JPH1154415A - 荷電ビーム露光方法及び荷電ビーム露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステージの加速やアライメントマーク検出に
必要な時間を短縮し、スループットを向上させることの
できる荷電ビーム露光方法を提供する。 【解決手段】 本露光方法では、被露光面上のストライ
プ６２に沿って、一連の部分的パターンの投影像を次々
と結像させて繋ぎ合わせることにより全体のチップパタ
ーン６１を転写する。ストライプ６２の走査開始点を、
ストライプの端部が像の偏向範囲に入った時にほぼ露光
時の走査速度となるように定める。また、スクライブラ
イン６８にアライメントマーク６９を設置し、マーク６
９が荷電ビームの投影光学系の光軸直下にくるよりも前
の時点から荷電ビームを偏向させることによりアライメ
ントマークを検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、転写光学系の視野
分割を伴うリソグラフィに関する。特には、ステージの
加速やアライメントマーク検出に必要な時間を短縮して
スループットを向上させることのできる荷電ビーム露光
方法及び荷電ビーム露光装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子線を用いる転写露光を例として従来
技術を説明する。電子線露光は高精度ではあるがスルー
プットが低いのが欠点とされており、その欠点を解消す
べく様々な技術開発がなされてきた。現在では、セルプ
ロジェクション、キャラクタープロジェクションあるい
はブロック露光と呼ばれる図形部分一括露光方式が実用
化されている。図形部分一括露光方式では、繰り返し性
のある回路小パターン（ウエハ上で１０μm 角程度）
を、同様の小パターンが複数種類形成されたマスクを用
いて、１個の小パターンを一単位として繰り返し転写露
光を行う。しかし、この図形部分一括露光方式でも、本
格的な半導体集積回路装置（ＤＲＡＭ等）の実生産にお
けるウエハ露光に応用するにはスループットが１桁程度
低い。

【０００３】一方、図形部分一括露光方式よりも飛躍的
に高スループットをねらう電子線転写露光方式として、
一個の半導体チップ全体の回路パターンを備えたマスク
に電子線を照射し、その照射範囲のパターンの像を投影
レンズにより縮小転写する電子線縮小転写装置が提案さ
れている（例えば特開平５−１６００１２号参照）。こ
の種の装置では、マスクの全範囲に一括して電子線を照
射して一度にパターンを転写しようとすると、精度良く
パターンを転写することができない。また、原版となる
マスクの製作が困難である。そこで、最近精力的に検討
されている方式は、１ダイ（ウエハ上のチップ）又は複
数ダイを一度に露光するのではなく、大きな光学フィー
ルドを持つが、小さな領域に分割して転写露光するとい
う方式である（ここでは分割転写方式と呼ぶこととす
る）。この際この小領域毎に、被露光面上に結像される
前記小領域の像の焦点やフィールドの歪み等の収差等を
補正しながら露光する。これにより、ダイ全体の一括転
写に比べて光学的に広い領域にわたって解像、精度の良
い露光を行うことができる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前記の分割転写方式で
は、一枚のウエハの露光に先立って、そのウエハ全体の
アライメントマークを検出しウェハの位置合わせを行
う。しかし、その後露光までに、ウエハやステージ部材
の熱膨張、荷電ビームの鏡筒内やウエハ上へのチャージ
アップなどにより、微少の露光位置ずれが生じる。高精
度の露光を実現するためには、各ダイあるいはストライ
プ（小領域の列）の露光の度に、このずれを補正する必
要がある。しかも補正によってスループットの低下を招
くようであってはならないので、高スループットの求め
られる露光装置では、アライメントマーク検出のために
よけいな時間は配分できない。

【０００５】しかしながら、このような要請に応える技
術は未だに提案されていない。本発明は、このような問
題点に鑑みてなされたもので、転写光学系の視野分割を
伴うリソグラフィにおいて、ステージの加速やアライメ
ントマーク検出に必要な時間を短縮して露光時間の率を
高め、スループットを向上させることのできる荷電ビー
ム露光方法及び荷電ビーム露光装置を提供することを目
的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の荷電ビーム露光方法は、 被露光面上に想
定されるストライプに沿って、一連の部分的パターンの
投影像を次々と結像させて繋ぎ合わせることにより全体
パターンを被露光面上に転写する、荷電ビームを用いた
露光方法であって； ストライプに沿う被露光面の走査
と、同じくストライプに沿う偏向による像の順次投影と
を行い、 ストライプの露光開始部位の手前にアライメ
ントマークを設置し、 該ストライプの走査開始点を、
想定される走査加速度の元で、該ストライプの端部のパ
ターン又は前記アライメントマークが偏向を含めた光学
的視野の範囲に入った時にほぼ露光時の走査速度となる
ように定めるとともに、 前記アライメントマークが荷
電ビームの投影光学系の光軸直下にくるよりも前の時点
から荷電ビームを偏向させることによりアライメントマ
ーク上を走査してマーク位置を検出し、該マーク位置に
基づいて露光位置を補正することを特徴とする。

【０００７】また、本発明の荷電ビーム露光装置は、
被露光面上に想定されるストライプに沿って、一連の部
分的パターンの投影像を次々と結像させて繋ぎ合わせる
ことにより全体パターンを被露光面上に転写する、荷電
ビームを用いた露光装置であって； ストライプに沿う
被露光面の走査を行う手段と、同じくストライプに沿う
偏向による像の順次投影を行う手段と、を備え、 スト
ライプの露光開始部位の手前にはアライメントマークが
設置されており、 該ストライプの走査開始点を、想定
される走査加速度の元で、該ストライプの端部のパター
ン又は前記アライメントマークが偏向を含めた光学的視
野の範囲に入った時にほぼ露光時の走査速度となるよう
に定める走査制御部を有するとともに、 前記アライメ
ントマークが荷電ビームの投影光学系の光軸直下にくる
よりも前の時点から荷電ビームを偏向させることにより
アライメントマーク上を走査してマーク位置を検出する
手段と、該マーク位置に基づいて露光位置を補正する手
段と、を有することを特徴とする。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明の１態様の荷電ビーム露光
方法は、 転写の対象となるパターンを複数の小領域に
分割し、分割したパターンをマスク上に形成し、各小領
域を一単位として荷電ビームで順次照明し、マスクを通
過したビームを投影光学系を通して被露光面上に結像さ
せ、被露光面上では各小領域の像をつなげて配列するこ
とにより前記パターンを被露光面上に転写露光する荷電
ビーム露光方法であって； 該分割転写は、 各ストラ
イプ内で偏向を含めた光学的視野内において各小領域を
順次転写する際には、照明ビーム及び／又はマスクを通
過したビームを偏向させることにより順次位置決めする
手段を用い、 ストライプ内で光学的視野以上の範囲に
転写を進める際には、前記マスク及び／又は被露光材料
を機械的に走査する手段を用いるものであり； 該スト
ライプの長手方向にも照明光及び／又は透過パターンビ
ームを偏向する手段を備え、 前記被露光面のストライ
プの外側のダイ間スクライブライン等にアライメントマ
ークを設置し、 該ストライプの機械的走査の開始点
を、想定される走査加速度の元で、該ストライプの端部
のパターン又はアライメントマークが前記照明光学系及
び投影光学系の偏向を含めた像転写の光学的視野の範囲
に入った時にほぼ露光時走査速度となるように定めると
ともに、 前記アライメントマークが前記投影光学系の
光軸直下にくるよりも前の時点から、荷電ビームを偏向
させてアライメントマーク上を走査することにより該マ
ークの位置を検出し、該マーク位置に基づいて露光位置
を補正することを特徴とする。

【０００９】ストライプの露光はステージ等の機械的走
査手段を連続的に移動しながら行う。ストライプの露光
始点より少し手前からステージを加速し始め、ストライ
プの露光始点又はアライメントマークの位置で露光時の
定速度に到達するようにするとスループット上むだがな
い。ストライプの露光始点手前のスクライブライン部に
アライメントマークを設置する。そしてこのマークが偏
向を含めた光学的視野内に入った時からマーク上の走査
を開始する。このようにするとスループット上ほとんど
むだがない。

【００１０】また、マーク検出信号をメモリに蓄え、そ
のマーク中心位置を演算処理により求める際、蓄積した
信号の走査範囲を複数に分割し、演算処理を各々別個の
演算器で並列に処理することも好ましい。記憶した走査
信号を走査範囲で分割して演算処理することにより高速
演算処理が可能となる。

【００１１】また、アライメントマークを複数設け、各
マーク検出信号を同一のメモリに積算することも好まし
い。複数のマークを走査することによりばらつきを回避
して高精度となる。

【００１２】以下、図面を参照しつつ説明する。図１
は、本発明の１実施例に係る荷電ビーム露光方法で転写
する半導体デバイスの、ウエハ上におけるダイパターン
の分割を示す平面図である。図１の上下方向をＹ方向、
左右方向をＸ方向とする。図中、中央部に一つのダイパ
ターン６１が示されており、その上下に他のダイパター
ン６１′及び６１″が示されている。各ダイパターンの
間は、幅０．１mm程度のスクライブライン６８、６８′
が設けられている。

【００１３】この場合、ダイパターン６１の全体のサイ
ズは、横２５mm×縦３６mmである。ここで、ダイパター
ン６１は多数の小領域６４に分割されている。１度のス
テージ連続走査で露光される範囲をストライプ６２と呼
ぶ。このストライプの中には、０．２５mm角の小領域６
４がＸ方向に２０個配列されている。Ｙ方向には１４４
段の小領域が並んでおり、このダイパターンでは、図示
されてはいないが、Ｘ方向に５本のストライプ６２が並
んでいる。つまり、小領域６４は、ダイパターン６１内
で、Ｙ方向には１４４個、Ｘ方向には２０×５＝１００
個配列されている。一方、このダイパターン６１のマザ
ーパターンであるマスク上のパターン（図示されず）に
おける小領域のサイズは、縮小率１／４倍とすると、１
mm×１mmである。さらに、マスク上における各小領域６
４の周囲には０．１mm幅（合わせて０．２mm幅）の非パ
ターン領域が額縁状に設けられている。したがってマス
ク上における１ダイパターンのサイズは、Ｘ方向幅１．
２×１００＝１２０mm、Ｙ方向高さ１．２×１４４＝１
７３mmである。

【００１４】図１のダイパターン６１を転写する際に
は、偏向を含む光学的視野内で照明電子線を主にＸ方向
に偏向させながら照明光をマスク上のある小領域に向け
て照射する。また、小領域を透過したパターンビーム
を、その小領域が投影されるべきウエハ上の位置へ導き
結像させる。すなわち、小領域の変更（走査）は偏向器
で行う。このような偏向を行う偏向器は、通常電磁偏向
器である。一方光学的視野以上の範囲の小領域の変更
は、マスク（マスクステージ）及びウエハ（ウエハステ
ージ）を同期させてＹ方向に連続的に移動させることに
より行う。なお、投影光学系で像が反転するのでステー
ジの移動方向は逆となる。したがって、一つの光学的視
野内を投影している間にも、マスク上の各小領域はＹ方
向に移動するとともに、当該小領域の投影されるべきウ
エハ上の位置もＹ方向に移動する。このようなＹ方向の
移動に対しても、照明ビーム及び投影ビームを偏向させ
て追随させる。ストライプ６２を変更する際は、露光を
一時停止してマスクステージ及びウエハステージをＸ方
向に送る。

【００１５】図２は、本発明の１実施例に係る荷電ビー
ム露光装置の光学系全体における結像関係を示す図であ
る。電子銃１は、下方に向けて電子線を放射する。電子
銃１の下方には２段のコンデンサレンズ３、５が備えら
れており、電子線は、これらのコンデンサレンズ３、５
を通ってブランキング開口７にクロスオーバーを結像す
る。

【００１６】コンデンサレンズ５の下には、矩形開口６
が備えられている。この矩形開口（副視野制限開口）６
は、一つの副視野に相当する領域分の電子線照明光のみ
を通過させる。具体的には、開口６は、照明光をマスク
サイズ換算で１mm角強の寸法の正方形に成形する。この
開口６の像は、レンズ９によってマスク１０に結像され
る。

【００１７】開口６の下方には、クロスオーバの形成さ
れている位置に、上述のブランキング開口７が設置され
ている。その下に小領域選択偏向器８が配置されてい
る。この小領域選択偏向器は、主に照明光を図１のＸ方
向に順次走査して、マスク上の偏向を含む光学的視野内
の全ての小領域の照明を行う。小領域選択偏向器８の下
方には、コンデンサレンズ９が配置されている。コンデ
ンサレンズ９は、電子線を平行ビーム化し、マスク１０
に当て、マスク１０上に開口６を結像させる。

【００１８】マスク１０は、図２では、光軸上の１小領
域のみが示されているが、実際には光軸垂直方向（Ｘ−
Ｙ方向）に広がっており、図１で説明したとおり多くの
小領域を有する。一つの偏向を含む光学的視野内で各小
領域を照明露光する際は、上述のとおり、小領域選択偏
向器８で電子線を偏向させる。また、マスク１０は、Ｘ
Ｙ方向に移動可能なマスクステージ１１上に載置されて
いる。そして、被露光材料であるウエハ１４もＸＹ方向
に移動可能なウエハステージ１５上に載置されている。
これらのマスクステージ１１とウエハステージ１５と
を、互いに逆のＹ方向に走査することにより、図１のダ
イパターン６１内のストライプ６２内の各小領域を連続
的に露光する。さらに、両ステージ１１と１５をＸ方向
に間欠的に走査することにより、各ストライプ６２の露
光を行う。なお、両ステージ１１、１５には、レーザ干
渉計を用いた正確な位置測定システムが装備されてお
り、また別途のアライメント手段及び各偏向器の調整に
より、ウエハ１４上で各小領域は正確に繋ぎ合わされ
る。

【００１９】マスク１０の下方には投影レンズ１２及び
１３（対物レンズ）及び偏向器３１が設けられている。
そして、マスク１０の一つの小領域が電子線照射され、
マスク１０でパターン化された電子線は、投影レンズ１
２、１３によって縮小されるとともに偏向されウエハ１
４上の所定の位置に結像される。ウエハ１４上には、適
当なレジストが塗布されており、レジストに電子線のド
ーズが与えられてマスク像の縮小パターンがウエハ１４
上に転写される。ウエハ１４は、前述のように、光軸直
角方向に移動可能なウエハステージ１５上に載置されて
いる。なお、ウェハ４の上の符号３３は、後述する電子
線検出器である。

【００２０】次に、再び図１を参照しつつストライプ走
査の速度制御及びアライメントについて説明する。ダイ
パターン６１の露光時には、前述のとおり、各ストライ
プのＸ方向２０個の小領域６４への露光ビームの走査は
電子線の電磁偏向により行い、ストライプ６２内におけ
るＹ方向の走査はマスクステージ及びウエハステージの
機械的移動により行う。すなわち、いわゆるステップア
ンドリピート露光方式ではなくスキャニング露光方式で
ある。

【００２１】ここで、図１の左端のストライプ６２の上
部から、太い矢印のように、露光を始めるとする。露光
中においては、ステージの速度はほぼ定速（露光時ステ
ージ送り速度）である。したがって、ストライプ６２の
上端のパターン又はアライメントマークが光学系の露光
開始可能点に入った時に、ステージの速度が前記定速に
なっているように、ステージの加速開始点をストライプ
の手前（上）に設定する。またステージの加速度は、ス
テージの高精度位置速度制御が可能な最大加速度であ
る。このようにすれば、ストライプの露光開始時におけ
る無駄時間をなくすることができ、スループットの低下
がない。

【００２２】次に、露光時のアライメントについて説明
する。まず、ウエハ全体については、露光に先立って、
エンハンストグローバルアライメント（ＥＧＡ）と呼ば
れる手法（特開昭６１−４４４２９号、特開昭６２−２
９１１３３号、特開平３−１５３０１５号参照）でアラ
イメントを行う。ＥＧＡは、ウエハ内に分散された任意
の数ダイのマーク位置を測定し、その測定結果を最小２
乗法等の統計処置を行い、ウエハ全体の位置を高精度に
定める手法である。

【００２３】しかし、一枚のウエハの露光に先立ってウ
エハ全体のアライメントマークを検出しただけでは、そ
の後の露光までのウエハやステージ部材の熱膨張、荷電
ビームの鏡筒内やウエハ上へのチャージアップなどによ
り、微少の露光位置ずれが生じる。高精度の露光を実現
するためには、各ダイあるいはストライプの露光の度
に、このずれを露光の度に補正する必要がある。しかも
補正によりスループットの低下を招くようであってはな
らないので、アライメントマーク検出のためによけいな
時間は配分できない。

【００２４】そこで、各ストライプ（又はダイパター
ン）の露光開始点の前のスクライブライン上に個別にア
ライメントマークを配置しておき、このアライメントマ
ークの位置をストライプの露光前に測定して、ストライ
プの個別の位置ずれを補正した上で露光を行う。図１に
おいては、ストライプ６２上のスクライブライン６８
に、３点のアライメントマーク６９が示されている。こ
れらのアライメントマーク６９の位置を、上述のステー
ジ加速時間中又は定速移動中に読み取って演算処理し、
ストライプ６２の露光開始時点においては位置補正を完
了するようにしておくことが本発明の特徴の一つであ
る。

【００２５】そのために、まず、前記アライメントマー
クが投影光学系の光軸直下にくるよりも前の時点から荷
電ビームを偏向させアライメントマーク上を走査してマ
ーク位置を検出し、該マーク位置に基づいて露光位置を
補正する。このときの荷電ビームの偏向量は収差の規格
値以内とする。荷電ビームの走査は、図２の投影レンズ
内又はその近辺の露光偏向用偏向器３１を共用するか、
マークスキャン用の偏向器（図２の符号３１′、図では
静電偏向器）を設置して行う。また、マスクにはマーク
スキャン用のパターンを設けておく。なお、マークから
反射される電子線の検出は、ウエハ１４の側方に配置し
た電子線検出器（図２の符号３３）により行う。

【００２６】ここで、アライメントマークの位置検出を
きわめて短時間（６００μs 程度）に行わなければなら
ない。そのためマーク検出信号をメモリに蓄え、そのマ
ーク中心位置を演算処理により求める際、蓄積した信号
の走査範囲を複数に分割し、演算処理を各々別個の演算
器で並列に処理する。

【００２７】図３は、本実施例の露光方法におけるアラ
イメントマーク位置の検出方法を説明するための模式的
な図である。アライメントマークスキャン用偏向器３１
で電子線３２をスキャンさせ、ウエハ１４上のアライメ
ントマーク６９に電子線３２を投射する。アライメント
マーク６９は、エッチング溝（例えば幅１μm 、深さ
０．５μm ）であり、半導体デバイスの前工程でウエハ
１４上に作り込まれている。アライメントマーク６９に
当って反射した電子線の一部は、電子線検出器３３に取
り込まれる。メモリ３５は偏向器３１の偏向信号をアド
レスとして電子線検出器３３の捕捉電子線信号が積算蓄
積される。そして、複数の演算器３７、３７′によって
並列処理により算出する。得られたマークの位置情報
は、露光制御装置３９に与えられて、露光位置の補正を
してストライプの露光位置調整を行う。

【００２８】前記演算器３７、３７′においては、自己
相関演算処理によってマーク位置を画像処理して求める
ことも好ましい。その具体的手法としては、一例とし
て、JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS VOL. 29, N
o.11, NOVEMBER, 1990, pp.2596-2599に記載されている
手法を採用できる。自己相関演算処理によって、ノイズ
に強く、波形の形に答が左右されないという利点が得ら
れる。

【００２９】マーク検出は当然Ｘ、Ｙ方向のマークにつ
いて行われる。また、Ｘ、Ｙのそれぞれについて往走査
と復走査が行われる。往と復により得られたマーク位置
は平均される。この平均処理により検出系の遅れが相殺
される。

【００３０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ストライプの露光始点より少し手前からステ
ージを加速し始め、ストライプの露光始点又はそれより
も少し手前に設けられたマーク位置で定速度に到達する
するようにウエハやマスクを走査するので、スループッ
ト上むだがない。また、ストライプの露光始点手前にア
ライメントマークを設置し、このマークが偏向範囲内に
入った時からマーク上の走査を開始するので、アライメ
ントマーク検出の時間も短くスループット上のむだがな
い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の１実施例に係る荷電ビーム露光方法で
転写する半導体デバイスの、ウエハ上におけるダイパタ
ーンの視野分割を示す平面図である。

【図２】本発明の１実施例に係る荷電ビーム露光装置の
光学系全体における結像関係を示す図である。

【図３】本実施例の露光方法におけるアライメントマー
ク位置検出方法を説明するための模式的な図である。

【符号の説明】

１ 電子銃 ３、５ コンデン
サレンズ ６、７ 矩形開口 ８ 偏向器 １０ マスク １１ マスクステ
ージ １２、１３ 投影レンズ １４ ウエハ １５ ウエハステージ ３１ 偏向器 ３２ 電子線 ３３ 電子線検出
器 ３５ メモリ ３７、３７′ 演
算器 ３９ 露光制御装置 ６１ ダイパターン ６２ ストライプ ６４ 小領域 ６８ スクライブライン ６９ アライメン
トマーク

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被露光面上に想定されるストライプに沿
   って、一連の部分的パターンの投影像を次々と結像させ
   て繋ぎ合わせることにより全体パターンを被露光面上に
   転写する、荷電ビームを用いた露光方法であって；スト
   ライプに沿う被露光面の走査と、同じくストライプに沿
   う偏向による像の順次投影を行い、 ストライプの露光開始部位の手前にアライメントマーク
   を設置し、 該ストライプの走査開始点を、想定される走査加速度の
   元で、該ストライプの端部のパターン又は前記アライメ
   ントマークが、偏向を含めた像転写の光学的視野の範囲
   に入った時にほぼ露光時の走査速度となるように定める
   とともに、 前記アライメントマークが荷電ビームの投影光学系の光
   軸直下にくるよりも前の時点から荷電ビームを偏向させ
   ることによりアライメントマーク上を走査してマーク位
   置を検出し、該マーク位置に基づいて露光位置を補正す
   ることを特徴とする荷電ビーム露光方法。
2. 【請求項２】 転写の対象となるパターンを複数の小領
   域に分割し、分割したパターンをマスク上に形成し、各
   小領域を一単位として荷電ビームで順次照明し、マスク
   を通過したビームを投影光学系を通して被露光面上に結
   像させ、被露光面上では各小領域の像をつなげて配列す
   ることにより前記パターンを被露光面上に転写露光する
   荷電ビーム露光方法であって；該分割転写は、 偏向を含めた像転写の光学的視野（以下光学的視野と呼
   ぶ）内において各小領域を順次転写する際には、照明ビ
   ーム及び／又はマスクを通過したビームを偏向させるこ
   とにより転写像を位置決めする手段を用い、 ストライプ内で光学的視野以上の範囲に転写を進める際
   には、前記マスク及び／又は被露光材料を機械的に走査
   する手段を用いるものであり；該ストライプの長手方向
   にも照明光及び／又は透過パターンビームを偏向する手
   段を備え、 前記被露光面のストライプの外側のダイ間スクライブラ
   イン等にアライメントマークを設置し、 該ストライプの機械的走査の開始点を、想定される走査
   加速度の元で、該ストライプの端部のパターン又はアラ
   イメントマークが前記照明光学系及び投影光学系の偏向
   を含めた光学的視野の範囲に入った時にほぼ露光時走査
   速度となるように定めるとともに、 前記アライメントマークが前記投影光学系の光軸直下に
   くるよりも前の時点から、荷電ビームを偏向させてアラ
   イメントマーク上を走査することにより該マークの位置
   を検出し、該マーク位置に基づいて露光位置を補正する
   ことを特徴とする荷電ビーム露光方法。
3. 【請求項３】 被露光面上に想定されるストライプに沿
   って、一連の部分的パターンの投影像を次々と結像させ
   て繋ぎ合わせることにより全体パターンを被露光面上に
   転写する、荷電ビームを用いた露光装置であって；スト
   ライプに沿う被露光面の走査を行う手段と、同じくスト
   ライプに沿う偏向による像の順次投影を行う手段と、を
   備え、 ストライプの露光開始部位の手前にはアライメントマー
   クが設置されており、該ストライプの走査開始点を、想
   定される走査加速度の元で、該ストライプの端部のパタ
   ーン又は前記アライメントマークが偏向を含めた像転写
   の光学的視野の範囲に入った時にほぼ露光時の走査速度
   となるように定める走査制御部を有するとともに、 前記アライメントマークが荷電ビームの投影光学系の光
   軸直下にくるよりも前の時点から荷電ビームを偏向させ
   ることによりアライメントマーク上を走査してマーク位
   置を検出する手段と、該マーク位置に基づいて露光位置
   を補正する手段と、を有することを特徴とする荷電ビー
   ム露光装置。
4. 【請求項４】 前記マーク検出手段の信号を蓄えるメモ
   リと、 このメモリに蓄積された信号を演算処理して前記アライ
   メントマークの中心位置を求める複数の演算器と、をさ
   らに備え、 蓄積した信号の走査範囲を複数に分割し、演算処理を各
   々別個の演算器で並列に処理したことを特徴とする請求
   項３記載の荷電ビーム露光装置。
5. 【請求項５】 前記演算処理が自己相関演算処理である
   ことを特徴とする請求項４記載の荷電ビーム露光装置。
6. 【請求項６】 前記アライメントマークが複数設けられ
   ており、各マーク検出信号を同一のメモリに積算したこ
   とを特徴とする請求項４記載の荷電ビーム露光装置。