JPH11328740A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ドライブ間での十分な再生互換性を得られる
高い反射率と、記録の前後における高い変調度とを併せ
持ち、且つ安価で製作の容易な光記録媒体を提供するこ
と。 【解決手段】 案内溝Ｇを有する基板２と、基板２上に
積層され且つＩｎを主成分とする材料からなる第１の記
録層３と、第１の記録層３上に積層され且つ５Ｂ族また
は６Ｂ族に属する少なくとも１種類の元素を含む材料か
らなる第２の記録層４とを具備し、基板２側から照射さ
れた光ビームによる加熱で、両記録層で情報信号の記録
が可能になされており、更に、案内溝Ｇの深さｄ（ｎ
ｍ）が、光ビームの真空中の波長λ（ｎｍ）及び基板２
の屈折率の実部ｎに対して、下記関係式(1) を満たすよ
うになされていることを特徴とする光記録媒体。 ０．０３λ／ｎ＜ｄ＜０．１１λ／ｎ (1)

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体に関し、
特に、無機材料からなる記録層を具備し且つ一回のみ記
録が可能な光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】１回の
み記録が可能な光記録媒体、いわゆる追記型ディスクの
記録層材料には大別して有機色素系と無機系との２種類
がある。これらのうち、有機色素系材料を記録層に用い
た追記型ディスク、通称ＣＤ−Ｒ又はＤＶＤ−Ｒは、再
生用光ビームに対して未記録時の反射率が高いという利
点を有している。しかし、有機色素系光ディスクは、日
常光でも長時間露光されると有機色素が光分解を起こ
し、記録データが劣化し易い。また、有機色素の光学的
性質（屈折率や吸収係数）は光の波長によって大きく変
化するため、波長に対する互換性がなく、異なる波長の
光源を有するドライブでの再生互換性がなかった。更
に、有機色素は一般に硬度が低く、光ディスクの機械的
強度を弱める一因となっていた。一方、無機系材料を記
録層に用いた追記型光ディスクは反射率が比較的低く、
高反射率の光ディスク用に設計されたドライブでは再生
が困難な場合があり、やはりドライブに対する十分な再
生互換性がなかった。

【０００３】従って、本発明の目的は、異なる波長の光
源を有する光ディスク用ドライブで十分な再生互換性が
得られる高い反射率と、記録の前後における高い変調度
とを併せ持ち、且つ安価で製作の容易な光記録媒体を提
供することにある。先に本発明者らは、記録用光ビーム
および再生用光ビームに対して略透明な基板と、該基板
上に積層され、Ｉｎを主成分とする金属からなる第１の
記録膜と、該第１の記録膜上に積層され、元素周期表５
Ｂ族または６Ｂ族に属する少なくとも１種類の元素を含
む材料からなる第２の記録膜とを含む光記録媒体を発明
し、特許出願しており（特願平９−１３２３６９号、特
願平９−２０７８９５号、特願平９−３３２０５２
号）、本発明はこれらの発明を更に改良・発展させたも
のである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、案内溝を有し
且つ記録用光ビーム及び再生用光ビームに対して略透明
な基板と、該基板上に積層され且つＩｎを主成分とする
材料からなる第１の記録層と、該第１の記録層上に積層
され且つ元素周期表５Ｂ族または６Ｂ族に属する少なく
とも１種類の元素を含む材料からなる第２の記録層とを
具備し、上記基板側から照射された光ビームによる加熱
で、上記第１の記録層と上記第２の記録層とで情報信号
の記録が可能になされており、更に、上記案内溝の深さ
ｄ（ｎｍ）が、照射される光ビームの真空中の波長λ
（ｎｍ）及び上記基板の屈折率の実部ｎに対して、下記
関係式(1) を満たすようになされていることを特徴とす
る光記録媒体を提供するものである。 ０．０３λ／ｎ＜ｄ＜０．１１λ／ｎ (1)

【０００５】また、本発明は、上記光記録媒体におい
て、上記案内溝の幅ｗ（ｎｍ）が、隣接する二つの該案
内溝間の間隔Ｐ（ｎｍ）に対して、下記関係式(2) を満
たすようになされていることを特徴とする光記録媒体を
提供することにより、上記目的を達成したものである。 ０．１Ｐ＜ｗ＜０．５Ｐ (2)

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の光記録媒体の好ま
しい実施形態を、図面を参照して説明する。図１に示す
光記録媒体１は、基板２の上面に、第１の記録層３、第
２の記録層４及び保護層５が順次積層されて構成されて
いる。基板２は、記録用光ビーム及び再生用光ビームが
基板２を通過しても、記録及び再生可能である略透明な
材料、例えば、樹脂やガラス等から構成されていること
が好ましい。特に、取り扱いが容易で安価であることか
ら樹脂が好ましい。樹脂として具体的には例えば、ポリ
カーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＡＢ
Ｓ樹脂等を用いることができる。基板の形状および寸法
は特に限定されないが、通常、ディスク状であり、その
厚さは０．５〜０．３ｍｍ程度、直径は４０〜３６０ｍ
ｍ程度である。上記材料を用いた場合、基板２の屈折率
の実部ｎの値は、通常１．３〜２．５である。

【０００７】基板２の表面には、トラッキング用やアド
レス用のために特定の形状の案内溝Ｇが形成されてい
る。図２に示すように、案内溝Ｇの深さｄ（ｎｍ）は、
照射される光ビームの真空中の波長λ（ｎｍ）及び基板
２の屈折率の実部ｎに対して上記関係式(1) が満たされ
るようになされている。斯かる案内溝Ｇは、特定の材料
から構成される第１及び第２の記録層に対して最適な溝
形状を与えるものである。詳細には、案内溝Ｇの深さｄ
が上記上限値以上であると、案内溝Ｇと溝間部（以下、
ランドという）とからの反射光が逆位相になり、干渉が
生じて十分に大きな反射率が得られなくなる。更に、ト
ラッキング用のプッシュプル信号の符号が反転してしま
うこともある。一方、案内溝Ｇの深さｄが上記下限値以
下であると、案内溝Ｇとランドとからの反射光の位相差
が小さくなり十分な干渉効果が生じないため、トラッキ
ングサーボ用のラジアルコントラスト信号が得られなく
なる。例えば、光源にλ＝７８０（ｎｍ）の半導体レー
ザーを用い、基板２にｎ＝１．５５のポリカーボネート
樹脂を用いた場合、案内溝Ｇの深さｄは１５ｎｍ＜ｄ＜
５５ｎｍであることが好ましく、２５ｎｍ＜ｄ＜４０ｎ
ｍであることが一層好ましい。また、光源にλ＝６５０
（ｎｍ）の半導体レーザーを用い、基板２にｎ＝１．５
５のポリカーボネート樹脂を用いた場合、案内溝Ｇの深
さｄは１３ｎｍ＜ｄ＜４６ｎｍであることが好ましく、
２１ｎｍ＜ｄ＜３４ｎｍであることが一層好ましい。案
内溝Ｇの深さｄは、光ビームの真空中の波長λ及び基板
２の屈折率の実部ｎに対して下記関係式(1)'を満たすこ
とが一層好ましい。

【０００８】０．０５λ／ｎ＜ｄ＜０．０８λ／ｎ
(1)'

【０００９】記録用光ビーム及び再生用光ビームに使用
される光源の波長が複数ある場合には、案内溝Ｇの深さ
ｄを、使用される光ビームのうち少なくともより長い波
長の光ビームに対して上記関係式(1) が満たされるよう
になすことが好ましい。特に、案内溝Ｇの深さｄを、使
用されるすべての光ビームの波長に対して上記関係式
(1) が満たされるようになすことが好ましい。

【００１０】使用される光ビームの波長は、特に制限さ
れないが、例えば、約７８０ｎｍの波長の半導体レーザ
ーや、６３０〜６６０ｎｍの波長の赤色の半導体レーザ
ー、あるいは緑色（５００〜５４０ｎｍ）、青色（４０
０〜４３０ｎｍ）などの波長の光ビームを用いることが
できる。

【００１１】図２に示すように、案内溝Ｇの幅ｗ（ｎ
ｍ）は、隣接する二つの案内溝Ｇ，Ｇ間の間隔（即ちト
ラックピッチ）Ｐ（ｎｍ）に対して、下記関係式(2) 、
特に下記関係式(2)'が満たされるようになされているこ
とが好ましい。案内溝Ｇの幅ｗが、下記関係式(2) にお
ける下限値以下であると、トラッキングサーボ用のプッ
シュプル信号の振幅が小さくなり、トラッキングエラー
が生じることがある。一方、溝幅ｗの上限は、案内溝Ｇ
での反射率がランドでの反射率よりも小さくなること、
即ちラジアルコントラストが少なくとも正でなければな
らないことを要求する現行のＣＤ−Ｒ規格（通称「オレ
ンジブックパートII」）に基づいて定められている。つ
まり、案内溝Ｇの幅ｗが下記関係式(2) における上限値
以上であると、トラッキングサーボ用のラジアルコント
ラスト信号の符号が負になり、現行ＣＤ−Ｒドライブで
はエラーが生じる。しかしながら、原理的にはラジアル
コントラスト信号の符号を負と定めて利用することも可
能であり、この場合の好ましい案内溝Ｇの幅ｗは０．５
Ｐ＜ｗ＜０．９Ｐとなる。

【００１２】０．１Ｐ＜ｗ＜０．５Ｐ (2) ０．２Ｐ＜ｗ＜０．４Ｐ (2)'

【００１３】例えば、現行のコンパクトディスクのよう
にトラックピッチを１６００ｎｍとした場合には、案内
溝Ｇの幅ｗを１６０ｎｍ＜ｗ＜８００ｎｍ、特に３２０
ｎｍ＜ｗ＜６４０ｎｍとなすことが好ましい。本明細書
において、案内溝Ｇの幅ｗは図２に示すように、案内溝
Ｇの半分の深さ位置での幅として定義される。

【００１４】図２に示すように、案内溝Ｇは、その側面
が傾斜しており第１の記録層３の側に向かって拡開した
構造となっている。その傾斜角θは、一層良好な信号特
性を得るために２０度＜θ＜８０度、特に３０度＜θ＜
７０度となされていることが好ましい。傾斜角θが２０
度以下であると、案内溝Ｇとランドからの反射光量に差
が出難くなり、ラジアルコントラスト信号が得られなく
なる場合がある。一方、傾斜角θが８０度を超える傾斜
面を有する案内溝を有する基板を作製しようとすると、
スタンパー製作や成形による転写が困難になるため、安
定な信号特性が得られない場合がある。

【００１５】尚、案内溝Ｇは、光記録媒体１の回転速度
制御やアドレス情報のため、必要に応じて周期的に蛇行
させてもよい（この蛇行をウォブルいう）。

【００１６】第１の記録層３はＩｎを主成分とする材料
から形成されている。即ち、第１の記録層３は、Ｉｎか
ら構成されているか、Ｉｎ及び他の材料からなり且つＩ
ｎを主成分として構成されている。第１の記録層３がＩ
ｎ及び他の材料から構成されている場合、該他の材料と
してはＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｐ
ｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｖ、Ｚｎ等の金属が用いられ、
これらの金属はＩｎと合金（Ｉｎ合金）を形成してい
る。これらの金属のうち、ジッター向上の観点から特に
Ｇｅが好ましい。更に、記録感度の一層の向上を目的と
して、Ｉｎ又はＩｎ合金に各種化合物、例えばＣｒＳ、
Ｃｒ₂ Ｓ、Ｃｒ₂ Ｓ₃ 、ＭｏＳ₂ 、ＭｎＳ、ＦｅＳ、Ｆ
ｅＳ₂ 、ＣｏＳ、Ｃｏ₂ Ｓ₃ 、ＮｉＳ、Ｎｉ₂ Ｓ、Ｐｄ
Ｓ、Ｃｕ₂Ｓ、Ａｇ₂ Ｓ、ＺｎＳ、Ｉｎ₂ Ｓ₃ 、Ｉｎ₂
Ｓ₂ 、ＧｅＳ、ＧｅＳ₂ 、ＳｎＳ、ＳｎＳ₂ 、ＰｂＳ、
Ａｓ₂ Ｓ₃ 、Ｓｂ₂ Ｓ₃ 、Ｂｉ₂ Ｓ₃ などの金属硫化
物；ＭｇＦ₂ 、ＣａＦ₂ 、ＲｈＦ₃ などの金属フッ化
物；ＭｏＯ、ＩｎＯ、Ｉｎ₂ Ｏ、Ｉｎ₂ Ｏ₃ 、ＧｅＯ、
ＰｂＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂ などの金属酸化物を単体ある
いは２種以上混合して添加することもできる。特に好ま
しい化合物は、ＧｅＳ、ＭｎＳ、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂ であ
る。

【００１７】第１の記録層３が、１種以上の金属元素Ｍ
を含む合金から形成されている場合、全金属元素Ｍの比
率Ａ〔Ａ＝ΣＭ／（Ｉｎ＋ΣＭ）〕を０＜Ａ≦３０原子
％の範囲となすことが好ましい。Ｉｎ以外の金属元素Ｍ
を３０原子％を超えて含有させると、反射率の低下や融
点の上昇が起こる場合がある。また、第１の記録層３が
Ｉｎ又はＩｎ合金に加えて化合物Ｃを含む場合、該化合
物Ｃの添加量の比率Ｂ〔Ｂ＝ΣＣ／（Ｉｎ＋ΣＭ＋Σ
Ｃ）〕は、０＜Ｂ≦２０モル％の範囲となすことが好ま
しい。化合物Ｃは微量の添加でも効果があるが、２０モ
ル％を超えて添加させると反射率が低下する場合があ
る。

【００１８】第２の記録層４は、周期表の５Ｂ族または
６Ｂ族に属する少なくとも１種類の元素を含む材料から
構成されている。第２の記録層４は、該元素の単体から
形成されていてもよく、或いは該元素を１種以上含み且
つ他の元素を含む合金（アロイ）から構成されていても
よい。第２の記録層４が上記元素の単体から形成されて
いる場合、該元素としては、スパッタリング等により容
易に薄膜化でき且つ比較的安価なＡｓ、Ｓｅ、Ｓｂ、Ｔ
ｅ、Ｂｉが好ましく用いられるが、Ｐｏも用い得、ジッ
ター向上の観点から特にＴｅが好ましい。第２の記録層
４が上記合金から構成されている場合、該合金としては
ＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＡｕＩｎＳｂＴｅ、
ＧｅＳｂＴｅ、ＰｂＧｅＳｂＴｅ、ＴｅＯＰｂなどが例
示される。また、周期表の５Ｂ族または６Ｂ族に属する
元素のうち、単体での薄膜形成が困難なＮ、Ｏ、Ｐ、Ｓ
についても、それぞれ、窒化物、酸化物、リン化物、硫
化物の形態で第２の記録層４中に含ませることができ
る。

【００１９】上述の第１の記録層３及び第２の記録層４
を具備する光記録媒体１においては、基板２側から所定
パワーの記録用光ビームが照射された部位では、第１の
記録層３と第２の記録層４との構成材料が混合して固溶
体、共融混合物または化合物等が形成されることによ
り、情報信号の記録が可能になされている。

【００２０】記録用光ビームの照射時に第１の記録層３
と第２の記録層４とが混合する方式には２通りの場合が
考えられる。第１の場合は、第１の記録層３及び第２の
記録層４の構成材料が何れも光ビームの照射による加熱
によって融解し、融解した液体同士が混合する場合であ
る。第２の場合は、第２の記録層４は光ビームの照射に
よる加熱によって融解しないが、融解した第１の記録層
の融液に第２の記録層が溶解することによって、拡散・
混合する場合である。尚、第１及び第２の場合の何れに
おいても、このような加熱・混合の結果、基板２と第１
の記録層３との界面および／又は第２の記録層４と保護
層５との界面が熱によって変形することがある。

【００２１】上記第１及び第２の場合の何れにおいて
も、第１の記録層３を構成する材料はＩｎを主成分とし
ているので、融点が低く半導体レーザーなどによる光ビ
ームの照射によって容易に融解し、光ビームの照射によ
る記録を行うことができる。しかも、記録・再生用光ビ
ームが入射してくる基板側に、Ｉｎを主成分とする材料
から構成される反射率の高い第１の記録層３が配置され
ているので、未記録状態において高い反射率を実現する
ことができる。

【００２２】第２の記録層４を構成する周期表５Ｂ族ま
たは６Ｂ族に属する元素を含む材料は、第１の記録層３
を構成する材料と混合および／又は反応することにより
金属間化合物または半導体等を形成し、第１の記録層３
に含まれるＩｎの金属性を低下させる作用がある。その
結果、記録用光ビームが照射されて第１の記録層３中の
Ｉｎと第２の記録層４を構成する材料とが混合した部分
においては、金属Ｉｎと大きく屈折率の異なる記録マー
ク部が形成される。これにより、記録マーク部の反射率
は大きく低下し、変調度の大きな"High to Low" の記録
が行われる。尚、記録マーク部の反射率の低下には、加
熱に伴う基板２と第１の記録層３との界面の変形および
／又は第２の記録層４と保護層５との界面の変形が寄与
することもある。

【００２３】未記録状態における高い反射率と、記録後
の高い変調度とを確実に得るためには、第１の記録層３
の膜厚は５〜５０ｎｍ、特に１０〜３０ｎｍの範囲が好
ましい。第１の記録層の膜厚が厚いほど記録前の反射率
は高くなるが、膜厚５０ｎｍを超えると反射率がほぼ飽
和し、逆に膜厚の増加に伴い記録用光ビームによる加熱
が不十分になり記録感度が低下するおそれがある。ま
た、第１の記録層３の膜厚が５ｎｍ未満になると記録前
の反射率および記録前後の反射率変化が共に小さくなる
場合がある。一方、第２の記録層４の膜厚は、第２の記
録層４に含まれる周期表５Ｂ族または６Ｂ族に属する元
素の量にも依存するが、５〜２００ｎｍ、特に５〜５０
ｎｍの範囲が好ましい。第２の記録層４の膜厚が５ｎｍ
未満であると、記録後も反射率があまり低下せず、十分
な変調度が得られない場合がある。また、膜厚が２００
ｎｍを超えると、記録用光ビームによる加熱が不十分に
なり、記録感度が低下するおそれがある。

【００２４】保護層５は、光記録媒体１の耐擦傷性や耐
腐食性の向上のために設けられる。保護層５は種々の有
機系の物質から構成されることが好ましく、特に放射線
硬化型化合物やその組成物を電子線または紫外線等の放
射線等により硬化させた物質から構成されることが好ま
しい。保護層５の厚さは、通常０．１〜１００μｍ程度
である。保護層５はスピンコート、グラビア塗布、スプ
レーコートなど通常の方法により形成される。

【００２５】図１に示す光記録媒体１では、記録及び再
生は基板２側から第１の記録層３及び第２の記録層４に
光ビームを照射することによって行われる。具体的な記
録方法としては、様々な方法が選択できるが、１つの好
ましい方法として、円板状の光記録媒体を回転させ、基
板２を通して記録用光ビームを案内溝Ｇ上の記録層に集
光する方法が挙げられる。図１に示す構成では案内溝Ｇ
上に信号を記録するグルーブ記録が好ましいが、ランド
上に信号を記録するランド記録を行うこともできる。上
記光記録媒体１では、上記光ビームに対する記録層の相
対速度は、使用する光ビームの波長に応じて、実験的に
決定することができる。

【００２６】記録用光ビームは、記録すべき信号に応じ
てパワーの強弱またはオン・オフが制御される。また、
マーク長記録を行う際には、マルチパルスを用い記録マ
ークの幅の均一化を図ることも可能である。記録用光ビ
ームの記録パワーＰｗ及びボトムパワーＰｂの具体的な
値は、使用する光ビームの波長に応じて実験的に決定す
ることができる。一方、再生用光ビームは、記録が行わ
れない程度の低パワーの光ビームであり具体的なパワー
は使用する光ビームの波長に応じて決定することができ
る。

【００２７】次に、本発明の第２及び第３の実施形態に
ついて図３及び図４を参照してそれぞれ説明する。ここ
で、図３及び図４はそれぞれ本発明の第２及び第３の実
施形態の光記録媒体の構造を示す断面図であり、第１の
実施形態における図１に相当する図である。尚、第２及
び第３の実施形態については第１の実施形態と異なる点
についてのみ説明し、特に説明しない点については第１
の実施形態に関して詳述した説明が適宜適用される。ま
た、図３及び図４において図１及び図２と同じ部材には
同じ符号を付してある。

【００２８】図３に示す光記録媒体１においては、基板
２上に、第１の記録層３、第２の記録層４及び保護層５
が順次積層され、更に保護層５上に接着層６を介して上
部基板７が積層されている。接着層６は、種々の有機系
の物質から構成されていることが望ましく、特に熱可塑
性物質、粘着性物質、放射線硬化型化合物やその組成物
を電子線や放射線により硬化させた物質から構成されて
いることが望ましい。上部基板７は、上述した基板２と
同様の樹脂あるいはガラスで構成することができる。本
実施形態の構成によれば、光記録媒体１の上面が上部基
板７で強固に保護されると共に、光記録媒体１全体の機
械的強度および耐久性が向上する。

【００２９】図４に示す光記録媒体１は両面記録方式の
光記録媒体であり、基板２、第１の記録層３、第２の記
録層４及び保護層５が順次積層されて構成される片側記
録部を２組有し、各組の保護層５側（第２の記録層４
側）を対向させて接着層６を介して一体に形成されてい
る。本実施形態の構成によれば、高い機械的強度が得ら
れると共に、第１及び第２の実施形態の光記録媒体に比
して、１枚の光記録媒体に２倍の容量の情報が記録でき
る。

【００３０】以上、本発明の光記録媒体をその好ましい
実施形態に基づき説明したが、本発明は上記実施形態に
制限されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種
々の変更が可能である。例えば、基板２と第１の記録層
３との間に、反射率の調節、熱伝導の調節、記録層の腐
食防止などの目的で透明な別の層を設けてもよい。ま
た、第１の記録層３と第２の記録層４との間に、両層の
構成材料の混合および固溶体、共融混合物または化合物
等の形成速度を調節する目的で薄い中間層を設けてもよ
い。更に、図３及び図４に示す実施形態においては、保
護層５を省いた構成となしてもよい。

【００３１】

【実施例】以下に、実施例および比較例を示し、本発明
を更に詳細に説明する。しかし、本発明の範囲は斯かる
実施例に制限されるものではない。

【００３２】〔実施例１〕深さｄ＝３５ｎｍ、幅ｗ＝６
３５ｎｍ、トラックピッチＰ＝１６００ｎｍの螺旋状の
案内溝を表面に有し、ＣＤ−Ｒに必要なアドレス情報等
が該案内溝の蛇行（ウォブル）として予め記録されてい
る透明なポリカーボネート基板（直径１２ｃｍ、板厚
１．２ｍｍ）上に、Ｉｎからなる厚さ１８ｎｍの第１の
記録層、及びＴｅからなる厚さ２０ｎｍの第２の記録層
を、スパッタ法により順次形成した。第２の記録層上に
紫外線硬化型樹脂約１０μｍをスピンコート法により塗
布し、紫外線を照射して硬化させて保護層を形成し、図
１に示す構成を有する光ディスクを得た。尚、ポリカー
ボネート基板の屈折率の実部はｎ＝１．５５であった。
次に、光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００（パルステ
ック工業製、レーザー波長７８１ｎｍ、対物レンズのＮ
Ａ＝０．５）を用いて、記録前のグループ反射率（Ｒ
ｇ）、ラジアルコントラスト信号（Ｒｃｂ）、記録後の
プッシュプル信号（ＰＰ）、１１Ｔ信号の変調度（Ｉ１
１／Ｉｔｏｐ）を測定した。なお記録には、光スポット
と媒体の相対速度を１．２ｍ／ｓとして、基準クロック
４．３２ＭＨｚのＥＦＭ信号を記録した。記録パワーは
４ｍＷから１３．５ｍＷの範囲で適当な値を選択し、再
生パワーは０．６ｍＷとした。このようにして得られた
測定結果を表１に示す。表中、○印は、ＣＤ−Ｒ規格を
満足し、×印は、ＣＤ−Ｒ規格を満足しないことを表わ
す。

【００３３】〔実施例２〜１０及び比較例１〜６〕ポリ
カーボネート基板上に形成される案内溝の深さｄ及び幅
ｗ並びに第１及び第２の記録層の構成材料を表１に示す
通りとする以外は実施例１と同様にして光りディスクを
得た。得られた光ディスクについて実施例１と同様の評
価をした。その結果を表１に示す。

【００３４】

【表１】

【００３５】表１に示す結果から明らかなように、第１
及び第２の記録層が特定の材料から構成され且つ特定の
形状の案内溝を有する実施例の光ディスク（本発明品）
は、比較例の光ディスクに比して、記録前のグルーブ反
射率、記録後のプッシュプル信号およびラジアルコント
ラスト信号の何れもがＣＤ−Ｒ規格を満たし、高い反射
率と高い変調度とを併せ持つことが判る。

【００３６】〔実施例１１〕深さｄ＝３０ｎｍ、幅ｗ＝
２５０ｎｍ、トラックピッチＰ＝８００ｎｍの螺旋状の
案内溝を表面に有し、ＤＶＤ−Ｒに必要なアドレス情報
等が該案内溝の蛇行（ウォブル）として予め記録されて
いる透明なポリカーボネート基板（直径１２ｃｍ、板厚
０．６ｍｍ）上に、Ｉｎからなる厚さ１４ｎｍの第１の
記録層、及びＴｅからなる厚さ１６ｎｍの第２の記録層
を、スパッタ法により順次形成した。第２の記録層上に
紫外線硬化型樹脂約１０μｍをスピンコート法により塗
布し、更に紫外線を照射し硬化させて保護層を形成し
た。その上に案内溝のない透明なポリカーボネート基板
（直径１２ｃｍ、板厚０．６ｍｍ）を接着層を介して接
合し、図３に示す構成を有する光ディスクを得た。尚、
ポリカーボネート基板の屈折率の実部はｎ＝１．５５で
あった。次に、実施例１と同様の光ディスク評価装置
（レーザー波長６３５ｎｍ、対物レンズのＮＡ＝０．
６）を用いて、記録前のグループ反射率（Ｒｇ）、ラジ
アルコントラスト信号（Ｒｃｂ）、記録前のプッシュプ
ル信号（ＰＰ）、１４Ｔ信号の変調度（Ｉ１４／Ｉｔｏ
ｐ）を測定した。なお記録には、光スポットと媒体の相
対速度を３．８４ｍ／ｓとして、基準クロック２６．１
６ＭＨｚのＥＦＭ信号を記録した。記録パワーは６ｍＷ
から１２ｍＷの範囲で適当な値を選択し、再生パワーは
０．６ｍＷとした。このようにして得られた測定結果を
表２に示す。表２中、○印および×印は、表１と同じ意
味である。

【００３７】〔実施例１２及び１３並びに比較例７及び
８〕ポリカーボネート基板上に形成される案内溝の深さ
ｄ及び幅ｗを表２に示す通りとする以外は実施例１１と
同様にして光りディスクを得た。得られた光ディスクに
ついて実施例１１と同様の評価をした。その結果を表２
に示す。

【００３８】

【表２】

【００３９】表２に示す結果から明らかなように、実施
例１１〜１３の光ディスク（本発明品）は、記録前のグ
ルーブ反射率、記録後のプッシュプル信号およびラジア
ルコントラスト信号の何れもがＤＶＤ−Ｒ規格を満た
し、高い反射率と高い変調度とを併せ持つことが判る。

【００４０】

【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明によれば、
異なる波長の光源を有する光ディスク用ドライブで十分
な再生互換性が得られる高い反射率と、記録の前後にお
ける高い変調度とを併せ持ち、且つ安価で製作の容易な
光記録媒体が得られる。特に本発明によれば、光源に赤
外領域の波長を有する光ビームを用いるドライブのみな
らず、赤色、緑色および青色などのより短波長の光ビー
ムを用いるドライブにおいても、高い反射率および変調
度を示す光記録媒体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一実施形態の構造を示す
断面図である。

【図２】基板に形成された案内溝を示す断面図である。

【図３】本発明の第２の実施形態の光記録媒体の構造を
示す断面図である。

【図４】本発明の第３の実施形態の光記録媒体の構造を
示す断面図である。

【符号の説明】

１ 光記録媒体 ２ 基板 ３ 第１の記録層 ４ 第２の記録層 ５ 保護層 ６ 接着層 ７ 上部基板

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 案内溝を有し且つ記録用光ビーム及び再
   生用光ビームに対して略透明な基板と、該基板上に積層
   され且つＩｎを主成分とする材料からなる第１の記録層
   と、該第１の記録層上に積層され且つ元素周期表５Ｂ族
   または６Ｂ族に属する少なくとも１種類の元素を含む材
   料からなる第２の記録層とを具備し、上記基板側から照
   射された光ビームによる加熱で、上記第１の記録層と上
   記第２の記録層とで情報信号の記録が可能になされてお
   り、更に、上記案内溝の深さｄ（ｎｍ）が、照射される
   光ビームの真空中の波長λ（ｎｍ）及び上記基板の屈折
   率の実部ｎに対して、下記関係式(1) を満たすようにな
   されていることを特徴とする光記録媒体。 ０．０３λ／ｎ＜ｄ＜０．１１λ／ｎ (1)
2. 【請求項２】 上記案内溝の幅ｗ（ｎｍ）が、隣接する
   二つの該案内溝間の間隔Ｐ（ｎｍ）に対して、下記関係
   式(2) を満たすようになされていることを特徴とする請
   求項１記載の光記録媒体。 ０．１Ｐ＜ｗ＜０．５Ｐ (2)
3. 【請求項３】 上記第２の記録層上に積層された保護層
   を更に具備することを特徴とする請求項１又は２記載の
   光記録媒体。