JPH11326917A - Liquid crystal display element and its production - Google Patents
Liquid crystal display element and its productionInfo
- Publication number
- JPH11326917A JPH11326917A JP12644498A JP12644498A JPH11326917A JP H11326917 A JPH11326917 A JP H11326917A JP 12644498 A JP12644498 A JP 12644498A JP 12644498 A JP12644498 A JP 12644498A JP H11326917 A JPH11326917 A JP H11326917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid crystal
- wall
- crystal display
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に大画面でしかも高精細な表示が可能な液晶表示
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly to a liquid crystal display capable of displaying a large screen and high definition.
【0002】[0002]
【従来の技術】強誘電性液晶はメモリー性、高速応答
性、広視野角といった優れた特長を有しており、単純マ
トリクス方式によって高精細大容量表示が可能である
〔N. A. Clark and S. T. Lagerwall:Appl. Phys. Lett
36(1980)899. 参照〕。図11に、強誘電性液晶表示装
置の従来構造の一例を概略的な断面図で示す。2. Description of the Related Art Ferroelectric liquid crystals have excellent features such as memory characteristics, high-speed response, and a wide viewing angle, and are capable of high-resolution, large-capacity display by a simple matrix method [NA Clark and ST Lagerwall: Appl. Phys. Lett
36 (1980) 899.]. FIG. 11 is a schematic sectional view showing an example of a conventional structure of a ferroelectric liquid crystal display device.
【0003】従来の強誘電性液晶表示装置は、2枚のガ
ラス基板12a・12bを備えている。一方のガラス基
板12aの表面にはインジウム錫酸化物(一般にITO
と略称される)等からなる透明な信号電極13aが複数
本互いに平行に配置され、その上にはSiO2 等からな
る透明絶縁膜14aが形成される。[0003] A conventional ferroelectric liquid crystal display device has two glass substrates 12a and 12b. On the surface of one glass substrate 12a, indium tin oxide (generally ITO)
) Are arranged in parallel with each other, and a transparent insulating film 14a made of SiO 2 or the like is formed thereon.
【0004】信号電極と対向するもう一方のガラス基板
12bの表面にはITO等からなる透明な走査電極13
bが、信号電極13aと直交する向きに複数本互いに平
行に配置されており、この走査電極13bも、SiO2
等からなる透明絶縁膜14bで被覆される。A transparent scanning electrode 13 made of ITO or the like is provided on the surface of the other glass substrate 12b facing the signal electrode.
b are arranged in parallel with each other in a direction orthogonal to the signal electrodes 13a, and the scanning electrodes 13b are also made of SiO 2
And the like.
【0005】各透明絶縁膜14a・14b上には、ラビ
ング処理などの一軸配向処理が施された配向膜15a・
15bが形成される。配向膜15a・15bとしては、
ポリイミド膜、ナイロン膜、ポリビニルアルコール膜な
どの有機高分子膜や、SiO斜方蒸着膜などが用いられ
る。配向膜15a・15bとして有機高分子膜を用いた
場合は、通常、液晶分子が電極基板に対してほぼ平行に
配向するように配向処理がなされる。[0005] On each of the transparent insulating films 14a and 14b, an alignment film 15a and a uniaxially-aligned film such as a rubbing process are applied.
15b is formed. As the alignment films 15a and 15b,
An organic polymer film such as a polyimide film, a nylon film, and a polyvinyl alcohol film, and a SiO oblique deposition film are used. When organic polymer films are used as the alignment films 15a and 15b, an alignment process is usually performed so that liquid crystal molecules are aligned substantially parallel to the electrode substrate.
【0006】以下では、信号電極13a、透明絶縁膜1
4a、および配向膜15aが順次積層されたガラス基板
12aを、電極基板10と称する。同様に、走査電極1
3b、透明絶縁膜14b、および配向膜15bが順次積
層されたガラス基板12bを、電極基板11と称する。Hereinafter, the signal electrode 13a, the transparent insulating film 1
The glass substrate 12 a on which the alignment film 4 a and the alignment film 15 a are sequentially stacked is referred to as an electrode substrate 10. Similarly, scan electrode 1
The glass substrate 12b on which the transparent insulating film 3b, the transparent insulating film 14b, and the alignment film 15b are sequentially laminated is referred to as an electrode substrate 11.
【0007】電極基板10および11は、一部に注入口
を残して封止剤16で貼り合わされ、配向膜15a・1
5bの間に形成される間隙に、上記注入口から強誘電性
液晶17が導入される。その後、上記注入口は、封止剤
30で封止される。The electrode substrates 10 and 11 are bonded together with a sealant 16 except for a part of the injection port, and the alignment films 15a and 1
The ferroelectric liquid crystal 17 is introduced from the injection port into the gap formed between 5b. Thereafter, the inlet is sealed with a sealant 30.
【0008】このようにして貼り合わされた電極基板1
0・11は、偏光軸が互いに直交するように配置された
2枚の偏光板18a・18bで挟まれる。表示面積が広
い場合には、2枚の電極基板10・11が互いに平行に
一定のセル厚で対向するように、球状のスペーサ19が
散布される。[0008] The electrode substrate 1 bonded in this manner.
0.11 is sandwiched between two polarizing plates 18a and 18b arranged so that the polarization axes are orthogonal to each other. When the display area is large, spherical spacers 19 are scattered so that the two electrode substrates 10 and 11 face each other in parallel with a constant cell thickness.
【0009】強誘電性液晶の分子20は、図12に示す
ように、分子の長軸方向と直交する方向に自発分極21
を持つ。それゆえ、強誘電性液晶の分子20は、信号電
極13aと走査電極13bとの間に印加される電圧から
作られる電界と、自発分極21とのベクトル積に比例し
た力を受け、円錐軌跡22の表面上を運動する。As shown in FIG. 12, the ferroelectric liquid crystal molecule 20 has a spontaneous polarization 21 in a direction orthogonal to the long axis direction of the molecule.
have. Therefore, the molecules 20 of the ferroelectric liquid crystal receive a force proportional to the vector product of the electric field created by the voltage applied between the signal electrode 13a and the scanning electrode 13b and the spontaneous polarization 21 and the conical trajectory 22 Exercise on the surface of.
【0010】このため、観察者から見ると、強誘電性液
晶の分子20は、図13に示すように、円錐軌跡22の
両軸の位置A・Bの間をスイッチすることになる。この
とき、例えば、偏光板18a・18bの一方の偏光軸
が、分子20が位置Aにある場合の分子長軸の方向38
aと一致するように、且つ他方の偏光軸が方向38bと
一致するように配置すれば、分子20が位置Aにスイッ
チしたときに暗視野が得られる。また、分子20が位置
Bにスイッチしたときに、複屈折によって生じた明視野
が得られる。Therefore, as seen from the observer, the molecules 20 of the ferroelectric liquid crystal switch between the positions A and B on both axes of the conical trajectory 22 as shown in FIG. At this time, for example, one of the polarization axes of the polarizing plates 18a and 18b is oriented in the direction 38 of the molecular long axis when the molecule 20 is at the position A.
a, and the other polarization axis is aligned with the direction 38b, a dark field is obtained when the molecule 20 switches to position A. Also, when the molecule 20 switches to position B, a bright field caused by birefringence is obtained.
【0011】また、位置A・Bのそれぞれにおける強誘
電性液晶の分子20の配向状態は、弾性エネルギー的に
等価である。これにより、信号電極13aおよび走査電
極13bによる電界が除去された後も、分子20の配向
状態すなわち光学状態が保持される。これが、いわゆ
る、強誘電性液晶のメモリー効果である。このメモリー
効果は従来のネマティック液晶には無い特性であり、自
発分極による高速応答性と併せて、強誘電性液晶を用い
た表示装置が単純マトリクス方式で高精細大容量表示を
行うことを可能としている。The orientation states of the molecules 20 of the ferroelectric liquid crystal at the positions A and B are equivalent in elastic energy. Thereby, even after the electric field generated by the signal electrode 13a and the scanning electrode 13b is removed, the alignment state, that is, the optical state of the molecule 20 is maintained. This is the so-called memory effect of the ferroelectric liquid crystal. This memory effect is a characteristic not found in conventional nematic liquid crystals, and in addition to the high-speed response due to spontaneous polarization, the display device using ferroelectric liquid crystal can perform high-resolution large-capacity display with a simple matrix method. I have.
【0012】ただし、強誘電性液晶等を用いて大型液晶
表示装置を実現する場合、次のような問題がある。すな
わち、大型液晶表示装置は、基板自身の重みによる撓み
や、外力による衝撃等に起因する基板変形が起こりやす
い。特に、強誘電性液晶の場合は、液晶の配向が外圧等
により一旦乱れると、外圧が除かれても配向性が復元し
難いので、基板変形が生じた場合、配向状態が互いに異
なる領域が発生し、これらの領域間で光の透過量が著し
く異なる結果となる。However, when a large-sized liquid crystal display device is realized by using a ferroelectric liquid crystal or the like, there are the following problems. That is, in the large-sized liquid crystal display device, the substrate is easily deformed due to bending due to the weight of the substrate itself, impact due to external force, and the like. In particular, in the case of ferroelectric liquid crystals, once the alignment of the liquid crystal is disturbed by external pressure or the like, it is difficult to restore the alignment even if the external pressure is removed. However, this results in a remarkably different light transmission amount between these regions.
【0013】このため、液晶セル内部に球形スペーサを
入れたり、スペーサに接着性を付与することによって基
板変形を防止する方法が、従来から広く行われている。
この他に、液晶セルの内部に高分子樹脂からなる壁構造
(以下、高分子壁と称する)を形成する方法も知られて
いる。このような高分子壁を備えた構成では、液晶セル
の基板変形と液晶の流動とが抑制され、これらに起因す
る表示不良が改善される。For this reason, a method of preventing deformation of a substrate by inserting a spherical spacer inside a liquid crystal cell or imparting adhesiveness to the spacer has been widely used.
In addition, a method of forming a wall structure made of a polymer resin (hereinafter, referred to as a polymer wall) inside a liquid crystal cell is also known. In the configuration having such a polymer wall, the deformation of the substrate of the liquid crystal cell and the flow of the liquid crystal are suppressed, and the display failure due to these is improved.
【0014】[0014]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような高分子壁を有する液晶表示装置は、以下のよう
に、さらに解決すべき課題を有する。However, the liquid crystal display device having a polymer wall as described above has a problem to be further solved as described below.
【0015】すなわち、高分子壁を有する液晶表示装置
において、高分子壁を介した基板同士の接着性が十分に
強化されていれば、基板の圧縮・引っ張り変形を防止す
る効果がある。しかしながら、基板同士の接着性が不十
分であると、基板の圧縮・引っ張りによる基板変形によ
ってセル厚が変化し、表示不良が生じるという問題があ
る。基板の変形は、高分子壁の近傍では小さいが、隣り
合う高分子壁の間の領域で大きくなる。That is, in a liquid crystal display device having a polymer wall, if the adhesion between the substrates via the polymer wall is sufficiently strengthened, there is an effect of preventing the substrate from being compressed and tensilely deformed. However, if the adhesion between the substrates is insufficient, there is a problem that the cell thickness changes due to the deformation of the substrate due to the compression / pulling of the substrate, resulting in display failure. The deformation of the substrate is small near the polymer wall, but large in the region between the adjacent polymer walls.
【0016】このような基板変形が発生する原因の一つ
として、セルの貼り合わせ工程において、一対の基板を
均一な圧力で互いに押し付けることがあげられる。この
場合、過度の圧力を印加したまま両基板を接着させる
と、隣り合う高分子壁の間の領域で基板変形が発生す
る。One of the causes of such substrate deformation is that a pair of substrates are pressed against each other with a uniform pressure in the cell bonding step. In this case, if both substrates are adhered while applying an excessive pressure, the substrate is deformed in a region between adjacent polymer walls.
【0017】この結果、セル厚が不均一となることによ
り、液晶への印加電圧が不均一となり、液晶の動作不良
を引き起こす。また、セル厚が不均一になると、透過光
量も不均一になるので、輝度低下や色調不良を引き起こ
し、階調表示が困難となるという問題も生じる。As a result, since the cell thickness becomes non-uniform, the voltage applied to the liquid crystal becomes non-uniform, which causes a malfunction of the liquid crystal. Further, if the cell thickness is non-uniform, the amount of transmitted light is also non-uniform, causing a decrease in luminance and poor color tone, which causes a problem that gradation display becomes difficult.
【0018】また、液晶表示装置には、様々な要因で、
液晶が充填されていないところ、すなわち気泡やキャビ
ティが発生する。気泡やキャビティは、図14に示すよ
うに、液晶表示装置の表示欠陥として現れる。従来、T
N液晶では、液晶セルの基板表面からの出ガスや、冷却
時における液晶の体積収縮などが気泡の原因となること
が知られている。Further, the liquid crystal display device has various factors,
Where the liquid crystal is not filled, that is, bubbles and cavities are generated. Bubbles and cavities appear as display defects of the liquid crystal display device as shown in FIG. Conventionally, T
In N liquid crystals, it is known that outgassing from the substrate surface of the liquid crystal cell or volume shrinkage of the liquid crystal during cooling causes bubbles.
【0019】高分子壁を有する液晶セルでも、例えば基
板の表面凹凸等の上記以外の原因により、様々なタイプ
の気泡もしくはキャビティが発生する。高分子壁を有す
る液晶表示装置に現れる気泡もしくはキャビティは、図
14に示すように高分子壁(図示せず)の長手方向に沿
って平行に発生するタイプのキャビティ25と、高分子
壁110に垂直な方向に発生するタイプのキャビティ2
6とがある。Even in a liquid crystal cell having a polymer wall, various types of bubbles or cavities are generated due to factors other than the above, such as surface irregularities of a substrate. Bubbles or cavities appearing in a liquid crystal display device having a polymer wall include a cavity 25 of a type that is generated in parallel along the longitudinal direction of a polymer wall (not shown) and a polymer wall 110 as shown in FIG. Vertical type cavity 2
There are six.
【0020】小さいサイズの気泡もしくはキャビティの
中には、外力や液晶セルの再加熱により完全に消滅する
ものもあるが、発生時のサイズが小さくても、後に大き
くなってゆく力学的に不安定なタイプの気泡もしくはキ
ャビティもある。Some small-sized bubbles or cavities completely disappear due to external force or reheating of the liquid crystal cell. However, even if the size at the time of generation is small, it becomes mechanically unstable. There are also different types of bubbles or cavities.
【0021】力学的に不安定なタイプの気泡もしくはキ
ャビティは、その発生箇所に駆動電圧を印加したり、そ
の発生箇所近傍で基板変形が生じたりすると、大きさを
増し、液晶表示装置の表示特性を損なうこととなる。A bubble or cavity of a mechanically unstable type increases in size when a driving voltage is applied to the place where the bubble is generated or when the substrate is deformed near the place where the bubble is generated, and the display characteristics of the liquid crystal display device are increased. Will be impaired.
【0022】本発明は上記した各問題点を鑑みなされた
もので、均一なセル厚を保ち、良好な表示が可能な液晶
表示素子、およびそのような液晶表示素子の製造方法を
提供することを課題とする。The present invention has been made in view of the above-described problems, and provides a liquid crystal display element capable of maintaining a uniform cell thickness and capable of providing a good display, and a method of manufacturing such a liquid crystal display element. Make it an issue.
【0023】[0023]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、請求項1記載の液晶表示素子の製造方法は、少な
くとも電極と配向制御層とをそれぞれ有する一対の基板
がストライプ状の壁状スペーサによって間隔を保って貼
り合わされた液晶表示素子の製造方法において、上記一
対の基板の一方に壁状スペーサを形成する工程と、一対
の基板を、圧着によって貼り合わせる工程とを含み、上
記基板の厚さをA、上記基板のヤング率をE、上記壁状
スペーサを配置するピッチをL、上記工程において基板
を圧着する際の圧力をP、上記液晶表示素子に許容され
るセル厚の変化量をVとすると、 PL4 /EA3 ≦Vπ5 /48 が成り立つことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer having a striped wall shape. The method for manufacturing a liquid crystal display element bonded with a space between the spacers includes a step of forming a wall-shaped spacer on one of the pair of substrates and a step of bonding the pair of substrates by pressure bonding. A is the thickness, E is the Young's modulus of the substrate, L is the pitch at which the wall-like spacers are arranged, P is the pressure at which the substrate is pressed in the above process, and the amount of change in cell thickness allowed for the liquid crystal display element. the If is V, wherein the PL 4 / EA 3 ≦ Vπ 5 /48 is established.
【0024】上記の製造方法によれば、一対の基板を圧
着によって貼り合わせる工程において圧力Pが印加され
ても、この圧力Pによるセル厚の変化量が許容範囲
(V)内に収まる。これにより、セル厚の均一性が向上
し、表示不良のない液晶表示素子を提供することができ
る。According to the above-described manufacturing method, even if a pressure P is applied in the step of bonding a pair of substrates by pressure bonding, the amount of change in cell thickness due to the pressure P falls within the allowable range (V). Thereby, the uniformity of the cell thickness can be improved and a liquid crystal display element free from display defects can be provided.
【0025】請求項2記載の液晶表示素子の製造方法
は、少なくとも電極と配向制御層とをそれぞれ有する一
対の基板がストライプ状の壁状スペーサによって間隔を
保って貼り合わされた液晶表示素子の製造方法におい
て、上記一対の基板の一方に、ピッチL、高さHの壁状
スペーサを形成する工程と、上記壁状スペーサが形成さ
れた基板に、他の基板を圧力Pで圧接する工程とを含
み、上記他の基板のヤング率をE、厚さをAとすると、 PL4 /EA3 H≦π5 /48 が成り立つことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer are bonded to each other at intervals by a striped wall spacer. A step of forming a wall-shaped spacer having a pitch L and a height H on one of the pair of substrates, and a step of pressing another substrate with a pressure P against the substrate on which the wall-shaped spacer is formed. , E the Young's modulus of the other substrate, when the thickness is a, wherein the PL 4 / EA 3 H ≦ π 5/48 is established.
【0026】上記の製造方法によれば、一対の基板の一
方に壁状スペーサを形成した後、この基板に対して他の
基板を圧接する工程において圧力Pが印加されても、こ
の圧力Pによる基板の撓み量を、壁状スペーサが形成さ
れている基板と上記他の基板とが互いに接触することが
ない範囲に収めることができる。なお、他の基板とは、
一対の基板の他方や、一対の基板を接着させるために壁
状スペーサの上面に接着剤を転写するために用いられる
転写基板等を含む。これにより、基板変形による表示不
良のない液晶表示素子を提供することができる。According to the above-described manufacturing method, even if a pressure P is applied in the step of pressing another substrate against the substrate after forming the wall-shaped spacer on one of the pair of substrates, the pressure P The amount of deflection of the substrate can be kept within a range where the substrate on which the wall-shaped spacer is formed and the other substrate do not contact each other. In addition, other substrates are
It includes the other of the pair of substrates, a transfer substrate used to transfer an adhesive to the upper surface of the wall-shaped spacer for bonding the pair of substrates, and the like. Thereby, a liquid crystal display element free from display defects due to substrate deformation can be provided.
【0027】請求項3記載の液晶表示素子は、少なくと
も電極と配向制御層とをそれぞれ有する一対の基板がス
トライプ状の壁状スペーサによって間隔を保って貼り合
わされた液晶表示素子において、上記液晶表示素子の耐
圧限界圧力をP、液晶配向の変化が生じるセル厚の変位
量をVとすると、上記壁状スペーサのピッチL、高さ
H、幅W、ヤング率Eが、 PLH2 /EW2 ≦2V を満たすことを特徴としている。The liquid crystal display element according to claim 3, wherein a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer are bonded to each other at intervals by a striped wall spacer. Where P is the withstand pressure limit pressure and V is the displacement of the cell thickness at which a change in the liquid crystal alignment occurs, the pitch L, height H, width W, and Young's modulus E of the above-mentioned wall spacer are PLH 2 / EW 2 ≦ 2V. It is characterized by satisfying.
【0028】上記の構成によれば、衝撃等の外力が加わ
った場合に、この外力の大きさが、耐圧限界圧力Pより
も小さければ、外力によって生じるセル厚の変位量が、
液晶配向の変化に影響を及ぼさない範囲に収まる。これ
により、耐ショック性に優れた液晶表示素子を提供する
ことができる。According to the above configuration, when an external force such as an impact is applied, if the magnitude of the external force is smaller than the withstand pressure limit pressure P, the displacement of the cell thickness caused by the external force becomes
It falls within a range that does not affect the change in the liquid crystal alignment. Thereby, a liquid crystal display element having excellent shock resistance can be provided.
【0029】請求項4記載の液晶表示素子は、請求項3
記載の構成において、上記基板の少なくとも一方に樹脂
層が設けられ、樹脂層の厚さをhP 、壁状スペーサ主部
の高さをhW 、樹脂層のヤング率をEP 、壁状スペーサ
主部のヤング率をEW とすると、 H=hP +hW 、E=(EP hP +EW hW )/(hP
+hW ) であることを特徴とする。The liquid crystal display device according to the fourth aspect is the third aspect.
In the configuration described above, a resin layer is provided on at least one of the substrates, the thickness of the resin layer is h P , the height of the wall-shaped spacer main portion is h W , the Young's modulus of the resin layer is E P , and the wall-shaped spacer is Assuming that the Young's modulus of the main part is E W , H = h P + h W , E = (E P h P + E W h W ) / (h P
+ H W ).
【0030】上記の構成によれば、例えばカラーフィル
タ等の樹脂層を備えた構成においても、樹脂層の厚さお
よび壁状スペーサの高さを、それぞれのヤング率に応じ
て調整することにより、耐圧限界圧力よりも小さい外力
が加わった場合のセル厚の変位量を、液晶配向の変化に
影響を及ぼさない範囲に収めることができる。この結
果、耐ショック性に優れた液晶表示素子を提供すること
ができる。According to the above structure, for example, even in a structure having a resin layer such as a color filter, the thickness of the resin layer and the height of the wall spacer are adjusted according to the respective Young's moduli. The amount of displacement of the cell thickness when an external force smaller than the withstand pressure limit pressure is applied can be kept within a range that does not affect the change in the liquid crystal alignment. As a result, a liquid crystal display device having excellent shock resistance can be provided.
【0031】請求項5記載の液晶表示素子は、少なくと
も電極と配向制御層とをそれぞれ有する一対の基板がス
トライプ状の壁状スペーサによって間隔を保って貼り合
わされた液晶表示素子において、上記基板の厚さをA、
基板のヤング率をE、壁状スペーサのピッチをL、上記
一対の基板間の接着力をG、基板表面の凹凸の長さを
λ、上記凹凸の高さをΔとすると、 GλL6 /Δ2 A6 E≧0.05 が成り立つことを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer, each of which is bonded to each other at intervals by a striped wall spacer. A,
If the Young's modulus of the substrate is E, the pitch of the wall spacer is L, the adhesive force between the pair of substrates is G, the length of the unevenness on the substrate surface is λ, and the height of the unevenness is Δ, GλL 6 / Δ 2 A 6 E ≧ 0.05.
【0032】上記の構成によれば、製造工程における種
々の要因によって基板表面に凹凸が生じたとしても、こ
れに伴って基板間に生じる引き剥がし応力の影響を少な
くすることができる。この結果、気泡やキャビティのな
い液晶表示素子を提供することができる。According to the above configuration, even if irregularities are generated on the substrate surface due to various factors in the manufacturing process, the influence of the peeling stress generated between the substrates can be reduced. As a result, a liquid crystal display element without bubbles and cavities can be provided.
【0033】請求項6記載の液晶表示素子の製造方法
は、少なくとも電極と配向制御層とをそれぞれ有する一
対の基板がストライプ状の壁状スペーサによって間隔を
保って貼り合わされた液晶表示素子の製造方法におい
て、上記一対の基板の一方に壁状スペーサを形成する工
程と、一対の基板を、圧着によって貼り合わせる工程と
を含み、上記基板の厚さをA、基板のヤング率をE、上
記壁状スペーサを配置するピッチをL、上記工程におい
て基板を圧着する際の圧力をPとすると、 PL4 /EA3 ≦0.00065〔mm〕 が成り立つことを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device, wherein a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer are bonded to each other at intervals by a striped wall spacer. A step of forming a wall-shaped spacer on one of the pair of substrates and a step of bonding the pair of substrates by pressure bonding, wherein the thickness of the substrate is A, the Young's modulus of the substrate is E, When the pitch at which the spacers are arranged is L and the pressure at which the substrate is pressed in the above step is P, PL 4 / EA 3 ≦ 0.00065 [mm] holds.
【0034】P,L,E,およびAが上記の条件を満た
していれば、一対の基板を圧着によって貼り合わせる工
程におけるセル厚の変化量を、液晶配向の変化に影響を
及ぼさない範囲(0.1μm以内)に収めることができ
る。これにより、セル厚の均一性が向上し、表示不良の
ない液晶表示素子を提供することができる。If P, L, E, and A satisfy the above conditions, the amount of change in cell thickness in the step of bonding a pair of substrates by pressure bonding is set to a range (0) that does not affect the change in liquid crystal alignment. ... 1 μm or less. Thereby, the uniformity of the cell thickness can be improved and a liquid crystal display element free from display defects can be provided.
【0035】請求項7記載の液晶表示素子は、少なくと
も電極と配向制御層とをそれぞれ有する一対の基板がス
トライプ状の壁状スペーサによって間隔を保って貼り合
わされた液晶表示素子において、上記液晶表示素子の耐
圧限界圧力をPとすると、上記壁状スペーサのピッチ
L、高さH、幅W、ヤング率Eが、 PLH2 /EW2 ≦0.2〔μm〕 を満たすことを特徴とする。8. The liquid crystal display device according to claim 7, wherein a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer are bonded to each other at intervals by a striped wall spacer. The pitch L, the height H, the width W, and the Young's modulus E of the wall-shaped spacer satisfy PLH 2 / EW 2 ≦ 0.2 [μm], where P is the withstand pressure limit pressure.
【0036】P,L,H,E,およびWが上記の条件を
満たしていれば、衝撃等の外力が加わった場合に、この
外力の大きさが、耐圧限界圧力Pよりも小さければ、外
力によって生じるセル厚の変位量が、液晶配向の変化に
影響を及ぼさない範囲(0.1μm以内)に収まる。こ
れにより、耐ショック性に優れた液晶表示素子を提供す
ることができる。If P, L, H, E, and W satisfy the above conditions, when an external force such as an impact is applied, if the magnitude of the external force is smaller than the pressure limit pressure P, the external force The amount of displacement of the cell thickness caused by the change is within a range (within 0.1 μm) that does not affect the change of the liquid crystal alignment. Thereby, a liquid crystal display element having excellent shock resistance can be provided.
【0037】請求項8記載の液晶表示素子は、少なくと
も電極と配向制御層とをそれぞれ有する一対の基板がス
トライプ状の壁状スペーサによって間隔を保って貼り合
わされた液晶表示素子において、上記基板の厚さをA、
壁状スペーサのピッチをLとすると、 L6 /A6 ≧0.00015 が成り立つことを特徴とする。The liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device wherein a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer are bonded to each other at a distance by a striped wall spacer. A,
When the pitch of the wall-shaped spacer is L, L 6 / A 6 ≧ 0.00015 is satisfied.
【0038】LおよびAが上記の条件を満たしていれ
ば、製造工程における種々の要因によって基板表面に凹
凸が生じたとしても、これに伴って基板間に生じる引き
剥がし応力の影響を少なくすることができる。この結
果、気泡やキャビティのない液晶表示素子を提供するこ
とができる。As long as L and A satisfy the above conditions, even if irregularities occur on the substrate surface due to various factors in the manufacturing process, the influence of the peeling stress generated between the substrates is reduced. Can be. As a result, a liquid crystal display element without bubbles and cavities can be provided.
【0039】[0039]
【発明の実施の形態】〔実施の形態1〕本発明の実施に
係る一形態について、図1ないし図3に基づいて説明す
れば、下記のとおりである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [Embodiment 1] An embodiment according to the present invention will be described below with reference to FIGS.
【0040】本実施形態に係る液晶セル(液晶表示素
子)は、図1に示すように、一対の基板48a・48b
の間に、幅W、高さH、長さBの高分子壁40(壁状ス
ペーサ)がストライプ状に設けられた構成である。上記
基板48a・48bの各々には、例えばITOからなる
透明電極、絶縁膜、および配向膜等(いずれも図示せ
ず)が必要に応じて設けられている。As shown in FIG. 1, the liquid crystal cell (liquid crystal display element) according to this embodiment has a pair of substrates 48a and 48b.
In this configuration, a polymer wall 40 (wall-like spacer) having a width W, a height H, and a length B is provided in a stripe shape. Each of the substrates 48a and 48b is provided with a transparent electrode made of, for example, ITO, an insulating film, an alignment film, and the like (neither is shown) as necessary.
【0041】この液晶セルは、基板48bの厚さをA、
基板48bのヤング(Young) 率をE、高分子壁80のピ
ッチ(図中X方向における、1つの高分子壁40の中心
位置から、隣り合う高分子壁40の中心位置までの距
離)をL、とした場合、下記の数1に示す条件が成り立
つ。なお、Pは、この液晶セルの製造工程において基板
48aと48bとを圧着によって貼り合わせる際に印加
される圧力を示し、Vは、この液晶セルにおいて許容さ
れるセル厚の変位量を示す。また、高分子壁40は、基
板48bの長さ方向の全体にわたって形成されており、
その長さは基板48bの長さBと等しい。In this liquid crystal cell, the thickness of the substrate 48b is A,
The Young's modulus of the substrate 48b is E, and the pitch of the polymer walls 80 (the distance from the center position of one polymer wall 40 to the center position of the adjacent polymer wall 40 in the X direction in the drawing) is L. , The condition shown in Equation 1 below holds. Note that P indicates a pressure applied when the substrates 48a and 48b are bonded to each other by pressure bonding in a manufacturing process of the liquid crystal cell, and V indicates a displacement of a cell thickness allowed in the liquid crystal cell. The polymer wall 40 is formed over the entire length of the substrate 48b in the length direction.
Its length is equal to the length B of the substrate 48b.
【0042】[0042]
【数1】 (Equation 1)
【0043】以下、上記の条件の導出過程について説明
する。The process of deriving the above conditions will be described below.
【0044】この液晶セルの製造工程において、基板4
8a・48bを圧着によって貼り合わせる際に基板48
bに印加される圧力をPとすると、この圧力Pのもとで
の基板48bの変形量ξは、高分子壁40の長手方向に
直交する方向(図中X方向)における高分子壁40から
の距離xの関数として、下記の数1で与えられる。In the manufacturing process of the liquid crystal cell, the substrate 4
When bonding the substrates 8a and 48b by crimping,
Assuming that the pressure applied to b is P, the amount of deformation の of the substrate 48b under this pressure P is from the polymer wall 40 in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the polymer wall 40 (X direction in the figure). Is given by the following equation 1 as a function of the distance x.
【0045】[0045]
【数2】 (Equation 2)
【0046】ここで、Bは、基板48bの長さ(図中Y
方向の長さ)、Eは基板48bのヤング(Young) 率、I
は基板48bの慣性モーメントである。通常、ガラス基
板のヤング率は、6500〜7500kg/mm2 程度
であり、樹脂基板の場合は10〜500kg/mm2 程
度である。なお、基板48bの慣性モーメントIは、次
式で表される。Here, B is the length of the substrate 48b (Y in the figure)
E is the Young's modulus of the substrate 48b, I
Is the moment of inertia of the substrate 48b. Usually, the Young's modulus of a glass substrate is about 6500 to 7500 kg / mm 2 , and that of a resin substrate is about 10 to 500 kg / mm 2 . The moment of inertia I of the substrate 48b is represented by the following equation.
【0047】[0047]
【数3】 (Equation 3)
【0048】ここで、x=0およびx=Lにおいて基板
変形量ξ(x)=0が満たされるとの境界条件のもと
で、上記数2を解くと、次の解が得られる。Here, when the above equation 2 is solved under the boundary condition that the substrate deformation amount ξ (x) = 0 is satisfied at x = 0 and x = L, the following solution is obtained.
【0049】[0049]
【数4】 (Equation 4)
【0050】この数4より、基板48bの最大変形量
は、48PL4 /π5 A3 Eで与えられることがわか
る。液晶セルの表示特性の均一性を考慮すると、基板4
8bの変形量は、所定値以下であることが望ましい。す
なわち、この所定値をVとすると、48PL4 /π5 A
3 E≦Vより、前記の数1が導出される。From this equation 4 , it can be seen that the maximum deformation of the substrate 48b is given by 48PL 4 / π 5 A 3 E. Considering the uniformity of the display characteristics of the liquid crystal cell, the substrate 4
It is desirable that the deformation amount of 8b is equal to or less than a predetermined value. That is, assuming that this predetermined value is V, 48PL 4 / π 5 A
From 3 E ≦ V, the number 1 of the is derived.
【0051】なお、図2は、上記液晶セルにおいて、圧
力Pを1kgf/cm2 とし、高分子壁40のピッチL
を様々に変化させて、ピッチLに対する基板48bの変
形量ξ(x)の最大値を測定した結果を示すグラフであ
る。図2から、基板48bの変形量ξ(x)の最大値
は、高分子壁40のピッチLの4乗に比例して増加して
いることが分かる。これは、数4の振幅のL依存性と一
致する。FIG. 2 shows that in the above-mentioned liquid crystal cell, the pressure P was set at 1 kgf / cm 2 and the pitch L of the polymer wall 40 was changed.
Is a graph showing the results obtained by measuring the maximum value of the amount of deformation ξ (x) of the substrate 48b with respect to the pitch L while changing the value of L in various ways. FIG. 2 shows that the maximum value of the amount of deformation ξ (x) of the substrate 48 b increases in proportion to the fourth power of the pitch L of the polymer walls 40. This is consistent with the L dependence of the amplitude in Equation 4.
【0052】本実施形態に係る液晶セルの場合、液晶表
示装置の表示特性の均一性を考慮すると、セル厚の変化
量が0.1μm以下、すなわちV=0.1μmであるこ
とが要求されるので、数4に基づけば、高分子壁40の
ピッチLと基板48bの厚さAとが、以下の関係を満た
すことが好ましい。In the case of the liquid crystal cell according to the present embodiment, in consideration of the uniformity of the display characteristics of the liquid crystal display device, it is required that the amount of change in the cell thickness is 0.1 μm or less, that is, V = 0.1 μm. Therefore, based on Equation 4, it is preferable that the pitch L of the polymer walls 40 and the thickness A of the substrate 48b satisfy the following relationship.
【0053】[0053]
【数5】 (Equation 5)
【0054】さらに、基板48bがガラス基板であり、
このガラス基板のヤング率Eが7500kg/mm2 、
セル作製時の圧力Pが0.01kgf/mm2 であると
すると、上記数5に基づけば、本実施形態に係る液晶セ
ルにおいて、高分子壁40のピッチLと、基板48bの
厚さAとの間に、下記数6に示すような関係が成り立つ
ことがさらに好ましい。Further, the substrate 48b is a glass substrate,
The Young's modulus E of this glass substrate is 7500 kg / mm 2 ,
Assuming that the pressure P at the time of producing the cell is 0.01 kgf / mm 2 , based on the above Equation 5, in the liquid crystal cell according to the present embodiment, the pitch L of the polymer walls 40 and the thickness A of the substrate 48 b It is further preferable that the relationship shown in the following Expression 6 is established between
【0055】[0055]
【数6】 (Equation 6)
【0056】ここで、図3を参照しながら、上述の液晶
セルの構成およびその製造方法のさらに具体的な例につ
いて説明する。まず、厚さA=0.7mmのガラス基板
50aの全面に、膜厚200nmのインジウム錫酸化物
(ITO)の膜を、スパッタ蒸着あるいはEB蒸着によ
って形成する。次に、フォトレジストをスピンコーティ
ングする。次に、ITO電極形成用フォトマスクと紫外
線露光装置とを用いたフォトリソグラフィによって上記
フォトレジストをストライプパターンにした後、35℃
の47重量%臭化水素水溶液に10分間浸漬すること
で、信号線51aのエッチングを行う。Here, a more specific example of the structure of the above-described liquid crystal cell and a method of manufacturing the same will be described with reference to FIG. First, a 200 nm-thick indium tin oxide (ITO) film is formed on the entire surface of a glass substrate 50a having a thickness of A = 0.7 mm by sputtering evaporation or EB evaporation. Next, a photoresist is spin-coated. Next, after the above photoresist was formed into a stripe pattern by photolithography using a photomask for forming an ITO electrode and an ultraviolet exposure apparatus,
Is immersed in a 47% by weight aqueous solution of hydrogen bromide for 10 minutes to etch the signal line 51a.
【0057】なお、上記フォトレジストとしては、例え
ば、東京応化工業株式会社製のTSMR−8800等を
用いることができる。また、上記エッチング工程におい
て、信号線51aの幅が385μm、画素部分の長さが
192mm、隣合う信号線51a・51a間の幅が15
μmとなるようにする。As the photoresist, for example, TSMR-8800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. can be used. In the above etching step, the width of the signal line 51a is 385 μm, the length of the pixel portion is 192 mm, and the width between the adjacent signal lines 51a is 51 mm.
μm.
【0058】次に、このように信号線51a…を形成し
たガラス基板50aを純水で洗浄し、乾燥した後、樹脂
やSiによりブラックマトリクス56を形成する。その
上に、ネガ型感光性アクリル樹脂(V−259PA:新
日鉄化学株式会社製)をスピンコーティングし、プロキ
シミティギャップ50μmのフォトリソグラフィーによ
り、高さ1.5μm、台形の下辺の幅15μm、上辺1
0μmの高分子壁54を形成する。ここでは、高分子壁
54のピッチLを2mmとした。Next, the glass substrate 50a on which the signal lines 51a are formed is washed with pure water and dried, and then a black matrix 56 is formed of resin or Si. A negative photosensitive acrylic resin (V-259PA: manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) is spin-coated thereon, and the height is 1.5 μm, the width of the lower side of the trapezoid is 15 μm, and the upper side is 1 by photolithography with a proximity gap of 50 μm.
A 0 μm polymer wall 54 is formed. Here, the pitch L of the polymer walls 54 was 2 mm.
【0059】高分子壁54の上に、酸化シリコンSiO
2 や窒化シリコンSiNなどからなる絶縁膜52aと、
ポリイミドからなる配向膜53aとを順次形成し、配向
膜53aにラビングによる一軸配向処理を施す。On the polymer wall 54, silicon oxide SiO
An insulating film 52a made of 2 or silicon nitride SiN;
An alignment film 53a made of polyimide is sequentially formed, and a uniaxial alignment process by rubbing is performed on the alignment film 53a.
【0060】以上の工程により、信号線基板58aが作
製される。Through the above steps, the signal line substrate 58a is manufactured.
【0061】同様に、ガラス基板50bに、走査線51
b、絶縁膜52b、および配向膜53bを順次形成する
ことにより、走査線基板58bを作製し、信号線基板5
8aと走査線基板58bとを対向させ、200℃に温度
を保ち、真空引きしながら圧力1kg/cm2 で両基板
を1時間かけて接着させる。その後、液晶注入を行うこ
とにより、液晶セルが完成する。なお、ここで用いたガ
ラス基板50a・50bのヤング率は、7500kg/
mm2 であった。Similarly, the scanning lines 51 are placed on the glass substrate 50b.
b, an insulating film 52b, and an alignment film 53b are sequentially formed to form a scanning line substrate 58b and a signal line substrate 5b.
The substrate 8a and the scanning line substrate 58b are opposed to each other, the temperature is kept at 200 ° C., and the two substrates are adhered for 1 hour at a pressure of 1 kg / cm 2 while evacuating. Thereafter, a liquid crystal cell is completed by injecting liquid crystal. The Young's modulus of the glass substrates 50a and 50b used here was 7500 kg /
mm 2 .
【0062】こうして作製した液晶セルにおいて、セル
厚の不均一性を調べた結果、隣り合う高分子壁54・5
4の間の中央部分のセル厚が、高分子壁54の近傍のセ
ル厚に比べて、0.01μm程度薄くなっていることが
分かった。しかし、この値は、好ましい表示特性を実現
可能な範囲に収まっている。As a result of examining the non-uniformity of the cell thickness of the liquid crystal cell thus produced, the polymer walls 54.5
It was found that the cell thickness in the central portion between the four was smaller than the cell thickness in the vicinity of the polymer wall 54 by about 0.01 μm. However, this value falls within a range in which preferable display characteristics can be realized.
【0063】一方、高分子壁54のピッチLを3.6m
mとし、その他の条件はすべて上記と同様にして液晶セ
ルを作製すると、隣り合う高分子壁54・54の間の中
央部分のセル厚の値は0.1μmとなった。この値は、
好ましい表示特性を実現可能な範囲の限界値である。On the other hand, the pitch L of the polymer walls 54 is 3.6 m
When a liquid crystal cell was prepared in the same manner as above except for the above conditions, the cell thickness at the center between the adjacent polymer walls 54 was 0.1 μm. This value is
This is a limit value within a range in which preferable display characteristics can be realized.
【0064】なお、上記のL,A,Pの値はいずれも、
前述の数5および数6の条件を満足するものである。Note that the above values of L, A, and P are:
This satisfies the above-mentioned conditions of Expressions 5 and 6.
【0065】〔実施の形態2〕本発明の実施に係る他の
形態について、図4および図5に基づいて説明すれば、
下記のとおりである。Embodiment 2 Another embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5.
It is as follows.
【0066】本実施形態に係る液晶セルは、図4に示す
ように、信号線基板68a・走査線基板68bを備えて
いる。The liquid crystal cell according to the present embodiment includes a signal line substrate 68a and a scanning line substrate 68b as shown in FIG.
【0067】信号線基板68aは、ガラス基板60aの
表面に、ストライプ状に形成された信号線61a・61
a…、およびこの信号線61a・61a…の間隔を埋め
るように形成されたブラックマトリクス66・66…を
備えている。上記ブラックマトリクス66…の上層に
は、ブラックマトリクス66の長手方向に沿って、且つ
ブラックマトリクス66よりも小さい幅で、高分子壁6
4(壁状スペーサ)が形成されている。この高分子壁6
4は、上記長手方向に垂直な断面における形状が台形で
ある。さらに、信号線61a・61a…、ブラックマト
リクス66、および高分子壁64を覆うように、絶縁膜
62a、配向膜63aが順次積層されている。The signal line substrate 68a is formed on the surface of the glass substrate 60a by forming signal lines 61a, 61 formed in stripes.
and black matrices 66 formed so as to fill the intervals between the signal lines 61a. On the upper layer of the black matrix 66, the polymer wall 6 has a width along the longitudinal direction of the black matrix 66 and a width smaller than that of the black matrix 66.
4 (wall-like spacers) are formed. This polymer wall 6
4 has a trapezoidal shape in a cross section perpendicular to the longitudinal direction. Further, an insulating film 62a and an alignment film 63a are sequentially laminated so as to cover the signal lines 61a, the black matrix 66, and the polymer wall 64.
【0068】同様に、走査線基板68bは、ガラス基板
60bの表面に、ストライプ状に形成された走査線61
b・61b…、絶縁膜62b、配向膜63bが順次積層
された構成である。Similarly, the scanning line substrate 68b is formed on the surface of the glass substrate 60b by a scanning line 61 formed in a stripe shape.
.., 61b, an insulating film 62b, and an alignment film 63b are sequentially laminated.
【0069】上記の信号線基板68aおよび走査線基板
68bは、信号線61aおよび走査線61bが互いに直
交する向きに配置され、信号線基板68aの高分子壁6
4の上面部分の配向膜63aと、走査線基板68b側の
配向膜63bとが、接着剤層65によって強固に接着さ
れている。なお、図示しない液晶は、配向膜63a・6
3bの間に形成された空間に充填される。The signal line substrate 68a and the scanning line substrate 68b are arranged so that the signal lines 61a and the scanning lines 61b are orthogonal to each other.
The alignment film 63a on the upper surface of the substrate 4 and the alignment film 63b on the scanning line substrate 68b side are firmly adhered by the adhesive layer 65. The liquid crystal (not shown) includes alignment films 63a and 6a.
The space formed between 3b is filled.
【0070】次に、上述の液晶セルの製造方法の一例に
ついて、図5(a)ないし(d)を参照しながら説明す
る。なお、下記の説明で示す材料名や製造条件等は、あ
くまでも一例であり、これに限定されるものではない。Next, an example of a method for manufacturing the above-described liquid crystal cell will be described with reference to FIGS. Note that the material names, manufacturing conditions, and the like shown in the following description are merely examples, and the present invention is not limited thereto.
【0071】まず、ガラス基板60aの全面に、膜厚2
00nmのインジウム錫酸化物(ITO)の膜を、スパ
ッタ蒸着あるいはEB蒸着によって形成する。次に、フ
ォトレジストをスピンコーティングする。次に、ITO
電極形成用フォトマスクと紫外線露光装置とを用いたフ
ォトリソグラフィによって上記フォトレジストをストラ
イプパターンにした後、35℃の47重量%臭化水素水
溶液に10分間浸漬することで、信号線61aのエッチ
ングを行う。First, a film having a thickness of 2
A film of indium tin oxide (ITO) having a thickness of 00 nm is formed by sputtering evaporation or EB evaporation. Next, a photoresist is spin-coated. Next, ITO
The photoresist is formed into a stripe pattern by photolithography using a photomask for electrode formation and an ultraviolet exposure apparatus, and then immersed in a 47% by weight aqueous solution of hydrogen bromide at 35 ° C. for 10 minutes to etch the signal line 61a. Do.
【0072】なお、上記フォトレジストとしては、例え
ば、東京応化工業株式会社製のTSMR−8800等を
用いることができる。また、上記エッチング工程におい
て、信号線61aの幅が385μm、画素部分の長さが
192mm、隣合う信号線61a・61a間の幅が15
μmとなるようにする。The photoresist may be, for example, TSMR-8800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. In the above etching step, the width of the signal line 61a is 385 μm, the length of the pixel portion is 192 mm, and the width between the adjacent signal lines 61a and 61a is 15 μm.
μm.
【0073】次に、このように信号線61a…を形成し
たガラス基板60aを純水で洗浄し、乾燥した後、樹脂
やSiによりブラックマトリクス66を形成する。Next, the glass substrate 60a on which the signal lines 61a are formed is washed with pure water and dried, and then a black matrix 66 is formed of resin or Si.
【0074】引き続き、ネガ型感光性アクリル樹脂(V
−259PA:新日鉄化学株式会社製)をスピンコーテ
ィングし、プロキシミティギャップ50μmのフォトリ
ソグラフィーにより、高さ1.5μm、台形の下辺の幅
15μm、上辺10μmの高分子壁64を形成する。な
お、高分子壁64のピッチLを6mmとした。Subsequently, a negative photosensitive acrylic resin (V
-259PA: manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.), and a polymer wall 64 having a height of 1.5 μm, a width of a trapezoidal lower side of 15 μm, and an upper side of 10 μm is formed by photolithography with a proximity gap of 50 μm. In addition, the pitch L of the polymer wall 64 was set to 6 mm.
【0075】その上に、酸化シリコンSiO2 や窒化シ
リコンSiNなどからなる絶縁膜62aと、ポリイミド
からなる配向膜63aとを順次形成し、配向膜63aに
ラビングによる一軸配向処理を施す。An insulating film 62a made of silicon oxide SiO 2 or silicon nitride SiN and an alignment film 63a made of polyimide are sequentially formed thereon, and the alignment film 63a is subjected to a uniaxial alignment process by rubbing.
【0076】以上の工程によって、図5(a)に示すよ
うに、信号線基板68aが作製される。Through the above steps, the signal line substrate 68a is manufactured as shown in FIG.
【0077】次に、図5(b)ないし(d)に示すプロ
セスによって、高分子壁64上面の配向膜63a表面に
接着剤層65を形成する。まず、図5(b)に示すよう
に、接着剤を高分子壁64上面の配向膜63aへ転写す
るために用いられる転写基板67に、溶媒で希釈した接
着性樹脂膜を形成する。ここでは、25ccのn−ブチ
ルセロソルブで希釈した2液エポキシ接着剤(主剤1
g、硬化剤1g:コニシ社製、商品名「ボンドE」)
を、厚さ200nmになるようにスピンコーティングで
形成する。Next, an adhesive layer 65 is formed on the surface of the alignment film 63a on the upper surface of the polymer wall 64 by the processes shown in FIGS. 5B to 5D. First, as shown in FIG. 5B, an adhesive resin film diluted with a solvent is formed on a transfer substrate 67 used to transfer the adhesive to the alignment film 63a on the upper surface of the polymer wall 64. Here, a two-part epoxy adhesive (base agent 1) diluted with 25 cc of n-butyl cellosolve was used.
g, curing agent 1 g: manufactured by Konishi Co., Ltd., trade name "Bond E")
Is formed by spin coating to a thickness of 200 nm.
【0078】あるいは、転写基板67にポリイミドフィ
ルムを形成した上に、上述の希釈した2液エポキシ接着
剤をスプレイ法で噴霧することにより、同様の接着剤層
65を形成しても良い。Alternatively, a similar adhesive layer 65 may be formed by forming a polyimide film on the transfer substrate 67 and spraying the diluted two-liquid epoxy adhesive described above by a spray method.
【0079】その後、接着剤層65に含まれている溶媒
を、80℃で180秒間乾燥させた後、図5(c)に示
すように、信号線基板68aと転写基板67とを、両基
板が平坦な状態で、圧力1kgf/cm2 で空気プレス
することにより、一旦接着させる。このとき、高分子壁
64上面の配向膜63aと、接着剤層65とを接触させ
る。最後に、ゆっくりと信号線基板68aと転写基板6
7とを引きはがす。この結果、図5(d)に示すよう
に、接着剤層65が、転写基板67から信号線基板68
aの高分子壁64上面の配向膜63aへ転写される。Thereafter, the solvent contained in the adhesive layer 65 is dried at 80 ° C. for 180 seconds, and then, as shown in FIG. In a flat state, the pieces are once bonded by air-pressing at a pressure of 1 kgf / cm 2 . At this time, the alignment film 63 a on the upper surface of the polymer wall 64 is brought into contact with the adhesive layer 65. Finally, the signal line substrate 68a and the transfer substrate 6
Peel 7 off. As a result, as shown in FIG. 5D, the adhesive layer 65 is moved from the transfer substrate 67 to the signal line substrate 68.
The pattern is transferred to the alignment film 63a on the upper surface of the polymer wall 64 of FIG.
【0080】なお、転写基板67に要求される条件とし
ては、接着性樹脂の溶媒による変質がないことと、接着
性樹脂の転写に支障がないことである。The conditions required for the transfer substrate 67 are that there is no deterioration of the adhesive resin due to the solvent and that there is no obstacle to the transfer of the adhesive resin.
【0081】このように作製した信号線基板68aと走
査線基板68bとを対向させ、真空引きして接着した間
隙に液晶を注入することにより、液晶セルが作製され
る。The signal line substrate 68a and the scanning line substrate 68b thus manufactured are opposed to each other, and a liquid crystal cell is manufactured by evacuating and injecting a liquid crystal into the bonded gap.
【0082】なお、信号線基板68aと転写基板67と
を圧着させる工程(図5(c)参照)において加える圧
力Pの大きさを、転写基板67の表面と信号線基板68
aの表面とが触れ合うような基板変形が信号線基板68
aに生じない範囲に制御することが必要である。The magnitude of the pressure P applied in the step of pressing the signal line substrate 68a and the transfer substrate 67 (see FIG. 5 (c)) is determined by comparing the surface of the transfer substrate 67 with the signal line substrate 68.
The signal line substrate 68 is deformed such that the surface of the
It is necessary to control to a range that does not occur in a.
【0083】すなわち、前記した数4で表される基板変
位量ξが、高分子壁64の高さHより小さいことが必要
である。つまり、数4に基づけば、圧着工程における圧
力P、高分子壁64のピッチL・高さH、および転写基
板67のヤング率E・厚さAの間に、下記の数7に示す
条件が成り立つことが必要である。本実施形態において
示したP,L,H,E,およびAの値は、この条件を満
たしている。That is, it is necessary that the displacement amount 基板 of the substrate expressed by the above equation 4 is smaller than the height H of the polymer wall 64. That is, based on Equation 4, the condition shown in Equation 7 below is satisfied between the pressure P in the pressure bonding step, the pitch L and height H of the polymer wall 64, and the Young's modulus E and thickness A of the transfer substrate 67. It is necessary to hold. The values of P, L, H, E, and A shown in the present embodiment satisfy this condition.
【0084】[0084]
【数7】 (Equation 7)
【0085】なお、本実施形態において、転写基板67
から信号線基板68aへ接着剤層65を転写する際に、
転写基板67の変形量は0.8μmであった。従って、
高分子壁64の高さHが1μmであることから、高分子
壁64の上面以外には接着剤層65が転写されることは
なかった。In this embodiment, the transfer substrate 67
When transferring the adhesive layer 65 from the to the signal line substrate 68a,
The amount of deformation of the transfer substrate 67 was 0.8 μm. Therefore,
Since the height H of the polymer wall 64 was 1 μm, the adhesive layer 65 was not transferred to a portion other than the upper surface of the polymer wall 64.
【0086】しかし、比較のために、高分子壁64のピ
ッチLを6.5mmとして、上記と同様の方法で液晶セ
ルを試作すると、図5(c)に示す転写工程にて転写基
板67が1.1μmの基板変形を起こし、配向膜63a
において高分子壁64の上面以外の部分に接着剤が転写
されてしまった。なお、このLの値は、上記数7を満た
さない。However, for comparison, when the pitch L of the polymer walls 64 was 6.5 mm and a liquid crystal cell was prototyped in the same manner as described above, the transfer substrate 67 was transferred in the transfer step shown in FIG. The substrate is deformed by 1.1 μm, and the alignment film 63a is formed.
In, the adhesive was transferred to portions other than the upper surface of the polymer wall 64. Note that the value of L does not satisfy Equation 7 above.
【0087】以上のように、本実施形態は、圧着工程に
おける圧力P、高分子壁64のピッチL・高さH、転写
基板67のヤング率E・厚さAの間に、数7に示す条件
が成り立つことを特徴とする。As described above, in this embodiment, the pressure P in the pressure bonding step, the pitch L / height H of the polymer wall 64, and the Young's modulus E / thickness A of the transfer substrate 67 are expressed by the following equation (7). The condition is satisfied.
【0088】これにより、転写工程において圧力Pが加
えられることによる転写基板67の変形量を、転写基板
67の接着剤が配向膜63aにおける高分子壁64の上
面以外の部分には転写されないような範囲に収めること
ができる。Thus, the amount of deformation of the transfer substrate 67 caused by the application of the pressure P in the transfer step is determined so that the adhesive of the transfer substrate 67 is not transferred to the portion of the alignment film 63a other than the upper surface of the polymer wall 64. Can be in the range.
【0089】〔実施の形態3〕本発明の実施に係るさら
に他の形態について、図6および図7に基づいて説明す
れば、下記のとおりである。Third Embodiment Still another embodiment according to the present invention will be described below with reference to FIGS. 6 and 7.
【0090】本実施形態に係る液晶セルは、図6に示す
ように、一対の基板78a・78bの間に、幅W、高さ
H、長さBの高分子壁70(壁状スペーサ)がストライ
プ状に設けられた構成である。なお、高分子壁70のピ
ッチ(図中X方向における、1つの高分子壁70の中心
位置から、隣り合う高分子壁70の中心位置までの距
離)をLとする。In the liquid crystal cell according to the present embodiment, as shown in FIG. 6, a polymer wall 70 (wall-like spacer) having a width W, a height H and a length B is provided between a pair of substrates 78a and 78b. This is a configuration provided in a stripe shape. The pitch of the polymer walls 70 (the distance from the center position of one polymer wall 70 in the X direction in the figure to the center position of the adjacent polymer wall 70) is L.
【0091】上記基板78a・78bの各々には、例え
ばITOからなる透明電極、絶縁膜、カラーフィルタ、
および配向膜等(いずれも図示せず)が必要に応じて設
けられる。Each of the substrates 78a and 78b has a transparent electrode made of, for example, ITO, an insulating film, a color filter,
And an alignment film and the like (neither is shown) are provided as needed.
【0092】本実施形態に係る液晶セルは、外部からの
衝撃等のいわゆる外力が加わった場合でも、高分子壁7
0の変形に起因するセル厚の変化量が、液晶の配向乱れ
が生じない範囲に収まるように、高分子壁70のピッチ
等が決定されている。In the liquid crystal cell according to this embodiment, even when a so-called external force such as an external impact is applied, the polymer wall 7
The pitch and the like of the polymer walls 70 are determined so that the amount of change in the cell thickness due to the deformation of 0 falls within a range in which the alignment of the liquid crystal is not disordered.
【0093】すなわち、本液晶セルにおいては、外力の
大きさをPとすると、高分子壁70のピッチL、高さ
H、幅Wが、下記の数8を満足するように設定される。
なお、ここでのEは、高分子壁70のヤング率であり、
Vは、この液晶セルにおいて液晶の配向乱れが生じる、
セル厚変位量の臨界値である。That is, in the present liquid crystal cell, assuming that the magnitude of the external force is P, the pitch L, the height H, and the width W of the polymer wall 70 are set so as to satisfy the following equation (8).
Here, E is the Young's modulus of the polymer wall 70,
V indicates that the alignment of the liquid crystal is disordered in the liquid crystal cell.
This is the critical value of the cell thickness displacement.
【0094】[0094]
【数8】 (Equation 8)
【0095】ここで、上記数8の条件の導出過程につい
て説明する。まず最初に、本液晶セルに圧力Pが加わっ
た場合、高分子壁70の変形に伴って基板78bがどの
ように変位するかを解析する。Here, the process of deriving the condition of Equation 8 will be described. First, when the pressure P is applied to the present liquid crystal cell, how the substrate 78b is displaced with the deformation of the polymer wall 70 is analyzed.
【0096】図6に示すように、高分子壁70は、ピッ
チLで形成されており、その長さB(図中Y方向の長
さ)が基板78bの長さと等しいと仮定すると、次のよ
うな基板変形の方程式が導かれる。なお、ここでは、実
施の形態1とは異なり、圧力が加わっても基板78bは
撓まないものと見なす。As shown in FIG. 6, the polymer walls 70 are formed at a pitch L, and the length B (the length in the Y direction in the figure) is equal to the length of the substrate 78b. An equation for such substrate deformation is derived. Here, unlike in the first embodiment, it is assumed that the substrate 78b does not bend even when pressure is applied.
【0097】[0097]
【数9】 (Equation 9)
【0098】なお、Eには、高分子壁70のヤング率E
W が与えられる。高分子壁70の材料として一般に用い
られるスチレン系やアクリル系の樹脂のヤング率は、1
0〜500kg/mm2 程度の値をとる。上記の数7
を、z=0のときにξ(z)=0であるとする境界条件
のもとで解くと、次の解が得られる。Note that E represents the Young's modulus E of the polymer wall 70.
W is given. The styrene or acrylic resin generally used as a material for the polymer wall 70 has a Young's modulus of 1
It takes a value of about 0 to 500 kg / mm 2 . Equation 7 above
Is solved under the boundary condition that ξ (z) = 0 when z = 0, the following solution is obtained.
【0099】[0099]
【数10】 (Equation 10)
【0100】ここで、高さzに高分子壁70の高さHを
代入すると、圧力Pによる基板78bの変位量ξが求め
られる。これから、前記数8が導き出せる。Here, when the height H of the polymer wall 70 is substituted for the height z, the displacement ξ of the substrate 78b due to the pressure P is obtained. From this, Equation 8 can be derived.
【0101】なお、カラーフィルタなどの樹脂層(厚
さ:hC )が高分子壁70と共に設けられている場合に
は、数10におけるzに、高分子壁70の高さ(ここで
はhWとする)と樹脂層の厚さhC との和(hW +
hC )を与えると共に、ヤング率Eに、高分子壁70の
ヤング率(EW )とカラーフィルタのヤング率(EC )
との平均値として、(EW hW +EC hC )/(hC +
hW )を与えれば良い。When a resin layer (thickness: h C ) such as a color filter is provided together with the polymer wall 70, the height of the polymer wall 70 (here, h W Sum) and the thickness h C of the resin layer (h W +
h C ) and the Young's modulus E, the Young's modulus (E W ) of the polymer wall 70 and the Young's modulus of the color filter (E C ).
As an average value between, (E W h W + E C h C) / (h C +
h W ).
【0102】ここで、高分子壁70のピッチLを様々に
変化させて圧力Pを加え、耐ショック性を評価した。耐
ショック性は、液晶の配向が変化するときの圧力Pの値
によって示す。図7はその結果を示すグラフである。な
お、ここで用いた高分子壁70の高さHは5μm、幅W
は10μm、ヤング率Eは37.5kg/mm2 であ
る。Here, the pressure P was applied while changing the pitch L of the polymer walls 70 variously, and the shock resistance was evaluated. The shock resistance is indicated by the value of the pressure P when the orientation of the liquid crystal changes. FIG. 7 is a graph showing the result. The height H of the polymer wall 70 used here was 5 μm, and the width W was 5 μm.
Is 10 μm and the Young's modulus E is 37.5 kg / mm 2 .
【0103】図7から、高分子壁70のピッチLと、液
晶の配向が変化するときの圧力Pとは、反比例の関係に
あることが分かる。また、図7に示した結果を数10に
当てはめてみると、0.1μm程度の基板の変位によ
り、液晶の配向の変化が生じることが分かる。FIG. 7 shows that the pitch L of the polymer walls 70 and the pressure P when the orientation of the liquid crystal changes are in inverse proportion. When the result shown in FIG. 7 is applied to Expression 10, it can be seen that the displacement of the liquid crystal is changed by the displacement of the substrate of about 0.1 μm.
【0104】この結果、液晶の配向が外部からの圧力P
に対して変化しないような耐ショック性を保つために
は、数8のVに0.1μmを代入することにより、セル
構造が次の条件を満足すれば良いことがわかる。As a result, the orientation of the liquid crystal is determined by the external pressure P
It can be seen that the cell structure should satisfy the following condition by substituting 0.1 μm for V in Eq.
【0105】[0105]
【数11】 [Equation 11]
【0106】ここで、本実施形態に係る液晶セルの構造
および製造工程について、さらに具体的な例を挙げて説
明する。なお、この具体例に係る液晶セルは、各部のサ
イズが異なる点を除いては、実施の形態1で図3を参照
しながら説明した構成例とほぼ同じであるので、ここで
も図3を参照しながら説明を行う。Here, the structure and the manufacturing process of the liquid crystal cell according to the present embodiment will be described with reference to more specific examples. The liquid crystal cell according to this specific example is almost the same as the configuration example described with reference to FIG. 3 in Embodiment 1 except that the size of each part is different. Explanation will be given while doing.
【0107】まず、厚さA=0.7mmのガラス基板5
0aの全面に、膜厚200nmのインジウム錫酸化物
(ITO)の膜を、スパッタ蒸着あるいはEB蒸着によ
って形成する。次に、フォトレジストをスピンコーティ
ングする。次に、ITO電極形成用フォトマスクと紫外
線露光装置とを用いたフォトリソグラフィによって上記
フォトレジストをストライプパターンにした後、35℃
の47重量%臭化水素水溶液に10分間浸漬すること
で、信号線51aのエッチングを行う。First, a glass substrate 5 having a thickness A = 0.7 mm
A 200 nm-thick indium tin oxide (ITO) film is formed on the entire surface of Oa by sputtering evaporation or EB evaporation. Next, a photoresist is spin-coated. Next, after the above photoresist was formed into a stripe pattern by photolithography using a photomask for forming an ITO electrode and an ultraviolet exposure apparatus,
Is immersed in a 47% by weight aqueous solution of hydrogen bromide for 10 minutes to etch the signal line 51a.
【0108】なお、上記フォトレジストとしては、例え
ば、東京応化工業株式会社製のTSMR−8800等を
用いることができる。また、上記エッチング工程におい
て、信号線51aの幅が385μm、画素部分の長さが
192mm、隣合う信号線51a・51a間の幅が15
μmとなるようにする。As the photoresist, for example, TSMR-8800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. can be used. In the above etching step, the width of the signal line 51a is 385 μm, the length of the pixel portion is 192 mm, and the width between the adjacent signal lines 51a is 51 mm.
μm.
【0109】次に、このように信号線51a…を形成し
たガラス基板50aを純水で洗浄し、乾燥した後、樹脂
やSiによりブラックマトリクス56を形成する。その
上に、ネガ型感光性アクリル樹脂(V−259PA:新
日鉄化学株式会社製)をスピンコーティングし、プロキ
シミティギャップ50μmのフォトリソグラフィーによ
り、高さHが5μm、台形の下辺の幅15μm、上辺1
0μmの高分子壁54を形成する。なお、高分子壁54
は断面が台形状であるのでその幅は一定ではないが、短
辺(すなわち上辺)の幅を上記のWとすれば良い。Next, the glass substrate 50a on which the signal lines 51a are formed is washed with pure water and dried, and then a black matrix 56 is formed of resin or Si. A negative photosensitive acrylic resin (V-259PA: manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) is spin-coated thereon, and the height H is 5 μm, the width of the lower side of the trapezoid is 15 μm, and the upper side is 1 by photolithography with a proximity gap of 50 μm.
A 0 μm polymer wall 54 is formed. The polymer wall 54
Since the cross section is trapezoidal, its width is not constant, but the width of the short side (that is, the upper side) may be W.
【0110】ここでは、高分子壁54のヤング率Eは3
7.5kg/mm2 である。また、高分子壁54のピッ
チLは、0.1mmよりも小さくなるようにする。Here, the Young's modulus E of the polymer wall 54 is 3
It is 7.5 kg / mm 2 . Further, the pitch L of the polymer walls 54 is set to be smaller than 0.1 mm.
【0111】次に、高分子壁54上に、酸化シリコンS
iO2 や窒化シリコンSiNなどからなる絶縁膜52a
と、ポリイミドからなる配向膜53aとを順次形成し、
配向膜53aにラビングによる一軸配向処理を施す。Next, the silicon oxide S
iO 2 or silicon nitride SiN and the like insulating film 52a
And an alignment film 53a made of polyimide are sequentially formed,
The alignment film 53a is subjected to a uniaxial alignment process by rubbing.
【0112】以上の工程により、信号線基板58aが作
製される。Through the above steps, the signal line substrate 58a is manufactured.
【0113】同様に、ガラス基板50bに、走査線51
b、絶縁膜52b、および配向膜53bを順次形成する
ことにより、走査線基板58bを作製し、信号線基板5
8aと走査線基板58bとを対向させ、200℃に温度
を保ち、真空引きしながら圧力1kg/cm2 で両基板
を1時間かけて接着させる。その後、液晶注入を行うこ
とにより、液晶セルが完成する。Similarly, the scanning lines 51 are provided on the glass substrate 50b.
b, an insulating film 52b, and an alignment film 53b are sequentially formed to form a scanning line substrate 58b and a signal line substrate 5b.
The substrate 8a and the scanning line substrate 58b are opposed to each other, the temperature is kept at 200 ° C., and the two substrates are adhered for 1 hour at a pressure of 1 kg / cm 2 while evacuating. Thereafter, a liquid crystal cell is completed by injecting liquid crystal.
【0114】こうして作製した液晶セルの耐ショック性
を調べた結果、30kg/cm2 の圧力が加わった場合
でも、セル厚の変化量は、液晶の配向性が変化しない範
囲(ここでは0.1μm未満)に収まっていることがわ
かった。As a result of examining the shock resistance of the liquid crystal cell thus manufactured, even when a pressure of 30 kg / cm 2 was applied, the amount of change in the cell thickness was within a range where the orientation of the liquid crystal did not change (here, 0.1 μm). Less).
【0115】なお、L=0.1mmとした場合には、3
0kg/cm2 の圧力が加わった場合に0.1μmのセ
ル厚変化が生じ、液晶の配向性の変化が見られた。ま
た、L=0.3mmとして同様に作製したセルは、10
kg/cm2 の圧力が加わったときに液晶の配向性の変
化を伴うセル厚変化が生じ、耐ショック性がさらに劣っ
たものとなっている。When L = 0.1 mm, 3
When a pressure of 0 kg / cm 2 was applied, a change in the cell thickness of 0.1 μm occurred, and a change in the orientation of the liquid crystal was observed. In addition, a cell manufactured similarly with L = 0.3 mm is 10
When a pressure of kg / cm 2 is applied, a change in cell thickness accompanying a change in the orientation of the liquid crystal occurs, and the shock resistance is further deteriorated.
【0116】〔実施の形態4〕本発明の実施に係るさら
に他の形態について、図4、図5、および図8ないし図
14に基づいて説明すれば、下記のとおりである。[Embodiment 4] Still another embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 4, 5, and 8 to 14.
【0117】本実施形態に係る液晶セルは、図8に示す
ように、一対の基板88a・88bを備えている。基板
88aには、幅W、高さH、長さBの高分子壁80(壁
状スペーサ)がストライプ状に設けられ、高分子壁80
の上面に形成された接着剤層84によって、基板88a
と基板88bとが互いに接着された構成である。なお、
高分子壁80のピッチをLとする。The liquid crystal cell according to the present embodiment includes a pair of substrates 88a and 88b as shown in FIG. A polymer wall 80 (wall-shaped spacer) having a width W, a height H, and a length B is provided on the substrate 88a in a stripe shape.
The substrate 88a is formed by the adhesive layer 84 formed on the upper surface of the substrate 88a.
And the substrate 88b are bonded to each other. In addition,
Let the pitch of the polymer walls 80 be L.
【0118】上記基板88a・88bの各々には、例え
ばITOからなる透明電極、絶縁膜、カラーフィルタ、
および配向膜等(いずれも図示せず)が必要に応じて設
けられる。Each of the substrates 88a and 88b has a transparent electrode made of, for example, ITO, an insulating film, a color filter,
And an alignment film and the like (neither is shown) are provided as needed.
【0119】この液晶セルは、図8に示すように、基板
88a・88bを貼り合わせた際に、いずれか一方の基
板の表面凹凸によって接着剤層84と基板88bとの間
に亀裂81が生じたとしても、基板88aと基板88b
との間に導入される液晶(図示せず)内に気泡やキャビ
ティを生じないように、下記の条件を満たすことを特徴
としている。In this liquid crystal cell, as shown in FIG. 8, when the substrates 88a and 88b are bonded to each other, a crack 81 is formed between the adhesive layer 84 and the substrate 88b due to surface unevenness of one of the substrates. Even if the substrate 88a and the substrate 88b
The following conditions are satisfied so as not to generate bubbles or cavities in a liquid crystal (not shown) introduced between the first and second liquid crystals.
【0120】[0120]
【数12】 (Equation 12)
【0121】なお、Gは、接着剤層84と基板88bと
の間に働くはくり接着力(以降では単に接着力と呼
ぶ)、λは基板88aの表面凹凸の代表的長さ(λ≧L
N,N:整数)、Δは基板88aの表面凹凸の大きさ、
Eは基板88bのヤング率を示す。G is a peeling adhesive force acting between the adhesive layer 84 and the substrate 88b (hereinafter simply referred to as an adhesive force), and λ is a typical length of the surface unevenness of the substrate 88a (λ ≧ L
N, N: integer), Δ is the size of the surface irregularities of the substrate 88a,
E indicates the Young's modulus of the substrate 88b.
【0122】以下に、上記数12の導出過程について説
明する。Hereinafter, the process of deriving Equation 12 will be described.
【0123】液晶内に発生するキャビティは、基板の表
面凹凸に起因するものであると考えられている。すなわ
ち、液晶セルを構成する一対の基板のいずれか一方に、
何らかの要因で表面凹凸が発生した場合、この基板に対
して他方の基板を貼り合わせると、後者の基板にも、前
者の基板の表面凹凸を反映した基板変形が生じる。この
結果、一方の基板に形成された高分子壁と他方の基板と
の接着部分に、引き剥がし応力Fが発生し、亀裂が生じ
ることとなる。It is considered that the cavities generated in the liquid crystal are caused by surface irregularities of the substrate. That is, on one of the pair of substrates constituting the liquid crystal cell,
In the case where surface irregularities occur due to some factor, when the other substrate is bonded to this substrate, the latter substrate also undergoes substrate deformation reflecting the surface irregularities of the former substrate. As a result, a peeling stress F is generated at a bonding portion between the polymer wall formed on one substrate and the other substrate, and a crack is generated.
【0124】亀裂の近傍では、セル厚が大きくなり、粘
度の高い液晶の場合にはこのセル厚変化に追従できなく
なる。その結果、高分子壁近傍の液晶は、表面を最小化
しようとするため、液晶が充填されていない部分である
キャビティが発生する。In the vicinity of a crack, the cell thickness becomes large, and in the case of a liquid crystal having a high viscosity, it becomes impossible to follow the change in the cell thickness. As a result, in order to minimize the surface of the liquid crystal near the polymer wall, a cavity, which is a portion not filled with the liquid crystal, is generated.
【0125】ここで、引き剥がし応力Fがどのようにし
てキャビティの発生につながるかについて、さらに詳細
な説明を行う。Here, how the peeling stress F leads to the generation of a cavity will be described in more detail.
【0126】液晶セルの基板に生じる表面凹凸は、主と
して、1)高分子壁のピッチよりも大きいサイズで、基
板の長さB方向に一様に発生する場合と、2)高分子壁
のピッチよりも小さいサイズで、基板に点在する場合と
の二種類に分けられる。前者は、配線材料等による膜形
成時に生じ、後者は、基板に小さい突起やダストがある
場合に生じる。The surface irregularities generated on the substrate of the liquid crystal cell mainly include 1) a size larger than the pitch of the polymer walls and uniformly occurring in the length B direction of the substrate, and 2) a pitch of the polymer walls. It is divided into two types: a smaller size and a case where it is scattered on the substrate. The former occurs when a film is formed using a wiring material or the like, and the latter occurs when there are small protrusions or dust on the substrate.
【0127】まず、前者の場合について、図8を参照し
ながら説明する。図8に示すように、高分子壁80がピ
ッチLで形成された基板88aの表面に、代表的長さλ
≧LN(N:整数)で、大きさがΔの表面凹凸があるも
のとする。ここでは特に、この表面凹凸が、基板の長さ
方向に対して一様であると仮定する。First, the former case will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 8, a typical length λ is provided on the surface of the substrate 88a in which the polymer walls 80 are formed at the pitch L.
It is assumed that ≧ LN (N: integer) and that there are surface irregularities having a size of Δ. Here, it is particularly assumed that the surface irregularities are uniform in the longitudinal direction of the substrate.
【0128】基板88aともう一方の基板88bとを、
高分子壁80を介して接着させると、ヤング率Eを有す
る基板88bにおいて、Δ/N程度の大きさの基板変形
が起こる。この変形により、高分子壁上の基板88bに
対し、この基板88bを基板88aから引き剥がす方向
へ働く引き剥がし応力Fが発生する。引き剥がし応力F
は、以下の数13で表される。The substrate 88a and the other substrate 88b are
When the bonding is performed via the polymer wall 80, the substrate 88b having the Young's modulus E is deformed by about Δ / N. Due to this deformation, a peeling stress F acting on the substrate 88b on the polymer wall in a direction of peeling the substrate 88b from the substrate 88a is generated. Peeling stress F
Is represented by the following Expression 13.
【0129】[0129]
【数13】 (Equation 13)
【0130】この応力Fは、高分子壁80上の基板88
bに沿って一様に発生する。一方、高分子壁80と基板
88bとの間には、接着力Gを持つ接着層84がある。
応力Fと接着力Gとは、互いに、亀裂81を生じさせる
力と、それを抑制する力として働き、基板88bと高分
子壁80との間に発生する亀裂81の長さをΓとする
と、以下の数14が成り立つ。The stress F is applied to the substrate 88 on the polymer wall 80.
It occurs uniformly along b. On the other hand, there is an adhesive layer 84 having an adhesive force G between the polymer wall 80 and the substrate 88b.
The stress F and the adhesive force G act as a force for generating the crack 81 and a force for suppressing the same, and when the length of the crack 81 generated between the substrate 88b and the polymer wall 80 is Γ, The following equation 14 holds.
【0131】[0131]
【数14】 [Equation 14]
【0132】数14は、応力Fが小さくなると、亀裂8
1の長さΓが大きくなることを示しており、亀裂81は
不安定であることが分かる。すなわち、この長さΓより
長い亀裂は益々長くなり、短い亀裂は次第に消滅する。
従って、数14に表すΓは、亀裂81の臨界長を表して
いる。Equation 14 indicates that when the stress F decreases, the crack 8
1 indicates that the length Γ increases, and it can be seen that the crack 81 is unstable. That is, cracks longer than this length Γ become longer and shorter cracks gradually disappear.
Therefore, Γ in Expression 14 represents the critical length of the crack 81.
【0133】これに対して、図9に示すように、高分子
壁80のピッチよりも小さいサイズで発生する亀裂91
の場合には、基板に小さい突起86(あるいはダスト)
がある場合に発生し、その長さDは長くならず、亀裂9
1は安定である。On the other hand, as shown in FIG. 9, a crack 91 having a size smaller than the pitch of the polymer wall 80 is formed.
In the case of, small protrusions 86 (or dust)
And the length D does not increase, and the crack 9
1 is stable.
【0134】この場合には、突起86近傍の高分子壁8
0と、基板88bとの間に、引き剥がし応力fが集中し
て働く。この場合の亀裂91の大きさDは、次の数15
で表される。In this case, the polymer wall 8 near the projection 86
The peeling stress f acts between 0 and the substrate 88b. The size D of the crack 91 in this case is given by
It is represented by
【0135】[0135]
【数15】 (Equation 15)
【0136】これは、応力fが小さくなると亀裂91が
大きくならないことを示しており、この場合の亀裂91
は、サイズDによらず安定である。This indicates that the crack 91 does not increase when the stress f decreases, and in this case, the crack 91 does not increase.
Is stable regardless of the size D.
【0137】このタイプの亀裂は、前述のように小さい
突起やダストが発生原因となっており、亀裂による基板
変形が、突起やダストのサイズのオーダーに達すると、
それ以上のサイズにならない。このため、図9に示すタ
イプの亀裂91は、図8に示すタイプの亀裂81に比べ
て、一般には小さいことが多い。The cracks of this type are caused by small projections and dust as described above. When the substrate deformation due to the cracks reaches the order of the size of the projections and dust,
No more size. For this reason, cracks 91 of the type shown in FIG. 9 are generally smaller than cracks 81 of the type shown in FIG.
【0138】一例として、応力f=10kg、ヤング率
E=7500kg/mm2 、接着層84の接着力G=
0.02kg/mmとすると、亀裂91の大きさDは、
100μmとなる。As an example, stress f = 10 kg, Young's modulus E = 7500 kg / mm 2 , adhesive force G of adhesive layer 84 =
Assuming 0.02 kg / mm, the size D of the crack 91 is:
It becomes 100 μm.
【0139】このような亀裂91が存在する場合には、
キャビティは拡大しないが、液晶セルに外力を加えるこ
と等による再配向処理を行ってもキャビティを消失させ
ることができない。従って、キャビティの原因となる小
さな突起やダストをセル作製時に発生させないことが、
本質的な解決策となる。When such a crack 91 exists,
Although the cavities do not expand, the cavities cannot be eliminated even if realignment treatment is performed by applying an external force to the liquid crystal cell. Therefore, small projections and dust that cause cavities are not generated during cell fabrication.
It is an essential solution.
【0140】これに対して、図8に示す亀裂81のよう
に、不安定で拡大するタイプの亀裂が存在する場合に
は、亀裂81の拡大に応じてキャビティも拡大してい
く。この結果、亀裂81が臨界長さよりも長い場合に
は、液晶セルに外力を加えたり、加熱等の再配向処理を
行うことによって一時的にキャビティを消失させること
はできるものの、時間が経つにつれて、キャビティが再
び現れる。一方、亀裂81が臨界長さよりも短い場合に
は、加熱等の再配向処理を行うことによってキャビティ
を消失させれば、キャビティは二度と現れない。On the other hand, when there is an unstable and expanding type crack such as the crack 81 shown in FIG. 8, the cavity also expands in accordance with the expansion of the crack 81. As a result, when the crack 81 is longer than the critical length, the cavity can be temporarily eliminated by applying an external force to the liquid crystal cell or performing a realignment treatment such as heating, but as time passes, The cavity reappears. On the other hand, when the crack 81 is shorter than the critical length, if the cavity is eliminated by performing reorientation treatment such as heating, the cavity will not appear again.
【0141】キャビティの発生を抑制するためには、基
板表面の凹凸の代表的長さλを長くし、表面凹凸の大き
さΔを小さくすることが本質的な解決法であり、高分子
壁80のピッチLを大きくしたり、基板88bの厚みA
を小さくすることが次善策として考えられる。In order to suppress the generation of cavities, the essential solution is to increase the typical length λ of the unevenness on the substrate surface and reduce the size Δ of the unevenness on the surface of the substrate. Of the substrate 88b or the thickness A of the substrate 88b.
Is considered as the next best solution.
【0142】図10は、高分子壁80のピッチLと、発
生したキャビティの長さとの関係を調べたものである。
なお、ガラスの接着部分に亀裂が生じると、その部分の
セル容積が変化してキャビティが生じるので、キャビテ
ィの長さは亀裂の長さとほぼ等しくなる。図10から、
キャビティの長さは高分子壁80のピッチLの6乗に比
例していることが分かる。高分子壁80のピッチLが長
くなるほど、キャビティが発生しない領域が広くなる。FIG. 10 shows the relationship between the pitch L of the polymer walls 80 and the length of the generated cavity.
When a crack is formed in the bonded portion of the glass, the cell volume of the portion changes, and a cavity is formed. Therefore, the length of the cavity is substantially equal to the length of the crack. From FIG.
It can be seen that the length of the cavity is proportional to the sixth power of the pitch L of the polymer wall 80. The longer the pitch L between the polymer walls 80, the wider the area where no cavity is generated.
【0143】この結果は、数14で示されることと一致
する。また、図10より、キャビティを無くすために
は、数14で表される亀裂の臨界長さΓが、基板の表面
凹凸の代表的長さλより大きいことが必要であることが
分かる。これにより、前記した数12が導かれる。This result is consistent with the expression (14). From FIG. 10, it can be seen that in order to eliminate the cavity, it is necessary that the critical length 長 of the crack represented by Expression 14 is larger than the typical length λ of the surface irregularities of the substrate. This leads to Equation 12 described above.
【0144】ここで、ガラス基板のヤング率E=750
0kg/mm2 とし、接着層84の材料として一般的に
用いられる接着剤の接着力G=0.02kg/mm2 と
し、基板凹凸の長さλ=5mm、大きさΔ=0.2μm
とすると、数12から次の条件が導かれる。Here, the Young's modulus of the glass substrate E = 750
0 kg / mm 2 , the adhesive force G of an adhesive generally used as a material for the adhesive layer 84 is 0.02 kg / mm 2 , the length λ of the substrate unevenness is 5 mm, and the size Δ is 0.2 μm
Then, the following condition is derived from Expression 12.
【0145】[0145]
【数16】 (Equation 16)
【0146】ここで、本実施形態に係る液晶セルの構造
および製造工程について、さらに具体的な例を挙げて説
明する。なお、この具体例に係る液晶セルは、各部のサ
イズ等が異なる点を除いては、実施の形態2において図
4および図5を参照しながら説明した構成例とほぼ同じ
であるので、ここでも図4および図5を参照しながら説
明を行う。また、下記の説明で示す材料名や製造条件等
は、あくまでも一例であり、これに限定されるものでは
ない。Here, the structure and the manufacturing process of the liquid crystal cell according to the present embodiment will be described using more specific examples. Note that the liquid crystal cell according to this specific example is substantially the same as the configuration example described with reference to FIGS. 4 and 5 in Embodiment 2, except that the size and the like of each part are different. The description will be made with reference to FIGS. Further, the material names, manufacturing conditions, and the like shown in the following description are merely examples, and the present invention is not limited thereto.
【0147】まず、厚さ1.1mmのガラス基板60a
の全面に、膜厚600nmのインジウム錫酸化物(IT
O)の膜を、スパッタ蒸着あるいはEB蒸着によって形
成する。次に、フォトレジストをスピンコーティングす
る。次に、ITO電極形成用フォトマスクと紫外線露光
装置とを用いたフォトリソグラフィによって上記フォト
レジストをストライプパターンにした後、35℃の47
重量%臭化水素水溶液に10分間浸漬することで、信号
線61aのエッチングを行う。First, a glass substrate 60a having a thickness of 1.1 mm was used.
Of indium tin oxide (IT) having a thickness of 600 nm
The film O) is formed by sputtering evaporation or EB evaporation. Next, a photoresist is spin-coated. Next, the photoresist is formed into a stripe pattern by photolithography using a photomask for forming an ITO electrode and an ultraviolet exposure apparatus.
The signal line 61a is etched by immersing in a 10% by weight aqueous solution of hydrogen bromide for 10 minutes.
【0148】なお、上記フォトレジストとしては、例え
ば、東京応化工業株式会社製のTSMR−8800等を
用いることができる。また、上記エッチング工程におい
て、信号線61aの幅が385μm、画素部分の長さが
192mm、隣合う信号線61a・61a間の幅が15
μmとなるようにする。As the photoresist, for example, TSMR-8800 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. or the like can be used. In the above etching step, the width of the signal line 61a is 385 μm, the length of the pixel portion is 192 mm, and the width between the adjacent signal lines 61a and 61a is 15 μm.
μm.
【0149】次に、このように信号線61a…を形成し
たガラス基板60aを純水で洗浄し、乾燥した後、樹脂
やSiによりブラックマトリクス66を形成する。Next, the glass substrate 60a on which the signal lines 61a are formed is washed with pure water and dried, and then a black matrix 66 is formed of resin or Si.
【0150】ただし、このときの信号線基板68aは、
信号線61aを形成する際のITOの成膜むらにより、
高分子壁64と垂直な方向に、代表的長さλ=5mmに
わたって大きさΔ=0.0002mmの表面凹凸を有す
る。However, the signal line board 68a at this time is
Due to the unevenness of the film formation of ITO when forming the signal line 61a,
In the direction perpendicular to the polymer wall 64, the surface has a surface irregularity having a size Δ = 0.002 mm over a typical length λ = 5 mm.
【0151】引き続き、ネガ型感光性アクリル樹脂(V
−259PA:新日鉄化学株式会社製)をスピンコーテ
ィングし、プロキシミティギャップ50μmのフォトリ
ソグラフィーにより、高さ1μm、台形の下辺の幅15
μm、上辺10μmの高分子壁64を形成する。なお、
高分子壁64のピッチLを0.26mmとする。Subsequently, a negative photosensitive acrylic resin (V
-259PA: Nippon Steel Chemical Co., Ltd.), spin-coated by photolithography with a proximity gap of 50 μm, height 1 μm, width of trapezoidal lower side 15
A polymer wall 64 of 10 μm on the upper side is formed. In addition,
The pitch L of the polymer walls 64 is set to 0.26 mm.
【0152】その上に、酸化シリコンSiO2 や窒化シ
リコンSiNなどからなる絶縁膜62aと、ポリイミド
からなる配向膜63aとを順次形成し、配向膜63aに
ラビングによる一軸配向処理を施す。An insulating film 62a made of silicon oxide SiO 2 or silicon nitride SiN and an alignment film 63a made of polyimide are sequentially formed thereon, and the alignment film 63a is subjected to a uniaxial alignment process by rubbing.
【0153】以上の工程によって、図5(a)に示すよ
うに、信号線基板68aが作製される。Through the above steps, the signal line substrate 68a is manufactured as shown in FIG.
【0154】次に、図5(b)ないし(d)に示すプロ
セスによって、高分子壁64上面の配向膜63a表面に
接着剤層65を形成する。まず、図5(b)に示すよう
に、接着剤を高分子壁64上面の配向膜63aへ転写す
るために用いられる転写基板67に、溶媒で希釈した接
着性樹脂膜を形成する。ここでは、25ccのn−ブチ
ルセロソルブで希釈した2液エポキシ接着剤(主剤1
g、硬化剤1g:コニシ社製、商品名「ボンドE」)
を、厚さ200nmになるようにスピンコーティングで
形成する。Next, an adhesive layer 65 is formed on the surface of the alignment film 63a on the upper surface of the polymer wall 64 by the processes shown in FIGS. 5B to 5D. First, as shown in FIG. 5B, an adhesive resin film diluted with a solvent is formed on a transfer substrate 67 used to transfer the adhesive to the alignment film 63a on the upper surface of the polymer wall 64. Here, a two-part epoxy adhesive (base agent 1) diluted with 25 cc of n-butyl cellosolve was used.
g, curing agent 1 g: manufactured by Konishi Co., Ltd., trade name "Bond E")
Is formed by spin coating to a thickness of 200 nm.
【0155】あるいは、転写基板67にポリイミドフィ
ルムを形成した上に、上述の希釈した2液エポキシ接着
剤をスプレイ法で噴霧することにより、同様の接着剤層
65を形成しても良い。Alternatively, a similar adhesive layer 65 may be formed by forming a polyimide film on the transfer substrate 67 and spraying the diluted two-part epoxy adhesive described above by a spray method.
【0156】その後、接着剤層65に含まれている溶媒
を、80℃で180秒間乾燥させた後、図5(c)に示
すように、信号線基板68aと転写基板67とを、両基
板が平坦な状態で、圧力1kgf/cm2 で空気プレス
することにより、一旦接着させる。このとき、高分子壁
64上面の配向膜63aと、接着剤層65とを接触させ
る。最後に、ゆっくりと信号線基板68aと転写基板6
7とを引きはがす。Thereafter, the solvent contained in the adhesive layer 65 was dried at 80 ° C. for 180 seconds, and then, as shown in FIG. In a flat state, the pieces are once bonded by air-pressing at a pressure of 1 kgf / cm 2 . At this time, the alignment film 63 a on the upper surface of the polymer wall 64 is brought into contact with the adhesive layer 65. Finally, the signal line substrate 68a and the transfer substrate 6
Peel 7 off.
【0157】この結果、図5(d)に示すように、接着
剤層65が、転写基板67から信号線基板68aの高分
子壁64上面の配向膜63aへ転写される。なお、転写
基板67に要求される条件としては、接着性樹脂の溶媒
による変質がないことと、接着性樹脂の転写に支障がな
いことである。As a result, as shown in FIG. 5D, the adhesive layer 65 is transferred from the transfer substrate 67 to the alignment film 63a on the upper surface of the polymer wall 64 of the signal line substrate 68a. The conditions required for the transfer substrate 67 are that there is no deterioration of the adhesive resin due to the solvent and that there is no obstacle to the transfer of the adhesive resin.
【0158】このように作製した信号線基板68aに、
厚さ1.1mm、ヤング率Eを有する走査線基板68b
を対向させ、真空引きしながら圧力1kg/cm2 で1
時間かけて接着させた。なお、接着剤層65の接着力G
は、0.02kg/mmである。The thus prepared signal line substrate 68a has
Scanning line substrate 68b having a thickness of 1.1 mm and a Young's modulus E
With a pressure of 1 kg / cm 2 while evacuating.
Bonded over time. The adhesive force G of the adhesive layer 65
Is 0.02 kg / mm.
【0159】このように貼り合わせた信号線基板68a
と走査線基板68bとの間隙に液晶を注入することによ
り、図4に示すような液晶セルが完成する。The signal line substrate 68a thus bonded is
Liquid crystal is injected into the gap between the liquid crystal cell and the scanning line substrate 68b to complete a liquid crystal cell as shown in FIG.
【0160】この液晶セルにはキャビティが発生してお
らず、接着剤層65と走査線基板68bとの間に生じた
亀裂の大きさΓは5.9mmであった。なお、この値
は、走査線基板68bに生じている表面凹凸の代表的長
さλ=5mmより長い。In this liquid crystal cell, no cavity was generated, and the size 裂 of the crack generated between the adhesive layer 65 and the scanning line substrate 68b was 5.9 mm. This value is longer than the typical length λ = 5 mm of the surface irregularities generated on the scanning line substrate 68b.
【0161】前述の数14から、Γ=5mmとなる場合
のLの値を求めたところ、L=0.253mmであっ
た。すなわち、上記の例によって、亀裂の臨界長さΓが
基板表面の凹凸の代表的長さλよりも長いとキャビティ
が発生しないことが分かる。また、上記の例で示した各
部のサイズ等の製造条件は、数12に示す条件を満足し
ている。The value of L in the case where Γ = 5 mm was obtained from the above Expression 14, and it was L = 0.253 mm. That is, according to the above example, it is understood that no cavity is generated when the critical length 亀 of the crack is longer than the typical length λ of the unevenness on the substrate surface. The manufacturing conditions such as the size of each part shown in the above example satisfy the conditions shown in Expression 12.
【0162】上記の例と比較するために、高分子壁64
のピッチLを0.25mmとして、同様の工程によって
液晶セルを試作したところ、図14に示すようなキャビ
ティが発生した。この場合、接着剤層65と走査線基板
68bとの間に生じた亀裂の大きさΓは4.7mmであ
った。なお、この値は、走査線基板68bに生じている
表面凹凸の代表的長さλ=5mmより短い。このことか
ら、亀裂の臨界長さΓが基板の表面凹凸の代表的長さλ
よりも短いとキャビティが発生することが示された。For comparison with the above example, the polymer wall 64
When a pitch L of 0.25 mm was set to 0.25 mm and a liquid crystal cell was prototyped by the same process, a cavity as shown in FIG. 14 was generated. In this case, the size 裂 of the crack generated between the adhesive layer 65 and the scanning line substrate 68b was 4.7 mm. This value is shorter than the typical length λ = 5 mm of the surface irregularities generated on the scanning line substrate 68b. From this, the critical length 裂 of the crack is the typical length λ of the substrate surface irregularities.
It has been shown that cavities occur when shorter.
【0163】[0163]
【発明の効果】以上のように、請求項1記載の液晶表示
素子の製造方法は、一対の基板の一方に壁状スペーサを
形成する工程と、一対の基板を圧着によって貼り合わせ
る工程とを含み、上記基板の厚さをA、上記基板のヤン
グ率をE、上記壁状スペーサを配置するピッチをL、上
記工程において基板を圧着する際の圧力をP、上記液晶
表示素子に許容されるセル厚の変化量をVとすると、 PL4 /EA3 ≦Vπ5 /48 が成り立つ。As described above, the method for manufacturing a liquid crystal display element according to the first aspect includes a step of forming a wall-shaped spacer on one of a pair of substrates and a step of bonding the pair of substrates by pressure bonding. A, the thickness of the substrate is A, the Young's modulus of the substrate is E, the pitch at which the wall-shaped spacers are arranged is L, the pressure at which the substrate is crimped in the process is P, the cells allowed for the liquid crystal display element. When the amount of change in thickness of the V, PL 4 / EA 3 ≦ Vπ 5/48 is established.
【0164】これにより、一対の基板を圧着によって貼
り合わせる工程において圧力Pが印加されても、この圧
力Pによるセル厚の変化量が許容範囲内に収まる。従っ
て、セル厚の均一性が向上し、表示不良のない液晶表示
素子を提供できるという効果を奏する。Thus, even if pressure P is applied in the step of bonding a pair of substrates by pressure bonding, the amount of change in cell thickness due to this pressure P falls within an allowable range. Therefore, there is an effect that the uniformity of the cell thickness is improved and a liquid crystal display element free from display defects can be provided.
【0165】請求項2記載の液晶表示素子の製造方法
は、一対の基板の一方に、ピッチL、高さHの壁状スペ
ーサを形成する工程と、上記壁状スペーサが形成された
基板に、他の基板を圧力Pで圧接する工程とを含み、上
記他の基板のヤング率をE、厚さをAとすると、 PL4 /EA3 H≦π5 /48 が成り立つ。A method of manufacturing a liquid crystal display element according to claim 2, wherein a step of forming a wall-shaped spacer having a pitch L and a height H on one of a pair of substrates, and a step of pressing the other substrate at a pressure P, and the Young's modulus of the other substrate E, when a thickness of a, PL 4 / EA 3 H ≦ π 5/48 is established.
【0166】これにより、一対の基板の一方に壁状スペ
ーサを形成した後、この基板に対して、もう一方の基板
や転写基板等の他の基板を圧接する工程において圧力が
印加されても、この圧力による基板の撓み量を、壁状ス
ペーサが形成されている基板と上記他の基板とが互いに
接触することがない範囲に収めることができる。この結
果、基板変形による表示不良や転写不良のない液晶表示
素子を提供できるという効果を奏する。Thus, after forming the wall-shaped spacer on one of the pair of substrates, even if pressure is applied to the other substrate such as the other substrate or the transfer substrate, a pressure is applied to this substrate. The amount of deflection of the substrate due to this pressure can be kept within a range where the substrate on which the wall-shaped spacer is formed and the other substrate do not come into contact with each other. As a result, it is possible to provide a liquid crystal display element free from display defects and transfer defects due to substrate deformation.
【0167】請求項3記載の液晶表示素子は、液晶表示
素子の耐圧限界圧力をP、液晶配向の変化が生じるセル
厚の変位量をVとすると、壁状スペーサのピッチL、高
さH、幅W、ヤング率Eが、 PLH2 /EW2 ≦2V を満たす構成である。In the liquid crystal display device according to the present invention, assuming that the withstand pressure limit pressure of the liquid crystal display device is P and the displacement of the cell thickness at which the change of the liquid crystal alignment occurs is V, the pitch L of the wall-shaped spacer, the height H, The width W and the Young's modulus E are such that PLH 2 / EW 2 ≦ 2V is satisfied.
【0168】上記の構成によれば、衝撃等の外力が加わ
った場合に、この外力の大きさが、耐圧限界圧力Pより
も小さければ、外力によって生じるセル厚の変位量が、
液晶配向の変化に影響を及ぼさない範囲に収まる。これ
により、耐ショック性に優れた液晶表示素子を提供でき
るという効果を奏する。According to the above configuration, when an external force such as an impact is applied, if the magnitude of the external force is smaller than the withstand pressure limit pressure P, the displacement of the cell thickness caused by the external force becomes
It falls within a range that does not affect the change in the liquid crystal alignment. Thereby, there is an effect that a liquid crystal display element having excellent shock resistance can be provided.
【0169】請求項4記載の液晶表示素子は、基板の少
なくとも一方に樹脂層が設けられ、樹脂層の厚さを
hP 、壁状スペーサ主部の高さをhW 、樹脂層のヤング
率をEP、壁状スペーサ主部のヤング率をEW とする
と、 H=hP +hW 、E=(EP hP +EW hW )/(hP
+hW ) が成り立つ構成である。In the liquid crystal display element according to the fourth aspect, a resin layer is provided on at least one of the substrates, the thickness of the resin layer is h P , the height of the main portion of the wall-shaped spacer is h W , and the Young's modulus of the resin layer is Is E P and the Young's modulus of the wall-shaped spacer main portion is E W , H = h P + h W , E = (E P h P + E W h W ) / (h P
+ H W ).
【0170】上記の構成によれば、例えばカラーフィル
タ等の樹脂層を備えた構成においても、樹脂層の厚さお
よび壁状スペーサの高さを、それぞれのヤング率に応じ
て調整することにより、耐圧限界圧力よりも小さい外力
が加わった場合のセル厚の変位量を、液晶配向の変化に
影響を及ぼさない範囲に収めることができる。この結
果、耐ショック性に優れた液晶表示素子を提供できると
いう効果を奏する。According to the above configuration, even in a configuration having a resin layer such as a color filter, for example, the thickness of the resin layer and the height of the wall-shaped spacer are adjusted according to the respective Young's moduli. The amount of displacement of the cell thickness when an external force smaller than the withstand pressure limit pressure is applied can be kept within a range that does not affect the change in the liquid crystal alignment. As a result, there is an effect that a liquid crystal display element having excellent shock resistance can be provided.
【0171】請求項5記載の液晶表示素子は、基板の厚
さをA、基板のヤング率をE、壁状スペーサのピッチを
L、上記一対の基板間の接着力をG、基板表面の凹凸の
長さをλ、上記凹凸の高さをΔとすると、 GλL6 /Δ2 A6 E≧0.05 が成り立つ構成である。In the liquid crystal display element according to the fifth aspect, the thickness of the substrate is A, the Young's modulus of the substrate is E, the pitch of the wall spacer is L, the adhesive force between the pair of substrates is G, and the unevenness of the substrate surface is provided. Is the length of λ and the height of the unevenness is Δ, GλL 6 / Δ 2 A 6 E ≧ 0.05 holds.
【0172】上記の構成によれば、製造工程における種
々の要因によって基板表面に凹凸が生じたとしても、こ
れに伴って基板間に生じる引き剥がし応力の影響を少な
くすることができる。この結果、気泡やキャビティのな
い液晶表示素子を提供できるという効果を奏する。According to the above configuration, even if unevenness is generated on the substrate surface due to various factors in the manufacturing process, the influence of the peeling stress generated between the substrates can be reduced. As a result, it is possible to provide a liquid crystal display element having no bubbles or cavities.
【0173】請求項6記載の液晶表示素子の製造方法
は、少なくとも電極と配向制御層とをそれぞれ有する一
対の基板がストライプ状の壁状スペーサによって間隔を
保って貼り合わされた液晶表示素子の製造方法におい
て、上記一対の基板の一方に壁状スペーサを形成する工
程と、一対の基板を、圧着によって貼り合わせる工程と
を含み、上記基板の厚さをA、基板のヤング率をE、上
記壁状スペーサを配置するピッチをL、上記工程におい
て基板を圧着する際の圧力をPとすると、 PL4 /EA3 ≦0.00065〔mm〕 が成り立つ。A method of manufacturing a liquid crystal display element according to claim 6, wherein a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer are bonded at a distance by a striped wall spacer. A step of forming a wall-shaped spacer on one of the pair of substrates and a step of bonding the pair of substrates by pressure bonding, wherein the thickness of the substrate is A, the Young's modulus of the substrate is E, Assuming that the pitch at which the spacers are arranged is L and the pressure at which the substrate is pressed in the above step is P, the following holds: PL 4 / EA 3 ≦ 0.00065 [mm].
【0174】これにより、一対の基板を圧着によって貼
り合わせる工程におけるセル厚の変化量を、液晶配向の
変化に影響を及ぼさない範囲(0.1μm以内)に収め
ることができるので、セル厚の均一性が向上し、表示不
良のない液晶表示素子を提供できるという効果を奏す
る。As a result, the amount of change in cell thickness in the step of bonding a pair of substrates by pressure bonding can be kept within a range that does not affect the change in liquid crystal alignment (within 0.1 μm). This has the effect that the liquid crystal display element with improved display performance and no display defects can be provided.
【0175】請求項7記載の液晶表示素子は、少なくと
も電極と配向制御層とをそれぞれ有する一対の基板がス
トライプ状の壁状スペーサによって間隔を保って貼り合
わされた液晶表示素子において、上記液晶表示素子の耐
圧限界圧力をPとすると、上記壁状スペーサのピッチ
L、高さH、幅W、ヤング率Eが、 PLH2 /EW2 ≦0.2〔μm〕 を満たす構成である。A liquid crystal display element according to claim 7, wherein a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer are bonded to each other at intervals by a striped wall spacer. When the withstand pressure limit pressure is P, the pitch L, height H, width W, and Young's modulus E of the above-mentioned wall-shaped spacer satisfy PLH 2 / EW 2 ≦ 0.2 [μm].
【0176】これにより、外力の大きさが耐圧限界圧力
Pよりも小さければ、外力によって生じるセル厚の変位
量が、液晶配向の変化に影響を及ぼさない範囲(0.1
μm以内)に収まる。この結果、耐ショック性に優れた
液晶表示素子を提供できるという効果を奏する。As a result, if the magnitude of the external force is smaller than the withstand pressure limit pressure P, the displacement of the cell thickness caused by the external force does not affect the change in the liquid crystal alignment (0.1 to 0.1).
(within μm). As a result, there is an effect that a liquid crystal display element having excellent shock resistance can be provided.
【0177】請求項8記載の液晶表示素子は、少なくと
も電極と配向制御層とをそれぞれ有する一対の基板がス
トライプ状の壁状スペーサによって間隔を保って貼り合
わされた液晶表示素子において、上記基板の厚さをA、
壁状スペーサのピッチをLとすると、 L6 /A6 ≧0.00015 が成り立つ構成である。The liquid crystal display element according to the present invention is a liquid crystal display element in which a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer are bonded at intervals by a striped wall spacer. A,
Assuming that the pitch of the wall-shaped spacer is L, the configuration holds that L 6 / A 6 ≧ 0.00015.
【0178】これにより、製造工程における種々の要因
によって基板表面に凹凸が生じたとしても、これに伴っ
て基板間に生じる引き剥がし応力の影響を少なくするこ
とができる。この結果、気泡やキャビティのない液晶表
示素子を提供できるという効果を奏する。Thus, even if irregularities are generated on the substrate surface due to various factors in the manufacturing process, the influence of the peeling stress generated between the substrates can be reduced. As a result, it is possible to provide a liquid crystal display element having no bubbles or cavities.
【図1】本発明の実施の一形態に係る液晶セルの概略構
造を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a schematic structure of a liquid crystal cell according to an embodiment of the present invention.
【図2】高分子壁のピッチに対する基板の変形量ξ
(x)の最大値を測定した結果を示すグラフである。FIG. 2 Deformation amount of substrate with respect to pitch of polymer wallξ
It is a graph which shows the result of having measured the maximum value of (x).
【図3】上記実施の一形態に係る液晶セルについて、さ
らに具体的な構成例を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a more specific configuration example of the liquid crystal cell according to the embodiment.
【図4】本発明の実施の他の形態に係る液晶セルの構成
を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal cell according to another embodiment of the present invention.
【図5】同図(a)ないし(d)は、図4に示す液晶セ
ルの製造工程を示す断面図である。5 (a) to 5 (d) are cross-sectional views showing steps of manufacturing the liquid crystal cell shown in FIG.
【図6】本発明の実施のさらに他の形態に係る液晶セル
の構成を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal cell according to still another embodiment of the present invention.
【図7】高分子壁のピッチと耐ショック性との関係を示
すグラフである。FIG. 7 is a graph showing the relationship between the pitch of polymer walls and shock resistance.
【図8】本発明の実施のさらに他の形態に係る液晶セル
の構成を示すものであり、基板表面に比較的大きな凹凸
が存在することにより、高分子壁と基板との間に亀裂が
生じている様子を示す斜視図である。FIG. 8 shows a configuration of a liquid crystal cell according to still another embodiment of the present invention, in which a relatively large unevenness is present on the surface of the substrate, so that a crack is generated between the polymer wall and the substrate. FIG.
【図9】液晶セルにおいて、基板表面に比較的小さな凹
凸が存在することにより、高分子壁と基板との間に亀裂
が生じている様子を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a state in which cracks are generated between the polymer wall and the substrate due to the presence of relatively small irregularities on the substrate surface in the liquid crystal cell.
【図10】高分子壁のピッチとキャビティの長さとの関
係を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing the relationship between the pitch of a polymer wall and the length of a cavity.
【図11】従来の強誘電性液晶表示装置の一例の概略構
成を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of an example of a conventional ferroelectric liquid crystal display device.
【図12】強誘電性液晶分子の電界応答を説明する模式
図である。FIG. 12 is a schematic diagram illustrating an electric field response of ferroelectric liquid crystal molecules.
【図13】強誘電性液晶分子のスイッチングの様子を説
明する模式図である。FIG. 13 is a schematic diagram illustrating a state of switching of ferroelectric liquid crystal molecules.
【図14】キャビティが生じた液晶セルを示す平面図で
ある。FIG. 14 is a plan view showing a liquid crystal cell having a cavity.
48a・48b 基板 40 高分子壁(壁状スペーサ) 48a / 48b Substrate 40 Polymer wall (wall-like spacer)
フロントページの続き (71)出願人 390040604 イギリス国 THE SECRETARY OF ST ATE FOR DEFENCE IN HER BRITANNIC MAJES TY’S GOVERNMENT OF THE UNETED KINGDOM OF GREAT BRITAIN AN D NORTHERN IRELAND イギリス国 ハンプシャー ジーユー14 0エルエックス ファーンボロー アイヴ ェリー ロード(番地なし) ディフェン ス エヴァリュエイション アンド リサ ーチ エージェンシー (72)発明者 繁田 光浩 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 内田 秀樹 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 玉井 和彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 伊藤 信行 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 佐々木 祐和 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 加邉 正章 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 古川 智朗 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 酒匂 禎裕 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 秋山 久 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内Continuation of the front page (71) Applicant 390040604 United Kingdom THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENSE IN HER BRITANNIC MAJES TY'S GOVERNMENT OF THE THE UNERED KINGDOM OF GREEN BRIGHTNOR BRIGHTNOR BIRTH Road (No address) Defense Evaluation and Research Agency (72) Inventor Mitsuhiro Shigeta 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka, Osaka Inside Sharp Corporation (72) Inventor Hideki Uchida Osaka, Osaka 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Sharp Corporation (72) Inventor Kazuhiko Tamai, 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka Nobuyuki Ito 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Japan, inside Sharp Corporation (72) Inventor Yuka Sasaki 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka inside Sharp Corporation (72) Inventor Kabe Masaaki Shosha Co., Ltd. 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City (72) Inventor Tomoaki Furukawa Sharp Co., Ltd. 22-22 Nagaikecho, Abeno-ku, Osaka City, Osaka (72) Inventor Yoshihiro Sakari Osaka, Osaka (22) Inventor Hisashi Akiyama 22-22 Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka
Claims (8)
有する一対の基板がストライプ状の壁状スペーサによっ
て間隔を保って貼り合わされた液晶表示素子の製造方法
において、 上記一対の基板の一方に壁状スペーサを形成する工程
と、 一対の基板を、圧着によって貼り合わせる工程とを含
み、 上記基板の厚さをA、基板のヤング率をE、上記壁状ス
ペーサを配置するピッチをL、上記工程において基板を
圧着する際の圧力をP、上記液晶表示素子に許容される
セル厚の変化量をVとすると、 PL4 /EA3 ≦Vπ5 /48 が成り立つことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。1. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a pair of substrates each having at least an electrode and an orientation control layer, each of which is bonded at intervals by a stripe-shaped wall spacer. A step of forming a spacer, and a step of bonding a pair of substrates by pressure bonding, wherein the thickness of the substrate is A, the Young's modulus of the substrate is E, the pitch at which the wall-shaped spacers are arranged is L, When the pressure at the time of crimping the substrate P, and the variation of the cell thickness that is acceptable for the liquid crystal display device is V, the manufacture of liquid crystal display element characterized by PL 4 / EA 3 ≦ Vπ 5 /48 is established Method.
有する一対の基板がストライプ状の壁状スペーサによっ
て間隔を保って貼り合わされた液晶表示素子の製造方法
において、 上記一対の基板の一方に、ピッチL、高さHの壁状スペ
ーサを形成する工程と、 上記壁状スペーサが形成された基板に、他の基板を圧力
Pで圧接する工程とを含み、 上記他の基板のヤング率をE、厚さをAとすると、 PL4 /EA3 H≦π5 /48 が成り立つことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。2. A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising a pair of substrates each having at least an electrode and an orientation control layer, each of which is bonded at a distance by a striped wall spacer. L, a step of forming a wall-shaped spacer having a height H, and a step of pressing another substrate with a pressure P on the substrate on which the wall-shaped spacer has been formed, wherein the Young's modulus of the other substrate is E, When the thickness of the a, a method of manufacturing a liquid crystal display element characterized by PL 4 / EA 3 H ≦ π 5/48 is established.
有する一対の基板がストライプ状の壁状スペーサによっ
て間隔を保って貼り合わされた液晶表示素子において、 上記液晶表示素子の耐圧限界圧力をP、液晶配向の変化
が生じるセル厚の変位量をVとすると、上記壁状スペー
サのピッチL、高さH、幅W、ヤング率Eが、 PLH2 /EW2 ≦2V を満たすことを特徴とする液晶表示素子。3. A liquid crystal display device in which a pair of substrates each having at least an electrode and an orientation control layer are bonded at intervals by a striped wall spacer, wherein the liquid crystal display device has a withstand pressure limit of P, A liquid crystal characterized in that the pitch L, height H, width W, and Young's modulus E of the wall-shaped spacer satisfy PLH 2 / EW 2 ≦ 2V, where V is the displacement of the cell thickness at which the change in alignment occurs. Display element.
られ、樹脂層の厚さをhP 、壁状スペーサ主部の高さを
hW 、樹脂層のヤング率をEP 、壁状スペーサ主部のヤ
ング率をEW とすると、 H=hP +hW 、E=(EP hP +EW hW )/(hP
+hW ) であることを特徴とする請求項3記載の液晶表示素子。4. A resin layer is provided on at least one of the substrates, the thickness of the resin layer is h P , the height of the main portion of the wall-shaped spacer is h W , the Young's modulus of the resin layer is E P , and the wall-shaped spacer is Assuming that the Young's modulus of the main part is E W , H = h P + h W , E = (E P h P + E W h W ) / (h P
+ H W ). The liquid crystal display device according to claim 3, wherein
有する一対の基板がストライプ状の壁状スペーサによっ
て間隔を保って貼り合わされた液晶表示素子において、
上記基板の厚さをA、基板のヤング率をE、壁状スペー
サのピッチをL、上記一対の基板間の接着力をG、基板
表面の凹凸の長さをλ、上記凹凸の高さをΔとすると、 GλL6 /Δ2 A6 E≧0.05 が成り立つことを特徴とする液晶表示素子。5. A liquid crystal display device in which a pair of substrates each having at least an electrode and an orientation control layer are bonded at intervals by a striped wall spacer.
The thickness of the substrate is A, the Young's modulus of the substrate is E, the pitch of the wall spacer is L, the adhesive force between the pair of substrates is G, the length of the irregularities on the substrate surface is λ, and the height of the irregularities is A liquid crystal display element characterized in that, when Δ, GλL 6 / Δ 2 A 6 E ≧ 0.05 is satisfied.
有する一対の基板がストライプ状の壁状スペーサによっ
て間隔を保って貼り合わされた液晶表示素子の製造方法
において、 上記一対の基板の一方に壁状スペーサを形成する工程
と、 一対の基板を、圧着によって貼り合わせる工程とを含
み、 上記基板の厚さをA、基板のヤング率をE、上記壁状ス
ペーサを配置するピッチをL、上記工程において基板を
圧着する際の圧力をPとすると、 PL4 /EA3 ≦0.00065〔mm〕 が成り立つことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。6. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer, each of which is bonded at a distance by a striped wall spacer. A step of forming a spacer, and a step of bonding a pair of substrates by pressure bonding, wherein the thickness of the substrate is A, the Young's modulus of the substrate is E, the pitch at which the wall-shaped spacers are arranged is L, A method for manufacturing a liquid crystal display element, wherein PL 4 / EA 3 ≦ 0.00065 [mm] is satisfied, where P is the pressure at which the substrate is pressed.
有する一対の基板がストライプ状の壁状スペーサによっ
て間隔を保って貼り合わされた液晶表示素子において、 上記液晶表示素子の耐圧限界圧力をPとすると、上記壁
状スペーサのピッチL、高さH、幅W、ヤング率Eが、 PLH2 /EW2 ≦0.2〔μm〕 を満たすことを特徴とする液晶表示素子。7. In a liquid crystal display device in which a pair of substrates each having at least an electrode and an orientation control layer are bonded at a distance by a stripe-shaped wall-shaped spacer, a pressure limit pressure of the liquid crystal display device is P. A pitch L, a height H, a width W, and a Young's modulus E of the wall-like spacer satisfy PLH 2 / EW 2 ≦ 0.2 [μm].
有する一対の基板がストライプ状の壁状スペーサによっ
て間隔を保って貼り合わされた液晶表示素子において、
上記基板の厚さをA、壁状スペーサのピッチをLとする
と、 L6 /A6 ≧0.00015 が成り立つことを特徴とする液晶表示素子。8. A liquid crystal display device in which a pair of substrates each having at least an electrode and an alignment control layer are bonded to each other at intervals by a striped wall spacer.
A liquid crystal display device characterized in that when the thickness of the substrate is A and the pitch of the wall-like spacer is L, L 6 / A 6 ≧ 0.00015 is satisfied.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12644498A JPH11326917A (en) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | Liquid crystal display element and its production |
GB9910339A GB2337131B (en) | 1998-05-08 | 1999-05-06 | Liquid crystal display element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12644498A JPH11326917A (en) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | Liquid crystal display element and its production |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11326917A true JPH11326917A (en) | 1999-11-26 |
Family
ID=14935372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12644498A Pending JPH11326917A (en) | 1998-05-08 | 1998-05-08 | Liquid crystal display element and its production |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11326917A (en) |
GB (1) | GB2337131B (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001337332A (en) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal electrooptical device |
JP2014041352A (en) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Samsung Display Co Ltd | Liquid crystal display device |
CN105467701A (en) * | 2014-09-30 | 2016-04-06 | 三星显示有限公司 | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002023164A (en) * | 2000-07-04 | 2002-01-23 | Nec Corp | Method for liquid crystal displaying, liquid crystal display device and device for manufacturing the same |
JP2006503322A (en) * | 2002-10-16 | 2006-01-26 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Low coefficient substrate for flexible flat panel display |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4682858A (en) * | 1984-08-20 | 1987-07-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having reduced-pressure region in communication with ferroelectric liquid crystal |
WO1986005283A1 (en) * | 1985-03-05 | 1986-09-12 | American Telephone & Telegraph Company | Thin, uniform electro-optic display |
SE503136C2 (en) * | 1994-12-09 | 1996-04-01 | Emt Ag | Pressure resistant liquid crystal cell |
JPH09329783A (en) * | 1996-06-10 | 1997-12-22 | Nikon Corp | Spatial light modulation element |
JPH11282A (en) * | 1997-06-09 | 1999-01-06 | Morio Yoshizawa | Paper box capable of varying direction |
JPH112821A (en) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Sony Corp | Liquid crystal element and its manufacture |
-
1998
- 1998-05-08 JP JP12644498A patent/JPH11326917A/en active Pending
-
1999
- 1999-05-06 GB GB9910339A patent/GB2337131B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001337332A (en) * | 2000-03-24 | 2001-12-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Liquid crystal electrooptical device |
JP4712210B2 (en) * | 2000-03-24 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
JP2014041352A (en) * | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Samsung Display Co Ltd | Liquid crystal display device |
US9841623B2 (en) | 2012-08-22 | 2017-12-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and manufacturing method thereof |
CN105467701A (en) * | 2014-09-30 | 2016-04-06 | 三星显示有限公司 | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2337131B (en) | 2003-01-29 |
GB9910339D0 (en) | 1999-06-30 |
GB2337131A (en) | 1999-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3133228B2 (en) | Display device | |
JP3481843B2 (en) | Liquid crystal display | |
US20010052959A1 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
US6621548B2 (en) | Electrooptical displays constructed with polymer-coated elements positioned between substrates | |
JPH1020323A (en) | Liquid crystal display device, its production and its driving method | |
JP2000056296A (en) | Liquid crystal display device | |
US20090174851A1 (en) | Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof | |
JP2000338498A (en) | Liquid crystal display panel | |
JPH09127495A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH11326917A (en) | Liquid crystal display element and its production | |
JPH08248428A (en) | Thin-film liquid-crystal display element panel and its manufacture | |
JPH09127494A (en) | Liquid crystal display and preparation thereof | |
JP3773723B2 (en) | Liquid crystal display | |
JP4004623B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal display element | |
JPH10301096A (en) | Liquid crystal display element and manufacturing method thereof | |
US6788381B2 (en) | Liquid crystal device | |
JPH10301115A (en) | Liquid crystal display element and its production | |
KR20050070326A (en) | Lcd and method for manufacturing lcd | |
JPH117035A (en) | Liquid crystal display device and its manufacture | |
KR100731035B1 (en) | Liquid crystal display and method for manufacturing the same | |
JP2000214469A (en) | Liquid crystal display element | |
JPH10268317A (en) | Liquid crystal display element and its manufacture | |
JP2002333635A (en) | Liquid crystal display device, manufacturing method therefor and manufacturing device for liquid crystal display device | |
JP2004302298A (en) | Liquid crystal display panel | |
JP3680849B2 (en) | LCD panel |