路 １４ 第２スラブ導波路 １５ 出力導波路 ２１ 下部クラッド層 ２２ 下層導波路 ２３ 上層導波路 ２４ 上部クラッド層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Input waveguide 2 1st slab waveguide 3 Array waveguide 4 2nd slab waveguide 5 Output waveguide 11 Input waveguide 12 1st slab waveguide 13 Array waveguide 14 2nd slab waveguide 15 Output waveguide 21 Lower part Cladding layer 22 lower waveguide 23 upper waveguide 24 upper cladding layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉國 裕三 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yuzo Yoshikuni 3-19-2 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation
Claims (3)
および出力導波路を接続した第２スラブ導波路をアレイ
導波路の両端に有する光導波路回路を具備するアレイ導
波路格子素子において、入力導波路および出力導波路に
スポットサイズ変換部を有し、前記スポットサイズ変換
部の少なくとも片側が２層以上の多層のコア導波路から
なるように構成されていることを特徴とするアレイ導波
路格子素子。1. An array waveguide grating device comprising an optical waveguide circuit having a first slab waveguide connected to an input waveguide and a second slab waveguide connected to an output waveguide at both ends of the array waveguide. An arrayed waveguide grating having a spot size conversion section in a waveguide and an output waveguide, wherein at least one side of the spot size conversion section is formed of a multilayer core waveguide having two or more layers. element.
路を具備することを特徴とする請求項１に記載のアレイ
導波路格子素子。2. The arrayed waveguide grating device according to claim 1, wherein said spot size converter comprises a tapered waveguide.
具備することを特徴とする請求項１または２のいずれか
に記載のアレイ導波路格子素子。3. The arrayed waveguide grating device according to claim 1, wherein the spot size converter includes a thin film core.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21657497A JPH1164653A (en) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | Array waveguide grating element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21657497A JPH1164653A (en) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | Array waveguide grating element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1164653A true JPH1164653A (en) | 1999-03-05 |
Family
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| JP21657497A Pending JPH1164653A (en) | 1997-08-11 | 1997-08-11 | Array waveguide grating element |
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| JP (1) | JPH1164653A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001235645A (en) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Optical waveguide circuit |
| JP2004170627A (en) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Fujitsu Ltd | Planar waveguide and array waveguide type grating |
| JP2006074016A (en) * | 2004-08-02 | 2006-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical amplification type array waveguide diffraction grating |
| WO2009098829A1 (en) * | 2008-02-06 | 2009-08-13 | Nec Corporation | Optical waveguide and method for manufacturing same |
| CN108132499A (en) * | 2018-02-02 | 2018-06-08 | 苏州易缆微光电技术有限公司 | Silicon waveguide spot converter based on multilayer polymer structure and preparation method thereof |
-
1997
- 1997-08-11 JP JP21657497A patent/JPH1164653A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN108132499A (en) * | 2018-02-02 | 2018-06-08 | 苏州易缆微光电技术有限公司 | Silicon waveguide spot converter based on multilayer polymer structure and preparation method thereof |
| CN108132499B (en) * | 2018-02-02 | 2024-05-31 | 苏州易缆微光电技术有限公司 | Silicon waveguide mode spot converter based on multilayer polymer structure and preparation method thereof |
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