JPH115019A - ダイオキシン類の生成防止方法 - Google Patents
ダイオキシン類の生成防止方法Info
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- JPH115019A JPH115019A JP9159739A JP15973997A JPH115019A JP H115019 A JPH115019 A JP H115019A JP 9159739 A JP9159739 A JP 9159739A JP 15973997 A JP15973997 A JP 15973997A JP H115019 A JPH115019 A JP H115019A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 焼却炉排ガス中のダイオキシン濃度を低減す
る。集塵手段におけるダイオキシンの生成を防止する。 【解決手段】 ダイオキシン前駆体及び飛灰を含む焼却
炉排ガスに、アミン化合物、アンモニア、アンモニウム
塩及びアルカリ金属化合物よりなる群から選ばれる1種
又は2種以上のダイオキシン生成反応抑制剤と活性炭を
添加してダイオキシン類の生成を防止する。排ガス温度
300〜750℃の条件下にダイオキシン生成反応抑制
剤を添加し、排ガス温度200〜500℃の条件下に活
性炭を添加し、次いで集塵する。 【効果】 排ガスがダイオキシン生成温度に降温する前
に、飛灰をダイオキシン生成反応抑制剤でコーティング
して触媒能を低減させ、ダイオキシン生成温度にまで降
温したときに生じたダイオキシンは活性炭で吸着除去す
る。
る。集塵手段におけるダイオキシンの生成を防止する。 【解決手段】 ダイオキシン前駆体及び飛灰を含む焼却
炉排ガスに、アミン化合物、アンモニア、アンモニウム
塩及びアルカリ金属化合物よりなる群から選ばれる1種
又は2種以上のダイオキシン生成反応抑制剤と活性炭を
添加してダイオキシン類の生成を防止する。排ガス温度
300〜750℃の条件下にダイオキシン生成反応抑制
剤を添加し、排ガス温度200〜500℃の条件下に活
性炭を添加し、次いで集塵する。 【効果】 排ガスがダイオキシン生成温度に降温する前
に、飛灰をダイオキシン生成反応抑制剤でコーティング
して触媒能を低減させ、ダイオキシン生成温度にまで降
温したときに生じたダイオキシンは活性炭で吸着除去す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、焼却炉の排ガス中
及び集塵器におけるポリ塩化−p−ジベンゾダイオキシ
ン類(PCDD)及びポリ塩化ジベンゾフラン類(PC
DF)(以下、これらを併せて「ダイオキシン」と称
す。)等の有機塩素化合物の発生を防止する方法に関す
る。
及び集塵器におけるポリ塩化−p−ジベンゾダイオキシ
ン類(PCDD)及びポリ塩化ジベンゾフラン類(PC
DF)(以下、これらを併せて「ダイオキシン」と称
す。)等の有機塩素化合物の発生を防止する方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】ごみ焼却炉等の焼却炉においては、燃焼
中に、フェノール、ベンゼン、アセチレン等の有機化合
物、クロロフェノール、クロロベンゼン等の塩素化芳香
族化合物や塩素化アルキル化合物等のダイオキシン前駆
体が発生する。これらのダイオキシン前駆体は、飛灰が
共存するとその触媒作用で例えば次式に示すような反応
によりダイオキシンとなり、排ガス中に存在するように
なる。
中に、フェノール、ベンゼン、アセチレン等の有機化合
物、クロロフェノール、クロロベンゼン等の塩素化芳香
族化合物や塩素化アルキル化合物等のダイオキシン前駆
体が発生する。これらのダイオキシン前駆体は、飛灰が
共存するとその触媒作用で例えば次式に示すような反応
によりダイオキシンとなり、排ガス中に存在するように
なる。
【0003】
【化1】
【0004】なお、このダイオキシン生成反応は、40
0℃以上の高温下では起こり難く、200〜400℃付
近に温度が低下したところで起こる。
0℃以上の高温下では起こり難く、200〜400℃付
近に温度が低下したところで起こる。
【0005】即ち、Karasek (Science 237:754,1987)、
Stieglitz (Chemosphere 18: 1219,1989)、 Hutzinger
(Chemosphere 14:581、 1985)らの研究によれば、焼却炉
におけるダイオキシンの生成は、主に排ガス中に含まれ
るダイオキシン前駆体が飛灰の触媒作用によってダイオ
キシンに変換されることによるものであり、この反応の
最適温度は300℃付近である。そして、クロロフェノ
ールやクロロベンゼン等のダイオキシン前駆体が、飛灰
粒子のダイオキシン生成触媒活性部位に吸着され、か
つ、200〜400℃の温度条件下に晒されると、飛灰
の触媒作用でダイオキシン前駆体が反応してダイオキシ
ンが生成する。
Stieglitz (Chemosphere 18: 1219,1989)、 Hutzinger
(Chemosphere 14:581、 1985)らの研究によれば、焼却炉
におけるダイオキシンの生成は、主に排ガス中に含まれ
るダイオキシン前駆体が飛灰の触媒作用によってダイオ
キシンに変換されることによるものであり、この反応の
最適温度は300℃付近である。そして、クロロフェノ
ールやクロロベンゼン等のダイオキシン前駆体が、飛灰
粒子のダイオキシン生成触媒活性部位に吸着され、か
つ、200〜400℃の温度条件下に晒されると、飛灰
の触媒作用でダイオキシン前駆体が反応してダイオキシ
ンが生成する。
【0006】従来、排ガス中に含まれるこれらのダイオ
キシンを除去する方法として、ごみ焼却炉の排ガス処理
工程において、集塵器手前、スプレーアブソーバー手
前、スクラバー手前等で粉状活性炭を注入してダイオキ
シンを吸着する方法("Organohalogen Compounds" 27:17
7-182(1996))が提案されている。
キシンを除去する方法として、ごみ焼却炉の排ガス処理
工程において、集塵器手前、スプレーアブソーバー手
前、スクラバー手前等で粉状活性炭を注入してダイオキ
シンを吸着する方法("Organohalogen Compounds" 27:17
7-182(1996))が提案されている。
【0007】また、アンモニア又はアルカノールアミン
を排ガス又は飛灰と接触させることによりダイオキシン
の生成を抑制する方法も提案されている(USP5,1
13,772)。
を排ガス又は飛灰と接触させることによりダイオキシン
の生成を抑制する方法も提案されている(USP5,1
13,772)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】粉状活性炭でダイオキ
シンを吸着する方法では、ダイオキシンを吸着した廃活
性炭の処理が新たな問題となる。また、添加された活性
炭は、飛灰と共に電気集塵機やバグフィルタ等の集塵手
段で集塵されるが、この集塵手段においてダイオキシン
前躯体と飛灰とが接触してダイオキシンが生成するとい
う問題もある。
シンを吸着する方法では、ダイオキシンを吸着した廃活
性炭の処理が新たな問題となる。また、添加された活性
炭は、飛灰と共に電気集塵機やバグフィルタ等の集塵手
段で集塵されるが、この集塵手段においてダイオキシン
前躯体と飛灰とが接触してダイオキシンが生成するとい
う問題もある。
【0009】アンモニア又はアルカノールアミンを用い
る方法では、飛灰中のダイオキシン濃度の低減には効果
的であるが、排ガス中のダイオキシン濃度の低減効果が
十分でないという欠点がある。
る方法では、飛灰中のダイオキシン濃度の低減には効果
的であるが、排ガス中のダイオキシン濃度の低減効果が
十分でないという欠点がある。
【0010】本発明は上記従来の問題点を解決し、焼却
炉の排ガス中のダイオキシン濃度を低減することがで
き、しかも、集塵手段におけるダイオキシン類の生成も
防止することができるダイオキシン類の生成防止方法を
提供することを目的とする。
炉の排ガス中のダイオキシン濃度を低減することがで
き、しかも、集塵手段におけるダイオキシン類の生成も
防止することができるダイオキシン類の生成防止方法を
提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明のダイオキシン類
の生成防止方法は、ダイオキシン前駆体及び飛灰を含む
焼却炉排ガスに、アミン化合物、アンモニア、アンモニ
ウム塩及びアルカリ金属化合物よりなる群から選ばれる
1種又は2種以上のダイオキシン生成反応抑制剤と活性
炭を添加してダイオキシン類の生成を防止する方法であ
って、該排ガスの温度が300〜750℃の条件下にて
該ダイオキシン生成反応抑制剤を添加し、該排ガスの温
度が200〜500℃の条件下にて活性炭を添加し、次
いで集塵することを特徴とする。
の生成防止方法は、ダイオキシン前駆体及び飛灰を含む
焼却炉排ガスに、アミン化合物、アンモニア、アンモニ
ウム塩及びアルカリ金属化合物よりなる群から選ばれる
1種又は2種以上のダイオキシン生成反応抑制剤と活性
炭を添加してダイオキシン類の生成を防止する方法であ
って、該排ガスの温度が300〜750℃の条件下にて
該ダイオキシン生成反応抑制剤を添加し、該排ガスの温
度が200〜500℃の条件下にて活性炭を添加し、次
いで集塵することを特徴とする。
【0012】前述の如く、ダイオキシン前駆体からダイ
オキシンへの変換反応は、飛灰の存在下において排ガス
温度が300℃前後にまで低下して来たときに始まる。
300〜750℃では大半がダイオキシン前駆体の形と
なっているので、本発明ではこの状態でダイオキシン生
成反応抑制剤を注入し、共存する飛灰をコーティングし
て触媒能を低減させる。そして、排ガスの温度が200
〜500℃の条件において活性炭を添加する。従って、
ダイオキシン前駆体からダイオキシンへの変換が始ま
り、ダイオキシンが存在するようになる温度条件となっ
たときにガス中に活性炭が存在するため、ダイオキシン
が活性炭に吸着して除去される。この場合、飛灰はダイ
オキシン生成反応抑制剤により触媒能が低減しており、
ダイオキシンの生成量も少ないため、活性炭の添加量は
少なくて足り、廃活性炭の処理量も低減される。
オキシンへの変換反応は、飛灰の存在下において排ガス
温度が300℃前後にまで低下して来たときに始まる。
300〜750℃では大半がダイオキシン前駆体の形と
なっているので、本発明ではこの状態でダイオキシン生
成反応抑制剤を注入し、共存する飛灰をコーティングし
て触媒能を低減させる。そして、排ガスの温度が200
〜500℃の条件において活性炭を添加する。従って、
ダイオキシン前駆体からダイオキシンへの変換が始ま
り、ダイオキシンが存在するようになる温度条件となっ
たときにガス中に活性炭が存在するため、ダイオキシン
が活性炭に吸着して除去される。この場合、飛灰はダイ
オキシン生成反応抑制剤により触媒能が低減しており、
ダイオキシンの生成量も少ないため、活性炭の添加量は
少なくて足り、廃活性炭の処理量も低減される。
【0013】排ガス中の飛灰や添加された活性炭は、電
気集塵機やバグフィルタ等の集塵手段で集塵される。従
来法では、この集塵手段において大量のダイオキシンが
生成していたが、本発明では、飛灰の触媒能がダイオキ
シン生成反応抑制剤により低減されているため、集塵手
段内におけるダイオキシンの生成も防止される。
気集塵機やバグフィルタ等の集塵手段で集塵される。従
来法では、この集塵手段において大量のダイオキシンが
生成していたが、本発明では、飛灰の触媒能がダイオキ
シン生成反応抑制剤により低減されているため、集塵手
段内におけるダイオキシンの生成も防止される。
【0014】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を詳細
に説明する。
に説明する。
【0015】本発明において、ダイオキシン生成反応抑
制剤(以下、単に抑制剤ということがある。)として添
加するアミン化合物、アンモニア、アンモニウム塩及び
アルカリ金属化合物のうち、アミン化合物としては、ト
リメチルアミン等のアルキルアミン、トリエタノールア
ミン、モノエタノールアミン等のアルカノールアミンな
どのほか、これらのアミン化合物の塩酸塩、硫酸塩、炭
酸塩等のアミン塩が挙げられる。アンモニウム塩として
は、重炭酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、リン酸水
素二アンモニウム等が挙げられる。アルカリ金属塩とし
ては、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム等のアルカリ
金属のケイ酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
のアルカリ金属水酸化物、炭酸塩等が挙げられる。
制剤(以下、単に抑制剤ということがある。)として添
加するアミン化合物、アンモニア、アンモニウム塩及び
アルカリ金属化合物のうち、アミン化合物としては、ト
リメチルアミン等のアルキルアミン、トリエタノールア
ミン、モノエタノールアミン等のアルカノールアミンな
どのほか、これらのアミン化合物の塩酸塩、硫酸塩、炭
酸塩等のアミン塩が挙げられる。アンモニウム塩として
は、重炭酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、リン酸水
素二アンモニウム等が挙げられる。アルカリ金属塩とし
ては、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム等のアルカリ
金属のケイ酸塩、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
のアルカリ金属水酸化物、炭酸塩等が挙げられる。
【0016】これらのダイオキシン生成反応抑制剤は1
種のみを用いても良く、2種以上を併用しても良い。
種のみを用いても良く、2種以上を併用しても良い。
【0017】ダイオキシン生成反応抑制剤は、排ガスの
温度が300〜750℃好ましくは350〜500℃の
条件下において排ガスに添加される。排ガス温度が30
0℃よりも低くなってから抑制剤を添加したのでは、排
ガス中で既にダイオキシン生成反応が始まっているた
め、抑制剤によるダイオキシン生成反応抑制効果が不十
分となる。なお、750℃を超える高温領域では、ダイ
オキシン生成反応抑制剤が排ガス中のNOx と反応し易
く、ダイオキシン生成抑制の目的以外の反応に消費され
てしまうため、好ましくない。
温度が300〜750℃好ましくは350〜500℃の
条件下において排ガスに添加される。排ガス温度が30
0℃よりも低くなってから抑制剤を添加したのでは、排
ガス中で既にダイオキシン生成反応が始まっているた
め、抑制剤によるダイオキシン生成反応抑制効果が不十
分となる。なお、750℃を超える高温領域では、ダイ
オキシン生成反応抑制剤が排ガス中のNOx と反応し易
く、ダイオキシン生成抑制の目的以外の反応に消費され
てしまうため、好ましくない。
【0018】ダイオキシン生成反応抑制剤の添加量は、
排ガス中の飛灰(煤塵)に対して、0.5〜10重量
%、特に2〜5重量%とするのが好ましい。
排ガス中の飛灰(煤塵)に対して、0.5〜10重量
%、特に2〜5重量%とするのが好ましい。
【0019】ダイオキシン生成反応抑制剤のうち、水酸
化ナトリウム等の常温で固体の抑制剤は1〜20重量%
程度の水溶液として添加しても良い。この場合、抑制剤
の固形分重量が上記範囲となるように添加する。
化ナトリウム等の常温で固体の抑制剤は1〜20重量%
程度の水溶液として添加しても良い。この場合、抑制剤
の固形分重量が上記範囲となるように添加する。
【0020】活性炭は、排ガスの温度が200〜500
℃好ましくは200〜300℃の条件下で添加する。こ
の活性炭の添加時の排ガス温度が500℃よりも高いと
きには、活性炭の焼失量が多くなる。活性炭の添加時の
ガス温度が200℃よりも低いときには、既にかなり多
量のダイオキシンが発生しており、活性炭がダイオキシ
ンを吸着し切らないうちに排ガスが集塵手段に流入する
ことがある。
℃好ましくは200〜300℃の条件下で添加する。こ
の活性炭の添加時の排ガス温度が500℃よりも高いと
きには、活性炭の焼失量が多くなる。活性炭の添加時の
ガス温度が200℃よりも低いときには、既にかなり多
量のダイオキシンが発生しており、活性炭がダイオキシ
ンを吸着し切らないうちに排ガスが集塵手段に流入する
ことがある。
【0021】本発明において、活性炭の粒径は、その取
り扱い性及び吸着効率等の面から数mm〜10μm程度
であることが好ましい。活性炭の添加量は、排ガス量に
対して50〜150mg−活性炭/Nm3 −排ガスとす
るのが好ましい。
り扱い性及び吸着効率等の面から数mm〜10μm程度
であることが好ましい。活性炭の添加量は、排ガス量に
対して50〜150mg−活性炭/Nm3 −排ガスとす
るのが好ましい。
【0022】なお、ダイオキシン生成反応抑制剤及び活
性炭は、排ガス流路のうち前述のガス温度の箇所で添加
されれば良い。この添加箇所は1箇所に限られず、複数
箇所であっても良い。ダイオキシン生成反応抑制剤及び
活性炭は、いずれを先に排ガスに添加しても良いが、少
なくとも一部の抑制剤を活性炭よりも先に排ガスに添加
するのが好ましい。なお、抑制剤あるいは活性炭を排ガ
スに対し複数箇所で添加する場合においても、活性炭の
添加に先立ち少なくとも一部の抑制剤を排ガスに添加す
るのが好ましい。
性炭は、排ガス流路のうち前述のガス温度の箇所で添加
されれば良い。この添加箇所は1箇所に限られず、複数
箇所であっても良い。ダイオキシン生成反応抑制剤及び
活性炭は、いずれを先に排ガスに添加しても良いが、少
なくとも一部の抑制剤を活性炭よりも先に排ガスに添加
するのが好ましい。なお、抑制剤あるいは活性炭を排ガ
スに対し複数箇所で添加する場合においても、活性炭の
添加に先立ち少なくとも一部の抑制剤を排ガスに添加す
るのが好ましい。
【0023】排ガスは、ダイオキシン生成反応抑制剤及
び活性炭が添加された後、電気集塵機やバグフィルタ等
の集塵手段で集塵される。
び活性炭が添加された後、電気集塵機やバグフィルタ等
の集塵手段で集塵される。
【0024】次に、図1を参照して通常の排ガス処理工
程におけるダイオキシン生成反応抑制剤及び活性炭の注
入点の一例について説明する。
程におけるダイオキシン生成反応抑制剤及び活性炭の注
入点の一例について説明する。
【0025】図1に示す処理装置は、焼却炉本体1、電
気集塵機2及びスクラバー3で主に構成され、焼却炉本
体1で投入物4が燃焼し、排ガス5が煙道7を経て集塵
工程に送られる。焼却炉本体1からはボトムアッシュ6
が排出される。電気集塵機2からは捕集された飛灰8が
排出される。排ガスは更にスクラバー3を経て煙突9か
ら大気へ排出される。
気集塵機2及びスクラバー3で主に構成され、焼却炉本
体1で投入物4が燃焼し、排ガス5が煙道7を経て集塵
工程に送られる。焼却炉本体1からはボトムアッシュ6
が排出される。電気集塵機2からは捕集された飛灰8が
排出される。排ガスは更にスクラバー3を経て煙突9か
ら大気へ排出される。
【0026】焼却炉本体1内のガス出口近傍Aにおいて
は、排ガス温度は通常約800〜1000℃程度であ
る。また、電気集塵機2の入口Eと出口F付近では、排
ガス温度はそれぞれ約320℃及び約280℃程度とな
っている。
は、排ガス温度は通常約800〜1000℃程度であ
る。また、電気集塵機2の入口Eと出口F付近では、排
ガス温度はそれぞれ約320℃及び約280℃程度とな
っている。
【0027】ガス温度が約300℃に保たれた電気集塵
機2の内部でのダイオキシン生成を抑制するために、煙
道7等に抑制剤を注入し、飛灰へのダイオキシン前駆体
の吸着を防止する。また、煙道7又は電気集塵機2の入
口において活性炭を供給し、ダイオキシンを吸着除去す
る。例えば、図のB点で抑制剤を注入し、C点及び/又
はD点で活性炭を注入する。或いは、B点で抑制剤及び
活性炭を注入し、C点及び/又はD点で活性炭を注入す
る。なお抑制剤は、煙道7のうちでも750℃以下のガ
ス温度の箇所において添加される。
機2の内部でのダイオキシン生成を抑制するために、煙
道7等に抑制剤を注入し、飛灰へのダイオキシン前駆体
の吸着を防止する。また、煙道7又は電気集塵機2の入
口において活性炭を供給し、ダイオキシンを吸着除去す
る。例えば、図のB点で抑制剤を注入し、C点及び/又
はD点で活性炭を注入する。或いは、B点で抑制剤及び
活性炭を注入し、C点及び/又はD点で活性炭を注入す
る。なお抑制剤は、煙道7のうちでも750℃以下のガ
ス温度の箇所において添加される。
【0028】本発明は、集塵機に限らずバグフィルタな
どの各種の集塵手段が設置されている燃焼設備において
も適用することができる。
どの各種の集塵手段が設置されている燃焼設備において
も適用することができる。
【0029】本発明方法は、各種都市ごみ焼却炉の他、
産業廃棄物焼却炉、医療廃棄物焼却炉、焼却灰溶融炉、
RDF炉からの各種排ガス等に適用することができる。
また、ストーカ炉、ロータリーキルン、流動床炉等の炉
の種類や連続炉、準連続炉、バッチ炉など炉の型式にも
係わりなく各種の炉からの排ガスの処理に適用可能であ
る。
産業廃棄物焼却炉、医療廃棄物焼却炉、焼却灰溶融炉、
RDF炉からの各種排ガス等に適用することができる。
また、ストーカ炉、ロータリーキルン、流動床炉等の炉
の種類や連続炉、準連続炉、バッチ炉など炉の型式にも
係わりなく各種の炉からの排ガスの処理に適用可能であ
る。
【0030】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明の
効果を示す。
効果を示す。
【0031】実施例1 ストーカ炉、廃熱ボイラ、ガス冷却塔及びバグフィルタ
からなる実験用焼却炉において都市ごみを焼却し、その
排ガスに抑制剤及び活性炭を下記薬注条件で添加し、下
記測定方法でダイオキシン濃度の測定を行った。廃棄物
焼却量は150t/24hr、排ガス流量は約40,0
00Nm3 /hr、バグフィルタに流入する排ガス中の
煤塵濃度は2.5g/Nm3 であり、バグフィルタ内の
平均ガス温度は220℃であった。
からなる実験用焼却炉において都市ごみを焼却し、その
排ガスに抑制剤及び活性炭を下記薬注条件で添加し、下
記測定方法でダイオキシン濃度の測定を行った。廃棄物
焼却量は150t/24hr、排ガス流量は約40,0
00Nm3 /hr、バグフィルタに流入する排ガス中の
煤塵濃度は2.5g/Nm3 であり、バグフィルタ内の
平均ガス温度は220℃であった。
【0032】薬注条件 ダイオキシン生成反応抑制剤としてトリエタノールアミ
ンを、廃熱ボイラとガス冷却塔との間の排ガス温度が約
400℃の地点に注入した。注入量は200mg/Nm
3 −排ガス(煤塵に対し8重量%)とした。活性炭とし
ては平均粒径約20μmのピート炭を用い、排ガス1N
m3 に対し100mgの割合で、ガス冷却塔とバグフィ
ルタの間の排ガス温度約250℃程度の地点に注入し
た。
ンを、廃熱ボイラとガス冷却塔との間の排ガス温度が約
400℃の地点に注入した。注入量は200mg/Nm
3 −排ガス(煤塵に対し8重量%)とした。活性炭とし
ては平均粒径約20μmのピート炭を用い、排ガス1N
m3 に対し100mgの割合で、ガス冷却塔とバグフィ
ルタの間の排ガス温度約250℃程度の地点に注入し
た。
【0033】ダイオキシン濃度の測定方法 (財)廃棄物研究財団の「ダイオキシン類分析マニュア
ル」に準拠して試料採取及び分析を行った。なお、ダイ
オキシン分析用の試料は、バグフィルタ出口排ガス、集
塵灰の2点とした。
ル」に準拠して試料採取及び分析を行った。なお、ダイ
オキシン分析用の試料は、バグフィルタ出口排ガス、集
塵灰の2点とした。
【0034】結果を表1に示す。なお、表1にはトリエ
タノールアミン及び活性炭をいずれも添加しなかった場
合のダイオキシン濃度をブランクとして示す。
タノールアミン及び活性炭をいずれも添加しなかった場
合のダイオキシン濃度をブランクとして示す。
【0035】比較例1 活性炭を用いず、トリエタノールアミンのみを注入した
こと以外は実施例1と同様に行ってダイオキシン濃度を
測定し、結果を表1に示した。
こと以外は実施例1と同様に行ってダイオキシン濃度を
測定し、結果を表1に示した。
【0036】比較例2 トリエタノールアミンを用いず、活性炭のみを注入した
こと以外は実施例1と同様に行ってダイオキシン濃度を
測定し、結果を表1に示した。
こと以外は実施例1と同様に行ってダイオキシン濃度を
測定し、結果を表1に示した。
【0037】
【表1】
【0038】実施例2 実施例1と同一の焼却炉において、バグフィルタ内の平
均ガス温度が200℃となっていること以外は同一の条
件にて焼却を行い、下記薬注条件で抑制剤及び活性炭を
添加し、実施例1と同様にしてダイオキシン濃度の測定
を行った。
均ガス温度が200℃となっていること以外は同一の条
件にて焼却を行い、下記薬注条件で抑制剤及び活性炭を
添加し、実施例1と同様にしてダイオキシン濃度の測定
を行った。
【0039】薬注条件 ダイオキシン生成反応抑制剤として重炭酸アンモニウム
を、廃熱ボイラ手前の排ガス温度が約700℃の地点に
注入した。注入量は250mg/Nm3 −排ガス(煤塵
に対し10重量%)であった。また、実施例1で用いた
ものと同一の活性炭を、排ガス1Nm3 に対し100m
gの実施例1と同じ添加量でガス冷却塔とバグフィルタ
の間の排ガス温度約220℃程度の地点に注入した。
を、廃熱ボイラ手前の排ガス温度が約700℃の地点に
注入した。注入量は250mg/Nm3 −排ガス(煤塵
に対し10重量%)であった。また、実施例1で用いた
ものと同一の活性炭を、排ガス1Nm3 に対し100m
gの実施例1と同じ添加量でガス冷却塔とバグフィルタ
の間の排ガス温度約220℃程度の地点に注入した。
【0040】結果を表2に示す。なお、表2には重炭酸
アンモニウム及び活性炭を共に添加しなかった場合のダ
イオキシン濃度をブランクとして示す。
アンモニウム及び活性炭を共に添加しなかった場合のダ
イオキシン濃度をブランクとして示す。
【0041】比較例3 活性炭を用いず、重炭酸アンモニウムのみを注入したこ
と以外は実施例2と同様に行ってダイオキシン濃度を測
定し、結果を表2に示した。
と以外は実施例2と同様に行ってダイオキシン濃度を測
定し、結果を表2に示した。
【0042】比較例4 重炭酸アンモニウムを用いず、活性炭のみを注入したこ
と以外は実施例2と同様に行ってダイオキシン濃度を測
定し、結果を表2に示した。
と以外は実施例2と同様に行ってダイオキシン濃度を測
定し、結果を表2に示した。
【0043】比較例5 実施例2において、重炭酸アンモニウムを廃熱ボイラ手
前ではなく、炉出口の排ガス濃度約850℃の地点で注
入したこと以外は同様に行ってダイオキシン濃度を測定
し、結果を表2に示した。
前ではなく、炉出口の排ガス濃度約850℃の地点で注
入したこと以外は同様に行ってダイオキシン濃度を測定
し、結果を表2に示した。
【0044】
【表2】
【0045】実施例3 実施例1、2と同一の焼却炉において実施例2と全く同
一の条件にて焼却を行い、下記薬注条件で抑制剤及び活
性炭を添加し、実施例1と同様にしてダイオキシン濃度
の測定を行った。
一の条件にて焼却を行い、下記薬注条件で抑制剤及び活
性炭を添加し、実施例1と同様にしてダイオキシン濃度
の測定を行った。
【0046】薬注条件 ダイオキシン生成反応抑制剤として水酸化ナトリウムの
5重量%水溶液を、飛灰に対してNaOHが5重量%と
なるように排ガス温度350℃のガス冷却塔にて噴霧し
た。活性炭の添加条件は実施例2と同一とした。
5重量%水溶液を、飛灰に対してNaOHが5重量%と
なるように排ガス温度350℃のガス冷却塔にて噴霧し
た。活性炭の添加条件は実施例2と同一とした。
【0047】結果を表3に示す。なお、表3には水酸化
ナトリウム及び活性炭を共に添加しなかった場合のダイ
オキシン濃度をブランクとして示す。
ナトリウム及び活性炭を共に添加しなかった場合のダイ
オキシン濃度をブランクとして示す。
【0048】比較例6 活性炭を用いず、水酸化ナトリウムのみを注入したこと
以外は実施例3と同様に行ってダイオキシン濃度を測定
し、結果を表3に示した。
以外は実施例3と同様に行ってダイオキシン濃度を測定
し、結果を表3に示した。
【0049】比較例7 水酸化ナトリウムを用いず、活性炭のみを注入したこと
以外は実施例3と同様に行ってダイオキシン濃度を測定
し、結果を表3に示した。
以外は実施例3と同様に行ってダイオキシン濃度を測定
し、結果を表3に示した。
【0050】比較例8 実施例3において、水酸化ナトリウムの代りに消石灰
(Ca(OH)2 )を飛灰に対して5%の割合にてバグ
フィルタ手前の排ガス温度350℃の地点で注入したこ
と以外は同様に行ってダイオキシン濃度を測定し、結果
を表3に示した。
(Ca(OH)2 )を飛灰に対して5%の割合にてバグ
フィルタ手前の排ガス温度350℃の地点で注入したこ
と以外は同様に行ってダイオキシン濃度を測定し、結果
を表3に示した。
【0051】
【表3】
【0052】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のダイオキシ
ン類の生成防止方法によれば、焼却炉排ガス中のダイオ
キシンを効率的に低減すると共に、集塵手段におけるダ
イオキシンの生成を防止することができる。また、廃活
性炭処理量の低減を図ることができ、工業的に極めて有
利である。
ン類の生成防止方法によれば、焼却炉排ガス中のダイオ
キシンを効率的に低減すると共に、集塵手段におけるダ
イオキシンの生成を防止することができる。また、廃活
性炭処理量の低減を図ることができ、工業的に極めて有
利である。
【図1】本発明の実施の形態を説明する排ガス処理工程
の模式的断面図である。
の模式的断面図である。
1 焼却炉本体 2 電気集塵機 3 スクラバー 4 投入物 5 排ガス 6 ボトムアッシュ 7 煙道 8 飛灰 9 煙突
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 泉川 裕文 東京都新宿区西新宿3丁目4番7号 栗田 工業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 ダイオキシン前駆体及び飛灰を含む焼却
炉排ガスに、アミン化合物、アンモニア、アンモニウム
塩及びアルカリ金属化合物よりなる群から選ばれる1種
又は2種以上のダイオキシン生成反応抑制剤と活性炭を
添加してダイオキシン類の生成を防止する方法であっ
て、 該排ガスの温度が300〜750℃の条件下にて該ダイ
オキシン生成反応抑制剤を添加し、該排ガスの温度が2
00〜500℃の条件下にて活性炭を添加し、次いで集
塵することを特徴とするダイオキシン類の生成防止方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9159739A JPH115019A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | ダイオキシン類の生成防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9159739A JPH115019A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | ダイオキシン類の生成防止方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH115019A true JPH115019A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15700221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9159739A Pending JPH115019A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | ダイオキシン類の生成防止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH115019A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000354735A (ja) * | 1999-06-15 | 2000-12-26 | Kurita Water Ind Ltd | ダイオキシン類の生成防止剤及び生成防止方法 |
JP2006347781A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Ube Ind Ltd | 有機塩素化合物生成の抑制方法及びセメントの製造方法 |
CN113441028A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-28 | 南方科技大学 | 二噁英阻滞剂喷射装置、危废处理***及方法 |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP9159739A patent/JPH115019A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000354735A (ja) * | 1999-06-15 | 2000-12-26 | Kurita Water Ind Ltd | ダイオキシン類の生成防止剤及び生成防止方法 |
JP2006347781A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Ube Ind Ltd | 有機塩素化合物生成の抑制方法及びセメントの製造方法 |
JP4701847B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2011-06-15 | 宇部興産株式会社 | 有機塩素化合物生成の抑制方法及びセメントの製造方法 |
CN113441028A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-09-28 | 南方科技大学 | 二噁英阻滞剂喷射装置、危废处理***及方法 |
CN113441028B (zh) * | 2021-06-16 | 2023-09-26 | 南方科技大学 | 二噁英阻滞剂喷射装置、危废处理***及方法 |
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