JPH11335445A - エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置Info
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- JPH11335445A JPH11335445A JP16292798A JP16292798A JPH11335445A JP H11335445 A JPH11335445 A JP H11335445A JP 16292798 A JP16292798 A JP 16292798A JP 16292798 A JP16292798 A JP 16292798A JP H11335445 A JPH11335445 A JP H11335445A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スプレー式の外部離型剤を使用することなく
成形体の金型離型性を向上して連続成形することができ
ると共に白濁がなく優れた透明性を有する成形体を得る
ことができ、また成形体の素子及びリードフレームとの
密着性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及
び炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ
化物を含む。この第一級アルコールのエトキシ化物をエ
ポキシ樹脂組成物全量に対して0.05〜5wt%含有
する。骨格中に下記一般式(1)に示す単位構造を有す
るエポキシ樹脂等のうちの、少なくとも一種のものを含
有する。 【化1】
成形体の金型離型性を向上して連続成形することができ
ると共に白濁がなく優れた透明性を有する成形体を得る
ことができ、また成形体の素子及びリードフレームとの
密着性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及
び炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ
化物を含む。この第一級アルコールのエトキシ化物をエ
ポキシ樹脂組成物全量に対して0.05〜5wt%含有
する。骨格中に下記一般式(1)に示す単位構造を有す
るエポキシ樹脂等のうちの、少なくとも一種のものを含
有する。 【化1】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、LED、フォトト
ランジスター、フォトダイオード、CCD、EPROM
等の光半導体素子を封止するために用いられるトランス
ファーモールド用のエポキシ樹脂組成物、及びこのエポ
キシ樹脂組成物にて封止された光半導体装置に関するも
のである。
ランジスター、フォトダイオード、CCD、EPROM
等の光半導体素子を封止するために用いられるトランス
ファーモールド用のエポキシ樹脂組成物、及びこのエポ
キシ樹脂組成物にて封止された光半導体装置に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】発光素子、受光素子等の光半導体の樹脂
封止を行って光半導体装置の製造を行う際の封止材料と
しては、透明性、密着性、耐湿性、電気絶縁性、耐熱性
等に優れる点から、エポキシ樹脂組成物が主として用い
られており、エポキシ樹脂組成物のトランスファーモー
ルドにより成形した成形体を封止樹脂とし、この封止樹
脂により光半導体を封止する樹脂封止は、作業性及び量
産性の面で優れている。このトランスファーモールドに
よる樹脂封止に用いられるエポキシ樹脂組成物は、成形
体の金型からの離型性を向上させるために一般に離型剤
が配合されている。ここで、光半導体用の封止材は透明
性が重要視されるため、光半導体封止用のエポキシ樹脂
組成物に用いられる離型剤はこのエポキシ樹脂組成物と
相溶する必要があり、そのため従来の技術では離型効果
の少ないエポキシ樹脂組成物しか得ることができず、離
型剤の添加量も少量に限定されるものであった。このた
めエポキシ樹脂組成物のトランスファーモールドにて封
止材を成形して光半導体装置の封止を行う際は、一般に
成形体の離型性を確保するために、あらかじめフッ素系
又はシリコーン系のスプレー方式の外部離型剤を成形用
の金型に吹き付けていた。
封止を行って光半導体装置の製造を行う際の封止材料と
しては、透明性、密着性、耐湿性、電気絶縁性、耐熱性
等に優れる点から、エポキシ樹脂組成物が主として用い
られており、エポキシ樹脂組成物のトランスファーモー
ルドにより成形した成形体を封止樹脂とし、この封止樹
脂により光半導体を封止する樹脂封止は、作業性及び量
産性の面で優れている。このトランスファーモールドに
よる樹脂封止に用いられるエポキシ樹脂組成物は、成形
体の金型からの離型性を向上させるために一般に離型剤
が配合されている。ここで、光半導体用の封止材は透明
性が重要視されるため、光半導体封止用のエポキシ樹脂
組成物に用いられる離型剤はこのエポキシ樹脂組成物と
相溶する必要があり、そのため従来の技術では離型効果
の少ないエポキシ樹脂組成物しか得ることができず、離
型剤の添加量も少量に限定されるものであった。このた
めエポキシ樹脂組成物のトランスファーモールドにて封
止材を成形して光半導体装置の封止を行う際は、一般に
成形体の離型性を確保するために、あらかじめフッ素系
又はシリコーン系のスプレー方式の外部離型剤を成形用
の金型に吹き付けていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記のように外
部離型剤を用いるものとすると、連続成形性が悪化して
生産効率の低下を招いたり、成形体表面に付着する離型
剤成分の厚みのばらつきが光半導体装置の特性ばらつき
の原因となったりするものであり、また外部離型剤のコ
ストもかかるものであった。また更には外部離型剤に含
まれる溶剤が環境に及ぼす影響も懸念されるものであっ
た。
部離型剤を用いるものとすると、連続成形性が悪化して
生産効率の低下を招いたり、成形体表面に付着する離型
剤成分の厚みのばらつきが光半導体装置の特性ばらつき
の原因となったりするものであり、また外部離型剤のコ
ストもかかるものであった。また更には外部離型剤に含
まれる溶剤が環境に及ぼす影響も懸念されるものであっ
た。
【0004】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、フッ素系、シリコーン系等のスプレー式の外部離
型剤を使用することなく成形体の金型離型性を向上して
連続成形することができると共に白濁がなく優れた透明
性を有する成形体を得ることができ、更に成形体の金型
からの脱型時における耐クラック性及びバリ取り工程に
おける耐クラック性に優れ、また成形体の素子及びリー
ドフレームとの密着性に優れたエポキシ樹脂組成物及び
このエポキシ樹脂組成物にて封止された光半導体装置を
提供することを目的とするものである。
あり、フッ素系、シリコーン系等のスプレー式の外部離
型剤を使用することなく成形体の金型離型性を向上して
連続成形することができると共に白濁がなく優れた透明
性を有する成形体を得ることができ、更に成形体の金型
からの脱型時における耐クラック性及びバリ取り工程に
おける耐クラック性に優れ、また成形体の素子及びリー
ドフレームとの密着性に優れたエポキシ樹脂組成物及び
このエポキシ樹脂組成物にて封止された光半導体装置を
提供することを目的とするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化
促進剤、及び炭素数18以上の直鎖状第一級アルコール
のエトキシ化物を含み、炭素数18以上の直鎖状第一級
アルコールのエトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に
対して0.05〜5wt%含有するエポキシ樹脂組成物
において、骨格中に下記一般式(1)に示す単位構造を
有するエポキシ樹脂、下記一般式(2)に示す硬化剤、
及び下記一般式(3)に示す硬化剤のうちの、少なくと
も一種のものを含有して成ることを特徴とするものであ
る。
のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化
促進剤、及び炭素数18以上の直鎖状第一級アルコール
のエトキシ化物を含み、炭素数18以上の直鎖状第一級
アルコールのエトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に
対して0.05〜5wt%含有するエポキシ樹脂組成物
において、骨格中に下記一般式(1)に示す単位構造を
有するエポキシ樹脂、下記一般式(2)に示す硬化剤、
及び下記一般式(3)に示す硬化剤のうちの、少なくと
も一種のものを含有して成ることを特徴とするものであ
る。
【0006】
【化5】
【0007】
【化6】
【0008】
【化7】 また本発明の請求項2に記載のエポキシ樹脂組成物は、
請求項1の構成に加えて、骨格中に上記一般式(1)に
示す単位構造を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全
量に対して0.05〜50wt%含有して成ることを特
徴とするものである。
請求項1の構成に加えて、骨格中に上記一般式(1)に
示す単位構造を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全
量に対して0.05〜50wt%含有して成ることを特
徴とするものである。
【0009】また本発明の請求項3に記載のエポキシ樹
脂組成物は、請求項1又は2の構成に加えて、上記一般
式(2)及び(3)に示す硬化剤を硬化剤全量に対して
0.05〜20wt%含有して成ることを特徴とするも
のである。
脂組成物は、請求項1又は2の構成に加えて、上記一般
式(2)及び(3)に示す硬化剤を硬化剤全量に対して
0.05〜20wt%含有して成ることを特徴とするも
のである。
【0010】また本発明の請求項4に記載のエポキシ樹
脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び
炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化
物を含み、炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールの
エトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に対して0.0
5〜5wt%含有するエポキシ樹脂組成物において、下
記一般式(4)に示す化合物を含んで成ることを特徴と
するものである。
脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び
炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化
物を含み、炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールの
エトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に対して0.0
5〜5wt%含有するエポキシ樹脂組成物において、下
記一般式(4)に示す化合物を含んで成ることを特徴と
するものである。
【0011】
【化8】 また本発明の請求項5に記載のエポキシ樹脂組成物は、
請求項4の構成に加えて、上記一般式(4)に示す化合
物を、エポキシ樹脂組成物全量に対して0.01〜3w
t%含有して成ることを特徴とするものである。
請求項4の構成に加えて、上記一般式(4)に示す化合
物を、エポキシ樹脂組成物全量に対して0.01〜3w
t%含有して成ることを特徴とするものである。
【0012】また本発明の請求項6に記載のエポキシ樹
脂組成物は、請求項1乃至5のいずれかの構成に加え
て、上記硬化促進剤としてジアザビシクロアルケン類又
はその誘導体、並びにテトラ置換ホスホニウム・テトラ
置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有して成
ることを特徴とするものである。
脂組成物は、請求項1乃至5のいずれかの構成に加え
て、上記硬化促進剤としてジアザビシクロアルケン類又
はその誘導体、並びにテトラ置換ホスホニウム・テトラ
置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有して成
ることを特徴とするものである。
【0013】また本発明の請求項7に記載のエポキシ樹
脂組成物は、請求項1乃至5のいずれかの構成に加え
て、上記硬化促進剤としてテトラ置換アンモニウム・カ
ルボン酸塩、及びテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換
ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有して成るこ
とを特徴とするものである。
脂組成物は、請求項1乃至5のいずれかの構成に加え
て、上記硬化促進剤としてテトラ置換アンモニウム・カ
ルボン酸塩、及びテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換
ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有して成るこ
とを特徴とするものである。
【0014】また本発明の請求項8に記載のエポキシ樹
脂は、請求項6のいずれかの構成に加えて、ジアザビシ
クロアルケン類又はその誘導体を、テトラ置換ホスホニ
ウム・テトラ置換ブロマイドに対して1/99〜99/
1の重量比で含有して成ることを特徴とするものであ
る。
脂は、請求項6のいずれかの構成に加えて、ジアザビシ
クロアルケン類又はその誘導体を、テトラ置換ホスホニ
ウム・テトラ置換ブロマイドに対して1/99〜99/
1の重量比で含有して成ることを特徴とするものであ
る。
【0015】また本発明の請求項9に記載のエポキシ樹
脂組成物は、請求項7の構成に加えて、テトラ置換アン
モニウム・カルボン酸塩をテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ブロマイドに対して1/99〜99/1の重量
比で含有して成ることを特徴とするものである。
脂組成物は、請求項7の構成に加えて、テトラ置換アン
モニウム・カルボン酸塩をテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ブロマイドに対して1/99〜99/1の重量
比で含有して成ることを特徴とするものである。
【0016】また本発明の請求項10に記載の光半導体
装置は、エポキシ樹脂組成物は、請求項1乃至9のいず
れかのエポキシ樹脂組成物にて封止されて成ることを特
徴とするものである。
装置は、エポキシ樹脂組成物は、請求項1乃至9のいず
れかのエポキシ樹脂組成物にて封止されて成ることを特
徴とするものである。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【0018】本発明のエポキシ樹脂組成物は、エポキシ
樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び炭素数18以上の直鎖
状第一級アルコールのエトキシ化物を含むものである。
樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び炭素数18以上の直鎖
状第一級アルコールのエトキシ化物を含むものである。
【0019】上記の炭素数18以上の直鎖状第一級アル
コールのエトキシ化物としては、下記一般式(5)で示
されるようなものを用いることができ、この直鎖状第一
級アルコールのエトキシ化物は離型剤として作用すると
共に、他の離型成分をエポキシ樹脂組成物中に分散させ
る分散剤として作用するものである。この直鎖状第一級
アルコールのエトキシ化物の炭素数の上限は、200と
するのが好ましい。尚、式(5)中のn,mは正の整数
を示すものである。
コールのエトキシ化物としては、下記一般式(5)で示
されるようなものを用いることができ、この直鎖状第一
級アルコールのエトキシ化物は離型剤として作用すると
共に、他の離型成分をエポキシ樹脂組成物中に分散させ
る分散剤として作用するものである。この直鎖状第一級
アルコールのエトキシ化物の炭素数の上限は、200と
するのが好ましい。尚、式(5)中のn,mは正の整数
を示すものである。
【0020】 CH3CH2(CH2)n(CH2CH2O)mH (5) ここで他の離型剤成分としては、特に限定するものでは
ないが、例えばラウリン酸アマイド等の飽和脂肪酸モノ
アマイド類、オレイン酸アマイド等の不飽和脂肪酸モノ
アマイド類、N−スレアリン酸アマイド等の置換アマイ
ド類、メチロールステアリン酸アマイド等のメチロール
アマイド類、メチレンビスステアリン酸アマイド等の飽
和脂肪酸ビスアマイド類、エチレンビスオレイン酸アマ
イド等の不飽和脂肪酸ビスアマイド類、m−キシレンビ
スステアリン酸アマイド等の芳香族系ビスアマイド類等
の脂肪酸アマイド等が、エポキシ樹脂組成物への相溶性
が良好な点で好ましく、これらのものを単独で、あるい
は二種以上を適宜組み合わせて炭素数18以上の直鎖状
第一級アルコールのエトキシ化物と共にエポキシ樹脂組
成物に含有させることができる。
ないが、例えばラウリン酸アマイド等の飽和脂肪酸モノ
アマイド類、オレイン酸アマイド等の不飽和脂肪酸モノ
アマイド類、N−スレアリン酸アマイド等の置換アマイ
ド類、メチロールステアリン酸アマイド等のメチロール
アマイド類、メチレンビスステアリン酸アマイド等の飽
和脂肪酸ビスアマイド類、エチレンビスオレイン酸アマ
イド等の不飽和脂肪酸ビスアマイド類、m−キシレンビ
スステアリン酸アマイド等の芳香族系ビスアマイド類等
の脂肪酸アマイド等が、エポキシ樹脂組成物への相溶性
が良好な点で好ましく、これらのものを単独で、あるい
は二種以上を適宜組み合わせて炭素数18以上の直鎖状
第一級アルコールのエトキシ化物と共にエポキシ樹脂組
成物に含有させることができる。
【0021】ここで炭素数18以上の直鎖状第一級アル
コールのエトキシ化物の配合量は、エポキシ樹脂組成物
全量に対して0.05〜5wt%とするものであり、配
合量が0.05wt%に満たないと充分な成形体の離型
性が得られないおそれがあり、5wt%を超えると成形
体の白濁の発生、成形体と素子やリードフレーム等との
密着性の低下、エポキシ樹脂組成物にて封止されてなる
半導体装置の耐湿信頼性の低下、成形体の強度低下によ
る成形体の耐クラック性低下等の問題が生じるおそれが
ある。
コールのエトキシ化物の配合量は、エポキシ樹脂組成物
全量に対して0.05〜5wt%とするものであり、配
合量が0.05wt%に満たないと充分な成形体の離型
性が得られないおそれがあり、5wt%を超えると成形
体の白濁の発生、成形体と素子やリードフレーム等との
密着性の低下、エポキシ樹脂組成物にて封止されてなる
半導体装置の耐湿信頼性の低下、成形体の強度低下によ
る成形体の耐クラック性低下等の問題が生じるおそれが
ある。
【0022】エポキシ樹脂としては、一分子中に二個以
上のエポキシ樹脂を有するものであれば特に限定するも
のではないが、本発明のエポキシ樹脂組成物を光半導体
の封止用に用いるためには比較的着色の少ないものが好
ましく、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビス
フェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポ
キシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレ
ート、脂肪族系エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの
エポキシ樹脂は、単独で、あるいは二種以上を適宜混合
して用いることができる。
上のエポキシ樹脂を有するものであれば特に限定するも
のではないが、本発明のエポキシ樹脂組成物を光半導体
の封止用に用いるためには比較的着色の少ないものが好
ましく、例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビス
フェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポ
キシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、脂環式エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレ
ート、脂肪族系エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの
エポキシ樹脂は、単独で、あるいは二種以上を適宜混合
して用いることができる。
【0023】特に本発明のエポキシ樹脂組成物に上記一
般式(1)に示すような硫黄原子を含む単位構造を、骨
格構造中に有するエポキシ樹脂を含有させると、エポキ
シ樹脂組成物にて成形体を成形する際に成型用の金型に
あらかじめフッ素系又はシリコーン系のスプレー方式の
外部離型剤を吹き付けなくても成形体の金型との離型性
を向上することができ、外部離型剤のコストを削減して
製造コストを削減すると共に外部離型剤に含まれる溶剤
による環境汚染を防止し、かつ連続成形性を向上して生
産効率を向上すると共に成形体と素子やリードフレーム
等との密着性を向上することができるものである。また
成形体を光半導体装置の封止樹脂として用いる際に成形
体表面に外部離型剤が付着して離型剤成分の厚みのばら
つきが生じるようなことがなく、光半導体装置の特性ば
らつきの発生を抑制することができるものである。また
成形体の白濁の発生を防止して光透過性を向上すること
ができるものである。
般式(1)に示すような硫黄原子を含む単位構造を、骨
格構造中に有するエポキシ樹脂を含有させると、エポキ
シ樹脂組成物にて成形体を成形する際に成型用の金型に
あらかじめフッ素系又はシリコーン系のスプレー方式の
外部離型剤を吹き付けなくても成形体の金型との離型性
を向上することができ、外部離型剤のコストを削減して
製造コストを削減すると共に外部離型剤に含まれる溶剤
による環境汚染を防止し、かつ連続成形性を向上して生
産効率を向上すると共に成形体と素子やリードフレーム
等との密着性を向上することができるものである。また
成形体を光半導体装置の封止樹脂として用いる際に成形
体表面に外部離型剤が付着して離型剤成分の厚みのばら
つきが生じるようなことがなく、光半導体装置の特性ば
らつきの発生を抑制することができるものである。また
成形体の白濁の発生を防止して光透過性を向上すること
ができるものである。
【0024】ここでこのエポキシ樹脂は一般式(1)に
示す単位構造を50〜80重量%の割合で含むようにす
ることが好ましい。また式(1)中のR1、R2、R3、
R4は、−H、あるいは−CH3、−CH2CH3、−CH
2CH2CH3、−CH(CH3)CH3等の、炭素数1〜
12の一価又は二価の炭化水素基を示すものである。
示す単位構造を50〜80重量%の割合で含むようにす
ることが好ましい。また式(1)中のR1、R2、R3、
R4は、−H、あるいは−CH3、−CH2CH3、−CH
2CH2CH3、−CH(CH3)CH3等の、炭素数1〜
12の一価又は二価の炭化水素基を示すものである。
【0025】また上記一般式(1)に示すような硫黄原
子を含む単位構造を骨格構造中に有するエポキシ樹脂
を、エポキシ樹脂組成物総量に対して0.05〜50w
t%の割合で配合すると、本発明のエポキシ樹脂組成物
を用いてトランスファー成形にて半導体を封止して半導
体装置を製造する際、成形された封止樹脂と素子及びリ
ードフレームとの間の密着性が更に向上すると共に、半
導体装置の耐湿信頼性を更に向上することができるもの
である。
子を含む単位構造を骨格構造中に有するエポキシ樹脂
を、エポキシ樹脂組成物総量に対して0.05〜50w
t%の割合で配合すると、本発明のエポキシ樹脂組成物
を用いてトランスファー成形にて半導体を封止して半導
体装置を製造する際、成形された封止樹脂と素子及びリ
ードフレームとの間の密着性が更に向上すると共に、半
導体装置の耐湿信頼性を更に向上することができるもの
である。
【0026】硬化剤としては、エポキシ樹脂と反応する
ものであれば特に限定するものではないが、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物を光半導体の封止用に用いるためには
比較的着色の少ないものが好ましく、例えば無水ヘキサ
ヒドロフタル酸等の酸無水物、フェノール、クレゾー
ル、キシレノール、レゾールシン等とホルムアルデヒド
とを縮合反応させて得られるノボラック型フェノール樹
脂、液状ポリメルカプタン、ポリサルファイド樹脂等の
ポリメルカプタン系硬化剤等を挙げることができる。ま
たこの他にアミン系硬化剤を挙げることができるが、ア
ミン系硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物は硬化時の
変色が大きいため使用する際には添加量等に注意を要す
る。これらの硬化剤は、単独で、あるいは二種以上を適
宜組み合わせて用いることができる。ここで硬化剤の配
合割合は、エポキシ樹脂に対する硬化剤の当量比が0.
8〜1.2となるようにするのが好ましい。
ものであれば特に限定するものではないが、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物を光半導体の封止用に用いるためには
比較的着色の少ないものが好ましく、例えば無水ヘキサ
ヒドロフタル酸等の酸無水物、フェノール、クレゾー
ル、キシレノール、レゾールシン等とホルムアルデヒド
とを縮合反応させて得られるノボラック型フェノール樹
脂、液状ポリメルカプタン、ポリサルファイド樹脂等の
ポリメルカプタン系硬化剤等を挙げることができる。ま
たこの他にアミン系硬化剤を挙げることができるが、ア
ミン系硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物は硬化時の
変色が大きいため使用する際には添加量等に注意を要す
る。これらの硬化剤は、単独で、あるいは二種以上を適
宜組み合わせて用いることができる。ここで硬化剤の配
合割合は、エポキシ樹脂に対する硬化剤の当量比が0.
8〜1.2となるようにするのが好ましい。
【0027】特に硬化剤として上記一般式(2)、
(3)に示すような硫黄原子を骨格構造に有する化合物
を単独で、あるいは併用して用いると、上記一般式
(1)に示すような硫黄原子を含む単位構造を、骨格構
造中に有するエポキシ樹脂を含有させた場合と同様に、
エポキシ樹脂組成物にて成形体を成形する際に成型用の
金型にあらかじめフッ素系又はシリコーン系のスプレー
方式の外部離型剤を吹き付けなくても成形体の金型との
離型性を向上することができ、外部離型剤のコストを削
減して製造コストを削減すると共に外部離型剤に含まれ
る溶剤による環境汚染を防止し、かつ連続成形性を向上
して生産効率を向上すると共に成形体と素子やリードフ
レーム等との密着性を向上することができるものであ
る。また成形体を光半導体装置の封止樹脂として用いる
際に成形体表面に外部離型剤が付着して離型剤成分の厚
みのばらつきが生じるようなことがなく、光半導体装置
の特性ばらつきの発生を抑制することができるものであ
る。また成形体の白濁の発生を防止して光透過性を向上
することができるものである。
(3)に示すような硫黄原子を骨格構造に有する化合物
を単独で、あるいは併用して用いると、上記一般式
(1)に示すような硫黄原子を含む単位構造を、骨格構
造中に有するエポキシ樹脂を含有させた場合と同様に、
エポキシ樹脂組成物にて成形体を成形する際に成型用の
金型にあらかじめフッ素系又はシリコーン系のスプレー
方式の外部離型剤を吹き付けなくても成形体の金型との
離型性を向上することができ、外部離型剤のコストを削
減して製造コストを削減すると共に外部離型剤に含まれ
る溶剤による環境汚染を防止し、かつ連続成形性を向上
して生産効率を向上すると共に成形体と素子やリードフ
レーム等との密着性を向上することができるものであ
る。また成形体を光半導体装置の封止樹脂として用いる
際に成形体表面に外部離型剤が付着して離型剤成分の厚
みのばらつきが生じるようなことがなく、光半導体装置
の特性ばらつきの発生を抑制することができるものであ
る。また成形体の白濁の発生を防止して光透過性を向上
することができるものである。
【0028】ここで式(2)中のR5、R6、R7は、−
(CH2)n−で示され、nの値が1〜12である一価の
炭化水素基を示すものである。また一般式(3)中のn
の値の上限は、50とするのが好ましい。
(CH2)n−で示され、nの値が1〜12である一価の
炭化水素基を示すものである。また一般式(3)中のn
の値の上限は、50とするのが好ましい。
【0029】また一般式(2)又は(3)に示す化合物
を単独で用いる場合は一般式(2)又は(3)に示す化
合物を全硬化剤成分の総量に対して0.05〜20wt
%の割合で用い、一般式(2)及び(3)に示す化合物
を併用する場合は一般式(2)及び(3)に示す化合物
の合計量を全硬化剤成分の総量に対して0.05〜20
wt%の割合とすると、本発明のエポキシ樹脂組成物を
用いてトランスファー成形にて半導体を封止して半導体
装置を製造する際、成形された封止樹脂と素子及びリー
ドフレームとの間の密着性が更に向上すると共に、半導
体装置の耐湿信頼性を更に向上することができるもので
ある。
を単独で用いる場合は一般式(2)又は(3)に示す化
合物を全硬化剤成分の総量に対して0.05〜20wt
%の割合で用い、一般式(2)及び(3)に示す化合物
を併用する場合は一般式(2)及び(3)に示す化合物
の合計量を全硬化剤成分の総量に対して0.05〜20
wt%の割合とすると、本発明のエポキシ樹脂組成物を
用いてトランスファー成形にて半導体を封止して半導体
装置を製造する際、成形された封止樹脂と素子及びリー
ドフレームとの間の密着性が更に向上すると共に、半導
体装置の耐湿信頼性を更に向上することができるもので
ある。
【0030】またエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、
及び炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールのエトキ
シ化物を含むエポキシ樹脂組成物に、上記一般式(4)
に示す化合物を配合することもできる。このようにする
と、エポキシ樹脂組成物にて成形体を成形する際に成型
用の金型にあらかじめフッ素系又はシリコーン系のスプ
レー方式の外部離型剤を吹き付けなくても成形体の金型
との離型性を向上することができ、外部離型剤のコスト
を削減して製造コストを削減すると共に外部離型剤に含
まれる溶剤による環境汚染を防止し、かつ連続成形性を
向上して生産効率を向上すると共に成形体と素子やリー
ドフレーム等との密着性を向上することができるもので
ある。また成形体を光半導体装置の封止樹脂として用い
る際に成形体表面に外部離型剤が付着して離型剤成分の
厚みのばらつきが生じるようなことがなく、光半導体装
置の特性ばらつきの発生を抑制することができるもので
ある。また成形体の白濁の発生を防止して光透過性を向
上することができるものである。
及び炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールのエトキ
シ化物を含むエポキシ樹脂組成物に、上記一般式(4)
に示す化合物を配合することもできる。このようにする
と、エポキシ樹脂組成物にて成形体を成形する際に成型
用の金型にあらかじめフッ素系又はシリコーン系のスプ
レー方式の外部離型剤を吹き付けなくても成形体の金型
との離型性を向上することができ、外部離型剤のコスト
を削減して製造コストを削減すると共に外部離型剤に含
まれる溶剤による環境汚染を防止し、かつ連続成形性を
向上して生産効率を向上すると共に成形体と素子やリー
ドフレーム等との密着性を向上することができるもので
ある。また成形体を光半導体装置の封止樹脂として用い
る際に成形体表面に外部離型剤が付着して離型剤成分の
厚みのばらつきが生じるようなことがなく、光半導体装
置の特性ばらつきの発生を抑制することができるもので
ある。また成形体の白濁の発生を防止して光透過性を向
上することができるものである。
【0031】ここでこの上記一般式(4)に示す化合物
の配合量は、エポキシ樹脂組成物全量に対して0.01
〜3wt%とすると、成形体の密着性と離型製を共にバ
ランス良く向上させることができて、好ましい。
の配合量は、エポキシ樹脂組成物全量に対して0.01
〜3wt%とすると、成形体の密着性と離型製を共にバ
ランス良く向上させることができて、好ましい。
【0032】硬化促進剤としては上記のようなエポキシ
樹脂と硬化剤との反応を促進する作用を有するものであ
れば特に限定するものではないが、本発明のエポキシ樹
脂組成物を光半導体の封止用に用いるためには比較的着
色の少ないものが好ましく、例えばトリフェニルホスフ
ィン、ジフェニルホスフィン等の等の有機ホスフィン系
硬化促進剤、2−メチルイミダゾール、2−フェニル−
4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等
のイミダゾール系硬化促進剤、1,8−ジアザビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−7、トリエタノールアミ
ン、ベンジルメチルアミン等の三級アミン系硬化促進
剤、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレ
ート等の有機塩類等を挙げることができる。これらの硬
化促進剤は、単独で、あるいは二種以上を適宜組み合わ
せて用いることができる。ここで硬化促進剤の配合割合
は、0.01〜3phrとすることが好ましい。
樹脂と硬化剤との反応を促進する作用を有するものであ
れば特に限定するものではないが、本発明のエポキシ樹
脂組成物を光半導体の封止用に用いるためには比較的着
色の少ないものが好ましく、例えばトリフェニルホスフ
ィン、ジフェニルホスフィン等の等の有機ホスフィン系
硬化促進剤、2−メチルイミダゾール、2−フェニル−
4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール等
のイミダゾール系硬化促進剤、1,8−ジアザビシクロ
(5,4,0)ウンデセン−7、トリエタノールアミ
ン、ベンジルメチルアミン等の三級アミン系硬化促進
剤、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレ
ート等の有機塩類等を挙げることができる。これらの硬
化促進剤は、単独で、あるいは二種以上を適宜組み合わ
せて用いることができる。ここで硬化促進剤の配合割合
は、0.01〜3phrとすることが好ましい。
【0033】また硬化促進剤として、特にジアザビシク
ロアルケン類又はその誘導体とテトラ置換ホスホニウム
・テトラ置換ブロマイドとを混合してなる混合系硬化促
進剤を用いることが好ましく、更に好ましくは、ジアザ
ビシクロアルケン類又はその誘導体の配合量をα、テト
ラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドの配合量を
βとした場合、ジアザビシクロアルケン類又はその誘導
体とテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドと
の混合比α/βの値を99/1〜1/99に調整するも
のである。このようにすると、本発明のエポキシ樹脂組
成物による成形体の金型からの離型性及びバリ取り工程
における耐クラック性を更に向上することができる。
ロアルケン類又はその誘導体とテトラ置換ホスホニウム
・テトラ置換ブロマイドとを混合してなる混合系硬化促
進剤を用いることが好ましく、更に好ましくは、ジアザ
ビシクロアルケン類又はその誘導体の配合量をα、テト
ラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドの配合量を
βとした場合、ジアザビシクロアルケン類又はその誘導
体とテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドと
の混合比α/βの値を99/1〜1/99に調整するも
のである。このようにすると、本発明のエポキシ樹脂組
成物による成形体の金型からの離型性及びバリ取り工程
における耐クラック性を更に向上することができる。
【0034】また硬化促進剤として特にテトラ置換アン
モニウム・カルボン酸塩とテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ブロマイドとを混合してなる混合系硬化促進剤
を用いることも好ましく、更に好ましくはテトラ置換ア
ンモニウム・カルボン酸塩の配合量をγ、テトラ置換ホ
スホニウム・テトラ置換ブロマイドの配合量をβとした
場合、テトラ置換アンモニウム・カルボン酸塩とテトラ
置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドとの混合比γ
/βの値を99/1〜1/99に調整するものである。
このようにすると、本発明のエポキシ樹脂組成物による
成形体の金型からの離型性及びバリ取り工程における耐
クラック性を更に向上することができる。
モニウム・カルボン酸塩とテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ブロマイドとを混合してなる混合系硬化促進剤
を用いることも好ましく、更に好ましくはテトラ置換ア
ンモニウム・カルボン酸塩の配合量をγ、テトラ置換ホ
スホニウム・テトラ置換ブロマイドの配合量をβとした
場合、テトラ置換アンモニウム・カルボン酸塩とテトラ
置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドとの混合比γ
/βの値を99/1〜1/99に調整するものである。
このようにすると、本発明のエポキシ樹脂組成物による
成形体の金型からの離型性及びバリ取り工程における耐
クラック性を更に向上することができる。
【0035】ここで上記のジアザビシクロアルケン類又
はその誘導体としては1、8−ジアザビシクロ−(5,
4,0)ウンデセン−7等、テトラ置換ホスホニウム・
テトラ置換ブロマイドとしてはテトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルブロマイド等、テトラ置換アンモ
ニウム・カルボン酸塩としては、テトラフェニルアンモ
ニウム・カルボン酸等を用いることができる。
はその誘導体としては1、8−ジアザビシクロ−(5,
4,0)ウンデセン−7等、テトラ置換ホスホニウム・
テトラ置換ブロマイドとしてはテトラフェニルホスホニ
ウム・テトラフェニルブロマイド等、テトラ置換アンモ
ニウム・カルボン酸塩としては、テトラフェニルアンモ
ニウム・カルボン酸等を用いることができる。
【0036】本発明のエポキシ樹脂組成物には、上記に
挙げた成分以外に必要に応じて変色防止剤、劣化防止
剤、染料、シリカ等の無機充填材、シラン系カップリン
グ剤、変性剤、可塑剤、希釈剤等を配合することができ
る。
挙げた成分以外に必要に応じて変色防止剤、劣化防止
剤、染料、シリカ等の無機充填材、シラン系カップリン
グ剤、変性剤、可塑剤、希釈剤等を配合することができ
る。
【0037】本発明のエポキシ樹脂組成物を調製するに
あたっては、調製されるエポキシ樹脂組成物の性状が液
体状である場合は上記の各成分を所望の割合で配合した
ものを溶解混合し、又は溶融混合した後3本ロール等で
溶融混練して液体状のエポキシ樹脂組成物を得ることが
できる。また調製されるエポキシ樹脂組成物の性状が固
体状である場合は上記の各成分を所望の割合で配合した
ものを溶解混合し、又は溶融混合した後3本ロール等で
溶融混練したものを冷却固化した後粉砕して粉末状の樹
脂組成物を得るものであり、また更に必要に応じて粉末
状の樹脂組成物をタブレット状に打錠することもでき
る。
あたっては、調製されるエポキシ樹脂組成物の性状が液
体状である場合は上記の各成分を所望の割合で配合した
ものを溶解混合し、又は溶融混合した後3本ロール等で
溶融混練して液体状のエポキシ樹脂組成物を得ることが
できる。また調製されるエポキシ樹脂組成物の性状が固
体状である場合は上記の各成分を所望の割合で配合した
ものを溶解混合し、又は溶融混合した後3本ロール等で
溶融混練したものを冷却固化した後粉砕して粉末状の樹
脂組成物を得るものであり、また更に必要に応じて粉末
状の樹脂組成物をタブレット状に打錠することもでき
る。
【0038】このようにして得られたエポキシ樹脂組成
物を用いて光半導体装置の製造を行う際には、先ず金属
のリードフレーム上に、LED、フォトトランジスタ
ー、フォトダイオード、CCD、EPROM等の光半導
体素子をダイボンディングした後、Au等の細線ワイヤ
を用いたワイヤボンディング法等で結線して形成したも
のを、エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止し、チッ
プ、ワイヤ、及びその接合部を電気的、機械的に外部環
境から保護すると共に、ユーザーが使い易いようにする
ものである。ここで樹脂封止を行うにあたっては、エポ
キシ樹脂組成物が固体状である場合には粉末状又はタブ
レット状のエポキシ樹脂組成物をトランスファー成形す
ることにより封止樹脂を成形して樹脂封止を行うもので
あり、エポキシ樹脂組成物が液体状である場合にはキャ
スティング、ポッティング、印刷等の方法により注型、
固化することにより封止樹脂を成形して樹脂封止を行う
ものである。
物を用いて光半導体装置の製造を行う際には、先ず金属
のリードフレーム上に、LED、フォトトランジスタ
ー、フォトダイオード、CCD、EPROM等の光半導
体素子をダイボンディングした後、Au等の細線ワイヤ
を用いたワイヤボンディング法等で結線して形成したも
のを、エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止し、チッ
プ、ワイヤ、及びその接合部を電気的、機械的に外部環
境から保護すると共に、ユーザーが使い易いようにする
ものである。ここで樹脂封止を行うにあたっては、エポ
キシ樹脂組成物が固体状である場合には粉末状又はタブ
レット状のエポキシ樹脂組成物をトランスファー成形す
ることにより封止樹脂を成形して樹脂封止を行うもので
あり、エポキシ樹脂組成物が液体状である場合にはキャ
スティング、ポッティング、印刷等の方法により注型、
固化することにより封止樹脂を成形して樹脂封止を行う
ものである。
【0039】
【実施例】以下、本発明を実施例によって詳述する。 (実施例1乃至8、比較例1)表1に示す各成分を、各
実施例及び比較例について表1に示す割合で配合し、ブ
レンダーにて30分間混合し、更に加熱ロールにて90
℃で混練した後冷却固化したものを粉砕して粉末状の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
実施例及び比較例について表1に示す割合で配合し、ブ
レンダーにて30分間混合し、更に加熱ロールにて90
℃で混練した後冷却固化したものを粉砕して粉末状の半
導体封止用エポキシ樹脂組成物を得た。
【0040】ここで表中のエポキシ樹脂(ア)はビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ(株)
製、「エピコート828」)、エポキシ樹脂(イ)はビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ
(株)製、「エピコート1001」)、エポキシ樹脂
(ウ)は、上記一般式(1)に示す単位構造(R1〜R4
は全てH)を有するビスフェノールS型エポキシ樹脂
(大日本インキ(株)製、「EXA1514」)、硬化
剤(エ)はテトラヒドロ無水フタル酸無水物(新日本理
化(株)製、「リカシッドTH」)、硬化剤(オ)はヘ
キサヒドロ無水フタル酸無水物(新日本理化(株)製、
「シリカッドHH」)、硬化剤(カ)はフェノール樹脂
(三井東圧(株)製、「VR9300」)、硬化剤
(キ)は化学式(2)に示すトリメルカプタン樹脂(R
5〜R7は全て−CH2−)、硬化剤(ク)は化学式
(3)で示され、式中のnの値の平均が5であるポリサ
ルファイド樹脂、硬化促進剤(ケ)は1,8−ジアザビ
シクロ(5,4,0)ウンデセン−7、硬化促進剤
(コ)はテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニル
ブロマイド、硬化促進剤(サ)はテトラヒドロアンモニ
ウム・カルボン酸塩、離型剤(シ)はベヘン酸アマイド
(日本化成(株)製、「ダイアミッドB90」)、離型
剤(ス)は、上記一般式(5)で示され、式中のnの値
の平均が40、mの値の平均が20である炭素数18〜
50の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化物、インデ
ン化合物(セ)は一般式(4)に示す、式中のnの値が
50〜100のインデン化合物の混合物(新日鐵化学
(株)製、「IP−100」)である。
ェノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ(株)
製、「エピコート828」)、エポキシ樹脂(イ)はビ
スフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ
(株)製、「エピコート1001」)、エポキシ樹脂
(ウ)は、上記一般式(1)に示す単位構造(R1〜R4
は全てH)を有するビスフェノールS型エポキシ樹脂
(大日本インキ(株)製、「EXA1514」)、硬化
剤(エ)はテトラヒドロ無水フタル酸無水物(新日本理
化(株)製、「リカシッドTH」)、硬化剤(オ)はヘ
キサヒドロ無水フタル酸無水物(新日本理化(株)製、
「シリカッドHH」)、硬化剤(カ)はフェノール樹脂
(三井東圧(株)製、「VR9300」)、硬化剤
(キ)は化学式(2)に示すトリメルカプタン樹脂(R
5〜R7は全て−CH2−)、硬化剤(ク)は化学式
(3)で示され、式中のnの値の平均が5であるポリサ
ルファイド樹脂、硬化促進剤(ケ)は1,8−ジアザビ
シクロ(5,4,0)ウンデセン−7、硬化促進剤
(コ)はテトラフェニルホスホニウム・テトラフェニル
ブロマイド、硬化促進剤(サ)はテトラヒドロアンモニ
ウム・カルボン酸塩、離型剤(シ)はベヘン酸アマイド
(日本化成(株)製、「ダイアミッドB90」)、離型
剤(ス)は、上記一般式(5)で示され、式中のnの値
の平均が40、mの値の平均が20である炭素数18〜
50の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化物、インデ
ン化合物(セ)は一般式(4)に示す、式中のnの値が
50〜100のインデン化合物の混合物(新日鐵化学
(株)製、「IP−100」)である。
【0041】上記の各実施例及び各比較例のエポキシ樹
脂組成物を用いて下記の評価試験を行い、その結果を表
に示す。 (光透過性試験)各実施例及び各比較例のエポキシ樹脂
組成物のトランスファー成形を行った後、150℃の温
度で2時間アフターキュアーを行うことによって厚み1
mmのテストピースを作製し、このテストピースに可視
光線を透過させて透過光を分光光度計((株)日立製作
所製)で検出して、波長940nm及び400nmの可
視光線の光透過率を測定した。 (耐クラック性試験)各実施例及び各比較例のエポキシ
樹脂組成物にて温度150℃、キュア時間180秒の条
件でトランスファー成形を行うことによって成形体を成
形し、この成形体の外観を実体顕微鏡にて観察して、下
記評価基準にて評価した。
脂組成物を用いて下記の評価試験を行い、その結果を表
に示す。 (光透過性試験)各実施例及び各比較例のエポキシ樹脂
組成物のトランスファー成形を行った後、150℃の温
度で2時間アフターキュアーを行うことによって厚み1
mmのテストピースを作製し、このテストピースに可視
光線を透過させて透過光を分光光度計((株)日立製作
所製)で検出して、波長940nm及び400nmの可
視光線の光透過率を測定した。 (耐クラック性試験)各実施例及び各比較例のエポキシ
樹脂組成物にて温度150℃、キュア時間180秒の条
件でトランスファー成形を行うことによって成形体を成
形し、この成形体の外観を実体顕微鏡にて観察して、下
記評価基準にて評価した。
【0042】 ○:・・・・クラックなし △:・・・・一個の微小クラックが発生 ×:・・・・二個以上の微小クラック又は一個以上の大
クラックが発生 (耐湿信頼性試験)幅10μm、厚み1μmの櫛形アル
ミパターンを形成したTEG(testelement
group)を搭載した42アロイ/銀めっきリード
フレームに、16DIP金型を用いて各実施例及び各比
較例のエポキシ樹脂組成物にて温度150℃、キュア時
間180秒の条件でトランスファー成形を行うことによ
り樹脂封止を行い、150℃で2時間アフターキュアー
を行って性能評価用の16DIPパッケージを作製し
た。この16DIPパッケージを10パッケージについ
て121℃、100%RHの条件下で50時間PCT試
験を行った後、オープン不良の有無を測定して、下記評
価基準にて評価した。
クラックが発生 (耐湿信頼性試験)幅10μm、厚み1μmの櫛形アル
ミパターンを形成したTEG(testelement
group)を搭載した42アロイ/銀めっきリード
フレームに、16DIP金型を用いて各実施例及び各比
較例のエポキシ樹脂組成物にて温度150℃、キュア時
間180秒の条件でトランスファー成形を行うことによ
り樹脂封止を行い、150℃で2時間アフターキュアー
を行って性能評価用の16DIPパッケージを作製し
た。この16DIPパッケージを10パッケージについ
て121℃、100%RHの条件下で50時間PCT試
験を行った後、オープン不良の有無を測定して、下記評
価基準にて評価した。
【0043】 ○:・・・・不良なし △:・・・・1〜2個のパッケージにつき不良発生 ×:・・・・3個以上のパッケージにつき不良発生 (密着性試験)上記耐湿信頼性試験におけるPCT試験
に供する前の16DIPパッケージの封止樹脂と素子と
の密着性及びPCT試験に供した後の16DIPパッケ
ージの封止樹脂と素子との密着性を超音波探査装置
((株)キャノン製)を用いて測定し、下記評価基準に
て評価した。
に供する前の16DIPパッケージの封止樹脂と素子と
の密着性及びPCT試験に供した後の16DIPパッケ
ージの封止樹脂と素子との密着性を超音波探査装置
((株)キャノン製)を用いて測定し、下記評価基準に
て評価した。
【0044】 ○:・・・・剥離なし △:・・・・接触面積の10%未満の面積の部分に剥離
発生 ×:・・・・接触面積の10%以上の面積の部分に剥離 (連続成形性評価試験)各実施例及び各比較例のエポキ
シ樹脂組成物にて温度150℃、キュア時間180秒の
条件で、同一の金型を用いて連続的にトランスファー成
形を行って成形体を成形し、成形体にくもり等の汚れが
発生するまでの成形ショット回数のカウントを行った。
発生 ×:・・・・接触面積の10%以上の面積の部分に剥離 (連続成形性評価試験)各実施例及び各比較例のエポキ
シ樹脂組成物にて温度150℃、キュア時間180秒の
条件で、同一の金型を用いて連続的にトランスファー成
形を行って成形体を成形し、成形体にくもり等の汚れが
発生するまでの成形ショット回数のカウントを行った。
【0045】
【表1】 表1から判るように、骨格中に上記一般式(1)に示す
単位構造を有するエポキシ樹脂を含有する実施例1及び
2、上記一般式(2)に示す硬化剤を含有する実施例3
及び4、上記一般式(3)に示す硬化剤を含有する実施
例5及び6、並びに上記一般式(4)に示す化合物を含
有する実施例7及び8の、いずれの実施例においても、
比較例1と比べて耐クラック性、密着性、及び耐湿信頼
性が向上し、また光透過性及び連続成形性も良好なもの
であることが確認できた。
単位構造を有するエポキシ樹脂を含有する実施例1及び
2、上記一般式(2)に示す硬化剤を含有する実施例3
及び4、上記一般式(3)に示す硬化剤を含有する実施
例5及び6、並びに上記一般式(4)に示す化合物を含
有する実施例7及び8の、いずれの実施例においても、
比較例1と比べて耐クラック性、密着性、及び耐湿信頼
性が向上し、また光透過性及び連続成形性も良好なもの
であることが確認できた。
【0046】
【発明の効果】上記のように本発明の請求項1に記載の
エポキシ樹脂組成物は、本発明の請求項1に記載のエポ
キシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、及び炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールのエ
トキシ化物を含み、炭素数18以上の直鎖状第一級アル
コールのエトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に対し
て0.05〜5wt%含有するエポキシ樹脂組成物にお
いて、骨格中に下記一般式(1)に示す単位構造を有す
るエポキシ樹脂、下記一般式(2)に示す硬化剤、及び
下記一般式(3)に示す硬化剤のうちの、少なくとも一
種のものを含有するため、エポキシ樹脂組成物にて成形
体を成形する際に成型用の金型にあらかじめフッ素系又
はシリコーン系のスプレー方式の外部離型剤を吹き付け
なくても成形体の金型との離型性を向上することがで
き、外部離型剤のコストを削減して製造コストを削減す
ると共に外部離型剤に含まれる溶剤による環境汚染を防
止し、かつ連続成形性を向上して生産効率を向上すると
共に成形体と素子やリードフレーム等との密着性を向上
することができるものであり、また成形体を光半導体装
置の封止樹脂として用いる際に成形体表面に外部離型剤
が付着して離型剤成分の厚みのばらつきが生じるような
ことがなく、光半導体装置の特性ばらつきの発生を抑制
することができるものであり、また成形体の白濁の発生
を防止して光透過性を向上することができるものであ
る。
エポキシ樹脂組成物は、本発明の請求項1に記載のエポ
キシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、及び炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールのエ
トキシ化物を含み、炭素数18以上の直鎖状第一級アル
コールのエトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に対し
て0.05〜5wt%含有するエポキシ樹脂組成物にお
いて、骨格中に下記一般式(1)に示す単位構造を有す
るエポキシ樹脂、下記一般式(2)に示す硬化剤、及び
下記一般式(3)に示す硬化剤のうちの、少なくとも一
種のものを含有するため、エポキシ樹脂組成物にて成形
体を成形する際に成型用の金型にあらかじめフッ素系又
はシリコーン系のスプレー方式の外部離型剤を吹き付け
なくても成形体の金型との離型性を向上することがで
き、外部離型剤のコストを削減して製造コストを削減す
ると共に外部離型剤に含まれる溶剤による環境汚染を防
止し、かつ連続成形性を向上して生産効率を向上すると
共に成形体と素子やリードフレーム等との密着性を向上
することができるものであり、また成形体を光半導体装
置の封止樹脂として用いる際に成形体表面に外部離型剤
が付着して離型剤成分の厚みのばらつきが生じるような
ことがなく、光半導体装置の特性ばらつきの発生を抑制
することができるものであり、また成形体の白濁の発生
を防止して光透過性を向上することができるものであ
る。
【0047】また本発明の請求項2に記載のエポキシ樹
脂組成物は、骨格中に上記一般式(1)に示す単位構造
を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全量に対して
0.05〜50wt%含有するため、エポキシ樹脂組成
物の成形体を光半導体装置の封止樹脂として用いる際
に、成形体と素子及びリードフレームとの間の密着性を
更に向上すると共に、半導体装置の耐湿信頼性を更に向
上することができるものである。
脂組成物は、骨格中に上記一般式(1)に示す単位構造
を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全量に対して
0.05〜50wt%含有するため、エポキシ樹脂組成
物の成形体を光半導体装置の封止樹脂として用いる際
に、成形体と素子及びリードフレームとの間の密着性を
更に向上すると共に、半導体装置の耐湿信頼性を更に向
上することができるものである。
【0048】また本発明の請求項3に記載のエポキシ樹
脂組成物は、上記一般式(2)及び(3)に示す硬化剤
を、硬化剤全量に対して0.05〜20wt%含有する
ため、エポキシ樹脂組成物の成形体を光半導体装置の封
止樹脂として用いる際に、成形体と素子及びリードフレ
ームとの間の密着性を更に向上すると共に、半導体装置
の耐湿信頼性を更に向上することができるものであるま
た本発明の請求項4に記載のエポキシ樹脂組成物は、エ
ポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び炭素数18以上
の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化物を含み、炭素
数18以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化物を
エポキシ樹脂組成物全量に対して0.05〜5wt%含
有するエポキシ樹脂組成物において、上記一般式(4)
に示す化合物を含むため、エポキシ樹脂組成物にて成形
体を成形する際に成型用の金型にあらかじめフッ素系又
はシリコーン系のスプレー方式の外部離型剤を吹き付け
なくても成形体の金型との離型性を向上することがで
き、外部離型剤のコストを削減して製造コストを削減す
ると共に外部離型剤に含まれる溶剤による環境汚染を防
止し、かつ連続成形性を向上して生産効率を向上すると
共に成形体と素子やリードフレーム等との密着性を向上
することができるものであり、また成形体を光半導体装
置の封止樹脂として用いる際に成形体表面に外部離型剤
が付着して離型剤成分の厚みのばらつきが生じるような
ことがなく、光半導体装置の特性ばらつきの発生を抑制
することができるものであり、また成形体の白濁の発生
を防止して光透過性を向上することができるものであ
る。
脂組成物は、上記一般式(2)及び(3)に示す硬化剤
を、硬化剤全量に対して0.05〜20wt%含有する
ため、エポキシ樹脂組成物の成形体を光半導体装置の封
止樹脂として用いる際に、成形体と素子及びリードフレ
ームとの間の密着性を更に向上すると共に、半導体装置
の耐湿信頼性を更に向上することができるものであるま
た本発明の請求項4に記載のエポキシ樹脂組成物は、エ
ポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び炭素数18以上
の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化物を含み、炭素
数18以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ化物を
エポキシ樹脂組成物全量に対して0.05〜5wt%含
有するエポキシ樹脂組成物において、上記一般式(4)
に示す化合物を含むため、エポキシ樹脂組成物にて成形
体を成形する際に成型用の金型にあらかじめフッ素系又
はシリコーン系のスプレー方式の外部離型剤を吹き付け
なくても成形体の金型との離型性を向上することがで
き、外部離型剤のコストを削減して製造コストを削減す
ると共に外部離型剤に含まれる溶剤による環境汚染を防
止し、かつ連続成形性を向上して生産効率を向上すると
共に成形体と素子やリードフレーム等との密着性を向上
することができるものであり、また成形体を光半導体装
置の封止樹脂として用いる際に成形体表面に外部離型剤
が付着して離型剤成分の厚みのばらつきが生じるような
ことがなく、光半導体装置の特性ばらつきの発生を抑制
することができるものであり、また成形体の白濁の発生
を防止して光透過性を向上することができるものであ
る。
【0049】また本発明の請求項5に記載のエポキシ樹
脂組成物は、上記一般式(4)に示す化合物を、エポキ
シ樹脂組成物全量に対して0.01〜3wt%含有する
ため、成形体と素子及びリードフレームとの間の密着性
及び金型との離型性を共にバランス良く向上することが
できるものである。
脂組成物は、上記一般式(4)に示す化合物を、エポキ
シ樹脂組成物全量に対して0.01〜3wt%含有する
ため、成形体と素子及びリードフレームとの間の密着性
及び金型との離型性を共にバランス良く向上することが
できるものである。
【0050】また本発明の請求項6に記載のエポキシ樹
脂組成物は、上記硬化促進剤としてジアザビシクロアル
ケン類又はその誘導体、並びにテトラ置換ホスホニウム
・テトラ置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含
有するため、エポキシ樹脂組成物による成形体の金型か
らの離型性及びバリ取り工程における耐クラック性を更
に向上することができるものである。
脂組成物は、上記硬化促進剤としてジアザビシクロアル
ケン類又はその誘導体、並びにテトラ置換ホスホニウム
・テトラ置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含
有するため、エポキシ樹脂組成物による成形体の金型か
らの離型性及びバリ取り工程における耐クラック性を更
に向上することができるものである。
【0051】また本発明の請求項7に記載のエポキシ樹
脂組成部は、上記硬化促進剤としてテトラ置換アンモニ
ウム・カルボン酸塩、及びテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有す
るため、エポキシ樹脂組成物による成形体の金型からの
離型性及びバリ取り工程における耐クラック性を更に向
上することができるものである。
脂組成部は、上記硬化促進剤としてテトラ置換アンモニ
ウム・カルボン酸塩、及びテトラ置換ホスホニウム・テ
トラ置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有す
るため、エポキシ樹脂組成物による成形体の金型からの
離型性及びバリ取り工程における耐クラック性を更に向
上することができるものである。
【0052】また本発明の請求項8に記載のエポキシ樹
脂組成物は、ジアザビシクロアルケン類又はその誘導体
を、テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドに
対して1/99〜99/1の重量比で含有するため、エ
ポキシ樹脂組成物による成形体の金型からの離型性及び
バリ取り工程における耐クラック性を更に向上すること
ができるものである。
脂組成物は、ジアザビシクロアルケン類又はその誘導体
を、テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドに
対して1/99〜99/1の重量比で含有するため、エ
ポキシ樹脂組成物による成形体の金型からの離型性及び
バリ取り工程における耐クラック性を更に向上すること
ができるものである。
【0053】また本発明の請求項9に記載のエポキシ樹
脂組成物は、テトラ置換アンモニウム・カルボン酸塩を
テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドに対し
て1/99〜99/1の重量比で含有するため、エポキ
シ樹脂組成物による成形体の金型からの離型性及びバリ
取り工程における耐クラック性を更に向上することがで
きるものである。
脂組成物は、テトラ置換アンモニウム・カルボン酸塩を
テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドに対し
て1/99〜99/1の重量比で含有するため、エポキ
シ樹脂組成物による成形体の金型からの離型性及びバリ
取り工程における耐クラック性を更に向上することがで
きるものである。
Claims (10)
- 【請求項1】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及
び炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ
化物を含み、炭素数18以上の直鎖状第一級アルコール
のエトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に対して0.
05〜5wt%含有するエポキシ樹脂組成物において、
骨格中に下記一般式(1)に示す単位構造を有するエポ
キシ樹脂、下記一般式(2)に示す硬化剤、及び下記一
般式(3)に示す硬化剤のうちの、少なくとも一種のも
のを含有して成ることを特徴とするエポキシ樹脂組成
物。 【化1】 【化2】 【化3】 - 【請求項2】 骨格中に上記一般式(1)に示す単位構
造を有するエポキシ樹脂を、エポキシ樹脂全量に対して
0.05〜50wt%含有して成ることを特徴とする請
求項1に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項3】 上記一般式(2)及び(3)に示す硬化
剤を硬化剤全量に対して0.05〜20wt%含有して
成ることを特徴とする請求項1又は2に記載のエポキシ
樹脂組成物。 - 【請求項4】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及
び炭素数18以上の直鎖状第一級アルコールのエトキシ
化物を含み、炭素数18以上の直鎖状第一級アルコール
のエトキシ化物をエポキシ樹脂組成物全量に対して0.
05〜5wt%含有するエポキシ樹脂組成物において、
下記一般式(4)に示す化合物を含んで成ることを特徴
とするエポキシ樹脂組成物。 【化4】 - 【請求項5】 上記一般式(4)に示す化合物を、エポ
キシ樹脂組成物全量に対して0.01〜3wt%含有し
て成ることを特徴とする請求項4に記載のエポキシ樹脂
組成物。 - 【請求項6】 上記硬化促進剤としてジアザビシクロア
ルケン類又はその誘導体、並びにテトラ置換ホスホニウ
ム・テトラ置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を
含有して成ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれ
かに記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項7】 上記硬化促進剤としてテトラ置換アンモ
ニウム・カルボン酸塩、及びテトラ置換ホスホニウム・
テトラ置換ブロマイドからなる混合系硬化促進剤を含有
して成ることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに
記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項8】 ジアザビシクロアルケン類又はその誘導
体を、テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイド
に対して1/99〜99/1の重量比で含有して成るこ
とを特徴とする請求項6に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項9】 テトラ置換アンモニウム・カルボン酸塩
をテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ブロマイドに対
して1/99〜99/1の重量比で含有して成ることを
特徴とする請求項7に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項10】 請求項1乃至9のいずれかのエポキシ
樹脂組成物にて封止されて成ることを特徴とする光半導
体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16292798A JPH11335445A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16292798A JPH11335445A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11335445A true JPH11335445A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=15763890
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16292798A Withdrawn JPH11335445A (ja) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11335445A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003037589A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Pastille de materiau d'obturation, son procede de fabrication et dispositif a composants electroniques |
JP2006335894A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Nippon Kayaku Co Ltd | 光半導体用エポキシ樹脂液状組成物 |
JP2008088212A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Sekisui Chem Co Ltd | 電子部品用エポキシ組成物、及び、半導体用封止剤 |
JP2009001752A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 |
JP2009091438A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Nitto Denko Corp | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 |
JP2016015437A (ja) * | 2014-07-03 | 2016-01-28 | ソマール株式会社 | サーミスタセンサ注型用エポキシ樹脂組成物及びサーミスタセンサ |
-
1998
- 1998-05-26 JP JP16292798A patent/JPH11335445A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003037589A1 (fr) * | 2001-10-30 | 2003-05-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Pastille de materiau d'obturation, son procede de fabrication et dispositif a composants electroniques |
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CN100379541C (zh) * | 2001-10-30 | 2008-04-09 | 日立化成工业株式会社 | 密封材料片、其制造方法和电子元件装置 |
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