JPH1140721A - リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法 - Google Patents
リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法Info
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- JPH1140721A JPH1140721A JP18962997A JP18962997A JPH1140721A JP H1140721 A JPH1140721 A JP H1140721A JP 18962997 A JP18962997 A JP 18962997A JP 18962997 A JP18962997 A JP 18962997A JP H1140721 A JPH1140721 A JP H1140721A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】リードの配置の制約を緩和し、ノイズによる誤
動作を極力低減することができるリードフレーム、半導
体装置およびそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】半導体チップ101の周辺に配置されて金
属線103により半導体チップ101に接続される複数
のリード104,106〜108を有するリードフレー
ムであって、複数のリードのうちの隣合う一対の信号用
リード106,107の間に配置されたノイズ低減用金
属片105を有する。
動作を極力低減することができるリードフレーム、半導
体装置およびそれらの製造方法を提供する。 【解決手段】半導体チップ101の周辺に配置されて金
属線103により半導体チップ101に接続される複数
のリード104,106〜108を有するリードフレー
ムであって、複数のリードのうちの隣合う一対の信号用
リード106,107の間に配置されたノイズ低減用金
属片105を有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置のリ
ードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法に関
するものである。
ードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置は、図18のような構
成となっている。図18において、101が半導体チッ
プ、102がダイパッド、103が金属線、106が信
号A用リード、107が信号B用リード、108が電源
リードもしくはグラウンドリード、109が封止用樹脂
である。リード106〜108はリードフレームに支持
されて半導体チップ101の周囲に配置され、封止用樹
脂により樹脂封止されるとともにリード106〜108
が支持されると、リードフレームから分離される。した
がって各リード106〜108間には、樹脂が入り込
み、信号A用リード106と信号B用リード107間に
は、寄生容量が形成される。これにより、それぞれの信
号がお互いの信号に重畳され、ノイズ源となる。このた
め、ノイズによる誤動作や、信号・ノイズ比(S/N
比)の特性が得られない問題が生じていた。
成となっている。図18において、101が半導体チッ
プ、102がダイパッド、103が金属線、106が信
号A用リード、107が信号B用リード、108が電源
リードもしくはグラウンドリード、109が封止用樹脂
である。リード106〜108はリードフレームに支持
されて半導体チップ101の周囲に配置され、封止用樹
脂により樹脂封止されるとともにリード106〜108
が支持されると、リードフレームから分離される。した
がって各リード106〜108間には、樹脂が入り込
み、信号A用リード106と信号B用リード107間に
は、寄生容量が形成される。これにより、それぞれの信
号がお互いの信号に重畳され、ノイズ源となる。このた
め、ノイズによる誤動作や、信号・ノイズ比(S/N
比)の特性が得られない問題が生じていた。
【0003】そこで従来は、図19に示すように、信号
A用リード106と信号B用リード107間に電源リー
ド108などを設けて寄生容量を低減し、ノイズができ
るだけ重畳しないように、リードの配置には制約が設け
られていた。また、半導体装置から放散されるノイズに
よりシステムが誤動作するのを防ぐため、半導体周辺に
は、ノイズ対策部品を多数接続していた。
A用リード106と信号B用リード107間に電源リー
ド108などを設けて寄生容量を低減し、ノイズができ
るだけ重畳しないように、リードの配置には制約が設け
られていた。また、半導体装置から放散されるノイズに
よりシステムが誤動作するのを防ぐため、半導体周辺に
は、ノイズ対策部品を多数接続していた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置で
は、ノイズ対策のためリードの配置において制約を受け
ることがあった。また、半導体周辺にノイズ対策部品を
多数実装しなければならない。さらに、半導体チップそ
のものにも、ノイズ対策を施す必要があった。この発明
は、従来の半導体装置特にリードフレームの持つ上記の
問題点を解決するものであり、リードの配置の制約を緩
和し、ノイズによる誤動作を極力低減することができる
リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法を
提供することを目的とする。
は、ノイズ対策のためリードの配置において制約を受け
ることがあった。また、半導体周辺にノイズ対策部品を
多数実装しなければならない。さらに、半導体チップそ
のものにも、ノイズ対策を施す必要があった。この発明
は、従来の半導体装置特にリードフレームの持つ上記の
問題点を解決するものであり、リードの配置の制約を緩
和し、ノイズによる誤動作を極力低減することができる
リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法を
提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1記載のリードフ
レームは、半導体チップの周辺に配置されて接続線によ
り半導体チップに接続される複数のリードを有するリー
ドフレームであって、複数のリードのうちの隣合う一対
の信号用リードの間に配置されたノイズ低減用金属片を
有することを特徴とするものである。
レームは、半導体チップの周辺に配置されて接続線によ
り半導体チップに接続される複数のリードを有するリー
ドフレームであって、複数のリードのうちの隣合う一対
の信号用リードの間に配置されたノイズ低減用金属片を
有することを特徴とするものである。
【0006】請求項1記載のリードフレームによれば、
信号用リードの間にダミーのノイズ低減用金属片を配置
することにより、リード間の寄生容量を低減するととも
に不要な輻射ノイズを反射するので、リード間のノイズ
干渉を防止でき、信号間の不要な輻射ノイズの低減が可
能となり、ノイズによる誤動作を極力低減することがで
きる。またリードの配置の制約を緩和することができ
る。
信号用リードの間にダミーのノイズ低減用金属片を配置
することにより、リード間の寄生容量を低減するととも
に不要な輻射ノイズを反射するので、リード間のノイズ
干渉を防止でき、信号間の不要な輻射ノイズの低減が可
能となり、ノイズによる誤動作を極力低減することがで
きる。またリードの配置の制約を緩和することができ
る。
【0007】請求項2記載のリードフレームは、請求項
1において、半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片をダイパッドに接続したもので
ある。請求項2記載のリードフレームによれば、請求項
1と同様な効果のほか、放射されたノイズを速やかに半
導体チップより吸収し、ダイパッドを通じて逃すことが
できる。
1において、半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片をダイパッドに接続したもので
ある。請求項2記載のリードフレームによれば、請求項
1と同様な効果のほか、放射されたノイズを速やかに半
導体チップより吸収し、ダイパッドを通じて逃すことが
できる。
【0008】請求項3記載のリードフレームは、請求項
2において、複数のリードのうち電源用リードまたはグ
ラウンド用リードをダイパッドに接続したものである。
請求項3記載のリードフレームによれば、請求項2と同
様な効果のほか、ノイズ低減用金属片に放射されたノイ
ズをダイパッド、電源用リード等を通じて速やかに電源
またはグラウンドに吸収できる。
2において、複数のリードのうち電源用リードまたはグ
ラウンド用リードをダイパッドに接続したものである。
請求項3記載のリードフレームによれば、請求項2と同
様な効果のほか、ノイズ低減用金属片に放射されたノイ
ズをダイパッド、電源用リード等を通じて速やかに電源
またはグラウンドに吸収できる。
【0009】請求項4記載のリードフレームは、請求項
3において、電源用リードまたはグラウンド用リードを
金属線によりダイパッドに接続したものである。請求項
4記載のリードフレームによれば、請求項3と同様な効
果がある。請求項5記載のリードフレームは、請求項4
において、ノイズ低減用金属片を金属線によりダイパッ
ドに接続したものである。
3において、電源用リードまたはグラウンド用リードを
金属線によりダイパッドに接続したものである。請求項
4記載のリードフレームによれば、請求項3と同様な効
果がある。請求項5記載のリードフレームは、請求項4
において、ノイズ低減用金属片を金属線によりダイパッ
ドに接続したものである。
【0010】請求項5記載のリードフレームによれば、
請求項4と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片に放
射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属線および電
源リードまたはダラウンドリードを通して電源またはダ
ラウンドに逃すことにらり不要な輻射ノイズを低減でき
る。請求項6記載の半導体装置は、半導体チップと、こ
の半導体チップの周辺に配置されて接続線により半導体
チップに接続された複数のリードと、半導体チップ上に
設けた電源またはグラウンドに接続されるボンディング
用パッドに金属線により接続されて複数のリードのうち
の隣合う一対の信号用リードの間に配置されたノイズ低
減用金属片とを備えたものである。
請求項4と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片に放
射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属線および電
源リードまたはダラウンドリードを通して電源またはダ
ラウンドに逃すことにらり不要な輻射ノイズを低減でき
る。請求項6記載の半導体装置は、半導体チップと、こ
の半導体チップの周辺に配置されて接続線により半導体
チップに接続された複数のリードと、半導体チップ上に
設けた電源またはグラウンドに接続されるボンディング
用パッドに金属線により接続されて複数のリードのうち
の隣合う一対の信号用リードの間に配置されたノイズ低
減用金属片とを備えたものである。
【0011】請求項6記載の半導体装置によれば、ノイ
ズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、電源配
線、金属線、電源リードまたはグラウンドリードを通じ
て電源またはグラウンドに逃がすことと共に、信号用金
属線間の寄生容量をも低減することにより、不要な輻射
ノイズを低減し、リード間のノイズ干渉を防止すること
ができるとともに、ワイヤ間のノイズ干渉をも防止する
ことが可能となり、低ノイズ可能な半導体装置を提供で
きる。
ズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、電源配
線、金属線、電源リードまたはグラウンドリードを通じ
て電源またはグラウンドに逃がすことと共に、信号用金
属線間の寄生容量をも低減することにより、不要な輻射
ノイズを低減し、リード間のノイズ干渉を防止すること
ができるとともに、ワイヤ間のノイズ干渉をも防止する
ことが可能となり、低ノイズ可能な半導体装置を提供で
きる。
【0012】請求項7記載のリードフレームは、請求項
1において、ノイズ低減用金属片が、複数のリードの全
てのリード間に配置されているものである。請求項7記
載のリードフレームによれば、請求項1と同様な効果の
ほか、リードの配置に自由度をもたせ任意配置が可能と
なり、製品毎にリードフレームを揃える必要がなくリー
ドフレームの共通化が行え、材料管理が行いやすい。
1において、ノイズ低減用金属片が、複数のリードの全
てのリード間に配置されているものである。請求項7記
載のリードフレームによれば、請求項1と同様な効果の
ほか、リードの配置に自由度をもたせ任意配置が可能と
なり、製品毎にリードフレームを揃える必要がなくリー
ドフレームの共通化が行え、材料管理が行いやすい。
【0013】請求項8記載の半導体装置は、半導体チッ
プと、この半導体チップの周辺に配置されて接続線によ
り半導体チップに接続された複数のリードと、この複数
のリードの間に配置されて全てまたは一部が半導体チッ
プ上の電源またはグラウンドへの配線に金属線により接
続されたノイズ低減用金属片とを備えたものである。請
求項8記載の半導体装置によれば、請求項1または請求
項7と同様な効果のほか、各ノイズ低減用金属片は、半
導体チップ上の金属配線からそれぞれ電源電位またはグ
ラウンドに金属線により固定され、ノイズ低減用金属片
に放射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属線、電
源リードを通じて電源に逃がすことにより、不要な輻射
ノイズの低減を可能とするとともに、リード配置の決定
において、不要な輻射ノイズによる制約を不要とするこ
とができ、金属線間のノイズ干渉をも防止することがで
き、低ノイズ可能な半導体装置を提供できる。
プと、この半導体チップの周辺に配置されて接続線によ
り半導体チップに接続された複数のリードと、この複数
のリードの間に配置されて全てまたは一部が半導体チッ
プ上の電源またはグラウンドへの配線に金属線により接
続されたノイズ低減用金属片とを備えたものである。請
求項8記載の半導体装置によれば、請求項1または請求
項7と同様な効果のほか、各ノイズ低減用金属片は、半
導体チップ上の金属配線からそれぞれ電源電位またはグ
ラウンドに金属線により固定され、ノイズ低減用金属片
に放射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属線、電
源リードを通じて電源に逃がすことにより、不要な輻射
ノイズの低減を可能とするとともに、リード配置の決定
において、不要な輻射ノイズによる制約を不要とするこ
とができ、金属線間のノイズ干渉をも防止することがで
き、低ノイズ可能な半導体装置を提供できる。
【0014】請求項9記載のリードフレームは、請求項
7において、半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片はダイパットに金属線により接
続されているものである。請求項9記載のリードフレー
ムによれば、請求項7と同様な効果がある。請求項10
記載の半導体装置は、半導体チップと、この半導体チッ
プを支持するダイパッドと、半導体チップの周辺に配置
されて接続線により半導体チップに接続された複数のリ
ードと、この複数のリードの間に配置されてダイパッド
に接続されるとともに全てまたは一部が半導体チップ上
の電源またはグラウンドに接続されたパッドに金属線に
より接続されたノイズ低減用金属片とを備えたものであ
る。
7において、半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片はダイパットに金属線により接
続されているものである。請求項9記載のリードフレー
ムによれば、請求項7と同様な効果がある。請求項10
記載の半導体装置は、半導体チップと、この半導体チッ
プを支持するダイパッドと、半導体チップの周辺に配置
されて接続線により半導体チップに接続された複数のリ
ードと、この複数のリードの間に配置されてダイパッド
に接続されるとともに全てまたは一部が半導体チップ上
の電源またはグラウンドに接続されたパッドに金属線に
より接続されたノイズ低減用金属片とを備えたものであ
る。
【0015】請求項10記載の半導体装置によれば、請
求項1または請求項7と同様な効果のほか、ノイズ低減
用金属片をダイパッドに接続しているので、全ノイズ低
減用金属片を金属線で半導体チップ上の電源またはグラ
ウンドに接続できない場合でも、ダイパッドを通じてノ
イズ低減用金属片を電源電位等に固定し、ノイズ低減用
金属片に放射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属
線、半導体チップの電源配線・電源リードを通じて電源
等に逃がすことにより、不要な輻射ノイズの低減を可能
とする。
求項1または請求項7と同様な効果のほか、ノイズ低減
用金属片をダイパッドに接続しているので、全ノイズ低
減用金属片を金属線で半導体チップ上の電源またはグラ
ウンドに接続できない場合でも、ダイパッドを通じてノ
イズ低減用金属片を電源電位等に固定し、ノイズ低減用
金属片に放射されたノイズを金属線、ダイパッド、金属
線、半導体チップの電源配線・電源リードを通じて電源
等に逃がすことにより、不要な輻射ノイズの低減を可能
とする。
【0016】請求項11記載のリードフレームは、請求
項1において、ノイズ低減用金属片に樹脂密着用凹凸を
有するものである。請求項11記載のリードフレームに
よれば、請求項1と同様な効果のほか、ノイズ低減用金
属片と封止用樹脂との密着性が良くなり、樹脂の剥離を
防止でき、半導体の品質向上が図れる。
項1において、ノイズ低減用金属片に樹脂密着用凹凸を
有するものである。請求項11記載のリードフレームに
よれば、請求項1と同様な効果のほか、ノイズ低減用金
属片と封止用樹脂との密着性が良くなり、樹脂の剥離を
防止でき、半導体の品質向上が図れる。
【0017】請求項12記載のリードフレームは、請求
項1において、ノイズ低減用金属片に樹脂密着用穴を有
するものである。請求項12記載のリードフレームによ
れば、請求項1および請求項11と同様な効果がある。
請求項13記載の半導体装置は、半導体チップと、この
半導体チップの周辺に配置されて接続線により半導体チ
ップに接続された複数のリードと、リードの間に配置さ
れたノイズ低減用金属片と、このノイズ低減用金属片が
内方に埋設されるように複数のリードの一部および半導
体チップを埋設した封止用樹脂とを備えたものである。
項1において、ノイズ低減用金属片に樹脂密着用穴を有
するものである。請求項12記載のリードフレームによ
れば、請求項1および請求項11と同様な効果がある。
請求項13記載の半導体装置は、半導体チップと、この
半導体チップの周辺に配置されて接続線により半導体チ
ップに接続された複数のリードと、リードの間に配置さ
れたノイズ低減用金属片と、このノイズ低減用金属片が
内方に埋設されるように複数のリードの一部および半導
体チップを埋設した封止用樹脂とを備えたものである。
【0018】請求項13記載の半導体装置によれば、請
求項1と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片の端部
を封止用樹脂の内部に隠すことにより、半導体を雰囲気
中などに放置した場合、または雰囲気中で半導体に電圧
が印加された状態において、リード間などに針状金属が
成長するのを防ぎ、リード間またはリードとノイズ低減
用金属片間が短絡することを防止することができ、半導
体の品質向上が図れる。
求項1と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片の端部
を封止用樹脂の内部に隠すことにより、半導体を雰囲気
中などに放置した場合、または雰囲気中で半導体に電圧
が印加された状態において、リード間などに針状金属が
成長するのを防ぎ、リード間またはリードとノイズ低減
用金属片間が短絡することを防止することができ、半導
体の品質向上が図れる。
【0019】請求項14記載のリードフレームは、複数
のリードと、これらのリードを支持したリード支持金具
と、このリード支持金具に接続されて前記リードの間に
配置されたノイズ低減用金属片とを備えたものである。
請求項14記載のリードフレームによれば、請求項1と
同様な効果のほか、リードフレームの作製時において、
各リードを支えるリード支持金属にノイズ低減用金属片
を接続することにより、リードフレーム管理時などにノ
イズ低減用金属片が飛散することを防止することがで
き、管理および取扱が行い易い。
のリードと、これらのリードを支持したリード支持金具
と、このリード支持金具に接続されて前記リードの間に
配置されたノイズ低減用金属片とを備えたものである。
請求項14記載のリードフレームによれば、請求項1と
同様な効果のほか、リードフレームの作製時において、
各リードを支えるリード支持金属にノイズ低減用金属片
を接続することにより、リードフレーム管理時などにノ
イズ低減用金属片が飛散することを防止することがで
き、管理および取扱が行い易い。
【0020】請求項15記載のリードフレームは、半導
体チップを支持するダイパッドと、このダイパッドの周
囲に配置された複数のリードと、これらのリードを支持
したリード支持金具と、ダイパッドに接続されてリード
の間に配置されたノイズ低減用金属片とを備えたもので
ある。請求項15記載のリードフレームによれば、請求
項1と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片をダイパ
ッドと一体とすることで、ノイズ低減用金属片を支持す
る金属を不要とし、リードフレーム管理時などにノイズ
吸収用金属片が飛散することを防止することができ、管
理および取扱が行い易い。
体チップを支持するダイパッドと、このダイパッドの周
囲に配置された複数のリードと、これらのリードを支持
したリード支持金具と、ダイパッドに接続されてリード
の間に配置されたノイズ低減用金属片とを備えたもので
ある。請求項15記載のリードフレームによれば、請求
項1と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片をダイパ
ッドと一体とすることで、ノイズ低減用金属片を支持す
る金属を不要とし、リードフレーム管理時などにノイズ
吸収用金属片が飛散することを防止することができ、管
理および取扱が行い易い。
【0021】請求項16記載のリードフレームの製造方
法は、リードの間に配置するノイズ低減用金属片を前記
リードとともに一体に形成することを特徴とするもので
ある。請求項16記載のリードフレームの製造方法によ
れば、ノイズ吸収用金属片をリード製造時に、リードと
同時に製造することにより、ノイズ低減用金属片の製造
にかかる時間を不要とすることができる。したがって、
低ノイズ可能なリードフレームのノイズ低減用金属片
を、従来のリードフレームの製造と同じ工程で製造する
ことが可能であり、従来と同じ時間で製造が可能とな
り、新たな設備を必要とせず、安価な方法で、低ノイズ
可能なリードフレームを供給することが可能である。
法は、リードの間に配置するノイズ低減用金属片を前記
リードとともに一体に形成することを特徴とするもので
ある。請求項16記載のリードフレームの製造方法によ
れば、ノイズ吸収用金属片をリード製造時に、リードと
同時に製造することにより、ノイズ低減用金属片の製造
にかかる時間を不要とすることができる。したがって、
低ノイズ可能なリードフレームのノイズ低減用金属片
を、従来のリードフレームの製造と同じ工程で製造する
ことが可能であり、従来と同じ時間で製造が可能とな
り、新たな設備を必要とせず、安価な方法で、低ノイズ
可能なリードフレームを供給することが可能である。
【0022】請求項17記載の半導体装置の製造方法
は、リードおよびノイズ低減用金属片を有するリードフ
レームを形成する工程と、リードと半導体チップとを接
続する工程と、リードの一部、ノイズ低減用金属片およ
び半導体チップを樹脂封止する工程とを含み、ノイズ低
減用金属片のリードフレームからの切離しをリードの切
離しと同時に行なうことを特徴とするものである。
は、リードおよびノイズ低減用金属片を有するリードフ
レームを形成する工程と、リードと半導体チップとを接
続する工程と、リードの一部、ノイズ低減用金属片およ
び半導体チップを樹脂封止する工程とを含み、ノイズ低
減用金属片のリードフレームからの切離しをリードの切
離しと同時に行なうことを特徴とするものである。
【0023】請求項17記載の半導体装置の製造方法に
よれば、ノイズ低減用金属片のリードフレームからの切
離しをリードの切離しと同時に行なうことにより、ノイ
ズ低減用金属片の切離しに要する時間を不要にでき製造
が簡単になる。したがって、半導体組立時おいて、低ノ
イズ可能なリードフレームを、従来とまったく同様の手
法により組み立てることができ、なんら新たな設備など
を必要とせずに半導体装置を組み立てることが可能であ
る。
よれば、ノイズ低減用金属片のリードフレームからの切
離しをリードの切離しと同時に行なうことにより、ノイ
ズ低減用金属片の切離しに要する時間を不要にでき製造
が簡単になる。したがって、半導体組立時おいて、低ノ
イズ可能なリードフレームを、従来とまったく同様の手
法により組み立てることができ、なんら新たな設備など
を必要とせずに半導体装置を組み立てることが可能であ
る。
【0024】請求項18記載の半導体装置は、半導体チ
ップと、この半導体チップの周辺に配置されて接続線に
より前記半導体チップに接続された複数のリードと、ノ
イズ反射用の金属細粒を混合したものであって前記リー
ドの一部および前記半導体チップを埋設する封止用樹脂
とを備えたものである。請求項18記載の半導体装置に
よれば、たとえば直径数μm以下の金属細粒を半導体封
止樹脂材料の数%混ぜることにより、不要な輻射ノイズ
が金属細粒により反射されるので、リードフレームにノ
イズ低減用金属片が無い場合でも、端子間の不要な輻射
ノイズを低減することができ、直接信号間のノイズ干渉
を少なくでき低ノイズ可能な半導体装置を提供すること
が可能である。
ップと、この半導体チップの周辺に配置されて接続線に
より前記半導体チップに接続された複数のリードと、ノ
イズ反射用の金属細粒を混合したものであって前記リー
ドの一部および前記半導体チップを埋設する封止用樹脂
とを備えたものである。請求項18記載の半導体装置に
よれば、たとえば直径数μm以下の金属細粒を半導体封
止樹脂材料の数%混ぜることにより、不要な輻射ノイズ
が金属細粒により反射されるので、リードフレームにノ
イズ低減用金属片が無い場合でも、端子間の不要な輻射
ノイズを低減することができ、直接信号間のノイズ干渉
を少なくでき低ノイズ可能な半導体装置を提供すること
が可能である。
【0025】
【発明の実施の形態】この発明の請求項1に対応する第
1の実施の形態を適用した半導体装置を図1に基づいて
説明する。図1は、第1の実施の形態の概略平面図であ
る。図1において、101は半導体チップ、102はダ
イパッド、103は金属線、104はリード、105は
ダミーのノイズ低減用金属片(以降、金属片とい
う。)、106は信号Aを入力する信号A用リード、1
07は信号Bを入力する信号B用リード、108は電源
リードもしくはグラウンドリード、109は封止用樹脂
である。
1の実施の形態を適用した半導体装置を図1に基づいて
説明する。図1は、第1の実施の形態の概略平面図であ
る。図1において、101は半導体チップ、102はダ
イパッド、103は金属線、104はリード、105は
ダミーのノイズ低減用金属片(以降、金属片とい
う。)、106は信号Aを入力する信号A用リード、1
07は信号Bを入力する信号B用リード、108は電源
リードもしくはグラウンドリード、109は封止用樹脂
である。
【0026】この半導体装置のリードフレームは、半導
体チップ101の周辺に配置されて半導体チップ101
に接続線である金属線103により接続される複数のリ
ード104,106〜108を有し、複数のリード10
4等のうちの隣合う一対の信号A用リード106および
信号B用リード107の間に金属片105を配置してい
る。
体チップ101の周辺に配置されて半導体チップ101
に接続線である金属線103により接続される複数のリ
ード104,106〜108を有し、複数のリード10
4等のうちの隣合う一対の信号A用リード106および
信号B用リード107の間に金属片105を配置してい
る。
【0027】信号A用リード106から、信号B用リー
ド107には、金属片105を介して、寄生容量が形成
されるとともに、信号A用リード106に対し信号Bに
静電遮蔽が形成される。このため、信号Aの変化による
ノイズ成分は、1度金属片105を介して信号Bに放射
されるため、ノイズ成分は減衰される。また、金属片1
05に放射されたノイズは、金属片105により散乱さ
れ、リード106からリード107へ直接放射されるノ
イズ量は大幅に低減される。これにより、隣合ったリー
ド同士のノイズ放射が減衰することとなる。
ド107には、金属片105を介して、寄生容量が形成
されるとともに、信号A用リード106に対し信号Bに
静電遮蔽が形成される。このため、信号Aの変化による
ノイズ成分は、1度金属片105を介して信号Bに放射
されるため、ノイズ成分は減衰される。また、金属片1
05に放射されたノイズは、金属片105により散乱さ
れ、リード106からリード107へ直接放射されるノ
イズ量は大幅に低減される。これにより、隣合ったリー
ド同士のノイズ放射が減衰することとなる。
【0028】第1の実施の形態によれば、信号用リード
106,107の間にダミーのノイズ低減用金属片10
5を配置することにより、リード106,107間の寄
生容量を低減するとともに不要な輻射ノイズを反射する
ので、リード106,107間のノイズ干渉を防止で
き、信号間の不要な輻射ノイズの低減が可能となり、ノ
イズによる誤動作を極力低減することができる。またリ
ード104等の配置の制約を緩和することができる。
106,107の間にダミーのノイズ低減用金属片10
5を配置することにより、リード106,107間の寄
生容量を低減するとともに不要な輻射ノイズを反射する
ので、リード106,107間のノイズ干渉を防止で
き、信号間の不要な輻射ノイズの低減が可能となり、ノ
イズによる誤動作を極力低減することができる。またリ
ード104等の配置の制約を緩和することができる。
【0029】この発明の請求項2に対応する第2の実施
の形態を図2に基づいて説明する。図2において、20
1は金属片接続用導体であり、第1の実施の形態の金属
片105を半導体チップ101のチップ基板であるダイ
パッド102に接続している。この金属片接続用導体2
01は通常リードフレームと同種の金属を用い、リード
フレームの形成と同時に作成される。このように、リー
ド106,107間の金属片105をダイパッド102
に接続して、放射されたノイズを速やかに、半導体チッ
プ101より吸収し、チップ基板を通じて電源に逃がす
ことにより、ノイズを低減することができる。なお、金
属片接続用導体201は、リードフレームとは違う材質
の導体を用いても同様の効果が得られる。その他は第1
の実施の形態と同様である。
の形態を図2に基づいて説明する。図2において、20
1は金属片接続用導体であり、第1の実施の形態の金属
片105を半導体チップ101のチップ基板であるダイ
パッド102に接続している。この金属片接続用導体2
01は通常リードフレームと同種の金属を用い、リード
フレームの形成と同時に作成される。このように、リー
ド106,107間の金属片105をダイパッド102
に接続して、放射されたノイズを速やかに、半導体チッ
プ101より吸収し、チップ基板を通じて電源に逃がす
ことにより、ノイズを低減することができる。なお、金
属片接続用導体201は、リードフレームとは違う材質
の導体を用いても同様の効果が得られる。その他は第1
の実施の形態と同様である。
【0030】この発明の請求項3に対応する第3の実施
の形態を図3に示す。図3において、301は第2の実
施の形態の電源リード(またはグラウンドリード)10
8をダイパッド102に接続する電源リード接続用導体
である。これによりダイパッド102を電源もしくはグ
ラウンドに接続して、金属片105に放射されたノイズ
をダイパッド102、電源リード接続用導体301、電
源リード108を通じて、速やかに電源もしくはグラウ
ンドに逃して吸収することにより、ノイズを低減するこ
とができる。その他は第2の実施の形態と同様である。
なお、電源リード接続用導体301はリードフレームと
同じ金属その他の導体でもよく別の導体でもよい。
の形態を図3に示す。図3において、301は第2の実
施の形態の電源リード(またはグラウンドリード)10
8をダイパッド102に接続する電源リード接続用導体
である。これによりダイパッド102を電源もしくはグ
ラウンドに接続して、金属片105に放射されたノイズ
をダイパッド102、電源リード接続用導体301、電
源リード108を通じて、速やかに電源もしくはグラウ
ンドに逃して吸収することにより、ノイズを低減するこ
とができる。その他は第2の実施の形態と同様である。
なお、電源リード接続用導体301はリードフレームと
同じ金属その他の導体でもよく別の導体でもよい。
【0031】この発明の請求項4に対応する第4の実施
の形態を図4に示す。すなわち、図4において、401
は第2の実施の形態の電源リード(またはグラウンドリ
ード)108をダイパッド102に接続する電源リード
接続用金属線である。これにより、電源リード108と
ダイパッド102を接続し、金属片105に放射された
ノイズを、ダイパッド102、金属線401、電源リー
ド108を通じて、速やかに電源もしくはグラウンドに
逃がし、ノイズを低減することができる。
の形態を図4に示す。すなわち、図4において、401
は第2の実施の形態の電源リード(またはグラウンドリ
ード)108をダイパッド102に接続する電源リード
接続用金属線である。これにより、電源リード108と
ダイパッド102を接続し、金属片105に放射された
ノイズを、ダイパッド102、金属線401、電源リー
ド108を通じて、速やかに電源もしくはグラウンドに
逃がし、ノイズを低減することができる。
【0032】また、このような構成によれば、リードフ
レームの形状に、リード配置が制限を受けること無く、
ノイズを低減することが可能である。この場合、電源リ
ード108は、半導体チップ101の基板が、N型半導
体であればにVDD電位リードを、P型半導体であれば
グラウンドリードをそれぞれ選択する必要がある。ま
た、半導体チップ101とダイパッド102が絶縁され
ている場合にはこの限りではない。その他は第3の実施
の形態と同様である。
レームの形状に、リード配置が制限を受けること無く、
ノイズを低減することが可能である。この場合、電源リ
ード108は、半導体チップ101の基板が、N型半導
体であればにVDD電位リードを、P型半導体であれば
グラウンドリードをそれぞれ選択する必要がある。ま
た、半導体チップ101とダイパッド102が絶縁され
ている場合にはこの限りではない。その他は第3の実施
の形態と同様である。
【0033】この発明の請求項5に対応する第5の実施
の形態を図5に示す。すなわち、図5において、501
はノイズ低減用金属片105をダイパッド102に接続
する金属片接続用金属線である。図4と同様、電源リー
ド108とダイパッド101を金属線401で接続し、
ノイズ低減用金属片105に放射されたノイズを金属線
501、ダイパッド102、金属線401、電源リード
108を通じて電源もしくはグラウンドに逃がすことに
より、ノイズを低減するものである。その他は第4の実
施の形態と同様である。
の形態を図5に示す。すなわち、図5において、501
はノイズ低減用金属片105をダイパッド102に接続
する金属片接続用金属線である。図4と同様、電源リー
ド108とダイパッド101を金属線401で接続し、
ノイズ低減用金属片105に放射されたノイズを金属線
501、ダイパッド102、金属線401、電源リード
108を通じて電源もしくはグラウンドに逃がすことに
より、ノイズを低減するものである。その他は第4の実
施の形態と同様である。
【0034】この発明の請求項6に対応する第6の実施
の形態を図6に示す。図6において、601は金属線、
602はパッドであり、ノイズ低減用金属片105を、
半導体チップ101上に設けた電源ライン(もしくはグ
ラウンドライン)から引き出されたパッド602と金属
線601を用いて接続している。これにより、ノイズ低
減用金属片105に放射されたノイズを金属線601お
よび電源配線を通じて電源もしくはグラウンドへ逃がす
ものである。また、この構成の場合、図1から図5の実
施の形態では、防げなかった各信号リードと半導体チッ
プをつなぐ金属配線間すなわちワイヤ間の寄生容量をも
低減することができる。このためより一層ノイズ低減が
可能となる。その他は第1の実施の形態と同様である。
の形態を図6に示す。図6において、601は金属線、
602はパッドであり、ノイズ低減用金属片105を、
半導体チップ101上に設けた電源ライン(もしくはグ
ラウンドライン)から引き出されたパッド602と金属
線601を用いて接続している。これにより、ノイズ低
減用金属片105に放射されたノイズを金属線601お
よび電源配線を通じて電源もしくはグラウンドへ逃がす
ものである。また、この構成の場合、図1から図5の実
施の形態では、防げなかった各信号リードと半導体チッ
プをつなぐ金属配線間すなわちワイヤ間の寄生容量をも
低減することができる。このためより一層ノイズ低減が
可能となる。その他は第1の実施の形態と同様である。
【0035】この発明の請求項7に対応する第7の実施
の形態を図7に示す。図7は、ノイズ低減用金属片10
5を、全リード104間に設けたリードフレームの概略
図である。この構成によれば、ノイズに対し注意が必要
な信号を、特定のリードに配属する必要がなく、任意の
リードに配置することが可能となる。また、リードフレ
ームの共通化が可能となり、リードフレームの在庫品種
数を少なくするメリットがある。その他は第1の実施の
形態と同様である。
の形態を図7に示す。図7は、ノイズ低減用金属片10
5を、全リード104間に設けたリードフレームの概略
図である。この構成によれば、ノイズに対し注意が必要
な信号を、特定のリードに配属する必要がなく、任意の
リードに配置することが可能となる。また、リードフレ
ームの共通化が可能となり、リードフレームの在庫品種
数を少なくするメリットがある。その他は第1の実施の
形態と同様である。
【0036】この発明の請求項8に対応する第8の実施
の形態を図8に示す。図8は、ノイズ低減用金属片10
5を信号A用リード106、信号B用リード107およ
び他の信号入出力リード104の全リード間に設け、こ
の各金属片105を、半導体チップ101上の電源配線
から引き出して設けたダイパッドと金属線601を用い
て接続している。
の形態を図8に示す。図8は、ノイズ低減用金属片10
5を信号A用リード106、信号B用リード107およ
び他の信号入出力リード104の全リード間に設け、こ
の各金属片105を、半導体チップ101上の電源配線
から引き出して設けたダイパッドと金属線601を用い
て接続している。
【0037】この構成の場合、図7と同様にリード配置
は任意となり、特別にノイズに弱い信号用リードやノイ
ズを出す信号用リードを任意の位置に配置できる。さら
に、全信号用リード間にノイズ低減用金属片105と金
属線601を設けることとなり、全信号線のノイズ干渉
を低減可能にできる。また、この構成の場合、全ノイズ
低減用金属片105を金属線601で接続する必要はな
く、任意の信号用リードのみ金属線601で接続しても
同様の効果を得ることができる。その他は第7の実施の
形態と同様である。
は任意となり、特別にノイズに弱い信号用リードやノイ
ズを出す信号用リードを任意の位置に配置できる。さら
に、全信号用リード間にノイズ低減用金属片105と金
属線601を設けることとなり、全信号線のノイズ干渉
を低減可能にできる。また、この構成の場合、全ノイズ
低減用金属片105を金属線601で接続する必要はな
く、任意の信号用リードのみ金属線601で接続しても
同様の効果を得ることができる。その他は第7の実施の
形態と同様である。
【0038】この発明の請求項9に対応する第9の実施
の形態を図9に示す。図9は、ノイズ低減用金属片10
5とダイパッド102を金属線901で接続し、金属片
105に放射されたノイズを吸収するものである。この
構成において、電源リード(もしくはグラウンドリー
ド)108から、金属線901でダイパッド102を接
続すればさらにノイズ吸収が可能となる。また、ダイッ
パッド102を半導体チップ101上に設けたパッドよ
り、電源もしくはグラウンドに接続することにより、さ
らにノイズ低減が可能である。その他は第7の実施の形
態と同様である。
の形態を図9に示す。図9は、ノイズ低減用金属片10
5とダイパッド102を金属線901で接続し、金属片
105に放射されたノイズを吸収するものである。この
構成において、電源リード(もしくはグラウンドリー
ド)108から、金属線901でダイパッド102を接
続すればさらにノイズ吸収が可能となる。また、ダイッ
パッド102を半導体チップ101上に設けたパッドよ
り、電源もしくはグラウンドに接続することにより、さ
らにノイズ低減が可能である。その他は第7の実施の形
態と同様である。
【0039】この発明の請求項10に対応する第10の
実施の形態を図10に示す。図10において、1001
は金属もしくは導体である。図10の構成において、ノ
イズ低減用金属片105とダイパッド102を金属もし
くは導体1001で接続している。さらに、ノイズ低減
用金属片105と半導体チップ101上に設けた電源も
しくはグラウンドに接続されるパッドとを、金属配線を
用いて接続した構造を持つものである。
実施の形態を図10に示す。図10において、1001
は金属もしくは導体である。図10の構成において、ノ
イズ低減用金属片105とダイパッド102を金属もし
くは導体1001で接続している。さらに、ノイズ低減
用金属片105と半導体チップ101上に設けた電源も
しくはグラウンドに接続されるパッドとを、金属配線を
用いて接続した構造を持つものである。
【0040】この構成によれば、全リード104間およ
び金属配線103間のノイズを吸収することが可能であ
る。さらに、全リード104間のノイズ低減用金属片1
05を、金属線601で電源もしくはグラウンドに接続
できなくても、ダイパッド102を通じ、ノイズ低減用
金属片105に放射されたノイズは、ダイパッド10
2、金属線103、電源配線もしくはグラウンド配線を
通じて、電源もしくはグランウンドに逃がすことができ
る。さらに、この構成を用いれば、半導体チップ101
上の電源配線もしくはグラウンド配線が細い場合でも、
ダイパッド102を通じて供給できるメリットがあり、
電源インピーダンスを落とすことが可能となる。ノイズ
削減のポイントの一つに電源インピーダンスを低減する
ことが広く知られている。従って、この面からも、ノイ
ズ低減が可能である。この構成において、電源リード
(もしくはグラウンドリード)108からダイパッド1
02に金属線103を用いて接続した場合も同様の効果
が得られる。また、ノイズ低減用金属片105とダイパ
ッド102間の金属線は、任意の信号線間のみで、ノイ
ズ低減が可能である。
び金属配線103間のノイズを吸収することが可能であ
る。さらに、全リード104間のノイズ低減用金属片1
05を、金属線601で電源もしくはグラウンドに接続
できなくても、ダイパッド102を通じ、ノイズ低減用
金属片105に放射されたノイズは、ダイパッド10
2、金属線103、電源配線もしくはグラウンド配線を
通じて、電源もしくはグランウンドに逃がすことができ
る。さらに、この構成を用いれば、半導体チップ101
上の電源配線もしくはグラウンド配線が細い場合でも、
ダイパッド102を通じて供給できるメリットがあり、
電源インピーダンスを落とすことが可能となる。ノイズ
削減のポイントの一つに電源インピーダンスを低減する
ことが広く知られている。従って、この面からも、ノイ
ズ低減が可能である。この構成において、電源リード
(もしくはグラウンドリード)108からダイパッド1
02に金属線103を用いて接続した場合も同様の効果
が得られる。また、ノイズ低減用金属片105とダイパ
ッド102間の金属線は、任意の信号線間のみで、ノイ
ズ低減が可能である。
【0041】なお、上記のような構成において、ノイズ
低減用金属片105の寸法および形状が他のような物で
あっても、同様の効果が得られる。また、ノイズ低減用
金属片105と半導体チップ101もしくはダイパッド
102をつなぐ金属線の線径および形状が他の物であっ
ても、同様の効果が得られる。その他は第8の実施の形
態と同様である。
低減用金属片105の寸法および形状が他のような物で
あっても、同様の効果が得られる。また、ノイズ低減用
金属片105と半導体チップ101もしくはダイパッド
102をつなぐ金属線の線径および形状が他の物であっ
ても、同様の効果が得られる。その他は第8の実施の形
態と同様である。
【0042】この発明の請求項11に対応する第11の
実施の形態を図11に示す。図11において、1101
は樹脂封止密着用凹凸である。これは、ノイズ低減用金
属片105の短部に凹凸を設けたものである。従来、リ
ード部の面積が大きくなると、封止用樹脂の密着性が悪
くなり、樹脂が含有する水分が、半田リフロー時に膨張
して、パッケージクラックを起こすことが知られてい
る。この構成によれば、ノイズ低減用金属片105の面
積を小さくすることができ、さらに樹脂との密着面積を
大きく取ることが可能となり、パッケージクラックを防
止することが可能である。この場合、凹凸の形状が長方
形以外でも同様の効果がある。また、凹凸の数は多い程
良いが、1個でも同様の効果がある。その他は第7の実
施の形態と同様である。なお金属片105が全リード間
に設けられているが、第1の実施の形態のように1個の
場合にも適用することができる。
実施の形態を図11に示す。図11において、1101
は樹脂封止密着用凹凸である。これは、ノイズ低減用金
属片105の短部に凹凸を設けたものである。従来、リ
ード部の面積が大きくなると、封止用樹脂の密着性が悪
くなり、樹脂が含有する水分が、半田リフロー時に膨張
して、パッケージクラックを起こすことが知られてい
る。この構成によれば、ノイズ低減用金属片105の面
積を小さくすることができ、さらに樹脂との密着面積を
大きく取ることが可能となり、パッケージクラックを防
止することが可能である。この場合、凹凸の形状が長方
形以外でも同様の効果がある。また、凹凸の数は多い程
良いが、1個でも同様の効果がある。その他は第7の実
施の形態と同様である。なお金属片105が全リード間
に設けられているが、第1の実施の形態のように1個の
場合にも適用することができる。
【0043】この発明の請求項12に対応する第12の
実施の形態を図12に示す。図12において、1201
はノイズ吸収用金属片105に形成された穴である。こ
れにより、図11と同様に樹脂の密着性を向上させ、パ
ッケージクラックを防止することが可能である。図で
は、穴は丸形であるが、他の形状でも同様の効果が得ら
れる。また穴の数および大きさは任意であり、いずれも
同等の効果が得られる。その他は第11の実施の形態と
同様である。
実施の形態を図12に示す。図12において、1201
はノイズ吸収用金属片105に形成された穴である。こ
れにより、図11と同様に樹脂の密着性を向上させ、パ
ッケージクラックを防止することが可能である。図で
は、穴は丸形であるが、他の形状でも同様の効果が得ら
れる。また穴の数および大きさは任意であり、いずれも
同等の効果が得られる。その他は第11の実施の形態と
同様である。
【0044】この発明の請求項13に対応する第13の
実施の形態を図13に示す。図13は、第10の実施の
形態において、ノイズ低減用金属片105の端が半導体
パッケージ表面に出ないように封止用樹脂109で金属
片105を被覆し金属片105と封止用樹脂109の表
面との間に絶縁ギャップ1301を設けた構成である。
第10の実施の形態で半導体パッケージの外側に、金属
片105の表面が見えている場合、電圧バイアス、空気
中の湿度の関係で、半導体パッケージ表面に金属針が成
長し、金属片105と信号用リード106,107、も
しくはリード104,106,107,108同士が、
短絡してしまうことが考えられる。このため、あらかじ
め金属片105を半導体パッケージよりも短くすなわち
封止用樹脂109の内方に位置しておくことで、パッケ
ージ表面に金属片105が出ない構成としたものであ
る。この構成により、上記のような短絡現象を防ぐと共
に、ノイズを低減することを可能となる。
実施の形態を図13に示す。図13は、第10の実施の
形態において、ノイズ低減用金属片105の端が半導体
パッケージ表面に出ないように封止用樹脂109で金属
片105を被覆し金属片105と封止用樹脂109の表
面との間に絶縁ギャップ1301を設けた構成である。
第10の実施の形態で半導体パッケージの外側に、金属
片105の表面が見えている場合、電圧バイアス、空気
中の湿度の関係で、半導体パッケージ表面に金属針が成
長し、金属片105と信号用リード106,107、も
しくはリード104,106,107,108同士が、
短絡してしまうことが考えられる。このため、あらかじ
め金属片105を半導体パッケージよりも短くすなわち
封止用樹脂109の内方に位置しておくことで、パッケ
ージ表面に金属片105が出ない構成としたものであ
る。この構成により、上記のような短絡現象を防ぐと共
に、ノイズを低減することを可能となる。
【0045】なお、この実施の形態は第10の実施の形
態に限らず、請求項1〜12に対応する第1から第12
の実施の形態に適用することができる。この発明の請求
項14に対応する第14の実施の形態を図14に示す。
図14において、1401はつりリード、1402はリ
ード支持金属、1403はリード、1404はノイズ低
減用金属片支持金属、1405は封止用樹脂、1406
はダイパッド、1407はリード1403間に設けたノ
イズ低減用金属片である。ノイズ低減用金属片1407
は、リード支持金属1402とノイズ低減用金属片支持
金属1404により接続される。これにより、リードフ
レーム管理時および扱い時において、ノイズ低減用金属
片105が飛散することを防止でき、低ノイズが可能に
なる。
態に限らず、請求項1〜12に対応する第1から第12
の実施の形態に適用することができる。この発明の請求
項14に対応する第14の実施の形態を図14に示す。
図14において、1401はつりリード、1402はリ
ード支持金属、1403はリード、1404はノイズ低
減用金属片支持金属、1405は封止用樹脂、1406
はダイパッド、1407はリード1403間に設けたノ
イズ低減用金属片である。ノイズ低減用金属片1407
は、リード支持金属1402とノイズ低減用金属片支持
金属1404により接続される。これにより、リードフ
レーム管理時および扱い時において、ノイズ低減用金属
片105が飛散することを防止でき、低ノイズが可能に
なる。
【0046】なお、この実施の形態は、請求項1から1
3に対応する第1から第13の実施の形態に適用するこ
とができる。この発明の請求項15に対応する第15の
実施の形態を図15に示す。図15において、1501
はノイズ低減用金属片接続導体である。ノイズ低減用金
属片105は図14と違い接続導体1501によりダイ
パッド1406に接続される。これにより、低ノイズ可
能なリードフレームの管理時および扱い時において、ノ
イズ低減用金属片105が飛散することを防止できる、
低ノイズ可能なリードフレームを提供できる。その他は
第14の実施の形態と同様である。
3に対応する第1から第13の実施の形態に適用するこ
とができる。この発明の請求項15に対応する第15の
実施の形態を図15に示す。図15において、1501
はノイズ低減用金属片接続導体である。ノイズ低減用金
属片105は図14と違い接続導体1501によりダイ
パッド1406に接続される。これにより、低ノイズ可
能なリードフレームの管理時および扱い時において、ノ
イズ低減用金属片105が飛散することを防止できる、
低ノイズ可能なリードフレームを提供できる。その他は
第14の実施の形態と同様である。
【0047】この発明の請求項16に対応する第16の
実施の形態の低ノイズの可能なリードフレームの製造方
法について、図14および図15を参照して説明する。
図14において、リード1403、ダイパッド140
6、つりリード1401が、一枚の金属板から、エッチ
ングもしくはプレスにより同時に製造される。ノイズ低
減用金属片1407はノイズ低減用金属片支持金属14
04により、リード支持金属1402につながる用に製
造される。これにより、ノイズ低減用金属片1407お
よび支持金属1402は、リードフレームと一体で成形
されることになり、ノイズ低減用金属片1407を製造
する特別な工程を必要とせず従来と同じ時間および同じ
設備で低ノイズ可能なリードフレームを製造することが
できる。また、図15に示すリードフレームのように、
ノイズ低減用金属片1407をダイパッド1406に接
続する場合も同様に、リードフレームと一体で作ること
が可能である。
実施の形態の低ノイズの可能なリードフレームの製造方
法について、図14および図15を参照して説明する。
図14において、リード1403、ダイパッド140
6、つりリード1401が、一枚の金属板から、エッチ
ングもしくはプレスにより同時に製造される。ノイズ低
減用金属片1407はノイズ低減用金属片支持金属14
04により、リード支持金属1402につながる用に製
造される。これにより、ノイズ低減用金属片1407お
よび支持金属1402は、リードフレームと一体で成形
されることになり、ノイズ低減用金属片1407を製造
する特別な工程を必要とせず従来と同じ時間および同じ
設備で低ノイズ可能なリードフレームを製造することが
できる。また、図15に示すリードフレームのように、
ノイズ低減用金属片1407をダイパッド1406に接
続する場合も同様に、リードフレームと一体で作ること
が可能である。
【0048】この発明の請求項17に対応する第17の
実施の形態の低ノイズの可能な半導体装置の製造方法に
付いて、図14および図15を参照しながら説明する。
一般に半導体装置の組立は、封止用樹脂1405による
樹脂封止後、リード1403の切り離し、リード曲げ、
およびめっきの順番で行われる。リード1403の切り
離し時に、リード支持金属1402が切断され、リード
1403が独立することになる。この際にノイズ低減用
支持金属1404を同時に切断することにより、ノイズ
低減用金属片1407を独立させる。上記のように、ノ
イズ低減用支持金属1404の切断をリード支持金属1
402の切断と同時に行って半導体を製造することによ
り、一部金型を変更するだけで、従来と全く同一の方法
および同一の時間でノイズ低減可能なリードフレームを
用いた半導体装置を製造することができる。また図15
のようにノイズ低減用金属片1407を、ダイパッド1
406に接続した場合は、従来と全く同様の方法および
時間で、金型も変更すること無く、ノイズ低減用リード
フレームを用いた半導体装置を製造することができる。
実施の形態の低ノイズの可能な半導体装置の製造方法に
付いて、図14および図15を参照しながら説明する。
一般に半導体装置の組立は、封止用樹脂1405による
樹脂封止後、リード1403の切り離し、リード曲げ、
およびめっきの順番で行われる。リード1403の切り
離し時に、リード支持金属1402が切断され、リード
1403が独立することになる。この際にノイズ低減用
支持金属1404を同時に切断することにより、ノイズ
低減用金属片1407を独立させる。上記のように、ノ
イズ低減用支持金属1404の切断をリード支持金属1
402の切断と同時に行って半導体を製造することによ
り、一部金型を変更するだけで、従来と全く同一の方法
および同一の時間でノイズ低減可能なリードフレームを
用いた半導体装置を製造することができる。また図15
のようにノイズ低減用金属片1407を、ダイパッド1
406に接続した場合は、従来と全く同様の方法および
時間で、金型も変更すること無く、ノイズ低減用リード
フレームを用いた半導体装置を製造することができる。
【0049】なお、この発明の請求項1から請求項17
に対応する第1の実施の形態から第17の実施の形態に
おいて、ノイズ低減用金属片1407が、リード140
3より厚い形状を持っている場合は、ノイズ減衰が顕著
であるが、リード1403と同じ厚さもしくはリード1
403よりも薄い場合でも第17の実施の形態と同様の
効果が得られる。
に対応する第1の実施の形態から第17の実施の形態に
おいて、ノイズ低減用金属片1407が、リード140
3より厚い形状を持っている場合は、ノイズ減衰が顕著
であるが、リード1403と同じ厚さもしくはリード1
403よりも薄い場合でも第17の実施の形態と同様の
効果が得られる。
【0050】この発明の請求項18に対応する第18の
実施の形態の半導体装置について、図16および図17
を用いて説明する。図16において、1601はリー
ド、1602は半導体封止用樹脂、1603は金属細粒
である。図17は図16のA−A’を結ぶ線に沿った断
面図である。図17において、1701は金属線、17
02はダイパッド、1703は半導体チップである。一
般に金属の細粒による静電遮蔽効果により電波が乱反射
されることは良く知られている。この発明では、図16
および図17の構成において、半導体封止用樹脂160
2内でリード1601および金属線1701から放射さ
れたノイズは、樹脂封止ないに均一に混ぜられた大きさ
数μm以下の金属細粒1603により、乱反射される。
このため、リード1601および金属線1701から放
射されたノイズは、他のリード1601および金属線1
701に到達するまでに大幅に減衰する。このため、従
来より大幅にノイズ低減が可能となる。さらに、この発
明によれば、外来からのノイズにより半導体が誤動作す
ることも同様に防げる利点がある。また、金属細粒16
03を、封止用樹脂の数%以下に抑えているため、リー
ド1601および金属配線が短絡するなどの不具合は生
じない。金属細粒1603の材料としては、アルミ、
金、鉄等の金属元素および金属化合物および導伝性樹脂
などが挙げられる。
実施の形態の半導体装置について、図16および図17
を用いて説明する。図16において、1601はリー
ド、1602は半導体封止用樹脂、1603は金属細粒
である。図17は図16のA−A’を結ぶ線に沿った断
面図である。図17において、1701は金属線、17
02はダイパッド、1703は半導体チップである。一
般に金属の細粒による静電遮蔽効果により電波が乱反射
されることは良く知られている。この発明では、図16
および図17の構成において、半導体封止用樹脂160
2内でリード1601および金属線1701から放射さ
れたノイズは、樹脂封止ないに均一に混ぜられた大きさ
数μm以下の金属細粒1603により、乱反射される。
このため、リード1601および金属線1701から放
射されたノイズは、他のリード1601および金属線1
701に到達するまでに大幅に減衰する。このため、従
来より大幅にノイズ低減が可能となる。さらに、この発
明によれば、外来からのノイズにより半導体が誤動作す
ることも同様に防げる利点がある。また、金属細粒16
03を、封止用樹脂の数%以下に抑えているため、リー
ド1601および金属配線が短絡するなどの不具合は生
じない。金属細粒1603の材料としては、アルミ、
金、鉄等の金属元素および金属化合物および導伝性樹脂
などが挙げられる。
【0051】
【発明の効果】請求項1記載のリードフレームによれ
ば、信号用リードの間にダミーのノイズ低減用金属片を
配置することにより、リード間の寄生容量を低減すると
ともに不要な輻射ノイズを反射するので、リード間のノ
イズ干渉を防止でき、信号間の不要な輻射ノイズの低減
が可能となり、ノイズによる誤動作を極力低減すること
ができる。またリードの配置の制約を緩和することがで
きる。
ば、信号用リードの間にダミーのノイズ低減用金属片を
配置することにより、リード間の寄生容量を低減すると
ともに不要な輻射ノイズを反射するので、リード間のノ
イズ干渉を防止でき、信号間の不要な輻射ノイズの低減
が可能となり、ノイズによる誤動作を極力低減すること
ができる。またリードの配置の制約を緩和することがで
きる。
【0052】請求項2記載のリードフレームによれば、
請求項1と同様な効果のほか、放射されたノイズを速や
かに半導体チップより吸収し、ダイパッドを通じて逃す
ことができる。請求項3記載のリードフレームによれ
ば、請求項2と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片
に放射されたノイズをダイパッド、電源用リード等を通
じて速やかに電源またはグラウンドに吸収できる。
請求項1と同様な効果のほか、放射されたノイズを速や
かに半導体チップより吸収し、ダイパッドを通じて逃す
ことができる。請求項3記載のリードフレームによれ
ば、請求項2と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片
に放射されたノイズをダイパッド、電源用リード等を通
じて速やかに電源またはグラウンドに吸収できる。
【0053】請求項4記載のリードフレームによれば、
請求項3と同様な効果がある。請求項5記載のリードフ
レームによれば、請求項4と同様な効果のほか、ノイズ
低減用金属片に放射されたノイズを金属線、ダイパッ
ド、金属線および電源リードまたはダラウンドリードを
通して電源またはダラウンドに逃すことにらり不要な輻
射ノイズを低減できる。
請求項3と同様な効果がある。請求項5記載のリードフ
レームによれば、請求項4と同様な効果のほか、ノイズ
低減用金属片に放射されたノイズを金属線、ダイパッ
ド、金属線および電源リードまたはダラウンドリードを
通して電源またはダラウンドに逃すことにらり不要な輻
射ノイズを低減できる。
【0054】請求項6記載の半導体装置によれば、ノイ
ズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、電源配
線、金属線、電源リードまたはグラウンドリードを通じ
て電源またはグラウンドに逃がすことと共に、信号用金
属線間の寄生容量をも低減することにより、不要な輻射
ノイズを低減し、リード間のノイズ干渉を防止すること
ができるとともに、ワイヤ間のノイズ干渉をも防止する
ことが可能となり、低ノイズ可能な半導体装置を提供で
きる。
ズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、電源配
線、金属線、電源リードまたはグラウンドリードを通じ
て電源またはグラウンドに逃がすことと共に、信号用金
属線間の寄生容量をも低減することにより、不要な輻射
ノイズを低減し、リード間のノイズ干渉を防止すること
ができるとともに、ワイヤ間のノイズ干渉をも防止する
ことが可能となり、低ノイズ可能な半導体装置を提供で
きる。
【0055】請求項7記載のリードフレームによれば、
請求項1と同様な効果のほか、リードの配置に自由度を
もたせ任意配置が可能となり、製品毎にリードフレーム
を揃える必要がなくリードフレームの共通化が行え、材
料管理が行いやすい。請求項8記載の半導体装置によれ
ば、請求項1または請求項7と同様な効果のほか、各ノ
イズ低減用金属片は、半導体チップ上の金属配線からそ
れぞれ電源電位またはグラウンドに金属線により固定さ
れ、ノイズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、
ダイパッド、金属線、電源リードを通じて電源に逃がす
ことにより、不要な輻射ノイズの低減を可能とするとと
もに、リード配置の決定において、不要な輻射ノイズに
よる制約を不要とすることができ、金属線間のノイズ干
渉をも防止することができ、低ノイズ可能な半導体装置
を提供できる。
請求項1と同様な効果のほか、リードの配置に自由度を
もたせ任意配置が可能となり、製品毎にリードフレーム
を揃える必要がなくリードフレームの共通化が行え、材
料管理が行いやすい。請求項8記載の半導体装置によれ
ば、請求項1または請求項7と同様な効果のほか、各ノ
イズ低減用金属片は、半導体チップ上の金属配線からそ
れぞれ電源電位またはグラウンドに金属線により固定さ
れ、ノイズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、
ダイパッド、金属線、電源リードを通じて電源に逃がす
ことにより、不要な輻射ノイズの低減を可能とするとと
もに、リード配置の決定において、不要な輻射ノイズに
よる制約を不要とすることができ、金属線間のノイズ干
渉をも防止することができ、低ノイズ可能な半導体装置
を提供できる。
【0056】請求項9記載のリードフレームによれば、
請求項7と同様な効果がある。請求項10記載の半導体
装置によれば、請求項1または請求項7と同様な効果の
ほか、ノイズ低減用金属片をダイパッドに接続している
ので、全ノイズ低減用金属片を金属線で半導体チップ上
の電源またはグラウンドに接続できない場合でも、ダイ
パッドを通じてノイズ低減用金属片を電源電位等に固定
し、ノイズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、
ダイパッド、金属線、半導体チップの電源配線・電源リ
ードを通じて電源等に逃がすことにより、不要な輻射ノ
イズの低減を可能とする。
請求項7と同様な効果がある。請求項10記載の半導体
装置によれば、請求項1または請求項7と同様な効果の
ほか、ノイズ低減用金属片をダイパッドに接続している
ので、全ノイズ低減用金属片を金属線で半導体チップ上
の電源またはグラウンドに接続できない場合でも、ダイ
パッドを通じてノイズ低減用金属片を電源電位等に固定
し、ノイズ低減用金属片に放射されたノイズを金属線、
ダイパッド、金属線、半導体チップの電源配線・電源リ
ードを通じて電源等に逃がすことにより、不要な輻射ノ
イズの低減を可能とする。
【0057】請求項11記載のリードフレームによれ
ば、請求項1と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片
と封止用樹脂との密着性が良くなり、樹脂の剥離を防止
でき、半導体の品質向上が図れる。請求項12記載のリ
ードフレームによれば、請求項1および請求項11と同
様な効果がある。
ば、請求項1と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片
と封止用樹脂との密着性が良くなり、樹脂の剥離を防止
でき、半導体の品質向上が図れる。請求項12記載のリ
ードフレームによれば、請求項1および請求項11と同
様な効果がある。
【0058】請求項13記載の半導体装置によれば、請
求項1と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片の端部
を封止用樹脂の内部に隠すことにより、半導体を雰囲気
中などに放置した場合、または雰囲気中で半導体に電圧
が印加された状態において、リード間などに針状金属が
成長するのを防ぎ、リード間またはリードとノイズ低減
用金属片間が短絡することを防止することができ、半導
体の品質向上が図れる。
求項1と同様な効果のほか、ノイズ低減用金属片の端部
を封止用樹脂の内部に隠すことにより、半導体を雰囲気
中などに放置した場合、または雰囲気中で半導体に電圧
が印加された状態において、リード間などに針状金属が
成長するのを防ぎ、リード間またはリードとノイズ低減
用金属片間が短絡することを防止することができ、半導
体の品質向上が図れる。
【0059】請求項14記載のリードフレームによれ
ば、請求項1と同様な効果のほか、リードフレームの作
製時において、各リードを支えるリード支持金属にノイ
ズ低減用金属片を接続することにより、リードフレーム
管理時などにノイズ低減用金属片が飛散することを防止
することができ、管理および取扱が行い易い。請求項1
5記載のリードフレームによれば、請求項1と同様な効
果のほか、ノイズ低減用金属片をダイパッドと一体とす
ることで、ノイズ低減用金属片を支持する金属を不要と
し、リードフレーム管理時などにノイズ吸収用金属片が
飛散することを防止することができ、管理および取扱が
行い易い。
ば、請求項1と同様な効果のほか、リードフレームの作
製時において、各リードを支えるリード支持金属にノイ
ズ低減用金属片を接続することにより、リードフレーム
管理時などにノイズ低減用金属片が飛散することを防止
することができ、管理および取扱が行い易い。請求項1
5記載のリードフレームによれば、請求項1と同様な効
果のほか、ノイズ低減用金属片をダイパッドと一体とす
ることで、ノイズ低減用金属片を支持する金属を不要と
し、リードフレーム管理時などにノイズ吸収用金属片が
飛散することを防止することができ、管理および取扱が
行い易い。
【0060】請求項16記載のリードフレームの製造方
法によれば、ノイズ吸収用金属片をリード製造時に、リ
ードと同時に製造することにより、ノイズ低減用金属片
の製造にかかる時間を不要とすることができる。したが
って、低ノイズ可能なリードフレームのノイズ低減用金
属片を、従来のリードフレームの製造と同じ工程で製造
することが可能であり、従来と同じ時間で製造が可能と
なり、新たな設備を必要とせず、安価な方法で、低ノイ
ズ可能なリードフレームを供給することが可能である。
法によれば、ノイズ吸収用金属片をリード製造時に、リ
ードと同時に製造することにより、ノイズ低減用金属片
の製造にかかる時間を不要とすることができる。したが
って、低ノイズ可能なリードフレームのノイズ低減用金
属片を、従来のリードフレームの製造と同じ工程で製造
することが可能であり、従来と同じ時間で製造が可能と
なり、新たな設備を必要とせず、安価な方法で、低ノイ
ズ可能なリードフレームを供給することが可能である。
【0061】請求項17記載の半導体装置の製造方法に
よれば、ノイズ低減用金属片のリードフレームからの切
離しをリードの切離しと同時に行なうことにより、ノイ
ズ低減用金属片の切離しに要する時間を不要にでき製造
が簡単になる。したがって、半導体組立時おいて、低ノ
イズ可能なリードフレームを、従来とまったく同様の手
法により組み立てることができ、なんら新たな設備など
を必要とせずに半導体装置を組み立てることが可能であ
る。
よれば、ノイズ低減用金属片のリードフレームからの切
離しをリードの切離しと同時に行なうことにより、ノイ
ズ低減用金属片の切離しに要する時間を不要にでき製造
が簡単になる。したがって、半導体組立時おいて、低ノ
イズ可能なリードフレームを、従来とまったく同様の手
法により組み立てることができ、なんら新たな設備など
を必要とせずに半導体装置を組み立てることが可能であ
る。
【0062】請求項18記載の半導体装置によれば、た
とえば直径数μm以下の金属細粒を半導体封止樹脂材料
の数%混ぜることにより、不要な輻射ノイズが金属細粒
により反射されるので、リードフレームにノイズ低減用
金属片が無い場合でも、端子間の不要な輻射ノイズを低
減することができ、直接信号間のノイズ干渉を少なくで
き低ノイズ可能な半導体装置を提供することが可能であ
る。
とえば直径数μm以下の金属細粒を半導体封止樹脂材料
の数%混ぜることにより、不要な輻射ノイズが金属細粒
により反射されるので、リードフレームにノイズ低減用
金属片が無い場合でも、端子間の不要な輻射ノイズを低
減することができ、直接信号間のノイズ干渉を少なくで
き低ノイズ可能な半導体装置を提供することが可能であ
る。
【図1】この発明の第1の実施の形態における低ノイズ
なリードフレームを有する半導体装置の概略平面図であ
る。
なリードフレームを有する半導体装置の概略平面図であ
る。
【図2】第2の実施の形態の概略平面図である。
【図3】第3の実施の形態の概略平面図である。
【図4】第4の実施の形態の概略平面図である。
【図5】第5の実施の形態の概略平面図である。
【図6】第6の実施の形態の概略平面図である。
【図7】第7の実施の形態の概略平面図である。
【図8】第8の実施の形態の概略平面図である。
【図9】第9の実施の形態の概略平面図である。
【図10】第10の実施の形態の概略平面図である。
【図11】第11の実施の形態の概略平面図である。
【図12】第12の実施の形態の概略平面図である。
【図13】第13の実施の形態の概略平面図である。
【図14】第14の実施の形態の概略平面図である。
【図15】第15の実施の形態の概略平面図である。
【図16】第16の実施の形態の概略平面図である。
【図17】図16のA−A′線断面図である。
【図18】従来例の概略平面図である。
【図19】他の従来例の概略平面図である。
101 半導体チップ 102 ダイパッド 103 金属線 104 他の信号入出力リード 105 ノイズ吸収用金属片 106 信号A用リード 107 信号B用リード 108 電源リード(または、グラウンドリード) 109 封止用樹脂 201 金属片接続用導体 301 電源リード接続用導体 401 電源リード接続用金属線 501 金属片接続用金属線 601 金属線 602 パッド 901 ノイズ吸収用金属片接続用金属線 1001 ノイズ吸収用金属片接続用導体 1101 樹脂封止密着用凹凸 1201 樹脂密着用あな 1301 ギャップ 1401 つりリード 1402 リード支持金属 1403 リード 1404 ノイズ吸収用金属片支持金属 1405 封止用樹脂 1406 ダイパッド 1407 ノイズ吸収用金属片 1501 ノイズ吸収用金属片接続導体 1601 リード 1602 封止用樹脂 1603 金属細粒 1701 金属線 1702 ダイパッド 1703 半導体チップ
Claims (18)
- 【請求項1】 半導体チップの周辺に配置されて接続線
により前記半導体チップに接続される複数のリードを有
するリードフレームであって、前記複数のリードのうち
の隣合う一対の信号用リードの間に配置されたノイズ低
減用金属片を有することを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項2】 半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片を前記ダイパッドに接続した請
求項1記載のリードフレーム。 - 【請求項3】 複数のリードのうち電源用リードまたは
グラウンド用リードをダイパッドに接続した請求項2記
載のリードフレーム。 - 【請求項4】 電源用リードまたはグラウンド用リード
を金属線によりダイパッドに接続した請求項3記載のリ
ードフレーム。 - 【請求項5】 ノイズ低減用金属片を金属線によりダイ
パッドに接続した請求項4記載のリードフレーム。 - 【請求項6】 半導体チップと、この半導体チップの周
辺に配置されて接続線により前記半導体チップに接続さ
れた複数のリードと、前記半導体チップ上に設けた電源
またはグラウンドに接続されるボンディング用パッドに
金属線により接続されて前記複数のリードのうちの隣合
う一対の信号用リードの間に配置されたノイズ低減用金
属片とを備えた半導体装置。 - 【請求項7】 ノイズ低減用金属片は、複数のリードの
全てのリード間に配置されている請求項1記載のリード
フレーム。 - 【請求項8】 半導体チップと、この半導体チップの周
辺に配置されて接続線により前記半導体チップに接続さ
れた複数のリードと、この複数のリードの間に配置され
て全てまたは一部が前記半導体チップ上の電源またはグ
ラウンドへの配線に金属線により接続されたノイズ低減
用金属片とを備えた半導体装置。 - 【請求項9】 半導体チップを支持するダイパッドを有
し、ノイズ低減用金属片はダイパットに金属線により接
続されている請求項7記載のリードフレーム。 - 【請求項10】 半導体チップと、この半導体チップを
支持するダイパッドと、前記半導体チップの周辺に配置
されて接続線により前記半導体チップに接続された複数
のリードと、この複数のリードの間に配置されて前記ダ
イパッドに接続されるとともに全てまたは一部が前記半
導体チップ上の電源またはグラウンドに接続されたパッ
ドに金属線により接続されたノイズ低減用金属片とを備
えた半導体装置。 - 【請求項11】 ノイズ低減用金属片に樹脂密着用凹凸
を有する請求項1記載のリードフレーム。 - 【請求項12】 ノイズ低減用金属片に樹脂密着用穴を
有する請求項1記載のリードフレーム。 - 【請求項13】 半導体チップと、この半導体チップの
周辺に配置されて接続線により前記半導体チップに接続
された複数のリードと、前記リードの間に配置されたノ
イズ低減用金属片と、このノイズ低減用金属片が内方に
埋設されるように前記複数のリードの一部および前記半
導体チップを埋設した封止用樹脂とを備えた半導体装
置。 - 【請求項14】 複数のリードと、これらのリードを支
持したリード支持金具と、このリード支持金具に接続さ
れて前記リードの間に配置されたノイズ低減用金属片と
を備えたリードフレーム。 - 【請求項15】 半導体チップを支持するダイパッド
と、このダイパッドの周囲に配置された複数のリード
と、これらのリードを支持したリード支持金具と、前記
ダイパッドに接続されて前記リードの間に配置されたノ
イズ低減用金属片とを備えたリードフレーム。 - 【請求項16】 リードの間に配置するノイズ低減用金
属片を前記リードとともに一体に形成することを特徴と
するリードフレームの製造方法。 - 【請求項17】 リードおよびノイズ低減用金属片を有
するリードフレームを形成する工程と、前記リードと半
導体チップとを接続する工程と、前記リードの一部、前
記ノイズ低減用金属片および半導体チップを樹脂封止す
る工程とを含み、前記ノイズ低減用金属片のリードフレ
ームからの切離しをリードの切離しと同時に行なうこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。上記請求項14に
おいて、半導体組立時において、ノイズ低減用金属片の
切り離しを、リードの切り離しと同時に実施してノイズ
対策用金属片製作時間を不要とする事を特徴とする、低
ノイズ可能リードフレームを用いた半導体装置を組み立
てる半導体製造方法。 - 【請求項18】 半導体チップと、この半導体チップの
周辺に配置されて接続線により前記半導体チップに接続
された複数のリードと、ノイズ反射用の金属細粒を混合
したものであって前記リードの一部および前記半導体チ
ップを埋設する封止用樹脂とを備えた半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18962997A JPH1140721A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18962997A JPH1140721A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1140721A true JPH1140721A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16244502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18962997A Pending JPH1140721A (ja) | 1997-07-15 | 1997-07-15 | リードフレーム、半導体装置およびそれらの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1140721A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011014758A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Renesas Electronics Corp | リードフレーム及びこれを用いた電子部品 |
CN106531709A (zh) * | 2015-09-15 | 2017-03-22 | 株式会社东芝 | 半导体装置的制造方法 |
CN107968086A (zh) * | 2016-10-19 | 2018-04-27 | 力祥半导体股份有限公司 | 瞬态电压抑制器装置 |
-
1997
- 1997-07-15 JP JP18962997A patent/JPH1140721A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011014758A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-20 | Renesas Electronics Corp | リードフレーム及びこれを用いた電子部品 |
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CN107968086B (zh) * | 2016-10-19 | 2019-10-11 | 力智电子股份有限公司 | 瞬态电压抑制器装置 |
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