JPH114039A

JPH114039A - 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

Info

Publication number: JPH114039A
Application number: JP15381497A
Authority: JP
Inventors: Takao Yamada; 孝夫山田; Shuji Nakamura; 修二中村
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 1997-06-11
Filing date: 1997-06-11
Publication date: 1999-01-06
Anticipated expiration: 2017-06-11
Also published as: JP3278108B2

Abstract

(57)【要約】【課題】共振面が平滑で、レーザ光のファーフィール
ドパターン形状の良好な、更にしきい値の低下された窒
化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供すること
である。【解決手段】エッチングして共振面を形成した後、更
にエッチングによりリッジ（ｐ側コンタクト層２０及び
ｐ側クラッド層１９よりなる）を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は窒化物半導体（Ｉｎ_XＡ
ｌ_YＧａ_1-X-YＮ、０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）よりなるレ
ーザ素子に関し、特にファーフィールドパターンが良好
な、しきい値の低下されたレーザ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】本発明者等は、光導波効率を上げるため
に共振面間にリッジ構造を設け実効屈折率導波型のレー
ザ素子を提案している。窒化物半導体レーザ素子（以下
単に半導体レーザ素子とする場合がある。）は、活性層
の発光を半導体層内部で共振させるために共振面を有す
る。共振面は、エッチング（ドライエッチング、ウエッ
トエッチング等）や劈開等によって形成される。またリ
ッジ構造はエッチング等によって形成される。そして、
レーザ光は共振面から出射されるため、共振面が鏡のよ
うに平滑であるとレーザ光のファーフィールドパターン
が良好となる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、窒化物
半導体にエッチングによりリッジ構造及び共振面を形成
すると、図２の窒化物半導体の部分的な構造を示す斜視
図で示すように共振面に２本の筋が生じて平滑な面にな
らない。また、劈開により共振面を形成しようとする
と、窒化物半導体がサファイア（Ａｌ₂Ｏ₃）のような劈
開性をほとんど有しない基板上に形成されることが多い
ため、基板を劈開して共振面とすることが難しい。基板
として用いられるサファイアはダイヤモンドと同じくら
いに硬い物質であるので、フルカットすると長時間を要
し、更に切断面にある窒化物半導体層に割れや欠け等の
欠陥が生じ易い傾向にある。

【０００４】この様に共振面に２本の筋が生じたり、半
導体が割れたりして共振面が十分平滑でないと、半導体
レーザから放出される光のファーフィールドパターンが
乱れ、良好な楕円形状等のレーザビームが得られない。
更にファーフィールドパターンが乱れると、レーザ光と
レンズとが結合し難くなり光源として使いにくい。また
エッチングにより共振面に２本の筋が生じると、光の帰
還率の低下により共振面での光損失が増加し、しきい値
が上昇する。レーザの連続発振を長時間に渡り可能とす
るためには、しきい値の低下が必要である。

【０００５】そこで、本発明の目的は、共振面が平滑
で、レーザ光のファーフィールドパターン形状の良好
な、更にしきい値の低下された窒化物半導体レーザ素子
及びその製造方法を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明の目的は以
下の構成によって達成することができる。（１）光導波機構がリッジ構造である窒化物半導体レ
ーザ素子において、共振面がエッチングにより形成され
てなり、該共振面を形成後に、リッジ構造がエッチング
により形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レ
ーザ素子。（２）前記共振面の面上に生じる凹凸が２μｍ以下で
あることを特徴とする前記１に記載の窒化物半導体レー
ザ素子。（３）光導波機構がリッジ構造である窒化物半導体レ
ーザ素子の製造方法において、エッチングして共振面を
形成した後、更にエッチングによりリッジ構造を形成し
てなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造
方法。

【０００７】更に本発明の目的は、以下好ましい態様に
より達成することができる。（４）リッジ構造がｐ側の超格子層を含んだ上の層を
リッジとして形成されていることを特徴とする前記
（１）又は（３）に記載の窒化物半導体レーザ素子。

【０００８】つまり、本発明は、上記の如く共振面を形
成した後にリッジ構造を形成することによって、共振面
が平滑になり、これによりファーフィールドパターンが
正常になる。更に本発明は共振面が平滑となったので、
光の帰還率が向上し、しきい値の上昇が抑えられしきい
値を低下させることができる。

【０００９】本発明者等は、ファーフィールドパターン
を乱す共振面の荒れについて種々検討した結果、リッジ
構造を形成後に共振面を形成すると、図２のように共振
面に２本の筋が生じることを見いだした。通常、フォト
リソグラフィの性質上、窒化物半導体をエッチングする
場合、エッチング深さの小さい部分から行う。これは、
エッチング深さが大きい部分を形成した後エッチング深
さが小さい部分を形成しようとすると、レジスト膜の厚
みに差が生じ、露光して現像しても段差が大きい部分に
レジスト膜が残り、所望する形状にフォトリソすること
が困難となる。従って当業者の多くは、エッチングの深
さが小さい部分からフォトリソを行う。

【００１０】しかしながら、本発明者等は、フォトリソ
グラフィを行う際の上記のような常識に反し、エッチン
グ深さの大きい共振面を形成した後にエッチング深さの
小さいリッジ構造の形成を行うことによって平滑な共振
面を可能にした。そして、図１の窒化物半導体の部分的
な構造を示す斜視図のＡ部分のように、従来法ではエッ
チングされるべき箇所にわずかな段差が生じているが、
この段差によるレーザ素子への何らの悪影響もない。更
に、このように段差の生じる要因のレジスト膜の残存物
は、悪影響がないばかりか、リッジ構造をエッチングす
る際の共振面及びそれ以外の側面の不要な浸食を防止
し、共振面の不要な浸食による共振面の面角度の不具合
を防止することができる。即ち、本発明は、単に従来の
エッチングの順序を変更しただけではなく、エッチング
の順序を変更したことによって生じる不要の副産物とさ
れているレジスト膜の残存物を共振面の保護膜として活
用しリッジ構造を形成するものである。これによって、
共振面の面角度が基板に対しほぼ９０°、且つ共振面が
平滑で鏡面状を保つことができ、ファーフィールドパタ
ーンが非常に良好となると共にしきい値の低下を可能に
し、劈開性のほとんどない基板上に形成され且つリッジ
構造を有する窒化物半導体レーザ素子に特有の上記問題
点を解決するに至った。

【００１１】更に本発明は、上記の如く半導体レーザか
ら出射される光のファーフィールドパターンが良好とな
ったので、楕円形状のレーザビームを得ることが可能と
なる。更にファーフィールドパターンが良好であるとレ
ーザ光とレンズとが結合し易くなり光源として使い易く
なる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の窒化物半導体レーザ素子
は、少なくとも共振面を形成後にリッジ構造が形成され
ているものである。そしてこのように形成された本発明
の窒化物半導体レーザ素子は、平滑な共振面を有するこ
とができる。本発明にかかる共振面は、共振面の面上の
凹凸が２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下、より好まし
くは０．５μｍ以下である。つまり図３の図２の斜視図
を上から見た模式的平面図のｄの値が凹凸の値を示す。
このような本発明における共振面は、例えば図１で示す
ように、従来問題となっていたリッジ構造を有する場合
にリッジ構造のストライプ幅の両脇に生じていた２本の
筋が発生していない。このことは図２で示した従来の共
振面と比較すれば一目瞭然である。

【００１３】また、本発明の窒化物半導体レーザ素子
は、図１に示されるように、ｎ型の窒化物半導体層の端
部（図１のＡ部分）にわずかな段差が生じる。この段差
は、エッチング深さが大きい共振面を形成後に、エッチ
ング深さの小さいリッジ構造を形成するために生じる。
つまり、レジストを塗布し窒化物半導体層に薄膜を形成
し露光する際、エッチングによる段差が大きいとレジス
ト薄膜の厚みにむらが生じ均一に露光できないため図１
のような段差が生じる。しかしながら、このように段差
が生じても、レーザから出射される光のファーフィール
ドパターン、しきい値等にはほとんど悪影響を与えな
い。従って、この段差は、本発明のレーザ素子に特有の
構造であり、且つ本発明の製造方法によって生じる特定
の構造といえる。

【００１４】共振面は、窒化物半導体をエッチングして
活性層のエッチング端面に形成される。共振面は、活性
層の端面に形成するレーザ光を共振させるための面を指
す。

【００１５】リッジ構造は、活性層の上部のｐ側層（ｐ
型不純物を含有するｐ側の窒化物半導体層）を一定のス
トライプ幅を有してエッチングしてリッジ構造とされ
る。以下、本発明においてリッジ構造を有する部分をリ
ッジ部と言う場合がある。本発明において、ストライプ
状のリッジ構造の形状は特に限定されるものではない
が、例えば本発明者等が先に提案した特願平８−６７６
３２号明細書等に記載のリッジ構造の形状を挙げること
ができる。またリッジ構造は活性層上のｐ側窒化物半導
体層に形成されていることが好ましい。

【００１６】リッジ構造の形状の好ましい一実施態様と
して、例えば、図４に示す様にｐ側コンタクト層２０、
ｐ側クラッド層１９をエッチングしてリッジ形状を図の
様に形成する。このようにｐ側の超格子層を含んだ上の
層をリッジ構造とすることが好ましい。超格子層を含ん
でリッジを形成するとしきい値を低下させることができ
好ましい。超格子層とは、組成の異なる極めて薄い層が
積層されたものであって、各層の厚さが十分薄いため
に、格子不整に伴う欠陥が発生することなく積層された
層のことをいい、量子井戸構造を含む広い概念である。
また、この超格子層は、内部に欠陥は有しないが、通
常、格子不整に伴う歪みを有するので歪み超格子とも呼
ばれる。

【００１７】本発明において、共振面及びリッジ構造
は、エッチングにより形成される。窒化物半導体をエッ
チングする方法には、ウエットエッチング、ドライエッ
チング等の方法があり、共振面となるような平滑な面を
形成するには、好ましくはドライエッチングを用いる。
ドライエッチングには、例えば反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢ
Ｅ）、電子サイクロトロンエッチング（ＥＣＲ）、イオ
ンビームエッチング等の装置があり、いずれもエッチン
グガスを適宜選択することにより、窒化物半導体をエッ
チングして共振面を形成することができる。例えば、本
出願人が先に出願した特開平８−１７８０３号公報記載
の窒化物半導体の具体的なエッチング手段を用いること
ができる。本発明は、上記のようなエッチング方法を用
い共振面を形成した後、リッジ構造を形成するものであ
る。

【００１８】本発明において、窒化物半導体の構成は特
に限定されず、いずれの層構成及び形状を有していても
よい。以下に本発明に用いることのできる好ましい窒化
物半導体素子の構成要素を記載する。

【００１９】図４は、本発明に係る一実施形態の窒化物
半導体素子の構造を示す模式的な断面図（レーザ光の共
振方向に垂直な断面）であり、該窒化物半導体素子は、
例えば、Ｃ面を主面とするサファイア等の基板１０上
に、ｎ型窒化物半導体層領域（ｎ側コンタクト層１２、
クラッド防止層１３、ｎ側クラッド層１４及びｎ側光ガ
イド層１５からなる。）とｐ型窒化物半導体領域（キャ
ップ層１７、ｐ側光ガイド層１８、ｐ側クラッド層１９
及びｐ側コンタクト層２０からなる。）とによって挟設
された窒化物半導体からなる活性層１６を備えた窒化物
半導体レーザダイオード素子である。

【００２０】ここで、本実施形態の窒化物半導体素子
は、ｎ型窒化物半導体層領域におけるｎ側クラッド層１
４を超格子層で形成し、かつｐ型窒化物半導体領域にお
けるｐ側クラッド層１９を超格子層で形成することによ
り、ＬＤ素子である窒化物半導体素子のしきい値電圧を
低く設定している。

【００２１】この実施形態の窒化物半導体素子において
は、まず、基板１０上にバッファ層１１と第２のバッフ
ァ層１１２を介してｎ側コンタクト層１２が形成され、
さらにｎ側コンタクト層１２上に、クラック防止層１
３、ｎ側クラッド層１４及びｎ側光ガイド層１５が積層
されて、ｎ型窒化物半導体層領域が形成される。なお、
クラック防止層１３の両側に露出されたｎ側コンタクト
層１２の表面にはそれぞれ、ｎ側コンタクト層１２とオ
ーミック接触するｎ側電極２３が形成され、該ｎ側電極
２３上には、例えば、ワイヤーボンディング用のｎ側パ
ッド電極が形成される。そして、ｎ側光ガイド層１５上
に窒化物半導体からなる活性層１６が形成され、さらに
該活性層１６上に、キャップ層１７、ｐ側光ガイド層１
８、ｐ側クラッド層１９及びｐ側コンタクト層２０が積
層されてｐ側窒化物半導体層領域が形成される。さら
に、ｐ側コンタクト層２０上に該ｐ側コンタクト層２０
とオーミック接触するｐ側電極２１が形成され、該ｐ側
電極２１上には、例えば、ワイヤーボンディング用のｐ
側パッド電極が形成される。なお、ｐ側コンタクト層２
０とｐ側クラッド層１９の上部とによって、共振方向に
長く伸びた峰状のリッジ部が構成された該リッジ部を形
成することによって、活性層１６において、光を幅方向
（共振方向に直交する方向）に閉じ込め、リッジ部（ス
トライプ状の電極）に垂直な方向で劈開された劈開面を
用いて、リッジ部の長手方向に共振する共振器を作製し
てレーザ発振させる。

【００２２】（基板１０）基板１０にはＣ面を主面とす
るサファイアの他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイ
ア、その他、スピネル（ＭｇＡ１₂Ｏ₄）のような絶縁性
の基板の他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板を用いる
ことができる。

【００２３】（バッファ層１１）バッファ層１１は、例
えばＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ等が９０
０℃以下の温度で成長させて、膜厚数十オングストロー
ム〜数百オングストロームに形成される。このバッファ
層１１は、基板と窒化物半導体との格子定数不正を緩和
するために形成されるが、窒化物半導体の成長方法、基
板の種類等によってはバッファ層１１を省略することも
可能である。

【００２４】（第２のバッファ層１１２）第２のバッフ
ァ層１１２は、前記バッファ層１１の上に、前記バッフ
ァ層よりも高温で成長させた単結晶の窒化物半導体より
なる層であり、バッファ層１１よりも厚膜を有する。こ
の第２のバッファ層１１２は次に成長させるｎ側コンタ
クト層１２よりもｎ型不純物濃度が少ない層とするか、
若しくはｎ型不純物をドープしない窒化物半導体層、好
ましくはＧａＮ層とすると、第２のバッファ層１１２の
結晶性が良くなる。最も好ましくはｎ型不純物をアンド
ープのＧａＮとすると最も結晶性が良い窒化物半導体が
得られる。従来のように負電極を形成するｎ側コンタク
ト層を数μｍ以上の膜厚で、高キャリア濃度の単一の窒
化物半導体層で構成しようとすると、ｎ型不純物濃度の
大きい層を成長させる必要がある。不純物濃度の大きい
厚膜の層は結晶性が悪くなる傾向にある。このため結晶
性の悪い層の上に、活性層等の他の窒化物半導体を成長
させても、結晶欠陥を他の層が引き継ぐことになって結
晶性の向上が望めない。そこで、ｎ側コンタクト層１２
層を成長させる前に、不純物濃度が小さい、結晶性の良
い第２のバッファ層１１２を成長させることにより、キ
ャリア濃度が大きく結晶性の良いｎ側コンタクト層１２
を成長させることができる。この第２のバッファ層１１
２の膜厚は、０．１μｍ以上、さらに好ましくは０．５
μｍ以上、最も好ましくは１μｍ以上、２０μｍ以下に
調整することが望ましい。第２のバッファ層１１２が
０．１μｍよりも薄いと、不純物濃度の大きいｎ型コン
タクト層１２を厚く成長させなければならず、ｎ側コン
タクト層１２の結晶性の向上があまり望めない傾向にあ
る。また２０μｍよりも厚いと、第２のバッファ層１１
２自体に結晶欠陥が多くなりやすい傾向にある。また第
２のバッファ層１１２を厚く成長させる利点として、放
熱性の向上が挙げられる。つまりレーザ素子を作製した
場合に、第２のバッファ層１１２で熱が広がりやすくレ
ーザ素子の寿命が向上する。さらにレーザ光の漏れ光が
第２のバッファ層１１２内で広がって、楕円形に近いレ
ーザ光が得やすくなる。なお、第２のバッファ層１１２
は、基板にＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ等の導電性基板を使
用した場合には省略してもよい。

【００２５】（ｎ側コンタクト層１２）ｎ側コンタクト
層１２は負電極を形成するコンタクト層として作用する
層であり、０．２μｍ以上、４μｍ以下に調整すること
が望ましい。０．２μｍよりも薄いと、後で負電極を形
成する際にこの層を露出させるようにエッチングレート
を制御するのが難しく、一方、４μｍ以上にすると不純
物の影響で結晶性が悪くなる傾向にある。このｎ側コン
タクト層１２の窒化物半導体にドープするｎ型不純物の
範囲は１×１０¹⁷／ｃｍ³〜１×１０²¹／ｃｍ³の範囲、
さらに好ましくは、１×１０¹⁸／ｃｍ³〜１×１０¹⁹／
ｃｍ³に調整することが望ましい。１×１０ ¹⁷／ｃｍ³よ
りも小さいとｎ電極の材料と好ましいオーミックが得ら
れにくくなるので、レーザ素子ではしきい値電流、電圧
の低下が望めず、１×１０²¹／ｃｍ ³よりも大きいと、
素子自体のリーク電流が多くなったり、また結晶性も悪
くなるため、素子の寿命が短くなる傾向にある。なおｎ
側コンタクト層１２においては、ｎ電極２３とのオーミ
ック接触抵抗を小さくするために、該ｎ側コンタクト層
１２のキャリア濃度を上げる不純物の濃度を、ｎ側クラ
ッド層１４よりも大きくすることが望ましい。なお、ｎ
側コンタクト層１２は基板にＧａＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ等
の導電性基板を使用し基板裏面側に負電極を設ける場合
にはコンタクト層としてではなくバッファ層として作用
する。

【００２６】また、第２のバッファ層１１２、及びｎ側
コンタクト層１２の内の少なくとも一方の層を、超格子
層とすることもできる。超格子層とすると、この層の結
晶性が飛躍的に良くなり、しきい値電流が低下する。好
ましくは第２のバッファ層１１２よりも膜厚が薄いｎ側
コンタクト層１２の方を超格子層とする。ｎ側コンタク
ト層１２を互いにバンドギャップエネルギーが異なる第
１の層と第２の層とが積層されてなる超格子構造とした
場合においては、好ましくはバンドギャップエネルギー
の小さな層を露出させてｎ電極２３を形成することによ
り、ｎ電極２３との接触抵抗が低くできしきい値を低下
させることができる。なおｎ型窒化物半導体と好ましい
オーミックが得られるｎ電極２３の材料としてはＡｌ、
Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ等の金属若しくは合
金が挙げられる。

【００２７】また、ｎ側コンタクト層１２を不純物濃度
が異なる超格子層とすることにより、横方向の抵抗値を
低くでき、ＬＤ素子のしきい値電圧、電流を低くするこ
とができる。これは、バンドギャップエネルギーの大き
な層の方に、多くｎ型不純物をドープした超格子層をｎ
層側のコンタクト層として形成した場合について、以下
のようなＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ−Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ−Ｍ
ｏｂｉｌｉｔｙ−Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）に類似した作
用が出現した効果が推察される。ｎ型不純物がドープさ
れたバンドギャップの大きい第１の層（第２の層）と、
バンドギャップが小さいアンドープ｛（ｕｎｄｏｐ
ｅ）；以下、不純物がドープされてない状態をアンドー
プという｝の第２の層（第１の層）とを積層した超格子
層では、ｎ型不純物を添加した層と、アンドープの層と
のヘテロ接合界面で、バンドギャップエネルギーの大き
な層側が空乏化し、バンドギャップエネルギーの小さな
層側の厚さ（１００オングストローム）前後の界面に電
子（二次元電子ガス）が蓄積する。この二次元電子ガス
がバンドギャップエネルギーの小さな層側にできるの
で、電子が走行するときに不純物による散乱を受けない
ため、超格子層の電子の移動度が高くなり、抵抗率が低
下すると推察される。

【００２８】（クラック防止層１３）クラック防止層１
３は、例えば、Ｓｉを５×１０¹⁸／cm³ドープしたＩｎ
_0.1Ｇａ_0.9Ｎからなり、例えば、５００オングストロー
ムの膜厚を有する。このクラック防止層１３はＩｎを含
むｎ型の窒化物半導体、好ましくはＩｎＧａＮを成長さ
せて形成することにより、その上に形成されるＡｌを含
む窒化物半導体層中にクラックが入るのを防止すること
ができる。なお、このクラック防止層１３は１００オン
グストローム以上、０．５μｍ以下の膜厚で成長させる
ことが好ましい。１００オングストロームよりも薄いと
前記のようにクラック防止として作用しにくく、０．５
μｍよりも厚いと、結晶自体が黒変する傾向にある。な
お、このクラック防止層１３は、ｎ型コンタクト層１２
を超格子とする場合、または次に成長させるｎ型クラッ
ド層１４を超格子層とする場合には省略してもよい。

【００２９】（ｎ型超格子からなるｎ側クラッド層１
４）ｎ側クラッド層は、例えばＳｉを５×１０¹⁸／cm³
ドープしたｎ型Ａｌ_0.2Ｇａ _0.8Ｎからなり、２０オング
ストロームの膜厚を有する第１の層、及びアンドープの
ＧａＮよりなり、２０オングストロームの膜厚を有する
第２の層とが交互に積層された超格子層よりなり、全体
で例えば０．５μｍの膜厚を有する。このｎ型クラッド
層１４はキャリア閉じ込め層、及び光閉じ込め層として
作用し、超格子層とした場合にはいずれか一方の層をＡ
ｌを含む窒化物半導体、好ましくはＡｌＧａＮを成長さ
せることが望ましく、１００オングストローム以上、２
μｍ以下、さらに好ましくは５００オングストローム以
上、１μｍ以下で成長させることにより良好なキャリア
閉じ込め層が成長できる。このｎ型クラッド層１４は単
一の窒化物半導体で成長させることもできるが、超格子
層とすることがクラックのない結晶性のよいキャリア閉
じ込め層が形成できる。

【００３０】（ｎ側光ガイド層１５）ｎ側光ガイド層１
５は、アンドープＧａＮからなり、０．１μｍの膜厚を
有する。このｎ側光ガイド層６は、活性層の光ガイド層
として作用し、ＧａＮ、ＩｎＧａＮを成長させて形成す
ることが望ましく、通常１００オングストローム〜５μ
ｍ、さらに好ましくは２００オングストローム〜１μｍ
の膜厚で成長させることが望ましい。なお、この光ガイ
ド層１５も超格子層にすることができる。ｎ側光ガイド
層１５、ｎ側クラッド層１４を超格子層にする場合、超
格子層を構成する窒化物半導体層の平均的なバンドギャ
ップエネルギーは活性層よりも大きくする。超格子層と
する場合には、第１の層及び第２の層の少なくとも一方
にｎ型不純物をドープしてもよいし、またアンドープで
も良い。

【００３１】（活性層１６）活性層１６は、例えば、Ｓ
ｉを８×１０¹⁸／cm³でドープしたＩｎ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよ
りなり、２５オングストロームの膜厚を有する井戸層
と、Ｓｉを８×１０¹⁸／cm³ドープしたＩｎ_0.05Ｇａ
_0.95Ｎよりなり、５０オングストロームの膜厚を有する
障壁層とを交互に積層することにより、所定の膜厚を有
する多重量子井戸構造（ＭＱＷ）で構成する。活性層１
６においては、井戸層、障壁層両方に不純物をドープし
ても良く、いずれか一方にドープしてもよい。なおｎ型
不純物をドープすると閾値が低下する傾向にある。ま
た、このように活性層１６を多重量子井戸構造とする場
合には必ずバンドギャップエネルギーの小さい井戸層
と、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが小さい障
壁層とを積層するため、超格子層とは区別される。井戸
層の厚さは、１００オングストローム以下、好ましくは
７０オングストローム以下、最も好ましくは、５０オン
グストローム以下にする。障壁層の厚さは１５０オング
ストローム以下、好ましくは１００オングストローム以
下、最も好ましくは７０オングストローム以下にする。

【００３２】（ｐ側キャップ層１７）ｐ側キャップ層１
７は、活性層１６よりもバンドギャップエネルギーが大
きい、例えば、Ｍｇを１×１０²⁰／cm³ドープしたｐ型
Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎよりなり、例えば、２００オングスト
ロームの膜厚を有する。本実施形態では、このように、
キャップ層１７を用いることが好ましいが、このキャッ
プ層は、薄い膜厚に形成されるので、本発明では、ｎ型
不純物をドープしてキャリアが補償されたｉ型としても
よい。ｐ側キャップ層１７の膜厚は０．１μｍ以下、さ
らに好ましくは５００オングストローム以下、最も好ま
しくは３００オングストローム以下に調整する。０．１
μｍより厚い膜厚で成長させると、ｐ側キャップ層１７
中にクラックが入りやすくなり、結晶性の良い窒化物半
導体層が成長しにくいからである。また、ｐ側キャップ
層１７の膜厚が、０．１μｍより大きいと、キャリアが
このエネルギーバリアとなるｐ型キャップ層１７をトン
ネル効果により通過できなくなるからであり、該トンネ
ル効果によるキャリアの通過を考慮すると、上述のよう
に５００オングストローム以下、さらには３００オング
ストローム以下に設定することが好ましい

【００３３】また、ｐ側キャップ層１７には、ＬＤ素子
を発振しやすくするために、Ａｌの組成比が大きいＡｌ
ＧａＮを用いて形成することが好ましく、該ＡｌＧａＮ
を薄く形成する程、ＬＤ素子は発振しやすくなる。例え
ば、Y値が０．２以上のＡｌ_YＧａ_1-YＮであれば５００
オングストローム以下に調整することが望ましい。ｐ型
キャップ層１７の膜厚の下限は特に限定しないが、１０
オングストローム以上の膜厚で形成することが望まし
い。

【００３４】（ｐ側光ガイド層１８）ｐ側光ガイド層１
８は、バンドギャップエネルギーがｐ側キャップ層１７
よりも小さい、例えば、アンドープＧａＮよりなり、
０．１μｍの膜厚を有する。このｐ側光ガイド層１８
は、活性層１６の光ガイド層として作用し、ｎ側光ガイ
ド層１５と同じくＧａＮ、ＩｎＧａＮで成長させて形成
することが望ましい。また、この層はｐ型クラッド層１
９を成長させる際のバッファ層としても作用し、１００
オングストローム〜５μｍ、さらに好ましくは２００オ
ングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることによ
り、好ましい光ガイド層として作用する。このｐ側光ガ
イド層はＭｇ等のｐ型不純物をドープしてｐ型の導電型
としても良い。なお、このｐ側光ガイド層を超格子層と
することもできる。超格子層とする場合には第１の層及
び第２の層の少なくとも一方にｐ型不純物をドープして
もよいし、またアンドープでも良い。

【００３５】（ｐ側クラッド層１９＝超格子層）ｐ側ク
ラッド層１９は、例えば、Ｍｇを１×１０²⁰／cm³ドー
プしたｐ型Ａｌ₀ _.2Ｇａ_0.8Ｎよりなり、例えば、２０オ
ングストロームの膜厚を有する第１の層と、例えばＭｇ
を１×１０²⁰／cm³ドープしたｐ型ＧａＮよりなり、２
０オングストロームの膜厚を有する第２の層とが交互に
積層された超格子層からなる。このｐ側クラッド層１９
は、ｎ側クラッド層１４と同じくキャリア閉じ込め層と
して作用し、特にｐ型層の抵抗率を低下させるための層
として作用する。このｐ側クラッド層１９の膜厚も特に
限定しないが、１００オングストローム以上、２μｍ以
下、さらに好ましくは５００オングストローム以上、１
μｍ以下で形成することが望ましい。

【００３６】（ｐ側コンタクト層２０）ｐ側コンタクト
層２０は、ｐ側クラッド層１９の上に、例えば、Ｍｇを
２×１０²⁰／cm³ドープしたｐ型ＧａＮよりなり、例え
ば、１５０オングストロームの膜厚を有する。このｐ側
コンタクト層２０はｐ型のＩｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-YＮ（０
≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成することができ、好まし
くは、上述のようにＭｇをドープしたＧａＮとすれば、
ｐ電極２１と最も好ましいオーミック接触が得られる。
さらにｐ側コンタクト層の膜厚を５００オングストロー
ム以下、さらに好ましくは３００オングストローム以
下、最も好ましくは２００オングストローム以下に調整
することが望ましい。なぜなら、上述したように抵抗率
が数Ω・ｃｍ以上もあるｐ型窒化物半導体層の膜厚を５
００オングストローム以下に調整することにより、さら
に抵抗率を低下させることができるため、しきい値での
電流、電圧が低下する。またｐ型層から除去される水素
の量を多くすることができ、さらに抵抗率を低下させる
ことができる。

【００３７】なお、本発明では、ｐ側コンタクト層２０
も超格子層とすることもできる。超格子層とする場合に
は、特にバンドギャップエネルギーが異なる第１の層と
第２の層とを積層し、第１＋第２＋第１＋第２＋・・・
というように積層していき、最後にバンドギャップエネ
ルギーが小さい方の層が露出するようにすると、ｐ電極
２１と好ましいオーミック接触が得られる。ｐ電極２１
の材料としては、例えばＮｉ、Ｐｄ、Ｎｉ／Ａｕ等を挙
げることができる。

【００３８】次に、図４に示すようにｐ電極２１と、ｎ
電極２３との間に露出した窒化物半導体層の表面にＳｉ
Ｏ₂よりなる絶縁膜２５が形成され、この絶縁膜２５に
形成された開口部を介してｐ電極２１と電気的に接続さ
れたｐパッド電極２２、及びｎ電極２３と接続されたｎ
パッド電極２４が形成される。このｐパッド電極２２は
実質的なｐ電極２１の表面積を広げて、ｐ電極側をワイ
ヤーボンディング、ダイボンディングできるようにし、
一方ｎパッド電極２４はｎ電極２３の剥がれを防止す
る。

【００３９】以上の窒化物半導体素子は、第１の層、及
び第２の層を弾性歪み限界以下の膜厚にして積層された
超格子層である、結晶性のよいｐ型クラッド層１９を備
えている。これによって、本実施形態の窒化物半導体素
子は、ｐ側クラッド層１９の抵抗値を、超格子構造を有
しないｐ側クラッド層に比較して１桁以上低くすること
ができるので、しきい値電圧、電流を低くすることがで
きる。

【００４０】また、本実施形態の窒化物半導体素子では
ｐ型Ａｌ_YＧａ_1-YＮを含むｐ側クラッド層１９に接し
て、バンドギャップエネルギーの小さい窒化物半導体を
ｐ側コンタクト層２０として、その膜厚を５００オング
ストローム以下と薄く形成することにより、実質的にｐ
側コンタクト層２０のキャリア濃度が高くなりｐ電極と
好ましいオーミックが得られて、素子のしきい値電流、
電圧を低くすることができる。さらに、ｎ側コンタクト
層を成長させる前に、第２のバッファ層１１２を備えて
いるので、第２のバッファ層１１２の上に成長させる窒
化物半導体層の結晶性が良くなり、長寿命の素子を実現
できる。好ましくは、第２のバッファ層１１２の上に成
長させるｎ側コンタクト層を超格子とすると、横方向の
抵抗値が低くなり、しきい値電圧・しきい値電流の低い
素子が実現できる。

【００４１】なお、本実施形態のＬＤ素子ではＩｎＧａ
Ｎのような、少なくともインジウムを含む窒化物半導体
を活性層１６に備える場合には、Ｉｎ_XＧａ_1-XＮと、Ａ
ｌ_YＧａ_1-YＮとが交互に積層された超格子層を、活性層
１６を挟設する層（ｎ側クラッド層１４及びｐ側クラッ
ド層１９）として用いることが好ましい。これによっ
て、活性層１６と該超格子層とのバンドギャップエネル
ギー差、屈折率差を大きくできるため、該超格子層をレ
ーザ素子を実現する際に非常に優れた光閉じ込め層とし
て動作させることができる。さらにＩｎＧａＮは結晶の
性質が他のＡｌＧａＮのようなＡｌを含む窒化物半導体
に比べて柔らかいので、ＩｎＧａＮを活性層とすると、
積層した各窒化物層全体にクラックが入りにくくなる。
これによって、ＬＤ素子の寿命を長くすることができ
る。

【００４２】本実施形態のように量子井戸構造を有する
活性層１６を有するダブルヘテロ構造の半導体素子の場
合、その活性層１６に接して、活性層１６よりもバンド
ギャップエネルギーが大きい膜厚０．１μｍ以下の窒化
物半導体よりなるｐ側キャップ層１７、好ましくはＡｌ
を含む窒化物半導体よりなるｐ側キャップ層１７を設
け、そのｐ側キャップ層１７よりも活性層から離れた位
置に、ｐ側キャップ層１７よりもバンドギャップエネル
ギーが小さいｐ側光ガイド層１８を設け、そのｐ側光ガ
イド層１８よりも活性層から離れた位置に、ｐ側光ガイ
ド層１８よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体、
好ましくはＡｌを含む窒化物半導体を含む超格子構造を
有するｐ側クラッド層１９を設けることは非常に好まし
い。しかもｐ側キャップ層１７のバンドギャップエネル
ギーを大きくしてあるため、ｎ層から注入された電子
が、このｐ側キャップ層１７で阻止されて閉じ込めら
れ、電子が活性層をオーバーフローしないために、素子
のリーク電流が少なくなる。

【００４３】以上の本実施形態の窒化物半導体素子で
は、レーザ素子の構造として好ましい構造を示したが、
本実施形態ではｎ型の超格子層は活性層１６から下のｎ
型窒化物半導体層領域（ｎ型層側）に少なくとも１層有
していれば良く、またｐ型の超格子層も活性層１６から
上のｐ型窒化物半導体層領域（ｐ型層側）に少なくとも
１層有していれば良く、素子構成は特に規定するもので
はない。但し、前記超格子層はｐ層側に形成する場合は
キャリア閉じ込め層としてのｐ側クラッド層１９に形成
し、ｎ層側に形成する場合はｎ電極２３が接した電流注
入層としてのｎコンタクト層１２、またはキャリア閉じ
込めとしてのｎ側クラッド層１４として形成することが
素子のＶｆ、しきい値を低下させる上で最も好ましい傾
向にある。

【００４４】以上のように構成された実施形態２の窒化
物半導体素子では、各層が形成された後、水素を含まな
い雰囲気、例えば、窒素雰囲気中で、４００℃以上、例
えば７００℃でアニーリングを行うことが好ましく、こ
れによって、ｐ型窒化物半導体層領域の各層をさらに低
抵抗化することができるので、これによって、さらにし
きい値電圧を低くすることができる。

【００４５】また、実施形態の窒化物半導体素子では、
ｐ側コンタクト層１２の表面にＮｉとＡｕよりなるｐ電
極２１がストライプ状に形成され、このｐ電極２１に対
して左右対称にｎ側コンタクト層を露出させて、そのｎ
側コンタクト層表面のほぼ全面にｎ電極２３を設けてい
る。このように、絶縁性基板を用いた場合ｐ電極２１の
両側に左右対称にｎ電極２３を設ける構造は、しきい値
電圧を低くする上で非常に有利である。

【００４６】なお、本実施形態では、リッジ部（ストラ
イプ状の電極）に垂直な方向で劈開した劈開面（共振器
面）にＳｉＯ₂とＴｉＯ₂よりなる誘電体多層膜を形成し
てもよい。

【００４７】このように、本実施形態において、超格子
層は、活性層を挟設するｎ型領域又はｐ型領域に形成さ
れるキャリア閉じ込め層としてのクラッド層、活性層の
光ガイド層、若しくは電極が接して形成される電流注入
層として用いられるため、超格子層を構成する窒化物半
導体の平均バンドギャップエネルギーが活性層よりも大
きくなるように調整することが望ましい。

【００４８】

【実施例】以下、実施例において本発明を更に詳細に説
明する。［実施例１］本発明に係る実施例１は図４に示す窒化物
半導体素子（ＬＤ素子）の作成例であり、以下の手順で
作製される。まず、サファイア（Ｃ面）よりなる基板１
０を反応容器内にセットし、容器内を水素で十分置換し
た後、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで
上昇させ、基板のクリーニングを行う。続いて、温度を
５１０℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにア
ンモニア（ＮＨ₃）とＴＭＧ（トリメチルガリウム）と
を用い、基板１０上にＧａＮよりなるバッファ層１１を
約２００オングストロームの膜厚で成長させる。

【００４９】バッファ層１１成長後、ＴＭＧのみ止め
て、温度を１０５０℃まで上昇させる。１０５０℃にな
ったら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガスを用
い、キャリア濃度１×１０¹⁸／cm³アンドープＧａＮよ
りなる第２のバッファ層１１２を５μｍの膜厚で成長さ
せる。第２のバッファ層１１２はＩｎ_XＡｌ_YＧａ_1-X-Y
Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で構成でき、その組
成は特に問うものではないが、好ましくはアンドープで
Ａｌ（Ｙ値）が０．１以下のＡｌ_YＧａ_1-YＮ、最も好ま
しくはアンドープのＧａＮとする。続いて、１０５０℃
でＴＭＧ、アンモニア、不純物ガスにシランガス（Ｓｉ
Ｈ ₄）を用い、Ｓｉを１×１０¹⁹／cm³ドープしたｎ型Ｇ
ａＮよりなるｎ側コンタクト層１２を１μｍの膜厚で成
長させる。このｎ側コンタクト層１２は超格子で形成す
るとさらに好ましい。

【００５０】次に、温度を８００℃にして、原料ガスに
ＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニ
ア、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを５×１０¹⁸
／cm³ドープしたＩｎ_0.1Ｇａ_0.9Ｎよりなるクラック防
止層１３を５００オングストロームの膜厚で成長させ
る。

【００５１】そして、温度を１０５０℃にして、ＴＭＡ
（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、アンモニア、シ
ランガスを用い、Ｓｉを５×１０¹⁸／cm³ドープしたｎ
型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなる第１の層を２０オングスト
ロームの膜厚で成長させ、続いて、ＴＭＡ、シランを止
め、アンドープＧａＮよりなる第２の層を２０オングス
トロームの膜厚で成長させる。そして、この操作をそれ
ぞれ１００回繰り返し、総膜厚０．４μｍの超格子層よ
りなるｎ側クラッド層１４を成長させる。

【００５２】続いて、１０５０℃でアンドープＧａＮよ
りなるｎ側光ガイド層１５を０．１μｍの膜厚で成長さ
せる。次に、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア、シランガス
を用いて活性層１６を成長させる。活性層１６は温度を
８００℃に保持して、まずＳｉを８×１０¹⁸／cm³でド
ープしたＩｎ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなる井戸層を２５オング
ストロームの膜厚で成長させる。次にＴＭＩのモル比を
変化させるのみで同一温度で、Ｓｉを８×１０ ¹⁸／cm³
ドープしたＩｎ_0.01Ｇａ_0.99Ｎよりなる障壁層を５０オ
ングストロームの膜厚で成長させる。この操作を２回繰
り返し、最後に井戸層を積層した総膜厚１７５オングス
トロームの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層１６を
成長させる。

【００５３】次に、温度を１０５０℃に上げ、原料ガス
にＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、不純物ガスにＣｐ₂Ｍ
ｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、活性
層よりもバンドギャップエネルギーが大きく、Ｍｇを１
×１０²⁰／cm³ドープしたｐ型Ａｌ_0.3Ｇａ_0.7Ｎよりな
るｐ側キャップ層１７を３００オングストロームの膜厚
で成長させる。続いて、１０５０℃で、バンドギャップ
エネルギーがｐ側キャップ層１７よりも小さい、アンド
ープＧａＮよりなるｐ側光ガイド層１８を０．１μｍの
膜厚で成長させる。

【００５４】続いて、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃ
ｐ₂Ｍｇを用い、１０５０℃でＭｇを１×１０²⁰／cm³ド
ープしたｐ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎよりなる第１の層を２０
オングストロームの膜厚で成長させ、続いてＴＭＡのみ
を止め、Ｍｇを１×１０²⁰／cm³ドープしたｐ型ＧａＮ
よりなる第２の層を２０オングストロームの膜厚で成長
させる。そしてこの操作をそれぞれ１００回繰り返し、
総膜厚０．４μｍの超格子層よりなるｐ側クラッド層１
９を形成する。最後に、１０５０℃で、ｐ側クラッド層
１９の上に、Ｍｇを２×１０²⁰／cm³ドープしたｐ型Ｇ
ａＮよりなるｐ側コンタクト層２０を１５０オングスト
ロームの膜厚で成長させる。

【００５５】反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに
窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００
℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化す
る。アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出
し、図４に示すように、ＲＩＥ装置により最上層のｐ側
コンタクト層２０からｎ側コンタクト層１２の一部から
なるストライプを形成するためにｎ側コンタクト層１２
の表面を露出させ、これと同時に共振面を形成する。ｐ
側コンタクト層２０にマスクを形成し、図４に示すよう
に、ＲＩＥ装置によりストライプの形状をする最上層の
ｐ側コンタクト層２０とｐ側クラッド層１９の一部をエ
ッチングして、４μｍのストライプ幅を有するリッジ形
状とする。

【００５６】次にｐ側コンタクト層２０のストライプリ
ッジ最表面のほぼ全面にＮｉとＡｕよりなるｐ電極２１
を形成する。一方、ＴｉとＡｌよりなるｎ電極２３をス
トライプ状のｎ側コンタクト層１２のほぼ全面に形成す
る。

【００５７】次に、図４に示すようにｐ電極２１と、ｎ
電極２３との間に露出した窒化物半導体層の表面にＳｉ
Ｏ₂よりなる絶縁膜２５を形成し、この絶縁膜２５を介
してｐ電極２１と電気的に接続したｐパッド電極２２、
及びｎパッド電極２４を形成する。以上のようにして、
ｎ電極とｐ電極とを形成したウェーハを研磨装置に移送
し、ダイヤモンド研磨剤を用いて、窒化物半導体を形成
していない側のサファイア基板１をラッピングし、基板
の厚さを５０μｍとする。ラッピング後、さらに細かい
研磨剤で１μｍポリシングして基板表面を鏡面状とす
る。

【００５８】基板研磨後、研磨面側をスクライブして、
ストライプ状の電極に垂直な方向でバー状に劈開する。
共振器面にＳｉＯ₂とＴｉＯ₂よりなる誘電体多層膜を形
成し、最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断してレ
ーザチップとした。次にチップをフェースアップ（基板
とヒートシンクとが対向した状態）でヒートシンクに設
置し、それぞれの電極をワイヤーボンディングして、室
温でレーザ発振を試みたところ、室温において、しきい
値電流密度２．９ｋＡ／cm²、しきい値電圧４．４Ｖ
で、ファーフィールドパターンではレーザ光のスッポト
が１つであった。

【００５９】［実施例２］実施例１において、第２のバ
ッファ層１１２を成長させず、さらにｎ側コンタクト層
１２をＳｉを１×１０¹⁹／cm³ドープしたｎ型ＧａＮ単
一で５μｍ成長させ、ｎ側クラッド層１４をＳｉを１×
１０¹⁹／cm³ドープしたｎ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0. ₈Ｎ単一で
０．４μｍ成長させ、ｐ側クラッド層１９をＭｇを１×
１０²⁰／m³ドープしたｐ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ単一で０．
４μｍ成長させ、さらにｐ側コンタクト層２０をＭｇを
２×１０²⁰／cm³ドープした単一のｐ型ＧａＮを０．２
μｍ成長させる他は実施例１と同様にしてレーザ素子を
得た。実施例１と同様にレーザ発振させたところ、室温
において、しきい値電流密度３．１ｋＡ／cm²、しきい
値電圧４．６Ｖで、ファーフィールドパターンではレー
ザの楕円形状の光のスッポトが１つであった。

【００６０】［比較例１］実施例１において、リッジ構
造を形成後、共振面を形成する他は同様にして行った。
その結果、ファーフィールドパターンではレーザ光が横
方向に３つに***していた。また、共振面にリッジ構造
のストライプ幅の２本の筋が生じたため、実施例１に比
べてしきい値の上昇が見られた。

【００６１】［比較例２］実施例２において、リッジ構
造を形成後、共振面を形成する他は同様にして行った。
その結果、ファーフィールドパターンではレーザ光が横
方向に３つに***していた。また、共振面にリッジ構造
のストライプ幅の２本の筋が生じたため、実施例２に比
べてしきい値の上昇が見られた。

【発明の効果】本発明の窒化物半導体レーザ素子は、共
振面が平滑であり、レーザ光のファーフィールドパター
ン形状が良好で、更にしきい値の低下された窒化物半導
体レーザ素子及びその製造方法を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る共振面を形成後にリッジを形成し
たときの窒化物半導体のエッチング面の結晶構造を示す
窒化物半導体の部分的な構造を示す斜視図である。

【図２】従来のリッジを形成後に共振面を形成したとき
の窒化物半導体のエッチング面の結晶構造を示す窒化物
半導体の部分的な構造を示す斜視図である。

【図３】図２を上から見たときの模式的平面図である。

【図４】本発明の一実施態様である窒化物半導体素子の
模式的断面図である。

【符号の説明】

１０・・・・基板１１・・・・バッファ層１１２・・・・第２のバッファ層１２・・・・ｎ側コンタクト層１３・・・・クラック防止層１４・・・・ｎ側クラッド層（超格子層）１５・・・・ｎ側光ガイド層１６・・・・活性層１７・・・・キャップ層１８・・・・ｐ側光ガイド層１９・・・・ｐ側クラッド層（超格子層）２０・・・・ｐ側コンタクト層２１・・・・ｐ電極２２・・・・ｐパッド電極２３・・・・ｎ電極２４・・・・ｎパッド電極２５・・・・絶縁膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光導波機構がリッジ構造である窒化物半
導体レーザ素子において、共振面がエッチングにより形
成されてなり、該共振面を形成後に、リッジ構造がエッ
チングにより形成されてなることを特徴とする窒化物半
導体レーザ素子。
【請求項２】前記共振面の面上に生じる凹凸が２μｍ
以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半
導体レーザ素子。
【請求項３】光導波機構がリッジ構造である窒化物半
導体レーザ素子の製造方法において、エッチングして共
振面を形成した後、更にエッチングによりリッジ構造を
形成してなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子
の製造方法。