JPH1164387A - Probe card device - Google Patents
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- JPH1164387A JPH1164387A JP22808097A JP22808097A JPH1164387A JP H1164387 A JPH1164387 A JP H1164387A JP 22808097 A JP22808097 A JP 22808097A JP 22808097 A JP22808097 A JP 22808097A JP H1164387 A JPH1164387 A JP H1164387A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は半導体ＩＣのウエ
ハテストに使用するプローブカード装置に係り、特にそ
のプローブ針先端の表面改質に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe card device used for a wafer test of a semiconductor IC, and more particularly to a surface modification of a probe needle tip.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、ＩＣ、ＬＳＩなどを製造する工
程の中に、ウエハ上の個々のチップが良品か不良品かを
テストするウエハテスト工程がある。このウエハテスト
は、通常、プローバと呼ばれる装置にプローブカードを
装着しプローブカードのプローブ針をウエハのチップ上
の所定の電極に電気的に接触するようコンタクトさせて
行われる。図３は従来の一般的なプローブカード装置に
用いられるプローブ針の概略図である。図において、１
は例えば基材がタングステンで先端部１ａが被検査基板
であるウエハの電極（図示せず）と電気的に接触するプ
ローブ針で複数が整列配置されプローブカード（図示せ
ず）に取り付けられている。2. Description of the Related Art Generally, in a process for manufacturing an IC, an LSI, etc., there is a wafer test process for testing whether individual chips on a wafer are good or defective. The wafer test is usually carried out by mounting a probe card on a device called a prober and bringing the probe needles of the probe card into electrical contact with predetermined electrodes on the chip of the wafer. FIG. 3 is a schematic view of a probe needle used in a conventional general probe card device. In the figure, 1
For example, a plurality of probe bases are made of tungsten, and a plurality of probe needles whose tip portions 1a are in electrical contact with electrodes (not shown) of a wafer as a substrate to be inspected are arranged and attached to a probe card (not shown). .
【０００３】次に動作について説明する。ウエハテスト
時にはプローブ針１はその先端部１ａが被検査基板であ
るウエハの電極と電気的に接触するようコンタクトされ
試験信号の送受信をさせる。ここで、プローブ針１の先
端部１ａには高導電性、耐摩耗性、非凝着性等のコンタ
クト性能が要求される。即ち、高導電性とは、低電圧、
小電流域での低接触抵抗による良好な電気的なコンタク
ト性能であり、また、耐摩耗性とは、電極表面を覆って
いる硬い酸化アルミ面に対してコンタクト時に大きく擦
り減らない強く硬い性能であり、そして、非凝着性と
は、酸化アルミ、アルミ、その他の異物がプローブ針１
の先端部１ａに付着、焼付きしない性能のことである。Next, the operation will be described. At the time of a wafer test, the probe needle 1 is contacted so that its tip 1a is in electrical contact with an electrode of a wafer as a substrate to be inspected, and transmits and receives a test signal. Here, the tip portion 1a of the probe needle 1 is required to have contact performance such as high conductivity, wear resistance, and non-adhesiveness. That is, high conductivity means low voltage,
Good electrical contact performance due to low contact resistance in a small current range, and abrasion resistance is a strong hard performance that does not significantly wear off the hard aluminum oxide surface covering the electrode surface at the time of contact. Yes, and non-adhesive means that aluminum oxide, aluminum, and other foreign matter
No sticking or seizure to the tip 1a of
【０００４】なお、上記のプローブ針１の先端部１ａに
求められるコンタクト性能の向上に関する対策として、
例えば、実開昭５７−１４６３４０号公報では、プロー
ブ針の材質に白金とイリジウムの合金を使う、また、登
録実用新案公報第３０２５１０８号では、プローブ針と
針先とを別の材料とし、針先の接触部のみの材質をロジ
ウム又はイリジウムを使う、そして、実開平５−１１０
６２号公報では、プローブ針にクロムを含むコバルト基
合金を使うことが提示されている。[0004] As a measure for improving the contact performance required for the tip portion 1a of the probe needle 1 described above,
For example, in Japanese Utility Model Laid-Open No. 57-146340, an alloy of platinum and iridium is used for the material of the probe needle. In Japanese Utility Model Registration No. 3025108, the probe needle and the needle Rhodium or iridium is used for the material of the contact portion only, and
No. 62 proposes to use a cobalt-based alloy containing chromium for the probe needle.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】従来のプローブカード
装置は、プローブ針１に金および白金属のコンタクト材
料を使用しているため高価なものになるという問題点が
あった。The conventional probe card apparatus has a problem in that it is expensive because gold and white metal contact materials are used for the probe needles 1.
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、安価なプローブカード装置を得
ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to obtain an inexpensive probe card device.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
るプローブカード装置は、プローブ針先端をウエハ電極
と接触させウエハテストをするプローブカード装置にお
いて、プローブ針先端はウエハ電極と異なる結晶格子の
型を持つ金属で表面改質されているものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a probe card device for performing a wafer test by bringing a probe needle tip into contact with a wafer electrode, wherein the probe needle tip has a different crystal lattice from the wafer electrode. Surface-modified with a metal having the following type:
【０００８】また、この発明の請求項２に係るプローブ
カード装置は、請求項１において、ウエハ電極は面心立
方格子の型を持つ金属で形成され、プローブ針先端は稠
密六方格子または体心立方格子の型を持つ金属で改質さ
れているものである。In a probe card device according to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the wafer electrode is formed of a metal having a shape of a face-centered cubic lattice, and the tip of the probe needle is a dense hexagonal lattice or a body-centered cubic. It has been modified with a metal having a lattice shape.
【０００９】また、この発明の請求項３に係るプローブ
カード装置は、請求項１において、ウエハ電極は面心立
方格子の型を持つ金属で形成され、プローブ針先端は稠
密六方格子の型を持つ金属の窒化物または体心立方格子
の型を持つ金属の窒化物で改質されているものである。In a probe card device according to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the wafer electrode is formed of a metal having a face-centered cubic lattice type, and the tip of the probe needle has a dense hexagonal lattice type. It is modified with a metal nitride or a metal nitride having a body-centered cubic lattice type.
【００１０】[0010]
実施の形態１．以下、この発明の実施の形態１を図につ
いて説明する。図１はこの発明の実施の形態１によるプ
ローブカード装置におけるプローブ針の構成を示す概略
図、図２はプローブ針を表面改質する装置の容器内部の
構成を示す概略図である。図において、２は例えば基材
がタングステンでなり被検査基板であるウエハの電極
（図示せず）と電気的に接触する先端部２ａにイオン注
入によって金属イオンが注入されてなる表面改質部２ｂ
が形成されたプローブ針で、複数がプローブカード（図
示せず）に整列配置で取り付けられる。３はプローブ針
２を収納し先端部２ａの表面改質をするための密閉容
器、４は密閉容器３内にプローブ針２の先端部２ａと対
向して設けられた金属イオン発生部である。Embodiment 1 FIG. Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a probe needle in a probe card device according to Embodiment 1 of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration inside a container of a device for modifying the surface of the probe needle. In the drawing, reference numeral 2 denotes a surface modified portion 2b in which metal ions are implanted by ion implantation into a tip portion 2a which is made of, for example, tungsten and is in electrical contact with an electrode (not shown) of a wafer to be inspected.
A plurality of the probe needles are attached to a probe card (not shown) in an aligned arrangement. Reference numeral 3 denotes a sealed container for accommodating the probe needle 2 and modifying the surface of the tip 2a, and reference numeral 4 denotes a metal ion generator provided inside the sealed container 3 so as to face the tip 2a of the probe needle 2.
【００１１】一般にイオン注入（イオンプレーティング
とも言う）は、ＩＣ、ＬＳＩ製造工程において不純物ド
ーピングに広く用いられているもので、注入しようとす
る金属元素をイオン化し、数十〜数百ＫＶの電場で加速
してプローブ針２の先端部２ａの表面に衝突させ内部に
進入させて表面改質させる方法である。In general, ion implantation (also referred to as ion plating) is widely used for impurity doping in IC and LSI manufacturing processes, and ionizes a metal element to be implanted to form an electric field of tens to hundreds of KV. This is a method in which the surface is reformed by accelerating and colliding with the surface of the tip portion 2a of the probe needle 2 to enter the inside.
【００１２】また、イオン注入しようとする金属はその
目的によって異なるが、ここでのタングステン製のプロ
ーブ針２の先端部２ａの耐摩耗性の向上、非凝着性の向
上にはコバルト（Ｃｏ）等の注入が最適と考えられる。
これは、タングステン製のプローブ針２がコンタクトす
る電極表面の酸化アルミの結晶格子とこの酸化アルミの
内部に存在しプローブ針によって酸化アルミが削られる
ことによって電気的なコンタクトをする純アルミの結晶
格子の両方と異なる結晶格子の型の金属イオンが、プロ
ーブ針２の先端部２ａにイオン注入され表面改質部２ｂ
を形成していることにより摩耗と凝着を減らすことが可
能なためである。即ち、プローブ針２がコンタクトする
電極表面であるアルミニウムは面心立方格子であるた
め、プローブ針２の先端部２ａへのイオン注入の金属と
しては、面心立方格子以外の型で例えば、稠密六方格子
であるコバルト（Ｃｏ）、レニウム（Ｒｅ）等、または
体心立方格子であるクロム（Ｃｒ）、インジウム（Ｉ
ｎ）等の金属イオンによるプローブ針２の先端部２ａの
表面改質を行い表面改質部２ｂを形成させることがよ
い。なお、この時の金属の選定には、表面の安定した酸
化物が導電性であることも重要である。Although the metal to be ion-implanted varies depending on the purpose, cobalt (Co) is used to improve the wear resistance and non-adhesion of the tip 2a of the tungsten probe needle 2 here. Injection is considered optimal.
This is because the crystal lattice of aluminum oxide on the surface of the electrode contacted by the tungsten probe needle 2 and the crystal lattice of pure aluminum existing inside this aluminum oxide and making electrical contact by the aluminum oxide being cut by the probe needle A metal ion of a crystal lattice type different from both is ion-implanted into the tip 2a of the probe needle 2 and the surface modified portion 2b
The reason for this is that the wear and adhesion can be reduced by the formation of. That is, since aluminum, which is the electrode surface with which the probe needle 2 contacts, has a face-centered cubic lattice, the metal used for ion implantation into the tip 2a of the probe needle 2 is a type other than the face-centered cubic lattice. Lattices such as cobalt (Co) and rhenium (Re), or body-centered cubic lattices such as chromium (Cr) and indium (I
The surface modification of the tip 2a of the probe needle 2 with metal ions such as n) may be performed to form the surface modified portion 2b. In selecting a metal at this time, it is also important that the oxide whose surface is stable is conductive.
【００１３】次にこの実施の形態１でのプローブ針２の
表面改質部について、イオン注入の金属がコバルト（Ｃ
ｏ）の例で従来との比較データを示す。先端の硬さは、
イオン注入前のＨｖ（ビッカース硬さ）＝５００からイ
オン注入後のＨｖ＝８００に改善された。また、耐摩耗
性の寿命のデータでは、従来のプローブ針のプローブカ
ードの場合が約１０万回でこの実施の形態１によるプロ
ーブ針のプローブカードの場合は約５０万回と約５倍に
改善された。さらに、プローブ針２の先端部２ａに付着
する酸化アルミ等の異物の量の減少も確認され非凝着性
が向上している。Next, in the surface modified portion of the probe needle 2 according to the first embodiment, the ion-implanted metal is cobalt (C
An example of o) shows comparison data with the conventional example. The hardness of the tip is
The Hv (Vickers hardness) before ion implantation was improved from 500 to 500 after ion implantation. According to the data of the wear resistance life, the probe card of the conventional probe needle is about 100,000 times, and the probe card of the probe needle according to the first embodiment is about 500,000 times, which is about 5 times improved. Was done. Furthermore, a decrease in the amount of foreign substances such as aluminum oxide adhering to the tip 2a of the probe needle 2 has been confirmed, and the non-adhesion property has been improved.
【００１４】このように、プローブ針２の先端部２ａに
電極と異なる結晶格子の型のコバルト（Ｃｏ）等の金属
イオンを注入し表面改質部２ｂを形成したので、プロー
ブ針２に安価な材料を使用することができるためプロー
ブカード装置が安価になる。また、先端部の硬度の向
上、酸化アルミの付着の低減によりクリーニング回数が
減りプローブ針２のメンテナンスコストを低減すること
ができる。さらに、テスト時コンタクトの信頼性の向上
による良否の判定の安定化に依る歩留りの向上が期待で
きる。As described above, metal ions such as cobalt (Co) having a crystal lattice different from that of the electrode are implanted into the tip 2a of the probe needle 2 to form the surface modified portion 2b. Since the material can be used, the probe card device is inexpensive. In addition, the number of times of cleaning can be reduced by improving the hardness of the tip portion and reducing the adhesion of aluminum oxide, so that the maintenance cost of the probe needle 2 can be reduced. Further, the yield can be expected to be improved by stabilizing the quality judgment by improving the reliability of the contact at the time of the test.
【００１５】実施の形態２．上記実施の形態２ではプロ
ーブ針２の先端部２ａにイオン注入する金属の結晶格子
の型を稠密六方格子または体心立方格子のものとした
が、これらを稠密六方格子の窒化物であるＴｉＣＮまた
はＴｉＷＮ、あるいは体心立方格子の窒化物であるＣｒ
Ｎとすれば硬度が大幅に高くなり耐摩耗性が更に向上す
る。Embodiment 2 In the second embodiment, the metal lattice to be ion-implanted into the tip 2a of the probe needle 2 is a dense hexagonal lattice or a body-centered cubic lattice. TiWN or Cr which is a nitride of a body-centered cubic lattice
If N is set, the hardness is greatly increased and the wear resistance is further improved.
【００１６】なお、上記実施の形態１および２の説明で
はプローブ針２の先端部２ａの表面改質法としてイオン
注入について説明したが、ＰＶＤ法である真空蒸着また
はスパッタ、あるいは化学的方法であるＣＶＤ法（気相
成長）のいずれかで表面改質をしても同様の効果が得ら
れる。In the first and second embodiments, ion implantation has been described as a method for modifying the surface of the distal end portion 2a of the probe needle 2. However, vacuum deposition or sputtering, which is a PVD method, or a chemical method. Similar effects can be obtained even if the surface is modified by any of the CVD methods (vapor phase growth).
【００１７】また、上記実施の形態１ではプローブ針２
をタングステン製のものとして説明したが、タングステ
ン以外の比較的安価な材質のプローブ針でも表面を硬化
させる表面改質法が有効であり同様の効果が得られるこ
とはいうまでもない。In the first embodiment, the probe needle 2
Has been described as being made of tungsten, but it is needless to say that a surface modification method of hardening the surface with a probe needle made of a relatively inexpensive material other than tungsten is effective and the same effect can be obtained.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上のように、この発明の請求項１に依
れば、プローブ針先端をウエハ電極と接触させウエハテ
ストをするプローブカード装置において、プローブ針先
端はウエハ電極と異なる結晶格子の型を持つ金属で表面
改質されているので、プローブ針に安価な材料を使用す
るプローブカード装置が得られる効果がある。As described above, according to the first aspect of the present invention, in the probe card device for performing the wafer test by bringing the tip of the probe needle into contact with the wafer electrode, the tip of the probe needle has a crystal lattice different from that of the wafer electrode. Since the surface is modified with a metal having a mold, there is an effect that a probe card device using an inexpensive material for the probe needle can be obtained.
【００１９】また、この発明の請求項２に依れば、請求
項１において、ウエハ電極は面心立方格子の型を持つ金
属で形成され、プローブ針先端は稠密六方格子または体
心立方格子の型を持つ金属で改質されているので、プロ
ーブ針に安価な材料を使用することができるため安価な
プローブカード装置が得られる効果がある。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the wafer electrode is formed of a metal having a face-centered cubic lattice type, and the tip of the probe needle is formed of a dense hexagonal lattice or a body-centered cubic lattice. Since the probe needle is modified with a metal having a mold, an inexpensive material can be used for the probe needle, so that an inexpensive probe card device can be obtained.
【００２０】また、この発明の請求項３によれば、請求
項１において、ウエハ電極は面心立方格子の型を持つ金
属で形成され、プローブ針先端は稠密六方格子の型を持
つ金属の窒化物または体心立方格子の型を持つ金属の窒
化物で改質されているので、プローブ針に安価な材料を
使用できるため安価なプローブカード装置が得られる効
果がある。According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the wafer electrode is formed of a metal having a face-centered cubic lattice type, and the tip of the probe needle is formed of a metal having a dense hexagonal lattice type. Since the probe needle is modified with a nitride of a metal having a shape of a body or a body-centered cubic lattice, an inexpensive material can be used for the probe needle, so that an inexpensive probe card device can be obtained.
【図１】 この発明の実施の形態１によるプローブカー
ド装置におけるプローブ針の構成を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a probe needle in a probe card device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 この発明の実施の形態１におけるプローブ針
を表面改質する装置の容器内部の構成を示す概略図であ
る。FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration inside a container of the apparatus for surface-modifying a probe needle according to Embodiment 1 of the present invention.
【図３】 従来のプローブカード装置におけるプローブ
針の構成を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration of a probe needle in a conventional probe card device.
２ プローブ針、２ａ 先端部、２ｂ 表面改質部。 2 Probe needle, 2a tip part, 2b surface modification part.
Claims (3)
ウエハテストをするプローブカード装置において、 上記プローブ針先端は上記ウエハ電極と異なる結晶格子
の型を持つ金属で表面改質されていることを特徴とする
プローブカード装置。1. A probe card device for performing a wafer test by bringing a tip of a probe needle into contact with a wafer electrode, wherein the tip of the probe needle is surface-modified with a metal having a crystal lattice type different from that of the wafer electrode. Probe card device.
属で形成され、プローブ針先端は稠密六方格子または体
心立方格子の型を持つ金属で改質されていることを特徴
とする請求項１に記載のプローブカード装置。2. The method according to claim 1, wherein the wafer electrode is formed of a metal having a face-centered cubic lattice type, and a tip of the probe needle is modified with a metal having a dense hexagonal lattice or a body-centered cubic lattice type. Item 2. The probe card device according to item 1.
属で形成され、プローブ針先端は稠密六方格子の型を持
つ金属の窒化物または体心立方格子の型を持つ金属の窒
化物で改質されていることを特徴とする請求項１に記載
のプローブカード装置。3. The wafer electrode is formed of a metal having a face-centered cubic lattice type, and the tip of the probe needle is formed of a metal nitride having a dense hexagonal lattice type or a metal nitride having a body-centered cubic lattice type. The probe card device according to claim 1, wherein the probe card device is modified.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22808097A JPH1164387A (en) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | Probe card device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22808097A JPH1164387A (en) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | Probe card device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1164387A true JPH1164387A (en) | 1999-03-05 |
Family
ID=16870886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22808097A Pending JPH1164387A (en) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | Probe card device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1164387A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005098895A (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Kiyota Seisakusho:Kk | Probe needle |
| JP2009115720A (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Japan Electronic Materials Corp | Probe-cleaning method and probe-cleaning apparatus |
| JP2015102553A (en) * | 2013-11-22 | 2015-06-04 | 財團法人工業技術研究院Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ | Coated probe and manufacturing method for the same |
-
1997
- 1997-08-25 JP JP22808097A patent/JPH1164387A/en active Pending
Cited By (4)
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| US9970959B2 (en) | 2013-11-22 | 2018-05-15 | Industrial Technology Research Institute | Coated probe and method of fabricating the same |
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