JPH11346482A - Electrostatic actuator - Google Patents
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- JPH11346482A JPH11346482A JP15085198A JP15085198A JPH11346482A JP H11346482 A JPH11346482 A JP H11346482A JP 15085198 A JP15085198 A JP 15085198A JP 15085198 A JP15085198 A JP 15085198A JP H11346482 A JPH11346482 A JP H11346482A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は高精度に位置決め制
御が行える静電駆動方式のアクチュエータの構造に係
り、特に光デバイスや磁気ディスク装置のスライダの高
精度位置合わせが可能な静電アクチュエータとその製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of an electrostatic drive type actuator capable of performing high-accuracy positioning control, and more particularly to an electrostatic actuator capable of high-accuracy positioning of a slider of an optical device or a magnetic disk drive, and an actuator therefor. It relates to a manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体製造プロセスを利用したマ
イクロマシニング技術の発展により、微小機械の研究・
開発が活発に行われている。特にマイクロアクチュエー
タに関しては静電、圧電、バイメタル、形状記憶合金な
ど数多くの方式が存在するが、静電駆動方式のアクチュ
エータとしては、例えば、Ｔransducers‘89 B11．3
（1989） 138頁から140頁に記載されている例および特
開平6―86570号公報に記載されている例がある。前者の
方式はシリコン基板の平面上に櫛歯構造のリニアマイク
ロアクチュエータをポリシリコンの薄膜を用いて形成し
たものである。この方式では静電気力を利用して櫛歯を
駆動させる。一方、後者の方式では単結晶シリコンに櫛
歯を形成したものと表面に金属膜が形成されたガラス基
板とを陽極接合したものをシリコン平行板ばねの上に接
合し、最後にダイシングにより、可動部分を形成してい
る。前記絶縁物のガラス基板には電極が多数配線されて
いる。この方式も前者と同様に静電気力を利用して櫛歯
を駆動させるリニアマイクロアクチュエータである。2. Description of the Related Art In recent years, with the development of micromachining technology utilizing a semiconductor manufacturing process, research and development of micromachines has been promoted.
Active development is taking place. In particular, there are many types of microactuators such as electrostatic, piezoelectric, bimetal, and shape memory alloys. As an actuator of an electrostatic drive type, for example, Transducers '89 B11.3
(1989) There is an example described on pages 138 to 140 and an example described in JP-A-6-86570. In the former method, a comb-shaped linear microactuator is formed on a plane of a silicon substrate by using a polysilicon thin film. In this method, the comb teeth are driven using electrostatic force. On the other hand, in the latter method, a single crystal silicon with comb teeth formed and an anodically bonded glass substrate with a metal film formed on the surface are bonded on a silicon parallel leaf spring, and finally movable by dicing. Forming part. Many electrodes are wired on the insulating glass substrate. This system is also a linear microactuator that drives the comb teeth using electrostatic force as in the former case.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では前者の
場合、櫛歯の材料にポリシリコンの薄膜を用いているた
め、単結晶シリコンと比較して内部応力が大きく、信頼
性が低い。また、内部応力が大きいことに起因して、梁
の寸法を大きくすると梁の自重で撓んでしまうため、梁
の寸法を大きくできない。さらに薄膜を用いているため
静電容量を大きくすることができず、大きな駆動力が得
られない課題があった。そのため、後者の技術では材料
に単結晶シリコンとガラス基板とを適用して大きな変位
と大きな駆動力を得るための提案がなされているが、こ
の方式では櫛歯加工を施したシリコンと薄膜電極を形成
したガラス基板とを陽極接合を用いて接合し、その後、
ギャップに樹脂を充填した後、ダイシングで切断・研磨
加工を行ったものと、それとは別に形成したシリコン平
行板ばねをあとで組み立てる方法が用いられている。そ
のため、加工工程が大変複雑である課題があった。ま
た、絶縁物のガラス基板には複数、配線されている。According to the prior art, in the former case, since a thin film of polysilicon is used for the material of the comb teeth, the internal stress is large and the reliability is low as compared with single crystal silicon. In addition, if the size of the beam is increased due to a large internal stress, the beam is bent by its own weight, so that the size of the beam cannot be increased. Further, since a thin film is used, the capacitance cannot be increased, and there is a problem that a large driving force cannot be obtained. Therefore, in the latter technology, a proposal has been made to obtain a large displacement and a large driving force by applying a single crystal silicon and a glass substrate to the material, but in this method, the comb-processed silicon and the thin film electrode are used. Bond the formed glass substrate using anodic bonding,
A method in which a resin is filled in the gap and then cut and polished by dicing, and a method in which a silicon parallel leaf spring separately formed is assembled later are used. Therefore, there is a problem that the processing steps are very complicated. Further, a plurality of wirings are provided on the insulating glass substrate.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために、基板に固定され櫛歯状の電極を備えた固定
電極と、該固定電極の櫛歯状の電極に対向する櫛歯状の
電極を備え、該固定電極に対して相対的に移動可能に配
置された可動電極を有し、両電極間に電位差を与えるこ
とによって発生する静電気力を利用して可動電極を前記
固定電極に対して相対的に移動させるアクチュエータに
おいて、前記可動電極は該可動電極を前記基板に結合す
る固定端を含んで一体構造に形成され、かつ、前記固定
電極は前記可動電極を挟んでその両側に対をなして配置
されると共に、前記可動電極の移動方向に分割され、電
気的に互いに絶縁された少なくとも二対からなり、前記
固定電極および可動電極に単結晶シリコンを用い、前記
可動電極の移動方向を前記櫛歯の長手方向にしたことを
特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a fixed electrode fixed to a substrate and having a comb-shaped electrode, and a comb tooth opposed to the comb-shaped electrode of the fixed electrode. A movable electrode disposed movably with respect to the fixed electrode, and using the electrostatic force generated by applying a potential difference between the two electrodes to move the movable electrode to the fixed electrode. In the actuator that moves relatively to the movable electrode, the movable electrode is formed in an integrated structure including a fixed end that couples the movable electrode to the substrate, and the fixed electrode is provided on both sides of the movable electrode. At least two pairs which are arranged in pairs and are divided in the moving direction of the movable electrode and are electrically insulated from each other, using single crystal silicon for the fixed electrode and the movable electrode, and moving the movable electrode One The is characterized in that the longitudinal direction of the comb teeth.
【０００５】前記少なくとも二対の固定電極のうち、少
なくとも１対の固定電極は、他の対の固定電極とは反対
の方向に可動電極を駆動するものとするのがよい。It is preferable that at least one pair of fixed electrodes among the at least two pairs of fixed electrodes drives a movable electrode in a direction opposite to the other pair of fixed electrodes.
【０００６】前記可動電極は、その移動方向に直交する
方向に配置され両端が前記基板に固定された梁に結合さ
れて支持されるようにするのがよい。It is preferable that the movable electrode is disposed in a direction orthogonal to the moving direction, and both ends are connected to and supported by a beam fixed to the substrate.
【０００７】前記固定電極が固定されるとともに可動電
極が結合された基板はガラス基板とし、それら固定及び
結合は陽極接合によるものとする。前記可動電極の固定
端が前記ガラス基板と結合された側の面の反対面には、
前記ガラス基板と別のガラス基板を陽極接合によって固
定するのがよい。また、前記固定電極が固定された基板
面に、前記固定電極および可動電極の周囲を囲む側壁を
設けるのが望ましい。さらに、両電極に駆動方向と平行
に多数の櫛歯が形成されている構造を用いればよい。The substrate to which the fixed electrode is fixed and to which the movable electrode is coupled is a glass substrate, and the fixing and coupling are performed by anodic bonding. On the surface opposite to the surface where the fixed end of the movable electrode is coupled to the glass substrate,
The glass substrate and another glass substrate are preferably fixed by anodic bonding. Further, it is desirable to provide a side wall surrounding the fixed electrode and the movable electrode on a substrate surface to which the fixed electrode is fixed. Further, a structure in which a large number of comb teeth are formed on both electrodes in parallel with the driving direction may be used.
【０００８】このような構造を用いることにより、内部
応力がなく、信頼性の高いアクチュエータを提供でき
る。また、単結晶シリコンを用いているため、可動電極
の梁の剛性が高く、例えば、磁気ディスク装置のスライ
ダを本発明のアクチュエータの上に載せて、高精度位置
決めを行うことができる。また、側壁を設けたことによ
り、外部からのごみの進入を防ぐことができる。By using such a structure, a highly reliable actuator having no internal stress can be provided. In addition, since single crystal silicon is used, the rigidity of the beam of the movable electrode is high. For example, a slider of a magnetic disk device can be mounted on the actuator of the present invention to perform high-precision positioning. In addition, the provision of the side wall can prevent ingress of dust from the outside.
【０００９】可動電極は両持ち梁構造が好ましく、複数
本の可動電極の両側には複数個の島状固定電極が配置さ
れた構造を用いることにより、大きな駆動力が得られ
る。The movable electrode preferably has a double-supported beam structure. A large driving force can be obtained by using a structure in which a plurality of fixed electrodes are arranged on both sides of a plurality of movable electrodes.
【００１０】さらに、本発明のアクチュエータはマイク
ロマシニング技術を用いて製作することにより、両電極
間のギャップを小さく、複数の櫛歯を容易に作り込むこ
とが可能であり、可動電極の変位量を自由にコントロー
ルすることができる。Further, by manufacturing the actuator of the present invention using a micromachining technique, the gap between the two electrodes can be reduced, a plurality of comb teeth can be easily formed, and the displacement of the movable electrode can be reduced. You can control it freely.
【００１１】ＩＣＰ―ＲＩＥ（Ｉnductively Ｃoupled
Ｐlasma―ＲＩＥ）装置を用いることにより、単結晶
シリコンからなる前記固定電極および可動電極の狭ギャ
ップは高アスペクト比加工が可能である。[0011] ICP-RIE (Inductively Coupled)
By using a Plasma-RIE device, a narrow gap between the fixed electrode and the movable electrode made of single crystal silicon can be processed with a high aspect ratio.
【００１２】上記構成の静電アクチュエータを製造する
方法としては、 シリコンウェハの両面に熱酸化膜を形成する手順と、 該熱酸化膜が形成されたシリコンウェハの両面から、
第１のガラス基板が接合される部分を残して所定の厚み
だけエッチング除去する手順と、 第１のガラス基板に所要の電気配線を設ける手順と、 前記電気配線が設けられた第１のガラス基板に、前記
両面を所定の厚みだけエッチング除去したシリコンウェ
ハを陽極接合する手順と、 前記陽極接合されたシリコンウェハをホトリソプロセ
スにより加工して固定電極と可動電極を形成する手順
と、 前記可動電極の第１の基板に対向する側と反対側の面
に第２のガラス基板を陽極接合する手順と、 を含んだ手順とすればよい。As a method of manufacturing the electrostatic actuator having the above structure, a procedure for forming a thermal oxide film on both surfaces of a silicon wafer, and a method for manufacturing the thermal actuator from both surfaces of the silicon wafer on which the thermal oxide film is formed,
A procedure of etching and removing a predetermined thickness while leaving a portion to which the first glass substrate is joined; a procedure of providing required electric wiring on the first glass substrate; and a first glass substrate provided with the electric wiring. Anodically bonding a silicon wafer having both surfaces etched away by a predetermined thickness; forming a fixed electrode and a movable electrode by processing the anodically bonded silicon wafer by a photolithography process; And anodic bonding of the second glass substrate to the surface opposite to the side facing the first substrate.
【００１３】第１のガラス基板に複数のアクチュエータ
が構成され、あとで各チップが分離、分割される場合、
第１のガラス基板にシリコンウェハを陽極接合する前
に、該第１のガラス基板の電気配線が設けられる面の反
対面に、アクチュエータの境界となる線に沿って切断溝
を形成しておき、第２のガラス基板を可動電極に陽極接
合する前に、該第２のガラス基板の可動電極に陽極接合
される面の反対側の面に、アクチュエータの境界となる
線上に、所定の幅のシリコン構造体を接合し、次いで該
境界となる線に沿って第２のガラス基板を切断しておけ
ば、アクチュエータ形成後、第１、第２のガラス基板を
切断して各チップを分離、分割するのが容易であり、分
割の際、可動電極を損傷するおそれが少なくなる。When a plurality of actuators are formed on the first glass substrate and each chip is separated and divided later,
Before anodically bonding the silicon wafer to the first glass substrate, a cutting groove is formed on a surface of the first glass substrate opposite to a surface on which electric wiring is provided, along a line serving as a boundary of the actuator, Before the anodic bonding of the second glass substrate to the movable electrode, a silicon of a predetermined width is placed on a line on the opposite side of the surface of the second glass substrate to be anodically bonded to the movable electrode, on a line serving as a boundary of the actuator. If the structure is joined and the second glass substrate is cut along the boundary line, after the actuator is formed, the first and second glass substrates are cut to separate and divide each chip. This is easy, and the risk of damaging the movable electrode during the division is reduced.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】本発明に係る実施の形態を図１か
ら図１０を参照して説明する。本発明の一実施例に関す
るアクチュエータの構造について図１および図２を用い
て説明する。図１はアクチュエータの平面図、図２はそ
の断面図を示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. A structure of an actuator according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view of the actuator, and FIG. 2 is a sectional view thereof.
【００１５】本実施例のアクチュエータは、図示のよう
に、第１のガラス基板（以下、第１基板という）５と、
この第１基板５に固定された可動電極２と、この可動電
極２の櫛歯部分に対向して配置され第１基板５に固定さ
れた２対の固定電極１ａ，１ｂとを含んで構成されてい
る。固定電極１ａ，１ｂ及び可動電極２は、いずれも単
結晶シリコンで形成されている。As shown in the drawing, the actuator of this embodiment includes a first glass substrate (hereinafter, referred to as a first substrate) 5 and a first glass substrate 5.
The movable electrode 2 is fixed to the first substrate 5, and includes two pairs of fixed electrodes 1 a and 1 b which are arranged to face the comb teeth of the movable electrode 2 and fixed to the first substrate 5. ing. Each of the fixed electrodes 1a and 1b and the movable electrode 2 is formed of single crystal silicon.
【００１６】可動電極２は、平面図で見てアルファベッ
トのＨを左右方向に引き延ばした形状をしており、梁４
を構成する左右の縦の線の上下端に矩形状の固定端３が
形成され、左右の縦の線を結ぶ横の線、すなわち駆動力
発生部２Ａには中央の部分を残して両側上下（図１はＨ
形を９０度回転させた状態で示してあるので、図１上で
は上下の左右、以下図１の上下を基準にして説明する）
に対称に櫛歯状の電極１８が形成されている。さらに、
駆動力発生部２Ａの櫛歯状の電極１８が形成されている
上下二つの部分それぞれの上面には突起部６が矩形状に
形成されている。前記４か所の固定端が第１基板５の上
面に固定され、可動電極２の他の部分は第１基板５の上
面から浮き上がって（離れて）いる。すなわち、梁４は
両端が固定端３で支持された両持ち梁で、その中央部に
櫛歯状の電極１８を備えた駆動力発生部２Ａの端部が結
合されている。可動電極の構造は両持ち梁構造の方が片
持ち梁構造と比較して構造的に安定しているため、好ま
しい。なお、可動電極２は、梁４、固定端３、駆動力発
生部２Ａ及び突起部６が一体に形成された一体構造とな
っている。The movable electrode 2 has a shape obtained by extending the letter H in the left-right direction when viewed in a plan view.
Are formed at the upper and lower ends of the right and left vertical lines, and a horizontal line connecting the left and right vertical lines, that is, the driving force generating unit 2A is left and right up and down ( FIG. 1 shows H
Since the shape is shown rotated 90 degrees, it will be described with reference to the upper and lower sides in FIG. 1 and the upper and lower sides in FIG.
Symmetrically, a comb-shaped electrode 18 is formed. further,
The protrusion 6 is formed in a rectangular shape on the upper surface of each of the upper and lower two portions of the driving force generating portion 2A where the comb-shaped electrode 18 is formed. The four fixed ends are fixed to the upper surface of the first substrate 5, and the other part of the movable electrode 2 floats (is separated) from the upper surface of the first substrate 5. That is, the beam 4 is a doubly supported beam whose both ends are supported by the fixed end 3, and the end of the driving force generating unit 2A having the comb-shaped electrode 18 is coupled to the center of the beam. As for the structure of the movable electrode, the double-supported beam structure is preferable because it is structurally more stable than the cantilever structure. Note that the movable electrode 2 has an integrated structure in which the beam 4, the fixed end 3, the driving force generation unit 2A, and the projection 6 are integrally formed.
【００１７】固定電極１ａ，１ｂは、それぞれ可動電極
２の前記駆動力発生部２Ａの櫛歯状の電極１８が形成さ
れた部分を、図１の上で、左右から前記櫛歯状の電極１
８に対向して挟むように対になって配置され、可動電極
２の前記櫛歯状の電極１８に対向する側に、同じく櫛歯
状の電極１８を備えている。Each of the fixed electrodes 1a and 1b is a portion of the movable electrode 2 on which the comb-shaped electrode 18 of the driving force generating section 2A is formed, as shown in FIG.
The movable electrode 2 is provided with a comb-shaped electrode 18 on the side of the movable electrode 2 facing the comb-shaped electrode 18.
【００１８】矢印７はアクチュエータの駆動方向を示し
ており、静電気力が加わると可動電極の梁４がたわんで
矢印の方向に変位する。梁４はばね定数が小さいほど変
位が容易となり、小さな静電気力で駆動させることがで
きる。また、両電極に用いるシリコンは抵抗率が低いも
のを用いることが好ましい。固定電極1aおよび1bと可動
電極２に形成する櫛歯はその数を増加させることで静電
気力を大きくさせることができる。The arrow 7 indicates the driving direction of the actuator. When an electrostatic force is applied, the beam 4 of the movable electrode bends and displaces in the direction of the arrow. The smaller the spring constant of the beam 4, the easier it is to displace, and the beam 4 can be driven by a small electrostatic force. Further, it is preferable to use silicon having low resistivity as silicon used for both electrodes. By increasing the number of the comb teeth formed on the fixed electrodes 1a and 1b and the movable electrode 2, the electrostatic force can be increased.
【００１９】また、本実施例では、固定電極は可動電極
２に対して、駆動方向に二対（固定電極１ａが一対、固
定電極１ｂが一対）、直列に配置されているが、固定電
極１ａ、１ｂをそれぞれ２対以上の複数対配置としても
よい。In this embodiment, two pairs of fixed electrodes (a pair of fixed electrodes 1a and a pair of fixed electrodes 1b) are arranged in series with respect to the movable electrode 2 in the driving direction. , 1b may be arranged in two or more pairs.
【００２０】図２の（ａ）は図１のＡ―Ａ´断面を示
す。固定電極１と可動電極２とのギャップdは、可動電
極の両側とも同じ間隔に形成されている。一般に前記ギ
ャップｄは間隔が狭いほど、固定電極１と可動電極２の
ずれている櫛歯の数が多いほど、電極の高さが高いほど
静電気力が大きくなる。また、パッシェン則によると、
空気中において両電極に印加する電位差が３３０Ｖ以下
の場合、ギャップをどんなに小さくしても放電が生じな
い。これは放電のきっかけをつくる初期電子がほとんど
衝突することなしに対向電極に達してしまい、電子のな
だれ現象が起こりにくくなるため放電は起こらず、絶縁
破壊電圧が増大するためである。そのため、本静電方式
のアクチュエータは微小化が可能である。FIG. 2A shows a cross section taken along the line AA ′ of FIG. The gap d between the fixed electrode 1 and the movable electrode 2 is formed at the same interval on both sides of the movable electrode. In general, the electrostatic force increases as the gap d is smaller, the number of comb teeth between the fixed electrode 1 and the movable electrode 2 that is shifted is larger, and the height of the electrode is higher. According to Paschen's law,
When the potential difference applied to both electrodes in air is 330 V or less, no discharge occurs even if the gap is reduced. This is because the initial electrons, which trigger the discharge, reach the counter electrode almost without colliding, and the avalanche phenomenon of the electrons hardly occurs, so that the discharge does not occur and the breakdown voltage increases. Therefore, the present electrostatic actuator can be miniaturized.
【００２１】前記アクチュエータはポリシリコンなどを
用いて形成した薄膜に比べ、電極の厚さを非常に厚く形
成することができる単結晶シリコンを材料に用いて、図
２の（a）に示す固定電極１ｂと可動電極２の重なり合
っている部分の厚さｔ１を厚く形成している。そのた
め、大きな駆動力を得ることができる。しかし、単結晶
シリコンを用いた場合、固定電極１と可動電極２の重な
り合っている部分の厚さｔ１はいくらでも厚く形成でき
るわけではない。これはギャップｄの垂直エッチング加
工に制限があるためで、一般に、アスペクト比（厚さｔ
１をギャップｄで割った値）が大きくなるほど加工は困
難になる。なお、可動電極２と第一基板５とのギャップ
ｔ２は可動電極が浮上しているギャップ量を示してい
る。The actuator uses single-crystal silicon, whose electrode thickness can be made much larger than that of a thin film formed using polysilicon or the like, as a material, and uses a fixed electrode shown in FIG. The thickness t1 of the overlapping portion of the movable electrode 1b and the movable electrode 2 is formed thick. Therefore, a large driving force can be obtained. However, when single crystal silicon is used, the thickness t1 of the overlapping portion between the fixed electrode 1 and the movable electrode 2 cannot be formed as large as possible. This is because the vertical etching of the gap d is limited, and in general, the aspect ratio (thickness t)
The larger the value obtained by dividing 1 by the gap d), the more difficult the processing becomes. Note that a gap t2 between the movable electrode 2 and the first substrate 5 indicates a gap amount at which the movable electrode floats.
【００２２】図２の（ｂ）は可動電極２及び固定電極１
の上に第２のガラス基板８（以下、基板８という）を付
加し、第１基板５と基板８で可動電極２をサンドイッチ
状に挟んだ例を示す。突起部６はアクチュエータとして
可動電極２に基板などを搭載する場合に、搭載した基板
などが固定電極１aおよび１bと接触させないための突起
である。FIG. 2B shows the movable electrode 2 and the fixed electrode 1.
An example is shown in which a second glass substrate 8 (hereinafter, referred to as a substrate 8) is added to the first substrate 5 and the movable electrode 2 is sandwiched between the first substrate 5 and the substrate 8. The projection 6 is a projection for preventing the mounted substrate or the like from contacting the fixed electrodes 1a and 1b when a substrate or the like is mounted on the movable electrode 2 as an actuator.
【００２３】前記、第一基板５の材質にはナトリウムを
含有しているガラスが好ましく、電気配線の形成が可能
で、配線同士が絶縁されていれば、ガラス以外の材料、
例えば、熱酸化膜付シリコン基板を用いてもよい。The material of the first substrate 5 is preferably glass containing sodium. If the electric wiring can be formed and the wirings are insulated from each other, a material other than glass may be used.
For example, a silicon substrate with a thermal oxide film may be used.
【００２４】本発明の前記アクチュエータの駆動原理は
次のとおりである。はじめに一対の固定電極１aと可動
電極２の間に電位差を与える。その結果、両電極の互い
に対向する面に形成された櫛歯の、ずれている櫛歯部分
が対向面の櫛歯と重なり合う方向に静電引力が働き、図
１平面図の上の方向に可動電極が移動する。次に、前記
固定電極１aと可動電極２の間の電位差を消去するとと
もに一対の固定電極１bと可動電極２の間に電位差を与
える。その結果、前記と同様に両電極の互いに対向する
面に形成された櫛歯の、ずれている櫛歯部分が対向面の
櫛歯と重なり合う方向に静電引力が働き、図１平面図の
下の方向に可動電極２が移動する。The driving principle of the actuator according to the present invention is as follows. First, a potential difference is applied between the pair of fixed electrodes 1a and the movable electrode 2. As a result, electrostatic attraction acts in a direction in which the shifted comb teeth of the comb teeth formed on the opposing surfaces of both electrodes overlap with the comb teeth on the opposing surface, and the comb teeth move in the upward direction in the plan view of FIG. The electrodes move. Next, the potential difference between the fixed electrode 1a and the movable electrode 2 is erased, and a potential difference is applied between the pair of fixed electrodes 1b and the movable electrode 2. As a result, similarly to the above, electrostatic attraction acts in a direction in which the displaced comb teeth of the comb teeth formed on the opposing surfaces of both electrodes overlap the comb teeth on the opposing surface, and the lower part of FIG. The movable electrode 2 moves in the direction of.
【００２５】固定電極１aと可動電極２の間の電位差
と、固定電極１bと可動電極２の間の電位差を交互に付
加することにより、可動電極を一定の周波数で図の上下
方向に往復駆動させることができる。電位差が付加され
ない状態では、可動電極２は、梁４の弾性により、中立
位置に復帰する。また、本発明の前記アクチュエータは
可動電極および固定電極の高さ（図２のｔ１）を大きく
するか、その電極間のギャップｄを小さくすれば発生す
る駆動力を大きくすることができる。また、変位する電
極数、すなわち櫛歯の歯数が多いほど発生する駆動力を
大きくすることができる。By alternately adding the potential difference between the fixed electrode 1a and the movable electrode 2 and the potential difference between the fixed electrode 1b and the movable electrode 2, the movable electrode is reciprocated vertically at a constant frequency in the figure. be able to. When no potential difference is applied, the movable electrode 2 returns to the neutral position due to the elasticity of the beam 4. Further, in the actuator of the present invention, the generated driving force can be increased by increasing the height (t1 in FIG. 2) of the movable electrode and the fixed electrode or reducing the gap d between the electrodes. Further, as the number of displaced electrodes, that is, the number of comb teeth increases, the generated driving force can be increased.
【００２６】次に前記アクチュエータの加工方法につい
て述べる。まず、はじめに固定電極１aおよび１bと可動
電極２を形成する厚さ１００μｍの（１００）方位のシ
リコンウエハを用いて一方の面に突起部６を、他方の面
にギャップｔ２を確保するための段差を形成する。より
詳細には、前記シリコンウエハに０．５μｍ厚さの熱酸
化膜を形成し、ホトリソプロセスを用いて、レジスト塗
布・パターン露光・現像・熱酸化膜のエッチングを両面
から行い、その後、６０℃の水酸化カリウム水溶液を用
いてシリコンウェハの両面に１０μｍ段差を形成するエ
ッチング加工を行った。前記シリコンのエッチング加工
には、水酸化カリウム水溶液だけではなく、その他のウ
エットエッチング液、例えば、エチレンジアミンピロカ
テコール、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、ヒドラジンを用いることができる。さらに、ＲＩＥ
（Ｒeactive Ｉon Ｅtching）装置やイオンミリング
装置などのドライエッチング装置を用いてエッチング加
工を行うこともできる。Next, a method of processing the actuator will be described. First, using a 100 μm-thick (100) silicon wafer for forming the fixed electrodes 1 a and 1 b and the movable electrode 2, a step 6 for securing the projection 6 on one surface and a gap t 2 on the other surface. To form More specifically, a thermal oxide film having a thickness of 0.5 μm is formed on the silicon wafer, and resist coating, pattern exposure, development, and etching of the thermal oxide film are performed from both sides using a photolithographic process. Etching was performed to form a 10 μm step on both surfaces of the silicon wafer using an aqueous solution of potassium hydroxide at ℃. In the silicon etching process, not only an aqueous solution of potassium hydroxide but also other wet etching solutions such as ethylenediamine pyrocatechol, tetramethylammonium hydroxide, and hydrazine can be used. Furthermore, RIE
The etching can also be performed using a dry etching device such as a (Reactive Ion Etching) device or an ion milling device.
【００２７】次に、電気配線が形成されたガラス基板５
と前記シリコンウエハを陽極接合を用いて接合した。陽
極接合はガラス基板を４００℃に加熱し、１０００Ｖの
直流電圧を印加して行った。前記ガラス基板５に配線す
る材料にはＣrとＡｕを選定し、Ｃrを２０ｎｍ、その上
にＡｕを３００ｎｍ、スパッタリング装置を用いて、ガ
ラス基板の上にリフトオフ法を用いて形成した。前記配
線材料は４００℃以下で溶解せず、電気的導通がある薄
膜形成可能な材料であれば他の材料を用いてもよい。配
線形成に用いる装置もスパッタリング装置以外の装置、
例えば、蒸着装置を用いてもよい。さらに、配線の形成
方法はリフトオフ法にかぎらず、基板全面に薄膜を形成
した後、ホトリソを行い、エッチングによって形成して
もよい。また、ガラス基板上には、固定電極や可動電極
に電位差を負荷するための配線だけでなく、同位電極１
２も形成されている。これはガラス基板５に１００μｍ
厚の薄いシリコンウエハを用いているため、可動電極部
の段差加工部分が変形しやすく、陽極接合の時に可動電
極部をガラス基板５に接合させないためのものである。Next, the glass substrate 5 on which the electric wiring is formed
And the silicon wafer were bonded using anodic bonding. The anodic bonding was performed by heating the glass substrate to 400 ° C. and applying a DC voltage of 1000 V. Cr and Au were selected as materials for wiring on the glass substrate 5, and Cr was formed on the glass substrate using a lift-off method on a glass substrate by using a sputtering apparatus, with 20 nm of Cr and 300 nm of Au thereon. As the wiring material, other materials may be used as long as they do not melt at 400 ° C. or lower and can form a thin film having electrical conductivity. Equipment used for wiring formation is also equipment other than sputtering equipment,
For example, a vapor deposition device may be used. Further, the method for forming the wiring is not limited to the lift-off method, and the wiring may be formed by forming a thin film over the entire surface of the substrate, performing photolithography, and etching. On the glass substrate, not only wiring for applying a potential difference to a fixed electrode or a movable electrode, but also the
2 are also formed. This is 100 μm on the glass substrate 5
Since a thin silicon wafer is used, the stepped portion of the movable electrode portion is easily deformed, and the movable electrode portion is not bonded to the glass substrate 5 during anodic bonding.
【００２８】前記陽極接合によって形成したガラス基板
とシリコンウェハの結合体に、ホトリソプロセスを用い
て、図１平面図に示す形状のパターニングを行い、ＩＣ
Ｐ―ＲＩＥ装置を用いてシリコンのドライエッチング加
工を行った。特に固定電極と可動電極とのギャップｄは
４μｍで高アスペクト比形状に加工されている。前記エ
ッチング加工のマスク材にはレジストを用いた。レジス
ト以外に熱酸化膜をマスク材として用いてもよい。ま
た、固定電極をガラス基板に接合する接合幅eは固定電
極の幅より、小さく形成した。これは、陽極接合後に行
う、ドライエッチング加工のためのホトリソプロセスに
おいて位置ずれが生じた場合でもアクチュエータとして
機能するようにさせるためである。これにより、位置ず
れが数μｍ程度あっても性能には支障はない。The combined body of the glass substrate and the silicon wafer formed by the anodic bonding is patterned by the photolithography process into the shape shown in the plan view of FIG.
Dry etching of silicon was performed using a P-RIE apparatus. In particular, the gap d between the fixed electrode and the movable electrode is 4 μm and is processed into a high aspect ratio shape. A resist was used as a mask material for the etching process. A thermal oxide film other than a resist may be used as a mask material. Further, the bonding width e for bonding the fixed electrode to the glass substrate was formed smaller than the width of the fixed electrode. This is to make it function as an actuator even if a positional shift occurs in a photolithography process for dry etching performed after anodic bonding. Thus, even if there is a displacement of about several μm, there is no problem in performance.
【００２９】次に、図２（b）に示す基板８にガラス基
板を用いて、陽極接合により可動電極上（すなわち、前
記突起部６上面）に接合した。この時、前記ガラス基板
８の固定電極と対向する場所には、前述したように同位
電極の配線１２が形成されており、ガラス基板８は突起
部６以外の場所とは接合しない。Next, a glass substrate was used as the substrate 8 shown in FIG. 2B and bonded to the movable electrode (that is, the upper surface of the protrusion 6) by anodic bonding. At this time, the wiring 12 of the isotope electrode is formed in the place facing the fixed electrode of the glass substrate 8 as described above, and the glass substrate 8 is not joined to the place other than the protrusion 6.
【００３０】前記アクチュエータの可動電極部を支えて
いる梁の材料に単結晶シリコンを用いているため、梁の
剛性が高く、基板８の上に別の基板などを搭載すること
も可能である。Since single-crystal silicon is used as the material of the beam supporting the movable electrode portion of the actuator, the beam has high rigidity, so that another substrate or the like can be mounted on the substrate 8.
【００３１】以上のように構成されたアクチュエータは
組立てが容易である利点を有している。The actuator constituted as described above has an advantage that it is easy to assemble.
【００３２】本発明の他の実施例に関するアクチュエー
タの構造について図３を用いて説明する。図３の（a）
はアクチュエータの平面図、図３の（b）にそのＢ−
Ｂ’線断面図を示す。The structure of an actuator according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. (A) of FIG.
Is a plan view of the actuator, and FIG.
FIG. 4 shows a cross-sectional view taken along line B ′.
【００３３】本実施例のアクチュエータは、図３に示す
ように、格子状の枠をなす一体構造の可動電極２と、該
可動電極２の櫛歯が形成されている部分を挟んで配置さ
れ第一基板５に接合されている、固定電極１aおよび１b
の複数個の対と、を含んで構成されている。格子状の枠
をなす可動電極２は、その移動方向両端の幅方向（移動
方向に直交する方向）中央部が幅方向に配置された両持
ち梁４Ａの同じく幅方向中央部に結合されて支持され、
この両持ち梁４Ａの幅方向両端部は、両持ち梁４Ａの外
側（可動電極２の移動方向終端側）に両持ち梁４Ａと平
行に配置された両持ち梁４の幅方向両端部にそれぞれ結
合され支持されている。両持ち梁４の幅方向中央部に固
定端３が配置され、可動電極２では、この固定端３だけ
が第一基板５に接合されている。なお、図３にも示され
ているように、両端の両持ち梁４及び４Ａは、その幅方
向両端部が、可動電極２の移動方向に延びる１対の縦梁
２５，２５Ａで結合されている。したがって、格子状の
枠をなす電極部分と、両持ち梁４，４Ａと、縦梁２５，
２５Ａと、固定端３と、が一体に構成されてなる可動電
極２は、固定端３以外の部分は第一基板５から浮いてい
る構造となっている。また、固定電極１a及び１bの可動
電極２に対向する面にもそれぞれ櫛歯が形成されてい
る。As shown in FIG. 3, the actuator according to the present embodiment has a movable electrode 2 having an integral structure forming a lattice-shaped frame, and a movable electrode 2 having a comb-shaped portion interposed therebetween. Fixed electrodes 1a and 1b joined to one substrate 5
And a plurality of pairs. The movable electrode 2 forming a lattice-like frame is supported by being connected to the same widthwise central portion of a doubly supported beam 4A whose widthwise central portions at both ends in the moving direction (direction perpendicular to the moving direction) are arranged in the widthwise direction. And
The both ends in the width direction of the doubly supported beam 4A are respectively located at both ends in the width direction of the doubly supported beam 4A arranged in parallel with the doubly supported beam 4A outside the end of the doubly supported beam 4A (the end side in the moving direction of the movable electrode 2). Combined and supported. The fixed end 3 is arranged at the center in the width direction of the doubly supported beam 4. Only the fixed end 3 of the movable electrode 2 is joined to the first substrate 5. As shown in FIG. 3, both ends of the doubly supported beams 4 and 4A are joined by a pair of longitudinal beams 25 and 25A extending in the moving direction of the movable electrode 2 at both ends in the width direction. I have. Therefore, the electrode portion forming a lattice-like frame, the doubly supported beams 4 and 4A, and the vertical beams 25 and
The movable electrode 2 in which the fixed end 3 is integrally formed with the movable electrode 25A has a structure in which portions other than the fixed end 3 are floating from the first substrate 5. Also, the comb electrodes are formed on the surfaces of the fixed electrodes 1a and 1b facing the movable electrode 2, respectively.
【００３４】第一基板５には、固定電極１a，１bと可動
電極２からなるアクチュエータを取り囲む側壁９が固着
配置され、該側壁９は第１基板５上に形成した配線とは
導通しないように配線の部分だけ、第１基板５の面から
浮いた構造となっている。側壁９を第１基板５の面から
浮かせる代わりに、配線の上に薄膜の絶縁物を形成して
もよい。このような側壁を設けることにより、微小アク
チュエータの問題であるごみなどの進入を防ぐことがで
きる。On the first substrate 5, a side wall 9 surrounding the actuator composed of the fixed electrodes 1a, 1b and the movable electrode 2 is fixedly arranged, and the side wall 9 is not electrically connected to the wiring formed on the first substrate 5. Only the wiring portion has a structure floating above the surface of the first substrate 5. Instead of floating the side wall 9 from the surface of the first substrate 5, a thin film insulator may be formed on the wiring. By providing such a side wall, entry of dust and the like, which is a problem of the minute actuator, can be prevented.
【００３５】矢印７はアクチュエータ駆動方向を示して
おり、静電気力、すなわち、固定電極と可動電極の間に
電位差が付加されると、可動電極の４本の両持ち梁４，
４Ａが撓んで矢印の方向に変位する。両持ち梁４，４Ａ
は平行板ばね構造となっている。なお、梁の付け根部分
（縦梁２５，２５Ａとの結合部分）には、機械的強度を
向上させるため、丸みを形成している。６は可動電極２
の上面に形成した突起部を示す。また、固定電極と可動
電極とのギャップは２μｍに形成されており、断面図に
示す、複数の可動電極２とその両側に配置した固定電極
１bとのギャップはすべて等間隔となっている。The arrow 7 indicates the driving direction of the actuator. When an electrostatic force, that is, a potential difference is applied between the fixed electrode and the movable electrode, the four cantilever beams 4 of the movable electrode 4,
4A is bent and displaced in the direction of the arrow. Doubly supported beam 4, 4A
Has a parallel leaf spring structure. In addition, the base part of the beam (the connection part with the vertical beams 25 and 25A) is rounded in order to improve mechanical strength. 6 is a movable electrode 2
2 shows a projection formed on the upper surface of the device. The gap between the fixed electrode and the movable electrode is formed to be 2 μm, and the gaps between the plurality of movable electrodes 2 and the fixed electrodes 1b arranged on both sides thereof are all equally spaced as shown in the sectional view.
【００３６】前記図３に示すアクチュエータの加工は図
１に示したアクチュエータと同様の方法によって形成し
た。なお、第一基板５にはガラス基板を用い、固定電極
１ａ，１ｂおよび可動電極２の材料には１１０μｍ厚さ
のシリコンウエハを用い、固定電極１ａ，１ｂと第一基
板５の接合、及び可動電極２の固定端３と第一基板５の
接合には陽極接合を用いた。The processing of the actuator shown in FIG. 3 was performed by the same method as that of the actuator shown in FIG. Note that a glass substrate is used as the first substrate 5, a 110 μm-thick silicon wafer is used as a material for the fixed electrodes 1a, 1b and the movable electrode 2, and the fixed electrodes 1a, 1b and the first substrate 5 are joined and movable. The fixed end 3 of the electrode 2 and the first substrate 5 were bonded by anodic bonding.
【００３７】図３に示すアクチュエータの電極の配置方
法について図４の平面図および図５の断面図を用いて説
明する。第一基板５には３個所の配線を含むパッド１０
a、１０b、１０cがそれぞれ形成されている。パッド１
０aはパッド１０aの配線を介して可動電極の固定端３に
接続されている。また、パッド１０bはパッド１０bの配
線を介して複数の固定電極１aと、パッド１０cはパッド
１０cの配線を介して複数の固定電極１bと、それぞれ接
続されている。The method of arranging the electrodes of the actuator shown in FIG. 3 will be described with reference to the plan view of FIG. 4 and the sectional view of FIG. A pad 10 including three wirings is provided on the first substrate 5.
a, 10b and 10c are respectively formed. Pad 1
0a is connected to the fixed end 3 of the movable electrode via the wiring of the pad 10a. The pad 10b is connected to the plurality of fixed electrodes 1a via the wiring of the pad 10b, and the pad 10c is connected to the plurality of fixed electrodes 1b via the wiring of the pad 10c.
【００３８】図５は図４の各断面図を示しており、
（a）はＣ−Ｃ’断面、（b）はＤ−Ｄ’断面、（ｃ）は
Ｅ−Ｅ’断面を、それぞれ示す。（a）の断面では、第
一基板５の上に形成されたパッド１０bの配線は複数の
固定電極１aと密着し、固定電極１ａと配線は電気的に
導通している。このとき、可動電極２は第一基板５から
浮いているため、可動電極２とパッド１０bの配線とは
電気的導通はない。また、側壁９の配線と交差する部分
は電気的に導通しないように、第一基板５から浮かした
構造としている。（ｂ）の断面では、第一基板５の上に
形成されたパッド１０cの配線は複数の固定電極１bと密
着し、固定電極１ｂと配線とは電気的に導通している。
このとき、前記と同様に可動電極２は第一基板５から浮
いているため、可動電極２とパッド１０cの配線とは電
気的導通はない。FIG. 5 shows each sectional view of FIG.
(A) shows a CC ′ section, (b) shows a DD ′ section, and (c) shows an EE ′ section. In the section (a), the wiring of the pad 10b formed on the first substrate 5 is in close contact with the plurality of fixed electrodes 1a, and the fixed electrode 1a and the wiring are electrically connected. At this time, since the movable electrode 2 is floating from the first substrate 5, there is no electrical continuity between the movable electrode 2 and the wiring of the pad 10b. In addition, the portion of the side wall 9 that intersects with the wiring has a structure floating from the first substrate 5 so as not to be electrically conducted. In the cross section of (b), the wiring of the pad 10c formed on the first substrate 5 is in close contact with the plurality of fixed electrodes 1b, and the fixed electrode 1b and the wiring are electrically connected.
At this time, since the movable electrode 2 floats from the first substrate 5 as described above, there is no electrical conduction between the movable electrode 2 and the wiring of the pad 10c.
【００３９】図５の（ｃ）に示す断面では、固定電極１
aおよび１bの配線部以外の部分は第一基板５と接合され
ているが、パッド１０bの配線およびパッド１０cの配線
は固定電極により押圧されている状態で固定電極と密着
している。このような電極構造を用いることにより、複
数の電極に電位差を付加する導線を容易に配線すること
ができる。In the cross section shown in FIG.
Portions other than the wiring portions a and 1b are joined to the first substrate 5, but the wiring of the pad 10b and the wiring of the pad 10c are in close contact with the fixed electrode while being pressed by the fixed electrode. By using such an electrode structure, it is possible to easily wire a conductor for applying a potential difference to a plurality of electrodes.
【００４０】前記アクチュエータの駆動は、はじめにパ
ッド１０aとパッド１０bの間に電位差を与える。その結
果、静電引力により表面積が増加する方向（可動電極２
の櫛歯状の電極の凸部先端が固定電極１ａの櫛歯状の電
極の凸部先端と相互に対向する面積が増加する方向）、
図３の場合、平面図の上の方向に可動電極２が変位す
る。次に、パッド１０aとパッド１０cの間に電位差を与
える。その結果、静電引力により表面積が増加する方向
（可動電極２の櫛歯状の電極の凸部先端が固定電極１ｂ
の櫛歯状の電極の凸部先端と相互に対向する面積が増加
する方向）、図３平面図の下の方向に可動電極が変位す
る。電位差が付加される可動電極と固定電極の組合せを
交互に変化させることにより、可動電極２を図３の上下
方向に往復駆動させることができる。実験の結果、印加
電圧８０Ｖで約９μｍ変位（片振れ）した。この時の駆
動周波数は２０００Ｈｚであった。前記駆動周波数を増
加させるためには両持ち梁４，４Ａの長さを短く形成す
ればよい。また、可動電極２の移動量を同じにしたまま
印加電圧を低下させるためには、可動電極と固定電極の
ギャップ量ｄを小さく形成するか、もしくは可動電極の
両持ち梁４，４Ａのばね定数を低下させる構造を用いる
とよい。When the actuator is driven, a potential difference is first applied between the pad 10a and the pad 10b. As a result, the direction in which the surface area increases due to electrostatic attraction (movable electrode 2
(A direction in which the area where the tip of the convex portion of the comb-shaped electrode of the fixed electrode 1a opposes the tip of the convex portion of the comb-shaped electrode of the fixed electrode 1a),
In the case of FIG. 3, the movable electrode 2 is displaced upward in the plan view. Next, a potential difference is applied between the pad 10a and the pad 10c. As a result, the direction in which the surface area increases due to the electrostatic attraction (the tip of the convex portion of the comb-like electrode of the movable electrode 2 is fixed to the fixed electrode 1b
In this case, the movable electrode is displaced in a direction below the plan view in FIG. 3. By alternately changing the combination of the movable electrode and the fixed electrode to which the potential difference is added, the movable electrode 2 can be reciprocated in the vertical direction in FIG. As a result of the experiment, a displacement (oscillation) of about 9 μm occurred at an applied voltage of 80 V. The driving frequency at this time was 2000 Hz. In order to increase the driving frequency, the length of the doubly supported beams 4, 4A may be reduced. Further, in order to reduce the applied voltage while keeping the moving amount of the movable electrode 2 the same, the gap amount d between the movable electrode and the fixed electrode is formed small or the spring constant of the both-end beams 4 and 4A of the movable electrode is reduced. It is good to use the structure which lowers.
【００４１】本実施例のアクチュエータは複数の電極が
配置された構造であり、大きな発生力を得ることができ
る。また、可動電極と固定電極の電極、すなわち、櫛歯
の幅（可動電極移動方向の櫛歯凸部の幅）を変えること
により、可動電極２の微小な変位量を自由にコントロー
ルすることが可能で、高精度に変位量を制御できる。The actuator according to the present embodiment has a structure in which a plurality of electrodes are arranged, and a large generated force can be obtained. Further, by changing the electrodes of the movable electrode and the fixed electrode, that is, the width of the comb teeth (width of the convex part of the comb tooth in the moving direction of the movable electrode), the minute displacement of the movable electrode 2 can be freely controlled. Thus, the displacement can be controlled with high accuracy.
【００４２】前記アクチュエータの製造方法について図
６および図７を用いて説明する。図６は第一基板５上に
多数のアクチュエータを形成した場合の１チップの断面
図を示すものである。前記チップはアクチュエータ部の
構造が図３に示すものと同様で、１aが固定電極、２が
可動電極を示し、第一基板５にガラス基板を用いてい
る。可動電極２の上面（つまり突起部６）には、チップ
全体を覆う第２のガラス基板１１（以下ガラス基板１１
という）が陽極接合によって接合されている。ガラス基
板１１と前記可動電極２との接合前に、ガラス基板１１
の、前記可動電極２との接合面と反対側の面の、隣接す
るアクチュエータとの境界線上には、該境界線に沿っ
て、厚さ６０μｍ、梁幅１００μｍの薄い梁１３aが形
成されたシリコン構造体１３が陽極接合によって接合さ
れ、該シリコン構造体１３接合後、ガラス基板１１はダ
イシング加工され、前記境界線に沿って空間１５が形成
される。シリコン構造体１３の平面形状は、チップ境界
線を覆う格子状あるいは網目状をなしている。すなわ
ち、ガラス基板１１はこのシリコン構造体１３を介し
て、隣接して形成されるアクチュエータのガラス基板１
１に結合されており、この状態で多数のアクチュエータ
が形成された第１基板５上の可動電極に接合される。な
お、ガラス基板１１の固定電極と対向する位置には同位
電極１２が形成されている。A method of manufacturing the actuator will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a cross-sectional view of one chip when a large number of actuators are formed on the first substrate 5. In the chip, the structure of the actuator section is the same as that shown in FIG. 3, 1 a denotes a fixed electrode, 2 denotes a movable electrode, and a glass substrate is used as the first substrate 5. A second glass substrate 11 (hereinafter, referred to as a glass substrate 11) covering the entire chip
Are joined by anodic bonding. Before joining the glass substrate 11 and the movable electrode 2, the glass substrate 11
A thin beam 13a having a thickness of 60 μm and a beam width of 100 μm is formed along a boundary of the surface opposite to the joint surface with the movable electrode 2 with the adjacent actuator. The structure 13 is bonded by anodic bonding, and after bonding the silicon structure 13, the glass substrate 11 is diced to form a space 15 along the boundary. The planar shape of the silicon structure 13 is a lattice or mesh that covers the chip boundary. That is, the glass substrate 11 is connected to the glass substrate 1 of the actuator formed adjacently through the silicon structure 13.
1 and is joined to the movable electrode on the first substrate 5 on which a number of actuators are formed in this state. It should be noted that an isotope electrode 12 is formed on the glass substrate 11 at a position facing the fixed electrode.
【００４３】第一基板５となるガラス基板及びアクチュ
エータを構成するシリコンウェハはいずれも４インチの
大きさのものを用い、１チップの大きさ２ｍｍ角の同一
構成のアクチュエータが１０００チップ形成される。前
記第一基板５には、シリコンウェハとの陽極接合の前
に、ダイシングによって切断溝１４が、隣接するアクチ
ュエータとの境界に沿って、固定電極接着面の反対面に
形成されている。つまり、各チップは、周囲に形成され
ている多数のチップと切断溝１４を隔ててつながってい
る。電極部とガラス基板とは陽極接合で接合されてい
る。ガラス基板１１のアクチュエータ部の周囲にはダイ
シングによって切断された空間１５が形成されており、
各チップのガラス基板１１は、シリコン構造体１３の薄
い梁１３aを介して、周囲に形成されている多数のチッ
プのガラス基板１１とつながっている。The glass substrate serving as the first substrate 5 and the silicon wafer constituting the actuator are each 4 inches in size, and 1000 chips of 2 mm square actuators of one chip are formed. Before the anodic bonding with the silicon wafer, a cutting groove 14 is formed on the first substrate 5 along the boundary with the adjacent actuator on the surface opposite to the fixed electrode bonding surface by dicing. That is, each chip is connected to a large number of chips formed around the chip with the cutting groove 14 therebetween. The electrode part and the glass substrate are joined by anodic joining. A space 15 cut by dicing is formed around the actuator portion of the glass substrate 11.
The glass substrate 11 of each chip is connected to the glass substrates 11 of a number of chips formed therearound via thin beams 13a of the silicon structure 13.
【００４４】上記のように形成された構造体は、可動電
極２が第１基板５から浮いた構造体であり、各チップに
分割するために微小な力を加えても破壊しやすい。その
ため、チップを破壊することなく、各チップに分割する
ためには力を加えないで切断する方法が好ましい。本発
明では図６に示す構造体に無理な力を加えずに切断する
方法としてレーザアシストエッチング法を用いてチップ
の切断を行った。切断部は図６に示すシリコン構造体１
３の梁１３aの部分である。エッチング加工はパルスＹ
ＡＧレーザ装置を用いて３フッ化窒素ガス雰囲気中で、
出力６Ｗの条件下で行った。その結果、厚さ６０μｍの
梁１３ａの切断が容易にできた。言うまでもなく、切断
個所はアクチュエータの外周部である。一方、下のガラ
ス基板５は微小な力を加えてもアクチュエータが破壊さ
れることがないため、各チップに分割するための切断は
切断溝１４にそって行った。The structure formed as described above is a structure in which the movable electrode 2 floats from the first substrate 5 and is easily broken even when a small force is applied to divide the chips. Therefore, in order to divide the chips without breaking the chips, a method of cutting without applying force is preferable. In the present invention, the chip shown in FIG. 6 was cut using a laser-assisted etching method as a method for cutting without applying excessive force. The cutting part is the silicon structure 1 shown in FIG.
The third beam 13a. Etching process is pulse Y
In an atmosphere of nitrogen trifluoride gas using an AG laser device,
The test was performed under the condition of an output of 6 W. As a result, the beam 13a having a thickness of 60 μm was easily cut. Needless to say, the cutting point is the outer periphery of the actuator. On the other hand, the lower glass substrate 5 is not broken even when a small force is applied to the actuator.
【００４５】以上のような方法を用いて分離したチップ
の断面を図７に示す。なお、１６はパルスＹＡＧレーザ
装置による切断面を示す。この断面を観察した結果、レ
ーザの熱エネルギーによって破壊されており、無理な力
が加えられた痕跡は確認されなかった。チップサイズに
切断されたアクチュエータの動作確認を行った結果、全
てのチップが正常に駆動した。以上のことより、本発明
は量産性に優れていることが確認された。FIG. 7 shows a cross section of a chip separated by the above method. Reference numeral 16 denotes a section cut by the pulse YAG laser device. As a result of observing this cross section, it was destroyed by the thermal energy of the laser, and no trace of excessive force was confirmed. As a result of confirming the operation of the actuator cut to the chip size, all the chips were normally driven. From the above, it was confirmed that the present invention was excellent in mass productivity.
【００４６】図１０に、本発明のアクチュエータの製造
手順の例を示す。FIG. 10 shows an example of a manufacturing procedure of the actuator of the present invention.
【００４７】本発明の応用例について図８および図９を
用いて説明する。図８は本発明の応用例の一断面図を示
すもので、図７のように形成されたアクチュエータの上
部、すなわち、ガラス基板１１上面はステージ状に形成
されており、かつ、単結晶シリコンを電極に用いている
ため、図８のように搭載物１７を載せてもアクチュエー
タとして駆動させることができる。搭載物１７として
は、は例えば、磁気ディスク装置のスライダ、光ファイ
バ、光デバイス部品などがあり、この他の部品を搭載し
てもよい。なお、搭載物の固定はアクチュエータ上（ガ
ラス基板１１上）のシリコン構造体１３の厚みを利用し
て接着剤１９を隙間に入れて固定することができる。こ
の方法を用いることにより、接着剤１９は外に漏れず、
かつ、搭載物をアクチュエータと平行に固定することが
できる。前記搭載物とアクチュエータとの接合は他の方
法を用いてもよい。An application example of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a cross-sectional view of an application example of the present invention. The upper portion of the actuator formed as shown in FIG. 7, that is, the upper surface of the glass substrate 11 is formed in a stage shape, and single crystal silicon is formed. Since it is used as an electrode, it can be driven as an actuator even if the load 17 is placed as shown in FIG. The mounted object 17 includes, for example, a slider, an optical fiber, and an optical device component of a magnetic disk device, and other components may be mounted. The mounting can be fixed by utilizing the thickness of the silicon structure 13 on the actuator (on the glass substrate 11) with the adhesive 19 inserted in the gap. By using this method, the adhesive 19 does not leak outside,
In addition, the mounted object can be fixed in parallel with the actuator. Other methods may be used for joining the load and the actuator.
【００４８】本発明のアクチュエータを磁気ディスク装
置のスライダに適用した例について図９を用いて説明す
る。軸２４に装着されたロードアーム２３の先端部に本
発明のアクチュエータ２０およびスライダ２１が取り付
けられている。スライダ２１にはヘッドが搭載されてお
り、ディスク２２との間で情報の書き込みおよび読み取
りを行う。以上のように構成することにより、本発明の
アクチュエータ２０に搭載されたスライダ２１は高精度
の位置決めが可能であり、高密度記録を達成させること
ができる。An example in which the actuator of the present invention is applied to a slider of a magnetic disk drive will be described with reference to FIG. The actuator 20 and the slider 21 of the present invention are attached to the tip of the load arm 23 mounted on the shaft 24. A head is mounted on the slider 21 and writes and reads information to and from the disk 22. With the configuration described above, the slider 21 mounted on the actuator 20 of the present invention can perform high-precision positioning and achieve high-density recording.
【００４９】また、本発明のアクチュエータを、可動電
極２の移動方向を９０度ずらして２基重ねあわせること
により、高精度な位置決めができるＸＹステージを提供
することができる。さらに、本発明のアクチュエータは
光ファイバのスイッチング機構，光ファイバの位置合わ
せ機構およびＳＴＭの駆動機構に適用することができ
る。Further, by stacking two actuators of the present invention with the moving direction of the movable electrode 2 shifted by 90 degrees, it is possible to provide an XY stage capable of high-precision positioning. Further, the actuator of the present invention can be applied to an optical fiber switching mechanism, an optical fiber positioning mechanism, and an STM driving mechanism.
【００５０】また、単結晶シリコンを電極材料に用いて
いるため、信頼性が高く、搭載物の重さに適合した各種
サイズのアクチュエータを提供することが可能である。Further, since single-crystal silicon is used for the electrode material, it is possible to provide actuators of various sizes which are highly reliable and are suitable for the weight of the load.
【００５１】[0051]
【発明の効果】本発明のアクチュエータによれば、材料
に単結晶シリコンを用いているため、量産性に優れてお
り、アクチュエータの駆動変位量および大きさを自由に
コントロールすることが可能な信頼性の高いアクチュエ
ータを提供できる。According to the actuator of the present invention, since single crystal silicon is used as the material, the mass production is excellent, and the reliability in which the driving displacement and the size of the actuator can be freely controlled. Actuator with high performance can be provided.
【図１】本発明の一実施例の平面構造を示す平面図であ
る。FIG. 1 is a plan view showing a planar structure according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ’線での断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG.
【図３】本発明の他の実施例を示す平面図と断面図であ
る。FIG. 3 is a plan view and a sectional view showing another embodiment of the present invention.
【図４】図３に示す実施例の配線を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the wiring of the embodiment shown in FIG.
【図５】図４に示す実施例の断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view of the embodiment shown in FIG.
【図６】同一基板上に複数のアクチュエータを形成した
場合の本発明の実施例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing an embodiment of the present invention when a plurality of actuators are formed on the same substrate.
【図７】図６に示す複数のアクチュエータを分離した状
態を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state where a plurality of actuators shown in FIG. 6 are separated.
【図８】本発明の応用例を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing an application example of the present invention.
【図９】本発明の他の応用例を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing another application example of the present invention.
【図１０】本発明に係る製造手順の例を示す手順図であ
る。FIG. 10 is a flowchart showing an example of a manufacturing procedure according to the present invention.
1a、1b 固定電極 ２ 可動電極 ３ 固定端 ４，４Ａ 梁（両持ち梁） ５ 第一基板 ６ 突起部 ７ 駆動方向 ８ 基板 ９ 側壁 10 パッド 11 ガラス基板 12 同位電極 13 シリコン構造体 14 切断溝 15 空間 16 破断面 17 搭載物 18 電極 19 接着剤 20 アクチュエータ 21 スライダ 22 ディスク 23 ロードアーム 24 軸 25 縦梁 1a, 1b Fixed electrode 2 Movable electrode 3 Fixed end 4, 4A beam (double-supported beam) 5 First substrate 6 Projection 7 Drive direction 8 Substrate 9 Side wall 10 Pad 11 Glass substrate 12 Isotope electrode 13 Silicon structure 14 Cutting groove 15 Space 16 Fracture surface 17 Load 18 Electrode 19 Adhesive 20 Actuator 21 Slider 22 Disk 23 Load arm 24 Axis 25 Vertical beam
Claims (8)
定電極と、該固定電極の櫛歯状の電極に対向する櫛歯状
の電極を備え、該固定電極に対して相対的に移動可能に
配置された可動電極を有し、両電極間に電位差を与える
ことによって発生する静電気力を利用して可動電極を前
記固定電極に対して相対的に移動させるアクチュエータ
において、前記可動電極は該可動電極を前記基板に結合
する固定端を含んで一体構造に形成され、かつ、前記固
定電極は前記可動電極を挟んでその両側に対をなして配
置されると共に、前記可動電極の移動方向に分割され、
電気的に互いに絶縁された少なくとも二対からなり、前
記固定電極および可動電極に単結晶シリコンを用い、前
記可動電極の移動方向を前記櫛歯の長手方向にしたこと
を特徴とする静電アクチュエータ。A fixed electrode fixed to a substrate and having a comb-shaped electrode; and a comb-shaped electrode opposed to the comb-shaped electrode of the fixed electrode, and relatively to the fixed electrode. An actuator having a movable electrode movably disposed, the movable electrode being moved relative to the fixed electrode using an electrostatic force generated by applying a potential difference between the two electrodes, wherein the movable electrode is The movable electrode is formed in an integrated structure including a fixed end for coupling to the substrate, and the fixed electrodes are arranged in pairs on both sides of the movable electrode, and the moving direction of the movable electrode Divided into
An electrostatic actuator comprising at least two pairs electrically insulated from each other, using single crystal silicon for the fixed electrode and the movable electrode, and moving the movable electrode in the longitudinal direction of the comb teeth.
少なくとも１対の固定電極は、他の対の固定電極とは反
対の方向に可動電極を駆動するものであることを特徴と
する請求項１に記載の静電アクチュエータ。2. The at least two pairs of fixed electrodes,
The electrostatic actuator according to claim 1, wherein at least one pair of fixed electrodes drives the movable electrode in a direction opposite to the other pair of fixed electrodes.
る方向に配置され両端が前記基板に固定された梁に結合
されて支持されていることを特徴とする請求項１または
２に記載の静電アクチュエータ。3. The movable electrode according to claim 1, wherein the movable electrode is arranged in a direction orthogonal to a moving direction of the movable electrode, and both ends are supported by being connected to a beam fixed to the substrate. Electrostatic actuator.
電極が結合された基板はガラス基板であり、それら固定
及び結合は陽極接合によるものであり、かつ、前記可動
電極の固定端が前記ガラス基板と結合された側の面の反
対面には、前記ガラス基板と別のガラス基板が陽極接合
によって固定されていることを特徴とする請求項１乃至
請求項３のいずれかに記載の静電アクチュエータ。4. The substrate to which the fixed electrode is fixed and to which the movable electrode is coupled is a glass substrate, the fixation and the coupling are performed by anodic bonding, and the fixed end of the movable electrode is connected to the glass substrate. The electrostatic actuator according to any one of claims 1 to 3, wherein a glass substrate and another glass substrate are fixed by anodic bonding to a surface opposite to a surface coupled to the glass substrate. .
記固定電極および可動電極の周囲を囲む側壁を設けたこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載
の静電アクチュエータ。5. The electrostatic device according to claim 1, wherein a side wall surrounding the fixed electrode and the movable electrode is provided on a substrate surface to which the fixed electrode is fixed. Actuator.
るロードアームと、該ロードアームの先端に装着された
アクチュエータと、該アクチュエータに装着されたスラ
イダと、該スライダに装着されてディスクとの間で情報
の読みだし、書き込みを行うヘッドと、を含んでなり、
前記アクチュエータは前記ヘッドをロードアームの回転
の接線方向に移動させるものである磁気ディスク装置に
おいて、前記アクチュエータが、請求項１乃至５のいず
れかに記載の静電アクチュエータであることを特徴とす
る磁気ディスク装置。6. A load arm mounted on a shaft and driven to rotate by the shaft, an actuator mounted on a tip of the load arm, a slider mounted on the actuator, and a disk mounted on the slider. And a head for reading and writing information between the
6. A magnetic disk drive in which the actuator moves the head in a tangential direction of rotation of a load arm, wherein the actuator is the electrostatic actuator according to any one of claims 1 to 5. Disk device.
定電極と、該固定電極の櫛歯状の電極に対向する櫛歯状
の電極を備え、該固定電極に対して相対的に移動可能に
配置された可動電極を有し、両電極間に電位差を与える
ことによって発生する静電気力を利用して可動電極を前
記固定電極に対して相対的に移動させる静電アクチュエ
ータを製造する方法において、シリコンウェハの両面に
熱酸化膜を形成する手順と、該熱酸化膜が形成されたシ
リコンウェハの両面から、第１のガラス基板が接合され
る部分を残して所定の厚みだけエッチング除去する手順
と、第１のガラス基板に所要の電気配線を設ける手順
と、前記電気配線が設けられた第１のガラス基板に、前
記両面を所定の厚みだけエッチング除去したシリコンウ
ェハを陽極接合する手順と、前記陽極接合されたシリコ
ンウェハをホトリソプロセスにより加工して固定電極と
可動電極を形成する手順と、前記可動電極の第１の基板
に対向する側と反対側の面に第２のガラス基板を陽極接
合する手順と、を含んでなることを特徴とする静電アク
チュエータ製造方法。7. A fixed electrode fixed to a substrate and provided with a comb-shaped electrode, and a comb-shaped electrode opposed to the comb-shaped electrode of the fixed electrode, wherein the fixed electrode is disposed relatively to the fixed electrode. A method of manufacturing an electrostatic actuator having a movable electrode movably arranged and moving the movable electrode relative to the fixed electrode using an electrostatic force generated by applying a potential difference between the two electrodes And a step of forming a thermal oxide film on both surfaces of the silicon wafer, and etching and removing a predetermined thickness from both surfaces of the silicon wafer on which the thermal oxide film is formed, leaving a portion where the first glass substrate is bonded. A procedure for providing required electrical wiring on the first glass substrate, and a procedure for anodically bonding a silicon wafer having both surfaces etched away by a predetermined thickness to the first glass substrate provided with the electrical wiring. Forming a fixed electrode and a movable electrode by processing the anodically bonded silicon wafer by a photolithography process; and forming a second electrode on a surface of the movable electrode opposite to a side facing the first substrate. A method of anodically bonding a glass substrate.
ュエータを構成する大きさであり、第１のガラス基板に
シリコンウェハを陽極接合する前に、該第１のガラス基
板の電気配線が設けられる面の反対面に、アクチュエー
タの境界となる線に沿って切断溝が形成されることと、
第２のガラス基板を可動電極に陽極接合する前に、該第
２のガラス基板の可動電極に陽極接合される面の反対側
の面に、アクチュエータの境界となる線上に、所定の幅
のシリコン構造体が接合され、次いで該境界となる線に
沿って第２のガラス基板が切断される、ことを特徴とす
る請求項７に記載の静電アクチュエータ製造方法。8. The first and second glass substrates are sized to form a plurality of actuators, and before the anodic bonding of the silicon wafer to the first glass substrate, the electric wiring of the first glass substrate is reduced. A cutting groove is formed on a surface opposite to the surface provided along a boundary line of the actuator,
Before the anodic bonding of the second glass substrate to the movable electrode, a silicon of a predetermined width is placed on a line on the opposite side of the surface of the second glass substrate to be anodically bonded to the movable electrode, on a line serving as a boundary of the actuator. The method according to claim 7, wherein the structures are joined, and then the second glass substrate is cut along the boundary line.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15085198A JP3533514B2 (en) | 1998-06-01 | 1998-06-01 | Electrostatic actuator and manufacturing method thereof |
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ID=15505770
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|---|---|
| JP (1) | JP3533514B2 (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359980A (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Miura Hidemi | Parallel-flat-plate-type static actuator, head slider, head assembling unit, and magnetic disc device |
| WO2004009240A1 (en) | 2002-07-22 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Component separating device, method of manufacturing the device, and method of separating fine solid component by using the device |
| US7339383B2 (en) | 2004-07-16 | 2008-03-04 | Aoi Electronics Co., Ltd. | Nanogripper device having length measuring function and method for length measurement executed with nanogripper device having length measuring function |
| US7489143B2 (en) | 2004-07-16 | 2009-02-10 | Aoi Electronics Co., Ltd. | Nanogripper device and method for detecting that a sample is gripped by nanogripper device |
| US7545595B2 (en) | 2002-08-09 | 2009-06-09 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic disk apparatus having an adjustable mechanism to compensate write or heat element for off-tracking position with yaw angle |
| KR101060293B1 (en) | 2009-01-16 | 2011-08-29 | (주)티넷 | Electricity supply device of vertical wind power generator |
-
1998
- 1998-06-01 JP JP15085198A patent/JP3533514B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359980A (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Miura Hidemi | Parallel-flat-plate-type static actuator, head slider, head assembling unit, and magnetic disc device |
| WO2004009240A1 (en) | 2002-07-22 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Component separating device, method of manufacturing the device, and method of separating fine solid component by using the device |
| US7018545B2 (en) | 2002-07-22 | 2006-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Component separating device, method of manufacturing the device, and method of separating fine solid component by using the device |
| US7545595B2 (en) | 2002-08-09 | 2009-06-09 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic disk apparatus having an adjustable mechanism to compensate write or heat element for off-tracking position with yaw angle |
| US7339383B2 (en) | 2004-07-16 | 2008-03-04 | Aoi Electronics Co., Ltd. | Nanogripper device having length measuring function and method for length measurement executed with nanogripper device having length measuring function |
| US7489143B2 (en) | 2004-07-16 | 2009-02-10 | Aoi Electronics Co., Ltd. | Nanogripper device and method for detecting that a sample is gripped by nanogripper device |
| KR101060293B1 (en) | 2009-01-16 | 2011-08-29 | (주)티넷 | Electricity supply device of vertical wind power generator |
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| JP3533514B2 (en) | 2004-05-31 |
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