JPH1158474A - 光ディスク基板の製造方法 - Google Patents
光ディスク基板の製造方法Info
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- JPH1158474A JPH1158474A JP22766597A JP22766597A JPH1158474A JP H1158474 A JPH1158474 A JP H1158474A JP 22766597 A JP22766597 A JP 22766597A JP 22766597 A JP22766597 A JP 22766597A JP H1158474 A JPH1158474 A JP H1158474A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
- B29C45/2642—Heating or cooling means therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/72—Heating or cooling
- B29C45/73—Heating or cooling of the mould
- B29C2045/7343—Heating or cooling of the mould heating or cooling different mould parts at different temperatures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 「そり」の少ない高品質の光ディスク基板を
製造する方法を提供すること。 【解決手段】 透明な熱可塑性樹脂を原料として射出成
形法によって光ディスク基板を製造するにあたり、射出
成形用金型の固定側金型と可動側金型とに設けた冷却用
水通水溝に通水する冷却水の温度差を５℃以上とし、か
つ、基板を金型から離型する際に、冷却水の温度を低く
した方の金型面側から吹き付けるエアーの吹き付け時間
を、冷却水の温度を高くした方の金型面側から吹き付け
るエアーの吹き付け時間より、０．２秒以上長く設定す
ることを特徴とする。 【効果】 上記課題が解決される。
製造する方法を提供すること。 【解決手段】 透明な熱可塑性樹脂を原料として射出成
形法によって光ディスク基板を製造するにあたり、射出
成形用金型の固定側金型と可動側金型とに設けた冷却用
水通水溝に通水する冷却水の温度差を５℃以上とし、か
つ、基板を金型から離型する際に、冷却水の温度を低く
した方の金型面側から吹き付けるエアーの吹き付け時間
を、冷却水の温度を高くした方の金型面側から吹き付け
るエアーの吹き付け時間より、０．２秒以上長く設定す
ることを特徴とする。 【効果】 上記課題が解決される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク基板の
製造方法に関する。さらに詳しくは、ＣＤ（コンパクト
ディスク）、ＣＤ−Ｒ（リコーダブル）、ＣＤ−ＲＷ
（リライタブル）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ（光磁気ディス
ク）、ＰＤ（相変化型ディスク）、ＤＶＤ−ＲＯＭ、Ｄ
ＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどの光ディスク透明基板
を、透明な樹脂を原料として製造する方法に関するるも
のである。
製造方法に関する。さらに詳しくは、ＣＤ（コンパクト
ディスク）、ＣＤ−Ｒ（リコーダブル）、ＣＤ−ＲＷ
（リライタブル）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ（光磁気ディス
ク）、ＰＤ（相変化型ディスク）、ＤＶＤ−ＲＯＭ、Ｄ
ＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどの光ディスク透明基板
を、透明な樹脂を原料として製造する方法に関するるも
のである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＣＤ−Ｒ
ＯＭ、ＭＯ、ＰＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭなどの光ディスクの透明な基板は、通常、ポ
リカーボネート樹脂などの透明な熱可塑性樹脂を原料と
し、射出成形法によって製造される。射出成形金型に
は、スタンパーと呼ばれるニッケル製の原盤に、ピット
やグルーブといった凹凸で構成される信号が刻設されて
おり、これを金型キャビティに配置し、この凹凸で構成
される信号を透明な樹脂の成形品の表面に転写させて、
目的とする光ディスク基板が製造される。
ＯＭ、ＭＯ、ＰＤ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭなどの光ディスクの透明な基板は、通常、ポ
リカーボネート樹脂などの透明な熱可塑性樹脂を原料と
し、射出成形法によって製造される。射出成形金型に
は、スタンパーと呼ばれるニッケル製の原盤に、ピット
やグルーブといった凹凸で構成される信号が刻設されて
おり、これを金型キャビティに配置し、この凹凸で構成
される信号を透明な樹脂の成形品の表面に転写させて、
目的とする光ディスク基板が製造される。
【０００３】ピットやグルーブなどの信号は、サブミク
ロンのオーダーの極めて微細な凹凸であるので、樹脂成
形品の表面に正確に転写させるには、原料樹脂を高温で
溶融させ、流動性を向上させて金型キャビティに注入し
なければならない。特に、信号の記録密度の高いＤＶＤ
やＭＯ、ＣＤ−Ｒといった高密度用光ディスクメディア
では、ピットやグルーブ自体が小さくされ、かつ、隣接
する相互間の間隔も小さくされるので、高精度の転写技
術が必要とされる。
ロンのオーダーの極めて微細な凹凸であるので、樹脂成
形品の表面に正確に転写させるには、原料樹脂を高温で
溶融させ、流動性を向上させて金型キャビティに注入し
なければならない。特に、信号の記録密度の高いＤＶＤ
やＭＯ、ＣＤ−Ｒといった高密度用光ディスクメディア
では、ピットやグルーブ自体が小さくされ、かつ、隣接
する相互間の間隔も小さくされるので、高精度の転写技
術が必要とされる。
【０００４】光ディスク基板製造用の熱可塑性樹脂とし
て、主としてポリカーボネート樹脂が使用されるのは、
透明性、耐熱性、強度、低吸水性に優れているためであ
るが、他方、固有複屈折や光弾性係数が高いので、基板
内に成形時の応力が残存することによって複屈折が高く
なるという欠点がある。この欠点を補うために、射出成
形法によって基板を製造する際には、原料樹脂の温度を
高くしたり、金型キャビティの設定温度を高くしなけれ
ばならない。
て、主としてポリカーボネート樹脂が使用されるのは、
透明性、耐熱性、強度、低吸水性に優れているためであ
るが、他方、固有複屈折や光弾性係数が高いので、基板
内に成形時の応力が残存することによって複屈折が高く
なるという欠点がある。この欠点を補うために、射出成
形法によって基板を製造する際には、原料樹脂の温度を
高くしたり、金型キャビティの設定温度を高くしなけれ
ばならない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上の様に、原料樹脂温
度と金型キャビティの設定温度を高くすると、基板成形
品は比較的高い温度で金型から離型されることになり、
金型から高温状態で取出した後に「そり」が生じ易くな
る傾向にある。ここで、基板成形品の「そり」とは、基
板成形品が椀状になったり、ねじれたりすることを言
う。基板成形品の「そり」が大きいと、最終製品に加工
したあとにレーザーで基板製品の信号を読みとる際に、
読み取り不良が生じ易い。
度と金型キャビティの設定温度を高くすると、基板成形
品は比較的高い温度で金型から離型されることになり、
金型から高温状態で取出した後に「そり」が生じ易くな
る傾向にある。ここで、基板成形品の「そり」とは、基
板成形品が椀状になったり、ねじれたりすることを言
う。基板成形品の「そり」が大きいと、最終製品に加工
したあとにレーザーで基板製品の信号を読みとる際に、
読み取り不良が生じ易い。
【０００６】基板成形品の「そり」を低減させるには、
(a)金型キャビティの設定温度をさげる、(b)冷却時間を
長くして十分に冷却してから金型から取出す、などの方
法によればよい。しかしながら、上記(a)の方法ではピ
ットやグルーブの転写性が低下するという問題が発生
し、好ましくない。また、上記(b)の方法では基板成形
品の「そり」を低減させることはできるが、生産性が著
しく低下するという問題が発生する。特に、生産性が重
要視されるＣＤ、ＤＶＤ製造の場合には、成形サイクル
は可能な限り短かくするが目標であり、冷却時間を長く
することはできないのが実情である。
(a)金型キャビティの設定温度をさげる、(b)冷却時間を
長くして十分に冷却してから金型から取出す、などの方
法によればよい。しかしながら、上記(a)の方法ではピ
ットやグルーブの転写性が低下するという問題が発生
し、好ましくない。また、上記(b)の方法では基板成形
品の「そり」を低減させることはできるが、生産性が著
しく低下するという問題が発生する。特に、生産性が重
要視されるＣＤ、ＤＶＤ製造の場合には、成形サイクル
は可能な限り短かくするが目標であり、冷却時間を長く
することはできないのが実情である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、かかる状況
に鑑み、「そり」の少ない光デイスク基板の能率的な製
造方法を提供することを目的として鋭意検討の結果、金
型キャビティの冷却用水の設定温度と、金型キャビティ
から光デイスク基板を取出す際に基板に冷たいエアーを
吹き付け、この際成形品基板の表裏にエアーを吹き付け
る時間を調製することによって、得られる光デイスク基
板の「そり」を最小にすることができることを見出し、
本発明を完成するに至ったものである。
に鑑み、「そり」の少ない光デイスク基板の能率的な製
造方法を提供することを目的として鋭意検討の結果、金
型キャビティの冷却用水の設定温度と、金型キャビティ
から光デイスク基板を取出す際に基板に冷たいエアーを
吹き付け、この際成形品基板の表裏にエアーを吹き付け
る時間を調製することによって、得られる光デイスク基
板の「そり」を最小にすることができることを見出し、
本発明を完成するに至ったものである。
【０００８】上記課題を解決するため、本発明では、透
明な熱可塑性樹脂を原料とし、射出成形法によって光デ
ィスク基板を製造するにあたり、可動側金型と固定側金
型とのキャビティ部分を冷却する冷却水通水溝と、成形
品基板を金型から離型する際に成形品基板にエアーを吹
付けるエアー吹付口を双方の金型に設けた金型を使用
し、一方の金型の設定温度を、他方の金型の設定温度よ
り少なくとも５℃以上の温度差を設けて設定し、かつ、
成形品基板を金型から離型する際に成形品基板にエアー
を吹付ける際に、設定温度を低くした金型からの吹付け
時間を、設定温度を高くした金型からの吹付け時間より
も０．２秒以上長く設定することを特徴とする、光ディ
スク基板の製造方法を提供する。
明な熱可塑性樹脂を原料とし、射出成形法によって光デ
ィスク基板を製造するにあたり、可動側金型と固定側金
型とのキャビティ部分を冷却する冷却水通水溝と、成形
品基板を金型から離型する際に成形品基板にエアーを吹
付けるエアー吹付口を双方の金型に設けた金型を使用
し、一方の金型の設定温度を、他方の金型の設定温度よ
り少なくとも５℃以上の温度差を設けて設定し、かつ、
成形品基板を金型から離型する際に成形品基板にエアー
を吹付ける際に、設定温度を低くした金型からの吹付け
時間を、設定温度を高くした金型からの吹付け時間より
も０．２秒以上長く設定することを特徴とする、光ディ
スク基板の製造方法を提供する。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。光ディス
ク基板の製造用の透明な熱可塑性樹脂としては、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート、非晶質ポ
リオレフィンなどの透明で、流動性に優れた樹脂が挙げ
られる。中でも、ポリカーボネート樹脂が特に好まし
い。
ク基板の製造用の透明な熱可塑性樹脂としては、ポリカ
ーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート、非晶質ポ
リオレフィンなどの透明で、流動性に優れた樹脂が挙げ
られる。中でも、ポリカーボネート樹脂が特に好まし
い。
【００１０】ポリカーボネート樹脂は、種々のジヒドキ
シジアリール化合物とホスゲンとを反応させるホスゲン
法、またはジヒドロキシジアリール化合物とジフェニル
カーボネートなどの炭酸エステルとを反応させるエステ
ル交換法などによって得られる重合体または共重合体を
言う。代表的なものとしては、２、２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン（ヒスフェノ一ルＡ）から製
造されたポリカーボネート樹脂が挙げられる。
シジアリール化合物とホスゲンとを反応させるホスゲン
法、またはジヒドロキシジアリール化合物とジフェニル
カーボネートなどの炭酸エステルとを反応させるエステ
ル交換法などによって得られる重合体または共重合体を
言う。代表的なものとしては、２、２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン（ヒスフェノ一ルＡ）から製
造されたポリカーボネート樹脂が挙げられる。
【００１１】上記ジヒドロキシジアリール化合物として
は、ビスフェノ一ルＡのほか、ビス（４−ヒドロキシジ
フェニル）メ夕ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシジフェニ
ル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメ
タン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフエ
ニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３一
第３ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシ−３，５ジブロモフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５ジクロロフ
ェニルプロパンのようなビス（ヒドロキシアリール）ア
ルカン類などが挙げられる。
は、ビスフェノ一ルＡのほか、ビス（４−ヒドロキシジ
フェニル）メ夕ン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシジフェニ
ル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメ
タン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフエ
ニル）プロパン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３一
第３ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシ−３，５ジブロモフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５ジクロロフ
ェニルプロパンのようなビス（ヒドロキシアリール）ア
ルカン類などが挙げられる。
【００１２】さらに、１，１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）シクロヘキサンのようなビス（ヒドロキシアリ
ール）シクロアルカン類、４，４ーシヒドロキシジフェ
ニルエーテル、４，４′−ジヒドロキシ−３，３´−ジ
メチルジフェニルエーテルのようなジヒドロキシジアリ
ールエーテル類、４，４′−ジヒドロキシフェニルスル
フィド、４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチル
ジフェニルスルフィドのようなジヒドロキシジアリール
スルフィド類、４，４´−ジヒドロキシジフェニルスル
ホキシド、４，４′−ジヒドロキシ−３，３´−ジメチ
ルジフェニルスルフォキシドのようなジヒドロキシジア
リールスルフォキシド類、４，４´−ジヒドロキシジフ
ェニルスルフォン、４，４ージヒドロキシ−３、３´−
ジメチルジフェニルスルホンのようなジヒドロキシジア
リールスルフォン類などが挙げられる。
ェニル）シクロヘキサンのようなビス（ヒドロキシアリ
ール）シクロアルカン類、４，４ーシヒドロキシジフェ
ニルエーテル、４，４′−ジヒドロキシ−３，３´−ジ
メチルジフェニルエーテルのようなジヒドロキシジアリ
ールエーテル類、４，４′−ジヒドロキシフェニルスル
フィド、４，４′−ジヒドロキシ−３，３′−ジメチル
ジフェニルスルフィドのようなジヒドロキシジアリール
スルフィド類、４，４´−ジヒドロキシジフェニルスル
ホキシド、４，４′−ジヒドロキシ−３，３´−ジメチ
ルジフェニルスルフォキシドのようなジヒドロキシジア
リールスルフォキシド類、４，４´−ジヒドロキシジフ
ェニルスルフォン、４，４ージヒドロキシ−３、３´−
ジメチルジフェニルスルホンのようなジヒドロキシジア
リールスルフォン類などが挙げられる。
【００１３】上記のジヒドロキシジアリール化合物は、
単独でまたは２種類以上混合して使用することができ
る。上記のジヒドロキシジアリール化合物には、さら
に、ビペラジン、ジピペリジル、ハイドロキノン、レゾ
ルシン、４，４′−ジヒドロキシジフェニルなどを少量
混合することもできる。
単独でまたは２種類以上混合して使用することができ
る。上記のジヒドロキシジアリール化合物には、さら
に、ビペラジン、ジピペリジル、ハイドロキノン、レゾ
ルシン、４，４′−ジヒドロキシジフェニルなどを少量
混合することもできる。
【００１４】実験によると、上記ポリカーボネート樹脂
の粘度平均分子量は、好ましくは１３，０００〜２２，
０００の範囲、より好ましくは１４，０００〜２０，０
００の範囲のものである。なお、ここで粘度平均分子量
（Ｍ）とは、塩化メチレンを溶媒としオストワルド粘度
計を用いて溶液の極限粘度（η）を求め、Ｓｃｈｎｅｌ
ｌの粘度式、すなわち、（η）＝１．２３×１０-5Ｍ
0.83、から算出される分子量をいう。
の粘度平均分子量は、好ましくは１３，０００〜２２，
０００の範囲、より好ましくは１４，０００〜２０，０
００の範囲のものである。なお、ここで粘度平均分子量
（Ｍ）とは、塩化メチレンを溶媒としオストワルド粘度
計を用いて溶液の極限粘度（η）を求め、Ｓｃｈｎｅｌ
ｌの粘度式、すなわち、（η）＝１．２３×１０-5Ｍ
0.83、から算出される分子量をいう。
【００１５】本発明方法によるときは、光ディスク基板
は射出成形法で製造される。この際使用される光ディス
ク基板の製造用金型は、可動側金型と固定側金型とのキ
ャビティ部分を冷却する冷却水通水溝と、成形品基板を
金型から離型する際に基板成形品にエアーを吹付けるエ
アーを吹付口を双方の金型に設けた金型を使用する。金
型冷却用の通水溝は、キャビティプレートとキャビティ
の入れ子との間に設けられる。この通水溝は、溶融樹脂
の注入された部分を急速に冷却するために、通水溝が延
在する方向に対して直角に切断した際の断面を、溶融樹
脂の注入部分に近い部分で大きくし、注入部分から離れ
た部分で小さくするように変更するのが好ましい。
は射出成形法で製造される。この際使用される光ディス
ク基板の製造用金型は、可動側金型と固定側金型とのキ
ャビティ部分を冷却する冷却水通水溝と、成形品基板を
金型から離型する際に基板成形品にエアーを吹付けるエ
アーを吹付口を双方の金型に設けた金型を使用する。金
型冷却用の通水溝は、キャビティプレートとキャビティ
の入れ子との間に設けられる。この通水溝は、溶融樹脂
の注入された部分を急速に冷却するために、通水溝が延
在する方向に対して直角に切断した際の断面を、溶融樹
脂の注入部分に近い部分で大きくし、注入部分から離れ
た部分で小さくするように変更するのが好ましい。
【００１６】エアー（圧空）吹付口は、基板成形品を金
型から離型する際に基板成形品にエアーを吹付ける機能
を果たす。固定側金型では、例えばスプルーブッシュの
周辺に沿い、スプルーブッシュの先端部であって金型キ
ャビティ部分で開口させて設けられ、可動側金型では、
例えば金型ブロックとスタンパー固定具との間であって
金型キャビティ部分で開口させて設けられる。エアー吹
付口の大きさは、エアーは通すが溶融樹脂は通さない大
きさとする。
型から離型する際に基板成形品にエアーを吹付ける機能
を果たす。固定側金型では、例えばスプルーブッシュの
周辺に沿い、スプルーブッシュの先端部であって金型キ
ャビティ部分で開口させて設けられ、可動側金型では、
例えば金型ブロックとスタンパー固定具との間であって
金型キャビティ部分で開口させて設けられる。エアー吹
付口の大きさは、エアーは通すが溶融樹脂は通さない大
きさとする。
【００１７】本発明方法によるときは、冷却用の通水溝
に通水する冷却水の設定温度を、一方の金型の設定温度
を、他方の金型の設定温度より少なくとも５℃以上、好
ましくは１０℃以上の温度差を設けて設定する。金型キ
ャビティ部分は、溶融樹脂を注入することによって高温
にされるが、冷却用の通水溝に通水することによって下
げることができる。金型の温度の調節は、一定温度とし
た冷却水を、特定の通水速度で通水することによって行
われる。金型キャビティ部分の冷却方式は、冷却水の温
度が９０℃を超えるときは加圧温水を循環する方式を採
用し、９０℃未満の場合は温水を循環する方式を採用す
るのが好ましい。
に通水する冷却水の設定温度を、一方の金型の設定温度
を、他方の金型の設定温度より少なくとも５℃以上、好
ましくは１０℃以上の温度差を設けて設定する。金型キ
ャビティ部分は、溶融樹脂を注入することによって高温
にされるが、冷却用の通水溝に通水することによって下
げることができる。金型の温度の調節は、一定温度とし
た冷却水を、特定の通水速度で通水することによって行
われる。金型キャビティ部分の冷却方式は、冷却水の温
度が９０℃を超えるときは加圧温水を循環する方式を採
用し、９０℃未満の場合は温水を循環する方式を採用す
るのが好ましい。
【００１８】実験によると、基板成形品表裏に吹付ける
エアーの吹付け時間を、設定温度を低くした金型からの
吹付け時間を、設定温度を高くした金型からの吹付け時
間よりも０．２秒以上、好ましくは０．３秒以上、特に
好ましくは０．５秒以上長く設定すると、最終的に得ら
れる成形品基板の「そり」を大幅に低減できることが分
った。
エアーの吹付け時間を、設定温度を低くした金型からの
吹付け時間を、設定温度を高くした金型からの吹付け時
間よりも０．２秒以上、好ましくは０．３秒以上、特に
好ましくは０．５秒以上長く設定すると、最終的に得ら
れる成形品基板の「そり」を大幅に低減できることが分
った。
【００１９】基板成形品の表裏に吹付けるエアーは、金
型から離れた場所にエアー（圧空）タンクを設置し、こ
のタンクにあらかじめエアーを蓄えておき、配管によっ
て金型の所定箇所に導くのが好ましい。なお、エアーを
蓄えるタンクには、冷却機構を設置してエアーを冷却し
ておくのが好ましく、冷却温度は１０℃以下とするのが
好ましい。
型から離れた場所にエアー（圧空）タンクを設置し、こ
のタンクにあらかじめエアーを蓄えておき、配管によっ
て金型の所定箇所に導くのが好ましい。なお、エアーを
蓄えるタンクには、冷却機構を設置してエアーを冷却し
ておくのが好ましく、冷却温度は１０℃以下とするのが
好ましい。
【００２０】実験によると、また、光ディスク基板成形
品の製造条件は、原料がポリカーボネートである場合に
は、成形機のシリンダーの設定温度を２８０℃〜４００
℃、可動側金型キャビティの設定温度を５０℃〜１０５
℃、固定側金型キャビティの設定温度を５０〜１４０
℃、可動側金型キャビティからのエアー吹き付け時間を
３．０秒程度、固定側金型キャビティからのエアー吹き
付け時間を３．４〜８．０秒程度で選ぶのが、特に好ま
しいことが分かった。光ディスク基板成形品は、１板ま
たは２枚の張り合わせたもので、厚さが０．６mm〜１．
２mmの範囲のものが好適である。
品の製造条件は、原料がポリカーボネートである場合に
は、成形機のシリンダーの設定温度を２８０℃〜４００
℃、可動側金型キャビティの設定温度を５０℃〜１０５
℃、固定側金型キャビティの設定温度を５０〜１４０
℃、可動側金型キャビティからのエアー吹き付け時間を
３．０秒程度、固定側金型キャビティからのエアー吹き
付け時間を３．４〜８．０秒程度で選ぶのが、特に好ま
しいことが分かった。光ディスク基板成形品は、１板ま
たは２枚の張り合わせたもので、厚さが０．６mm〜１．
２mmの範囲のものが好適である。
【００２１】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
図１には、ＣＤ基板を製造する金型の一例の部分拡大側
面断面図を示した。図において、１は固定板、２は固定
板側金型、３は可動板、４は可動板側金型、５は射出成
形機シリンダー先端、６はスプルーブッシュ、７はスプ
ルー、８はスプルー部冷却用の通水溝であり、図示され
ていない、冷却水循環装置に連接されている。９、１０
は入れ子であり、スタンパー１２は、スタンパー固定具
１３、１４によって、金型キャビティ１１の一方の表面
に装着される。
図１には、ＣＤ基板を製造する金型の一例の部分拡大側
面断面図を示した。図において、１は固定板、２は固定
板側金型、３は可動板、４は可動板側金型、５は射出成
形機シリンダー先端、６はスプルーブッシュ、７はスプ
ルー、８はスプルー部冷却用の通水溝であり、図示され
ていない、冷却水循環装置に連接されている。９、１０
は入れ子であり、スタンパー１２は、スタンパー固定具
１３、１４によって、金型キャビティ１１の一方の表面
に装着される。
【００２２】固定側金型に設けられた冷却水通水溝１５
は入れ子９の背面に、可動側金型に設けられた冷却水通
水溝１６は入れ子１０の背面にそれぞれ設けられ、図示
されていない、スプルー部冷却用のものとは別の冷却水
循環装置に連接されている。スプルー部冷却用の通水溝
は、上記の通りスプルーブッシュの表面に例えば螺旋状
に形成されるが、螺旋の巻回数はスプルーブッシュの長
さにより変更することができる。固定板側金型２と可動
板側金型４とは、型締めした際に当たり面１７、１８で
当接し、光ディスク基板用の金型キャビティ１１を形成
する。
は入れ子９の背面に、可動側金型に設けられた冷却水通
水溝１６は入れ子１０の背面にそれぞれ設けられ、図示
されていない、スプルー部冷却用のものとは別の冷却水
循環装置に連接されている。スプルー部冷却用の通水溝
は、上記の通りスプルーブッシュの表面に例えば螺旋状
に形成されるが、螺旋の巻回数はスプルーブッシュの長
さにより変更することができる。固定板側金型２と可動
板側金型４とは、型締めした際に当たり面１７、１８で
当接し、光ディスク基板用の金型キャビティ１１を形成
する。
【００２３】エアー吹付口１９は、エアー配管２１から
導入し、スプルーブッシュの先端部であって金型キャビ
ティ部分で開口させて設けたものであり、エアー吹付口
２０は、エアー配管２２から導入し、スタンパーを入れ
子に固定する固定具に沿って設け金型キャビティ部分で
開口させて設けたものである。エアー配管２１、２２は
図示されていないエアー（圧空）タンクに繋がれ、エア
ーの基板成形品への吹き付け時間は、成形機の制御機構
によって設定調節可能とされている。
導入し、スプルーブッシュの先端部であって金型キャビ
ティ部分で開口させて設けたものであり、エアー吹付口
２０は、エアー配管２２から導入し、スタンパーを入れ
子に固定する固定具に沿って設け金型キャビティ部分で
開口させて設けたものである。エアー配管２１、２２は
図示されていないエアー（圧空）タンクに繋がれ、エア
ーの基板成形品への吹き付け時間は、成形機の制御機構
によって設定調節可能とされている。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明はその趣旨を超えない限り、以下の記
載例に限定されるものではない。
明するが、本発明はその趣旨を超えない限り、以下の記
載例に限定されるものではない。
【００２５】［実施例１］ ＜成形金型＞射出成形機（住友重機社製、型式：ＤＴＳ
Ｋ３）に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６mmのＣＤ基板製造
用金型であって、図１に示したように、キャビティを挟
んでキャビティ面から２０mm離れた位置に半径が１０mm
の冷却水通水溝を同心円状に３本形成されてなり、スプ
ルーブッシュの根元の外周部に半径が４mmの冷却水通水
溝が１本形成されてなり、スプルーブッシュの根元の外
周部にエアー吹付口１９を設け、スタンパー固定具１
３、１４の内周部にエアー吹付口２０を設けた金型を装
着した。
Ｋ３）に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６mmのＣＤ基板製造
用金型であって、図１に示したように、キャビティを挟
んでキャビティ面から２０mm離れた位置に半径が１０mm
の冷却水通水溝を同心円状に３本形成されてなり、スプ
ルーブッシュの根元の外周部に半径が４mmの冷却水通水
溝が１本形成されてなり、スプルーブッシュの根元の外
周部にエアー吹付口１９を設け、スタンパー固定具１
３、１４の内周部にエアー吹付口２０を設けた金型を装
着した。
【００２６】＜ＣＤ基板の製造＞上記射出成形機で、光
ディスク基板製造用ポリカーボネート樹脂（粘度平均分
子量が１６，０００のもの）を、シリンダー温度をノズ
ル側より２５０℃、３２０℃、３３０℃、３３０℃、３
２０℃、２５０℃とし、型締圧力を２５トン、射出ピー
ク圧を９８kgf/ｃｍ2 （ラム）、射出時間を０．３sec
とした。固定側金型と可動側金型との冷却水の設定温度
を、表−１に示した通りとした。また、基板成形品を金
型内で２．０秒間冷却した後、固定側金型と可動側金型
から基板成形品の表裏へ８℃のエアーの吹き付けを開始
し、表−１に示した様にエアーの吹き付け時間を変更し
て、ＣＤ基板を製造した。
ディスク基板製造用ポリカーボネート樹脂（粘度平均分
子量が１６，０００のもの）を、シリンダー温度をノズ
ル側より２５０℃、３２０℃、３３０℃、３３０℃、３
２０℃、２５０℃とし、型締圧力を２５トン、射出ピー
ク圧を９８kgf/ｃｍ2 （ラム）、射出時間を０．３sec
とした。固定側金型と可動側金型との冷却水の設定温度
を、表−１に示した通りとした。また、基板成形品を金
型内で２．０秒間冷却した後、固定側金型と可動側金型
から基板成形品の表裏へ８℃のエアーの吹き付けを開始
し、表−１に示した様にエアーの吹き付け時間を変更し
て、ＣＤ基板を製造した。
【００２７】＜ＣＤ基板の「そり」の測定＞得られたＣ
Ｄ基板の「そり」量を、次の様に測定した。定盤の上
に、ＣＤ基板の椀状のそりの凸側を下側にして置き、Ｃ
Ｄ基板の円周の中心から放射線を描き、この放射線上の
半径２２．０mmの部分と、半径５９．０mmの部分の変位
量を、キーエンス社製のレーザー変位計によって測定し
た。測定値は、ＣＤ基板の円周の中心から４本の放射線
を描いて測定した８個の測定値の平均値であり、結果を
表−１に示す。
Ｄ基板の「そり」量を、次の様に測定した。定盤の上
に、ＣＤ基板の椀状のそりの凸側を下側にして置き、Ｃ
Ｄ基板の円周の中心から放射線を描き、この放射線上の
半径２２．０mmの部分と、半径５９．０mmの部分の変位
量を、キーエンス社製のレーザー変位計によって測定し
た。測定値は、ＣＤ基板の円周の中心から４本の放射線
を描いて測定した８個の測定値の平均値であり、結果を
表−１に示す。
【００２８】［実施例２〜実施例４、比較例１〜比較例
３］実施例１に記載の例において、固定側金型と可動側
金型との冷却水の設定温度を、表−１に示した様に変更
し、かつ、固定側金型と可動側金型から基板成形品の表
裏へのエアーの吹き付け時間を表−１に示した様に変更
した他は、同例に記載したのと同様の手順でＣＤ基板を
製造した。得られたＣＤ基板の「そり」量を、実施例１
に記載の方法で測定した。その結果を、表−１に示す。
３］実施例１に記載の例において、固定側金型と可動側
金型との冷却水の設定温度を、表−１に示した様に変更
し、かつ、固定側金型と可動側金型から基板成形品の表
裏へのエアーの吹き付け時間を表−１に示した様に変更
した他は、同例に記載したのと同様の手順でＣＤ基板を
製造した。得られたＣＤ基板の「そり」量を、実施例１
に記載の方法で測定した。その結果を、表−１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】表−１より、次のことが明らかである。 (1)固定側金型と可動側金型との冷却水の設定温度差を
５℃以上とし、かつ、冷却水の設定温度を低くした基板
成形品の表面へのエアーの吹き付け時間を０．５秒以上
長くした場合は、得られたＣＤ基板成形品の「そり」量
は小さい（実施例１〜実施例３参照）。 (2)これに対し、固定側金型と可動側金型との冷却水の
設定温度を同じとし、かつ、基板成形品の表面へのエア
ーの吹き付け時間を同じとした場合は、得られたＣＤ基
板成形品の「そり」量は大きい（比較例１参照）。 (3)また、固定側金型と可動側金型との冷却水の設定温
度差を５℃以上としても、基板成形品の表面へのエアー
の吹き付け時間を同じとした場合は、得られたＣＤ基板
成形品の「そり」量は大きい（比較例２参照）。 (4)さらに、冷却水の設定温度を低くした基板成形品の
表面へのエアーの吹き付け時間を０．５秒以上長くして
も、固定側金型と可動側金型との冷却水の設定温度差を
同じとした場合は、得られたＣＤ基板成形品の「そり」
量は大きい（比較例３参照）。
５℃以上とし、かつ、冷却水の設定温度を低くした基板
成形品の表面へのエアーの吹き付け時間を０．５秒以上
長くした場合は、得られたＣＤ基板成形品の「そり」量
は小さい（実施例１〜実施例３参照）。 (2)これに対し、固定側金型と可動側金型との冷却水の
設定温度を同じとし、かつ、基板成形品の表面へのエア
ーの吹き付け時間を同じとした場合は、得られたＣＤ基
板成形品の「そり」量は大きい（比較例１参照）。 (3)また、固定側金型と可動側金型との冷却水の設定温
度差を５℃以上としても、基板成形品の表面へのエアー
の吹き付け時間を同じとした場合は、得られたＣＤ基板
成形品の「そり」量は大きい（比較例２参照）。 (4)さらに、冷却水の設定温度を低くした基板成形品の
表面へのエアーの吹き付け時間を０．５秒以上長くして
も、固定側金型と可動側金型との冷却水の設定温度差を
同じとした場合は、得られたＣＤ基板成形品の「そり」
量は大きい（比較例３参照）。
【００３１】
【発明の効果】本発明方法は、次の様な特別に有利な効
果を奏し、その産業上の利用価値は極めて大である。
１．本発明方法によるときは、「そり」の少ない高品質
の光ディスク基板を、極めて容易に製造することができ
る。２．本発明方法によって得られた光ディスク基板
は、「そり」が少なく高品質であるので、レーザーによ
る読み取り不良などが生じ難い。
果を奏し、その産業上の利用価値は極めて大である。
１．本発明方法によるときは、「そり」の少ない高品質
の光ディスク基板を、極めて容易に製造することができ
る。２．本発明方法によって得られた光ディスク基板
は、「そり」が少なく高品質であるので、レーザーによ
る読み取り不良などが生じ難い。
【図１】 ＣＤ基板を製造する金型の一例の部分拡大側
面断面図である。
面断面図である。
１：固定板 ２：固定板側金型 ３：可動板 ４：可動板側金型 ５：射出成形機シリンダー先端 ６：スプルーブッシュ ７：スプルー ８：スプルー部冷却用の通水溝 ９、１０：入れ子 １１：金型キャビティ １２：スタンパー １３、１４：スタンパー固定具 １５、１６：冷却水通水溝 １７、１８：当たり面 １９、２０：エアー吹付口 ２１、２２：エアー配管
Claims (3)
- 【請求項１】 透明な熱可塑性樹脂を原料とし、射出成
形法によって光ディスク基板を製造するにあたり、可動
側金型と固定側金型とのキャビティ部分を冷却する冷却
水通水溝と、成形品基板を金型から離型する際に成形品
基板にエアーを吹付けるエアー吹付口を双方の金型に設
けた金型を使用し、一方の金型の設定温度を、他方の金
型の設定温度より少なくとも５℃以上の温度差を設けて
設定し、かつ、成形品基板を金型から離型する際に成形
品基板にエアーを吹付ける際に、設定温度を低くした金
型からの吹付け時間を、設定温度を高くした金型からの
吹付け時間よりも０．２秒以上長く設定することを特徴
とする、光ディスク基板の製造方法。 - 【請求項２】 透明な熱可塑性樹脂が、粘度平均分子量
１３，０００〜２２，０００のポリカーボネート樹脂で
ある、請求項１に記載の光ディスク基板の製造方法。 - 【請求項３】 成形品基板を金型から離型する際に成形
品基板に吹付けるエアーの温度を、あらかじめ１０℃以
下に設定することを特徴とする、請求項１または請求項
２に記載の光ディスク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22766597A JPH1158474A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 光ディスク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22766597A JPH1158474A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 光ディスク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1158474A true JPH1158474A (ja) | 1999-03-02 |
Family
ID=16864420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22766597A Pending JPH1158474A (ja) | 1997-08-25 | 1997-08-25 | 光ディスク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1158474A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003097328A1 (de) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Krauss-Maffei Kunststofftechnik Gmbh | Formwerkzeug und verfahren zum herstellen von kunststoffartikeln |
| US20110204535A1 (en) * | 2009-09-09 | 2011-08-25 | Kazuo Inoue | Disk substrate molding apparatus, disk substrate molding method and disk substrate molding die |
| WO2018139566A1 (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 本田技研工業株式会社 | 成形用金型 |
-
1997
- 1997-08-25 JP JP22766597A patent/JPH1158474A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003097328A1 (de) * | 2002-05-15 | 2003-11-27 | Krauss-Maffei Kunststofftechnik Gmbh | Formwerkzeug und verfahren zum herstellen von kunststoffartikeln |
| US7118372B2 (en) | 2002-05-15 | 2006-10-10 | Krauss-Maffei Kunststofftechnik Gmbh | Molding tool having a heating and cooling medium |
| US7445743B2 (en) | 2002-05-15 | 2008-11-04 | Krauss-Maffei Kunststofftechnik Gmbh | Molding tool, and method of making plastic articles |
| US20110204535A1 (en) * | 2009-09-09 | 2011-08-25 | Kazuo Inoue | Disk substrate molding apparatus, disk substrate molding method and disk substrate molding die |
| US8540503B2 (en) * | 2009-09-09 | 2013-09-24 | Panasonic Corporation | Disk substrate molding apparatus, disk substrate molding method and disk substrate molding die |
| WO2018139566A1 (ja) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | 本田技研工業株式会社 | 成形用金型 |
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