JPH11354842A - Gan semiconductor light emitting element - Google Patents
Gan semiconductor light emitting elementInfo
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- JPH11354842A JPH11354842A JP15610498A JP15610498A JPH11354842A JP H11354842 A JPH11354842 A JP H11354842A JP 15610498 A JP15610498 A JP 15610498A JP 15610498 A JP15610498 A JP 15610498A JP H11354842 A JPH11354842 A JP H11354842A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＮ系材料を用
いた半導体発光素子（以下、「ＧａＮ系発光素子」とも
いう）に関するものであり、詳しくは、発光のメカニズ
ムに係る部分の構造が、ＧａＮ系半導体材料による量子
ドット構造であるものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor light-emitting device using a GaN-based material (hereinafter, also referred to as a "GaN-based light-emitting device"). It relates to a quantum dot structure made of a GaN-based semiconductor material.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＧａＮ系発光素子は、近年高輝度の発光
ダイオード（ＬＥＤ）が実現されたのを機会に研究が活
発に行われており、半導体レーザの室温連続発振の報告
も聞かれる様になっている。2. Description of the Related Art GaN-based light-emitting devices have been actively researched in recent years with the realization of high-brightness light-emitting diodes (LEDs). Has become.
【０００３】ＧａＮ系発光素子のなかでも、緑色〜青色
の短い波長の発光が得られ、しかも高い発光効率が得ら
れるものとして、発光層（活性層）にＩｎＧａＮの量子
井戸層を用いたものがある。ＩｎＧａＮを用いて量子井
戸層を形成する場合、その熱力学的な不安定性から、層
全体にわたって均一な組成比にはならず、層中で局所的
にＩｎ組成比の異なった部分が発生する。この部分は量
子ドットに似た性質をもつ。ＩｎＧａＮの量子井戸層を
発光層として用いた発光素子では、この量子ドット的な
部位が、層の厚み方向のみならず３次元的な方向につい
て励起子を閉じ込める作用を示し、この部分でキャリア
の再結合発光が起きると言われており、これがＩｎＧａ
Ｎ量子井戸層が高い発光効率で発光し得る要因の１つと
されている。[0003] Among GaN-based light-emitting devices, a device using an InGaN quantum well layer for a light-emitting layer (active layer) is known as a device capable of obtaining short-wavelength light emission of green to blue and high luminous efficiency. is there. When a quantum well layer is formed using InGaN, the composition ratio is not uniform over the entire layer due to its thermodynamic instability, and a portion having a different In composition ratio occurs locally in the layer. This part has properties similar to quantum dots. In a light-emitting element using a quantum well layer of InGaN as a light-emitting layer, this quantum dot-like portion exhibits an effect of confining excitons not only in the thickness direction of the layer but also in a three-dimensional direction. It is said that coupled light emission occurs, and this is called InGa
This is one of the factors that enable the N quantum well layer to emit light with high luminous efficiency.
【０００４】ＩｎＧａＮ量子井戸層中の量子ドット的な
部位は、ＩｎＧａＮ自体の性質によって層中に存在する
ものである。他方、ＧａＡｓ系の材料では、ドット材料
と基板材料との格子不整合を利用した量子ドットの形成
が知られている。これらに対して、近年、ＧａＮ系材料
からなる結晶層の表面に特殊な表面処理を施すことによ
って、該結晶層の表面上にこれと格子整合性の良好なＧ
ａＮ系半導体を量子ドットとして突起状に成長させ得る
ことが明らかとなった (Appl.Phys.Lett.69(1996)4096
）。この量子ドット形成のメカニズムは、前記ＩｎＧ
ａＮや、ＧａＡｓ系における量子ドットの形成とは全く
異なるものである。[0004] A quantum dot-like site in the InGaN quantum well layer exists in the layer due to the properties of InGaN itself. On the other hand, among GaAs-based materials, formation of quantum dots utilizing lattice mismatch between a dot material and a substrate material is known. On the other hand, in recent years, by applying a special surface treatment to the surface of a crystal layer made of a GaN-based material, a G layer having good lattice matching with the surface of the crystal layer is formed.
It has been clarified that an aN-based semiconductor can be grown as a quantum dot in a projecting manner (Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 4096).
). The mechanism of this quantum dot formation is based on the InG
This is completely different from the formation of quantum dots in aN or GaAs.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＧａＮ
系材料による量子ドットの形成が可能であることは明ら
かとなっている。しかし、この量子ドットを用いてＧａ
Ｎ系発光素子を構成するためには、未だ、量子ドット個
々の大きさ、量子ドット全体の分布の程度などの点で最
適な態様が明らかにはされていない。SUMMARY OF THE INVENTION As described above, GaN
It has been clarified that quantum dots can be formed from a system material. However, using this quantum dot, Ga
In order to configure an N-based light emitting device, an optimal mode in terms of the size of each quantum dot, the degree of distribution of the entire quantum dot, and the like has not yet been clarified.
【０００６】本発明の目的は、上記問題を解決し、Ｇａ
Ｎ系発光素子のための量子ドットの最適な態様を示し、
より高効率なＧａＮ系発光素子を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems,
FIG. 4 shows an optimal embodiment of a quantum dot for an N-based light emitting device;
It is an object of the present invention to provide a GaN-based light emitting device with higher efficiency.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明のＧａＮ系半導体
発光素子は、以下の特徴を有するものである。 （１）量子ドット構造を発光に係る部分として有するＧ
ａＮ系半導体発光素子であって、前記量子ドット構造
は、ＧａＮ系材料からなる結晶層（Ａ）と、この層上面
に分散して形成されたＧａＮ系材料からなる量子ドット
と、この量子ドットを埋め込んで前記層上に成長したＧ
ａＮ系材料からなる結晶層（Ｂ）とを有する構造であ
り、結晶層（Ａ）および結晶層（Ｂ）の材料の各々のバ
ンドギャップは、量子ドットの材料のバンドギャップよ
りも大きく、各層の層厚方向についての各々の量子ドッ
トの寸法を高さｈとし、各層の拡がる方向についての各
々の量子ドットの寸法を幅ｗとし、結晶層（Ａ）の上面
における量子ドットの分散の度合いを密度ρとして、
０．５ｎｍ≦ｈ≦５０ｎｍ、０．５ｎｍ≦ｗ≦２００ｎ
ｍ、１０6 ｃｍ-2≦ρ≦１０13ｃｍ-2、であることを特
徴とするＧａＮ系半導体発光素子。The GaN based semiconductor light emitting device of the present invention has the following features. (1) G having a quantum dot structure as a portion related to light emission
An aN-based semiconductor light-emitting device, wherein the quantum dot structure includes a crystal layer (A) made of a GaN-based material, a quantum dot made of a GaN-based material dispersedly formed on an upper surface of the layer, and G grown on the layer by embedding
and a crystal layer (B) made of an aN-based material. The band gap of each of the material of the crystal layer (A) and the crystal layer (B) is larger than the band gap of the material of the quantum dot. The dimension of each quantum dot in the layer thickness direction is height h, the dimension of each quantum dot in the direction of extension of each layer is width w, and the degree of dispersion of the quantum dots on the upper surface of the crystal layer (A) is density. As ρ,
0.5 nm ≦ h ≦ 50 nm, 0.5 nm ≦ w ≦ 200 n
m, 10 6 cm −2 ≦ ρ ≦ 10 13 cm −2 .
【０００８】（２）結晶層（Ａ）と結晶層（Ｂ）とが、
互いに異なる伝導型である上記（１）記載のＧａＮ系半
導体発光素子。(2) The crystal layer (A) and the crystal layer (B)
The GaN-based semiconductor light-emitting device according to the above (1), which has a different conductivity type from each other.
【０００９】（３）量子ドットが、不純物をドーピング
されたＧａＮ系材料からなるものである上記（１）記載
のＧａＮ系半導体発光素子。(3) The GaN-based semiconductor light-emitting device according to (1), wherein the quantum dots are made of a GaN-based material doped with impurities.
【００１０】（４）量子ドットに用いられるＧａＮ系材
料をドット材料とよび、結晶層（Ａ）に用いられるＧａ
Ｎ系材料をベース材料とよぶとして、ドット材料とベー
ス材料とが下記（ｉ）の格子整合性を満たす関係にあ
り、結晶層（Ａ）の層上面の表面状態がアンチサーファ
クタントによって変化させられたことによって、ドット
材料が結晶層（Ａ）の層上面に量子ドットとして成長し
たものである上記（１）記載のＧａＮ系半導体発光素
子。 （ｉ）結晶層（Ａ）上面の表面状態を変化させるような
表面処理を施すことなく結晶層（Ａ）上面にドット材料
を直接的に結晶成長させたとき、ドット材料が結晶層
（Ａ）の層上面に膜状に結晶成長し得るようなドット材
料とベース材料との格子整合性。(4) A GaN-based material used for the quantum dot is called a dot material, and Ga used for the crystal layer (A)
Assuming that the N-based material is called a base material, the dot material and the base material have a relationship satisfying the following lattice matching (i), and the surface state of the upper surface of the crystal layer (A) was changed by the anti-surfactant. The GaN-based semiconductor light-emitting device according to the above (1), wherein the dot material is grown as quantum dots on the upper surface of the crystal layer (A). (I) When the dot material is directly crystal-grown on the upper surface of the crystal layer (A) without performing a surface treatment to change the surface condition of the upper surface of the crystal layer (A), the dot material becomes Lattice matching between the dot material and the base material such that crystals can grow in a film form on the upper surface of the layer.
【００１１】（５）結晶層（Ａ）、量子ドット、結晶層
（Ｂ）のうちの１以上のものが、Ｂ、Ａｓ、Ｐから選ば
れる１以上の元素を含有するＧａＮ系材料からなるもの
である上記（１）記載のＧａＮ系半導体発光素子。(5) At least one of the crystal layer (A), the quantum dots, and the crystal layer (B) is made of a GaN-based material containing one or more elements selected from B, As, and P. The GaN-based semiconductor light-emitting device according to the above (1), wherein
【００１２】[0012]
【作用】本発明のＧａＮ系発光素子に用いられる量子ド
ットは、ＧａＮ系材料からなる結晶層（上記（１）にお
ける「結晶層（Ａ）」）上に、ＧａＮ系材料を量子ドッ
トとして成長させたものである。ただし、上記（４）の
とおり、量子ドットに用いられるＧａＮ系材料をドット
材料とよび、結晶層（Ａ）に用いられるＧａＮ系材料を
ベース材料とよぶとき、ドット材料とベース材料とは、
上記（ｉ）の関係にある。即ち、結晶層（Ａ）の表面状
態を何ら変化させることなく従来通りの結晶成長法・成
長条件にて、ドット材料を結晶層（Ａ）上に成長させた
場合には、従来知られているとおり、ドット材料は膜状
に結晶層（Ａ）上を全面覆い結晶層として成長するＧａ
Ｎ系材料である。即ち、ドット材料とベース材料とは、
少なくともその程度に格子整合しているということであ
る。The quantum dot used in the GaN-based light emitting device of the present invention is obtained by growing a GaN-based material as a quantum dot on a crystal layer made of a GaN-based material ("crystal layer (A)" in (1)). It is a thing. However, as described in (4) above, when the GaN-based material used for the quantum dot is called a dot material and the GaN-based material used for the crystal layer (A) is called a base material, the dot material and the base material are:
The relationship (i) is satisfied. That is, when the dot material is grown on the crystal layer (A) by the conventional crystal growth method and growth conditions without changing the surface state of the crystal layer (A) at all, it is conventionally known. As described above, the dot material is formed as a film that grows as a crystal layer covering the entire surface of the crystal layer (A) in a film shape.
It is an N-based material. That is, the dot material and the base material are
That is, lattice matching is at least to that extent.
【００１３】ドット材料とベース材料とが、共にＧａＮ
系材料であってしかも上記のような格子整合の関係にあ
る状態において、結晶層（Ａ）上に、ドット材料である
ＧａＮ系材料を、膜状としてではなく量子ドットとして
成長させるためには、結晶層（Ａ）の層上面にアンチサ
ーファクタント（結晶層（Ａ）の層上面の表面状態を変
化させる物質）を作用させる。結晶層（Ａ）の層上面の
表面状態の変化については、詳しくは解明されていない
が、表面自由エネルギーが小さくなる変化であると考え
られる。表面状態をこのように変化させることによっ
て、ドット材料であるＧａＮ系材料は、ベース材料であ
るＧａＮ系材料からなる結晶層（Ａ）上に、量子ドット
として成長する。The dot material and the base material are both GaN
In order to grow a GaN-based material, which is a dot material, on the crystal layer (A) as a quantum dot instead of a film, in a state where the material is a system material and has a lattice matching relationship as described above, An antisurfactant (a substance that changes the surface state of the upper surface of the crystal layer (A)) acts on the upper surface of the crystal layer (A). The change in the surface state of the upper surface of the crystal layer (A) has not been elucidated in detail, but is considered to be a change in which the surface free energy decreases. By changing the surface state in this way, the GaN-based material as the dot material grows as quantum dots on the crystal layer (A) made of the GaN-based material as the base material.
【００１４】本発明は、上記のようにＧａＮ系材料から
なる結晶層上にＧａＮ系材料からなる量子ドットを成長
させ、さらにＧａＮ系材料からなる結晶層で量子ドット
を埋め込み、これを発光現象に係る量子ドット構造とし
て発光素子に用いたものである。ここでいう発光現象
は、電子またはホールの注入によって量子ドット中にお
いて、励起子（エトキシ）あるいは電子とホールとが再
結合し発光する現象である。According to the present invention, as described above, quantum dots made of a GaN-based material are grown on a crystal layer made of a GaN-based material, and the quantum dots are buried in the crystal layer made of a GaN-based material. Such a quantum dot structure is used for a light emitting element. The light emission phenomenon referred to here is a phenomenon in which excitons (ethoxy) or electrons and holes are recombined in a quantum dot by injection of electrons or holes to emit light.
【００１５】この量子ドット構造において、高効率にて
発光させるためには、個々のドットの大きさ、および量
子ドット全体の分布の程度を最適な範囲とすることが必
要となる。個々の量子ドットの大きさは、量子ドット構
造において発光効率に影響を与える重要な要素であり、
量子閉じ込め効果が十分に得られるサイズであることが
重要である。結晶層（Ａ）上面における量子ドット全体
の分散の度合い（密度）は、面内における発光源の密度
であるため、これもまた発光効率に影響を与える重要な
要素である。In this quantum dot structure, in order to emit light with high efficiency, it is necessary to set the size of each dot and the degree of distribution of the entire quantum dot within an optimum range. The size of each quantum dot is an important factor affecting the luminous efficiency in the quantum dot structure,
It is important that the size be sufficient to obtain the quantum confinement effect. Since the degree of dispersion (density) of the entire quantum dot on the upper surface of the crystal layer (A) is the density of the light emitting source in the plane, this is also an important factor affecting the luminous efficiency.
【００１６】[0016]
【発明の実施の形態】図１は、本発明のＧａＮ系発光素
子の一例を示す断面図であって、説明のために簡単な構
造のＬＥＤを例として示している。同図のＬＥＤは、結
晶基板１上に、ＧａＮ系材料からなる結晶層を順次成長
させて積み重ね、量子ドット構造３を含む積層体Ｓを形
成し、これにｐ型側の電極５とｎ型側の電極６を設けて
構成したものである。層２はｎ型コンタクト層、層４は
ｐ型コンタクト層であり、いずれもＧａＮ系材料からな
る。FIG. 1 is a sectional view showing an example of a GaN-based light emitting device according to the present invention, and shows an LED having a simple structure as an example for explanation. In the LED shown in the figure, a crystal layer made of a GaN-based material is sequentially grown and stacked on a crystal substrate 1 to form a stacked body S including a quantum dot structure 3, and a p-side electrode 5 and an n-type This is configured by providing the side electrode 6. Layer 2 is an n-type contact layer, and layer 4 is a p-type contact layer, both of which are made of a GaN-based material.
【００１７】図１の例における伝導型（ｐ型、ｎ型）の
上下位置関係は、伝導型を形成するための加工上の理由
から、結晶基板側をｎ型とし上層側をｐ型とする一般的
なものとなっている。また、同図の例では、結晶基板に
絶縁体（サファイア結晶基板）を用いており、層２の上
面を露出させ、その面に電極６を設けるという電極の配
置となっている。以下、本発明の発光素子の他の態様を
説明する場合にも、ｐ／ｎ型の上下関係、電極配置につ
いては、これと同様の例を挙げて説明する。しかし、ｐ
／ｎ型の上下が逆の態様や、結晶基板が導電性を有する
場合の電極配置なども自由に選択してよい。In the example of FIG. 1, the upper and lower layers of the conduction type (p-type and n-type) are n-type and the upper layer is p-type because of the processing for forming the conduction type. It has become common. Further, in the example of the figure, an insulator (sapphire crystal substrate) is used for the crystal substrate, and the upper surface of the layer 2 is exposed and the electrode 6 is provided on the surface. Hereinafter, when describing other aspects of the light emitting device of the present invention, the p / n type upper / lower relationship and electrode arrangement will be described with reference to the same example. But p
The arrangement of the / n type upside down and the electrode arrangement when the crystal substrate has conductivity may be freely selected.
【００１８】量子ドット構造３は、結晶層Ａと、多数の
量子ドットｄと、結晶層Ｂとを有する構造であり、これ
らは全てＧａＮ系材料からなるものである。量子ドット
ｄは、結晶層Ａの上面に分散した状態として形成されて
いる。結晶層Ｂは、結晶層Ａの上面のうち量子ドットｄ
が形成されなかった部分を結晶成長の出発面として、量
子ドットを埋め込むまで成長した結晶層である。The quantum dot structure 3 has a crystal layer A, a large number of quantum dots d, and a crystal layer B, all of which are made of a GaN-based material. The quantum dots d are formed as being dispersed on the upper surface of the crystal layer A. The crystal layer B is formed by quantum dots d on the upper surface of the crystal layer A.
Is a crystal layer that has been grown until the quantum dots are embedded, using the portion where no is formed as the starting surface for crystal growth.
【００１９】結晶層Ａと結晶層Ｂの導電型は、同じであ
っても、互いに異なるものであってもよく、発光素子に
おける発光部分としてどのように用いるかによって選択
すればよい。図１の例では、量子ドット構造３は、第１
伝導型（図ではｎ型）の結晶層Ａと、多数の量子ドット
ｄと、第２伝導型（図ではｐ型）の結晶層Ｂとからな
り、結晶層Ａと結晶層Ｂがクラッド層としての役割を果
たし、量子ドットｄがその中で発光部としての役割を果
たす。また、結晶層Ａと結晶層Ｂの導電型を同じとし
て、これらをさらにバンドギャップの大きいｐ型、ｎ型
のクラッド層で挟んだ構造としてもよい。The conductivity types of the crystal layer A and the crystal layer B may be the same or different from each other, and may be selected depending on how they are used as a light emitting portion in a light emitting element. In the example of FIG. 1, the quantum dot structure 3
It is composed of a conduction type (n type in the figure) crystal layer A, a large number of quantum dots d, and a second conduction type (p type in the figure) crystal layer B, and the crystal layer A and the crystal layer B serve as cladding layers. And the quantum dot d plays a role as a light emitting part therein. Further, the conductivity type of the crystal layer A and the crystal layer B may be the same, and a structure in which these are sandwiched by p-type and n-type cladding layers having a larger band gap may be adopted.
【００２０】結晶層Ａおよび結晶層Ｂの材料の各々のバ
ンドギャップの大きさは、ともに量子ドットの材料のバ
ンドギャップの大きさ以上とする。これは、発光部であ
る量子ドットに電子およびホールを効率よく注入するた
めである。The size of each of the band gaps of the materials of the crystal layers A and B is equal to or larger than the band gap of the material of the quantum dots. This is for efficiently injecting electrons and holes into the quantum dots, which are light emitting units.
【００２１】本発明のＧａＮ系発光素子に用いられるＧ
ａＮ系材料とは、式ＩｎX ＧａY ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦
１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ≦１，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で決定
される化合物半導体である。なかでもＧａＮ、ＩｎＧａ
Ｎ、ＡｌＧａＮなどが有用なものとして挙げられる。上
記バンドギャップの条件を満たす材料の組合せ例として
は、結晶層Ａおよび結晶層ＢをＡｌＧａＮとし、量子ド
ットをＧａＮとする組合せなど、結晶層Ａおよび結晶層
ＢをＡｌx Ｇａ(1-x) Ｎとし、量子ドットをＡｌ Y Ｇａ
(1-Y) Ｎとする組合せ（ただし０＜Ｘ、０≦Ｙ、Ｙ＜Ｘ
である）などが挙げられる。G used in the GaN-based light emitting device of the present invention
The aN-based material has the formula InXGaYAlZN (0 ≦ X ≦
1,0≤Y≤1,0≤Z≤1, X + Y + Z = 1)
Compound semiconductor. Among them, GaN, InGa
N and AlGaN are useful. Up
As an example of a material combination that satisfies the band gap conditions
Shows that the crystal layers A and B are made of AlGaN,
Crystal layer A and crystal layer
B to AlxGa(1-x)N and the quantum dot is Al YGa
(1-Y)N (where 0 <X, 0 ≦ Y, Y <X
) And the like.
【００２２】量子ドットを構成するＧａＮ系材料には、
例えば発光強度を増大させることなどを目的として、Ｓ
ｉなどの不純物をドーピングしてもよい。GaN-based materials constituting the quantum dots include:
For example, for the purpose of increasing the emission intensity, S
An impurity such as i may be doped.
【００２３】また、結晶層Ａ、量子ドット、結晶層Ｂの
うちの１以上のものには、それらに用いられるＧａＮ系
材料に、さらに、Ｂ、Ａｓ、Ｐから選ばれる１以上の元
素を含有させてもよい。In one or more of the crystal layer A, the quantum dots, and the crystal layer B, one or more elements selected from B, As, and P are further contained in the GaN-based material used for them. May be.
【００２４】上記作用の説明で述べたように、発光を高
効率とするためには、量子ドットの大きさ、および量子
ドット全体の分布の程度を最適な範囲とすべきであり、
本発明はその範囲を与えるものである。個々の量子ドッ
トの形状は、材料や成長条件によって異なるが、多面体
状、柱状、半球状となる。As described in the above description of the operation, in order to increase the efficiency of light emission, the size of the quantum dots and the degree of distribution of the entire quantum dots should be within the optimal ranges.
The present invention provides that scope. The shape of each quantum dot varies depending on the material and the growth conditions, but is a polyhedral, columnar, or hemispherical shape.
【００２５】個々の量子ドットの大きさは、各層の層厚
方向についての量子ドットの寸法（結晶層Ａの表面から
量子ドットのトップまでの距離）を高さｈとし、各層の
拡がる方向についての量子ドットの最大寸法を幅ｗとし
て好ましい範囲を限定する。量子ドットの高さｈ、幅ｗ
は、発光に寄与する励起子の閉じ込めの意味からは小さ
い方が好ましいが、実際の量子ドット作製における寸法
の制御性などを考慮すると、これらは共に０．５ｎｍ以
上であることが好ましい。また、これらの最大寸法につ
いては、量子効果の観点から、高さｈは５０ｎｍ以下、
幅ｗは２００ｎｍ以下が好ましい。従って、０．５ｎｍ
≦ｈ≦５０ｎｍ、０．５ｎｍ≦ｗ≦２００ｎｍ、が好ま
しい範囲となる。The size of each quantum dot is defined by the height h of the dimension of the quantum dot in the layer thickness direction of each layer (the distance from the surface of the crystal layer A to the top of the quantum dot) and the height h of each layer. A preferable range is defined as the maximum dimension of the quantum dot as the width w. Quantum dot height h, width w
Is preferably small from the viewpoint of confinement of excitons contributing to light emission. However, considering the controllability of dimensions in actual quantum dot production, it is preferable that both are 0.5 nm or more. For these maximum dimensions, the height h is 50 nm or less from the viewpoint of the quantum effect.
The width w is preferably 200 nm or less. Therefore, 0.5 nm
≦ h ≦ 50 nm and 0.5 nm ≦ w ≦ 200 nm are preferable ranges.
【００２６】結晶層Ａの上面における量子ドットの分散
の度合いについては、分散の度合いを、密度（単位面積
当たりの量子ドットの数）ρとして表し範囲を限定す
る。密度ρは、量子ドット１つ１つからの発光は弱いの
で、発光効率を考慮すると１０6 ｃｍ-2以上とすること
が好ましく、また、量子ドットの大きさにもよるが、量
子ドット同士が互いに接触しないように１０13ｃｍ-2以
下とすることが好ましい。従って、１０6 ｃｍ-2≦ρ≦
１０13ｃｍ-2が好ましい範囲となる。Regarding the degree of dispersion of the quantum dots on the upper surface of the crystal layer A, the degree of dispersion is expressed as density (the number of quantum dots per unit area) ρ, and the range is limited. The density ρ is preferably 10 6 cm −2 or more in consideration of luminous efficiency because light emission from each quantum dot is weak. Further, although depending on the size of the quantum dots, the quantum ρ It is preferably 10 13 cm -2 or less so as not to contact each other. Therefore, 10 6 cm -2 ≦ ρ ≦
10 13 cm -2 is a preferable range.
【００２７】結晶層Ａの上面に量子ドットを形成するに
は、上記作用の説明で述べたように、結晶層Ａの上面に
その表面状態を変化させる物質（アンチサーファクタン
ト）を作用させてから量子ドットに用いられるＧａＮ系
材料を結晶成長させる。結晶層Ａの上面にアンチサーフ
ァクタントを作用させるには、結晶層Ａの上面とアンチ
サーファクタントとを接触させればよい。接触の方法は
限定されないが、例えば、ＭＯＣＶＤ法によって、Ａｌ
ＧａＮ結晶層上にＧａＮの量子ドットを形成する場合で
あれば、ＭＯＣＶＤ装置内でＡｌＧａＮ結晶層が成長し
た後、ＭＯＣＶＤ装置内にガス状のアンチサーファクタ
ントを供給すればよい。In order to form quantum dots on the upper surface of the crystal layer A, as described in the description of the operation, a quantum substance (anti-surfactant) that changes the surface state is applied to the upper surface of the crystal layer A, and then the quantum dots are formed. A GaN-based material used for the dots is crystal-grown. In order to cause the anti-surfactant to act on the upper surface of the crystal layer A, the upper surface of the crystal layer A may be brought into contact with the anti-surfactant. The method of contact is not limited.
When GaN quantum dots are formed on the GaN crystal layer, a gaseous anti-surfactant may be supplied into the MOCVD apparatus after the AlGaN crystal layer is grown in the MOCVD apparatus.
【００２８】アンチサーファクタントをガス状として供
給するには、例えば、テトラエチルシランをアンチサー
ファクタントとするのであれば、その溶液にＨ2 ガスを
バブリングさせることにより、Ｈ2 ガスをキャリアガス
として供給する方法が挙げられる。In order to supply the anti-surfactant in gaseous form, for example, if tetraethylsilane is used as the anti-surfactant, a method of supplying H 2 gas as a carrier gas by bubbling H 2 gas into the solution is known. No.
【００２９】アンチサーファクタントとして用いられる
物質は、結晶層Ａの材料と量子ドットの材料との組合せ
によって適当なものが選択でき、限定されない。例えば
上記のように、ＡｌＧａＮ結晶層上にＧａＮを量子ドッ
トとして形成させる場合のアンチサーファクタントとし
ては、テトラエチルシランが挙げられる。その他、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、またはこれらの混合ガス、Ｃｐ2 Ｍ
ｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）等が挙げ
られる。The substance used as the anti-surfactant can be appropriately selected according to the combination of the material of the crystal layer A and the material of the quantum dots, and is not limited. For example, as described above, tetraethylsilane is used as an antisurfactant when GaN is formed as a quantum dot on an AlGaN crystal layer. Other, Si
H 4 , Si 2 H 6 , or a mixed gas thereof, Cp 2 M
g (biscyclopentadienyl magnesium) and the like.
【００３０】個々の量子ドットの大きさ、形状、量子ド
ットの分散の度合いは、アンチサーファクタントの供給
量、量子ドットの成長温度、結晶層Ａの材料の組成をパ
ラメータとして変化させることによって制御することが
できる。量子ドットを成長させるときの結晶成長方法
は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥなどが挙げられる。The size and shape of each quantum dot and the degree of dispersion of the quantum dot are controlled by changing the supply amount of the anti-surfactant, the growth temperature of the quantum dot, and the composition of the material of the crystal layer A as parameters. Can be. MOCVD, MBE and the like can be cited as a crystal growth method for growing a quantum dot.
【００３１】結晶基板は、ＧａＮ系結晶が成長可能なも
のであればよく、例えば、従来からＧａＮ系結晶を成長
させる際に汎用されている、サファイア、水晶、ＳｉＣ
等が挙げられる。なかでも、サファイアのＣ面、Ａ面、
６Ｈ−ＳｉＣ基板、特にＣ面サファイア基板が好まし
い。またこれら材料の表面に、ＧａＮ系結晶との格子定
数や熱膨張係数の違いを緩和するためのＺｎＯ、ＭｇＯ
やＡｌＮ等のバッファー層を設けたものであっても良
く、さらにはＧａＮ系結晶の薄膜を表層に有するもので
もよい。図１の例では、基礎となるサファイア結晶基板
１ａ上に、格子整合性を改善するためのバッファー層１
ｂが形成されたものを結晶基板１として用いている。The crystal substrate may be any substrate on which a GaN-based crystal can be grown. For example, sapphire, quartz, SiC, which have been widely used for growing a GaN-based crystal, are conventionally used.
And the like. Above all, sapphire C side, A side,
A 6H-SiC substrate, particularly a C-plane sapphire substrate, is preferred. In addition, ZnO, MgO for reducing the difference in lattice constant and coefficient of thermal expansion from the GaN-based crystal on the surface of these materials.
A buffer layer such as AlN or AlN may be provided, or a thin film of a GaN-based crystal may be provided on the surface. In the example of FIG. 1, a buffer layer 1 for improving lattice matching is formed on a base sapphire crystal substrate 1a.
The substrate on which b is formed is used as the crystal substrate 1.
【００３２】[0032]
【実施例】本実施例では、図１に示す構造のＬＥＤを実
際に製作した。該ＬＥＤ中における量子ドット構造３
は、ｎ型ＡｌＧａＮ層Ａと、この層上面に分散して形成
されたＧａＮ量子ドットｄと、この量子ドットｄを埋め
込んで前記層Ａ上に成長したｐ型ＡｌＧａＮ層Ｂとから
なるものである。EXAMPLE In this example, an LED having the structure shown in FIG. 1 was actually manufactured. Quantum dot structure 3 in the LED
Is composed of an n-type AlGaN layer A, GaN quantum dots d dispersedly formed on the upper surface of the layer, and a p-type AlGaN layer B embedded on the quantum dot d and grown on the layer A. .
【００３３】〔結晶基板１の形成〕最も基礎の結晶基板
１ａとしてはサファイアＣ面基板を用いた。まずこのサ
ファイア基板１ａをＭＯＣＶＤ装置内に配置し、水素雰
囲気下で１２００℃まで昇温し、サーマルエッチングを
行った。その後温度を５００℃まで下げＡｌ原料として
トリメチルアルミニウム（以下ＴＭＡ）、Ｎ原料として
アンモニアを流し、ＡｌＮ低温バッファー層１ｂを３０
ｎｍ成長させ、結晶基板１を得た。[Formation of Crystal Substrate 1] A sapphire C-plane substrate was used as the most basic crystal substrate 1a. First, this sapphire substrate 1a was placed in a MOCVD apparatus, and heated to 1200 ° C. in a hydrogen atmosphere to perform thermal etching. Thereafter, the temperature was lowered to 500 ° C., and trimethylaluminum (hereinafter referred to as TMA) as an Al raw material and ammonia as an N raw material were flown.
The crystal substrate 1 was obtained.
【００３４】〔ｎ型コンタクト層２の形成〕成長温度を
１０００℃に昇温し、Ｇａ原料としてトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ）、Ｎ原料としてアンモニア、ドーパント原
料としてシランを流し、ｎ型ＧａＮコンタクト層２を３
μｍ成長させた。[Formation of n-type contact layer 2] The growth temperature was raised to 1000 ° C., trimethylgallium (TMG) as a Ga source, ammonia as an N source, and silane as a dopant source were flown. 3
μm was grown.
【００３５】〔量子ドット構造３の形成〕 層Ａの形成；成長温度を１１００℃とし、ＴＭＡ、Ｔ
ＭＧ、アンモニア、ドーパント原料としてシランを供給
し、ｎ型ＡｌＧａＮ層Ａを０．５μｍ成長させた。 層Ａ上面の表面処理；成長温度を１０００℃とし、Ｈ
2 ガスをキャリアとしてテトラエチルシランを供給し、
層Ａ上面に１０秒間接触させた。 量子ドットｄの形成；ＴＭＧ、アンモニアを供給し、
ＧａＮ量子ドットｄを形成した。量子ドットの高さｈの
平均は６ｎｍ、幅ｗの平均は４０ｎｍであった。また、
結晶層Ａの上面における量子ドットの分散の度合い（密
度、即ち単位面積当たりの量子ドットの数）ρは、約３
×１０9 ｃｍ-2であった。 層Ｂの形成；成長温度を１１００℃とし、ＴＭＡ、Ｔ
ＭＧ、アンモニア、ドーパント原料としてビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を供給し、ｐ
型ＡｌＧａＮ層Ｂを０．５μｍ成長させ、量子ドット構
造３を得た。[Formation of Quantum Dot Structure 3] Formation of Layer A: TMA, T
MG, ammonia, and silane were supplied as dopant materials, and an n-type AlGaN layer A was grown to 0.5 μm. Surface treatment of the upper surface of the layer A;
Supply tetraethylsilane with 2 gas as carrier,
The upper surface of the layer A was contacted for 10 seconds. Formation of quantum dots d; supply of TMG and ammonia,
GaN quantum dots d were formed. The average height h of the quantum dots was 6 nm, and the average width w was 40 nm. Also,
The degree of dispersion (density, that is, the number of quantum dots per unit area) ρ of the quantum dots on the upper surface of the crystal layer A is about 3
× 10 9 cm -2 . Formation of layer B: TMA, T
MG, ammonia, biscyclopentadienyl magnesium (Cp 2 Mg) as a dopant raw material
The type AlGaN layer B was grown by 0.5 μm to obtain a quantum dot structure 3.
【００３６】〔ｐ型コンタクト層４の形成〕成長温度を
１０００℃とし、ＴＭＧ、アンモニア、およびドーパン
ト原料としてＣｐ2 Ｍｇを供給し、ｐ型ＧａＮコンタク
ト層４を１μｍ成長させた。[Formation of the p-type contact layer 4] The p-type GaN contact layer 4 was grown to 1 µm by supplying TMG, ammonia, and Cp 2 Mg as a dopant material at a growth temperature of 1000 ° C.
【００３７】〔電極の形成等〕試料を装置から取り出
し、窒素雰囲気、８００℃で２０分間アニール処理を行
った。最後に、ｐ型コンタクト層４の上にｐ型電極５を
形成し、また、ドライエッチングにより積層体の上面か
らｐ型層と量子ドット構造の一部をエッチング除去し、
ｎ型コンタクト層２の上面を露出させ、ｎ型電極６を形
成し、ＬＥＤとした。[Formation of Electrodes, etc.] The sample was taken out of the apparatus and annealed at 800 ° C. for 20 minutes in a nitrogen atmosphere. Finally, a p-type electrode 5 is formed on the p-type contact layer 4, and the p-type layer and a part of the quantum dot structure are etched away from the upper surface of the laminate by dry etching.
The upper surface of the n-type contact layer 2 was exposed, and an n-type electrode 6 was formed, thereby completing an LED.
【００３８】このＬＥＤを、Ｔｏ−１８ステム台にマウ
ントし、２０ｍＡでの光度の測定を行ったところ、１０
０ｍｃｄであった。また、発光波長を測定したところ、
通常のＧａＮの発光波長から約８０ｍｅＶ短波長側へず
れており、量子サイズ効果によると考えられるブルーシ
フトが観察された。This LED was mounted on a To-18 stem base, and the luminous intensity was measured at 20 mA.
It was 0 mcd. Also, when the emission wavelength was measured,
The wavelength is shifted from the normal GaN emission wavelength to the shorter wavelength side by about 80 meV, and a blue shift considered to be due to the quantum size effect was observed.
【００３９】比較例１ 実施例１における量子ドットの密度ρを３×１０5 ｃｍ
-2としたこと以外は、実施例１と同様にＬＥＤを作製し
た。このＬＥＤについて、実施例１と同様に２０ｍＡで
の光度および発光波長の測定を行ったところ、発光波長
のブルーシフトは観察されたが、光度は１０ｍｃｄであ
った。Comparative Example 1 The density ρ of the quantum dots in Example 1 was 3 × 10 5 cm.
An LED was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the value was changed to -2 . When the luminous intensity and emission wavelength of this LED were measured at 20 mA in the same manner as in Example 1, a blue shift in the emission wavelength was observed, but the luminous intensity was 10 mcd.
【００４０】比較例２ 実施例１における量子ドットの密度ρを３×１０14ｃｍ
-2としたこと以外は、実施例１と同様にＬＥＤを作製し
た。このＬＥＤについて、実施例１と同様に２０ｍＡで
の光度および発光波長の測定を行ったところ、光度は１
０ｍｃｄであり、発光波長はブルーシフトが無く、通常
のＧａＮの発光波長と同じであった。また、本比較例と
同じ条件にて層Ａ上に量子ドットを形成し、該量子ドッ
トの形成が完了した時点で層Ａ上面をＡＦＭで観察した
ところ、隣合った量子ドット同士が接触し１つに合体し
ていることが確認された。Comparative Example 2 The density ρ of the quantum dots in Example 1 was set to 3 × 10 14 cm.
An LED was fabricated in the same manner as in Example 1, except that the value was changed to -2 . The luminous intensity and emission wavelength of this LED were measured at 20 mA in the same manner as in Example 1.
The emission wavelength was 0 mcd, there was no blue shift, and the emission wavelength was the same as that of normal GaN. Further, quantum dots were formed on the layer A under the same conditions as in this comparative example, and when the formation of the quantum dots was completed, the upper surface of the layer A was observed by AFM. It was confirmed that they were united.
【００４１】比較例３ 実施例１における量子ドットの高さｈの平均を６０ｎｍ
とし、幅ｗの平均を５００ｎｍとしたこと以外は、実施
例１と同様にＬＥＤを作製した。このＬＥＤについて、
実施例１と同様に２０ｍＡでの光度および発光波長の測
定を行ったところ、光度は２５ｍｃｄであり、発光波長
はブルーシフトが無く、通常のＧａＮの発光波長と同じ
であった。また、本比較例と同じ条件にて層Ａ上に量子
ドットを形成し、該量子ドットの形成が完了した時点で
層Ａ上面をＡＦＭで観察したところ、隣合った量子ドッ
ト同士が接触し１つに合体していることが確認された。Comparative Example 3 The average of the height h of the quantum dots in Example 1 was 60 nm.
An LED was manufactured in the same manner as in Example 1, except that the average of the width w was set to 500 nm. About this LED,
The luminous intensity and emission wavelength at 20 mA were measured in the same manner as in Example 1. As a result, the luminous intensity was 25 mcd, the emission wavelength did not have a blue shift, and was the same as the normal GaN emission wavelength. Further, quantum dots were formed on the layer A under the same conditions as in this comparative example, and when the formation of the quantum dots was completed, the upper surface of the layer A was observed by AFM. It was confirmed that they were united.
【００４２】比較例４ 比較例３における量子ドットの密度を１×１０5 ｃｍ-2
としたこと以外は、比較例３と同様にＬＥＤを作製し、
本発明による限定範囲よりも大きい量子ドット形状と、
本発明による限定範囲よりも小さい密度とを組合せた場
合の特性を調べた。このＬＥＤについて、２０ｍＡでの
光度、発光波長を測定し、また、同一条件でのサンプル
に対して量子ドットの形成が完了した時点での層Ａ上面
をＡＦＭで観察したところ、隣合った量子ドット同士
は、互いに接触することなく、独立していたが、光度は
１０ｍｃｄであり、発光波長はブルーシフトが無く、通
常のＧａＮの発光波長と同じであった。Comparative Example 4 The density of the quantum dots in Comparative Example 3 was 1 × 10 5 cm −2
An LED was prepared in the same manner as in Comparative Example 3 except that
A quantum dot shape larger than the limited range according to the present invention;
The characteristics when combined with a density smaller than the limited range according to the present invention were examined. The luminous intensity and emission wavelength of this LED at 20 mA were measured, and the upper surface of the layer A at the time when the formation of the quantum dots was completed for the sample under the same conditions was observed by AFM. Although they were independent without contacting each other, the luminous intensity was 10 mcd, the emission wavelength was not blue-shifted, and was the same as that of ordinary GaN.
【００４３】[0043]
【発明の効果】本発明のＧａＮ系発光素子は、ＧａＮ系
材料からなる量子ドット構造を発光に係る部分として有
するものであり、しかも、量子ドット構造の最適な態様
として、個々の量子ドットの高さ、幅、量子ドットの分
散の度合いの適正な範囲を限定しているので、より高効
率なＧａＮ系発光素子が得られるようになった。The GaN-based light-emitting device of the present invention has a quantum dot structure made of a GaN-based material as a portion related to light emission. Since the appropriate range of the width and the degree of dispersion of the quantum dots is limited, a more efficient GaN-based light emitting device can be obtained.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明のＧａＮ系発光素子の一例を示す断面図
である。同図では、説明のために、各層の厚み、量子ド
ット・電極の寸法などを誇張して示しており、実際の比
率とは異なる。また、他の層と区別するために、電極、
層Ａ、Ｂにハッチングを施している。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a GaN-based light emitting device of the present invention. In the figure, for the sake of explanation, the thickness of each layer, the dimensions of the quantum dots / electrodes, and the like are exaggerated, and are different from the actual ratios. Also, to distinguish from other layers, electrodes,
Layers A and B are hatched.
１ 結晶基板 ２ ｎ型コンタクト層 ３ 量子ドット構造 ４ ｐ型コンタクト層 Ａ 量子ドット構造を構成するＧａＮ系結晶層 ｄ 量子ドット構造を構成する個々の量子ドット Ｂ 量子ドット構造を構成するＧａＮ系結晶層 ５ ｐ型電極 ６ ｎ型電極 REFERENCE SIGNS LIST 1 crystal substrate 2 n-type contact layer 3 quantum dot structure 4 p-type contact layer A GaN-based crystal layer constituting quantum dot structure d individual quantum dots constituting quantum dot structure B GaN-based crystal layer constituting quantum dot structure 5 p-type electrode 6 n-type electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 悟 北海道札幌市中央区宮の森一条13丁目２− ３ ソレアード宮の森３−２ (72)発明者 青柳 克信 埼玉県和光市広沢２番１号 理化学研究所 内 (72)発明者 大内 洋一郎 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 岡川 広明 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 只友 一行 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Satoru Tanaka 13-2-3 Miyanomori 1-chome, Chuo-ku, Sapporo-shi, Hokkaido 3-2 Solairard Miyanomori 3-2 (72) Inventor Katsunobu Aoyagi 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama RIKEN (72) Inventor Yoichiro Ouchi 4-chome Ikejiri, Itami-shi, Hyogo Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Itami Works (72) Inventor Hiroaki Okakawa 4-chome, Ikejiri, Itami-shi, Hyogo Prefecture Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Itami Works (72) Inventor Kazuyuki Tadomo 4-3 Ikejiri, Itami-shi, Hyogo Mitsubishi Electric Cable Industry Co., Ltd.
Claims (5)
有するＧａＮ系半導体発光素子であって、 前記量子ドット構造は、ＧａＮ系材料からなる結晶層
（Ａ）と、この層上面に分散して形成されたＧａＮ系材
料からなる量子ドットと、この量子ドットを埋め込んで
前記層上に成長したＧａＮ系材料からなる結晶層（Ｂ）
とを有する構造であり、 結晶層（Ａ）および結晶層（Ｂ）の材料の各々のバンド
ギャップは、量子ドットの材料のバンドギャップよりも
大きく、 各層の層厚方向についての各々の量子ドットの寸法を高
さｈとし、各層の拡がる方向についての各々の量子ドッ
トの寸法を幅ｗとし、結晶層（Ａ）の上面における量子
ドットの分散の度合いを密度ρとして、０．５ｎｍ≦ｈ
≦５０ｎｍ、０．５ｎｍ≦ｗ≦２００ｎｍ、１０6 ｃｍ
-2≦ρ≦１０13ｃｍ-2、であることを特徴とするＧａＮ
系半導体発光素子。1. A GaN-based semiconductor light-emitting device having a quantum dot structure as a portion relating to light emission, wherein the quantum dot structure is formed by dispersing a crystal layer (A) made of a GaN-based material on an upper surface of the layer. Quantum dots made of a GaN-based material, and a crystal layer (B) made of a GaN-based material grown on the layer by embedding the quantum dots.
The band gap of each of the materials of the crystal layer (A) and the crystal layer (B) is larger than the band gap of the material of the quantum dots, and each of the quantum dots in the thickness direction of each of the layers. Assuming that the dimension is height h, the dimension of each quantum dot in the spreading direction of each layer is width w, and the degree of dispersion of the quantum dots on the upper surface of the crystal layer (A) is density ρ, 0.5 nm ≦ h
≦ 50 nm, 0.5 nm ≦ w ≦ 200 nm, 10 6 cm
-2 ≦ ρ ≦ 10 13 cm −2 ,
Series semiconductor light emitting device.
に異なる伝導型である請求項１記載のＧａＮ系半導体発
光素子。2. The GaN-based semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the crystal layer (A) and the crystal layer (B) have different conductivity types.
たＧａＮ系材料からなるものである請求項１記載のＧａ
Ｎ系半導体発光素子。3. The Ga according to claim 1, wherein the quantum dots are made of a GaN-based material doped with impurities.
N-based semiconductor light emitting device.
ドット材料とよび、結晶層（Ａ）に用いられるＧａＮ系
材料をベース材料とよぶとして、ドット材料とベース材
料とが下記（ｉ）の格子整合性を満たす関係にあり、結
晶層（Ａ）の層上面の表面状態がアンチサーファクタン
トによって変化させられたことによって、ドット材料が
結晶層（Ａ）の層上面に量子ドットとして成長したもの
である請求項１記載のＧａＮ系半導体発光素子。 （ｉ）結晶層（Ａ）上面の表面状態を変化させるような
表面処理を施すことなく結晶層（Ａ）上面にドット材料
を直接的に結晶成長させたとき、ドット材料が結晶層
（Ａ）の層上面に膜状に結晶成長し得るようなドット材
料とベース材料との格子整合性。4. A GaN-based material used for a quantum dot is referred to as a dot material, and a GaN-based material used for a crystal layer (A) is referred to as a base material. The dot material has been grown as quantum dots on the upper surface of the crystal layer (A) because the surface condition of the upper surface of the crystal layer (A) is changed by anti-surfactant so as to satisfy the matching. The GaN-based semiconductor light emitting device according to claim 1. (I) When the dot material is directly crystal-grown on the upper surface of the crystal layer (A) without performing a surface treatment to change the surface condition of the upper surface of the crystal layer (A), the dot material becomes Lattice matching between the dot material and the base material such that crystals can grow in a film form on the upper surface of the layer.
（Ｂ）のうちの１以上のものが、Ｂ、Ａｓ、Ｐから選ば
れる１以上の元素を含有するＧａＮ系材料からなるもの
である請求項１記載のＧａＮ系半導体発光素子。5. One or more of the crystal layer (A), the quantum dots, and the crystal layer (B) are made of a GaN-based material containing one or more elements selected from B, As, and P. The GaN-based semiconductor light emitting device according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15610498A JPH11354842A (en) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | Gan semiconductor light emitting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15610498A JPH11354842A (en) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | Gan semiconductor light emitting element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354842A true JPH11354842A (en) | 1999-12-24 |
Family
ID=15620404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15610498A Pending JPH11354842A (en) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | Gan semiconductor light emitting element |
Country Status (1)
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