JPH11354404A - ブランクスおよび反射型マスクの検査方法および検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】多層膜ブランクスや反射型マスクの全面を検査
の高スループット化と、反射型マスクの多層膜中でのＥ
ＵＶ光の位相の変化を起こさせる欠陥検査の高分解能化
をはかる。 【解決手段】多層膜ブランクスに容易に剥離可能なパタ
ーンを形成し、このパターン付き多層膜ブランクスをＥ
ＵＶ光で所定の光学系を介して露光し、その像を検査す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は真空紫外線または極
紫外線の露光あるいは照射により、像形成を行わせるた
めに使用する光学素子の製造または検査に係り、特に半
導体デバイス製造のパターン転写に用いて好適な反射型
マスクおよびその検査方法，作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの固体素子の集積度および動作速
度を向上するため、回路パターンの微細化が進んでい
る。現在これらのパターンの形成には、露光光源を紫外
線とする縮小投影露光法が広く用いられている。この方
法の解像度は露光波長λに比例し投影光学系のウェハ側
の開口数ＮＡに反比例する。解像限界の向上は開口数Ｎ
Ａを大きくとることにより行われてきた。しかし、この
方法は焦点深度の減少と屈折光学系（レンズ）設計およ
び製造技術の困難から限界に近づきつつある。このた
め、露光波長λを短くする手段が行われている。例えば
水銀ランプのｇ線（λ＝４３５.８ｎｍ)からｉ線（λ＝
３６５ｎｍ）、さらにＫｒＦエキシマレーザ（λ＝２４
８ｎｍ），ＡｒＦエキシマレーザ（λ＝１９３ｎｍ）等
である。

【０００３】露光波長の短波長化により、解像度は向上
する。また、いわゆる超解像露光と呼ばれる手法によ
り、露光に用いる波長よりも小さい寸法のパターンが形
成可能となってきた。しかし露光に用いる紫外線の波長
の大きさからくる原理的な限界から、０.１μｍ(１００
ｎｍ）以下の解像度を種々のパターンに対して得ること
はかなり困難となる。

【０００４】一方、微細パターンの形成方法に、露光波
長をおよそ０.５ｎｍ から２ｎｍの軟Ｘ線とする近接等
倍Ｘ線リソグラフィがある。この方法は露光波長が短い
ため、原理的に０.１μｍ 以下の高い解像度が得られる
可能性がある。一般に、所望の素子に回路パターンを形
成するためには、ウェハ上のレジストにマスク上のパタ
ーンを転写する。近接等倍Ｘ線リソグラフィでは等倍Ｘ
線マスクと呼ばれる透過型マスクが用いられる。等倍Ｘ
線マスクにおけるＸ線が透過する部分は、メンブレンと
呼ばれるＳｉ，ＳｉＮ，ＳｉＣ，Ｃ等の軽元素材料で形
成された通常２μｍ程度の厚さからなる薄膜からなる。

【０００５】等倍Ｘ線マスクにおけるＸ線が吸収する部
分として、メンブレン上に吸収体と呼ばれる厚さが０.
３μｍ〜０.７μｍ程度でＷ，Ａｕ，Ｔａ等の重金属ま
たはそれらの化合物からなる回路パターンが形成されて
いる。従って等倍Ｘ線マスクは非常に剛性の弱いメンブ
レンの上に回路パターンが形成されているため、吸収体
の重金属の内部応力やＸ線マスクを所定の露光装置に装
着する際の外力等で回路パターンに歪みが生じ、所望の
回路パターンをウェハ上の所定の位置でレジストに転写
できない問題が起こっている。とくに近接等倍Ｘ線リソ
グラフィでは、等倍Ｘ線マスクのパターンが１対１の等
倍でレジストに転写されるため、等倍Ｘ線マスク上のパ
ターンの歪みは１対１に転写される。剛性の弱い等倍Ｘ
線マスクのパターンに歪みが生じる問題は、近接等倍Ｘ
線リソグラフィで大きな課題となっている。

【０００６】以上のような背景をもとに近年、波長がお
よそ５ｎｍから５０ｎｍである極紫外線(ＥＵＶ)を露光
光源としたＥＵＶリソグラフィが注目を浴びている。こ
れは、例えばジャパニーズ ジャーナル オブ アプラ
イド フィジクス（JapaneseJournal of Applied Physi
cs），１９９１，３０号，１１Ｂ巻，３０５１ページに
記載されている。

【０００７】図１はＥＵＶリソグラフィの露光光学系の
例を示すものである。ＥＵＶ４を露光光源とし、入射角
４２（θ）で斜めに入射して反射型マスク８１を照明す
る。入射角４２は種々の光学系で異なるが、およそ１°
から１５°程度である。反射型マスク８１にはＥＵＶを
正反射することができる多層膜２および所定のパターン
（図示略）が形成されている。反射型マスクから反射し
たＥＵＶは凸ミラー９２で反射し、さらに凹ミラー９１
で反射し、ウェハ８２上で結像する。凸ミラー９２，凹
ミラー９１には反射鏡用多層膜７がミラー全面に形成さ
れている。ここで反射型マスク等の光学素子として使用
する基板１には、高い反射率を得るために粗さのない超
平滑基板が必要である。

【０００８】従来のＥＵＶ用反射型マスクは、例えばジ
ャーナル オブ バキューム サイエンス アンド テ
クノロジ（Journal of Vacuum Science and Technolog
y），Ｂ９巻６号，１９９１年，ｐ３１７６−ｐ３１８
３．に記載のように、反射率が高い領域を多層膜が存在
する部分、反射率が低いまたは反射率のない領域を多層
膜または多層膜構造が存在しない部分として形成され
る。

【０００９】図２（ａ）に示す図では、集束イオンビー
ム５によって基板１上の多層膜２を、基板に対して垂直
方向に変質して反射率の低い領域または非反射部３を形
成し、反射率の高い領域２１にパターンを形成するもの
である。また、図２（ｂ）のように多層膜２の所定の部
分を除去して、多層膜がない部分すなわち非反射部３を
形成するものもある。また、図２（ｃ）のように超平滑
基板１に直接付着した多層膜２の上に所定の厚さおよび
形を有する吸収体３５のパターンを形成し、非反射部と
する反射型マスクの例もある。

【００１０】露光あるいは照射に用いる真空紫外線また
はＸ線の波長が小さくなる場合、真空紫外線またはＸ線
に対する多層膜の反射率を大きくするには、多層膜の積
層数を増やす必要がある。高い反射率を得るには、例え
ばＸ線の波長１３ｎｍでは５０層対以上、１０ｎｍでは
１００層対以上、７ｎｍでは１５０層対以上程度が必要
となる。

【００１１】反射型マスクの典型的な製造方法を図３に
示す。まず高い反射率を得るために粗さがほとんどない
超平滑基板１に多層膜２を形成する（図３（ａ））。こ
の超平滑基板１に多層膜２を形成したものを一般に多層
膜ブランクマスクまたは多層膜ブランクスと呼ぶ。多層
膜２の形成には通常、イオンビームスパッタリング蒸着
法，マグネトロンスパッタリング蒸着法等の物理的蒸着
法や化学気相成長蒸着法（ＣＶＤ）や原子層成長法（Ａ
ＬＥ）が用いられる。

【００１２】次に反射型マスクの非反射部となる吸収体
３５を形成する（図３（ｂ））。吸収体３５の形成には
通常、多層膜の形成と同様にイオンビームスパッタリン
グ蒸着法，マグネトロンスパッタリング蒸着法等の物理
的蒸着法や化学気相成長蒸着法（ＣＶＤ）などが用いら
れる。吸収体の材料としてはＷ，Ｔａ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｇｅ，Ｎｉ，Ｃｏ等の金属，半金属，半導体材料の
単体もしくは化合物が用いられる。

【００１３】次に吸収体をパターニングし、所望の吸収
体パターンを形成するため、前記吸収体の上にレジスト
３８を形成し（図３（ｃ））、ｉ線露光，ＫｒＦエキシ
マレーザ露光，電子線ビーム描画，等倍露光Ｘ線，イオ
ンビーム露光，ＥＵＶ露光等によるリソグラフィ技術で
レジストパターン３９を形成する（図３（ｄ））。

【００１４】次にレジストパターンをマスクとして吸収
体を反応性イオンエッチングなどにより加工し、吸収体
３５のパターンを形成する（図３（ｅ））。次にレジス
トパターン３９を除去する（図３（ｆ））。

【００１５】通常、反射型マスク等を製造中または製造
後、反射型マスクを検査し、欠陥が見つかると、これを
修正する必要がある。欠陥を修正できないものは不良品
となる。一般に無視できないマスク上の欠陥の大きさ
は、例えば月刊セミコンダクターワールド，１９９７年
６月号，ｐ１５０−ｐ１５４に記載のように、通常の露
光方法では最小加工寸法の１／５程度の大きさまで考慮
する必要があるとされており、例えば、マスク上で最小
パターン寸法が０.４μｍ の場合、無視できないマスク
上の最小の欠陥の大きさは８０ｎｍとなる。また、位相
シフト露光方法や変形照明露光方法などのいわゆる超解
像露光方法を用いる場合は最小加工寸法の１／７程度の
大きさまで考慮する必要があるとされており、例えば、
マスク上で最小パターン寸法が０.４μｍ の場合、無視
できないマスク上の最小の欠陥の大きさはおよそ５７ｎ
ｍとなる。

【００１６】図４（ａ）および図４（ｂ）に示される反
射型マスクの吸収体部分の白欠陥４０１（所望の吸収体
が欠けている）または黒欠陥４０２（吸収体が所望の形
状より余計に存在する）は、従来技術のイオンビームを
用いたガスアシスト蒸着（白欠陥の修正）やイオンビー
ムエッチング（黒欠陥の修正）により修正可能である。

【００１７】一方、反射型マスクの多層膜中では、積層
する多層膜が多くなればなるほど、その膜に欠陥が生じ
る可能性が大きくなる。図５に反射型マスクの多層膜中
の欠陥の例である、異物５０４による欠陥５０１および
基板１１のスクラッチ５０３による欠陥５０２を示す。
欠陥を有する多層膜から製造された反射型マスクは、欠
陥部分で所望の反射率の低下が生じ、所望のパターンが
転写できない可能性がある。また、欠陥により欠陥部分
の位相が変わることにより、所望のパターンが転写でき
ない可能性がある。

【００１８】反射型マスクの多層膜の欠陥検査について
は、特開平6−349715 号に記載のようにいわゆるＸ線顕
微鏡を使った検査装置が開示されている。また、特開平
9−318330号に記載のように、可視光や紫外線のレーザ
光で被検査物体上を走査し、光散乱を起こさせ、光散乱
状態を調べることにより欠陥をみつける検査装置が開示
されている。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｘ
線顕微鏡を使った欠陥検査装置は、視野領域がせいぜい
数平方mm程度であり、１００平方cm以上ある反射型マス
クの多層膜の全面を検査するためには視野領域を順次走
査する必要があり、これにより、検査に多大な時間を要
する問題があった。また、前記反射型マスクの多層膜の
欠陥検査は多層膜の反射率のみを調べているため、位相
の変化を起こさせる欠陥をすべて検出することができな
い問題があった。また、前記レーザ光を走査し、光散乱
を起こさせ、光散乱状態を調べる検査装置も反射型マス
ク表面の外部形状の変化のみを検出するため、ＥＵＶに
おける位相の変化を起こさせる欠陥をすべて検出できな
い問題があった。したがって多層膜中に位相の変化を起
こさせる欠陥がある多層膜ブランクスから反射型マスク
を形成すると、上記のマスク検査では不良とならなかっ
た反射型マスクを良品としてデバイス製造工程に用いる
こととなり、ＥＵＶ露光で転写を行って初めて欠陥の存
在が明らかになり、デバイス製造工程に多大な支障を来
たす問題があった。

【００２０】本発明は、反射型マスクの多層膜中のあら
ゆる欠陥を簡便に安価に検査する方法、その検査装置、
およびそれを用いて作製した多層膜ブランクス，反射型
マスク、およびそれを用いて作製したデバイスを提供す
ることにある。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明の反射型マスクの
検査方法は、光学素子である多層膜ブランクスに容易に
剥離可能なレジストパターンを形成し、このレジストパ
ターンが吸収体パターンとなる多層膜ブランクスをＥＵ
Ｖ光で所定の光学系を介して露光し、その像を例えばウ
ェハに塗布されたレジストに転写する。その像である転
写パターンと多層膜ブランクスに形成したパターンもし
くはそのデータを比較することにより、ブランクスの欠
陥の有無を判別することを特徴とする。

【００２２】また本発明の反射型マスクの検査方法は、
光学素子である多層膜ブランクスに容易に剥離可能なレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンが吸収
体パターンとなる多層膜ブランクスをＥＵＶ光で所定の
光学系を介して露光し、例えばウェハに塗布されたレジ
ストに転写する。転写したパターンと多層膜ブランクス
に形成したパターンもしくはそのデータを比較すること
により、ブランクスの欠陥の有無や存在する欠陥の大き
さなどの欠陥情報を得て、多層膜ブランクス中の欠陥情
報に応じて適用する反射型マスクを判断することを特徴
とする。

【００２３】また本発明の多層膜ブランクスまたは反射
型マスクの検査方法は、レジストパターンが吸収体パタ
ーンとなる多層膜ブランクスをＥＵＶ光で所定の光学系
を介して露光し、像点またはその近傍にあるウェハ上の
レジスト等に転写する際に、多層膜ブランクスに形成す
るレジストパターンからの反射波と、レジストパターン
が形成されていない部分からの反射波との位相の差がほ
ぼ反転すること、かつ多層膜ブランクスに形成するレジ
ストパターンからの反射波の強度が、レジストパターン
が形成されていない部分からの反射波の強度のほぼ３％
から１０％になるようにレジストパターンの膜厚を調整
し、上記膜厚となるレジストパターンがハーフトーン吸
収体パターンとなる多層膜ブランクスをＥＵＶ光で露光
・転写し、転写したパターンを検査する、または多層膜
ブランクスに形成したパターンもしくはそのデータを比
較することを特徴とする。

【００２４】また本発明の反射型マスクの検査方法は、
レジストパターンが吸収体パターンとなる多層膜ブラン
クスをＥＵＶ光で所定の光学系を介して露光し、像点ま
たはその近傍にあるウェハ上のレジスト等に結像させて
転写する際に、２光束干渉するように露光を行い、転写
したパターンを比較，検査または、転写パターンと多層
膜ブランクスに形成したパターンもしくはそのデータを
比較することを特徴とする。

【００２５】また本発明の多層膜ブランクスまたは反射
型マスクの検査方法は、レジストパターンが吸収体パタ
ーンとなる多層膜ブランクスをＥＵＶ光で所定の光学系
を介して露光しウェハ上のレジスト等に転写する際に、
焦点位置での露光に加えて焦点位置をずらした露光を行
い、転写したパターンを比較，検査または、転写パター
ンと多層膜ブランクスに形成したパターンもしくはその
データを比較することを特徴とする。

【００２６】また本発明の多層膜ブランクスまたは反射
型マスクの検査方法は、形成したレジストパターンが吸
収体パターンとなる多層膜ブランクスをＥＵＶ光で所定
の光学系を介して露光しウェハ上のレジスト等に転写す
る際に、最適露光量での露光に加えて最適値からずらし
た露光量で露光を行い、転写したパターンを比較，検査
または、転写パターンと多層膜ブランクスに形成したパ
ターンもしくはそのデータを比較することを特徴とす
る。

【００２７】また本発明の多層膜ブランクスまたは反射
型マスクの検査方法は、多層膜ブランクスにレジストパ
ターンを形成した後、その多層膜ブランクスをＥＵＶ光
で所定の光学系を介して露光し、ウェハ上のレジスト等
に転写して形成したレジストパターンと、多層膜ブラン
クスに形成したパターンまたはそのデータを比較する方
法として、多層膜ブランクスに形成したパターンのデー
タと転写したパターンを比較する方法，転写したパター
ンを別の場所の同じ転写パターンと比較する方法，転写
したパターンそのものを検査する方法の少なくともいず
れか一つを行うことを特徴とする。

【００２８】また本発明の多層膜ブランクスまたは反射
型マスクの検査装置は、多層膜ブランクスにレジストパ
ターンを形成する手段と、その形成したレジストパター
ンを検査する手段と、その多層膜ブランクスをＥＵＶ光
で所定の光学系を介して露光しウェハ等のレジスト等に
転写してレジストパターンを形成する手段と、上記多層
膜ブランクスを転写して形成したレジストパターンの欠
陥を検査する手段と、上記検査の結果を記憶する手段を
含むことを特徴とする。

【００２９】また本発明の多層膜ブランクスまたは反射
型マスクは、本発明の多層膜ブランクスまたは反射型マ
スクの検査方法および、検査装置を用いて作製されたこ
とを特徴とする。

【００３０】また本発明のデバイスの作製方法は、本発
明の多層膜ブランクスまたは反射型マスクを用いて、ウ
ェハにパターンを露光し転写する工程を有することを特
徴とする。

【００３１】また本発明のデバイスは、本発明のデバイ
スの作製方法を用いて、製造されたことを特徴とする。

【００３２】

【発明の実施の形態】図６のフローを用いて本発明の実
施の形態を開示する。本発明の実施の形態は図６のステ
ップＳ１０１からＳ１１２からなる。Ｓ１０１では多層
膜ブランクスを形成する。まず、図７に示すように、石
英やＢＫ７等からなる超平滑基板１にアルミニウムやＳ
ｉＯ₂ 等の薄膜１１９をイオンビームスパッタリング法
やマグネトロンスパッタリング法や化学気相成長法など
で蒸着する。ただし、この薄膜は必ずしも必要ではない
が、後で述べるステップＳ１０８１で超平滑基板を再生
する場合には必要になる。

【００３３】次に、イオンビームスパッタリング法やマ
グネトロンスパッタリング法や化学気相成長法等で多層
膜２１を蒸着し、多層膜ブランクス６０１を形成する。
多層膜２１としては例えば１層あたりの膜厚が２.６ｎ
ｍ のＭｏ層と、１層あたりの膜厚が４.１ｎｍ のＳｉ
層を交互に６０層対形成する。

【００３４】次に、図８に示すように、多層膜ブランク
ス６０１にマーク７０２を形成する。多層膜ブランクス
の上層にレジストを形成後、電子線描画装置，ｇ線露光
装置，ｉ線露光装置，ＫｒＦエキシマレーザ露光装置，
ＡｒＦエキシマレーザ露光装置やレーザ描画装置等を用
いて露光または描画し、現像し、所定のマークのレジス
トパターンを多層膜ブランクスの有効エリア７０１の外
側に形成する。ここで、上記有効エリアとは半導体集積
回路等のパターンが形成され、反射型マスクとして有効
に働く領域である。すなわち、集積回路パターンが形成
される集積回路チップ７０３の領域である。

【００３５】図８では多層膜ブランクスの有効エリアに
２つのチップが搭載可能となっている。また、マークは
少なくとも１つは必要であるが、後のステップＳ１０
６，ステップＳ１０７，ステップＳ１０８，ステップＳ
１０９で多層膜ブランクスの位置出し，面出し等のため
マークの位置を独立に３個所以上形成するのが望まし
い。また、用いるレジストは、ネガ型レジストでもポジ
型レジストでもどちらでも使用可能であるが、ここでは
ポジ型レジストが望ましく、マーク部分が露光され、現
像後、露光された部分はレジストがないスペースになっ
ている。次にこのレジストをマスクにして、ドライエッ
チングまたはリフトオフ法により所定のマークパターン
を集積回路のチップの外に形成する。そして不要なレジ
ストを剥離，除去する。

【００３６】次にステップＳ１０３にて多層膜ブランク
スを洗浄し、ステップＳ１０４で多層膜ブランクスのゴ
ミの検査を行う。もし多層膜ブランクスにゴミがあれ
ば、再度Ｓ１０３に戻り、洗浄を行う。ステップＳ１０
４の多層膜ブランクスのゴミの検査は、可視光や紫外線
を光源とした光を多層膜ブランクスに走査して照射し、
散乱光を検出し、光散乱状態からゴミの有無を調べるこ
とができる。

【００３７】次にステップＳ１０５で多層膜ブランクス
の上層にレジストを形成し、このレジストを露光，現像
してラインアンドスペースのレジストパターンを多層膜
ブランクスの有効エリア全面に形成する。上記ラインア
ンドスペースパターンの形成に用いる露光手段として
は、ｉ線露光装置，ＫｒＦエキシマレーザ露光装置，Ａ
ｒＦエキシマレーザ露光装置，レーザスキャン露光装
置，電子線描画装置，等倍Ｘ線露光装置，ＥＵＶ露光装
置などを用いることができる。

【００３８】ここで、多層膜ブランクスに形成するレジ
ストのラインアンドスペースの寸法は、考慮しなければ
いけない最小欠陥の大きさに依存する。言い換えると、
検査する多層膜ブランクスが最終の反射型マスクとして
用いられる時の反射型マスクの最小パターン寸法に依存
する。

【００３９】例えばここで検査する多層膜ブランクスが
最終の反射型マスクとして用いられる時、この反射型マ
スクが転写されて形成される最小パターン寸法は０.１
μｍであり、この反射型マスクが用いられる露光装置の
縮小率が１／４の場合、検査する多層膜ブランクスが最
終の反射型マスクとして用いられる時の反射型マスクの
最小パターン寸法は０.４μｍとなる。０.４μｍのライ
ンアンドスペースパターンのレジストパターンを検査す
べき多層膜ブランクスの有効エリア全面に形成し、これ
を縮小率１／４のＥＵＶ露光装置を用いて通常露光方法
でウェハ上のレジストに転写を行う。

【００４０】もし、多層膜ブランクスに０.４μｍ の１
／５の大きさである８０ｎｍ以上の欠陥があると、転写
したウェハ上のレジストパターンに欠陥が生じる。この
場合、８０ｎｍ以上の欠陥が検出できることになる。ま
た、縮小率１／４のＥＵＶ露光装置を用いて超解像露光
方法でウェハ上のレジストに転写を行うと、多層膜ブラ
ンクスに０.４μｍ の１／７の大きさである５７ｎｍ以
上の欠陥があると、転写したウェハ上のレジストパター
ンに欠陥が生じる。この場合、５７ｎｍ以上の欠陥が検
出できることになる。もし、これより小さい欠陥を検出
する場合は多層膜ブランクスに形成するレジストのライ
ンアンドスペースの寸法を、より小さくすればよい。し
たがって、ここで検査する多層膜ブランクスに形成する
レジストのラインアンドスペースの寸法は、検査する多
層膜ブランクスが最終の反射型マスクとして用いられる
時の反射型マスクの最小パターン寸法またはそれ以下に
すればよい。

【００４１】次にステップＳ１０６で多層膜ブランクス
に形成したレジストパターンを外観検査する。多層膜ブ
ランクスに形成したパターンの検査は、多層膜ブランク
スに形成したパターンのデータと形成したパターン自身
を比較する、転写したパターンを別の場所の転写した同
じパターンとを比較する、転写したパターンそのものを
検査する方法があり、転写したパターンを調べる手段と
しては、光，電子線等を用いた顕微鏡からのパターンイ
メージを取る方法，光散乱状態から欠陥の有無を調べる
方法，オプチカルパターンフィルタリング（ＯＰＦ）法
等を用いることができる。

【００４２】ここで、多層膜ブランクスに形成したレジ
ストパターンの検査結果情報を記憶装置にて記憶してお
く。もし多層膜ブランクスに形成したレジストパターン
に欠陥があれば、ステップＳ１０６１にいき、レジスト
パターンを剥離し多層膜ブランクスの洗浄を行い、再度
ステップＳ１０５に行く。

【００４３】ただし、ここで多層膜ブランクスに形成し
たレジストパターンに存在した欠陥の数が少なく、ま
た、検査する多層膜ブランクスが最終の反射型マスクと
して用いられる時の反射型マスクの最小パターン寸法よ
りも小さい場合、必ずしもステップＳ１０６１に行く必
要はなく、欠陥の位置と大きさを記憶し、これらの欠陥
を含めたものを多層膜ブランクスに形成したレジストパ
ターンのデータとして、次のステップに進む。

【００４４】次にステップＳ１０７でラインアンドスペ
ースのレジストパターンを有効エリア全面に形成した多
層膜ブランクスを、縮小率１／４のＥＵＶ露光装置を用
いてウェハ上のレジストに転写を行い、続いて現像を行
う。ここでＥＵＶ露光装置の縮小率は１／４である必要
はなく、たとえば、１／１の等倍ＥＵＶ露光装置でも可
能である。ただし、多層膜ブランクスに形成するライン
アンドスペースのレジストパターンの寸法をより微細に
する必要がある。

【００４５】ここで、縮小率１／４のＥＵＶ露光装置１
５０２を図９に示す。有効エリアの全面にレジストパタ
ーンを形成した多層膜ブランクス８１とウェハ８２は、
それぞれマスクステージ８３とウェハステージ８４に搭
載されている。まず、マスクとウェハとの相対位置をア
ライメント装置８５を用いて検出し、制御装置８６によ
り駆動装置８７，８８を介して位置合せを行う。ＥＵＶ
光源８９から放射されたＥＵＶを照明光学系９０およ
び、円弧状のアパーチャ９８，長波長カットフィルター
９７を介し、有効エリアの全面にレジストパターンを形
成した多層膜ブランクス上の円弧領域を照明する。ここ
で、ＥＵＶ光源として、例えばガスジェットＸｅターゲ
ットにレーザ光を照射しＥＵＶを発生させるレーザプラ
ズマ光源やシンクロトロン放射光光源（ＳＲ）等を用い
ることができる。図９の照明光学系９０には反射鏡が１
面のみ図示してあるが、この場合に限定されるものでは
なく、光源の種類，照明の均一性，入射ＮＡの均一化，
作業領域の確保などの必要に応じて複数の照明光学系用
反射鏡を設置してもよい。

【００４６】有効エリアの全面にレジストパターンを形
成した多層膜ブランクスと入射EUVの位置関係は、より
細いレジストパターンの短軸方向と入射ＥＵＶの球欠方
向，より細いレジストパターンの長軸方向、すなわちラ
インアンドスペースパターンの長手方向が入射ＥＵＶの
子午方向になるように設定した。有効エリアの全面にレ
ジストパターンを形成した多層膜ブランクスで反射され
たＥＵＶは、波長１３ｎｍ近傍のＥＵＶからなり、反射
鏡９１，９２，９３および９４からなる結像光学系９５
により、ウェハ上に倍率１／４で結像する。反射鏡９
１，９２，９３および９４は、多層膜ブランクスと同様
なＭｏ／Ｓｉ系多層膜を蒸着し、各多層膜の周期長は反
射ＥＵＶの波長が一致するように調節されている。多層
膜ブランクスとウェハを倍率に応じて同期走査して、多
層膜ブランクスの有効エリア全面に形成されたレジスト
パターンをウェハ８２に塗布されたレジストに転写し
た。このような方法により、ウェハ上の２６mm角の領域
で０.１μｍ ラインアンドスペースのレジストパターン
を得る。

【００４７】次にステップＳ１０８で転写したウェハ上
のレジストパターンを外観検査する。ウェハ上に転写し
たパターンと多層膜ブランクスに形成したパターンを比
較する手段は、（１）多層膜ブランクスに形成したパタ
ーンのデータと転写したパターンを比較する、（２）転
写したパターンを別の場所の同じパターンとを比較す
る、（３）転写したパターンそのものを検査する、など
の方法があり、転写したパターンを調べる手段として
は、光，電子線等を用いた顕微鏡からパターンイメージ
を取る方法，光散乱状態から欠陥の有無を調べる方法，
オプチカルパターンフィルタリング（ＯＰＦ）法を用い
る方法などが適用できる。ここで、上記検査装置はステ
ップＳ１０６で用いた装置を使用してもよい。

【００４８】ＥＵＶ露光装置には各露光装置の結像光学
系特有の収差により、転写したウェハ上のレジストパタ
ーンが歪むことがありうるが、あらかじめこの露光装置
の結像光学系特有の収差による歪みを記憶しておき、転
写したウェハ上のレジストパターンを検査する際に露光
装置の結像光学系特有の収差による歪み分を補正して検
査する。

【００４９】また、レジストパターンが形成された多層
膜ブランクスをＥＵＶ露光装置により露光し、ウェハ上
のレジスト等に転写する際に、多層膜ブランクスに形成
するレジストパターンからの反射波とレジストパターン
が形成されていない部分からの反射波との位相の差がほ
ぼ反転しかつ、多層膜ブランクスに形成するレジストパ
ターンからの反射波の強度が、レジストパターンが形成
されていない部分からの反射波の強度のほぼ３％から１
０％になるように、レジストパターンの膜厚を調整して
もよい。この時、上記膜厚としたレジストパターンがハ
ーフトーン吸収体パターンとなるため、この多層膜ブラ
ンクスをＥＵＶ光で露光し転写する際、レジストパター
ンの直下にあたる多層膜部分の欠陥も敏感に検出できる
ことになるため、転写したレジストパターンを比較，検
査または、転写レジストパターンと多層膜ブランクスに
形成したパターンもしくはそのデータを比較することに
より、多層膜ブランクスの欠陥検査の分解能が向上す
る。

【００５０】また、ＥＵＶ露光装置を用いて上記多層膜
ブランクスを転写する際、上記EUV露光装置の結像性能
を向上させるため、上記ＥＵＶ露光装置の投影光学系の
マスク側（多層膜ブランクス側）のＮＡと照明系側のＮ
Ａとの比を変化させて露光してもよい。通常照明の露光
ではその比が０.５から０.７程度、超解像露光ではその
比が０.３から０.５程度である。

【００５１】また、レジストパターンが形成された多層
膜ブランクスをＥＵＶ露光装置により露光し、ウェハ上
のレジスト等に転写する際に、変形照明を行う。図１３
に示すように、通常の露光光源（図１３（ｄ））を輪帯
形状（図１３（ａ））または４開口形状（図１３
（ｂ））または光源に適当な部分開口絞り１３０６を入
れた光源（図１３（ｃ））で露光するか、０次回折光と
＋１次回折光か−１次回折光のどちらかが結像光学系に
入り、その瞳面において概ね対称の位置を通るように多
層膜ブランクスと多層膜ブランクスに入射する光軸とを
相対的に傾けることによって斜入射照明する。これによ
り、この多層膜ブランクスをＥＵＶ光で露光し転写する
際の結像分解能が上がるので、多層膜中に存在する小さ
な欠陥を敏感にウェハ上のレジストに転写できることに
なり、転写したレジストパターンを比較，検査または、
転写レジストパターンと多層膜ブランクスに形成したパ
ターンもしくはそのデータを比較することにより、多層
膜ブランクスの欠陥検査の分解能が向上する。ここで、
各超解像露光方法に応じて、上述のＥＵＶ露光装置の投
影光学系のマスク側（多層膜ブランクス側）のＮＡと照
明系側のＮＡとの比を適度な値にして露光してもよい。

【００５２】また、レジストパターンが形成された多層
膜ブランクスをＥＵＶ露光装置により露光し、ウェハ上
のレジスト等に転写する際に、焦点位置での露光に加え
て焦点位置をずらした露光を行い、転写したパターンを
比較，検査または、転写パターンと多層膜ブランクスに
形成したパターンもしくはそのデータを比較することに
より、多層膜ブランクスに存在する欠陥の転写パターン
に生じる影響と用いたＥＵＶ露光装置の結像光学系特有
の収差による歪みの転写パターンに生じる影響を分離で
き、多層膜ブランクスの欠陥検査の分解能が向上する。

【００５３】また、レジストパターンが形成された多層
膜ブランクスをＥＵＶ露光装置により露光し、ウェハ上
のレジスト等に転写する際に、最適露光に加えて露光量
を変えた露光を行い、転写したパターンを比較，検査ま
たは、転写パターンと多層膜ブランクスに形成したパタ
ーンもしくはそのデータを比較することにより、多層膜
ブランクスの欠陥検査の分解能が向上する。

【００５４】ステップＳ１０８の結果、反射型マスクと
して使用できない程度に多層膜ブランクスに欠陥が多く
存在する場合はステップＳ１０８１にいき、レジストパ
ターン剥離，多層膜ブランクス洗浄，多層膜除去，薄膜
除去，基板洗浄を行い、基板再生を行う。ただし、ステ
ップＳ１０１で、図７に示した石英やＢＫ７等からなる
超平滑基板１１にアルミニウムやＳｉＯ₂ 等の薄膜１１
９を形成しない場合は、基板再生は不可であるので、反
射型マスクとして使用できない程度に欠陥が多く存在す
る多層膜ブランクスは破棄され、Ｓ１０１で新たな多層
膜ブランクスから始める。

【００５５】ステップＳ１０８の結果、多層膜ブランク
スに存在する欠陥がないか、または反射型マスクとして
使用できる程度であれば、ステップＳ１０９で多層膜ブ
ランクスに存在する欠陥の位置，大きさ，個数等の欠陥
情報を記憶し、ステップS110で多層膜ブランクスのレジ
ストパターンを剥離，除去し、多層膜ブランクスを洗浄
する。ここで、必要に応じて多層膜ブランクスの検査精
度をあげるため再検査を行う。この場合、ステップＳ１
０５に戻る。再検査の際、ステップＳ１０５で多層膜ブ
ランクスの上に形成するレジストパターンの寸法を、前
回の検査とは異なる寸法にしてもよい。

【００５６】多層膜ブランクスを再検査するため、ステ
ップＳ１０５では再度、多層膜ブランクスの上層にレジ
ストを形成し、所定の露光装置で露光または描画を行
い、現像後、多層膜ブランクスの有効エリアの全面にラ
インアンドスペースパターンを形成する。通常多層膜ブ
ランクスの有効エリアは１００平方cm以上あり、一方、
ｉ線露光装置，ＫｒＦエキシマレーザ露光装置，ＡｒＦ
エキシマレーザ露光装置，ＥＵＶ露光装置などの縮小投
影露光装置や等倍Ｘ線露光装置などは、ステップアンド
リピートまたはステップアンドスキャンを用いる露光装
置であり、１回あたりの露光フィールドはたかだか１０
平方cm程度である。このため、多層膜ブランクスの有効
エリアを全面にわたって露光するには複数回のステップ
アンドリピートまたはステップアンドスキャンが必要で
ある。

【００５７】図１０（ａ）に、最初の多層膜ブランクス
検査において、ステップアンドリピートまたはステップ
アンドスキャンを用いる露光装置により多層膜ブランク
ス６０１の有効エリア７０１の全面に露光していく状況
を示す。最初の露光フィールド１００１から始まり、露
光の順番を示す矢印１００５にしたがい合計１６回露光
を行い最後の露光フィールド１００２を露光し、有効エ
リア７０１の全面の露光が終わる。ここで、マーク７０
２と露光装置の位置決め機構を用いて各露光フィールド
の位置決めを正確に行い、各露光フィールド間の２重露
光を回避する。

【００５８】一方、再検査では、前回検査とは異なるラ
インアンドスペースパターンの露光または描画方法をと
る。図１０（ｂ）には再検査において、ステップアンド
リピートまたはステップアンドスキャンを用いる露光装
置により多層膜ブランクス６０１の有効エリア７０１の
全面に露光していく状況を示す。最初の露光部分１００
３から始まり、露光の順番を示す矢印１００６にしたが
い合計２５回露光を行い最後の露光部分１００４を露光
し、有効エリア７０１の全面の露光が終わる。ここで、
最初の検査での各露光フィールド間の境界、例えば、境
界１００９を含むように露光フィールド１００７を露光
し、また境界１０１０を含むように露光フィールド１０
０８を露光する。これにより最初の検査での各露光フィ
ールド間の境界に存在する可能性のある多層膜ブランク
ス中の欠陥の見落としを回避することができ、検査の分
解能が向上する。

【００５９】また、図１１に示すように、最初の検査で
露光した露光フィールド１１０１内のラインアンドスペ
ースパターン１１０３のスペースの位置に、マーク７０
２と露光装置の位置決め機構を用いて各露光フィールド
の位置決めを正確に行い、２回目の検査の露光における
露光フィールド１１０２内のラインアンドスペースパタ
ーン１１０４のラインの位置がくるように露光する。こ
れにより最初の検査でラインアンドスペースパターンの
パターン位置の下に存在する可能性のある多層膜ブラン
クス中の欠陥の見落としを回避することができ、検査の
分解能が向上する。

【００６０】ステップＳ１０５でレーザスキャン露光装
置，電子線描画装置等を用いてラインアンドスペースの
レジストパターンを多層膜ブランクスの有効エリア全面
に形成する場合は、図１２に示すように、有効エリア７
０１の最初の検査で描画した描画フィールド１２０１内
のラインアンドスペースパターン１２０３のスペースの
位置に、マーク７０２と描画装置の位置決め機構を用い
て描画フィールドの位置決めを正確に行い、２回目の検
査の描画におけるラインアンドスペースパターン１２０
４のラインの位置がくるように描画する。これにより最
初の検査でラインアンドスペースパターンのパターン位
置の下に存在する可能性のある多層膜ブランクス中の欠
陥の見落としを回避することができ、検査の分解能が向
上する。

【００６１】再検査がこれ以上必要のない場合、ステッ
プＳ１１２に進む。検査終了した多層膜ブランクスに存
在する欠陥の位置，大きさ，個数等の欠陥情報に応じ
て、通常露光用マスクに用いるか、超解像露光用マスク
に用いるかを判断することにより多層膜ブランクスは良
品となる。

【００６２】次に本発明の一実施例の多層膜ブランクス
を用いた反射型マスクの製造工程を開示する。図１４に
多層膜ブランクス作製，検査を含めた反射型マスク製造
工程を示す。

【００６３】石英からなる超平滑基板１にアルミニウム
の薄膜１１９をイオンビームスパッタリング法で、１０
０ｎｍの厚さを蒸着する。次に、イオンビームスパッタ
リング法で多層膜２１を蒸着し、多層膜ブランクスを３
枚形成した。多層膜２１は１層あたりの膜厚が２.６ｎ
ｍのＭｏ層と、１層あたり膜厚が４.１ｎｍのＳｉ層を
交互に６０層対形成した（図１４（ａ））。

【００６４】次に図６のフローにしたがい、本発明の多
層膜ブランクス検査方法と図１５に示した検査装置を用
いて多層膜ブランクスを検査し、そのうち２枚は４０ｎ
ｍ以上の大きさの欠陥がなく、残りのものは７０ｎｍの
大きさの欠陥が２個見つかった。そこで、４０ｎｍ以上
の大きさの欠陥がない多層膜ブランクスは超解像露光用
マスクとして用いることとし、７０ｎｍの大きさの欠陥
が２個見つかった多層膜ブランクスは通常露光用マスク
として用いることとした（図１４（ｂ））。

【００６５】次に反射型マスクの非反射部となる吸収体
３５を形成した（図１４（ｃ））。吸収体３５の形成に
は多層膜の形成と同様にイオンビームスパッタリング蒸
着法を用いた。吸収体としては１２０ｎｍ厚のＣｒ膜を
形成した。ここで、必要に応じて吸収体形成前後に、軽
元素からなる保護膜を形成してもよい。

【００６６】次に吸収体３５をパターニングし、所望の
吸収体パターンを形成するため、前記吸収体の上にレジ
ストを形成し（図１４（ｄ））、マーク７０１を基準に
して、電子線ビーム描画によるリソグラフィ技術でレジ
ストパターンを形成した（図１４（ｅ））。ここで、４
０ｎｍ以上の大きさの欠陥がない多層膜ブランクスには
超解像露光用マスクとして使用するため、最小寸法３２
０ｎｍのゲートパターンと最小寸法３２０ｎｍのホール
パターンを形成した。また、７０ｎｍの大きさの欠陥が
２個見つかった多層膜ブランクスには通常露光用マスク
として使用するため、最小寸法４４０ｎｍの配線パター
ンを形成した。

【００６７】次にレジストパターンをマスクとして吸収
体を反応性イオンエッチングにより加工し、吸収体３５
のパターンを形成した（図１４（ｆ））。次にレジスト
パターンを除去した（図１４（ｇ））。作製した反射型
マスクの外観検査を行い、形成した吸収体パターンに欠
陥がないことを確認した。

【００６８】上記で作製した反射型マスクを用いてデバ
イス作製を行った。図２０にデバイス作製工程フローを
示す。まずステップＳ２００１の酸化工程ではウェハの
表面を酸化させる。ステップＳ２００２のＣＶＤ工程で
はウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２００３
の配線工程ではウェハに電極となる配線材料を蒸着法に
より形成する。ステップＳ２００４のインプラ工程では
ウェハにイオンを打ち込む。ステップＳ２００５のレジ
スト膜形成工程では、ウェハにレジストを塗布し、プリ
ベーク処理する。ステップＳ２００６の露光工程では図
２１に示すEUV露光装置によって上記で作製した反射型
マスクの回路パターンをウェハに転写露光する。ステッ
プＳ２００７の現像工程ではウェハを現像する。ステッ
プS2008のエッチング工程では現像して残ったレジスト
像以外の部分をドライエッチングを用いて除去する。ス
テップＳ２００９のレジスト除去工程ではレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行うことによっ
て、ウェハ上に多層の回路パターンが形成される。

【００６９】本発明のデバイスの製造方法を用いれば、
従来、ＥＵＶ用反射型マスクに存在する位相の変化をも
たらす欠陥により製造が困難で歩留まりが低かった高集
積半導体デバイスを、欠陥のないＥＵＶ用反射型マスク
を用いて歩留まり高く製造することができる。

【００７０】また本発明である多層膜ブランクスまたは
反射型マスクの検査方法は、多層膜ブランクスにレジス
トパターンを形成した後、その多層膜ブランクスをＥＵ
Ｖ光で露光しウェハ上のレジスト等に転写して形成した
レジストパターンと、多層膜ブランクスに形成したパタ
ーンを比較する手段として、多層膜ブランクスに形成し
たパターンのデータと転写したパターンを比較する方
法，転写したパターンを別の場所の転写した同じパター
ンとを比較する方法，転写したパターンそのものを検査
する方法の少なくともいずれか１つを行うことを特徴と
する。

【００７１】また図１５に示すように、本発明の多層膜
ブランクスまたは反射型マスクの検査装置２２０２は、
多層膜ブランクスにレジストパターンを形成する装置15
01と、その多層膜ブランクスをＥＵＶ光で露光しウェハ
等のレジスト等に転写する装置１５０２と、転写したレ
ジストを現像してレジストパターンを形成する装置１５
０３と、多層膜ブランクスに形成したレジストパターン
と、上記多層膜ブランクスを転写して形成したレジスト
パターンの欠陥を検査する装置１５０４を有する。ここ
で、図の１５０７は洗浄装置である。

【００７２】上記多層膜ブランクスを転写して形成した
レジストパターンの欠陥を検査する装置１５０４の例と
して、図１６に光顕微鏡を用いた例、図１７に光散乱を
用いた例、図１８にＯＰＦ法を用いた例、図１９に電子
線顕微鏡を使った例を示す。

【００７３】ここで、上記図１６の１６０１は光源、１
６０２は照明光学系、１６０３は対物レンズ系、１６０
４は検出器、１６０５はＡ／Ｄ変換機、１６０６はコン
ピュータおよび制御装置および欠陥情報記憶装置および
検査結果判別機、１６０７は多層膜ブランクスおよびウ
ェハ、１６０９はステージ、１６１０は入射光、1611は
反射光を示す。

【００７４】また、上記図１７の１７０１はレーザ光
源、１７０２は照明光学系、１７０３は多層膜ブランク
スおよびウェハ、１７０４は集光レンズ、１７０５は検
出装置、１７０８はＡ／Ｄ変換機、１７０９はコンピュ
ータおよび制御装置および欠陥情報記憶装置および検査
結果判別機、１７１０はステージ、１７１１は散乱光、
１７１２は受光器を示す。

【００７５】また、上記図１８の１８０１はコヒーレン
ト光源、１８０２は照明光学系、１８０３は多層膜ブラ
ンクスおよびウェハ、１８０４はフーリエ変換レンズ、
１８０５はオプチカルフィルタ、１８０６は逆フーリエ
変換レンズ、１８０７は受光器、１８０８は検出装置、
１８０９はコンピュータおよび制御装置および欠陥情報
記憶装置および検査結果判別機、１８１０はステージ、
１８１１は反射光、１８１２は入射光、１８１３は反射
鏡を示す。

【００７６】また、上記図１９の１９０１は電子銃、１
９０２は電子ビーム、１９０３は収束レンズ、１９０４
は対物レンズ、１９０５はレジストパターンを形成した
多層膜ブランクスまたはウェハ、１９０６は偏向コイ
ル、１９０７は２次電子、1908は２次電子検出器、１９
０９はＡ／Ｄ変換機、１９１０は画像メモリ、１９１１
は画像処理装置、１９１２はディスプレイ、１９１３は
マスクカセット、1914は試料室、１９１５はＸＹステー
ジ、１９１６はコンピュータおよび制御装置および欠陥
情報記憶装置、１９１７はＡ／Ｄ変換機を示す。

【００７７】図２２には、シンクロトロン放射光光源２
２０１を用いたＥＵＶマスク検査装置２２０２ならびに
デバイスを作製するためのＥＵＶ露光装置２２０３を含
む露光システムを示す。図の２２０１はシンクロトロン
放射光光源、２２０２は多層膜ブランクスまたは反射型
マスクの検査装置、２２０３はＥＵＶ露光装置、2204は
入射器である。このようなシステムを用い、シンクロト
ロン放射光光源をEUV光源に用いると、マスク検査装置
の光源とデバイス作製用露光装置の光源を共有すること
ができる。

【００７８】ここでは、多層膜で用いた材料に関して、
Ｍｏ／Ｓｉ系多層膜の場合のみを説明したが、本発明
は、ここで述べたような材料に制限されることなく、例
えば、ＮｉＣｒ／Ｃ，Ｎｉ／Ｖ，Ｎｉ／Ｔｉ，Ｗ／Ｃ，
Ｒｕ／Ｃ，Ｒｈ／Ｃ，Ｒｕ／ＢＮ，Ｒｈ／ＢＣ，ＲｈＲ
ｕ／ＢＮ，Ｒｕ／ＢＣ，Ｍｏ／ＳｉＣ，Ｐｄ／ＢＮ，Ａ
ｇ／ＢＮ，Ｍｏ／ＳｉＮ，Ｍｏ／ＢＣ，Ｍｏ／Ｃ，Ｒｕ
／Ｂｅなどの多層膜の形成可能な材料であれば、実施可
能である。

【００７９】

【発明の効果】以上述べてきたように、多層膜ブランク
スの検査および製造において、本発明の検査方法，検査
装置および製造方法を適用することによって、ＥＵＶ用
反射型マスクに存在する位相の変化をもたらす欠陥を短
時間で検査でき、また、多層膜ブランクスの欠陥の度合
いによって、多層膜ブランクスの反射型マスクへの適用
も可能となり、多層膜ブランクスおよび反射型マスクの
歩留まり向上と低コストが可能となる。また、本発明の
デバイスの製造方法を用いれば、従来ではＥＵＶ用反射
型マスクに存在する位相の変化をもたらす欠陥により製
造が困難で歩留まりが低かった信頼性の高い高集積半導
体デバイスを、欠陥のないＥＵＶ用反射型マスクを用い
て歩留まり高く製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のＥＵＶ露光装置の説明図。

【図２】従来のＥＵＶ用反射型マスクの断面図。

【図３】従来のＥＵＶ反射型マスク作製工程を示す断面
図。

【図４】従来の修正可能な欠陥を有する反射型マスクの
断面図および平面図。

【図５】従来の多層膜中に欠陥を有する反射型マスクを
示す断面図。

【図６】本発明の一実施例のブランクスおよびマスクの
検査フロー図。

【図７】多層膜ブランクスの一例を示す断面図。

【図８】本発明の一実施例の多層膜ブランクスの平面
図。

【図９】本発明の一実施例の検査装置の一部であるＥＵ
Ｖ露光装置の説明図。

【図１０】本発明の一実施例のブランクスにレジストパ
ターンを形成する露光方法の説明図。

【図１１】本発明の一実施例のブランクスにレジストパ
ターンを形成する露光方法の説明図。

【図１２】本発明の一実施例のブランクスにレジストパ
ターンを形成する描画方法の説明図。

【図１３】本発明の一実施例のＥＵＶ露光装置に用いる
露光光源の説明図。

【図１４】本発明の一実施例のＥＵＶ反射型マスク作製
工程を示す断面図。

【図１５】本発明の一実施例の検査装置のブロック図。

【図１６】本発明の一実施例の検査装置の要部ブロック
図。

【図１７】本発明の一実施例の検査装置の要部ブロック
図。

【図１８】本発明の一実施例の検査装置の要部ブロック
図。

【図１９】本発明の一実施例の検査装置の要部ブロック
図。

【図２０】半導体装置等の製造工程図。

【図２１】本発明の一実施例のＥＵＶ反射型マスクを用
いたＥＵＶ露光装置のブロック図。

【図２２】ＥＵＶ反射型マスク検査システムとデバイス
作製システムの概念図。

【符号の説明】

１…超平滑基板、２…多層膜、３…非反射部（または反
射率の低い領域）、４…入射ＥＵＶまたは真空紫外線ま
たはＸ線、５…集束イオンビーム、７…反射鏡用多層
膜、１１…基板、２１…反射部、２２…多層膜パターン
（反射率の高い領域）、３５…吸収体、３８…レジス
ト、３９…レジストパターン、４１…反射真空紫外線ま
たはＸ線、４２…入射角、３８１…レジストパターン、
８１…反射型マスク、８２…ウェハ、８３…マスクステ
ージ、８４…ウェハステージ、８５…アライメント装
置、８６…制御装置、８７…駆動装置、８８…駆動装
置、８９…Ｘ線源、９０…反射鏡、９１…反射鏡、９２
…反射鏡、９３…反射鏡、９４…反射鏡、９５…結像光
学系、９６…同期走査方向、１１９…基板と多層膜間の
薄膜層、４０１…白欠陥、４０２…黒欠陥、５０１…異
物による欠陥、５０２…スクラッチによる欠陥、５０３
…多層膜中の異物、５０４…スクラッチ、６０１…多層
膜ブランクス、７０１…有効エリア、７０２…マーク、
７０３…チップ領域、１１０１…露光フィールド、１１
０２…露光フィールド、１１０３…ラインアンドスペー
スパターン、１１０４…ラインアンドスペースパター
ン、１２０１…描画フィールド、１２０３…ラインアン
ドスペースパターン、１２０４…２回目以降の検査で描
画するラインアンドスペースパターン、１３０１…光
軸、１３０２…輪帯開口部、１３０３…暗部、１３０４
…４開口形状、１３０５…部分開口部、１３０６…部分
絞り（暗部）、１３０７…通常光源、１５０１…多レジ
ストを形成する装置、１５０２…ＥＵＶ露光装置、１５
０３…ウェハ現像装置、1504…パターン検査装置、１５
０５…多層膜ブランクスの動き、１５０６…ウェハの動
き、１５０７…多層膜ブランクス洗浄装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺澤 恒男 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板に極紫外線が反射可能な多層膜が形成
   されたブランクスに、剥離可能なパターンを形成する工
   程と、上記パターンを有する多層膜ブランクスを極紫外
   線で所定の光学系を介して露光転写して像を得る工程
   と、上記像の検査をする工程とを含むことを特徴とする
   ブランクスの検査方法。
2. 【請求項２】基板に極紫外線が反射可能な多層膜が形成
   されたブランクスに、剥離可能なパターンを形成する工
   程と、上記パターンを有する多層膜ブランクスを極紫外
   線で所定の光学系を介して露光転写して像を得る工程
   と、上記像と上記ブランクスに形成したパターンもしく
   はそのデータを比較する工程とを含むことを特徴とする
   ブランクスの検査方法。
3. 【請求項３】基板に極紫外線が反射可能な多層膜が形成
   されたブランクスに、剥離可能なパターンを形成する工
   程と、上記パターンを有する多層膜ブランクスを極紫外
   線で所定の光学系を介して露光転写して像を得る工程
   と、上記像の検査をする工程と、上記像の検査結果に応
   じて適用する反射型マスクを判断する工程を含むことを
   特徴とするブランクスの検査方法。
4. 【請求項４】基板に極紫外線が反射可能な多層膜が形成
   されたブランクスに、剥離可能なパターンを形成する装
   置と、上記パターンを有する多層膜ブランクスを極紫外
   線で所定の光学系を介して露光転写して像を得る装置
   と、上記像を検査する装置と、上記検査の結果を記憶す
   る装置を含むことを特徴とするブランクスの検査装置。
5. 【請求項５】請求項３記載のブランクスの検査方法を用
   いて作製されたことを特徴とする反射型マスク。
6. 【請求項６】請求項５記載の反射型マスクを用いてウェ
   ハにパターンを露光し、転写する工程を有することを特
   徴とするデバイスの製造方法。
7. 【請求項７】請求項６記載の製造方法によって製造され
   たことを特徴とするデバイス。