JPH11347845A - 放電加工用パルス電圧発生方法及び回路 - Google Patents
放電加工用パルス電圧発生方法及び回路Info
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- JPH11347845A JPH11347845A JP10176542A JP17654298A JPH11347845A JP H11347845 A JPH11347845 A JP H11347845A JP 10176542 A JP10176542 A JP 10176542A JP 17654298 A JP17654298 A JP 17654298A JP H11347845 A JPH11347845 A JP H11347845A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
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- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23H—WORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
- B23H1/00—Electrical discharge machining, i.e. removing metal with a series of rapidly recurring electrical discharges between an electrode and a workpiece in the presence of a fluid dielectric
- B23H1/02—Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply, control, preventing short circuits or other abnormal discharges
- B23H1/022—Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply, control, preventing short circuits or other abnormal discharges for shaping the discharge pulse train
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 駆動回路の実装面積を増加させることなく高
い周波数の放電加工用の両極性パルス電圧を低コストで
発生させること。 【解決手段】 ブリッジ回路80の対向する辺のスイッ
チング回路81と84、82と83を組とし、各組のス
イッチング回路を交互に導通、非導通として両極性パル
ス電圧PVを放電加工用パルス電圧として得る場合、ブ
リッジ回路80の各辺のスイッチング回路81〜84
を、それぞれ、複数のスイッチングトランジスタ81
A、81B、82A、82B、83A、83B、84
A、84Bを並列接続して構成し、各辺において、複数
のスイッチングトランジスタ81A、81B、82A、
82B、83A、83B、84A、84Bを、当該辺の
属する組に与えられた導通タイミングがくる毎に1つづ
つサイクリックに順次オンさせるようにした。
い周波数の放電加工用の両極性パルス電圧を低コストで
発生させること。 【解決手段】 ブリッジ回路80の対向する辺のスイッ
チング回路81と84、82と83を組とし、各組のス
イッチング回路を交互に導通、非導通として両極性パル
ス電圧PVを放電加工用パルス電圧として得る場合、ブ
リッジ回路80の各辺のスイッチング回路81〜84
を、それぞれ、複数のスイッチングトランジスタ81
A、81B、82A、82B、83A、83B、84
A、84Bを並列接続して構成し、各辺において、複数
のスイッチングトランジスタ81A、81B、82A、
82B、83A、83B、84A、84Bを、当該辺の
属する組に与えられた導通タイミングがくる毎に1つづ
つサイクリックに順次オンさせるようにした。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、放電加工用パルス
電圧発生方法及び回路に関するものである。
電圧発生方法及び回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】小さな面粗度の放電加工仕上げ面を得る
ことができる放電加工方法として、例えば、特開平3−
49824号公報に開示されているように、交流高周波
電圧による加工が公知である。この方法によると、1発
の放電毎に放電加工間隙に印加される加工用電圧の極性
が交代することにより放電点が分散し良質の加工面が得
られる。このように、放電加工間隙に印加する加工用電
圧の極性を交互に切り換えて被加工物を放電加工する場
合、両極性パルス電圧を発生させる必要がある。
ことができる放電加工方法として、例えば、特開平3−
49824号公報に開示されているように、交流高周波
電圧による加工が公知である。この方法によると、1発
の放電毎に放電加工間隙に印加される加工用電圧の極性
が交代することにより放電点が分散し良質の加工面が得
られる。このように、放電加工間隙に印加する加工用電
圧の極性を交互に切り換えて被加工物を放電加工する場
合、両極性パルス電圧を発生させる必要がある。
【0003】図3には、両極性の放電加工用パルスを発
生させることができる従来の放電加工用パルス発生回路
が示されている。図3に示した放電加工用パルス発生回
路1において、2は直流電圧Eを出力する直流電源、3
はスイッチングトランジスタ31〜34及び抵抗器35
〜38が各辺に設けられて図示の如く接続されて成るブ
リッジ回路である。ブリッジ回路3では、スイッチング
トランジスタ31、32の接続点3Aとスイッチングト
ランジスタ33、34の接続点3Bとが入力部となって
おり、抵抗器35、37の接続点3Cと抵抗器36、3
8の接続点3Dとが出力部となっている。入力部には直
流電源2からの直流電圧Eが印加されている。
生させることができる従来の放電加工用パルス発生回路
が示されている。図3に示した放電加工用パルス発生回
路1において、2は直流電圧Eを出力する直流電源、3
はスイッチングトランジスタ31〜34及び抵抗器35
〜38が各辺に設けられて図示の如く接続されて成るブ
リッジ回路である。ブリッジ回路3では、スイッチング
トランジスタ31、32の接続点3Aとスイッチングト
ランジスタ33、34の接続点3Bとが入力部となって
おり、抵抗器35、37の接続点3Cと抵抗器36、3
8の接続点3Dとが出力部となっている。入力部には直
流電源2からの直流電圧Eが印加されている。
【0004】符号4で示されるのは、ブリッジ回路3の
各辺に設けられているスイッチングトランジスタ31〜
34をオン、オフ制御するための制御回路であり、パル
ス発生器41とインバータ42とから成っている。パル
ス発生器41からのパルス信号はそのまま制御パルス信
号PAとして出力され、インバータ42からは、制御パ
ルス信号PAをレベル反転させた反転制御パルス信号P
Bが出力される構成である。
各辺に設けられているスイッチングトランジスタ31〜
34をオン、オフ制御するための制御回路であり、パル
ス発生器41とインバータ42とから成っている。パル
ス発生器41からのパルス信号はそのまま制御パルス信
号PAとして出力され、インバータ42からは、制御パ
ルス信号PAをレベル反転させた反転制御パルス信号P
Bが出力される構成である。
【0005】制御パルス信号PAは、ブリッジ回路3の
スイッチングトランジスタ31、34の各ゲートにオ
ン、オフ制御のためのゲート制御信号として印加され、
反転制御パルス信号PBはブリッジ回路3のスイッチン
グトランジスタ32、33の各ゲートにオン、オフ制御
のためのゲート制御信号として印加されている。したが
って、スイッチングトランジスタ31はスイッチングト
ランジスタ34と同時にオン、オフ動作し、一方、スイ
ッチングトランジスタ32はスイッチングトランジスタ
33と同時にオン、オフ動作する。したがって、スイッ
チングトランジスタ31、34のオン動作とスイッチン
グトランジスタ32、33のオン動作とが交互に行わ
れ、この結果、ブリッジ回路3の出力端子TA−TB間
からは、制御パルス信号PAと同一の周期で極性が反転
する両極性パルス電圧VPが出力される。
スイッチングトランジスタ31、34の各ゲートにオ
ン、オフ制御のためのゲート制御信号として印加され、
反転制御パルス信号PBはブリッジ回路3のスイッチン
グトランジスタ32、33の各ゲートにオン、オフ制御
のためのゲート制御信号として印加されている。したが
って、スイッチングトランジスタ31はスイッチングト
ランジスタ34と同時にオン、オフ動作し、一方、スイ
ッチングトランジスタ32はスイッチングトランジスタ
33と同時にオン、オフ動作する。したがって、スイッ
チングトランジスタ31、34のオン動作とスイッチン
グトランジスタ32、33のオン動作とが交互に行わ
れ、この結果、ブリッジ回路3の出力端子TA−TB間
からは、制御パルス信号PAと同一の周期で極性が反転
する両極性パルス電圧VPが出力される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、両極性パル
ス電圧を用いて放電加工を行う場合、両極性パルス電圧
の周波数が高い程、面粗度の小さな放電加工面を得るの
に有利である。したがって、図3に示したスイッチング
トランジスタとしては通常、動作速度の速いMOSFE
Tを使用する場合がほとんどであるが、数MHz以上の
周波数で動作させようとした場合、出力端子TA、TB
から放電加工間隙までの間の回路上の浮遊キャパシタン
スや分布インダクタンスの影響を考えると最低でも50
W以上のMOSFETを選定する必要がある。さらに、
放電が開始される適正な電圧(50〜100V)を放電
加工間隙へ与える必要があるので、定格電圧は200V
以上が望ましい。これらのことから、入力容量が700
〜1500pF程度のMOSFETを使用することにな
る。
ス電圧を用いて放電加工を行う場合、両極性パルス電圧
の周波数が高い程、面粗度の小さな放電加工面を得るの
に有利である。したがって、図3に示したスイッチング
トランジスタとしては通常、動作速度の速いMOSFE
Tを使用する場合がほとんどであるが、数MHz以上の
周波数で動作させようとした場合、出力端子TA、TB
から放電加工間隙までの間の回路上の浮遊キャパシタン
スや分布インダクタンスの影響を考えると最低でも50
W以上のMOSFETを選定する必要がある。さらに、
放電が開始される適正な電圧(50〜100V)を放電
加工間隙へ与える必要があるので、定格電圧は200V
以上が望ましい。これらのことから、入力容量が700
〜1500pF程度のMOSFETを使用することにな
る。
【0007】ここで、入力容量CinとMOSFETを
駆動することによって発生する駆動損失Pdとの間の関
係は、MOSFETのゲート・ソース間電圧をVGS、
両極性パルス電圧の周波数をfとすると、以下の関係と
なっている。 Pd=Cin・f・VGS2 したがって、例えばCin=700(pF)、VGS=
20(V)、f=5(MHz)、で動作させたい場合に
は、1.4Wの駆動損失になるが、DIPパッケージな
どを用いた駆動回路の場合、基板上に1W以上の定格で
構成することは困難であるので、冷却機構を持つ駆動回
路とする必要がある。しかし、冷却フィンなどの冷却機
構を設けると駆動回路の占める面積は広くなり、駆動回
路とMOSFETの距離が遠くなるという問題がある。
駆動回路とMOSFET間のパターンが長いとインダク
タンスが大きくなりMOSFETの入力容量(Cin)
との間で直列共振が発生する場合もある。さらに冷却装
置の価格と駆動回路の価格に反映し高価な装置となって
しまう。
駆動することによって発生する駆動損失Pdとの間の関
係は、MOSFETのゲート・ソース間電圧をVGS、
両極性パルス電圧の周波数をfとすると、以下の関係と
なっている。 Pd=Cin・f・VGS2 したがって、例えばCin=700(pF)、VGS=
20(V)、f=5(MHz)、で動作させたい場合に
は、1.4Wの駆動損失になるが、DIPパッケージな
どを用いた駆動回路の場合、基板上に1W以上の定格で
構成することは困難であるので、冷却機構を持つ駆動回
路とする必要がある。しかし、冷却フィンなどの冷却機
構を設けると駆動回路の占める面積は広くなり、駆動回
路とMOSFETの距離が遠くなるという問題がある。
駆動回路とMOSFET間のパターンが長いとインダク
タンスが大きくなりMOSFETの入力容量(Cin)
との間で直列共振が発生する場合もある。さらに冷却装
置の価格と駆動回路の価格に反映し高価な装置となって
しまう。
【0008】本発明の目的は、駆動回路の実装面積を増
加させることなく高い周波数の放電加工用の両極性パル
ス電圧を低コストで発生させることができる、放電加工
用パルス電圧発生方法及び回路を提供することにある。
加させることなく高い周波数の放電加工用の両極性パル
ス電圧を低コストで発生させることができる、放電加工
用パルス電圧発生方法及び回路を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明によれ
ば、各辺にスイッチング手段が設けられたブリッジ回路
の入力に直流電圧を与え、該ブリッジ回路の対向する辺
のスイッチング手段同志を組とし、各組のスイッチング
回路を交互に導通、非導通とすることにより前記ブリッ
ジ回路から両極性パルス電圧を放電加工用パルス電圧と
して得るようにした方法において、前記ブリッジ回路の
各辺のスイッチング手段を、それぞれ、複数の半導体ス
イッチング素子を並列接続して構成し、各辺において、
前記複数の半導体スイッチング素子を、当該辺の属する
組に与えられた導通タイミングがくる毎に1つづつサイ
クリックに順次オンさせる構成が提案される。
ば、各辺にスイッチング手段が設けられたブリッジ回路
の入力に直流電圧を与え、該ブリッジ回路の対向する辺
のスイッチング手段同志を組とし、各組のスイッチング
回路を交互に導通、非導通とすることにより前記ブリッ
ジ回路から両極性パルス電圧を放電加工用パルス電圧と
して得るようにした方法において、前記ブリッジ回路の
各辺のスイッチング手段を、それぞれ、複数の半導体ス
イッチング素子を並列接続して構成し、各辺において、
前記複数の半導体スイッチング素子を、当該辺の属する
組に与えられた導通タイミングがくる毎に1つづつサイ
クリックに順次オンさせる構成が提案される。
【0010】ブリッジ回路のある1辺に設けられたスイ
ッチング手段を構成する複数の半導体スイッチング素子
は、この辺の属する組に与えられた導通タイミングにお
いていずれか1つの半導体スイッチング素子がオンとさ
れる。この辺の属する組に与えられた次の導通タイミン
グにおいては、別の半導体スイッチング素子がオンとさ
れる。このようにして、複数の半導体スイッチング素子
は、この辺の属する組に対して定められる導通タイミン
グがくる毎に1つづつサイクリックに順次オンされる。
ッチング手段を構成する複数の半導体スイッチング素子
は、この辺の属する組に与えられた導通タイミングにお
いていずれか1つの半導体スイッチング素子がオンとさ
れる。この辺の属する組に与えられた次の導通タイミン
グにおいては、別の半導体スイッチング素子がオンとさ
れる。このようにして、複数の半導体スイッチング素子
は、この辺の属する組に対して定められる導通タイミン
グがくる毎に1つづつサイクリックに順次オンされる。
【0011】したがって、n個の半導体スイッチング素
子を用いてスイッチング手段を構成すると、各半導体ス
イッチング素子のオン、オフ周期は、所要の両極性パル
ス電圧を出力するのに必要な、各組のスイッチング回路
の導通、非導通周期Tの1/nでよいことになる。
子を用いてスイッチング手段を構成すると、各半導体ス
イッチング素子のオン、オフ周期は、所要の両極性パル
ス電圧を出力するのに必要な、各組のスイッチング回路
の導通、非導通周期Tの1/nでよいことになる。
【0012】このことは、n個の半導体スイッチング素
子を採用した場合、各半導体スイッチング素子における
損失が1/nとなることを意味し、したがって、スイッ
チング手段を単一の半導体スイッチング素子で構成した
場合に比べてブリッジ回路から出力させる両極性パルス
電圧の周波数をn倍にまで高めることができる。
子を採用した場合、各半導体スイッチング素子における
損失が1/nとなることを意味し、したがって、スイッ
チング手段を単一の半導体スイッチング素子で構成した
場合に比べてブリッジ回路から出力させる両極性パルス
電圧の周波数をn倍にまで高めることができる。
【0013】請求項2の発明によれば、各辺にスイッチ
ング回路が設けられたブリッジ回路と、該ブリッジ回路
の対向する辺のスイッチング回路が同時にオン、オフさ
れ且つ対向しない辺のスイッチング回路が交互にオン、
オフされるよう前記スイッチング回路をオン、オフ制御
するための制御回路とを有し、前記ブリッジ回路の入力
に与えられた直流電圧を前記ブリッジ回路の出力から両
極性パルス電圧として取り出すようにした放電加工用パ
ルス電圧発生回路において、各辺のスイッチング回路
が、それぞれ、複数の半導体スイッチング素子を並列接
続して構成されており、前記制御回路が、各辺の複数の
半導体スイッチング素子を、当該辺の導通タイミングが
くる毎に1つづつサイクリックに順次オンさせるように
構成された回路が提案される。
ング回路が設けられたブリッジ回路と、該ブリッジ回路
の対向する辺のスイッチング回路が同時にオン、オフさ
れ且つ対向しない辺のスイッチング回路が交互にオン、
オフされるよう前記スイッチング回路をオン、オフ制御
するための制御回路とを有し、前記ブリッジ回路の入力
に与えられた直流電圧を前記ブリッジ回路の出力から両
極性パルス電圧として取り出すようにした放電加工用パ
ルス電圧発生回路において、各辺のスイッチング回路
が、それぞれ、複数の半導体スイッチング素子を並列接
続して構成されており、前記制御回路が、各辺の複数の
半導体スイッチング素子を、当該辺の導通タイミングが
くる毎に1つづつサイクリックに順次オンさせるように
構成された回路が提案される。
【0014】ブリッジ回路の各辺にそれぞれ設けられた
複数の並列接続された半導体スイッチング素子は、その
辺のスイッチング回路としての導通タイミングがくる毎
に、1つづつ順次にオンされる。したがって、並列接続
された半導体スイッチング素子がn個あれば、各半導体
スイッチング素子はスイッチング回路としてのn回の導
通タイミングにつき1回だけオン動作すればよいことに
なる。
複数の並列接続された半導体スイッチング素子は、その
辺のスイッチング回路としての導通タイミングがくる毎
に、1つづつ順次にオンされる。したがって、並列接続
された半導体スイッチング素子がn個あれば、各半導体
スイッチング素子はスイッチング回路としてのn回の導
通タイミングにつき1回だけオン動作すればよいことに
なる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態の一例につき詳細に説明する。
施の形態の一例につき詳細に説明する。
【0016】図1は、本発明による放電加工用パルス電
圧発生回路を備えた放電加工用電源装置の実施の形態の
一例を示す回路図である。本実施の形態では、放電加工
用電源装置50は、ワイヤカット放電加工機60の被加
工物61とワイヤ電極62との間に形成される放電加工
間隙Gに加工用電圧Vを印加するための装置として構成
されている。
圧発生回路を備えた放電加工用電源装置の実施の形態の
一例を示す回路図である。本実施の形態では、放電加工
用電源装置50は、ワイヤカット放電加工機60の被加
工物61とワイヤ電極62との間に形成される放電加工
間隙Gに加工用電圧Vを印加するための装置として構成
されている。
【0017】放電加工用電源装置50の構成について説
明すると、70は直流電圧Eを出力する直流電源、Cは
出力コンデンサ、80はスイッチング回路81〜84及
び制限抵抗器85、86が各辺に図示の如く設けられて
接続されて成るブリッジ回路である。スイッチング回路
81〜84は、それぞれ、複数のスイッチングトランジ
スタが並列接続されて構成されており、図示の実施の形
態では、スイッチング回路81〜84は、それぞれ、2
つのスイッチングトランジスタ81A、81B、82
A、82B、83A、83B、84A、84Bが並列に
接続された構成となっている。
明すると、70は直流電圧Eを出力する直流電源、Cは
出力コンデンサ、80はスイッチング回路81〜84及
び制限抵抗器85、86が各辺に図示の如く設けられて
接続されて成るブリッジ回路である。スイッチング回路
81〜84は、それぞれ、複数のスイッチングトランジ
スタが並列接続されて構成されており、図示の実施の形
態では、スイッチング回路81〜84は、それぞれ、2
つのスイッチングトランジスタ81A、81B、82
A、82B、83A、83B、84A、84Bが並列に
接続された構成となっている。
【0018】ブリッジ回路80では、スイッチング回路
81、82の接続点80A及びスイッチング回路83、
84の接続点80Bが入力部となっており、抵抗器85
とスイッチング回路83との接続点80C、及び抵抗器
86とスイッチング回路82との接続点80Dが出力部
となっている。入力部には直流電源70からの直流電圧
Eが印加され、出力部から両極性パルス電圧PVが後述
の如くして得られる構成である。
81、82の接続点80A及びスイッチング回路83、
84の接続点80Bが入力部となっており、抵抗器85
とスイッチング回路83との接続点80C、及び抵抗器
86とスイッチング回路82との接続点80Dが出力部
となっている。入力部には直流電源70からの直流電圧
Eが印加され、出力部から両極性パルス電圧PVが後述
の如くして得られる構成である。
【0019】符号90で示されるのは、ブリッジ回路8
0の各辺に設けられているスイッチングトランジスタ8
1A、81B、82A、82B、83A、83B、84
A、84Bをオン、オフ制御するための制御回路であ
る。制御回路90は、5MHzの基本パルス信号P0を
出力する基本パルス発生器91と、基本パルス信号P0
を分周して2.5MHzの分周パルス信号P1を出力す
る分周器92とを備えている。基本パルス信号P0及び
分周パルス信号P1はロジック回路93に入力され、こ
こで、図2に示されるように位相が互いに異なり周波数
は2.5MHzの第1〜第4制御パルス信号A1、A
2、B1、B2が出力される。
0の各辺に設けられているスイッチングトランジスタ8
1A、81B、82A、82B、83A、83B、84
A、84Bをオン、オフ制御するための制御回路であ
る。制御回路90は、5MHzの基本パルス信号P0を
出力する基本パルス発生器91と、基本パルス信号P0
を分周して2.5MHzの分周パルス信号P1を出力す
る分周器92とを備えている。基本パルス信号P0及び
分周パルス信号P1はロジック回路93に入力され、こ
こで、図2に示されるように位相が互いに異なり周波数
は2.5MHzの第1〜第4制御パルス信号A1、A
2、B1、B2が出力される。
【0020】図2を参照すると、第1制御パルス信号A
1は分周パルス信号P1の各立上りタイミングから所定
時間tだけ高レベルとなる信号である。第2制御パルス
信号A2は分周パルス信号P1の各立下りタイミングか
ら所定時間tだけ高レベルとなる信号である。第3制御
パルス信号B1は分周パルス信号P1が高レベル時にお
ける基本パルス信号P0の各立下りタイミングから所定
時間tだけ高レベルとなる信号である。第4制御パルス
信号B2は分周パルス信号P1が低レベル時における基
本パルス信号P0の各立下りタイミングから所定時間t
だけ高レベルとなる信号である。
1は分周パルス信号P1の各立上りタイミングから所定
時間tだけ高レベルとなる信号である。第2制御パルス
信号A2は分周パルス信号P1の各立下りタイミングか
ら所定時間tだけ高レベルとなる信号である。第3制御
パルス信号B1は分周パルス信号P1が高レベル時にお
ける基本パルス信号P0の各立下りタイミングから所定
時間tだけ高レベルとなる信号である。第4制御パルス
信号B2は分周パルス信号P1が低レベル時における基
本パルス信号P0の各立下りタイミングから所定時間t
だけ高レベルとなる信号である。
【0021】第1〜第4制御パルス信号A1、A2、B
1、B2は、ブリッジ回路80のスイッチングトランジ
スタ81A、81B、82A、82B、83A、83
B、84A、84Bの各ゲートに図1に示されるように
印加されている。
1、B2は、ブリッジ回路80のスイッチングトランジ
スタ81A、81B、82A、82B、83A、83
B、84A、84Bの各ゲートに図1に示されるように
印加されている。
【0022】したがって、ブリッジ回路80の対向する
辺に設けられている1組のスイッチング回路81、84
は、第1制御パルス信号A1又は第2制御パルス信号A
2のいずれかが高レベルにある場合閉状態となる。ブリ
ッジ回路80の対向する辺に設けられている別の1組の
スイッチング回路82、83は、第3制御パルス信号B
1又は第4制御パルス信号B2のいずれかが高レベルに
ある場合閉状態となる。したがって、ブリッジ回路80
からは、図3に示した回路の場合と同様の原理に基づ
き、基本パルス信号P0と同一周期の、すなわち5MH
zの周波数の両極性パルス電圧PVが得られる。
辺に設けられている1組のスイッチング回路81、84
は、第1制御パルス信号A1又は第2制御パルス信号A
2のいずれかが高レベルにある場合閉状態となる。ブリ
ッジ回路80の対向する辺に設けられている別の1組の
スイッチング回路82、83は、第3制御パルス信号B
1又は第4制御パルス信号B2のいずれかが高レベルに
ある場合閉状態となる。したがって、ブリッジ回路80
からは、図3に示した回路の場合と同様の原理に基づ
き、基本パルス信号P0と同一周期の、すなわち5MH
zの周波数の両極性パルス電圧PVが得られる。
【0023】しかし、図1の場合には、スイッチング回
路81〜84のそれぞれは、2つのスイッチングトラン
ジスタを並列に接続し、これらのスイッチングトランジ
スタを2.5MHzのパルス信号で180度位相をずら
せてオン、オフ駆動している。この結果、各スイッチン
グ回路において、そのスイッチング回路が導通状態とな
るべきタイミングがくる毎にこのスイッチング回路を構
成するスイッチングトランジスタが1つづつサイクリッ
クに順次オンすることになる。本実施の形態では、各ス
イッチング回路が2つのスイッチングトランジスタを並
列接続して構成されているので、これら2つのスイッチ
ングトランジスタが交互にオン動作することになる。
路81〜84のそれぞれは、2つのスイッチングトラン
ジスタを並列に接続し、これらのスイッチングトランジ
スタを2.5MHzのパルス信号で180度位相をずら
せてオン、オフ駆動している。この結果、各スイッチン
グ回路において、そのスイッチング回路が導通状態とな
るべきタイミングがくる毎にこのスイッチング回路を構
成するスイッチングトランジスタが1つづつサイクリッ
クに順次オンすることになる。本実施の形態では、各ス
イッチング回路が2つのスイッチングトランジスタを並
列接続して構成されているので、これら2つのスイッチ
ングトランジスタが交互にオン動作することになる。
【0024】このように、スイッチング回路を構成する
各スイッチングトランジスタにおける電力損失は、スイ
ッチング回路を単一のスイッチングトランジスタで構成
した場合に比べ1/2となるので、スイッチングトラン
ジスタ81A、81B、82A、82B、83A、83
B、84A、84Bとして従来と同一性能のスイッチン
グトランジスタを用いた場合、両極性パルス電圧PVの
周波数を2倍にまで高めることができる。逆に、両極性
パルス電圧PVの周波数を従来のままとするならば、よ
り安価なスイッチングトランジスタを使用することがで
きるので、コストの低減を図ることができる。このた
め、スイッチングトランジスタと駆動回路との発熱を抑
えて高い周波数の両極性パルス電圧を出力することがで
きるようになり、冷却機構を省いた小型の基板で加工面
粗さの向上が可能となるので、高性能化と低コスト化と
を図ることができる。また、冷却機構は最終のスイッチ
ングトランジスタのみに設ければよいので、基板構造設
計の自由度が高まるという利点も有している。
各スイッチングトランジスタにおける電力損失は、スイ
ッチング回路を単一のスイッチングトランジスタで構成
した場合に比べ1/2となるので、スイッチングトラン
ジスタ81A、81B、82A、82B、83A、83
B、84A、84Bとして従来と同一性能のスイッチン
グトランジスタを用いた場合、両極性パルス電圧PVの
周波数を2倍にまで高めることができる。逆に、両極性
パルス電圧PVの周波数を従来のままとするならば、よ
り安価なスイッチングトランジスタを使用することがで
きるので、コストの低減を図ることができる。このた
め、スイッチングトランジスタと駆動回路との発熱を抑
えて高い周波数の両極性パルス電圧を出力することがで
きるようになり、冷却機構を省いた小型の基板で加工面
粗さの向上が可能となるので、高性能化と低コスト化と
を図ることができる。また、冷却機構は最終のスイッチ
ングトランジスタのみに設ければよいので、基板構造設
計の自由度が高まるという利点も有している。
【0025】
【発明の効果】本発明によれば、上述の如く、ブリッジ
回路のある1辺に設けられたスイッチング手段を構成す
る複数の半導体スイッチング素子が、この辺の属する組
に対して定められている一連の導通タイミングにおいて
1つづつサイクリックに順次オンされるようにしたの
で、各半導体スイッチング素子のオン、オフ周波数を高
くすることなく、ブリッジ回路から高い周波数の両極性
パルス電圧を出力することができる。この結果、半導体
スイッチング素子の発熱を抑えて高い周波数の両極性パ
ルス電圧を出力することができるようになり、冷却機構
を省いた小型の基板で加工面粗さの向上が可能となるた
め、高性能化と低コスト化とを図ることができる。ま
た、冷却機構は最終の半導体スイッチング素子のみに設
ければよいので、基板構造設計の自由度が高まるという
利点も有している。
回路のある1辺に設けられたスイッチング手段を構成す
る複数の半導体スイッチング素子が、この辺の属する組
に対して定められている一連の導通タイミングにおいて
1つづつサイクリックに順次オンされるようにしたの
で、各半導体スイッチング素子のオン、オフ周波数を高
くすることなく、ブリッジ回路から高い周波数の両極性
パルス電圧を出力することができる。この結果、半導体
スイッチング素子の発熱を抑えて高い周波数の両極性パ
ルス電圧を出力することができるようになり、冷却機構
を省いた小型の基板で加工面粗さの向上が可能となるた
め、高性能化と低コスト化とを図ることができる。ま
た、冷却機構は最終の半導体スイッチング素子のみに設
ければよいので、基板構造設計の自由度が高まるという
利点も有している。
【図1】本発明の実施の形態の一例を示す回路図。
【図2】図1に示した放電加工用電源装置の制御回路の
動作を説明するための信号波形図。
動作を説明するための信号波形図。
【図3】従来の放電加工用パルス発生回路の一例を示す
回路図。
回路図。
50 放電加工用電源装置 60 ワイヤカット放電加工機 61 被加工物 62 ワイヤ電極 70 直流電源 80 ブリッジ回路 80A、80B、80C、80D 接続点 81〜84 スイッチング回路 81A、81B、82A、82B、83A、83B、8
4A、84B スイッチングトランジスタ 85、86 制限抵抗器 90 制御回路 91 基本パルス発生器 92 分周器 93 ロジック回路 A1、A2、B1、B2 第1〜第4制御パルス信号 C 出力コンデンサ E 直流電圧 G 放電加工間隙 PV 両極性パルス電圧 P0 基本パルス信号 P1 分周パルス信号 V 加工用電圧
4A、84B スイッチングトランジスタ 85、86 制限抵抗器 90 制御回路 91 基本パルス発生器 92 分周器 93 ロジック回路 A1、A2、B1、B2 第1〜第4制御パルス信号 C 出力コンデンサ E 直流電圧 G 放電加工間隙 PV 両極性パルス電圧 P0 基本パルス信号 P1 分周パルス信号 V 加工用電圧
Claims (2)
- 【請求項1】 各辺にスイッチング手段が設けられたブ
リッジ回路の入力に直流電圧を与え、該ブリッジ回路の
対向する辺のスイッチング手段同志を組とし、各組のス
イッチング回路を交互に導通、非導通とすることにより
前記ブリッジ回路から両極性パルス電圧を放電加工用パ
ルス電圧として得るようにした方法において、 前記ブリッジ回路の各辺のスイッチング手段を、それぞ
れ、複数の半導体スイッチング素子を並列接続して構成
し、各辺において、前記複数の半導体スイッチング素子
を、当該辺の属する組に与えられた導通タイミングがく
る毎に1つづつサイクリックに順次オンさせるようにし
たことを特徴とする放電加工用パルス電圧発生方法。 - 【請求項2】 各辺にスイッチング回路が設けられたブ
リッジ回路と、該ブリッジ回路の対向する辺のスイッチ
ング回路が同時にオン、オフされ且つ対向しない辺のス
イッチング回路が交互にオン、オフされるよう前記スイ
ッチング回路をオン、オフ制御するための制御回路とを
有し、前記ブリッジ回路の入力に与えられた直流電圧を
前記ブリッジ回路の出力から両極性パルス電圧として取
り出すようにした放電加工用パルス電圧発生回路におい
て、 各辺のスイッチング回路が、それぞれ、複数の半導体ス
イッチング素子を並列接続して構成されており、 前記制御回路が、各辺の複数の半導体スイッチング素子
を、当該辺の導通タイミングがくる毎に1つづつサイク
リックに順次オンさせるように構成されていることを特
徴とする放電加工用パルス電圧発生回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10176542A JPH11347845A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 放電加工用パルス電圧発生方法及び回路 |
US09/325,739 US6211481B1 (en) | 1998-06-10 | 1999-06-04 | Power supply device for electric discharge machining apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10176542A JPH11347845A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 放電加工用パルス電圧発生方法及び回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11347845A true JPH11347845A (ja) | 1999-12-21 |
Family
ID=16015420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10176542A Pending JPH11347845A (ja) | 1998-06-10 | 1998-06-10 | 放電加工用パルス電圧発生方法及び回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6211481B1 (ja) |
JP (1) | JPH11347845A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006321007A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 放電加工機用電源装置及びワイヤ放電加工装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6756557B1 (en) * | 2000-10-20 | 2004-06-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Power supply for wire electric discharge machining |
US6525287B2 (en) * | 2001-04-27 | 2003-02-25 | Tai-I Electron Machining Co. Ltd. | Power supply for electro-erosion machine |
CN100439023C (zh) * | 2004-04-19 | 2008-12-03 | 三菱电机株式会社 | 放电加工机的电源装置以及电源控制方法 |
US7528340B2 (en) * | 2006-07-24 | 2009-05-05 | Sodick Co., Ltd. | Apparatus and method for electric discharge machining and method of discriminating electric discharge |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS614620A (ja) | 1984-06-20 | 1986-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | 放電加工用電源装置 |
US5149931A (en) | 1989-04-11 | 1992-09-22 | Mitsubishi Denki K.K. | Power source for electric discharge machining |
US5317122A (en) * | 1992-01-28 | 1994-05-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Discharge-processing electric power-source assembly |
US5416290A (en) * | 1992-10-08 | 1995-05-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Electric discharge machine power supply circuit |
FR2711258A1 (fr) * | 1993-10-13 | 1995-04-21 | Philips Composants | Circuit générateur de tension stabilisée du type bandgap. |
DE4432916C1 (de) | 1994-09-15 | 1996-04-04 | Agie Ag Ind Elektronik | Verfahren und Impulsgenerator zum elektroerosiven Bearbeiten von Werkstücken |
JP3645957B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2005-05-11 | 株式会社ソディック | 放電加工方法及び装置 |
-
1998
- 1998-06-10 JP JP10176542A patent/JPH11347845A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-04 US US09/325,739 patent/US6211481B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006321007A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | 放電加工機用電源装置及びワイヤ放電加工装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6211481B1 (en) | 2001-04-03 |
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