JPH1154416A - Projection aligner and manufacture thereof - Google Patents

Projection aligner and manufacture thereof

Info

Publication number
JPH1154416A
JPH1154416A JP9218987A JP21898797A JPH1154416A JP H1154416 A JPH1154416 A JP H1154416A JP 9218987 A JP9218987 A JP 9218987A JP 21898797 A JP21898797 A JP 21898797A JP H1154416 A JPH1154416 A JP H1154416A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
original
stage
mark
reticle
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP9218987A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3517560B2 (en
Inventor
Shinichi Shima
伸一 島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP21898797A priority Critical patent/JP3517560B2/en
Publication of JPH1154416A publication Critical patent/JPH1154416A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3517560B2 publication Critical patent/JP3517560B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve light weight of an original form stage and a substrate stage, and to prevent break of fiber optics. SOLUTION: A step-and-scan projection and aligner comprises a lighting optical system for illuminating an original form 1 with light from a light source, a projection optical system 10 for projecting the pattern of the original form onto a substrate 11, original form stages, 1, 2 and 3 for holding the original form an moving it in a first direction for scanning, substrate stages 12, 13 and 14 for holding the substrate and moving it in a second direction corresponding to the first direction, a reference mark on the original or substrate stage used as the reference for positioning the original form, a microscope for observing a mark for positioning on the original form and the fiducial mark for positioning the original form and a mark lighting means for lighting the mark for positioning and the reference mark. In this case, a part or the whole of the mark lighting means is disposed on a part, which is not moved by the original form stage or a part of the mark lighting means, is deposed on a part which is not moved by the substrate stage.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マスク等の原版と
感光性基板とを同期してそれぞれ所定の方向に走査する
ことにより、原版上のパターンを逐次感光性の基板上に
露光する走査型露光装置に関し、特にステップアンドス
キャン方式の投影式走査型露光装置に適用して、好適な
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a scanning type in which a pattern on an original is sequentially exposed on a photosensitive substrate by scanning an original such as a mask and a photosensitive substrate in predetermined directions in synchronization with each other. The exposure apparatus is particularly suitable for application to a step-and-scan type projection scanning exposure apparatus.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、半導体素子、液晶表示素子または
薄膜磁気へッド等をフォトリソグラフィー工程で製造す
る際には、フォトマスクまたはレチクル（以下、レチク
ルという）のパターンを感光性の基板であるウエハ、ガ
ラスプレート（以下、ウエハという）上に転写する投影
露光装置が提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, when a semiconductor element, a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, or the like is manufactured by a photolithography process, a pattern of a photomask or a reticle (hereinafter, referred to as a reticle) is a photosensitive substrate. There has been proposed a projection exposure apparatus for transferring a wafer onto a glass plate (hereinafter, referred to as a wafer).

【０００３】投影露光装置で主なものは、レチクルのパ
ターンの像を順次ウエハに転写露光するステップアンド
リピート方式の縮小投影露光装置（以下、ステッパとい
う）である。A typical projection exposure apparatus is a step-and-repeat reduction projection exposure apparatus (hereinafter, referred to as a stepper) for sequentially transferring and exposing a reticle pattern image onto a wafer.

【０００４】図５、６に従来のステッパの構成の一部を
示す。レチクルステージ５１、５２、５３、５４はレチ
クル１を保持するとともにＸ，Ｙ，θ方向に移動可能な
構造となっている。レチクルステージベース５４上に、
Ｙ方向に移動可能なＹステージ５３、Ｘ方向に移動可能
なＸステージ５２、θ方向に移動可能なθステージ５１
が構成されている。レチクルステージベース５４上には
レチクルを位置合わせするための基準マーク５９が搭載
されている。レチクルステージの上方にはレチクルアラ
イメント顕微鏡５、６（以下、ＲＡＳという）が構成さ
れている。レチクルステージの下方には、投影光学系１
０、ウエハステージ１１〜１５が構成されている。FIGS. 5 and 6 show a part of the structure of a conventional stepper. The reticle stages 51, 52, 53, and 54 have a structure that holds the reticle 1 and is movable in the X, Y, and θ directions. On the reticle stage base 54,
Y stage 53 movable in Y direction, X stage 52 movable in X direction, θ stage 51 movable in θ direction
Is configured. A reference mark 59 for positioning the reticle is mounted on the reticle stage base 54. Reticle alignment microscopes 5 and 6 (hereinafter, referred to as RAS) are configured above the reticle stage. A projection optical system 1 is provided below the reticle stage.
0, wafer stages 11 to 15 are configured.

【０００５】図６は、基準マーク５９部を詳細に説明す
る図である。レチクルステージベース５４上には、レチ
クルを位置合わせするための基準マーク５９が搭載され
ている。基準マーク５９は、外部に構成された光源５６
により、ファイバ５７および照明光学系５８を介し、照
明される。照明された基準マーク５９およびレチクル１
上のマーク像はミラー５ａ，６ａによりＲＡＳ５，６に
取り込まれる。FIG. 6 is a diagram for explaining the fiducial mark 59 in detail. On the reticle stage base 54, a reference mark 59 for positioning the reticle is mounted. The fiducial mark 59 is formed by a light source 56 provided outside.
Is illuminated via the fiber 57 and the illumination optical system 58. Illuminated fiducial mark 59 and reticle 1
The upper mark image is taken into RAS 5, 6 by mirrors 5a, 6a.

【０００６】レチクル１は図示しないレチクル搬送装置
によりθステージ５１上に送られ、吸着される。そし
て、ＲＡＳ５、６は、レチクル１のマークと基準マーク
５９を観察し相対位置を検出する。検出結果に基づき、
レチクルステージ５１、５２、５３が駆動され、レチク
ル１は基準マーク５９に対しアライメントされる。The reticle 1 is sent onto the θ stage 51 by a reticle transport device (not shown) and is sucked. Then, the RASs 5 and 6 observe the mark on the reticle 1 and the reference mark 59 to detect the relative position. Based on the detection result,
The reticle stages 51, 52, 53 are driven, and the reticle 1 is aligned with the reference mark 59.

【０００７】また、近年、走査型露光装置が提案されて
いる。特開平７−１７６４６８号公報が開示する走査型
露光装置の一例では、レチクルを装置にアライメントす
る際に、基板ステージに構成された照明部により、基板
ステージに構成された基準マークが照明され、レチクル
アライメント顕微鏡によりレチクルと基準マークの相対
位置が検出され、レチクルがアライメントされる。In recent years, a scanning type exposure apparatus has been proposed. In an example of a scanning type exposure apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-176468, when aligning a reticle with the apparatus, a reference mark formed on the substrate stage is illuminated by an illumination unit formed on the substrate stage, and a reticle is formed. The relative position between the reticle and the reference mark is detected by the alignment microscope, and the reticle is aligned.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとしている課題】近年、半導体素子
等においては、パターンが微細化している。これを実現
するためには、投影光学系の解像力を高める必要があ
る。解像力を高めるには、露光光の波長を短波長化す
る、または投影光学系の開口数を増大する等の手法があ
る。In recent years, patterns have been miniaturized in semiconductor devices and the like. In order to realize this, it is necessary to increase the resolution of the projection optical system. Methods for increasing the resolution include shortening the wavelength of the exposure light or increasing the numerical aperture of the projection optical system.

【０００９】一方、半導体素子１個のチップパターンに
ついて見ると、大型化する傾向にある。このため、より
大面積のパターンを露光出来る装置が必要とされてい
る。On the other hand, a chip pattern of one semiconductor element tends to be larger. Therefore, there is a need for an apparatus capable of exposing a pattern having a larger area.

【００１０】上記２項目を満足するためには、露光領域
が大きく、かつ解像力の高い投影光学系が必要となる。
しかしながら、露光領域を大きくすればするほど、解像
力を高めれば高めるほど、露光領域全域でのディストー
ション等の結像性能を所定の精度に維持することが困難
となる。そこで現在注目されているのが、走査型露光装
置である。走査型露光装置においては、矩形状または、
円弧状等のスリット状の照明領域に対して、レチクルお
よびウエハを相対的に同期して走査しながら、レチクル
のパターンをウエハに転写する。In order to satisfy the above two items, a projection optical system having a large exposure area and high resolution is required.
However, as the exposure area is increased and the resolution is increased, it becomes more difficult to maintain the imaging performance such as distortion over the entire exposure area at a predetermined accuracy. Therefore, attention is now focused on a scanning exposure apparatus. In a scanning exposure apparatus, a rectangular or
The reticle pattern is transferred to the wafer while scanning the reticle and the wafer relatively synchronously with respect to the slit-shaped illumination area such as an arc.

【００１１】この方式では、レチクルをスリット状に照
明することで、投影光学系の一部しか使用しない。この
ため、ディストーション等の結像性能を所定の精度に維
持し易いという利点がある。In this method, only a part of the projection optical system is used by illuminating the reticle in a slit shape. For this reason, there is an advantage that imaging performance such as distortion can be easily maintained at a predetermined accuracy.

【００１２】また、レチクルをスリット状に照明するこ
とで、投影光学系の有効露光領域の最大直径を使用出来
るとともに、走査することにより、走査方向には光学系
の制限を受けることなく露光領域を拡大出来るという利
点がある。By illuminating the reticle in a slit shape, the maximum diameter of the effective exposure area of the projection optical system can be used, and by scanning, the exposure area can be defined without being restricted by the optical system in the scanning direction. There is an advantage that it can be expanded.

【００１３】上記走査型露光装置においては、レチクル
およびウエハを相対的に同期して走査しながら、レチク
ルのパターンをウエハに転写する。このため、同期して
走査させるための制御が重要となる。特に、投影光学系
が１／５、あるいは１／４といった投影倍率のもとで使
用される場合、レチクルはウエハに対し、５あるいは４
倍の速度で走査しなければならない。また、従来のステ
ッパは一括露光であったのに対し、走査型露光装置で
は、走査しながらの露光であるため、スループットの点
で不利となる。In the above scanning exposure apparatus, the reticle pattern is transferred onto the wafer while scanning the reticle and the wafer relatively synchronously. For this reason, control for synchronous scanning is important. In particular, when the projection optical system is used under a projection magnification such as 1/5 or 1/4, the reticle may be 5 or 4
Scan at twice the speed. Further, in contrast to the conventional stepper, which performs batch exposure, the scanning type exposure apparatus performs exposure while scanning, which is disadvantageous in terms of throughput.

【００１４】このため、レチクルをいかに高速で走査
し、かつ高い同期制御精度を達成するかが重要である。
これを達成するためには、レチクルステージ可動部の軽
量化が重要であるが、上記従来例で示した如く、レチク
ルステージ上には、レチクルアライメント駆動部、基準
マーク、基準マーク照明部等を搭載する必要があり、軽
量化が図れないといった問題があった。このことは、レ
チクルステージだけでなくウエハステージにおいても同
様であり、較量化は重要な問題である。For this reason, it is important how to scan the reticle at high speed and achieve high synchronization control accuracy.
In order to achieve this, it is important to reduce the weight of the reticle stage movable part, but as shown in the above-mentioned conventional example, a reticle alignment drive unit, fiducial mark, fiducial mark illumination unit, etc. are mounted on the reticle stage. Therefore, there is a problem that the weight cannot be reduced. This is the same not only in the reticle stage but also in the wafer stage, and the comparison is an important problem.

【００１５】また、照明光を導光するためにファイバを
使用する場合は、レチクルステージの駆動に伴ってファ
イバも屈曲しなければならない。このため、断線等が発
生し易いと言う問題がある。断線が発生する場所は、レ
チクルステージの内部であり、交換が容易な場所に構成
することは困難であり、断線が発生することは装置にと
って重大な問題である。このことは、レチクルステージ
だけでなくウエハステージにおいても同様である。When a fiber is used to guide the illumination light, the fiber must also bend as the reticle stage is driven. For this reason, there is a problem that disconnection or the like easily occurs. The location where the disconnection occurs is inside the reticle stage, and it is difficult to configure the location where replacement is easy, and the occurrence of the disconnection is a serious problem for the apparatus. This applies not only to the reticle stage but also to the wafer stage.

【００１６】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、ステップアンドスキャン方式の投影露光装
置において、原版ステージおよび基板ステージの軽量化
を図るとともに、照明光を導入するための光ファイバー
の断線などによる問題の解消を図ることにある。An object of the present invention is to reduce the weight of an original stage and a substrate stage and to introduce an optical fiber for introducing illumination light in a step-and-scan type projection exposure apparatus in view of the problems of the prior art. The problem is to solve the problem caused by disconnection of the wire.

【００１７】[0017]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の第１の態様に係る投影露光装置では、光源から
の照明光で原版を照明する照明光学系と、前記原版のパ
ターンを基板上に投影する投影光学系と、前記原版の走
査のために前記原版を保持して第１の方向に移動する原
版ステージと、前記基板の走査のために前記基板を保持
して前記第１の方向に対応する第２の方向に移動する基
板ステージと、前記原版ステージ上に設けられ、前記原
版を位置決めするための基準となる基準マークと、前記
原版を位置決めするために前記原版上の位置決め用マー
クと前記基準マークを観察するための顕微鏡と、前記観
察のために前記位置決め用マークおよび基準マークを照
明するマーク照明手段とを備えたステップアンドスキャ
ン方式の投影露光装置において、前記マーク照明手段の
一部または全部を、前記原版ステージにより移動しない
部分に設けたことを特徴とする。In order to achieve this object, a projection exposure apparatus according to a first aspect of the present invention provides an illumination optical system for illuminating an original with illumination light from a light source, and a method for applying a pattern of the original to a substrate. A projection optical system for projecting the original, an original stage for holding the original for scanning of the original, and moving in a first direction, and an original stage for holding the substrate for scanning the substrate. A substrate stage that moves in a second direction corresponding to the direction, a reference mark provided on the original stage, which serves as a reference for positioning the original, and a positioning mark on the original to position the original. Step-and-scan projection exposure, comprising: a microscope for observing a mark and the reference mark; and mark illuminating means for illuminating the positioning mark and the reference mark for the observation. In location, some or all of the mark lighting means, characterized in that provided in the portion which is not moved by the original stage.

【００１８】また、本発明の第２の態様に係る投影露光
装置では、光源からの照明光で原版を照明する照明光学
系と、前記原版のパターンを基板上に投影する投影光学
系と、前記原版の走査のために前記原版を保持して第１
の方向に移動する原版ス テージと、前記基板の走査の
ために前記基板を保持して前記第１の方向に対応する第
２の方向に移動する基板ステージと、前記基板ステージ
上に設けられ、前記原版を位置決めするための基準とな
る基準マークと、前記原版を位置決めするために前記原
版上の位置決め用マークと前記基準マークを観察するた
めの顕微鏡と、前記観察のために前記位置決め用マーク
および基準マークを照明するマーク照明手段とを備えた
ステップアンドスキャン方式の投影露光装置において、
前記マーク照明手段の一部を、前記基板ステージにより
移動しない部分に設けたことを特徴とする。In a projection exposure apparatus according to a second aspect of the present invention, there is provided an illumination optical system for illuminating an original with illumination light from a light source, a projection optical system for projecting the pattern of the original onto a substrate, and Holding the original for scanning the original,
An original stage that moves in the direction of, a substrate stage that holds the substrate for scanning the substrate and moves in a second direction corresponding to the first direction, and is provided on the substrate stage. A reference mark serving as a reference for positioning the original, and a microscope for observing the positioning mark and the reference mark on the original to position the original, and the positioning mark and the observation mark for the observation In a step-and-scan projection exposure apparatus including mark illumination means for illuminating a reference mark,
A part of the mark illuminating means is provided in a portion which is not moved by the substrate stage.

【００１９】また、本発明のデバイス製造方法では、こ
のような投影露光装置を用い、そのマーク照明手段およ
び顕微鏡を用いて原版の位置決めを行い、原版のパター
ンを基板上に露光することを特徴とする。The device manufacturing method of the present invention is characterized in that such a projection exposure apparatus is used, the original is positioned using the mark illuminating means and the microscope, and the pattern of the original is exposed on a substrate. I do.

【００２０】これにより、原版ステージあるいは基板ス
テージの軽量化が図られる。また、マーク照明手段にお
いて照明光を導光するために光ファイバを使用する場
合、光ファイバの断線による問題の解消が図られる。Thus, the weight of the original stage or the substrate stage can be reduced. Further, when an optical fiber is used to guide illumination light in the mark illuminating means, the problem caused by the disconnection of the optical fiber can be solved.

【００２１】[0021]

【発明の実施の形態】本発明の第１の態様に係る投影露
光装置の好ましい実施形態においては、前記マーク照明
手段は前記原版ステージの下方より前記位置決め用マー
クおよび基準マークを同時に照明するものであり、前記
顕徴鏡は前記原版の上方より前記位置決め用マークおよ
び基準マークを同時に観察するものである。また、前記
原版ステージは、前記第１の方向の走査のために移動す
る走査用ステージと、その上に設けられ、前記原版を位
置決めするために前記原版を保持して微動する微動ステ
ージとを有し、前記基準マークは前記走査用ステージの
上に固定されている。In a preferred embodiment of the projection exposure apparatus according to the first aspect of the present invention, the mark illuminating means simultaneously illuminates the positioning mark and the reference mark from below the original stage. The microscope may simultaneously observe the positioning mark and the reference mark from above the original. The original stage includes a scanning stage that moves for scanning in the first direction, and a fine movement stage that is provided on the scanning stage and that finely moves while holding the original to position the original. The reference mark is fixed on the scanning stage.

【００２２】また、本発明の第２の態様に係る投影露光
装置の好ましい実施形態においては、前記マーク照明手
段はその前記一部以外の部分が前記基板ステージ内に設
けられ、前記基準マークを下方より照明すると同時に、
さらに前記投影光学系を介して前記位置決め用マークを
照明するものであり、前記顕微鏡は前記原版の上方より
前記位置決め用マークを観察すると同時に前記投影光学
系を介して前記基準マークを観察するものである。ま
た、前記原版ステージは、前記第１の方向の走査のため
に移動する走査用ステージと、その上に設けられ、前記
原版を位置決めするために前記原版を保持して微動する
微動ステージとを有する。Further, in a preferred embodiment of the projection exposure apparatus according to the second aspect of the present invention, the mark illuminating means has a part other than the part provided in the substrate stage, and the mark illuminating means is disposed below the reference mark. At the same time as more lighting
Further, the positioning mark is illuminated through the projection optical system, and the microscope observes the positioning mark from above the original and simultaneously observes the reference mark through the projection optical system. is there. The original stage has a scanning stage that moves for scanning in the first direction, and a fine movement stage that is provided thereon and that finely moves the original while holding the original to position the original. .

【００２３】また、本発明のデバイス製造方法の好まし
い実施形態においては、このような実施形態の投影露光
装置を用いる。In a preferred embodiment of the device manufacturing method of the present invention, the projection exposure apparatus of such an embodiment is used.

【００２４】[0024]

【実施例】図１は本発明の第１の実施例に係る投影露光
装置を示す。走査露光の概要について説明すると、図１
に於いて、図示省略された照明光学系からの露光光によ
り、レチクル１上のパターンが照明され、投影光学系１
０を介し、ウエハ１１上に投影露光される。露光光の照
明領域に対し、レチクル１が紙面に対し奥方向に一定速
度ＲＶで走査される。この時、ウエハ１１は図１の紙面
に対して、手前方向にレチクルの走査速度ＲＶに同期し
て、一定速度ＲＶ／Ｍで走査される。ここでＭは、投影
光学系１０の縮小倍率を示す。レチクル１が紙面に対し
て、手前方向に走査されるときは、ウエハは、紙面に対
して奥方向に走査される。FIG. 1 shows a projection exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. An outline of the scanning exposure will be described.
The pattern on the reticle 1 is illuminated by exposure light from an illumination optical system (not shown),
0, and is projected and exposed on the wafer 11. The reticle 1 is scanned at a constant speed RV in the depth direction with respect to the paper surface with respect to the illumination area of the exposure light. At this time, the wafer 11 is scanned at a constant speed RV / M in front of the page of FIG. 1 in synchronization with the reticle scanning speed RV. Here, M indicates a reduction magnification of the projection optical system 10. When the reticle 1 is scanned in front of the paper, the wafer is scanned in the back of the paper.

【００２５】レチクルステージ部の構成について説明す
ると、レチクルステージベース４上に紙面に対して垂直
なＹ軸方向に駆動自在なＹステージ３が搭載されてい
る。Ｙステージ３上にレチクル微動ステージ２が搭載さ
れ、レチクル微動ステージ２上にレチクル１が、レチク
ル微動ステージ２上の真空チャック等により保持され
る。レチクル微動ステージ２は、投影光学系１０の光軸
に垂直な面内で、Ｘ, Ｙ,θ方向に微小量駆動可能とな
っている。The configuration of the reticle stage will be described. A reticle stage base 4 is provided with a Y stage 3 which can be driven in the Y-axis direction perpendicular to the plane of the drawing. The reticle fine movement stage 2 is mounted on the Y stage 3, and the reticle 1 is held on the reticle fine movement stage 2 by a vacuum chuck or the like on the reticle fine movement stage 2. The reticle fine movement stage 2 can be driven by a small amount in the X, Y, and θ directions in a plane perpendicular to the optical axis of the projection optical system 10.

【００２６】レチクル微動ステージ２上にはミラー２ａ
が配置され、レチクルステージベース４上に構成された
干渉計４ａにより、レチクル微動ステージ２の位置がモ
ニタされている。干渉計４ａによりモニタされた位置情
報は制御系７に供給される。A mirror 2a is provided on the reticle fine movement stage 2.
Are arranged, and the position of the reticle fine movement stage 2 is monitored by an interferometer 4 a configured on the reticle stage base 4. The position information monitored by the interferometer 4a is supplied to the control system 7.

【００２７】ウエハステージ部の構成について説明する
と、ウエハステージベース１５上にはＹ軸方向に駆動自
在なウエハＹステージ１４が搭載されている。ウエハＹ
ステージ１４上にはＹ軸と直交するＸ軸方向に駆動自在
なウエハＸステージ１３が搭載されている。ウエハＸス
テージ１３上には、Ｚ方向およびθ方向に駆動自在なＺ
θステージ１２が搭載され、Ｚθステージ１２上にウエ
ハ１１が、真空吸着により保持されている。Ｚθステー
ジ１２上にはミラー１２ａが配置され、外部に配置され
た干渉計９により、Ｚθステージ１２の位置がモニタさ
れる。干渉計９によりモニタされた位置情報は制御系７
に供給される。制御系７はウエハステージ駆動系８によ
り、ウエハＹステージ１４、ウエハＸステージ１３、Ｚ
θステージ１２の駆動を制御するとともに、装置全体の
動作を制御するものである。Explaining the configuration of the wafer stage, a wafer Y stage 14 that can be driven in the Y-axis direction is mounted on a wafer stage base 15. Wafer Y
On the stage 14, a wafer X stage 13 that can be driven in an X-axis direction orthogonal to the Y-axis is mounted. On the wafer X stage 13, a Z
stage 12 is mounted, and the wafer 11 is held on the Zθ stage 12 by vacuum suction. Stage 12 is provided with a mirror 12a, and the position of the Zθ stage 12 is monitored by an interferometer 9 arranged outside. The position information monitored by the interferometer 9 is transmitted to the control system 7.
Supplied to The control system 7 controls the wafer Y stage 14, the wafer X stage 13, and the Z
It controls the driving of the θ stage 12 and controls the operation of the entire apparatus.

【００２８】レチクル１の上方には、レチクルアライメ
ント顕微鏡（以下、ＲＡＳという）５、６が構成されて
いる。後述するレチクル１の下部に構成された光源によ
り照明されたレチクル上のマーク像は、ミラー５ａ，６
ａによりＲＡＳ５，６に取り込まれる。取り込まれたマ
ーク像は、ＲＡＳ５，６内に構成された画像処理部５
ｂ，６ｂにより処理され、位置情報として制御部７に供
給される。Above the reticle 1, reticle alignment microscopes (RAS) 5 and 6 are provided. The mark images on the reticle illuminated by the light source formed below the reticle 1 are mirrors 5a, 6
is taken into RAS5,6 by a. The fetched mark image is stored in the image processing unit 5 configured in the RAS 5 or 6.
b, 6b and supplied to the control unit 7 as position information.

【００２９】レチクル１の下部に構成された光源につい
て、図２により説明する。Ｙステージ３上には、基準マ
ークベース２１がボルト２２により固定されている。基
準マークベース２１上にはレチクルをアライメントする
ための基準マーク２０ａが描画された基準マークプレー
ト２０が接着等により固定されている。レチクル１に
は、基準マーク２０ａに対応した位置にマークｌａが描
画されている。レチクルステージベース４には、前記基
準マーク２０ａおよびマークｌａを照明するための光源
２５、照明光学系２４、ミラー２３が構成されている。
光源２５、照明光学系２４、ミラー２３は、Ｙステージ
３が駆動されても干渉しない位置に配置されている。The light source formed below the reticle 1 will be described with reference to FIG. On the Y stage 3, a reference mark base 21 is fixed by bolts 22. On the reference mark base 21, a reference mark plate 20 on which a reference mark 20a for aligning the reticle is drawn is fixed by bonding or the like. A mark la is drawn on the reticle 1 at a position corresponding to the reference mark 20a. The reticle stage base 4 includes a light source 25 for illuminating the reference mark 20a and the mark la, an illumination optical system 24, and a mirror 23.
The light source 25, the illumination optical system 24, and the mirror 23 are arranged at positions where they do not interfere with each other even when the Y stage 3 is driven.

【００３０】動作について説明すると、Ｙステージ３は
レチクル１が供給される位置に移動する。レチクル１は
図示しないレチクル搬送装置により、レチクル微動ステ
ージ２上に搬送され、吸着固定される。レチクルをアラ
イメントするために、光源２５が点灯し、照明光学系２
４、ミラー２３を介し、基準マーク２０ａおよびマーク
ｌａを照明する。基準マーク２０ａ，マークｌａの像
は、ミラー５ａ，６ａによりＲＡＳ５，６に取り込まれ
る。取り込まれた像は、ＲＡＳ５，６内の画像処理部５
ｂ，６ｂにより処理され、レチクル１と基準マーク２０
ａの相対位置が検出される。検出された情報は制御系７
に供給され、制御系７はレチクル微動ステージ２を駆動
し、レチクル１を基準マーク２０ａに対してアライメン
トする。In operation, the Y stage 3 moves to a position where the reticle 1 is supplied. The reticle 1 is transferred onto the reticle fine movement stage 2 by a reticle transfer device (not shown), and is fixed by suction. In order to align the reticle, the light source 25 is turned on and the illumination optical system 2 is turned on.
4. The reference mark 20a and the mark la are illuminated via the mirror 23. The images of the reference mark 20a and the mark la are taken into the RASs 5 and 6 by the mirrors 5a and 6a. The captured image is stored in the image processing unit 5 in the RAS 5 or 6.
b, 6b, the reticle 1 and the reference mark 20
The relative position of “a” is detected. The detected information is transmitted to the control system 7
The control system 7 drives the reticle fine movement stage 2 to align the reticle 1 with the reference mark 20a.

【００３１】本実施例のレチクル微動ステージ２は、図
６の従来例のレチクルステージ５１〜５４に相当する。
従来例をそのまま適用すると、レチクル微動ステージ部
に光源ならびに照明光学系が構成される必要がある。ま
た、導光用ファイバもＹステージ３の駆動に伴い屈曲可
能な状態に保持されなければならない。一方本実施例に
よれば、基準マーク２０ａ以外は駆動されない部分に構
成されるため、Ｙステージ３上に構成する必要がなく、
Ｙステージ駆動部を軽量化することができる。The reticle fine movement stage 2 of this embodiment corresponds to the reticle stages 51 to 54 of the conventional example shown in FIG.
If the conventional example is applied as it is, it is necessary to configure a light source and an illumination optical system in the reticle fine movement stage. In addition, the light guiding fiber must be held in a bendable state as the Y stage 3 is driven. On the other hand, according to the present embodiment, since the portion other than the reference mark 20a is configured to be not driven, it is not necessary to configure the portion on the Y stage 3,
The weight of the Y stage drive unit can be reduced.

【００３２】（その他の実施例）図３、４に第２の実施
例を示す。図１と同一の要素は同一符号を付し、説明を
省略する。(Other Embodiments) FIGS. 3 and 4 show a second embodiment. The same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【００３３】本実施例が、第１の実施例と異なる点は、
第１の実施例ではレチクルアライメント用の照明部をレ
チクル下部に設けていたのに対し、本実施例では、基準
マークをウエハ側に設けると共に、その照明部もウエハ
側に設けた構成となっている点である。This embodiment is different from the first embodiment in that
In the first embodiment, the illumination unit for reticle alignment is provided below the reticle, whereas in this embodiment, the reference mark is provided on the wafer side, and the illumination unit is also provided on the wafer side. It is a point.

【００３４】図３に構成を示す。図１と異なるのは、Ｚ
θステージ１２上にレチクルアライメン卜用基準マーク
３０を構成している点である。FIG. 3 shows the configuration. The difference from FIG.
The reticle alignment reference mark 30 is formed on the θ stage 12.

【００３５】図４に、基準マーク３０の照明部詳細を示
す。基準マーク３０の下方には、基準マーク３０の照明
部を構成している。照明光は、外部に構成された光源４
０より、ファイバ４１、照明光学系４２、４３、４５、
ビームスプリッタ４４、ミラー４６を介し、基準マーク
３０下面に導かれ、裏面より基準マーク３０を照明す
る。基準マーク像は、投影光学系１０、レチクル１を介
し、ミラー５ａ，６ａによりＲＡＳ５，６に取り込まれ
る。FIG. 4 shows the details of the illumination section of the reference mark 30. Below the fiducial mark 30, an illumination part of the fiducial mark 30 is formed. The illumination light is emitted from a light source 4 configured outside.
0, the fiber 41, the illumination optical systems 42, 43, 45,
The light is guided to the lower surface of the reference mark 30 via the beam splitter 44 and the mirror 46, and illuminates the reference mark 30 from the back surface. The reference mark image is taken into the RASs 5 and 6 by the mirrors 5a and 6a via the projection optical system 10 and the reticle 1.

【００３６】ＲＡＳ５，６に取り込まれた基準マーク像
は、光学系４７ａ，４７ｂ、ミラー４８を介し、カメラ
４９に結像する。カメラ４９に結像したマーク像の信号
は、画像処理部５０にて処理され、制御系７に供給され
る。The reference mark images captured by the RASs 5 and 6 are formed on the camera 49 via the optical systems 47a and 47b and the mirror 48. The signal of the mark image formed on the camera 49 is processed by the image processing unit 50 and supplied to the control system 7.

【００３７】特開平７−１７６４６８号公報が開示する
従来例では、基準マーク照明光学系がステージに構成さ
れている。これに対し、本実施例では、照明光学系の一
部をステージ外部もしくは、駆動しない部分に構成して
いる。これは、レチクルをアライメントするポジション
が常に一定なポジションであり、アライメントポジショ
ンでのみ、照明光が基準マークおよびレチクルを照明す
ればよいことによるものである。この結果、照明光学系
の一部を駆動部とは分離して配置することが可能とな
り、ステージの軽量化を図ることができる。In the conventional example disclosed in JP-A-7-176468, a reference mark illumination optical system is formed on a stage. On the other hand, in this embodiment, a part of the illumination optical system is configured outside the stage or a part that is not driven. This is because the position for aligning the reticle is always a constant position, and the illumination light only needs to illuminate the reference mark and the reticle only at the alignment position. As a result, it is possible to dispose a part of the illumination optical system separately from the driving unit, and to reduce the weight of the stage.

【００３８】本発明の第１の実施例の投影露光装置によ
れば、レチクルステージ可動部より、レチクルアライメ
ント用基準マーク照明部を分離して配置することが可能
となる。このことにより、レチクルステージ可動部を軽
量化できる。このため、レチクルを高速で走査し、かつ
高い同期制御精度を達成することが出来る。According to the projection exposure apparatus of the first embodiment of the present invention, it is possible to dispose the reticle alignment reference mark illumination unit separately from the reticle stage movable unit. This makes it possible to reduce the weight of the movable portion of the reticle stage. Therefore, it is possible to scan the reticle at high speed and achieve high synchronization control accuracy.

【００３９】また、照明光を導光するためにファイバを
使用する場合は、従来であれば、レチクルステージの駆
動に伴ってファイバも屈曲しなければならなかった。こ
のため、断線等が発生し易すいと言う問題があったが、
本発明の第１の実施例の投影露光装置によれば、ファイ
バを固定部に実装出来るため、断線等の危険性を回避出
来る。When a fiber is used to guide the illumination light, the fiber has to be bent with the driving of the reticle stage in the related art. For this reason, there was a problem that disconnection and the like were easily caused,
According to the projection exposure apparatus of the first embodiment of the present invention, since the fiber can be mounted on the fixed portion, the danger such as disconnection can be avoided.

【００４０】また、レチクルアライメント用照明光は、
投影光学系を介して使用しないため、露光光とは異なっ
た波長の光源を使用できる。このことにより、露光光と
してエキシマレーザ等のランニングコストが問題となる
光源を使用した場合、ランニングコストの低減が図れ
る。The illumination light for reticle alignment is
Since it is not used via the projection optical system, a light source having a different wavelength from the exposure light can be used. As a result, when a light source such as an excimer laser or the like having a problem in running cost is used as the exposure light, the running cost can be reduced.

【００４１】また、同様に、露光光としてエキシマレー
ザ等の短波長の光を使用した場合、光学系として使用出
来る硝子材料の材質が石英等の高価なものに限られてし
まうが、第１の実施例によれば、照明光として露光光と
は異なった波長の光源を使用することにより、装置のコ
ストダウンが図れる。また、第２の実施例で示されるよ
うに、ウエハステージ側についても上記と同じ効果、軽
量化、ファイバ断線防止を実現できる。Similarly, when short-wavelength light such as an excimer laser is used as the exposure light, the glass material usable as the optical system is limited to expensive materials such as quartz. According to the embodiment, the cost of the apparatus can be reduced by using a light source having a wavelength different from that of the exposure light as the illumination light. Further, as shown in the second embodiment, the same effects, weight reduction, and prevention of fiber breakage can be realized on the wafer stage side.

【００４２】次に、上述の露光装置を利用することがで
きるデバイス製造例を説明する。図７は微小デバイス
（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣ
Ｄ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフロ
ーを示す。ステップ３１（回路設計）では半導体デバイ
スの回路設計を行なう。ステップ３２（マスク製作）で
は設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ３３（ウエハ製造）ではシリコン等の材
料を用いてウエハを製造する。ステップ３４（ウエハプ
ロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエ
ハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際
の回路を形成する。次のステップ３５（組み立て）は後
工程と呼ばれ、ステップ３４によって作製されたウエハ
を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ
工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工
程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ３６（検
査）では、ステップ３５で作製された半導体デバイスの
動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こう
した工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷
（ステップ３７）する。Next, a description will be given of an example of manufacturing a device that can use the above-described exposure apparatus. FIG. 7 shows a micro device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI, a liquid crystal panel, a CC)
D, thin-film magnetic head, micromachine, etc.). In step 31 (circuit design), the circuit of the semiconductor device is designed. Step 32 is a process for making a mask on the basis of the circuit pattern design.
On the other hand, in step 33 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon. Step 34 (wafer process) is referred to as a preprocess, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 35 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer prepared in step 34, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step 36 (inspection), inspections such as an operation check test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 35 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 37).

【００４３】図８は上記ウエハプロセスの詳細なフロー
を示す。ステップ４１（酸化）ではウエハの表面を酸化
させる。ステップ４２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁
膜を形成する。ステップ４３（電極形成）ではウエハ上
に電極を蒸着によって形成する。ステップ４４（イオン
打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ４５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ４６（露光）では、上記説明した露光装置によって
マスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステッ
プ４７（現像）では露光したウエハを現像する。ステッ
プ４８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部
分を削り取る。ステップ４９（レジスト剥離）では、エ
ッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。こ
れらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ上
に多重に回路パターンを形成する。FIG. 8 shows a detailed flow of the wafer process. Step 41 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. In step 42 (CVD), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 43 (electrode formation), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 44 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. Step 45
In (resist processing), a photosensitive agent is applied to the wafer. Step 46 (exposure) uses the above-described exposure apparatus to print and expose the circuit pattern of the mask onto the wafer. In step 47 (developing), the exposed wafer is developed. In step 48 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 49 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

【００４４】本実施形態の製造方法を用いれば、従来は
製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コスト
で製造することができる。By using the manufacturing method of this embodiment, it is possible to manufacture a highly integrated semiconductor device, which has been conventionally difficult to manufacture, at low cost.

【００４５】[0045]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、原
版ステージおよび基板ステージの軽量化を達成すること
ができる。また、マーク照明手段において照明光を導光
するために光ファイバを使用する場合、光ファイバの断
線を防止し、断線による問題を解消することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to reduce the weight of the original stage and the substrate stage. Further, when an optical fiber is used to guide illumination light in the mark illuminating means, disconnection of the optical fiber can be prevented, and the problem caused by the disconnection can be solved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】 本発明の第１の実施例に係る投影露光装置を
示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a projection exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図２】 図１の装置の部分的な詳細図であるFIG. 2 is a partial detailed view of the apparatus of FIG. 1;

【図３】 本発明の第２の実施例に係る投影露光装置を
示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing a projection exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.

【図４】 図３の装置の部分的な詳細図である。FIG. 4 is a partial detailed view of the apparatus of FIG. 3;

【図５】 従来例に係るステッパの概略図である。FIG. 5 is a schematic view of a stepper according to a conventional example.

【図６】 図５の装置の部分的な詳細図である。FIG. 6 is a partial detailed view of the apparatus of FIG. 5;

【図７】 図１または図３の装置により製造し得る微小
デバイスの製造の流れを示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing a flow of manufacturing a micro device that can be manufactured by the apparatus shown in FIG. 1 or 3;

【図８】 図７におけるウエハプロセスの詳細な流れを
示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart showing a detailed flow of a wafer process in FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１：レチクル、ｌａ：マーク、２：レチクル微動ステー
ジ、２ａ：ミラー、３：Ｙステージ、４：レチクルステ
ージベース、４ａ：干渉計、５：レチクルアライメント
顕微鏡、５ａ：ミラー、５ｂ：画像処理部、６：レチク
ルアライメント顕微鏡、６ａ：ミラー、６ｂ：画像処理
部、７：制御系、８：ウエハステージ駆動制御部、９：
干渉計、１０：投影光学系、１１：ウエハ、１２：Ｚθ
ステージ、１３：ウエハＸステージ、１４：ウエハＹス
テージ、１５：ウエハステージベース、２０：基準マー
クプレート、２０ａ：基準マーク、２１：基準マークベ
ース、２２：ボルト、２３：ミラー、２４：光学系、２
５：光源、３０：基準マーク、４０：照明光源、４１：
ファイバ、４２：光学系、４３：光学系、４４：ビーム
スプリッタ、４５：光学系、４６：ミラー、４７ａ：レ
ンズ、４７ｂ：レンズ、４８：ミラー、４９：カメラ、
５０：画像処理部、５１：レチクルθステージ、５２：
レチクルＸステージ、５３：レチクルＹステージ、５
４：レチクルステージベース、５５：レチクルステージ
駆動制御部、５６：光源、５７：ファイバ、５８：光学
系、５９：基準マーク。1: reticle, la: mark, 2: reticle fine movement stage, 2a: mirror, 3: Y stage, 4: reticle stage base, 4a: interferometer, 5: reticle alignment microscope, 5a: mirror, 5b: image processing unit, 6: reticle alignment microscope, 6a: mirror, 6b: image processing unit, 7: control system, 8: wafer stage drive control unit, 9:
Interferometer, 10: projection optical system, 11: wafer, 12: Zθ
Stage, 13: wafer X stage, 14: wafer Y stage, 15: wafer stage base, 20: reference mark plate, 20a: reference mark, 21: reference mark base, 22: bolt, 23: mirror, 24: optical system, 2
5: light source, 30: fiducial mark, 40: illumination light source, 41:
Fiber, 42: optical system, 43: optical system, 44: beam splitter, 45: optical system, 46: mirror, 47a: lens, 47b: lens, 48: mirror, 49: camera,
50: image processing unit, 51: reticle θ stage, 52:
Reticle X stage, 53: Reticle Y stage, 5
4: reticle stage base, 55: reticle stage drive controller, 56: light source, 57: fiber, 58: optical system, 59: reference mark.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 光源からの照明光で原版を照明する照明
光学系と、前記原版のパターンを基板上に投影する投影
光学系と、前記原版の走査のために前記原版を保持して
第１の方向に移動する原版ステージと、前記基板の走査
のために前記基板を保持して前記第１の方向に対応する
第２の方向に移動する基板ステージと、前記原版ステー
ジ上に設けられ、前記原版を位置決めするための基準と
なる基準マークと、前記原版を位置決めするために前記
原版上の位置決め用マークと前記基準マークを観察する
ための顕微鏡と、前記観察のために前記位置決め用マー
クおよび基準マークを照明するマーク照明手段とを備え
たステップアンドスキャン方式の投影露光装置におい
て、前記マーク照明手段の一部または全部を、前記原版
ステージにより移動しない部分に設けたことを特徴とす
る投影露光装置。An illumination optical system for illuminating an original with illumination light from a light source, a projection optical system for projecting a pattern of the original onto a substrate, and a first optical system for holding the original for scanning the original. An original stage that moves in the direction of, a substrate stage that holds the substrate for scanning the substrate and moves in a second direction corresponding to the first direction, and is provided on the original stage; A reference mark serving as a reference for positioning the original; a microscope for observing the positioning mark and the reference mark on the original for positioning the original; and a positioning mark and a reference for the observation. In a step-and-scan projection exposure apparatus having a mark illuminating means for illuminating a mark, a part or all of the mark illuminating means is moved by the original stage. A projection exposure apparatus, wherein the projection exposure apparatus is provided in a portion not provided. 【請求項２】 前記マーク照明手段は前記原版ステージ
の下方より前記位置決め用マークおよび基準マークを同
時に照明するものであり、前記顕微鏡は前記原版の上方
より前記位置決め用マークおよび基準マークを同時に観
察するものであることを特徴とする請求項１に記載の投
影露光装置。2. The mark illuminating means simultaneously illuminates the positioning mark and the reference mark from below the original stage, and the microscope simultaneously observes the positioning mark and the reference mark from above the original. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein 【請求項３】 前記原版ステージは、前記第１の方向の
走査のために移動する走査用ステージと、その上に設け
られ、前記原版を位置決めするために前記原版を保持し
て微動する微動ステージとを有し、前記基準マークは前
記走査用ステージの上に固定されていることを特徴とす
る請求項１または２に記載の投影露光装置。3. The original stage is a scanning stage that moves for scanning in the first direction, and a fine movement stage that is provided thereon and that finely moves the original while holding the original to position the original. 3. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the reference mark is fixed on the scanning stage. 4. 【請求項４】 光源からの照明光で原版を照明する照明
光学系と、前記原版のパターンを基板上に投影する投影
光学系と、前記原版の走査のために前記原版を保持して
第１の方向に移動する原版ステージと、前記基板の走査
のために前記基板を保持して前記第１の方向に対応する
第２の方向に移動する基板ステージと、前記基板ステー
ジ上に設けられ、前記原版を位置決めするための基準と
なる基準マークと、前記原版を位置決めするために前記
原版上の位置決め用マークと前記基準マークを観察する
ための顕微鏡と、前記観察のために前記位置決め用マー
クおよび基準マークを照明するマーク照明手段とを備え
たステップアンドスキャン方式の投影露光装置におい
て、前記マーク照明手段の一部を、前記基板ステージに
より移動しない部分に設けたことを特徴とする投影露光
装置。4. An illumination optical system for illuminating an original with illumination light from a light source, a projection optical system for projecting a pattern of the original onto a substrate, and a first optical system for holding the original for scanning the original. An original stage that moves in the direction of, a substrate stage that holds the substrate for scanning the substrate and moves in a second direction corresponding to the first direction, and is provided on the substrate stage, A reference mark serving as a reference for positioning the original; a microscope for observing the positioning mark and the reference mark on the original for positioning the original; and a positioning mark and a reference for the observation. And a mark illuminating means for illuminating a mark, wherein a part of the mark illuminating means is moved to a part which is not moved by the substrate stage. A projection exposure apparatus, comprising: 【請求項５】 前記マーク照明手段はその前記一部以外
の部分が前記基板ステージ内に設けられ、前記基準マー
クを下方より照明すると同時に、さらに前記投影光学系
を介して前記位置決め用マークを照明するものであり、
前記顕微鏡は前記原版の上方より前記位置決め用マーク
を観察すると同時に前記投影光学系を介して前記基準マ
ークを観察するものであることを特徴とする請求項４に
記載の投影露光装置。5. The mark illuminating means includes a part other than the part provided in the substrate stage and illuminates the reference mark from below, and further illuminates the positioning mark via the projection optical system. To do
The projection exposure apparatus according to claim 4, wherein the microscope observes the positioning mark from above the original and simultaneously observes the reference mark via the projection optical system. 【請求項６】 前記原版ステージは、前記第１の方向の
走査のために移動する走査用ステージと、その上に設け
られ、前記原版を位置決めするために前記原版を保持し
て微動する微動ステージとを有することを特徴とする請
求項４または５に記載の投影露光装置。6. The original stage is a scanning stage that moves for scanning in the first direction, and a fine movement stage that is provided on the scanning stage and holds and finely moves the original to position the original. The projection exposure apparatus according to claim 4, comprising: 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかの投影露光装置
を用い、そのマーク照明手段および顕微鏡を用いて原版
の位置決めを行い、原版のパターンを基板上に露光する
ことを特徴とするデバイス製造方法。7. A device using the projection exposure apparatus according to claim 1, positioning an original using a mark illuminating means and a microscope, and exposing a pattern of the original onto a substrate. Production method.
JP21898797A 1997-07-31 1997-07-31 Projection exposure apparatus and device manufacturing method Expired - Fee Related JP3517560B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21898797A JP3517560B2 (en) 1997-07-31 1997-07-31 Projection exposure apparatus and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21898797A JP3517560B2 (en) 1997-07-31 1997-07-31 Projection exposure apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1154416A true JPH1154416A (en) 1999-02-26
JP3517560B2 JP3517560B2 (en) 2004-04-12

Family

ID=16728502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21898797A Expired - Fee Related JP3517560B2 (en) 1997-07-31 1997-07-31 Projection exposure apparatus and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3517560B2 (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001082345A1 (en) * 2000-04-25 2001-11-01 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for illuminating a semiconductor processing system
US6632283B1 (en) 2000-04-25 2003-10-14 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for illuminating a semiconductor processing system
JP2004142082A (en) * 2002-10-28 2004-05-20 Sumitomo Heavy Ind Ltd Method and device for working plan

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001082345A1 (en) * 2000-04-25 2001-11-01 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for illuminating a semiconductor processing system
US6572252B1 (en) 2000-04-25 2003-06-03 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for illuminating a semiconductor processing system
US6632283B1 (en) 2000-04-25 2003-10-14 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for illuminating a semiconductor processing system
JP2004142082A (en) * 2002-10-28 2004-05-20 Sumitomo Heavy Ind Ltd Method and device for working plan

Also Published As

Publication number Publication date
JP3517560B2 (en) 2004-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5751404A (en) Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates
JP2000012453A (en) Aligner and its using method, exposure method, and manufacturing method of mask
KR100222195B1 (en) Exposure apparatus and manufacturing method for devices using same
US6714691B2 (en) Exposure method and apparatus, and device manufacturing method using the same
JP2006005197A (en) Aligner
JPH0917718A (en) Aligner and device, and manufacturing method using it
JP3352325B2 (en) Scanning exposure apparatus and device manufacturing method using the same
JP3517560B2 (en) Projection exposure apparatus and device manufacturing method
JP5644416B2 (en) Optical unit, optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2003156322A (en) Method and apparatus for position measurement, positioning method, aligner as well as method of manufacturing microdevice
JP3441930B2 (en) Scanning exposure apparatus and device manufacturing method
EP0737898B1 (en) Projection exposure apparatus and microdevice manufacturing method using the same
JPH07297117A (en) Projection aligner and fabrication of semiconductor device using the same
JP3658091B2 (en) Scanning exposure method and device manufacturing method using the method
US6256085B1 (en) Exposure apparatus
JP2005175383A (en) Aligner, method of alignment and device manufacturing method
JPH11233424A (en) Projection optical device, aberration measuring method, projection method, and manufacture of device
JP3459753B2 (en) Exposure equipment
JP3584121B2 (en) Scanning projection exposure equipment
US6307616B1 (en) Exposure apparatus and substrate handling system therefor
JPH11329954A (en) Scanning type aligner and manufacture of device
JP2001118768A (en) Method for aligning mask and aligner
JP2000182936A (en) Exposure apparatus and manufacture of device
JP2002139847A (en) Aligner, exposing method and device manufacturing method
JP3483403B2 (en) Exposure equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040114

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040126

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090130

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090130

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100130

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110130

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120130

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130130

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140130

Year of fee payment: 10

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees