JPH1150230A - Ｉｔｏ膜の製造方法、及び、電極基板とその製造方法 - Google Patents
Ｉｔｏ膜の製造方法、及び、電極基板とその製造方法Info
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- JPH1150230A JPH1150230A JP20764397A JP20764397A JPH1150230A JP H1150230 A JPH1150230 A JP H1150230A JP 20764397 A JP20764397 A JP 20764397A JP 20764397 A JP20764397 A JP 20764397A JP H1150230 A JPH1150230 A JP H1150230A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 透明基板上に樹脂製のカラーフィルタと有機
保護膜を形成した上に、２００℃までの低温で低抵抗な
ＩＴＯ膜を形成する。 【解決手段】 ＩＴＯ膜を形成する前に、被成膜基板の
表面をプラズマエッチング処理する。
保護膜を形成した上に、２００℃までの低温で低抵抗な
ＩＴＯ膜を形成する。 【解決手段】 ＩＴＯ膜を形成する前に、被成膜基板の
表面をプラズマエッチング処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カラーテレビ、パ
ーソナルコンピュータ、パチンコ遊戯台等に使用されて
いるカラー液晶ディスプレイに好適に使用されるカラー
フィルタを有する電極基板及びその製造方法に関する。
ーソナルコンピュータ、パチンコ遊戯台等に使用されて
いるカラー液晶ディスプレイに好適に使用されるカラー
フィルタを有する電極基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータの発達、
特に携帯用パーソナルコンピュータの発達に伴い、液晶
ディスプレイ、とりわけカラー液晶ディスプレイの需要
が増加する傾向にある。
特に携帯用パーソナルコンピュータの発達に伴い、液晶
ディスプレイ、とりわけカラー液晶ディスプレイの需要
が増加する傾向にある。
【０００３】液晶パネルには、画素電極として透明導電
膜が用いられている。透明導電膜としては一般にＩｎ2
Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 （ＩＴＯ）、Ｆ又はＳｂを
ドープしたＳｎＯ3 、Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ等をドープした
ＺｎＯ、ＣｄＩｎＯ4 、ＣｄＳｎＯ4 等がある。このう
ちフラットディスプレイに用いられるものとしては、一
般にＩＴＯである。
膜が用いられている。透明導電膜としては一般にＩｎ2
Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 （ＩＴＯ）、Ｆ又はＳｂを
ドープしたＳｎＯ3 、Ｉｎ、Ａｌ、Ｓｉ等をドープした
ＺｎＯ、ＣｄＩｎＯ4 、ＣｄＳｎＯ4 等がある。このう
ちフラットディスプレイに用いられるものとしては、一
般にＩＴＯである。
【０００４】透明電極として使用されるＩＴＯ膜には、
各種の特性が要求されるが、最近の画面の大面積化、高
密度化に伴い、ＩＴＯ膜が液晶を駆動するための電極と
して使用される場合には低抵抗であることが最も重要な
要件となっている。
各種の特性が要求されるが、最近の画面の大面積化、高
密度化に伴い、ＩＴＯ膜が液晶を駆動するための電極と
して使用される場合には低抵抗であることが最も重要な
要件となっている。
【０００５】数百本という多数の線状のパターンのＩＴ
Ｏ膜からなる透明電極を有するＳＴＮ方式によるカラー
液晶表示装置の場合には、ＩＴＯ膜には特に低い電気抵
抗を有することが求められるが、最近のパーソナルコン
ピュータなどのカラー液晶表示装置において主流となっ
ているＴＦＴ方式の液晶表示装置で画面が２００ｍｍ×
３００ｍｍ程度の大きなものにおいては、画面の周辺部
と中心部との間に電位差を生じるために、抵抗を２０Ω
／□以下にすることが要求されている。
Ｏ膜からなる透明電極を有するＳＴＮ方式によるカラー
液晶表示装置の場合には、ＩＴＯ膜には特に低い電気抵
抗を有することが求められるが、最近のパーソナルコン
ピュータなどのカラー液晶表示装置において主流となっ
ているＴＦＴ方式の液晶表示装置で画面が２００ｍｍ×
３００ｍｍ程度の大きなものにおいては、画面の周辺部
と中心部との間に電位差を生じるために、抵抗を２０Ω
／□以下にすることが要求されている。
【０００６】一方、スパッタリング等の薄膜形成方法で
製造されたＩＴＯ膜の特性は、その成膜条件によって異
なることが知られている。スパッタリングによって析出
するＩＴＯ膜は基板の温度によって析出物の結晶形態が
異なっており、低抵抗膜を得るためには析出面を３００
℃〜３５０℃に加熱する必要がある。
製造されたＩＴＯ膜の特性は、その成膜条件によって異
なることが知られている。スパッタリングによって析出
するＩＴＯ膜は基板の温度によって析出物の結晶形態が
異なっており、低抵抗膜を得るためには析出面を３００
℃〜３５０℃に加熱する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガラス
基板のような耐熱性を有する基材の表面に直接ＩＴＯ膜
を成膜する場合には上記温度にまで基板を加熱すること
に何ら問題はないが、カラーフィルタを形成した基板に
ＩＴＯ膜を成膜する場合には、カラーフィルタとその上
に通常形成される保護膜が一般に有機物であるために、
２５０℃程度の温度が限界であって、上記した３００〜
３５０℃といった高温にまで加熱することは不可能であ
る。
基板のような耐熱性を有する基材の表面に直接ＩＴＯ膜
を成膜する場合には上記温度にまで基板を加熱すること
に何ら問題はないが、カラーフィルタを形成した基板に
ＩＴＯ膜を成膜する場合には、カラーフィルタとその上
に通常形成される保護膜が一般に有機物であるために、
２５０℃程度の温度が限界であって、上記した３００〜
３５０℃といった高温にまで加熱することは不可能であ
る。
【０００８】そこで、ＩＴＯ膜を厚くすることで実質的
な電気抵抗を小さくする手段が考慮されるが、従来の方
法で得られるＩＴＯ膜は内部応力が大きいため、カラー
フィルタや保護膜上に０．２μｍ厚以上のＩＴＯ膜を形
成すると、カラーフィルタや保護膜にクラックが発生し
たり、細かいしわが発生してＩＴＯ膜が断線することが
あり、また、光の透過率が低下するので、ＩＴＯ膜の膜
厚は０．２μｍ未満とする必要があり、膜厚を厚くする
ことによる低抵抗化には限界があった。
な電気抵抗を小さくする手段が考慮されるが、従来の方
法で得られるＩＴＯ膜は内部応力が大きいため、カラー
フィルタや保護膜上に０．２μｍ厚以上のＩＴＯ膜を形
成すると、カラーフィルタや保護膜にクラックが発生し
たり、細かいしわが発生してＩＴＯ膜が断線することが
あり、また、光の透過率が低下するので、ＩＴＯ膜の膜
厚は０．２μｍ未満とする必要があり、膜厚を厚くする
ことによる低抵抗化には限界があった。
【０００９】また、近年、ノート型パーソナルコンピュ
ータのディスプレイ等小型ディスプレイとしてのニーズ
から画像表示部以外の小型化、いわゆる挟額縁化が進め
られ、こういった観点からもＩＴＯ膜の低抵抗化による
薄膜化又は細線化が求められている。
ータのディスプレイ等小型ディスプレイとしてのニーズ
から画像表示部以外の小型化、いわゆる挟額縁化が進め
られ、こういった観点からもＩＴＯ膜の低抵抗化による
薄膜化又は細線化が求められている。
【００１０】本発明の目的は、上記問題点を解決し、高
温加熱が不可能な基板上に２００℃以下の低温で低抵抗
なＩＴＯ膜を形成する方法を提供することにあり、当該
方法によって、カラーフィルタ上に低抵抗で薄膜化及び
細線化が可能なＩＴＯ膜からなる透明電極を形成し、よ
り小型或いは大面積のカラー液晶表示装置を提供するこ
とにある。
温加熱が不可能な基板上に２００℃以下の低温で低抵抗
なＩＴＯ膜を形成する方法を提供することにあり、当該
方法によって、カラーフィルタ上に低抵抗で薄膜化及び
細線化が可能なＩＴＯ膜からなる透明電極を形成し、よ
り小型或いは大面積のカラー液晶表示装置を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、基板上
にＩＴＯ膜を形成する方法であって、基板表面をプラズ
マエッチング処理した後、ＩＴＯ膜を成膜することを特
徴とするＩＴＯ膜の製造方法である。
にＩＴＯ膜を形成する方法であって、基板表面をプラズ
マエッチング処理した後、ＩＴＯ膜を成膜することを特
徴とするＩＴＯ膜の製造方法である。
【００１２】また本発明の第二は、透明基板上に少なく
とも樹脂製のカラーフィルタとＩＴＯからなる透明電極
とを有する電極基板の製造方法であって、上記ＩＴＯを
成膜する前に基板の被成膜面をプラズマエッチング処理
した後ＩＴＯ膜を形成することを特徴とする電極基板の
製造方法であり、第三は該製造方法により製造したこと
を特徴とする電極基板である。
とも樹脂製のカラーフィルタとＩＴＯからなる透明電極
とを有する電極基板の製造方法であって、上記ＩＴＯを
成膜する前に基板の被成膜面をプラズマエッチング処理
した後ＩＴＯ膜を形成することを特徴とする電極基板の
製造方法であり、第三は該製造方法により製造したこと
を特徴とする電極基板である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明は、プラズマエッチング処
理を施した基板表面にＩＴＯ膜を形成することにより、
２００℃以下の低温で形成されるＩＴＯ膜において低抵
抗化を実現したものである。
理を施した基板表面にＩＴＯ膜を形成することにより、
２００℃以下の低温で形成されるＩＴＯ膜において低抵
抗化を実現したものである。
【００１４】本発明において、プラズマエッチング処理
を施すことにより、その上に形成されるＩＴＯ膜を低抵
抗化し得る理由としては、次の通りである。
を施すことにより、その上に形成されるＩＴＯ膜を低抵
抗化し得る理由としては、次の通りである。
【００１５】即ち、プラズマエッチング処理を施すこと
によって、基板表面に吸着するガスを除去することがで
き、さらに表面をより平滑化することができる。よっ
て、プラズマエッチングが施された基板表面において
は、ＩＴＯ成膜時に基板に吸着したガスによって結晶化
を疎外されることがないため、結晶性の良いＩＴＯ膜が
得られる。
によって、基板表面に吸着するガスを除去することがで
き、さらに表面をより平滑化することができる。よっ
て、プラズマエッチングが施された基板表面において
は、ＩＴＯ成膜時に基板に吸着したガスによって結晶化
を疎外されることがないため、結晶性の良いＩＴＯ膜が
得られる。
【００１６】また、表面が平滑化されることによって基
板表面での結晶成長時に余分な核形成が行われず、且
つ、表面でのスパッタ粒子の運動が促進されるため、グ
レインサイズの大きい結晶が得られるため、結晶粒界で
の散乱が抑制され低抵抗なＩＴＯ膜が得られる。
板表面での結晶成長時に余分な核形成が行われず、且
つ、表面でのスパッタ粒子の運動が促進されるため、グ
レインサイズの大きい結晶が得られるため、結晶粒界で
の散乱が抑制され低抵抗なＩＴＯ膜が得られる。
【００１７】樹脂基板と薄膜の結合は物理吸着によると
考えられるが、酸素を用いたプラズマエッチングでは金
属−酸素−炭素の配位結合が生じることが期待される。
このため、樹脂基板とを用いた場合には該基板とＩＴＯ
薄膜との密着性も向上する。
考えられるが、酸素を用いたプラズマエッチングでは金
属−酸素−炭素の配位結合が生じることが期待される。
このため、樹脂基板とを用いた場合には該基板とＩＴＯ
薄膜との密着性も向上する。
【００１８】本発明電極基板の製造方法は、上記技術を
カラーフィルタを有する電極基板にも適用した発明であ
り、当該製造方法により、カラーフィルタや保護膜とい
った高温に耐えない部材の上に低温で低抵抗なＩＴＯ膜
を形成することができる。
カラーフィルタを有する電極基板にも適用した発明であ
り、当該製造方法により、カラーフィルタや保護膜とい
った高温に耐えない部材の上に低温で低抵抗なＩＴＯ膜
を形成することができる。
【００１９】以下、カラーフィルタを有する電極基板上
にＩＴＯ膜を形成する場合を挙げて本発明を説明する。
にＩＴＯ膜を形成する場合を挙げて本発明を説明する。
【００２０】図１は本発明電極基板の一実施形態の断面
模式図である。図中、１は透明基板、２はブラックマト
リクス、５はカラーフィルタで着色部４と非着色部３か
らなる。６は保護膜、７はＩＴＯからなる透明電極であ
る。
模式図である。図中、１は透明基板、２はブラックマト
リクス、５はカラーフィルタで着色部４と非着色部３か
らなる。６は保護膜、７はＩＴＯからなる透明電極であ
る。
【００２１】本発明において用いられる透明基板１とし
ては、一般にガラス基板が用いられるが、液晶用の電極
基板としての透明性、機械的強度等の必要特性を有する
ものであればガラス基板に限定されるものではない。
ては、一般にガラス基板が用いられるが、液晶用の電極
基板としての透明性、機械的強度等の必要特性を有する
ものであればガラス基板に限定されるものではない。
【００２２】本実施形態においては、カラーフィルタ５
の各着色部（フィルタ）４間をブラックマトリクス２で
遮光し、色のにじみを防止している。ブラックマトリク
ス２は通常Ｃｒ等の金属をパターニングして形成される
が、黒色樹脂をパターニングして形成しても構わない。
また、本実施形態のカラーフィルタ５は後述するインク
ジェット方式により形成した例である。
の各着色部（フィルタ）４間をブラックマトリクス２で
遮光し、色のにじみを防止している。ブラックマトリク
ス２は通常Ｃｒ等の金属をパターニングして形成される
が、黒色樹脂をパターニングして形成しても構わない。
また、本実施形態のカラーフィルタ５は後述するインク
ジェット方式により形成した例である。
【００２３】本発明にかかるカラーフィルタの形成方法
としては従来用いられている方法で良いが、例えば下記
のような方法が挙げられる。
としては従来用いられている方法で良いが、例えば下記
のような方法が挙げられる。
【００２４】第一の方法は染色法であり、透明基板上に
染色用の材料である水溶性高分子材料を塗布し、これを
フォトリソグラフィ工程により所望の形状にパターニン
グした後、得られたパターンを染色浴に浸漬して着色さ
れたパターンを得る。これを３回繰り返すことにより、
Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層を形成し、カラーフィルタを得る。
染色用の材料である水溶性高分子材料を塗布し、これを
フォトリソグラフィ工程により所望の形状にパターニン
グした後、得られたパターンを染色浴に浸漬して着色さ
れたパターンを得る。これを３回繰り返すことにより、
Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層を形成し、カラーフィルタを得る。
【００２５】第二の方法は顔料分散法であり、近年染色
法に取って代わりつつある。この方法は、透明基板上に
顔料を分散した感光性樹脂層を形成し、これをパターニ
ングすることにより単色パターンを得、この工程を３回
繰り返すことにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層を形成し、カ
ラーフィルタを得る。
法に取って代わりつつある。この方法は、透明基板上に
顔料を分散した感光性樹脂層を形成し、これをパターニ
ングすることにより単色パターンを得、この工程を３回
繰り返すことにより、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層を形成し、カ
ラーフィルタを得る。
【００２６】第三の方法は電着法であり、透明基板上に
透明電極をパターニングし、顔料、樹脂、電解液等の入
った電着塗装液に浸漬して第一の色を電着する。この工
程を３回繰り返してＲ、Ｇ、Ｂの着色層を形成し、最後
に焼成してカラーフィルタを得る。
透明電極をパターニングし、顔料、樹脂、電解液等の入
った電着塗装液に浸漬して第一の色を電着する。この工
程を３回繰り返してＲ、Ｇ、Ｂの着色層を形成し、最後
に焼成してカラーフィルタを得る。
【００２７】第四の方法は、熱硬化型の樹脂に顔料を分
散させ、印刷を３回繰り返すことによりＲ、Ｇ、Ｂを塗
り分けた後、樹脂を熱硬化させることにより着色層を形
成し、カラーフィルタを得る。
散させ、印刷を３回繰り返すことによりＲ、Ｇ、Ｂを塗
り分けた後、樹脂を熱硬化させることにより着色層を形
成し、カラーフィルタを得る。
【００２８】第五の方法はインクジェット法であり、図
１に示したカラーフィルタ５はこの方法で形成したもの
である。本方法では透明基板上に、樹脂組成物層を形成
し、必要に応じてプリベークする。該樹脂組成物層は光
照射又は光照射と加熱により硬化可能であり、該硬化に
よりインク吸収性が低下する。
１に示したカラーフィルタ５はこの方法で形成したもの
である。本方法では透明基板上に、樹脂組成物層を形成
し、必要に応じてプリベークする。該樹脂組成物層は光
照射又は光照射と加熱により硬化可能であり、該硬化に
よりインク吸収性が低下する。
【００２９】次に、ブラックマトリクス２により遮光さ
れる部分の樹脂組成物層をフォトマスクを用いて予めパ
ターン露光することにより、該樹脂組成物層の一部を硬
化させて非着色部３を形成し、その後インクジェット方
式によりＲ、Ｇ、Ｂの各色のインクを付与して所定の領
域の樹脂組成物層を着色し、必要に応じてインクの乾燥
及び樹脂組成物層の硬化を行ない、着色部４を形成す
る。
れる部分の樹脂組成物層をフォトマスクを用いて予めパ
ターン露光することにより、該樹脂組成物層の一部を硬
化させて非着色部３を形成し、その後インクジェット方
式によりＲ、Ｇ、Ｂの各色のインクを付与して所定の領
域の樹脂組成物層を着色し、必要に応じてインクの乾燥
及び樹脂組成物層の硬化を行ない、着色部４を形成す
る。
【００３０】以上いずれの方法を用いても、カラーフィ
ルタ上に保護膜を形成するのが一般的である。保護膜と
しては、一般に光或いは加熱により硬化する樹脂組成物
が用いられる。また、上記方法のうち、インクジェット
方式を用いる第五の方法は、１工程で複数色の着色が可
能であり、工程が簡素化されるため好ましい。
ルタ上に保護膜を形成するのが一般的である。保護膜と
しては、一般に光或いは加熱により硬化する樹脂組成物
が用いられる。また、上記方法のうち、インクジェット
方式を用いる第五の方法は、１工程で複数色の着色が可
能であり、工程が簡素化されるため好ましい。
【００３１】上記のようにして形成された保護膜上に透
明電極としてＩＴＯ膜を形成するが、それに先立ち、基
板の洗浄を行なう。通常は、超音波洗浄後、表面吸着ガ
スを分解するため、ＵＶオゾン洗浄を行なう。本発明に
おいては、ＵＶオゾン洗浄を行なわなくても保護膜上に
低抵抗のＩＴＯ膜を形成することができるため、ＵＶオ
ゾン洗浄を省略しても良い。ＵＶオゾン洗浄を行なわな
い場合には、染料を用いたカラーフィルタでは紫外線に
よる色の変化や、カラーフィルタを形成する材料への紫
外線の悪影響を避けることができ、カラーフィルタの密
着性を高めることができるため、好ましい。
明電極としてＩＴＯ膜を形成するが、それに先立ち、基
板の洗浄を行なう。通常は、超音波洗浄後、表面吸着ガ
スを分解するため、ＵＶオゾン洗浄を行なう。本発明に
おいては、ＵＶオゾン洗浄を行なわなくても保護膜上に
低抵抗のＩＴＯ膜を形成することができるため、ＵＶオ
ゾン洗浄を省略しても良い。ＵＶオゾン洗浄を行なわな
い場合には、染料を用いたカラーフィルタでは紫外線に
よる色の変化や、カラーフィルタを形成する材料への紫
外線の悪影響を避けることができ、カラーフィルタの密
着性を高めることができるため、好ましい。
【００３２】その後、基板側を負電位にバイアスし、基
板表面をプラズマによってエッチング処理する。基板表
面の保護膜やカラーフィルタは有機物の絶縁体であるた
め、直流バイアスでは基板表面が帯電し、エッチング時
に陽極との電位差がなくなり、放電が持続しない場合が
多い。効率的に基板のエッチングを行なうためには、高
周波電圧を使用することが望ましい。
板表面をプラズマによってエッチング処理する。基板表
面の保護膜やカラーフィルタは有機物の絶縁体であるた
め、直流バイアスでは基板表面が帯電し、エッチング時
に陽極との電位差がなくなり、放電が持続しない場合が
多い。効率的に基板のエッチングを行なうためには、高
周波電圧を使用することが望ましい。
【００３３】エッチング処理が終了したら、同一のチャ
ンバー内でターゲットを負電位にバイアスし、保護膜上
にＩＴＯ膜をスパッタリングによって成膜する。この
時、２００℃以下で成膜することにより、保護膜やカラ
ーフィルタを保護することができるが、本発明において
は上記エッチング処理が施されていることにより、低温
で成膜しても電気抵抗の低いＩＴＯ膜が得られる。尚、
低温でもより低抵抗のＩＴＯ膜が得られるように、直流
マグネトロンスパッタリングに使用する磁石の磁束密度
を高め、放電電圧を低下させる方法で成膜することが望
ましい。
ンバー内でターゲットを負電位にバイアスし、保護膜上
にＩＴＯ膜をスパッタリングによって成膜する。この
時、２００℃以下で成膜することにより、保護膜やカラ
ーフィルタを保護することができるが、本発明において
は上記エッチング処理が施されていることにより、低温
で成膜しても電気抵抗の低いＩＴＯ膜が得られる。尚、
低温でもより低抵抗のＩＴＯ膜が得られるように、直流
マグネトロンスパッタリングに使用する磁石の磁束密度
を高め、放電電圧を低下させる方法で成膜することが望
ましい。
【００３４】
［実施例１］ブラックマトリクスが形成されたガラス基
板上にスピンコーターによりアクリル樹脂、顔料、分散
剤、光重合性モノマー、重合開始剤、希釈溶剤及び添加
剤を配合して製造された感光性着色樹脂組成物を塗布し
て５μｍ厚のカラーフィルタ層を形成し、その上にスピ
ンコート方式により保護膜としてアクリル樹脂を３μｍ
厚にコーティングした。
板上にスピンコーターによりアクリル樹脂、顔料、分散
剤、光重合性モノマー、重合開始剤、希釈溶剤及び添加
剤を配合して製造された感光性着色樹脂組成物を塗布し
て５μｍ厚のカラーフィルタ層を形成し、その上にスピ
ンコート方式により保護膜としてアクリル樹脂を３μｍ
厚にコーティングした。
【００３５】上記基板を超音波洗浄した後、表面吸着ガ
スを分解するため、ＵＶオゾン洗浄を行ない、スパッタ
装置内に保持した。図２は本実施例で用いたスパッタ装
置の模式図である。図中、９は成膜室、１０は排気装
置、１１は放電気体供給装置、１２はターゲット保持治
具、１３はＩＴＯターゲット、１４は磁石、１５はＩＴ
Ｏを成膜する被成膜基板、１６は高周波電源、１７は直
流電源である。成膜室９は、排気装置１０及び放電体供
給装置１１に結合されており、成膜室９内には器壁と電
気的に分離したターゲット保持治具１２にＩＴＯターゲ
ット１３が取り付けられている。
スを分解するため、ＵＶオゾン洗浄を行ない、スパッタ
装置内に保持した。図２は本実施例で用いたスパッタ装
置の模式図である。図中、９は成膜室、１０は排気装
置、１１は放電気体供給装置、１２はターゲット保持治
具、１３はＩＴＯターゲット、１４は磁石、１５はＩＴ
Ｏを成膜する被成膜基板、１６は高周波電源、１７は直
流電源である。成膜室９は、排気装置１０及び放電体供
給装置１１に結合されており、成膜室９内には器壁と電
気的に分離したターゲット保持治具１２にＩＴＯターゲ
ット１３が取り付けられている。
【００３６】上記成膜装置内に、上記したカラーフィル
タ及び保護膜を形成したガラス基板を保持し、排気装置
によって充分に成膜室内を排気した後、放電気体供給装
置から所定の分圧のＡｒ及び酸素を供給し、０．５Ｐａ
程度の圧力下で基板を負にバイアスし、１３．５６ｋＨ
ｚの高周波電圧を印加する。基板表面をほぼ一様にエッ
チングした後、ターゲットに負の直流電圧を印加し、ス
パッタリングを行ない、光透過率を考慮して膜厚が１３
０ｎｍになるようにＩＴＯを成膜した。上記工程におい
て、ターゲット表面の磁束密度は５００Ｇとした。
タ及び保護膜を形成したガラス基板を保持し、排気装置
によって充分に成膜室内を排気した後、放電気体供給装
置から所定の分圧のＡｒ及び酸素を供給し、０．５Ｐａ
程度の圧力下で基板を負にバイアスし、１３．５６ｋＨ
ｚの高周波電圧を印加する。基板表面をほぼ一様にエッ
チングした後、ターゲットに負の直流電圧を印加し、ス
パッタリングを行ない、光透過率を考慮して膜厚が１３
０ｎｍになるようにＩＴＯを成膜した。上記工程におい
て、ターゲット表面の磁束密度は５００Ｇとした。
【００３７】上記のようにして形成したＩＴＯ膜のシー
ト抵抗と密着性を表１に示す。尚、ここで密着性は、温
度１２０℃、湿度８５％の環境下に１２時間放置した状
態でのスコッチテープ法による評価結果である。また、
シート抵抗は４端子法により測定した。
ト抵抗と密着性を表１に示す。尚、ここで密着性は、温
度１２０℃、湿度８５％の環境下に１２時間放置した状
態でのスコッチテープ法による評価結果である。また、
シート抵抗は４端子法により測定した。
【００３８】［実施例２］ブラックマトリクスを形成し
たガラス基板上に、光照射と加熱により硬化しインク吸
収性が低下するアクリル系共重合体からなる樹脂組成物
を塗布し、プリベークして膜厚１μｍの樹脂層を形成し
た。次に、ブラックマトリクスにより遮光される部分の
樹脂組成物層をフォトマスクを使用してパターン露光
し、硬化させて非着色部を形成した。その後、インクジ
ェット方式によりＲ、Ｇ、Ｂの各インクを所定の領域に
付与し、乾燥し、熱硬化して着色層を形成した。その上
に、実施例１と同様にして保護膜を形成した。
たガラス基板上に、光照射と加熱により硬化しインク吸
収性が低下するアクリル系共重合体からなる樹脂組成物
を塗布し、プリベークして膜厚１μｍの樹脂層を形成し
た。次に、ブラックマトリクスにより遮光される部分の
樹脂組成物層をフォトマスクを使用してパターン露光
し、硬化させて非着色部を形成した。その後、インクジ
ェット方式によりＲ、Ｇ、Ｂの各インクを所定の領域に
付与し、乾燥し、熱硬化して着色層を形成した。その上
に、実施例１と同様にして保護膜を形成した。
【００３９】上記カラーフィルタ及び保護膜を形成した
ガラス基板を超音波洗浄のみ行なって、実施例１と同様
にエッチング処理し、ＩＴＯ膜を成膜した。得られたＩ
ＴＯ膜のシート抵抗と密着性を表１に示す。
ガラス基板を超音波洗浄のみ行なって、実施例１と同様
にエッチング処理し、ＩＴＯ膜を成膜した。得られたＩ
ＴＯ膜のシート抵抗と密着性を表１に示す。
【００４０】［比較例１］超音波洗浄後に基板をＵＶオ
ゾン洗浄し、エッチング工程を行なわない以外は、実施
例２と同様にしてＩＴＯ膜を成膜した。得られたＩＴＯ
膜のシート抵抗と密着性を表１に示す。
ゾン洗浄し、エッチング工程を行なわない以外は、実施
例２と同様にしてＩＴＯ膜を成膜した。得られたＩＴＯ
膜のシート抵抗と密着性を表１に示す。
【００４１】［比較例２］エッチング工程を行なわない
以外は、実施例２と同様にしてＩＴＯ膜を成膜した。得
られたＩＴＯ膜のシート抵抗と密着性を表１に示す。
以外は、実施例２と同様にしてＩＴＯ膜を成膜した。得
られたＩＴＯ膜のシート抵抗と密着性を表１に示す。
【００４２】
【表１】
【００４３】表１から明らかなように、ＩＴＯ膜を成膜
する前にエッチング処理を施しておくことにより、シー
ト抵抗を大幅に低減することができる。また、ＵＶオゾ
ン洗浄を行なわないことにより、密着性の高いＩＴＯ膜
が得られることがわかる。
する前にエッチング処理を施しておくことにより、シー
ト抵抗を大幅に低減することができる。また、ＵＶオゾ
ン洗浄を行なわないことにより、密着性の高いＩＴＯ膜
が得られることがわかる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低温でも低抵抗のＩＴＯ膜を形成することができるた
め、耐熱温度の低い部材の上にも良好に低抵抗のＩＴＯ
膜を成膜することができる。よって、高温処理ができな
いカラーフィルタや保護膜の上に低抵抗で薄膜化及び細
線化が可能なＩＴＯ膜からなる透明電極を形成し、より
小型或いは大面積のカラー液晶表示装置を提供すること
が可能となる。
低温でも低抵抗のＩＴＯ膜を形成することができるた
め、耐熱温度の低い部材の上にも良好に低抵抗のＩＴＯ
膜を成膜することができる。よって、高温処理ができな
いカラーフィルタや保護膜の上に低抵抗で薄膜化及び細
線化が可能なＩＴＯ膜からなる透明電極を形成し、より
小型或いは大面積のカラー液晶表示装置を提供すること
が可能となる。
【００４５】特に、本発明においてはＵＶ洗浄工程が不
要となるため、紫外線により影響を避けることができ、
密着性の高いＩＴＯ膜を形成することができ、信頼性の
高い透明電極を提供することができる。
要となるため、紫外線により影響を避けることができ、
密着性の高いＩＴＯ膜を形成することができ、信頼性の
高い透明電極を提供することができる。
【図１】本発明の電極基板の一実施形態の断面模式図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例で利用したスパッタ装置の模式
図である。
図である。
１ 透明基板 ２ ブラックマトリクス ３ 非着色部 ４ 着色部 ５ カラーフィルタ ６ 保護膜 ７ 透明電極 ９ 成膜室 １０ 排気装置 １１ 放電気体供給装置 １２ ターゲット保持治具 １３ ＩＴＯターゲット １４ 磁石 １５ 被成膜基板 １６ 高周波電源 １７ 直流電源
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上にＩＴＯ膜を形成する方法であっ
て、基板表面をプラズマエッチング処理した後、ＩＴＯ
膜を成膜することを特徴とするＩＴＯ膜の製造方法。 - 【請求項２】 透明基板上に少なくとも樹脂製のカラー
フィルタとＩＴＯからなる透明電極とを有する電極基板
の製造方法であって、上記ＩＴＯを成膜する前に基板の
被成膜面をプラズマエッチング処理した後ＩＴＯ膜を形
成することを特徴とする電極基板の製造方法。 - 【請求項３】 カラーフィルタ上に保護膜を設け、該保
護膜表面をプラズマエッチング処理する請求項２記載の
電極基板の製造方法。 - 【請求項４】 カラーフィルタをインクジェット方式に
より形成する請求項２又は３記載の電極基板の製造方
法。 - 【請求項５】 透明電極形成工程前にＵＶオゾン洗浄を
行なわない請求項２〜４いずれかに記載の電極基板の製
造方法。 - 【請求項６】 透明基板上に少なくとも樹脂製のカラー
フィルタとＩＴＯからなる透明電極とを有し、請求項２
〜５のいずれかの製造方法により製造されたことを特徴
とする電極基板。 - 【請求項７】 カラーフィルタの各フィルタ間を遮光す
るブラックマトリクスを有する請求項６記載の電極基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20764397A JPH1150230A (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | Ｉｔｏ膜の製造方法、及び、電極基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20764397A JPH1150230A (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | Ｉｔｏ膜の製造方法、及び、電極基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1150230A true JPH1150230A (ja) | 1999-02-23 |
Family
ID=16543185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20764397A Withdrawn JPH1150230A (ja) | 1997-08-01 | 1997-08-01 | Ｉｔｏ膜の製造方法、及び、電極基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1150230A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010078862A (ko) * | 2001-05-02 | 2001-08-22 | 조육형 | 산화물 증착 플라스틱 필름의 연속 열처리 방법 및 시스템 |
| JP2002129307A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-09 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成方法及びその形成装置 |
-
1997
- 1997-08-01 JP JP20764397A patent/JPH1150230A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002129307A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-09 | Ulvac Japan Ltd | 薄膜形成方法及びその形成装置 |
| JP4570233B2 (ja) * | 2000-10-25 | 2010-10-27 | 株式会社アルバック | 薄膜形成方法及びその形成装置 |
| KR20010078862A (ko) * | 2001-05-02 | 2001-08-22 | 조육형 | 산화물 증착 플라스틱 필름의 연속 열처리 방법 및 시스템 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |