JPH1140721A - リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法 - Google Patents
リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法Info
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- JPH1140721A JPH1140721A JP18962997A JP18962997A JPH1140721A JP H1140721 A JPH1140721 A JP H1140721A JP 18962997 A JP18962997 A JP 18962997A JP 18962997 A JP18962997 A JP 18962997A JP H1140721 A JPH1140721 A JP H1140721A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】リードの配置の制約を緩和し、ノイズによる誤
動作を極力低減することができるリードフレーム、半導
体装置およびそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】半導体チップ１０１の周辺に配置されて金
属線１０３により半導体チップ１０１に接続される複数
のリード１０４，１０６〜１０８を有するリードフレー
ムであって、複数のリードのうちの隣合う一対の信号用
リード１０６，１０７の間に配置されたノイズ低減用金
属片１０５を有する。
動作を極力低減することができるリードフレーム、半導
体装置およびそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】半導体チップ１０１の周辺に配置されて金
属線１０３により半導体チップ１０１に接続される複数
のリード１０４，１０６〜１０８を有するリードフレー
ムであって、複数のリードのうちの隣合う一対の信号用
リード１０６，１０７の間に配置されたノイズ低減用金
属片１０５を有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置のリ
ードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法に関
するものである。
ードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、図１８のような構
成となっている。図１８において、１０１が半導体チッ
プ、１０２がダイパッド、１０３が金属線、１０６が信
号Ａ用リード、１０７が信号Ｂ用リード、１０８が電源
リードもしくはグラウンドリード、１０９が封止用樹脂
である。リード１０６〜１０８はリードフレームに支持
されて半導体チップ１０１の周囲に配置され、封止用樹
脂により樹脂封止されるとともにリード１０６〜１０８
が支持されると、リードフレームから分離される。した
がって各リード１０６〜１０８間には、樹脂が入り込
み、信号Ａ用リード１０６と信号Ｂ用リード１０７間に
は、寄生容量が形成される。これにより、それぞれの信
号がお互いの信号に重畳され、ノイズ源となる。このた
め、ノイズによる誤動作や、信号・ノイズ比（Ｓ／Ｎ
比）の特性が得られない問題が生じていた。
成となっている。図１８において、１０１が半導体チッ
プ、１０２がダイパッド、１０３が金属線、１０６が信
号Ａ用リード、１０７が信号Ｂ用リード、１０８が電源
リードもしくはグラウンドリード、１０９が封止用樹脂
である。リード１０６〜１０８はリードフレームに支持
されて半導体チップ１０１の周囲に配置され、封止用樹
脂により樹脂封止されるとともにリード１０６〜１０８
が支持されると、リードフレームから分離される。した
がって各リード１０６〜１０８間には、樹脂が入り込
み、信号Ａ用リード１０６と信号Ｂ用リード１０７間に
は、寄生容量が形成される。これにより、それぞれの信
号がお互いの信号に重畳され、ノイズ源となる。このた
め、ノイズによる誤動作や、信号・ノイズ比（Ｓ／Ｎ
比）の特性が得られない問題が生じていた。
【０００３】そこで従来は、図１９に示すように、信号
Ａ用リード１０６と信号Ｂ用リード１０７間に電源リー
ド１０８などを設けて寄生容量を低減し、ノイズができ
るだけ重畳しないように、リードの配置には制約が設け
られていた。また、半導体装置から放散されるノイズに
よりシステムが誤動作するのを防ぐため、半導体周辺に
は、ノイズ対策部品を多数接続していた。
Ａ用リード１０６と信号Ｂ用リード１０７間に電源リー
ド１０８などを設けて寄生容量を低減し、ノイズができ
るだけ重畳しないように、リードの配置には制約が設け
られていた。また、半導体装置から放散されるノイズに
よりシステムが誤動作するのを防ぐため、半導体周辺に
は、ノイズ対策部品を多数接続していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置で
は、ノイズ対策のためリードの配置において制約を受け
ることがあった。また、半導体周辺にノイズ対策部品を
多数実装しなければならない。さらに、半導体チップそ
のものにも、ノイズ対策を施す必要があった。この発明
は、従来の半導体装置特にリードフレームの持つ上記の
問題点を解決するものであり、リードの配置の制約を緩
和し、ノイズによる誤動作を極力低減することができる
リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法を
提供することを目的とする。
は、ノイズ対策のためリードの配置において制約を受け
ることがあった。また、半導体周辺にノイズ対策部品を
多数実装しなければならない。さらに、半導体チップそ
のものにも、ノイズ対策を施す必要があった。この発明
は、従来の半導体装置特にリードフレームの持つ上記の
問題点を解決するものであり、リードの配置の制約を緩
和し、ノイズによる誤動作を極力低減することができる
リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のリードフ
レームは、半導体チップの周辺に配置されて接続線によ
り半導体チップに接続される複数のリードを有するリー
ドフレームであって、複数のリードのうちの隣合う一対
の信号用リードの間に配置されたノイズ低減用金属片を
有することを特徴とするものである。
レームは、半導体チップの周辺に配置されて接続線によ
り半導体チップに接続される複数のリードを有するリー
ドフレームであって、複数のリードのうちの隣合う一対
の信号用リードの間に配置されたノイズ低減用金属片を
有することを特徴とするものである。
【０００６】請求項１記載のリードフレームによれば、
信号用リードの間にダミーのノイズ低減用金属片を配置
することにより、リード間の寄生容量を低減するととも
に不要な輻射ノイズを反射するので、リード間のノイズ
干渉を防止でき、信号間の不要な輻射ノイズの低減が可
能となり、ノイズによる誤動作を極力低減することがで
きる。またリードの配置の制約を緩和することができ
る。
信号用リードの間にダミーのノイズ低減用金属片を配置
することにより、リード間の寄生容量を低減するととも
に不要な輻射ノイズを反射するので、リード間のノイズ
干渉を防止でき、信号間の不要な輻射ノイズの低減が可
能となり、ノイズによる誤動作を極力低減することがで
きる。またリードの配置の制約を緩和することができ
る。
【０００７】請求項２記載のリードフレームは、請求項
１において、半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片をダイパッドに接続したもので
ある。請求項２記載のリードフレームによれば、請求項
１と同様な効果のほか、放射されたノイズを速やかに半
導体チップより吸収し、ダイパッドを通じて逃すことが
できる。
１において、半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片をダイパッドに接続したもので
ある。請求項２記載のリードフレームによれば、請求項
１と同様な効果のほか、放射されたノイズを速やかに半
導体チップより吸収し、ダイパッドを通じて逃すことが
できる。
【０００８】請求項３記載のリードフレームは、請求項
２において、複数のリードのうち電源用リードまたはグ
ラウンド用リードをダイパッドに接続したものである。
請求項３記載のリードフレームによれば、請求項２と同
様な効果のほか、ノイズ低減用金属片に放射されたノイ
ズをダイパッド、電源用リード等を通じて速やかに電源
またはグラウンドに吸収できる。
２において、複数のリードのうち電源用リードまたはグ
ラウンド用リードをダイパッドに接続したものである。
請求項３記載のリードフレームによれば、請求項２と同
様な効果のほか、ノイズ低減用金属片に放射されたノイ
ズをダイパッド、電源用リード等を通じて速やかに電源
またはグラウンドに吸収できる。
【０００９】請求項４記載のリードフレームは、請求項
３において、電源用リードまたはグラウンド用リードを
金属線によりダイパッドに接続したものである。請求項
４記載のリードフレームによれば、請求項３と同様な効
果がある。請求項５記載のリードフレームは、請求項４
において、ノイズ低減用金属片を金属線によりダイパッ
ドに接続したものである。
３において、電源用リードまたはグラウンド用リードを
金属線によりダイパッドに接続したものである。請求項
４記載のリードフレームによれば、請求項３と同様な効
果がある。請求項５記載のリードフレームは、請求項４
において、ノイズ低減用金属片を金属線によりダイパッ
ドに接続したものである。
【００１０】請求項５記載のリードフレームによれば、
請求項４と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片に放
射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属線および電
源リードまたはダラウンドリードを通して電源またはダ
ラウンドに逃すことにらり不要な輻射ノイズを低減でき
る。請求項６記載の半導体装置は、半導体チップと、こ
の半導体チップの周辺に配置されて接続線により半導体
チップに接続された複数のリードと、半導体チップ上に
設けた電源またはグラウンドに接続されるボンディング
用パッドに金属線により接続されて複数のリードのうち
の隣合う一対の信号用リードの間に配置されたノイズ低
減用金属片とを備えたものである。
請求項４と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片に放
射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属線および電
源リードまたはダラウンドリードを通して電源またはダ
ラウンドに逃すことにらり不要な輻射ノイズを低減でき
る。請求項６記載の半導体装置は、半導体チップと、こ
の半導体チップの周辺に配置されて接続線により半導体
チップに接続された複数のリードと、半導体チップ上に
設けた電源またはグラウンドに接続されるボンディング
用パッドに金属線により接続されて複数のリードのうち
の隣合う一対の信号用リードの間に配置されたノイズ低
減用金属片とを備えたものである。
【００１１】請求項６記載の半導体装置によれば、ノイ
ズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、電源配
線、金属線、電源リードまたはグラウンドリードを通じ
て電源またはグラウンドに逃がすことと共に、信号用金
属線間の寄生容量をも低減することにより、不要な輻射
ノイズを低減し、リード間のノイズ干渉を防止すること
ができるとともに、ワイヤ間のノイズ干渉をも防止する
ことが可能となり、低ノイズ可能な半導体装置を提供で
きる。
ズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、電源配
線、金属線、電源リードまたはグラウンドリードを通じ
て電源またはグラウンドに逃がすことと共に、信号用金
属線間の寄生容量をも低減することにより、不要な輻射
ノイズを低減し、リード間のノイズ干渉を防止すること
ができるとともに、ワイヤ間のノイズ干渉をも防止する
ことが可能となり、低ノイズ可能な半導体装置を提供で
きる。
【００１２】請求項７記載のリードフレームは、請求項
１において、ノイズ低減用金属片が、複数のリードの全
てのリード間に配置されているものである。請求項７記
載のリードフレームによれば、請求項１と同様な効果の
ほか、リードの配置に自由度をもたせ任意配置が可能と
なり、製品毎にリードフレームを揃える必要がなくリー
ドフレームの共通化が行え、材料管理が行いやすい。
１において、ノイズ低減用金属片が、複数のリードの全
てのリード間に配置されているものである。請求項７記
載のリードフレームによれば、請求項１と同様な効果の
ほか、リードの配置に自由度をもたせ任意配置が可能と
なり、製品毎にリードフレームを揃える必要がなくリー
ドフレームの共通化が行え、材料管理が行いやすい。
【００１３】請求項８記載の半導体装置は、半導体チッ
プと、この半導体チップの周辺に配置されて接続線によ
り半導体チップに接続された複数のリードと、この複数
のリードの間に配置されて全てまたは一部が半導体チッ
プ上の電源またはグラウンドへの配線に金属線により接
続されたノイズ低減用金属片とを備えたものである。請
求項８記載の半導体装置によれば、請求項１または請求
項７と同様な効果のほか、各ノイズ低減用金属片は、半
導体チップ上の金属配線からそれぞれ電源電位またはグ
ラウンドに金属線により固定され、ノイズ低減用金属片
に放射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属線、電
源リードを通じて電源に逃がすことにより、不要な輻射
ノイズの低減を可能とするとともに、リード配置の決定
において、不要な輻射ノイズによる制約を不要とするこ
とができ、金属線間のノイズ干渉をも防止することがで
き、低ノイズ可能な半導体装置を提供できる。
プと、この半導体チップの周辺に配置されて接続線によ
り半導体チップに接続された複数のリードと、この複数
のリードの間に配置されて全てまたは一部が半導体チッ
プ上の電源またはグラウンドへの配線に金属線により接
続されたノイズ低減用金属片とを備えたものである。請
求項８記載の半導体装置によれば、請求項１または請求
項７と同様な効果のほか、各ノイズ低減用金属片は、半
導体チップ上の金属配線からそれぞれ電源電位またはグ
ラウンドに金属線により固定され、ノイズ低減用金属片
に放射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属線、電
源リードを通じて電源に逃がすことにより、不要な輻射
ノイズの低減を可能とするとともに、リード配置の決定
において、不要な輻射ノイズによる制約を不要とするこ
とができ、金属線間のノイズ干渉をも防止することがで
き、低ノイズ可能な半導体装置を提供できる。
【００１４】請求項９記載のリードフレームは、請求項
７において、半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片はダイパットに金属線により接
続されているものである。請求項９記載のリードフレー
ムによれば、請求項７と同様な効果がある。請求項１０
記載の半導体装置は、半導体チップと、この半導体チッ
プを支持するダイパッドと、半導体チップの周辺に配置
されて接続線により半導体チップに接続された複数のリ
ードと、この複数のリードの間に配置されてダイパッド
に接続されるとともに全てまたは一部が半導体チップ上
の電源またはグラウンドに接続されたパッドに金属線に
より接続されたノイズ低減用金属片とを備えたものであ
る。
７において、半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片はダイパットに金属線により接
続されているものである。請求項９記載のリードフレー
ムによれば、請求項７と同様な効果がある。請求項１０
記載の半導体装置は、半導体チップと、この半導体チッ
プを支持するダイパッドと、半導体チップの周辺に配置
されて接続線により半導体チップに接続された複数のリ
ードと、この複数のリードの間に配置されてダイパッド
に接続されるとともに全てまたは一部が半導体チップ上
の電源またはグラウンドに接続されたパッドに金属線に
より接続されたノイズ低減用金属片とを備えたものであ
る。
【００１５】請求項１０記載の半導体装置によれば、請
求項１または請求項７と同様な効果のほか、ノイズ低減
用金属片をダイパッドに接続しているので、全ノイズ低
減用金属片を金属線で半導体チップ上の電源またはグラ
ウンドに接続できない場合でも、ダイパッドを通じてノ
イズ低減用金属片を電源電位等に固定し、ノイズ低減用
金属片に放射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属
線、半導体チップの電源配線・電源リードを通じて電源
等に逃がすことにより、不要な輻射ノイズの低減を可能
とする。
求項１または請求項７と同様な効果のほか、ノイズ低減
用金属片をダイパッドに接続しているので、全ノイズ低
減用金属片を金属線で半導体チップ上の電源またはグラ
ウンドに接続できない場合でも、ダイパッドを通じてノ
イズ低減用金属片を電源電位等に固定し、ノイズ低減用
金属片に放射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属
線、半導体チップの電源配線・電源リードを通じて電源
等に逃がすことにより、不要な輻射ノイズの低減を可能
とする。
【００１６】請求項１１記載のリードフレームは、請求
項１において、ノイズ低減用金属片に樹脂密着用凹凸を
有するものである。請求項１１記載のリードフレームに
よれば、請求項１と同様な効果のほか、ノイズ低減用金
属片と封止用樹脂との密着性が良くなり、樹脂の剥離を
防止でき、半導体の品質向上が図れる。
項１において、ノイズ低減用金属片に樹脂密着用凹凸を
有するものである。請求項１１記載のリードフレームに
よれば、請求項１と同様な効果のほか、ノイズ低減用金
属片と封止用樹脂との密着性が良くなり、樹脂の剥離を
防止でき、半導体の品質向上が図れる。
【００１７】請求項１２記載のリードフレームは、請求
項１において、ノイズ低減用金属片に樹脂密着用穴を有
するものである。請求項１２記載のリードフレームによ
れば、請求項１および請求項１１と同様な効果がある。
請求項１３記載の半導体装置は、半導体チップと、この
半導体チップの周辺に配置されて接続線により半導体チ
ップに接続された複数のリードと、リードの間に配置さ
れたノイズ低減用金属片と、このノイズ低減用金属片が
内方に埋設されるように複数のリードの一部および半導
体チップを埋設した封止用樹脂とを備えたものである。
項１において、ノイズ低減用金属片に樹脂密着用穴を有
するものである。請求項１２記載のリードフレームによ
れば、請求項１および請求項１１と同様な効果がある。
請求項１３記載の半導体装置は、半導体チップと、この
半導体チップの周辺に配置されて接続線により半導体チ
ップに接続された複数のリードと、リードの間に配置さ
れたノイズ低減用金属片と、このノイズ低減用金属片が
内方に埋設されるように複数のリードの一部および半導
体チップを埋設した封止用樹脂とを備えたものである。
【００１８】請求項１３記載の半導体装置によれば、請
求項１と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片の端部
を封止用樹脂の内部に隠すことにより、半導体を雰囲気
中などに放置した場合、または雰囲気中で半導体に電圧
が印加された状態において、リード間などに針状金属が
成長するのを防ぎ、リード間またはリードとノイズ低減
用金属片間が短絡することを防止することができ、半導
体の品質向上が図れる。
求項１と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片の端部
を封止用樹脂の内部に隠すことにより、半導体を雰囲気
中などに放置した場合、または雰囲気中で半導体に電圧
が印加された状態において、リード間などに針状金属が
成長するのを防ぎ、リード間またはリードとノイズ低減
用金属片間が短絡することを防止することができ、半導
体の品質向上が図れる。
【００１９】請求項１４記載のリードフレームは、複数
のリードと、これらのリードを支持したリード支持金具
と、このリード支持金具に接続されて前記リードの間に
配置されたノイズ低減用金属片とを備えたものである。
請求項１４記載のリードフレームによれば、請求項１と
同様な効果のほか、リードフレームの作製時において、
各リードを支えるリード支持金属にノイズ低減用金属片
を接続することにより、リードフレーム管理時などにノ
イズ低減用金属片が飛散することを防止することがで
き、管理および取扱が行い易い。
のリードと、これらのリードを支持したリード支持金具
と、このリード支持金具に接続されて前記リードの間に
配置されたノイズ低減用金属片とを備えたものである。
請求項１４記載のリードフレームによれば、請求項１と
同様な効果のほか、リードフレームの作製時において、
各リードを支えるリード支持金属にノイズ低減用金属片
を接続することにより、リードフレーム管理時などにノ
イズ低減用金属片が飛散することを防止することがで
き、管理および取扱が行い易い。
【００２０】請求項１５記載のリードフレームは、半導
体チップを支持するダイパッドと、このダイパッドの周
囲に配置された複数のリードと、これらのリードを支持
したリード支持金具と、ダイパッドに接続されてリード
の間に配置されたノイズ低減用金属片とを備えたもので
ある。請求項１５記載のリードフレームによれば、請求
項１と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片をダイパ
ッドと一体とすることで、ノイズ低減用金属片を支持す
る金属を不要とし、リードフレーム管理時などにノイズ
吸収用金属片が飛散することを防止することができ、管
理および取扱が行い易い。
体チップを支持するダイパッドと、このダイパッドの周
囲に配置された複数のリードと、これらのリードを支持
したリード支持金具と、ダイパッドに接続されてリード
の間に配置されたノイズ低減用金属片とを備えたもので
ある。請求項１５記載のリードフレームによれば、請求
項１と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片をダイパ
ッドと一体とすることで、ノイズ低減用金属片を支持す
る金属を不要とし、リードフレーム管理時などにノイズ
吸収用金属片が飛散することを防止することができ、管
理および取扱が行い易い。
【００２１】請求項１６記載のリードフレームの製造方
法は、リードの間に配置するノイズ低減用金属片を前記
リードとともに一体に形成することを特徴とするもので
ある。請求項１６記載のリードフレームの製造方法によ
れば、ノイズ吸収用金属片をリード製造時に、リードと
同時に製造することにより、ノイズ低減用金属片の製造
にかかる時間を不要とすることができる。したがって、
低ノイズ可能なリードフレームのノイズ低減用金属片
を、従来のリードフレームの製造と同じ工程で製造する
ことが可能であり、従来と同じ時間で製造が可能とな
り、新たな設備を必要とせず、安価な方法で、低ノイズ
可能なリードフレームを供給することが可能である。
法は、リードの間に配置するノイズ低減用金属片を前記
リードとともに一体に形成することを特徴とするもので
ある。請求項１６記載のリードフレームの製造方法によ
れば、ノイズ吸収用金属片をリード製造時に、リードと
同時に製造することにより、ノイズ低減用金属片の製造
にかかる時間を不要とすることができる。したがって、
低ノイズ可能なリードフレームのノイズ低減用金属片
を、従来のリードフレームの製造と同じ工程で製造する
ことが可能であり、従来と同じ時間で製造が可能とな
り、新たな設備を必要とせず、安価な方法で、低ノイズ
可能なリードフレームを供給することが可能である。
【００２２】請求項１７記載の半導体装置の製造方法
は、リードおよびノイズ低減用金属片を有するリードフ
レームを形成する工程と、リードと半導体チップとを接
続する工程と、リードの一部、ノイズ低減用金属片およ
び半導体チップを樹脂封止する工程とを含み、ノイズ低
減用金属片のリードフレームからの切離しをリードの切
離しと同時に行なうことを特徴とするものである。
は、リードおよびノイズ低減用金属片を有するリードフ
レームを形成する工程と、リードと半導体チップとを接
続する工程と、リードの一部、ノイズ低減用金属片およ
び半導体チップを樹脂封止する工程とを含み、ノイズ低
減用金属片のリードフレームからの切離しをリードの切
離しと同時に行なうことを特徴とするものである。
【００２３】請求項１７記載の半導体装置の製造方法に
よれば、ノイズ低減用金属片のリードフレームからの切
離しをリードの切離しと同時に行なうことにより、ノイ
ズ低減用金属片の切離しに要する時間を不要にでき製造
が簡単になる。したがって、半導体組立時おいて、低ノ
イズ可能なリードフレームを、従来とまったく同様の手
法により組み立てることができ、なんら新たな設備など
を必要とせずに半導体装置を組み立てることが可能であ
る。
よれば、ノイズ低減用金属片のリードフレームからの切
離しをリードの切離しと同時に行なうことにより、ノイ
ズ低減用金属片の切離しに要する時間を不要にでき製造
が簡単になる。したがって、半導体組立時おいて、低ノ
イズ可能なリードフレームを、従来とまったく同様の手
法により組み立てることができ、なんら新たな設備など
を必要とせずに半導体装置を組み立てることが可能であ
る。
【００２４】請求項１８記載の半導体装置は、半導体チ
ップと、この半導体チップの周辺に配置されて接続線に
より前記半導体チップに接続された複数のリードと、ノ
イズ反射用の金属細粒を混合したものであって前記リー
ドの一部および前記半導体チップを埋設する封止用樹脂
とを備えたものである。請求項１８記載の半導体装置に
よれば、たとえば直径数μｍ以下の金属細粒を半導体封
止樹脂材料の数％混ぜることにより、不要な輻射ノイズ
が金属細粒により反射されるので、リードフレームにノ
イズ低減用金属片が無い場合でも、端子間の不要な輻射
ノイズを低減することができ、直接信号間のノイズ干渉
を少なくでき低ノイズ可能な半導体装置を提供すること
が可能である。
ップと、この半導体チップの周辺に配置されて接続線に
より前記半導体チップに接続された複数のリードと、ノ
イズ反射用の金属細粒を混合したものであって前記リー
ドの一部および前記半導体チップを埋設する封止用樹脂
とを備えたものである。請求項１８記載の半導体装置に
よれば、たとえば直径数μｍ以下の金属細粒を半導体封
止樹脂材料の数％混ぜることにより、不要な輻射ノイズ
が金属細粒により反射されるので、リードフレームにノ
イズ低減用金属片が無い場合でも、端子間の不要な輻射
ノイズを低減することができ、直接信号間のノイズ干渉
を少なくでき低ノイズ可能な半導体装置を提供すること
が可能である。
【００２５】
【発明の実施の形態】この発明の請求項１に対応する第
１の実施の形態を適用した半導体装置を図１に基づいて
説明する。図１は、第１の実施の形態の概略平面図であ
る。図１において、１０１は半導体チップ、１０２はダ
イパッド、１０３は金属線、１０４はリード、１０５は
ダミーのノイズ低減用金属片（以降、金属片とい
う。）、１０６は信号Ａを入力する信号Ａ用リード、１
０７は信号Ｂを入力する信号Ｂ用リード、１０８は電源
リードもしくはグラウンドリード、１０９は封止用樹脂
である。
１の実施の形態を適用した半導体装置を図１に基づいて
説明する。図１は、第１の実施の形態の概略平面図であ
る。図１において、１０１は半導体チップ、１０２はダ
イパッド、１０３は金属線、１０４はリード、１０５は
ダミーのノイズ低減用金属片（以降、金属片とい
う。）、１０６は信号Ａを入力する信号Ａ用リード、１
０７は信号Ｂを入力する信号Ｂ用リード、１０８は電源
リードもしくはグラウンドリード、１０９は封止用樹脂
である。
【００２６】この半導体装置のリードフレームは、半導
体チップ１０１の周辺に配置されて半導体チップ１０１
に接続線である金属線１０３により接続される複数のリ
ード１０４，１０６〜１０８を有し、複数のリード１０
４等のうちの隣合う一対の信号Ａ用リード１０６および
信号Ｂ用リード１０７の間に金属片１０５を配置してい
る。
体チップ１０１の周辺に配置されて半導体チップ１０１
に接続線である金属線１０３により接続される複数のリ
ード１０４，１０６〜１０８を有し、複数のリード１０
４等のうちの隣合う一対の信号Ａ用リード１０６および
信号Ｂ用リード１０７の間に金属片１０５を配置してい
る。
【００２７】信号Ａ用リード１０６から、信号Ｂ用リー
ド１０７には、金属片１０５を介して、寄生容量が形成
されるとともに、信号Ａ用リード１０６に対し信号Ｂに
静電遮蔽が形成される。このため、信号Ａの変化による
ノイズ成分は、１度金属片１０５を介して信号Ｂに放射
されるため、ノイズ成分は減衰される。また、金属片１
０５に放射されたノイズは、金属片１０５により散乱さ
れ、リード１０６からリード１０７へ直接放射されるノ
イズ量は大幅に低減される。これにより、隣合ったリー
ド同士のノイズ放射が減衰することとなる。
ド１０７には、金属片１０５を介して、寄生容量が形成
されるとともに、信号Ａ用リード１０６に対し信号Ｂに
静電遮蔽が形成される。このため、信号Ａの変化による
ノイズ成分は、１度金属片１０５を介して信号Ｂに放射
されるため、ノイズ成分は減衰される。また、金属片１
０５に放射されたノイズは、金属片１０５により散乱さ
れ、リード１０６からリード１０７へ直接放射されるノ
イズ量は大幅に低減される。これにより、隣合ったリー
ド同士のノイズ放射が減衰することとなる。
【００２８】第１の実施の形態によれば、信号用リード
１０６，１０７の間にダミーのノイズ低減用金属片１０
５を配置することにより、リード１０６，１０７間の寄
生容量を低減するとともに不要な輻射ノイズを反射する
ので、リード１０６，１０７間のノイズ干渉を防止で
き、信号間の不要な輻射ノイズの低減が可能となり、ノ
イズによる誤動作を極力低減することができる。またリ
ード１０４等の配置の制約を緩和することができる。
１０６，１０７の間にダミーのノイズ低減用金属片１０
５を配置することにより、リード１０６，１０７間の寄
生容量を低減するとともに不要な輻射ノイズを反射する
ので、リード１０６，１０７間のノイズ干渉を防止で
き、信号間の不要な輻射ノイズの低減が可能となり、ノ
イズによる誤動作を極力低減することができる。またリ
ード１０４等の配置の制約を緩和することができる。
【００２９】この発明の請求項２に対応する第２の実施
の形態を図２に基づいて説明する。図２において、２０
１は金属片接続用導体であり、第１の実施の形態の金属
片１０５を半導体チップ１０１のチップ基板であるダイ
パッド１０２に接続している。この金属片接続用導体２
０１は通常リードフレームと同種の金属を用い、リード
フレームの形成と同時に作成される。このように、リー
ド１０６，１０７間の金属片１０５をダイパッド１０２
に接続して、放射されたノイズを速やかに、半導体チッ
プ１０１より吸収し、チップ基板を通じて電源に逃がす
ことにより、ノイズを低減することができる。なお、金
属片接続用導体２０１は、リードフレームとは違う材質
の導体を用いても同様の効果が得られる。その他は第１
の実施の形態と同様である。
の形態を図２に基づいて説明する。図２において、２０
１は金属片接続用導体であり、第１の実施の形態の金属
片１０５を半導体チップ１０１のチップ基板であるダイ
パッド１０２に接続している。この金属片接続用導体２
０１は通常リードフレームと同種の金属を用い、リード
フレームの形成と同時に作成される。このように、リー
ド１０６，１０７間の金属片１０５をダイパッド１０２
に接続して、放射されたノイズを速やかに、半導体チッ
プ１０１より吸収し、チップ基板を通じて電源に逃がす
ことにより、ノイズを低減することができる。なお、金
属片接続用導体２０１は、リードフレームとは違う材質
の導体を用いても同様の効果が得られる。その他は第１
の実施の形態と同様である。
【００３０】この発明の請求項３に対応する第３の実施
の形態を図３に示す。図３において、３０１は第２の実
施の形態の電源リード（またはグラウンドリード）１０
８をダイパッド１０２に接続する電源リード接続用導体
である。これによりダイパッド１０２を電源もしくはグ
ラウンドに接続して、金属片１０５に放射されたノイズ
をダイパッド１０２、電源リード接続用導体３０１、電
源リード１０８を通じて、速やかに電源もしくはグラウ
ンドに逃して吸収することにより、ノイズを低減するこ
とができる。その他は第２の実施の形態と同様である。
なお、電源リード接続用導体３０１はリードフレームと
同じ金属その他の導体でもよく別の導体でもよい。
の形態を図３に示す。図３において、３０１は第２の実
施の形態の電源リード（またはグラウンドリード）１０
８をダイパッド１０２に接続する電源リード接続用導体
である。これによりダイパッド１０２を電源もしくはグ
ラウンドに接続して、金属片１０５に放射されたノイズ
をダイパッド１０２、電源リード接続用導体３０１、電
源リード１０８を通じて、速やかに電源もしくはグラウ
ンドに逃して吸収することにより、ノイズを低減するこ
とができる。その他は第２の実施の形態と同様である。
なお、電源リード接続用導体３０１はリードフレームと
同じ金属その他の導体でもよく別の導体でもよい。
【００３１】この発明の請求項４に対応する第４の実施
の形態を図４に示す。すなわち、図４において、４０１
は第２の実施の形態の電源リード（またはグラウンドリ
ード）１０８をダイパッド１０２に接続する電源リード
接続用金属線である。これにより、電源リード１０８と
ダイパッド１０２を接続し、金属片１０５に放射された
ノイズを、ダイパッド１０２、金属線４０１、電源リー
ド１０８を通じて、速やかに電源もしくはグラウンドに
逃がし、ノイズを低減することができる。
の形態を図４に示す。すなわち、図４において、４０１
は第２の実施の形態の電源リード（またはグラウンドリ
ード）１０８をダイパッド１０２に接続する電源リード
接続用金属線である。これにより、電源リード１０８と
ダイパッド１０２を接続し、金属片１０５に放射された
ノイズを、ダイパッド１０２、金属線４０１、電源リー
ド１０８を通じて、速やかに電源もしくはグラウンドに
逃がし、ノイズを低減することができる。
【００３２】また、このような構成によれば、リードフ
レームの形状に、リード配置が制限を受けること無く、
ノイズを低減することが可能である。この場合、電源リ
ード１０８は、半導体チップ１０１の基板が、Ｎ型半導
体であればにＶＤＤ電位リードを、Ｐ型半導体であれば
グラウンドリードをそれぞれ選択する必要がある。ま
た、半導体チップ１０１とダイパッド１０２が絶縁され
ている場合にはこの限りではない。その他は第３の実施
の形態と同様である。
レームの形状に、リード配置が制限を受けること無く、
ノイズを低減することが可能である。この場合、電源リ
ード１０８は、半導体チップ１０１の基板が、Ｎ型半導
体であればにＶＤＤ電位リードを、Ｐ型半導体であれば
グラウンドリードをそれぞれ選択する必要がある。ま
た、半導体チップ１０１とダイパッド１０２が絶縁され
ている場合にはこの限りではない。その他は第３の実施
の形態と同様である。
【００３３】この発明の請求項５に対応する第５の実施
の形態を図５に示す。すなわち、図５において、５０１
はノイズ低減用金属片１０５をダイパッド１０２に接続
する金属片接続用金属線である。図４と同様、電源リー
ド１０８とダイパッド１０１を金属線４０１で接続し、
ノイズ低減用金属片１０５に放射されたノイズを金属線
５０１、ダイパッド１０２、金属線４０１、電源リード
１０８を通じて電源もしくはグラウンドに逃がすことに
より、ノイズを低減するものである。その他は第４の実
施の形態と同様である。
の形態を図５に示す。すなわち、図５において、５０１
はノイズ低減用金属片１０５をダイパッド１０２に接続
する金属片接続用金属線である。図４と同様、電源リー
ド１０８とダイパッド１０１を金属線４０１で接続し、
ノイズ低減用金属片１０５に放射されたノイズを金属線
５０１、ダイパッド１０２、金属線４０１、電源リード
１０８を通じて電源もしくはグラウンドに逃がすことに
より、ノイズを低減するものである。その他は第４の実
施の形態と同様である。
【００３４】この発明の請求項６に対応する第６の実施
の形態を図６に示す。図６において、６０１は金属線、
６０２はパッドであり、ノイズ低減用金属片１０５を、
半導体チップ１０１上に設けた電源ライン（もしくはグ
ラウンドライン）から引き出されたパッド６０２と金属
線６０１を用いて接続している。これにより、ノイズ低
減用金属片１０５に放射されたノイズを金属線６０１お
よび電源配線を通じて電源もしくはグラウンドへ逃がす
ものである。また、この構成の場合、図１から図５の実
施の形態では、防げなかった各信号リードと半導体チッ
プをつなぐ金属配線間すなわちワイヤ間の寄生容量をも
低減することができる。このためより一層ノイズ低減が
可能となる。その他は第１の実施の形態と同様である。
の形態を図６に示す。図６において、６０１は金属線、
６０２はパッドであり、ノイズ低減用金属片１０５を、
半導体チップ１０１上に設けた電源ライン（もしくはグ
ラウンドライン）から引き出されたパッド６０２と金属
線６０１を用いて接続している。これにより、ノイズ低
減用金属片１０５に放射されたノイズを金属線６０１お
よび電源配線を通じて電源もしくはグラウンドへ逃がす
ものである。また、この構成の場合、図１から図５の実
施の形態では、防げなかった各信号リードと半導体チッ
プをつなぐ金属配線間すなわちワイヤ間の寄生容量をも
低減することができる。このためより一層ノイズ低減が
可能となる。その他は第１の実施の形態と同様である。
【００３５】この発明の請求項７に対応する第７の実施
の形態を図７に示す。図７は、ノイズ低減用金属片１０
５を、全リード１０４間に設けたリードフレームの概略
図である。この構成によれば、ノイズに対し注意が必要
な信号を、特定のリードに配属する必要がなく、任意の
リードに配置することが可能となる。また、リードフレ
ームの共通化が可能となり、リードフレームの在庫品種
数を少なくするメリットがある。その他は第１の実施の
形態と同様である。
の形態を図７に示す。図７は、ノイズ低減用金属片１０
５を、全リード１０４間に設けたリードフレームの概略
図である。この構成によれば、ノイズに対し注意が必要
な信号を、特定のリードに配属する必要がなく、任意の
リードに配置することが可能となる。また、リードフレ
ームの共通化が可能となり、リードフレームの在庫品種
数を少なくするメリットがある。その他は第１の実施の
形態と同様である。
【００３６】この発明の請求項８に対応する第８の実施
の形態を図８に示す。図８は、ノイズ低減用金属片１０
５を信号Ａ用リード１０６、信号Ｂ用リード１０７およ
び他の信号入出力リード１０４の全リード間に設け、こ
の各金属片１０５を、半導体チップ１０１上の電源配線
から引き出して設けたダイパッドと金属線６０１を用い
て接続している。
の形態を図８に示す。図８は、ノイズ低減用金属片１０
５を信号Ａ用リード１０６、信号Ｂ用リード１０７およ
び他の信号入出力リード１０４の全リード間に設け、こ
の各金属片１０５を、半導体チップ１０１上の電源配線
から引き出して設けたダイパッドと金属線６０１を用い
て接続している。
【００３７】この構成の場合、図７と同様にリード配置
は任意となり、特別にノイズに弱い信号用リードやノイ
ズを出す信号用リードを任意の位置に配置できる。さら
に、全信号用リード間にノイズ低減用金属片１０５と金
属線６０１を設けることとなり、全信号線のノイズ干渉
を低減可能にできる。また、この構成の場合、全ノイズ
低減用金属片１０５を金属線６０１で接続する必要はな
く、任意の信号用リードのみ金属線６０１で接続しても
同様の効果を得ることができる。その他は第７の実施の
形態と同様である。
は任意となり、特別にノイズに弱い信号用リードやノイ
ズを出す信号用リードを任意の位置に配置できる。さら
に、全信号用リード間にノイズ低減用金属片１０５と金
属線６０１を設けることとなり、全信号線のノイズ干渉
を低減可能にできる。また、この構成の場合、全ノイズ
低減用金属片１０５を金属線６０１で接続する必要はな
く、任意の信号用リードのみ金属線６０１で接続しても
同様の効果を得ることができる。その他は第７の実施の
形態と同様である。
【００３８】この発明の請求項９に対応する第９の実施
の形態を図９に示す。図９は、ノイズ低減用金属片１０
５とダイパッド１０２を金属線９０１で接続し、金属片
１０５に放射されたノイズを吸収するものである。この
構成において、電源リード（もしくはグラウンドリー
ド）１０８から、金属線９０１でダイパッド１０２を接
続すればさらにノイズ吸収が可能となる。また、ダイッ
パッド１０２を半導体チップ１０１上に設けたパッドよ
り、電源もしくはグラウンドに接続することにより、さ
らにノイズ低減が可能である。その他は第７の実施の形
態と同様である。
の形態を図９に示す。図９は、ノイズ低減用金属片１０
５とダイパッド１０２を金属線９０１で接続し、金属片
１０５に放射されたノイズを吸収するものである。この
構成において、電源リード（もしくはグラウンドリー
ド）１０８から、金属線９０１でダイパッド１０２を接
続すればさらにノイズ吸収が可能となる。また、ダイッ
パッド１０２を半導体チップ１０１上に設けたパッドよ
り、電源もしくはグラウンドに接続することにより、さ
らにノイズ低減が可能である。その他は第７の実施の形
態と同様である。
【００３９】この発明の請求項１０に対応する第１０の
実施の形態を図１０に示す。図１０において、１００１
は金属もしくは導体である。図１０の構成において、ノ
イズ低減用金属片１０５とダイパッド１０２を金属もし
くは導体１００１で接続している。さらに、ノイズ低減
用金属片１０５と半導体チップ１０１上に設けた電源も
しくはグラウンドに接続されるパッドとを、金属配線を
用いて接続した構造を持つものである。
実施の形態を図１０に示す。図１０において、１００１
は金属もしくは導体である。図１０の構成において、ノ
イズ低減用金属片１０５とダイパッド１０２を金属もし
くは導体１００１で接続している。さらに、ノイズ低減
用金属片１０５と半導体チップ１０１上に設けた電源も
しくはグラウンドに接続されるパッドとを、金属配線を
用いて接続した構造を持つものである。
【００４０】この構成によれば、全リード１０４間およ
び金属配線１０３間のノイズを吸収することが可能であ
る。さらに、全リード１０４間のノイズ低減用金属片１
０５を、金属線６０１で電源もしくはグラウンドに接続
できなくても、ダイパッド１０２を通じ、ノイズ低減用
金属片１０５に放射されたノイズは、ダイパッド１０
２、金属線１０３、電源配線もしくはグラウンド配線を
通じて、電源もしくはグランウンドに逃がすことができ
る。さらに、この構成を用いれば、半導体チップ１０１
上の電源配線もしくはグラウンド配線が細い場合でも、
ダイパッド１０２を通じて供給できるメリットがあり、
電源インピーダンスを落とすことが可能となる。ノイズ
削減のポイントの一つに電源インピーダンスを低減する
ことが広く知られている。従って、この面からも、ノイ
ズ低減が可能である。この構成において、電源リード
（もしくはグラウンドリード）１０８からダイパッド１
０２に金属線１０３を用いて接続した場合も同様の効果
が得られる。また、ノイズ低減用金属片１０５とダイパ
ッド１０２間の金属線は、任意の信号線間のみで、ノイ
ズ低減が可能である。
び金属配線１０３間のノイズを吸収することが可能であ
る。さらに、全リード１０４間のノイズ低減用金属片１
０５を、金属線６０１で電源もしくはグラウンドに接続
できなくても、ダイパッド１０２を通じ、ノイズ低減用
金属片１０５に放射されたノイズは、ダイパッド１０
２、金属線１０３、電源配線もしくはグラウンド配線を
通じて、電源もしくはグランウンドに逃がすことができ
る。さらに、この構成を用いれば、半導体チップ１０１
上の電源配線もしくはグラウンド配線が細い場合でも、
ダイパッド１０２を通じて供給できるメリットがあり、
電源インピーダンスを落とすことが可能となる。ノイズ
削減のポイントの一つに電源インピーダンスを低減する
ことが広く知られている。従って、この面からも、ノイ
ズ低減が可能である。この構成において、電源リード
（もしくはグラウンドリード）１０８からダイパッド１
０２に金属線１０３を用いて接続した場合も同様の効果
が得られる。また、ノイズ低減用金属片１０５とダイパ
ッド１０２間の金属線は、任意の信号線間のみで、ノイ
ズ低減が可能である。
【００４１】なお、上記のような構成において、ノイズ
低減用金属片１０５の寸法および形状が他のような物で
あっても、同様の効果が得られる。また、ノイズ低減用
金属片１０５と半導体チップ１０１もしくはダイパッド
１０２をつなぐ金属線の線径および形状が他の物であっ
ても、同様の効果が得られる。その他は第８の実施の形
態と同様である。
低減用金属片１０５の寸法および形状が他のような物で
あっても、同様の効果が得られる。また、ノイズ低減用
金属片１０５と半導体チップ１０１もしくはダイパッド
１０２をつなぐ金属線の線径および形状が他の物であっ
ても、同様の効果が得られる。その他は第８の実施の形
態と同様である。
【００４２】この発明の請求項１１に対応する第１１の
実施の形態を図１１に示す。図１１において、１１０１
は樹脂封止密着用凹凸である。これは、ノイズ低減用金
属片１０５の短部に凹凸を設けたものである。従来、リ
ード部の面積が大きくなると、封止用樹脂の密着性が悪
くなり、樹脂が含有する水分が、半田リフロー時に膨張
して、パッケージクラックを起こすことが知られてい
る。この構成によれば、ノイズ低減用金属片１０５の面
積を小さくすることができ、さらに樹脂との密着面積を
大きく取ることが可能となり、パッケージクラックを防
止することが可能である。この場合、凹凸の形状が長方
形以外でも同様の効果がある。また、凹凸の数は多い程
良いが、１個でも同様の効果がある。その他は第７の実
施の形態と同様である。なお金属片１０５が全リード間
に設けられているが、第１の実施の形態のように１個の
場合にも適用することができる。
実施の形態を図１１に示す。図１１において、１１０１
は樹脂封止密着用凹凸である。これは、ノイズ低減用金
属片１０５の短部に凹凸を設けたものである。従来、リ
ード部の面積が大きくなると、封止用樹脂の密着性が悪
くなり、樹脂が含有する水分が、半田リフロー時に膨張
して、パッケージクラックを起こすことが知られてい
る。この構成によれば、ノイズ低減用金属片１０５の面
積を小さくすることができ、さらに樹脂との密着面積を
大きく取ることが可能となり、パッケージクラックを防
止することが可能である。この場合、凹凸の形状が長方
形以外でも同様の効果がある。また、凹凸の数は多い程
良いが、１個でも同様の効果がある。その他は第７の実
施の形態と同様である。なお金属片１０５が全リード間
に設けられているが、第１の実施の形態のように１個の
場合にも適用することができる。
【００４３】この発明の請求項１２に対応する第１２の
実施の形態を図１２に示す。図１２において、１２０１
はノイズ吸収用金属片１０５に形成された穴である。こ
れにより、図１１と同様に樹脂の密着性を向上させ、パ
ッケージクラックを防止することが可能である。図で
は、穴は丸形であるが、他の形状でも同様の効果が得ら
れる。また穴の数および大きさは任意であり、いずれも
同等の効果が得られる。その他は第１１の実施の形態と
同様である。
実施の形態を図１２に示す。図１２において、１２０１
はノイズ吸収用金属片１０５に形成された穴である。こ
れにより、図１１と同様に樹脂の密着性を向上させ、パ
ッケージクラックを防止することが可能である。図で
は、穴は丸形であるが、他の形状でも同様の効果が得ら
れる。また穴の数および大きさは任意であり、いずれも
同等の効果が得られる。その他は第１１の実施の形態と
同様である。
【００４４】この発明の請求項１３に対応する第１３の
実施の形態を図１３に示す。図１３は、第１０の実施の
形態において、ノイズ低減用金属片１０５の端が半導体
パッケージ表面に出ないように封止用樹脂１０９で金属
片１０５を被覆し金属片１０５と封止用樹脂１０９の表
面との間に絶縁ギャップ１３０１を設けた構成である。
第１０の実施の形態で半導体パッケージの外側に、金属
片１０５の表面が見えている場合、電圧バイアス、空気
中の湿度の関係で、半導体パッケージ表面に金属針が成
長し、金属片１０５と信号用リード１０６，１０７、も
しくはリード１０４，１０６，１０７，１０８同士が、
短絡してしまうことが考えられる。このため、あらかじ
め金属片１０５を半導体パッケージよりも短くすなわち
封止用樹脂１０９の内方に位置しておくことで、パッケ
ージ表面に金属片１０５が出ない構成としたものであ
る。この構成により、上記のような短絡現象を防ぐと共
に、ノイズを低減することを可能となる。
実施の形態を図１３に示す。図１３は、第１０の実施の
形態において、ノイズ低減用金属片１０５の端が半導体
パッケージ表面に出ないように封止用樹脂１０９で金属
片１０５を被覆し金属片１０５と封止用樹脂１０９の表
面との間に絶縁ギャップ１３０１を設けた構成である。
第１０の実施の形態で半導体パッケージの外側に、金属
片１０５の表面が見えている場合、電圧バイアス、空気
中の湿度の関係で、半導体パッケージ表面に金属針が成
長し、金属片１０５と信号用リード１０６，１０７、も
しくはリード１０４，１０６，１０７，１０８同士が、
短絡してしまうことが考えられる。このため、あらかじ
め金属片１０５を半導体パッケージよりも短くすなわち
封止用樹脂１０９の内方に位置しておくことで、パッケ
ージ表面に金属片１０５が出ない構成としたものであ
る。この構成により、上記のような短絡現象を防ぐと共
に、ノイズを低減することを可能となる。
【００４５】なお、この実施の形態は第１０の実施の形
態に限らず、請求項１〜１２に対応する第１から第１２
の実施の形態に適用することができる。この発明の請求
項１４に対応する第１４の実施の形態を図１４に示す。
図１４において、１４０１はつりリード、１４０２はリ
ード支持金属、１４０３はリード、１４０４はノイズ低
減用金属片支持金属、１４０５は封止用樹脂、１４０６
はダイパッド、１４０７はリード１４０３間に設けたノ
イズ低減用金属片である。ノイズ低減用金属片１４０７
は、リード支持金属１４０２とノイズ低減用金属片支持
金属１４０４により接続される。これにより、リードフ
レーム管理時および扱い時において、ノイズ低減用金属
片１０５が飛散することを防止でき、低ノイズが可能に
なる。
態に限らず、請求項１〜１２に対応する第１から第１２
の実施の形態に適用することができる。この発明の請求
項１４に対応する第１４の実施の形態を図１４に示す。
図１４において、１４０１はつりリード、１４０２はリ
ード支持金属、１４０３はリード、１４０４はノイズ低
減用金属片支持金属、１４０５は封止用樹脂、１４０６
はダイパッド、１４０７はリード１４０３間に設けたノ
イズ低減用金属片である。ノイズ低減用金属片１４０７
は、リード支持金属１４０２とノイズ低減用金属片支持
金属１４０４により接続される。これにより、リードフ
レーム管理時および扱い時において、ノイズ低減用金属
片１０５が飛散することを防止でき、低ノイズが可能に
なる。
【００４６】なお、この実施の形態は、請求項１から１
３に対応する第１から第１３の実施の形態に適用するこ
とができる。この発明の請求項１５に対応する第１５の
実施の形態を図１５に示す。図１５において、１５０１
はノイズ低減用金属片接続導体である。ノイズ低減用金
属片１０５は図１４と違い接続導体１５０１によりダイ
パッド１４０６に接続される。これにより、低ノイズ可
能なリードフレームの管理時および扱い時において、ノ
イズ低減用金属片１０５が飛散することを防止できる、
低ノイズ可能なリードフレームを提供できる。その他は
第１４の実施の形態と同様である。
３に対応する第１から第１３の実施の形態に適用するこ
とができる。この発明の請求項１５に対応する第１５の
実施の形態を図１５に示す。図１５において、１５０１
はノイズ低減用金属片接続導体である。ノイズ低減用金
属片１０５は図１４と違い接続導体１５０１によりダイ
パッド１４０６に接続される。これにより、低ノイズ可
能なリードフレームの管理時および扱い時において、ノ
イズ低減用金属片１０５が飛散することを防止できる、
低ノイズ可能なリードフレームを提供できる。その他は
第１４の実施の形態と同様である。
【００４７】この発明の請求項１６に対応する第１６の
実施の形態の低ノイズの可能なリードフレームの製造方
法について、図１４および図１５を参照して説明する。
図１４において、リード１４０３、ダイパッド１４０
６、つりリード１４０１が、一枚の金属板から、エッチ
ングもしくはプレスにより同時に製造される。ノイズ低
減用金属片１４０７はノイズ低減用金属片支持金属１４
０４により、リード支持金属１４０２につながる用に製
造される。これにより、ノイズ低減用金属片１４０７お
よび支持金属１４０２は、リードフレームと一体で成形
されることになり、ノイズ低減用金属片１４０７を製造
する特別な工程を必要とせず従来と同じ時間および同じ
設備で低ノイズ可能なリードフレームを製造することが
できる。また、図１５に示すリードフレームのように、
ノイズ低減用金属片１４０７をダイパッド１４０６に接
続する場合も同様に、リードフレームと一体で作ること
が可能である。
実施の形態の低ノイズの可能なリードフレームの製造方
法について、図１４および図１５を参照して説明する。
図１４において、リード１４０３、ダイパッド１４０
６、つりリード１４０１が、一枚の金属板から、エッチ
ングもしくはプレスにより同時に製造される。ノイズ低
減用金属片１４０７はノイズ低減用金属片支持金属１４
０４により、リード支持金属１４０２につながる用に製
造される。これにより、ノイズ低減用金属片１４０７お
よび支持金属１４０２は、リードフレームと一体で成形
されることになり、ノイズ低減用金属片１４０７を製造
する特別な工程を必要とせず従来と同じ時間および同じ
設備で低ノイズ可能なリードフレームを製造することが
できる。また、図１５に示すリードフレームのように、
ノイズ低減用金属片１４０７をダイパッド１４０６に接
続する場合も同様に、リードフレームと一体で作ること
が可能である。
【００４８】この発明の請求項１７に対応する第１７の
実施の形態の低ノイズの可能な半導体装置の製造方法に
付いて、図１４および図１５を参照しながら説明する。
一般に半導体装置の組立は、封止用樹脂１４０５による
樹脂封止後、リード１４０３の切り離し、リード曲げ、
およびめっきの順番で行われる。リード１４０３の切り
離し時に、リード支持金属１４０２が切断され、リード
１４０３が独立することになる。この際にノイズ低減用
支持金属１４０４を同時に切断することにより、ノイズ
低減用金属片１４０７を独立させる。上記のように、ノ
イズ低減用支持金属１４０４の切断をリード支持金属１
４０２の切断と同時に行って半導体を製造することによ
り、一部金型を変更するだけで、従来と全く同一の方法
および同一の時間でノイズ低減可能なリードフレームを
用いた半導体装置を製造することができる。また図１５
のようにノイズ低減用金属片１４０７を、ダイパッド１
４０６に接続した場合は、従来と全く同様の方法および
時間で、金型も変更すること無く、ノイズ低減用リード
フレームを用いた半導体装置を製造することができる。
実施の形態の低ノイズの可能な半導体装置の製造方法に
付いて、図１４および図１５を参照しながら説明する。
一般に半導体装置の組立は、封止用樹脂１４０５による
樹脂封止後、リード１４０３の切り離し、リード曲げ、
およびめっきの順番で行われる。リード１４０３の切り
離し時に、リード支持金属１４０２が切断され、リード
１４０３が独立することになる。この際にノイズ低減用
支持金属１４０４を同時に切断することにより、ノイズ
低減用金属片１４０７を独立させる。上記のように、ノ
イズ低減用支持金属１４０４の切断をリード支持金属１
４０２の切断と同時に行って半導体を製造することによ
り、一部金型を変更するだけで、従来と全く同一の方法
および同一の時間でノイズ低減可能なリードフレームを
用いた半導体装置を製造することができる。また図１５
のようにノイズ低減用金属片１４０７を、ダイパッド１
４０６に接続した場合は、従来と全く同様の方法および
時間で、金型も変更すること無く、ノイズ低減用リード
フレームを用いた半導体装置を製造することができる。
【００４９】なお、この発明の請求項１から請求項１７
に対応する第１の実施の形態から第１７の実施の形態に
おいて、ノイズ低減用金属片１４０７が、リード１４０
３より厚い形状を持っている場合は、ノイズ減衰が顕著
であるが、リード１４０３と同じ厚さもしくはリード１
４０３よりも薄い場合でも第１７の実施の形態と同様の
効果が得られる。
に対応する第１の実施の形態から第１７の実施の形態に
おいて、ノイズ低減用金属片１４０７が、リード１４０
３より厚い形状を持っている場合は、ノイズ減衰が顕著
であるが、リード１４０３と同じ厚さもしくはリード１
４０３よりも薄い場合でも第１７の実施の形態と同様の
効果が得られる。
【００５０】この発明の請求項１８に対応する第１８の
実施の形態の半導体装置について、図１６および図１７
を用いて説明する。図１６において、１６０１はリー
ド、１６０２は半導体封止用樹脂、１６０３は金属細粒
である。図１７は図１６のＡ−Ａ’を結ぶ線に沿った断
面図である。図１７において、１７０１は金属線、１７
０２はダイパッド、１７０３は半導体チップである。一
般に金属の細粒による静電遮蔽効果により電波が乱反射
されることは良く知られている。この発明では、図１６
および図１７の構成において、半導体封止用樹脂１６０
２内でリード１６０１および金属線１７０１から放射さ
れたノイズは、樹脂封止ないに均一に混ぜられた大きさ
数μｍ以下の金属細粒１６０３により、乱反射される。
このため、リード１６０１および金属線１７０１から放
射されたノイズは、他のリード１６０１および金属線１
７０１に到達するまでに大幅に減衰する。このため、従
来より大幅にノイズ低減が可能となる。さらに、この発
明によれば、外来からのノイズにより半導体が誤動作す
ることも同様に防げる利点がある。また、金属細粒１６
０３を、封止用樹脂の数％以下に抑えているため、リー
ド１６０１および金属配線が短絡するなどの不具合は生
じない。金属細粒１６０３の材料としては、アルミ、
金、鉄等の金属元素および金属化合物および導伝性樹脂
などが挙げられる。
実施の形態の半導体装置について、図１６および図１７
を用いて説明する。図１６において、１６０１はリー
ド、１６０２は半導体封止用樹脂、１６０３は金属細粒
である。図１７は図１６のＡ−Ａ’を結ぶ線に沿った断
面図である。図１７において、１７０１は金属線、１７
０２はダイパッド、１７０３は半導体チップである。一
般に金属の細粒による静電遮蔽効果により電波が乱反射
されることは良く知られている。この発明では、図１６
および図１７の構成において、半導体封止用樹脂１６０
２内でリード１６０１および金属線１７０１から放射さ
れたノイズは、樹脂封止ないに均一に混ぜられた大きさ
数μｍ以下の金属細粒１６０３により、乱反射される。
このため、リード１６０１および金属線１７０１から放
射されたノイズは、他のリード１６０１および金属線１
７０１に到達するまでに大幅に減衰する。このため、従
来より大幅にノイズ低減が可能となる。さらに、この発
明によれば、外来からのノイズにより半導体が誤動作す
ることも同様に防げる利点がある。また、金属細粒１６
０３を、封止用樹脂の数％以下に抑えているため、リー
ド１６０１および金属配線が短絡するなどの不具合は生
じない。金属細粒１６０３の材料としては、アルミ、
金、鉄等の金属元素および金属化合物および導伝性樹脂
などが挙げられる。
【００５１】
【発明の効果】請求項１記載のリードフレームによれ
ば、信号用リードの間にダミーのノイズ低減用金属片を
配置することにより、リード間の寄生容量を低減すると
ともに不要な輻射ノイズを反射するので、リード間のノ
イズ干渉を防止でき、信号間の不要な輻射ノイズの低減
が可能となり、ノイズによる誤動作を極力低減すること
ができる。またリードの配置の制約を緩和することがで
きる。
ば、信号用リードの間にダミーのノイズ低減用金属片を
配置することにより、リード間の寄生容量を低減すると
ともに不要な輻射ノイズを反射するので、リード間のノ
イズ干渉を防止でき、信号間の不要な輻射ノイズの低減
が可能となり、ノイズによる誤動作を極力低減すること
ができる。またリードの配置の制約を緩和することがで
きる。
【００５２】請求項２記載のリードフレームによれば、
請求項１と同様な効果のほか、放射されたノイズを速や
かに半導体チップより吸収し、ダイパッドを通じて逃す
ことができる。請求項３記載のリードフレームによれ
ば、請求項２と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片
に放射されたノイズをダイパッド、電源用リード等を通
じて速やかに電源またはグラウンドに吸収できる。
請求項１と同様な効果のほか、放射されたノイズを速や
かに半導体チップより吸収し、ダイパッドを通じて逃す
ことができる。請求項３記載のリードフレームによれ
ば、請求項２と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片
に放射されたノイズをダイパッド、電源用リード等を通
じて速やかに電源またはグラウンドに吸収できる。
【００５３】請求項４記載のリードフレームによれば、
請求項３と同様な効果がある。請求項５記載のリードフ
レームによれば、請求項４と同様な効果のほか、ノイズ
低減用金属片に放射されたノイズを金属線、ダイパッ
ド、金属線および電源リードまたはダラウンドリードを
通して電源またはダラウンドに逃すことにらり不要な輻
射ノイズを低減できる。
請求項３と同様な効果がある。請求項５記載のリードフ
レームによれば、請求項４と同様な効果のほか、ノイズ
低減用金属片に放射されたノイズを金属線、ダイパッ
ド、金属線および電源リードまたはダラウンドリードを
通して電源またはダラウンドに逃すことにらり不要な輻
射ノイズを低減できる。
【００５４】請求項６記載の半導体装置によれば、ノイ
ズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、電源配
線、金属線、電源リードまたはグラウンドリードを通じ
て電源またはグラウンドに逃がすことと共に、信号用金
属線間の寄生容量をも低減することにより、不要な輻射
ノイズを低減し、リード間のノイズ干渉を防止すること
ができるとともに、ワイヤ間のノイズ干渉をも防止する
ことが可能となり、低ノイズ可能な半導体装置を提供で
きる。
ズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、電源配
線、金属線、電源リードまたはグラウンドリードを通じ
て電源またはグラウンドに逃がすことと共に、信号用金
属線間の寄生容量をも低減することにより、不要な輻射
ノイズを低減し、リード間のノイズ干渉を防止すること
ができるとともに、ワイヤ間のノイズ干渉をも防止する
ことが可能となり、低ノイズ可能な半導体装置を提供で
きる。
【００５５】請求項７記載のリードフレームによれば、
請求項１と同様な効果のほか、リードの配置に自由度を
もたせ任意配置が可能となり、製品毎にリードフレーム
を揃える必要がなくリードフレームの共通化が行え、材
料管理が行いやすい。請求項８記載の半導体装置によれ
ば、請求項１または請求項７と同様な効果のほか、各ノ
イズ低減用金属片は、半導体チップ上の金属配線からそ
れぞれ電源電位またはグラウンドに金属線により固定さ
れ、ノイズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、
ダイパッド、金属線、電源リードを通じて電源に逃がす
ことにより、不要な輻射ノイズの低減を可能とするとと
もに、リード配置の決定において、不要な輻射ノイズに
よる制約を不要とすることができ、金属線間のノイズ干
渉をも防止することができ、低ノイズ可能な半導体装置
を提供できる。
請求項１と同様な効果のほか、リードの配置に自由度を
もたせ任意配置が可能となり、製品毎にリードフレーム
を揃える必要がなくリードフレームの共通化が行え、材
料管理が行いやすい。請求項８記載の半導体装置によれ
ば、請求項１または請求項７と同様な効果のほか、各ノ
イズ低減用金属片は、半導体チップ上の金属配線からそ
れぞれ電源電位またはグラウンドに金属線により固定さ
れ、ノイズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、
ダイパッド、金属線、電源リードを通じて電源に逃がす
ことにより、不要な輻射ノイズの低減を可能とするとと
もに、リード配置の決定において、不要な輻射ノイズに
よる制約を不要とすることができ、金属線間のノイズ干
渉をも防止することができ、低ノイズ可能な半導体装置
を提供できる。
【００５６】請求項９記載のリードフレームによれば、
請求項７と同様な効果がある。請求項１０記載の半導体
装置によれば、請求項１または請求項７と同様な効果の
ほか、ノイズ低減用金属片をダイパッドに接続している
ので、全ノイズ低減用金属片を金属線で半導体チップ上
の電源またはグラウンドに接続できない場合でも、ダイ
パッドを通じてノイズ低減用金属片を電源電位等に固定
し、ノイズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、
ダイパッド、金属線、半導体チップの電源配線・電源リ
ードを通じて電源等に逃がすことにより、不要な輻射ノ
イズの低減を可能とする。
請求項７と同様な効果がある。請求項１０記載の半導体
装置によれば、請求項１または請求項７と同様な効果の
ほか、ノイズ低減用金属片をダイパッドに接続している
ので、全ノイズ低減用金属片を金属線で半導体チップ上
の電源またはグラウンドに接続できない場合でも、ダイ
パッドを通じてノイズ低減用金属片を電源電位等に固定
し、ノイズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、
ダイパッド、金属線、半導体チップの電源配線・電源リ
ードを通じて電源等に逃がすことにより、不要な輻射ノ
イズの低減を可能とする。
【００５７】請求項１１記載のリードフレームによれ
ば、請求項１と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片
と封止用樹脂との密着性が良くなり、樹脂の剥離を防止
でき、半導体の品質向上が図れる。請求項１２記載のリ
ードフレームによれば、請求項１および請求項１１と同
様な効果がある。
ば、請求項１と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片
と封止用樹脂との密着性が良くなり、樹脂の剥離を防止
でき、半導体の品質向上が図れる。請求項１２記載のリ
ードフレームによれば、請求項１および請求項１１と同
様な効果がある。
【００５８】請求項１３記載の半導体装置によれば、請
求項１と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片の端部
を封止用樹脂の内部に隠すことにより、半導体を雰囲気
中などに放置した場合、または雰囲気中で半導体に電圧
が印加された状態において、リード間などに針状金属が
成長するのを防ぎ、リード間またはリードとノイズ低減
用金属片間が短絡することを防止することができ、半導
体の品質向上が図れる。
求項１と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片の端部
を封止用樹脂の内部に隠すことにより、半導体を雰囲気
中などに放置した場合、または雰囲気中で半導体に電圧
が印加された状態において、リード間などに針状金属が
成長するのを防ぎ、リード間またはリードとノイズ低減
用金属片間が短絡することを防止することができ、半導
体の品質向上が図れる。
【００５９】請求項１４記載のリードフレームによれ
ば、請求項１と同様な効果のほか、リードフレームの作
製時において、各リードを支えるリード支持金属にノイ
ズ低減用金属片を接続することにより、リードフレーム
管理時などにノイズ低減用金属片が飛散することを防止
することができ、管理および取扱が行い易い。請求項１
５記載のリードフレームによれば、請求項１と同様な効
果のほか、ノイズ低減用金属片をダイパッドと一体とす
ることで、ノイズ低減用金属片を支持する金属を不要と
し、リードフレーム管理時などにノイズ吸収用金属片が
飛散することを防止することができ、管理および取扱が
行い易い。
ば、請求項１と同様な効果のほか、リードフレームの作
製時において、各リードを支えるリード支持金属にノイ
ズ低減用金属片を接続することにより、リードフレーム
管理時などにノイズ低減用金属片が飛散することを防止
することができ、管理および取扱が行い易い。請求項１
５記載のリードフレームによれば、請求項１と同様な効
果のほか、ノイズ低減用金属片をダイパッドと一体とす
ることで、ノイズ低減用金属片を支持する金属を不要と
し、リードフレーム管理時などにノイズ吸収用金属片が
飛散することを防止することができ、管理および取扱が
行い易い。
【００６０】請求項１６記載のリードフレームの製造方
法によれば、ノイズ吸収用金属片をリード製造時に、リ
ードと同時に製造することにより、ノイズ低減用金属片
の製造にかかる時間を不要とすることができる。したが
って、低ノイズ可能なリードフレームのノイズ低減用金
属片を、従来のリードフレームの製造と同じ工程で製造
することが可能であり、従来と同じ時間で製造が可能と
なり、新たな設備を必要とせず、安価な方法で、低ノイ
ズ可能なリードフレームを供給することが可能である。
法によれば、ノイズ吸収用金属片をリード製造時に、リ
ードと同時に製造することにより、ノイズ低減用金属片
の製造にかかる時間を不要とすることができる。したが
って、低ノイズ可能なリードフレームのノイズ低減用金
属片を、従来のリードフレームの製造と同じ工程で製造
することが可能であり、従来と同じ時間で製造が可能と
なり、新たな設備を必要とせず、安価な方法で、低ノイ
ズ可能なリードフレームを供給することが可能である。
【００６１】請求項１７記載の半導体装置の製造方法に
よれば、ノイズ低減用金属片のリードフレームからの切
離しをリードの切離しと同時に行なうことにより、ノイ
ズ低減用金属片の切離しに要する時間を不要にでき製造
が簡単になる。したがって、半導体組立時おいて、低ノ
イズ可能なリードフレームを、従来とまったく同様の手
法により組み立てることができ、なんら新たな設備など
を必要とせずに半導体装置を組み立てることが可能であ
る。
よれば、ノイズ低減用金属片のリードフレームからの切
離しをリードの切離しと同時に行なうことにより、ノイ
ズ低減用金属片の切離しに要する時間を不要にでき製造
が簡単になる。したがって、半導体組立時おいて、低ノ
イズ可能なリードフレームを、従来とまったく同様の手
法により組み立てることができ、なんら新たな設備など
を必要とせずに半導体装置を組み立てることが可能であ
る。
【００６２】請求項１８記載の半導体装置によれば、た
とえば直径数μｍ以下の金属細粒を半導体封止樹脂材料
の数％混ぜることにより、不要な輻射ノイズが金属細粒
により反射されるので、リードフレームにノイズ低減用
金属片が無い場合でも、端子間の不要な輻射ノイズを低
減することができ、直接信号間のノイズ干渉を少なくで
き低ノイズ可能な半導体装置を提供することが可能であ
る。
とえば直径数μｍ以下の金属細粒を半導体封止樹脂材料
の数％混ぜることにより、不要な輻射ノイズが金属細粒
により反射されるので、リードフレームにノイズ低減用
金属片が無い場合でも、端子間の不要な輻射ノイズを低
減することができ、直接信号間のノイズ干渉を少なくで
き低ノイズ可能な半導体装置を提供することが可能であ
る。
【図１】この発明の第１の実施の形態における低ノイズ
なリードフレームを有する半導体装置の概略平面図であ
る。
なリードフレームを有する半導体装置の概略平面図であ
る。
【図２】第２の実施の形態の概略平面図である。
【図３】第３の実施の形態の概略平面図である。
【図４】第４の実施の形態の概略平面図である。
【図５】第５の実施の形態の概略平面図である。
【図６】第６の実施の形態の概略平面図である。
【図７】第７の実施の形態の概略平面図である。
【図８】第８の実施の形態の概略平面図である。
【図９】第９の実施の形態の概略平面図である。
【図１０】第１０の実施の形態の概略平面図である。
【図１１】第１１の実施の形態の概略平面図である。
【図１２】第１２の実施の形態の概略平面図である。
【図１３】第１３の実施の形態の概略平面図である。
【図１４】第１４の実施の形態の概略平面図である。
【図１５】第１５の実施の形態の概略平面図である。
【図１６】第１６の実施の形態の概略平面図である。
【図１７】図１６のＡ−Ａ′線断面図である。
【図１８】従来例の概略平面図である。
【図１９】他の従来例の概略平面図である。
１０１ 半導体チップ １０２ ダイパッド １０３ 金属線 １０４ 他の信号入出力リード １０５ ノイズ吸収用金属片 １０６ 信号Ａ用リード １０７ 信号Ｂ用リード １０８ 電源リード（または、グラウンドリード） １０９ 封止用樹脂 ２０１ 金属片接続用導体 ３０１ 電源リード接続用導体 ４０１ 電源リード接続用金属線 ５０１ 金属片接続用金属線 ６０１ 金属線 ６０２ パッド ９０１ ノイズ吸収用金属片接続用金属線 １００１ ノイズ吸収用金属片接続用導体 １１０１ 樹脂封止密着用凹凸 １２０１ 樹脂密着用あな １３０１ ギャップ １４０１ つりリード １４０２ リード支持金属 １４０３ リード １４０４ ノイズ吸収用金属片支持金属 １４０５ 封止用樹脂 １４０６ ダイパッド １４０７ ノイズ吸収用金属片 １５０１ ノイズ吸収用金属片接続導体 １６０１ リード １６０２ 封止用樹脂 １６０３ 金属細粒 １７０１ 金属線 １７０２ ダイパッド １７０３ 半導体チップ
Claims (18)
- 【請求項１】 半導体チップの周辺に配置されて接続線
により前記半導体チップに接続される複数のリードを有
するリードフレームであって、前記複数のリードのうち
の隣合う一対の信号用リードの間に配置されたノイズ低
減用金属片を有することを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片を前記ダイパッドに接続した請
求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 複数のリードのうち電源用リードまたは
グラウンド用リードをダイパッドに接続した請求項２記
載のリードフレーム。 - 【請求項４】 電源用リードまたはグラウンド用リード
を金属線によりダイパッドに接続した請求項３記載のリ
ードフレーム。 - 【請求項５】 ノイズ低減用金属片を金属線によりダイ
パッドに接続した請求項４記載のリードフレーム。 - 【請求項６】 半導体チップと、この半導体チップの周
辺に配置されて接続線により前記半導体チップに接続さ
れた複数のリードと、前記半導体チップ上に設けた電源
またはグラウンドに接続されるボンディング用パッドに
金属線により接続されて前記複数のリードのうちの隣合
う一対の信号用リードの間に配置されたノイズ低減用金
属片とを備えた半導体装置。 - 【請求項７】 ノイズ低減用金属片は、複数のリードの
全てのリード間に配置されている請求項１記載のリード
フレーム。 - 【請求項８】 半導体チップと、この半導体チップの周
辺に配置されて接続線により前記半導体チップに接続さ
れた複数のリードと、この複数のリードの間に配置され
て全てまたは一部が前記半導体チップ上の電源またはグ
ラウンドへの配線に金属線により接続されたノイズ低減
用金属片とを備えた半導体装置。 - 【請求項９】 半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片はダイパットに金属線により接
続されている請求項７記載のリードフレーム。 - 【請求項１０】 半導体チップと、この半導体チップを
支持するダイパッドと、前記半導体チップの周辺に配置
されて接続線により前記半導体チップに接続された複数
のリードと、この複数のリードの間に配置されて前記ダ
イパッドに接続されるとともに全てまたは一部が前記半
導体チップ上の電源またはグラウンドに接続されたパッ
ドに金属線により接続されたノイズ低減用金属片とを備
えた半導体装置。 - 【請求項１１】 ノイズ低減用金属片に樹脂密着用凹凸
を有する請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項１２】 ノイズ低減用金属片に樹脂密着用穴を
有する請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項１３】 半導体チップと、この半導体チップの
周辺に配置されて接続線により前記半導体チップに接続
された複数のリードと、前記リードの間に配置されたノ
イズ低減用金属片と、このノイズ低減用金属片が内方に
埋設されるように前記複数のリードの一部および前記半
導体チップを埋設した封止用樹脂とを備えた半導体装
置。 - 【請求項１４】 複数のリードと、これらのリードを支
持したリード支持金具と、このリード支持金具に接続さ
れて前記リードの間に配置されたノイズ低減用金属片と
を備えたリードフレーム。 - 【請求項１５】 半導体チップを支持するダイパッド
と、このダイパッドの周囲に配置された複数のリード
と、これらのリードを支持したリード支持金具と、前記
ダイパッドに接続されて前記リードの間に配置されたノ
イズ低減用金属片とを備えたリードフレーム。 - 【請求項１６】 リードの間に配置するノイズ低減用金
属片を前記リードとともに一体に形成することを特徴と
するリードフレームの製造方法。 - 【請求項１７】 リードおよびノイズ低減用金属片を有
するリードフレームを形成する工程と、前記リードと半
導体チップとを接続する工程と、前記リードの一部、前
記ノイズ低減用金属片および半導体チップを樹脂封止す
る工程とを含み、前記ノイズ低減用金属片のリードフレ
ームからの切離しをリードの切離しと同時に行なうこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。上記請求項１４に
おいて、半導体組立時において、ノイズ低減用金属片の
切り離しを、リードの切り離しと同時に実施してノイズ
対策用金属片製作時間を不要とする事を特徴とする、低
ノイズ可能リードフレームを用いた半導体装置を組み立
てる半導体製造方法。 - 【請求項１８】 半導体チップと、この半導体チップの
周辺に配置されて接続線により前記半導体チップに接続
された複数のリードと、ノイズ反射用の金属細粒を混合
したものであって前記リードの一部および前記半導体チ
ップを埋設する封止用樹脂とを備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18962997A JPH1140721A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18962997A JPH1140721A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1140721A true JPH1140721A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16244502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18962997A Pending JPH1140721A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1140721A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014758A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Renesas Electronics Corp | リードフレーム及びこれを用いた電子部品 |
| CN106531709A (zh) * | 2015-09-15 | 2017-03-22 | 株式会社东芝 | 半导体装置的制造方法 |
| CN107968086A (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-27 | 力祥半导体股份有限公司 | 瞬态电压抑制器装置 |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP18962997A patent/JPH1140721A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011014758A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Renesas Electronics Corp | リードフレーム及びこれを用いた電子部品 |
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| CN110034086A (zh) * | 2015-09-15 | 2019-07-19 | 东芝存储器株式会社 | 引线架 |
| CN110034086B (zh) * | 2015-09-15 | 2024-03-01 | 铠侠股份有限公司 | 引线架 |
| CN107968086A (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-27 | 力祥半导体股份有限公司 | 瞬态电压抑制器装置 |
| CN107968086B (zh) * | 2016-10-19 | 2019-10-11 | 力智电子股份有限公司 | 瞬态电压抑制器装置 |
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