JPH11326038A - Light sensor and its manufacture - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To realize a response to a visible light and a good response to a light information by forming a photoconductive layer comprising a charge generating substance contacting with an electrode and having a sensitivity to a visible light area and a liquid crystal charge transporting substance. SOLUTION: In the present light sensor 1, an electrode 3 comprising a transparent electrode film is formed on a substrate 2 made of a glass and a charge generating substance having a sensitivity to a visible light area is vapor- deposited to form a film and to make a charge generating layer 4. This charge generating layer 4 and an electrode 3a of a substrate 2a on which a transparent electrode layer is formed are opposed and joined through a spacer 10 to form a liquid crystal introducing cell. Then, a liquid crystal charge transporting substance is poured into the liquid crystal introducing cell thus formed to form a liquid crystal charge transporting layer 5. At this time, a high speed and good response to a light information can be realized by using a liquid crystal charge transporting substance of which a charge moving degree is 100 to 1000 times as that of a usual charge transporting substance and has a size of approximately, 5×10<-3> cm<2> /Vs for the charge transporting layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報を電気情報
に変換することができる光センサーに関し、光情報の検
出、静電潜像の形成、および、画像情報の取り込みが可
能な光センサーとその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical sensor capable of converting optical information into electrical information, and more particularly to an optical sensor capable of detecting optical information, forming an electrostatic latent image, and taking in image information. It relates to the manufacturing method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】光情報を電気情報に変換する光センサー
には、セレン、シリコン等の無機光導電性物質、あるい
は有機光導電性物質を用いたものが知られている。有機
光導電性物質を用いた光センサーは、有機光導電性物質
を結合剤に分散する等の方法によって比較的容易に製造
することができる。有機光導電性物質は、照射光の吸収
によって生じた電子−正孔ペアから、電圧の印加による
帯電によって、電子または正孔のキャリアーが生じ、生
じたキャリアーが光導電層を移動することによって電気
情報として取り出すことができる。2. Description of the Related Art As an optical sensor for converting optical information into electrical information, an optical sensor using an inorganic photoconductive substance such as selenium or silicon or an organic photoconductive substance is known. An optical sensor using an organic photoconductive substance can be relatively easily manufactured by a method such as dispersing an organic photoconductive substance in a binder. The organic photoconductive substance generates electrons or holes by the application of voltage from the electron-hole pairs generated by the absorption of irradiation light, and generates carriers by moving the photoconductive layer. Can be extracted as information.

【０００３】有機光導電性物質を用いた光センサーの特
性は、有機光導電性物質の照射光に対する吸光度、キャ
リアーの生成の効率、生成キャリアーの寿命、生成キャ
リアー移動度等によって決定されることが知られてお
り、これらの特性に影響を与える要因を改良することが
行われている。The characteristics of an optical sensor using an organic photoconductive substance may be determined by the absorbance of the organic photoconductive substance to irradiation light, the efficiency of carrier generation, the lifetime of the generated carrier, the mobility of the generated carrier, and the like. Improvements have been made to the factors that are known and affect these properties.

【０００４】本発明者等は、このような観点から、液晶
相での配向秩序、すなわち分子の自己組織化によっ従来
の有機物に比べて遙かに大きな正孔移動度が得られる液
晶性の物質を提案している。この物質を用いることによ
り、従来の分子配向性を有さない分子分散ポリマー等の
材料に比べて極めて大きな正孔移動度が得られ、電荷輸
送の効率化にも極めて有効であり、高速応答を必要とす
る分野においても、有機光導電性物質を適用することが
可能であることを明らかにしている。ところが、本発明
者等が提案した液晶性物質は、紫外光に対して応答する
ものの可視光に対しては応答しないという問題があっ
た。タングステンランプや蛍光灯等が放射する可視光に
対して良好に応答するとともに、高速に応答する光セン
サーが求められている。From such a viewpoint, the inventors of the present invention have proposed a liquid crystal property in which a much larger hole mobility can be obtained as compared with a conventional organic substance due to alignment order in a liquid crystal phase, that is, self-organization of molecules. Suggest a substance. By using this substance, an extremely large hole mobility can be obtained as compared with a conventional material such as a molecular dispersion polymer having no molecular orientation, which is extremely effective in improving the efficiency of charge transport, and has a high speed response. It has been clarified that organic photoconductive materials can be applied in fields where they are needed. However, the liquid crystal substance proposed by the present inventors has a problem that it responds to ultraviolet light but does not respond to visible light. There is a need for an optical sensor that responds satisfactorily to visible light emitted by a tungsten lamp, a fluorescent lamp, or the like, and that responds at high speed.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、情報記録層
への情報形成に使用される光センサーにおいて、可視光
に応答性があり、光情報に対する応答が良好な光センサ
ーの提供を課題とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an optical sensor used for forming information on an information recording layer, which is responsive to visible light and has a good response to optical information. Is what you do.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、光情報を電気
情報に変換する光センサーにおいて、電極に接して可視
光域に感度を有する電荷発生性物質と、液晶性電荷輸送
性物質からなる光導電層を形成した光センサーである。
光情報を電気情報に変換する光センサーにおいて、電極
に接して、可視光域に感度を有する電荷発生性物質を液
晶性電荷輸送性物質中に溶解または分散した光導電層を
形成した光センサーである。光情報を電気情報に変換す
る光センサーにおいて、電極に接して、可視光域に感度
を有する電荷発生層と、液晶性電荷輸送性物質を含有す
る電荷輸送層を形成した２層からなる光導電層を形成し
た光センサーである。電極上に、電荷注入制御層を形成
した前記の光センサーである。少なくとも一方の電極を
ラビング処理した前記の光センサーである。少なくとも
一方の電極を複数の画素にパターン化または分割した前
記の光センサーである。前記の光センサーを用いた電子
写真感光体である。前記の光センサーを用いた空間光変
調素子である。According to the present invention, there is provided an optical sensor for converting optical information into electrical information, comprising a charge generating substance which is in contact with an electrode and has a sensitivity in a visible light region, and a liquid crystal charge transporting substance. This is an optical sensor having a photoconductive layer.
An optical sensor that converts optical information into electrical information, in which a photoconductive layer in which a charge-generating substance sensitive to visible light is dissolved or dispersed in a liquid-crystalline charge-transporting substance is formed in contact with the electrode. is there. In an optical sensor that converts optical information into electrical information, a photoconductive layer consisting of a charge generation layer having sensitivity in the visible light region and a charge transport layer containing a liquid crystal charge transport material is formed in contact with an electrode. It is an optical sensor having a layer formed. This is the above-described optical sensor in which a charge injection control layer is formed on an electrode. It is the above-mentioned optical sensor in which at least one electrode has been rubbed. In the above-described optical sensor, at least one electrode is patterned or divided into a plurality of pixels. An electrophotographic photosensitive member using the optical sensor. A spatial light modulator using the optical sensor.

【０００７】光情報を電気情報に変換する光センサーの
製造方法において、電極を設けた２枚の基板の少なくと
も一方の電極上に、可視光域に感度を有する電荷発生層
を積層し、両電極をスペーサーを介して対向配置し貼り
合わせた後、液晶性電荷輸送性物質をセル内に注入した
光センサーの製造方法である。また、光情報を電気情報
に変換する光センサーの製造方法において、電極を設け
た２枚の基板の少なくとも一方の電極上に、電荷注入制
御層、可視光域に感度を有する電荷発生層を積層し、ス
ペーサーを介して対向配置し貼り合わせた後、液晶性電
荷輸送性物質をセル内に注入した光センサーの製造方法
である。In a method of manufacturing an optical sensor for converting optical information into electrical information, a charge generation layer sensitive to a visible light region is laminated on at least one of two electrodes provided with electrodes, This is a method for manufacturing an optical sensor in which liquid crystal charge-transporting substances are injected into a cell after they are arranged and bonded to each other via a spacer. Further, in the method for manufacturing an optical sensor for converting optical information into electrical information, a charge injection control layer and a charge generation layer having sensitivity in a visible light region are laminated on at least one electrode of two substrates provided with electrodes. This is a method for manufacturing an optical sensor in which a liquid crystal charge transporting substance is injected into a cell after opposing and bonding with a spacer interposed therebetween.

【０００８】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の光センサーは、光導電層
の電荷輸送性物質として、液晶性電荷輸送性物質を用い
たものである。そして、光導電層として可視光域に感度
を有する電荷発生性物質と電荷輸送性物質の両者を混合
した層、あるいは可視光域に感度を有する電荷発生性物
質を含有した電荷発生層と電荷輸送性物質を含有した電
荷輸送層とを積層したいずれの形態のものも対象として
いる。光導電層は光が照射されると照射部分での光誘起
キャリア（電子、正孔）が発生するものであるが、とく
に本発明の光センサーは、一般に電子写真感光体におい
て用いられている通常の電荷輸送性物質よりも電荷移動
度が１００倍から１０００倍大きく、５×１０^-3ｃｍ²
／Ｖｓ 程度の大きさの液晶性電荷輸送性物質を電荷輸
送層に使用することにより、高速に応答が可能な光セン
サーが得られるという特徴を有している。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The photosensor of the present invention uses a liquid crystal charge transporting substance as the charge transporting substance of the photoconductive layer. Then, as a photoconductive layer, a layer in which both a charge generating substance sensitive to visible light and a charge transporting substance are mixed, or a charge generating layer containing a charge generating substance sensitive to visible light and a charge transporting layer Any form in which a charge transport layer containing a conductive substance is laminated is also an object. When the photoconductive layer is irradiated with light, photoinduced carriers (electrons and holes) are generated at the irradiated portion. In particular, the photosensor of the present invention is generally used in an electrophotographic photoreceptor. Has a charge mobility of 100 to 1000 times larger than that of the charge transporting material of 5 × 10 ⁻³ cm ²
By using a liquid crystal charge transporting substance having a size of about / Vs for the charge transporting layer, an optical sensor capable of responding at high speed can be obtained.

【０００９】本発明の光センサーを図面を参照して説明
する。図１は本発明の一実施例を説明する図である。光
センサー１はガラス等の基材２上にＩＴＯ等の透明電極
膜等からなる電極３を形成した後に、電荷発生性物質を
蒸着、あるいは、塗布等により成膜し電荷発生層４と
し、この電荷発生層と透明電極電極層を形成した基材２
ａの電極３ａとを対向させてスペーサー１０を介して貼
り合わせて、液晶導入用セルを形成した後に、液晶性電
荷輸送性物質を注入して液晶性電荷輸送層５を形成した
ものである。図２は本発明の他の実施例を説明する図で
ある。光センサー１はガラス等の基材２上にＩＴＯ等の
透明電極膜等からなる電極３を形成した後に、同様の処
理をした基材と電極を対向させてスペーサー１０を介し
て貼り合わせ、セル化した後、電荷発生性物質を溶解、
あるいは分散等した液晶性電荷輸送層５ａを形成したも
のである。この例に示したものでは、照射された光に対
して液晶性電荷輸送性物質層内に共存している電荷発生
性物質が電荷を生成し、液晶性電荷輸送性物質が電荷を
輸送する。The optical sensor according to the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the present invention. The optical sensor 1 forms an electrode 3 made of a transparent electrode film such as ITO on a base material 2 such as glass, and then forms a charge generating layer 4 by depositing or coating a charge generating substance. Substrate 2 on which charge generation layer and transparent electrode electrode layer are formed
The liquid crystal charge transporting layer 5 is formed by injecting a liquid crystal charge transporting substance after forming a liquid crystal introduction cell by bonding the electrode 3a of FIG. FIG. 2 is a diagram for explaining another embodiment of the present invention. After forming an electrode 3 made of a transparent electrode film such as ITO on a base material 2 such as glass, the optical sensor 1 is bonded to a base material treated in the same manner with the electrode via a spacer 10 so as to face the cell. After dissolving the charge generating substance,
Alternatively, a liquid crystal charge transport layer 5a dispersed or the like is formed. In this example, the charge-generating substance coexisting in the liquid-crystal charge-transporting substance layer generates charges for the irradiated light, and the liquid-crystal charge-transporting substance transports the charges.

【００１０】図３は、本発明の他の実施例を説明する図
である。光センサー１はガラス等の基材２上にＩＴＯ等
の透明電極膜等からなる電極３を形成した後に、電荷注
入制御層６を蒸着または、塗布等により成膜した上部
に、電荷発生性物質を蒸着または、塗布等により成膜し
電荷発生層４とし、この電荷発生層と透明電極電極を形
成した基材２ａの電極３ａとを対向させてスペーサー１
０を介して貼り合わせ、セル化した後、液晶性電荷輸送
層５を形成したものである。照射された光に対して電荷
発生層が電荷を生成し、液晶性電荷輸送層が電荷輸送す
るが、電荷注入制御層により、電極からの注入電流の増
幅効果がある。FIG. 3 is a diagram for explaining another embodiment of the present invention. The optical sensor 1 has an electrode 3 made of a transparent electrode film such as ITO formed on a base material 2 such as glass and the like. Is formed by vapor deposition or coating to form a charge generation layer 4. The charge generation layer is opposed to the electrode 3a of the base material 2a on which the transparent electrode is formed, and the spacer 1 is formed.
In this case, the liquid crystal charge transporting layer 5 is formed after bonding through a cell through the substrate through a 0. The charge generation layer generates charges with respect to the irradiated light, and the liquid crystal charge transport layer transports the charges. The charge injection control layer has an effect of amplifying the injection current from the electrode.

【００１１】図４は本発明の他の光センサーを説明する
図である。光センサー１はガラス等の基材２上 にＩＴ
Ｏ等の透明電極膜等からなる電極３を形成した後に、電
荷発生性物質を溶解、あるいは、分散した液晶性電荷輸
送層５を単独で、もしくは高分子分散膜、あるいは高分
子化膜等として成膜した上部に、上部電極７として例え
ば透明電極等を蒸着等により形成したものである。照射
された光に対して共存している電荷発生性物質が電荷を
生成し、液晶性電荷輸送性物質が電荷輸送するものであ
り、さらに、液晶性電荷輸送性物質をポリマー中に分
散、あるいは、液晶性電荷輸送性物質をポリマー化する
ことにより、塗液し、塗布により作製したものである。FIG. 4 is a view for explaining another optical sensor according to the present invention. The optical sensor 1 has an IT on a substrate 2 such as glass.
After forming the electrode 3 composed of a transparent electrode film such as O, the liquid crystal charge transport layer 5 in which the charge generating substance is dissolved or dispersed is used alone, or as a polymer dispersed film or a polymerized film. For example, a transparent electrode or the like is formed as an upper electrode 7 on the film-formed upper portion by vapor deposition or the like. The charge-generating substance coexisting with the irradiated light generates a charge, and the liquid-crystalline charge-transporting substance transports the charge.Furthermore, the liquid-crystalline charge-transporting substance is dispersed in the polymer, or The liquid crystalline charge transporting substance is prepared by polymerizing, applying a coating liquid, and applying.

【００１２】図５は、本発明の他の実施例の光センサー
を説明する図である。光センサー１はガラス等の基材２
上にＩＴＯ等の透明電極膜等からなる電極３を形成した
後に、電荷発生性物質を蒸着、あるいは塗布等により成
膜し、電荷発生層４とし、その上部に液晶性電荷輸送性
物質を単独で、もしくは高分子分散膜、あるいは高分子
化膜等として成膜した上部に、上部電極７として例えば
透明電極等を蒸着等により形成したものである。照射さ
れた光に対して電荷発生層４が電荷を生成し、液晶性電
荷輸送層５ａが電荷輸送し、液晶性電荷輸送性物質をポ
リマー中に分散、あるいは、液晶性電荷輸送性物質をポ
リマー化することにより、塗液とし、塗布により作製し
たものである。以上のように図１ないし図５に示した光
センサーの一方あるいは両方の電極を分割し、画素化
し、それぞれを結線することによって画像の取り込みが
可能な光センサーとして使用することができる。FIG. 5 is a view for explaining an optical sensor according to another embodiment of the present invention. The optical sensor 1 is made of a substrate 2 such as glass.
After forming an electrode 3 made of a transparent electrode film such as ITO on the top, a charge generating substance is formed by vapor deposition or coating to form a charge generating layer 4, and a liquid crystal charge transporting substance is solely formed thereon. For example, a transparent electrode or the like is formed as an upper electrode 7 by vapor deposition or the like on a film formed as a polymer dispersed film or a polymerized film. The charge generation layer 4 generates charges in response to the irradiated light, and the liquid crystal charge transport layer 5a transports the charges. The liquid crystal charge transport material is dispersed in the polymer, or the liquid crystal charge transport material is dispersed in the polymer. Thus, a coating liquid is obtained by coating. As described above, one or both electrodes of the optical sensor shown in FIGS. 1 to 5 can be used as an optical sensor capable of capturing an image by dividing and pixelating the electrodes and connecting them.

【００１３】図６は、本発明の他の実施例の光センサー
を説明する図である。光センサー１はガラス等の基材２
上にＩＴＯ等の透明電極膜等からなる電極３を形成した
後に、液晶性電荷輸送性物質を単独、高分子分散膜、あ
るいは、高分子化膜等として成膜して液晶性電荷輸送層
５を形成したものであり、光によって生成した電荷を静
電潜像として使用するものである。FIG. 6 is a view for explaining an optical sensor according to another embodiment of the present invention. The optical sensor 1 is made of a substrate 2 such as glass.
After the electrode 3 made of a transparent electrode film such as ITO is formed thereon, a liquid crystalline charge transporting substance is formed alone, as a polymer dispersed film, or as a polymerized film. Are formed, and electric charges generated by light are used as an electrostatic latent image.

【００１４】図７は本発明の他の光センサーを説明する
図である。光センサー１はガラス等の基材２上にＩＴＯ
等の透明電極膜等からなる電極３を形成した後に、電荷
発生性物質を溶解、あるいは分散等した液晶性電荷輸送
性物質を単独、高分子分散膜、あるいは、高分子化膜等
として成膜して液晶性電荷輸送層５ａを形成したもので
あり、光によって生成した電荷を直接に静電潜像として
使用する形態であり、照射された光に対して共存してい
る電荷発生性物質が電荷を生成し、液晶性電荷輸送層が
電荷輸送をするものである。FIG. 7 is a view for explaining another optical sensor according to the present invention. The optical sensor 1 is made of ITO on a substrate 2 such as glass.
After forming the electrode 3 made of a transparent electrode film or the like, a liquid crystal charge transporting material in which a charge generating material is dissolved or dispersed is formed alone, as a polymer dispersed film, or as a polymerized film. The liquid crystal charge transport layer 5a is formed by using the charge generation material, and the charge generated by light is directly used as an electrostatic latent image. A charge is generated, and the liquid crystal charge transport layer performs charge transport.

【００１５】図８は本発明の他の光センサーを説明する
図である。光センサー１はガラス等の基材２上にＩＴＯ
等の透明電極膜等からなる電極３を形成した後に、電荷
発生性物質を蒸着、あるいは塗布等により成膜し電荷発
生層４とし、上部に液晶性電荷輸送性物質層５を単独
で、もしくは高分子分散膜、高分子化膜等として成膜し
たものである。また、図６ないし図８に示した光センサ
ーは、例えば電子写真感光体として使用することができ
る。FIG. 8 is a diagram for explaining another optical sensor according to the present invention. The optical sensor 1 is made of ITO on a substrate 2 such as glass.
After forming the electrode 3 made of a transparent electrode film or the like, a charge generating substance is formed by vapor deposition or coating to form a charge generating layer 4, and a liquid crystal charge transporting substance layer 5 is provided alone on the upper part, or It is formed as a polymer dispersed film, a polymerized film, or the like. 6 to 8 can be used, for example, as an electrophotographic photosensitive member.

【００１６】本発明の光センサーは、液晶性電荷輸送性
物質は、例えば、スメクチック液晶性を有し、且つ電子
移動度が１×１０^-5ｃｍ²／Ｖｓ以上であることを特徴
としており、例えば（６π電子系芳香環）ｌ、（１０π
電子系芳香環）ｍ、（１４π電子系芳香環）ｎ、ただし
ｌ＋ｍ＋ｎ＝１〜４、 ｌ、ｍ、ｎは各０〜４の整数で
ある骨格を有し、且つ液晶性を有する電荷輸送性物質、
６π電子系芳香環が炭素−炭素二重結合または炭素−炭
素三重結合を有する連結基で連結されている電荷輸送性
物質が挙げられる。芳香環の連結数は移動度の観点から
制限される。６π電子系芳香環としては、例えば、ベン
ゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピ
ラジン環、トロボロン環、１０π電子系芳香環として
は、例えばナフタレン環、アズレン環、ベンゾフラン
環、インドール環、インダゾール環、ベンゾチアゾール
環、ベンゾオキサゾール環、ペンゾイミダゾール環、キ
ノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、キノキサリ
ン環、１４π電子系芳香環としては、例えばフェナント
レン環、アントラセン環等が挙げられる。なかでも、以
下に示すナフタレン系液晶が好ましく用いられ、高速度
の電荷移動特性により、光センサーの高速応答が期待で
きる。また、ナフタレン系液晶は紫外域に吸収を持ち、
この波長城の光を照射、検出する用途においては電荷発
生性物質の機能を兼ねる。The photosensor of the present invention is characterized in that the liquid crystalline charge transporting substance has, for example, smectic liquid crystallinity and an electron mobility of 1 × 10 ⁻⁵ cm ² / Vs or more. For example, (6π electron aromatic ring) l, (10π
(Electronic aromatic ring) m, (14π electron aromatic ring) n, where l + m + n = 1 to 4, l, m, and n each have a skeleton of an integer of 0 to 4 and have a charge transporting property having liquid crystallinity. material,
A charge-transporting substance in which a 6π-electron aromatic ring is linked by a linking group having a carbon-carbon double bond or a carbon-carbon triple bond. The number of aromatic rings connected is limited from the viewpoint of mobility. As 6π-electron aromatic rings, for example, benzene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, troborone ring, and as 10π-electron aromatic rings, for example, naphthalene ring, azulene ring, benzofuran ring, indole ring, indazole Examples of the ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, benzoimidazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, quinoxaline ring, and 14π electron aromatic ring include a phenanthrene ring and an anthracene ring. Among them, the following naphthalene-based liquid crystal is preferably used, and high-speed response of the optical sensor can be expected due to high-speed charge transfer characteristics. Also, naphthalene-based liquid crystals have absorption in the ultraviolet region,
In the application of irradiating and detecting the light of this wavelength, it also functions as a charge generating substance.

【００１７】[0017]

【化１】 Embedded image

【００１８】ただし、ナフタレン系液晶１において、However, in the naphthalene-based liquid crystal 1,

【表１】 Ｌ Ｒ 相と相転移温度（℃） NC- -C₂H₅ Cr 119.5 N 135.3 I NC- -C₃H₇ Cr 107.5 N 144.5 I NC- -C₄H₉ Cr 74.5 N 129.3 I NC- -C₅H₁₁ Cr 85.5 N 128.0 I NC- -C₆H₁₃ Cr 59.0 N 117.0 I NC- -C₇H₁₅ Cr 57.0 N 121.0 I NC- -C₈H₁₇ Cr 48.0 A 91.5 N 113.0 I NC- -C₉H₁₉ Cr 44.0 A 95.0 N 104.0 I NC- -O-CH₃ Cr 138.0 N 184.0 I NC- -O-C₂H₅ Cr 129.0 N 185.0 I NC- -O-C₃H₇ Cr 114.0 N 157.0 I NC- -O-C₄H₉ Cr 125.0 N 159.0 I NC- -O-C₅H₁₁ Cr 96.0 N 148.0 I NC- -O-C₆H₁₃ Cr 100.0 N 148.0 I NC- -O-C₇H₁₅ Cr 84.0 N 140.0 I NC- -O-C₈H₁₇ Cr 85.0 A 94.0 N 140.0 I NC- -OCO-CH₃ Cr 170.0 N 198.0 I NC- -OCO-C₂H₅ Cr 172.0 N 197.5 I NC- -OCO-C₃H₇ Cr 122.0 N 184.0 I NC- -OCO-C₄H₉ Cr 87.0 N 167.0 I NC- -OCO-C₅H₁₁ Cr 75.0 N 163.0 I NC- -OCO-C₆H₁₃ Cr 64.0 N 155.0 I NC- -OCO-C₇H₁₅ Cr 65.0 N 154.0 I NC- -OCO-CH＝CH-CH₃ Cr 139.0 N 259.0 dec NC- -OCO-CH＝CH-C₂H₅ Cr 113.0 N 229.0 dec NC- -OCO-CH＝CH-C₃H₇ Cr 90.0 N 230.0 I NC- -OCO-CH＝CH-C₄H₉ Cr 82.0 N 212.0 I NC- -OCO-CH＝CH-C₅H₁₁ Cr 76.0 N 210.0 I NC- -C≡C-C₃H₇ Cr 109.0 N 166.0 I O₂N- -O-C₄H₉ Cr 106.0 N 120.0 I C₅H₁₁- -CN Cr 68.0 N 130.0 I C₄H₉-O- -CN Cr 98.5 N 167.5 I C₃H₇-C C- -CN Cr 113.0 N 193.0 I C₅H₁₁- -O-CH₃ Cr 131.0 N 150.0 I C₆H₁₃-O- -OCO-CFMe-C₅H₁₁ Cr 87.0 A 110.0 I C₅H₁₁-CFMe-COO- -O-C₆H₁₃ Cr --- S 80.0 A 110.0 I C₅H₁₁-CFMe-COO- -O-C₁₀H₂₁ Cr 81.6 C* 85.4 A 96.3 I C₈H₁₇- -O-C₁₂H₂₅ Cr 79.0 B 100.0 A 121.0 I C₁₀H₂₁- -O-C₅H₁₀-CHMe-C₂H₅ Cr 24.0 E 41.0 B 77.0 A 90.0 I C₂H₅-CHMe-C₅H₁₀-O- -C₁₀H₂₁ Cr 56.0 X 83.0 C 103.0 A 111.0 I C₈H₁₇ -O-C₄H₉ Cr 55.0 E 126.0 A131.0 I[Table 1] LR phase and phase transition temperature (° C) NC- -C ₂ H ₅ Cr 119.5 N 135.3 I NC- -C ₃ H ₇ Cr 107.5 N 144.5 I NC- -C ₄ H ₉ Cr 74.5 N 129.3 I NC- -C ₅ H ₁₁ Cr 85.5 N 128.0 I NC- -C ₆ H ₁₃ Cr 59.0 N 117.0 I NC- -C ₇ H ₁₅ Cr 57.0 N 121.0 I NC- -C ₈ H ₁₇ Cr 48.0 A 91.5 N 113.0 I NC- -C ₉ H ₁₉ Cr 44.0 A 95.0 N 104.0 I NC- -O-CH ₃ Cr 138.0 N 184.0 I NC- -OC ₂ H ₅ Cr 129.0 N 185.0 I NC- -OC ₃ H ₇ Cr 114.0 N 157.0 I NC- -OC ₄ H ₉ Cr 125.0 N 159.0 I NC- -OC ₅ H ₁₁ Cr 96.0 N 148.0 I NC- -OC ₆ H ₁₃ Cr 100.0 N 148.0 I NC- -OC ₇ H ₁₅ Cr 84.0 N 140.0 I NC- -OC ₈ H ₁₇ Cr 85.0 A 94.0 N 140.0 I NC- -OCO-CH ₃ Cr 170.0 N 198.0 I NC- -OCO-C ₂ H ₅ Cr 172.0 N 197.5 I NC- -OCO-C ₃ H ₇ Cr 122.0 N 184.0 I NC- -OCO-C ₄ H ₉ Cr 87.0 N 167.0 I NC- -OCO-C ₅ H ₁₁ Cr 75.0 N 163.0 I NC- -OCO-C ₆ H ₁₃ Cr 64.0 N 155.0 I NC- -OCO-C ₇ H ₁₅ Cr 65.0 N 154.0 I NC- -OCO-CH = CH-CH ₃ Cr 139.0 N 259.0 dec NC- -OCO-CH = CH-C ₂ H ₅ Cr 113.0 N 229.0 dec NC- -OCO-CH = CH -C ₃ H ₇ Cr 90.0 N 230.0 I NC- -OCO-CH = CH-C ₄ H ₉ Cr 8 2.0 N 212.0 I NC- -OCO-CH = CH-C 5 H 11 Cr 76.0 N 210.0 I NC- -C≡CC 3 H 7 Cr 109.0 N 166.0 IO 2 N- -OC 4 H 9 Cr 106.0 N 120.0 IC 5 H ₁₁ --CN Cr 68.0 N 130.0 IC ₄ H ₉ -O- -CN Cr 98.5 N 167.5 IC ₃ H ₇ -C C- -CN Cr 113.0 N 193.0 IC ₅ H ₁₁ --O-CH ₃ Cr 131.0 N 150.0 IC ₆ H ₁₃ -O- -OCO-CFMe-C ₅ H ₁₁ Cr 87.0 A 110.0 IC ₅ H ₁₁ -CFMe-COO- -OC ₆ H ₁₃ Cr --- S 80.0 A 110.0 IC ₅ H ₁₁ -CFMe-COO --OC ₁₀ H ₂₁ Cr 81.6 C * 85.4 A 96.3 IC ₈ H ₁₇ --OC ₁₂ H ₂₅ Cr 79.0 B 100.0 A 121.0 IC ₁₀ H ₂₁ --OC ₅ H ₁₀ -CHMe-C ₂ H ₅ Cr 24.0 E 41.0 B 77.0 A 90.0 IC ₂ H ₅ -CHMe-C ₅ H ₁₀ -O- -C ₁₀ H ₂₁ Cr 56.0 X 83.0 C 103.0 A 111.0 IC ₈ H ₁₇ -OC ₄ H ₉ Cr 55.0 E 126.0 A131.0 I

【００１９】これらのなかでも、以下に示すものが好ま
しい。Among these, the following are preferred.

【００２０】[0020]

【表２】 NC- -C8H17 Cr 48.0 A 91.5 N 113.0 I NC- -C9H19 Cr 44.0 A 95.0 N 104.0 I NC- -O-C8H17 Cr 85.0 A 94.0 N 140.0 I C₈H₁₇- -O-C12H25 Cr 79.0 B 100.0 A 121.0 I C₄H₉-O- -CN Cr 98.5 N 167.5 I C₃H₇-C C- -CN Cr 113.0 N 193.0 I C₅H₁₁- -O-CH₃ Cr 131.0 N 150.0 I C₆H₁₃-O- -OCO-CFMe-C₅H₁₁ Cr 87.0 A 110.0 I C₅H₁₁-CFMe-COO- -O-C₆H₁₃ Cr --- S 80.0 A 110.0 I C₅H₁₁-CFMe-COO- -O-C₁₀H₂₁ Cr 81.6 C* 85.4 A 96.3 I C₈H₁₇- -O-C₁₂H₂₅ Cr 79.0 B 100.0 A 121.0 I C₁₀H₂₁- -O-C₅H₁₀-CHMe-C₂H₅ Cr 24.0 E 41.0 B 77.0 A 90.0 I C₂H₅-CHMe-C₅H₁₀-O- -C₁₀H₂₁ Cr 56.0 X 83.0 C 103.0 A 111.0 ITABLE 2 NC- -C8H17 Cr 48.0 A 91.5 N 113.0 I NC- -C9H19 Cr 44.0 A 95.0 N 104.0 I NC- -O-C8H17 Cr 85.0 A 94.0 N 140.0 IC 8 H 17 - -O-C12H25 Cr 79.0 B 100.0 A 121.0 IC ₄ H ₉ -O- -CN Cr 98.5 N 167.5 IC ₃ H ₇ -C C- -CN Cr 113.0 N 193.0 IC ₅ H ₁₁ --O-CH ₃ Cr 131.0 N 150.0 IC ₆ H ₁₃ -O --OCO-CFMe-C ₅ H ₁₁ Cr 87.0 A 110.0 IC ₅ H ₁₁ -CFMe-COO- -OC ₆ H ₁₃ Cr --- S 80.0 A 110.0 IC ₅ H ₁₁ -CFMe-COO- -OC ₁₀ H ₂₁ Cr 81.6 C * 85.4 A 96.3 IC ₈ H ₁₇ --OC ₁₂ H ₂₅ Cr 79.0 B 100.0 A 121.0 IC ₁₀ H ₂₁ --OC ₅ H ₁₀ -CHMe-C ₂ H ₅ Cr 24.0 E 41.0 B 77.0 A 90.0 IC ₂ H ₅ -CHMe-C ₅ H ₁₀ -O- -C ₁₀ H ₂₁ Cr 56.0 X 83.0 C 103.0 A 111.0 I

【００２１】液晶性電荷輸送性物質層はセル厚として
０．０１〜１００μｍであり、好ましくは０．５〜２０
μｍとするとよく、このような膜厚とすることによって
良好な感度と応答速度が得られる。The liquid crystal charge transporting material layer has a cell thickness of 0.01 to 100 μm, preferably 0.5 to 20 μm.
μm, and good sensitivity and response speed can be obtained with such a film thickness.

【００２２】電荷発生性物質を用いる場合、無機系電荷
発生性物質としては、Ｓｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、ＺｎＯ、Ｔｉ
Ｏ₂、Ｓｉ、ａ−Ｓｉ：Ｈ、ＣｄＳ等が挙げられ、蒸
着、スパッタリング、ＣＶＤ等により電極上に、単独ま
たは混合して使用することが可能である。また、有機系
電荷発生性物質としては、例えばピリリウム系染料、チ
アピリリウム系染料、アズレニウム系染料、シアニン系
染料等のカチオン系染料スクアリリウム塩系染料、フタ
ロシアニン系顔料、ぺリレン系顔料、ペリレンテトラカ
ルボン酸誘導体系顔料、ナフタレンテトラカルボン酸誘
導体系顔料、ピラントロン系顔料等の多環キノン系顔
料、インジゴ系顔料、キナクリドン系顔料、ピロール系
顔料、ピロロピロール系顔料、アゾ系顔料等の顔料が挙
げられ、さらにフラーレン等も挙げられ、単独もしくは
複数のものを組み合わせて使用することができる。理由
は定かではないが、なかでも、ｎ型の電荷発生性物質が
好ましく、例えばペリレン系顔料、ペリレンテトラカル
ボン酸誘導体系顔料等を用いることで良好な光応答性が
得られる。When a charge generating substance is used, examples of the inorganic charge generating substance include Se, Se—Te, ZnO, and Ti.
O ₂ , Si, a-Si: H, CdS and the like can be mentioned, and these can be used alone or in combination on an electrode by vapor deposition, sputtering, CVD or the like. Examples of the organic charge-generating substance include cationic dyes such as pyrylium dyes, thiapyrylium dyes, azurenium dyes, cyanine dyes, and the like, squarylium salt dyes, phthalocyanine pigments, perylene pigments, and perylene tetracarboxylic acid. Derivative pigments, naphthalenetetracarboxylic acid derivative pigments, polycyclic quinone pigments such as pyranthrone pigments, indigo pigments, quinacridone pigments, pyrrole pigments, pyrrolopyrrole pigments, pigments such as azo pigments, and the like. Further, fullerenes and the like can be mentioned, and they can be used alone or in combination. The reason is not clear, but among them, n-type charge generating substances are preferable. For example, good photoresponsiveness can be obtained by using a perylene pigment, a perylenetetracarboxylic acid derivative pigment, or the like.

【００２３】電荷発生性物質のうち、電荷発生性物質を
電荷輸送性物質中に溶解または分散して使用する場合、
電荷輸送性物質１重量部に対して電荷発生性物質０．０
００１〜１重量部、好ましくは０．００１〜０．０５重
量部の割合で使用することが望ましい。このような混合
比率とすることで良好な感度と応答速度が得られる。電
荷発生性物質のうち、蒸着法によって成膜可能なものは
樹脂を用いずに単独で成膜可能である。蒸着膜の膜厚は
０．０１〜２μｍ、好ましくは０．０５〜０．５μｍが
よい。When the charge generating substance is used by dissolving or dispersing it in the charge transporting substance,
0.0 parts of the charge-generating substance per 1 part by weight of the charge-transporting substance
It is desirable to use 001 to 1 part by weight, preferably 0.001 to 0.05 part by weight. With such a mixing ratio, good sensitivity and response speed can be obtained. Among the charge generating substances, those which can be formed into a film by a vapor deposition method can be formed alone without using a resin. The thickness of the deposited film is 0.01 to 2 μm, preferably 0.05 to 0.5 μm.

【００２４】塗布によって電荷発生層４を形成する場
合、電荷発生層は電荷発生性物質と樹脂から構成され
る。樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、ボリカーボ
ネート樹脂、ビニルホルマール樹脂、ビニルアセタール
樹脂、ビニルブチラール樹脂、スチレン樹脂、スチレン
−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹
脂、飽和または不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体樹脂等が挙げられ、それぞれ樹脂を単
独または複数のものを組み合わせて使用することができ
る。When the charge generation layer 4 is formed by coating, the charge generation layer is composed of a charge generating substance and a resin. Examples of the resin include silicone resin, polycarbonate resin, vinyl formal resin, vinyl acetal resin, vinyl butyral resin, styrene resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, and methacrylic resin. , A vinyl chloride resin, a vinyl acetate resin, a vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, etc., and each resin can be used alone or in combination.

【００２５】これら電荷発生性物質と樹脂の混合比は、
電荷発生性物質１重量部に対して樹脂を０．１〜１０重
量部、好ましくは０．２〜１重量部の割合で使用するこ
とが望ましい。電荷発生層がある場合、電荷発生層の膜
厚は蒸着膜厚または塗膜の乾燥膜厚として０．０１〜２
μｍであり、好ましくは０．０５〜０．５μｍとすると
良く、このような膜厚とすることによって良好な感度と
応答速度が得られる。The mixing ratio between the charge generating substance and the resin is as follows:
It is desirable to use the resin in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.2 to 1 part by weight, based on 1 part by weight of the charge generating substance. When there is a charge generation layer, the thickness of the charge generation layer is 0.01 to 2 as a deposited film thickness or a dry film thickness of a coating film.
μm, and preferably 0.05 to 0.5 μm. With such a film thickness, good sensitivity and response speed can be obtained.

【００２６】電極３、３ａは、光の利用態様に応じて透
明性、あるいは不透明性の材料を使用することができ、
１０⁶Ω・cｍ 以下の比抵抗を安定して与える材料、例
えば金、白金、亜鉛、チタン、銅、鉄、錫、アルミニウ
ム等の金属薄膜導電膜、酸化錫、酸化インジウム、酸化
亜鉛、酸化チタン、酸化タングステン、酸化バナジウム
等の金属酸化物導電膜、四級アンモニウム塩含有物質等
の有機導電膜等を単独あるいは２種以上の複合材料とし
て使用することができる。なかでも、酸化物導電体が好
ましく、特に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が好ましい。
電極は蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、塗布、めっき、
浸漬、電解重合、ゾル−ゲル法等の方法により形成さ
れ、必要に応じて任意のパターンに合わせて形成され
る。また、２種類以上の材料を積層して使用することも
できる。For the electrodes 3 and 3a, a transparent or opaque material can be used depending on the use mode of light.
A material that stably gives a specific resistance of 10 ⁶ Ω · cm or less, for example, a metal thin film conductive film of gold, platinum, zinc, titanium, copper, iron, tin, aluminum, etc., tin oxide, indium oxide, zinc oxide, titanium oxide , A metal oxide conductive film such as tungsten oxide and vanadium oxide, an organic conductive film such as a quaternary ammonium salt-containing substance, and the like can be used alone or as a composite material of two or more kinds. Of these, oxide conductors are preferred, and indium tin oxide (ITO) is particularly preferred.
Electrodes are evaporation, sputtering, CVD, coating, plating,
It is formed by a method such as immersion, electrolytic polymerization, or a sol-gel method, and is formed according to an arbitrary pattern as necessary. Further, two or more kinds of materials can be laminated and used.

【００２７】基材２、２ａも電極と同様に光の利用態様
によって透明性、不透明性を有する材料を使い分ければ
よく、カード、フィルム、テープ、ディスク、チップ等
の形状を有し、光センサーを強度的に支持するものであ
る。光センサー自体が支持性を有する場合には設ける必
要がないが、光センサーを支持することができるある程
度の強度を有していれば、その材質、厚みに特に制限が
ない。例えば可撓性のあるプラスチックフィルム、ある
いはガラス、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリ
メチルアクリレート、ポリエステル、ポリカーボネート
等のプラスチックシート、カード等が使用される。The substrates 2 and 2a may be made of a material having transparency or opacity depending on the use of light in the same manner as the electrodes, and may have a shape such as a card, a film, a tape, a disk, or a chip. Is strongly supported. If the optical sensor itself has a supporting property, it is not necessary to provide it. However, the material and thickness are not particularly limited as long as the optical sensor has a certain strength capable of supporting the optical sensor. For example, a flexible plastic film, or a plastic sheet or card of glass, polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, polyester, polycarbonate or the like is used.

【００２８】電荷注入制御層６は電極からの注入電荷を
制御するための層であり、電荷注入制御層６は図５ない
し図８において、電極に隣接して形成してもよい。１０
Ｖ／μｍの電圧印加条件において、およそ１×１０^-8Ａ
／ｃｍ² 以下の暗電流を示す場合にはブロッキング層、
およそ１×１０^-6Ａ／ｃｍ² 以上の暗電流を示す場合に
は光誘起電流増幅層として作用する。例えば絶縁性無機
物、絶縁性樹脂等を用いると、ブロッキング層として作
用し、暗電流を抑えることができ、光電流のＳ／Ｎ比を
大きくとることが必要であったり、暗電流によるノイ
ズ、かぶり等を低減する必要がある用途、情報露光のＯ
Ｎ／ＯＦＦに対する高速応答が必要な用途等に使用でき
る。また、電子受容性物質、電子供与性物質、電荷発生
性物質等を用いると、光誘起電流増幅層としての機能を
示し、光電流の注入増幅を示し、情報露光中は光電流が
増加し続け、露光終了後も電圧印加し続けることで光電
流が持続し、量子収率が１を越える増幅型光センサーと
しての使用が可能となる。また、上記の絶縁性無機物、
絶縁性樹脂、電子受容性物質、電子供与性物質、電荷発
生性物質等を単独、あるいは組み合わせて使用し、暗電
流を１×１０^-8Ａ／ｃｍ²〜１×１０^-6Ａ／ｃｍ²に調整
すると、例えば電界による液晶の配向により、情報記録
を行なう方法において、液晶の配向のしきい値に適した
暗電流に調整することができる。The charge injection control layer 6 is a layer for controlling the charge injected from the electrode. The charge injection control layer 6 may be formed adjacent to the electrode in FIGS. 10
Approximately 1 × 10 ⁻⁸ A under a voltage application condition of V / μm
/ Cm ² or less when showing a dark current,
When a dark current of about 1 × 10 ⁻⁶ A / cm ² or more is exhibited, the layer functions as a photo-induced current amplification layer. For example, when an insulating inorganic substance, an insulating resin, or the like is used, it acts as a blocking layer, can suppress dark current, needs to increase the S / N ratio of a photocurrent, and generates noise or fog due to dark current. Applications that need to reduce
It can be used for applications that require a high-speed response to N / OFF. In addition, when an electron-accepting substance, an electron-donating substance, a charge-generating substance, or the like is used, it functions as a photo-induced current amplifying layer, and shows injection and amplification of a photocurrent. By continuing to apply a voltage after the end of the exposure, the photocurrent is maintained, and the quantum sensor can be used as an amplification type optical sensor having a quantum yield exceeding 1. Also, the above-mentioned insulating inorganic substance,
An insulating resin, an electron-accepting substance, an electron-donating substance, a charge-generating substance, or the like is used alone or in combination, and the dark current is reduced from 1 × 10 ⁻⁸ A / cm ² to 1 × 10 ⁻⁶ A / cm ^2. When the information is recorded by, for example, the orientation of the liquid crystal by the electric field, the dark current can be adjusted to a threshold value suitable for the threshold value of the orientation of the liquid crystal.

【００２９】絶縁性無機物としては、例えば二酸化ケイ
素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等、また、Ａ
ｓ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、ＣｄＳ、ＣａＯ、Ｃｅ
Ｏ₂、Ｃｒ₂Ｏ₃、ＣｏＯ、ＧｅＯ₂、ＨｆＯ₂、Ｆｅ
₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃ 、ＭｇＯ、ＭｎＯ₂、Ｎｄ₂Ｏ₃ 、Ｎｂ₂
Ｏ₅、ＰｂＯ、Ｓｂ₂Ｏ₃、ＳｅＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＷＯ₃、
Ｖ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₅、Ｙ₂Ｏ₃、ＢａＴｉＯ₃、Ｂｉ₂Ｔｉ
Ｏ₅、ＣａＯ−ＳｒＯ、ＣａＯ−Ｙ₂Ｏ₃、Ｃｒ−Ｓｉ
Ｏ₂、ＬｉＴａＯ₃、ＰｂＴｉＯ₃、ＰｂＺｒＯ₃、ＺｒＯ
₂−Ｃｏ、ＺｒＯ₂−ＳｉＯ₂等の無機酸化物、また、Ａ
ｌＮ、ＢＮ、ＮｂＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＴａＮ、ＴｉＮ、Ｖ
Ｎ、ＺｒＮ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＷＣ、Ａｌ₄Ｃ₃等の無機
化合物も使用し得るものである。これら無機酸化物層
は、グロー放電、蒸着、スパッタリング等により電極面
に積層されて形成される。Examples of the insulating inorganic substance include silicon dioxide, aluminum oxide, zirconium oxide and the like.
s ₂ O ₃ , B ₂ O ₃ , Bi ₂ O ₃ , CdS, CaO, Ce
O ₂ , Cr ₂ O ₃ , CoO, GeO ₂ , HfO ₂ , Fe
₂ O ₃ , La ₂ O ₃ , MgO, MnO ₂ , Nd ₂ O ₃ , Nb ₂
O ₅ , PbO, Sb ₂ O ₃ , SeO ₂ , Ta ₂ O ₅ , WO ₃ ,
V ₂ O ₅ , Y ₂ O ₅ , Y ₂ O ₃ , BaTiO ₃ , Bi ₂ Ti
_{O 5, CaO-SrO, CaO} -Y 2 O 3, Cr-Si
O ₂ , LiTaO ₃ , PbTiO ₃ , PbZrO ₃ , ZrO
₂ -Co, inorganic oxides such as ZrO ₂ -SiO _2, also, A
_{lN, BN, NbN, Si 3} N 4, TaN, TiN, V
Inorganic compounds such as N, ZrN, SiC, TiC, WC, and Al ₄ C ₃ can also be used. These inorganic oxide layers are formed on the electrode surface by glow discharge, vapor deposition, sputtering, or the like.

【００３０】絶縁性樹脂としては、例えばセルロースア
セテート系樹脂、ニトロセルロース系樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルア
セタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、スチレン樹
脂、スチレンーブタジエン共重合体樹脂、アミノアルキ
ッド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和または不
飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド
樹脂、可溶性ポリイミド樹脂、可溶性ポリアミドイミド
樹脂、可溶性ポリエステルイミド樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、カゼイン、ヒドロキシエチルセルロース、
スチレンマレイン酸エステル系共重合体、メタクリル樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニルー酢
酸ビニル共重合体樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキ
シ樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられ、それぞれ樹脂を単
独または複数のものを組み合わせて使用することができ
る。Examples of the insulating resin include cellulose acetate resin, nitrocellulose resin, polycarbonate resin, polyvinyl formal resin, polyvinyl acetal resin, polyvinyl butyral resin, styrene resin, styrene butadiene copolymer resin, amino alkyd resin, and the like. Epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, polyurethane resin, polyamide resin, soluble polyimide resin, soluble polyamideimide resin, soluble polyesterimide resin, polyvinyl alcohol resin, casein, hydroxyethylcellulose,
Styrene maleate copolymers, methacrylic resins, vinyl chloride resins, vinyl acetate resins, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resins, polyarylate resins, phenoxy resins, fluororesins, etc. Can be used in combination.

【００３１】電子受容性物質としては、例えばニトロ置
換ベンゼン類、アミノ置換ベンゼン類、ハロゲン置換ベ
ンゼン類、シアノ置換ベンゼン類、置換ナフタレン類、
置換および無置換べンゾキノン類、置換および無置換ナ
フトキノン類、置換および無置換アントラキノン類、ジ
フェノキノン類、ニトロ置換フルオレノン類、クロラニ
ル類、ブロマニル類、置換キノジメタン類、テトラシア
ノエチレン、無水力ルボン酸類、ニトロ置換無水力ルボ
ン酸類、２級あるいは３級アミノ化合物等があげられ、
電子供与性物質としては、例えばヒドラゾン系、トリフ
ェニルアミン系、オキサジアゾール系、オキサゾール
系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニルメタ
ン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、芳香
族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾール
系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、トリフェニ
ルアミン系、ブタジエン系、多環芳香族化合物系、スチ
ルベン二重体、ビフェニル系等が挙げられる。Examples of the electron accepting substance include nitro-substituted benzenes, amino-substituted benzenes, halogen-substituted benzenes, cyano-substituted benzenes, substituted naphthalenes,
Substituted and unsubstituted benzoquinones, substituted and unsubstituted naphthoquinones, substituted and unsubstituted anthraquinones, diphenoquinones, nitro-substituted fluorenones, chloranyls, bromanyls, substituted quinodimethanes, tetracyanoethylene, anhydrous sulfonic acids, nitro Substituted anhydrous rubonic acids, secondary and tertiary amino compounds, and the like,
Examples of the electron donating substance include hydrazone, triphenylamine, oxadiazole, oxazole, triazole, thiazole, triphenylmethane, styryl, pyrazoline, hydrazone, aromatic amine, and carbazole. System, polyvinyl carbazole system, stilbene system, enamine system, azine system, triphenylamine system, butadiene system, polycyclic aromatic compound system, stilbene duplex, biphenyl system and the like.

【００３２】電荷発生性物質には電荷発生性物質として
挙げたものが使用できる。電荷発生層４、液晶性電荷輸
送層５には、電子受容性物質、電子供与性物質、増感色
素、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定化剤等を添加し
てもよい。電子受容性物質、電子供与性物質、および増
感色素には暗電流の調整、暗電流の安定化、増感等の作
用がある。As the charge generating substance, those mentioned as the charge generating substance can be used. An electron accepting substance, an electron donating substance, a sensitizing dye, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a light stabilizer and the like may be added to the charge generation layer 4 and the liquid crystal charge transport layer 5. The electron-accepting substance, the electron-donating substance, and the sensitizing dye have effects such as adjustment of dark current, stabilization of dark current, and sensitization.

【００３３】電子受容性物質、電子供与性物質として
は、電荷注入制御層に使用可能な電子受容性物質、電子
供与性物質として挙げたものが使用できる。増感色素と
してはトリフェニルメタン色素、ピリリウム塩色素、キ
サンテン色素、ロイコ色素等が挙げられる。酸化防止剤
としてはフェノール系酸化防止剤、、硫黄系酸化防止
剤、リン系酸化防止剤を、紫外線吸収剤としては、サリ
チル酸系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸
収剤を、光安定化剤としては紫外線吸収剤、ヒンダート
アミン系光安定化剤等を挙げることができる。As the electron accepting substance and the electron donating substance, those mentioned as the electron accepting substance and the electron donating substance usable for the charge injection control layer can be used. Examples of the sensitizing dye include a triphenylmethane dye, a pyrylium salt dye, a xanthene dye, and a leuco dye. As an antioxidant, a phenolic antioxidant, a sulfur antioxidant, a phosphorus antioxidant, as an ultraviolet absorber, a salicylic acid ultraviolet absorber, a cyanoacrylate ultraviolet absorber, as a light stabilizer May include an ultraviolet absorber, a hindered amine light stabilizer and the like.

【００３４】電子受容性物質、電子供与性物質、増感色
素は、電荷発生性物質または液晶性電荷輸送性物質１重
量部に対して０．００１〜１０重量部、好ましくは０．
０１〜１重量部の割合で添加される。０．００１重量部
よりも少ないと作用を示さず、１０重量部よりも多い場
合には感度、応答に悪影響を与える。酸化防止剤、紫外
線吸収剤、光安定化剤等については単独あるいは複数を
組み合わせて、電荷発生性物質または液晶性電荷輸送性
物質１重量部に対して０．００１〜１０重量部、好まし
くは０．０１〜１重量部の割合で添加される。０．００
１重量部よりも少ないと作用を示さず、１０重量部より
も多い場合には感度、応答に悪影響を与える。The electron-accepting substance, the electron-donating substance, and the sensitizing dye are used in an amount of 0.001 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 10 parts by weight, per part by weight of the charge-generating substance or the liquid-crystalline charge-transporting substance.
It is added in a proportion of from 01 to 1 part by weight. If the amount is less than 0.001 part by weight, no action is exhibited. If the amount is more than 10 parts by weight, sensitivity and response are adversely affected. The antioxidant, the ultraviolet absorber, the light stabilizer and the like are used alone or in combination of two or more, and 0.001 to 10 parts by weight, preferably 0 to 10 parts by weight, per 1 part by weight of the charge generating substance or the liquid crystal charge transporting substance. 0.01 to 1 part by weight. 0.00
If the amount is less than 1 part by weight, no action is exhibited. If the amount is more than 10 parts by weight, sensitivity and response are adversely affected.

【００３５】液晶性電荷輸送性物質を樹脂分散膜で使用
する場合には、樹脂としては、例えばセルロースアセテ
ート系樹脂、ニトロセルロース系樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルアセタ
ール樹脂、ボリビニルブチラール樹脂、スチレン樹脂、
スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、アミノアルキッド
樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、飽和または不飽和
ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアミド樹
脂、可溶性ポリイミド樹脂、可溶性ポリアミドイミド樹
脂、可溶性ポリエステルイミド樹脂、ポリビニルアルコ
ール樹脂、カゼイン、ヒドロキシエチルセルロース、ス
チレン−マレイン酸エステル系共重合体、メタクリル樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体樹脂、ポリアリレート樹脂、フェノキ
シ樹脂、フッ素系樹脂、ポリシラン系樹脂等が挙げら
れ、それぞれ樹脂を単独または複数のものを組み合わせ
て使用することができる。When the liquid crystal charge transporting substance is used in a resin dispersion film, the resin may be, for example, a cellulose acetate resin, a nitrocellulose resin, a polycarbonate resin, a polyvinyl formal resin, a polyvinyl acetal resin, or a polyvinyl butyral resin. , Styrene resin,
Styrene-butadiene copolymer resin, amino alkyd resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, polyurethane resin, polyamide resin, soluble polyimide resin, soluble polyamideimide resin, soluble polyesterimide resin, polyvinyl alcohol resin, casein , Hydroxyethyl cellulose, styrene-maleic acid ester copolymer, methacrylic resin, vinyl chloride resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin, polyarylate resin, phenoxy resin, fluorine resin, polysilane resin, etc. And a resin can be used alone or in combination of a plurality of resins.

【００３６】高分子マトリックス中に液晶性電荷輸送性
物質を包含させる方法としては、多孔質高分子膜中に中
に液晶性電荷輸送性物質を含浸させ、膜の両面を封止す
る方法、高分子マトリックスと液晶性電荷輸送性物質と
を共通溶剤中に溶解し、得られた溶液を基材上に塗布
し、脱溶剤して膜形成する方法、高分子マトリックスの
溶液中に液晶性電荷輸送性物質を乳化分散させた分散液
を基材上に塗布して成膜する方法、高分子を形成するモ
ノマーあるいはプレボリマー等のポリマ−プレカーサー
中に液晶性電荷輸送性物質を相溶させ、上記プレカーサ
ーを重合させるともに、液晶性電荷輸送性物質を相分離
させる方法等が挙げられる。As a method of including a liquid crystalline charge transporting substance in a polymer matrix, a method of impregnating a liquid crystalline charge transporting substance in a porous polymer film and sealing both surfaces of the film can be used. A method in which a molecular matrix and a liquid crystalline charge transporting substance are dissolved in a common solvent, the resulting solution is applied to a substrate, and the solvent is removed to form a film. A method in which a dispersion liquid obtained by emulsifying and dispersing a hydrophilic substance is applied to a substrate to form a film, a liquid crystal charge transporting substance is dissolved in a polymer precursor such as a monomer forming a polymer or a prepolymer, and the precursor And a method of phase-separating the liquid crystalline charge transporting substance.

【００３７】上記方法において使用する液晶性電荷輸送
性物質は高分子マトリックス１００重量部に対して１０
〜１００重量部、好ましくは５０〜８０重量部であり、
液晶性電荷輸送性物質が少なすぎると、電荷輸送性を示
さず、一方、液晶性電荷輸送性物質が多すぎると成膜性
が低下する。The liquid crystalline charge transporting substance used in the above method is 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the polymer matrix.
-100 parts by weight, preferably 50-80 parts by weight,
When the amount of the liquid crystalline charge transporting substance is too small, no charge transporting property is exhibited. On the other hand, when the amount of the liquid crystalline charge transporting substance is too large, the film forming property is reduced.

【００３８】本発明においては、得られた膜中において
液晶性電荷輸送性物質が膜の厚さ方向、平面方向ともに
連続していることが好ましい。このような液晶性電荷輸
送性物質の連続存在性は、液晶性電荷輸送性物質と高分
子マトリックスとから膜を形成する際に、高分子マトリ
ックスが微細運通多孔性になる方法を採用することで達
成される。In the present invention, it is preferable that the liquid crystalline charge transporting substance is continuous in both the thickness direction and the plane direction of the obtained film. The continuous existence of such a liquid crystalline charge transporting substance is achieved by adopting a method in which the polymer matrix becomes finely porous when forming a film from the liquid crystalline charge transporting substance and the polymer matrix. Achieved.

【００３９】また、図９は、本発明の光センサーを用い
た空間光変調素子を説明する図である。ガラス等の基材
２上にＩＴＯ等の透明電極膜等からなる電極３を形成
し、電荷輸送性物質を蒸着、あるいは塗布等により成膜
し電荷発生層４とし、この電荷発生層４と、誘電体ミラ
ー層１３を形成した基材２ｂの誘電体ミラー層１３とを
対向させてスペーサー１０を介して貼り合わせ、セル化
した後、液晶性電荷輸送性物質を注入して液晶性電荷輸
送層５を形成したものである。さらに、透明電極３ａを
形成した基材２ａと２ｂの間にネマチック液晶層１２を
形成して、空間光変調素子を構成したものである。FIG. 9 is a view for explaining a spatial light modulator using the optical sensor of the present invention. An electrode 3 made of a transparent electrode film such as ITO is formed on a base material 2 such as glass, and a charge transporting substance is formed by vapor deposition or coating to form a charge generation layer 4. The dielectric mirror layer 13 of the base material 2b on which the dielectric mirror layer 13 is formed is bonded to the dielectric mirror layer 13 via the spacer 10 so as to be opposed to each other, and is formed into a cell. 5 is formed. Further, a nematic liquid crystal layer 12 is formed between the bases 2a and 2b on which the transparent electrodes 3a are formed, to constitute a spatial light modulator.

【００４０】電源１４から電極２ａおよび電極３ａに電
圧を印加した状態で、光が照射されていない場合には、
電荷発生層４および液晶性電荷輸送層５からなる光導電
層のインピーダンスがネマチック液晶相１２に比べて大
きいので、ネマチック液晶相１２には電圧が印加されな
いが、書き込み光１５によって光情報の記録を行うと、
光導電層の導電率が大きくなり、液晶相には光情報に応
じた電圧が印加されてネマチック液晶相１２が印加され
た電圧に応じて配向する。次いで、読み出し光１６を照
射すると、誘電体ミラー層１３によって反射して、ネマ
チック液晶相１２に記録された情報を読み出すことがで
きる。When no light is irradiated while voltage is applied to the electrodes 2a and 3a from the power supply 14,
Since the impedance of the photoconductive layer composed of the charge generation layer 4 and the liquid crystal charge transport layer 5 is higher than that of the nematic liquid crystal phase 12, no voltage is applied to the nematic liquid crystal phase 12, but recording of optical information is performed by the writing light 15. When you do
The conductivity of the photoconductive layer increases, and a voltage corresponding to the optical information is applied to the liquid crystal phase, and the nematic liquid crystal phase 12 is oriented according to the applied voltage. Next, when the reading light 16 is irradiated, the information recorded on the nematic liquid crystal phase 12 can be read by being reflected by the dielectric mirror layer 13.

【００４１】[0041]

【実施例】以下に実施例を示し、本発明を説明する。 実施例１ スパッタリング法により、４ｍｍ□の測定用部分と接点
用部分をパターニングした表面抵抗が１００Ω／□のＩ
ＴＯ電極を設けた厚さ１ｍｍのガラス基板の電極上に、
下記構造のペリレン系顔料１（チバ・スペシャルティー
ケミカルズ製）をタングステンボートに入れ、真空度１
×１０^-5Ｔｏｒｒ以下の状態で４５Ｖの直流電圧を印加
して真空蒸着を行ない、０．４μｍの電荷発生層の蒸着
膜を得た。もう一方のガラスのＩＴＯ表面をラビング処
理し、蒸着膜とＩＴＯを対向させ、スペーサーを介して
貼り合わせ機（ＥＨＣ製、ＳＡＡ−３０）を用いて貼り
合わせ、ギャップ９μｍのセルを得た。下記構造のナフ
タレン系液晶 ２−４’−ｏｃｔｙｌｐｈｅｎｙｌ−６
−ｄｏｄｅｃｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ（相転
移温度 Ｃｒｙｓｔａｌ：７９．３℃、ＳｍＸ１：１０
０．４℃、ＳｍＸ２：１２１．３℃ Ｉｓｏ）（三協化
学製）を１２５℃の条件下で上記セルに封入し、本発明
における光センサーを作製した。The present invention will be described below with reference to examples. Example 1 A 4 mm square measurement part and a contact part were patterned by a sputtering method and had a surface resistance of 100 Ω / □.
On a 1 mm thick glass substrate electrode provided with a TO electrode,
A perylene pigment 1 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) having the following structure was put in a tungsten boat, and the degree of vacuum was 1
Vacuum deposition was performed by applying a DC voltage of 45 V under a condition of × 10 ⁻⁵ Torr or less to obtain a 0.4 μm charge-generating layer deposited film. The ITO surface of the other glass was subjected to a rubbing treatment, the deposited film and the ITO were opposed to each other, and bonded using a bonding machine (manufactured by EHC, SAA-30) via a spacer to obtain a cell having a gap of 9 μm. Naphthalene liquid crystal having the following structure: 2-4'-octylphenyl-6
-Dodecyloxynaphthalene (phase transition temperature Crystal: 79.3 ° C, SmX 1:10
0.4 ° C., SmX2: 121.3 ° C. Iso) (manufactured by Sankyo Chemical Co., Ltd.) was sealed in the above-mentioned cell under the condition of 125 ° C. to prepare an optical sensor of the present invention.

【００４２】[0042]

【化２】 Embedded image

【００４３】（光センサーの電気特性）得られた光セン
サーの電気特性を図１０に示す電流測定装置によって測
定した。図において、２，２ａは光センサーの基板、
３，３ａは光センサーの電極、４は電荷発生層、５は液
晶性電荷輸送性物質、３１は光源、３２はシャッター
（コパル製 Ｎｏ．０電磁シャッター）、３３はシャッ
ター駆動機構、３４は電源（パルスジェネレーター）、
３５はオシロスコープである。この電流測定装置におい
て、光センサーの電極３の電荷発生層側を正、電荷発生
層がない側を負として両電極間に１００Ｖの直流電圧を
印加するとともに、電圧印加開始後０．５秒後に１／３
０秒間光照射し、光照射開始時間をｔ＝０として、光セ
ンサーに流れる電流を測定した。照射光は、キセノンラ
ンプ（浜松ホトニクス製Ｌ２２７４）を光源にして、モ
ノクロメーター（ＪＯＶＩＮＹＶＯＮ製Ｈ−２０ＶＩ
Ｓ）により単色光にした。照射光強度をオプティカルパ
ワーメーター（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製 ＴＱ８２１０）
で測定した。また露光しないで電圧印加のみを行い、同
様にして電流測定した結果を同時に示す。なお、測定中
のセルの温度はホットプレートで温度調整した。(Electrical Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of the obtained optical sensor were measured by a current measuring device shown in FIG. In the figure, 2, 2a is a substrate of an optical sensor,
Reference numerals 3, 3a denote electrodes of an optical sensor, 4 denotes a charge generation layer, 5 denotes a liquid crystal charge transporting substance, 31 denotes a light source, 32 denotes a shutter (No. 0 electromagnetic shutter made by Copal), 33 denotes a shutter drive mechanism, and 34 denotes a power supply. (Pulse generator),
35 is an oscilloscope. In this current measuring device, a DC voltage of 100 V is applied between the electrodes 3 with the charge generation layer side of the electrode 3 of the optical sensor being positive and the side without the charge generation layer being negative, and 0.5 second after the start of voltage application. 1/3
Light irradiation was performed for 0 seconds, and the light irradiation start time was set to t = 0, and the current flowing through the optical sensor was measured. The irradiation light was a monochromator (H-20VI manufactured by JOVINYVON) using a xenon lamp (L2274 manufactured by Hamamatsu Photonics) as a light source.
The light was converted to monochromatic light by S). Optical power meter (ADVANTEST TQ8210)
Was measured. In addition, the result of current measurement in the same manner as described above is also shown, in which only voltage application is performed without exposure. The temperature of the cell during the measurement was adjusted with a hot plate.

【００４４】５６０ｎｍ、２０μＷ／ｃｍ² の単色光を
照射した場合の結果を図１１に示す。横軸は電圧印加時
間（秒）、縦軸は電流密度（Ａ／ ｃｍ² ）である。図
において、（Ａ）線は露光した場合の電流測定値であ
り、１／３０秒後の電流値を明電流とすると、明電流値
は１．４×１０^-7Ａ／ｃｍ² であった。（Ｂ）線は露光
しないで電圧印加のみを行なった場合の電流測定値であ
り、暗電流とすると暗電流値は３．０×１０^-8Ａ／ｃｍ
²であった。光電流の最大値の１０％から９０％まで上
昇するのにかかる時間を応答時間とすると応答時間は
４．５ｍ秒であり、下降するのに要する時間を緩和時間
とすると、緩和時間は３．６ｍ秒であった。なお、測定
は９５℃で行なった。FIG. 11 shows the result of irradiation with monochromatic light of 560 nm and 20 μW / cm ² . The horizontal axis represents the voltage application time (second), and the vertical axis represents the current density (A / cm ² ). In the figure, the line (A) is a measured current value in the case of exposure. If the current value after 1/30 seconds is defined as a bright current, the bright current value was 1.4 × 10 ⁻⁷ A / cm ² . . (B) Line is a current measurement value when only voltage application is performed without exposure, and assuming dark current, the dark current value is 3.0 × 10 ⁻⁸ A / cm.
^{Was 2} . If the time required for the photocurrent to rise from 10% to 90% of the maximum value is the response time, the response time is 4.5 ms, and if the time required for the photocurrent to fall is the relaxation time, the relaxation time is 3. 6 ms. The measurement was performed at 95 ° C.

【００４５】実施例２ 電荷発生層に下記構造のペリレン系顔料２（チバ・スペ
シャルティーケミカルズ製）を用いたことを除き、実施
例１と同様に光センサーを作製した。Example 2 An optical sensor was produced in the same manner as in Example 1 except that a perylene pigment 2 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) having the following structure was used for the charge generation layer.

【００４６】[0046]

【化３】 Embedded image

【００４７】（光センサーの電気特性）実施例１と同様
にして光センサーの電気特性を測定し、その測定結果を
図１２に示す。暗電流値は２．０×１０^-7Ａ／ｃｍ²、
明電流値は６．６７×１０^-6Ａ／ｃｍ²であり、応答時
間は２８ｍ秒、緩和時間は６０ｍ秒であった。(Electrical Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of the optical sensor were measured in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in FIG. The dark current value is 2.0 × 10 ⁻⁷ A / cm ² ,
The bright current value was 6.67 × 10 ⁻⁶ A / cm ² , the response time was 28 ms, and the relaxation time was 60 ms.

【００４８】実施例３ スパッタリング法により、４ｍｍ□の測定用部分と接点
用部分をパターニングしたＩＴＯ電極（表面抵抗:１０
０〜２００Ω／□）を設けた、厚さ１ｍｍのガラス基板
を２枚作製し、一方のガラスのＩＴＯ表面をラビング処
理し、蒸着膜とＩＴＯを対向させ、スペーサーによって
ギャップを設け、セル厚９μｍの貼り合わせたセルを作
製した。次に、実施例１と同様の液晶性電荷輸送性物質
に、電荷発生性物質としてにフラーレンＣ₇₀（ランカス
ター製）を０．７重量％溶解混合したものを、１２５℃
の条件下で上記セルに封入し、本発明における光センサ
ーを作製した。 （光センサーの電気特性）実施例１と同様にして光セン
サーの電気特性を測定し、その測定結果を図１３に示
す。暗電流値は６．５×１０^-9Ａ／ｃｍ²、明電流値は
３．５×１０^-8Ａ／ｃｍ²であり、応答時間は６．２ｍ
秒、緩和時間は８．６ｍ秒であった。Example 3 An ITO electrode (surface resistance: 10 mm) in which a measurement portion and a contact portion of 4 mm square were patterned by sputtering.
(0 to 200Ω / □), two glass substrates each having a thickness of 1 mm were prepared, the rubbing treatment was performed on the ITO surface of one of the glasses, the deposited film was opposed to the ITO, a gap was provided by a spacer, and the cell thickness was 9 μm. Was produced. Next, a mixture of 0.7% by weight of fullerene C ₇₀ (manufactured by Lancaster) as a charge-generating substance in a liquid crystalline charge-transporting substance similar to that in Example 1 was mixed at 125 ° C.
Was sealed in the above-mentioned cell under the conditions described in (1) to prepare an optical sensor according to the present invention. (Electrical Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of the optical sensor were measured in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in FIG. The dark current value is 6.5 × 10 ⁻⁹ A / cm ² , the light current value is 3.5 × 10 ⁻⁸ A / cm ² , and the response time is 6.2 m.
Seconds and relaxation time was 8.6 ms.

【００４９】実施例４ 電荷発生層にフラーレンＣ₇₀（ランカスター製）を用い
たことを除き、実施例１と同様に光センサーを作製し
た。 （光センサーの電気特性）フラーレンＣ₇₀がｐ型電荷発
生材料であり、ペリレン系顔料がｎ型電荷発生材料であ
るので電圧印加の向きを逆転したほかは実施例１と同様
にして光センサーの電気特性を測定したところ、光電流
が観測されなかったため、光強度を２５０μＷ／ｃｍ²
として測定を行なった結果を図１４に示す。暗電流値は
暗電流値は４．０×１０^-8Ａ／ｃｍ²、明電流値は２．
４３×１０^-7Ａ／ｃｍ²であり、応答時間は８．５ｍ
秒、緩和時間は５．５ｍ秒であった。Example 4 An optical sensor was produced in the same manner as in Example 1 except that fullerene C ₇₀ (manufactured by Lancaster) was used for the charge generation layer. (Electrical Characteristics of Optical Sensor) Since fullerene C ₇₀ is a p-type charge generating material and a perylene pigment is an n-type charge generating material, the direction of voltage application is reversed except that the direction of voltage application is reversed. When the electrical characteristics were measured, no photocurrent was observed, and the light intensity was increased to 250 μW / cm ^2.
FIG. 14 shows the results of measurement. The dark current value was 4.0 × 10 ⁻⁸ A / cm ² , and the bright current value was 2.
43 × 10 ⁻⁷ A / cm ² and response time 8.5 m
Seconds and the relaxation time was 5.5 ms.

【００５０】実施例５ 電荷発生層に無金属フタロシアニンＨ２Ｐｃ（東京化成
製）を用いたことを除き、実施例１と同様に光センサー
を作製した。 （光センサーの電気特性）電圧印加の向きを逆転したほ
かは実施例１と同様にして光センサーの電気特性を測定
したところ、光電流が観測されなかったため、光強度を
２５０μＷ／ｃｍ²として測定を行なった結果を図１５
に示す。暗電流値は暗電流値は４．０×１０^-8Ａ／ｃｍ
²、明電流値は１．４０×１０^-7Ａ／ｃｍ²であり、応答
時間は１７ｍ秒、緩和時間は４２ｍ秒であった。Example 5 An optical sensor was produced in the same manner as in Example 1 except that metal-free phthalocyanine H2Pc (manufactured by Tokyo Kasei) was used for the charge generation layer. (Electrical Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of the optical sensor were measured in the same manner as in Example 1 except that the direction of voltage application was reversed. Since no photocurrent was observed, the light intensity was measured at 250 μW / cm ^2. Figure 15 shows the result of
Shown in The dark current value is 4.0 × 10 ⁻⁸ A / cm.
^{2. The} bright current value was 1.40 × 10 ⁻⁷ A / cm ² , the response time was 17 ms, and the relaxation time was 42 ms.

【００５１】比較例１ 真空成膜法により表面抵抗:１００Ω／□のＩＴＯ電極
を設けた２枚のガラス基板のうち、１枚をラビング処理
し、液晶性電荷輸送性物質が配向するようにした後、Ｉ
ＴＯ電極が対向するように、スペーサーによってギャッ
プを設け、貼り合わせたセルを作製した。ナフタレン系
液晶 ２−４’−ｏｃｔｙｌｐｈｅｎｙｌ−６−ｄｏｄ
ｅｃｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ、Ｃｒｙｓｔａ
ｌ−７９．３℃−ＳｍＸ１−１００．４℃−ＳｍＸ２−
１２１．３℃−Ｉｓｏ．）を１２５℃の条件下で上記セ
ルに封入した。 （光センサーの電気特性）実施例１と同様にして光セン
サーの電気特性を測定し、その測定結果を図１６に示
す。暗電流値は４．９×１０^-8Ａ／ｃｍ²、明電流は観
測されなかった。Comparative Example 1 A rubbing treatment was performed on one of two glass substrates provided with ITO electrodes having a surface resistance of 100 Ω / □ by a vacuum film forming method so that the liquid crystal charge transporting material was oriented. Later, I
A gap was provided by a spacer so that the TO electrodes faced each other, and a bonded cell was produced. Naphthalene liquid crystal 2-4'-octylphenyl-6-dod
ecyloxynaphthalene, Crysta
1-79.3 ° C-SmX1-100.4 ° C-SmX2-
121.3 ° C-Iso. ) Was sealed in the above cell at 125 ° C. (Electrical Characteristics of Optical Sensor) The electrical characteristics of the optical sensor were measured in the same manner as in Example 1, and the measurement results are shown in FIG. The dark current value was 4.9 × 10 ⁻⁸ A / cm ² , and no bright current was observed.

【００５２】２５０ｎｍ、７０μＷ／ｃｍ²の単色光を
照射した場合の結果を図１７に示す。暗電流値は３．０
×１０^-8Ａ／ｃｍ²、明電流は１．４×１０^-7Ａ／ｃｍ²
であり、応答時間は３．９ｍ秒、緩和時間は４．２ｍ秒
であった。液晶性電荷輸送性物質は紫外域に感度を有す
るため、光導電性が観測された。FIG. 17 shows the result of irradiation with monochromatic light of 250 nm and 70 μW / cm ² . The dark current value is 3.0
× 10 ⁻⁸ A / cm ² , light current is 1.4 × 10 ⁻⁷ A / cm ²
The response time was 3.9 ms and the relaxation time was 4.2 ms. Since the liquid crystal charge transporting substance has sensitivity in the ultraviolet region, photoconductivity was observed.

【００５３】比較例２ 電極のラビング処理をしなかったことを除き、比較例１
と同様に光センサーを作製した。 （光センサーの電気特性）２５０ｎｍ、７０μＷ／ｃｍ
² の単色光を照射した場合の結果を図１８に示す。暗電
流値は２．０×１０^-8Ａ／ｃｍ² 、明電流は６．０×１
０^-8Ａ／ｃｍ² であり、応答時間は３．０ｍ秒、緩和時
間は５．３ｍ秒であった。液晶の配向がランダムになっ
ており、比較例１のように配向している液晶静電荷輸送
性物質よりも、電荷輸送能が劣ると考えられる。Comparative Example 2 Comparative Example 1 was performed except that the electrode was not rubbed.
An optical sensor was produced in the same manner as described above. (Electrical characteristics of optical sensor) 250 nm, 70 μW / cm
FIG. 18 shows the result of irradiation with ^two monochromatic lights. The dark current value is 2.0 × 10 ⁻⁸ A / cm ² , and the bright current value is 6.0 × 1
It was 0 ^-8 A / cm ² , the response time was 3.0 ms, and the relaxation time was 5.3 ms. The orientation of the liquid crystal is random, and it is considered that the charge transport ability is inferior to that of the liquid crystal electrostatic charge transporting substance oriented as in Comparative Example 1.

【００５４】[0054]

【発明の効果】本発明の光センサーは、液晶性電荷輸送
性物質を用いた光センサーにおいて、増感色素または顔
料を液晶性電荷輸送性物質と混合または積層することに
より、可視域での光電流の増大が認められた。According to the present invention, there is provided an optical sensor using a liquid crystal charge transporting substance, which comprises mixing or laminating a sensitizing dye or pigment with the liquid crystal charge transporting substance to obtain a light in the visible region. An increase in current was observed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】図１は、本発明の光センサーの一実施例を説明
する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of an optical sensor according to the present invention.

【図２】図２は、本発明の光センサーの他の実施例を説
明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図３】図３は、本発明の光センサーの他の実施例を説
明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図４】図４は、本発明の光センサーの他の実施例を説
明する図である。FIG. 4 is a diagram illustrating another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図５】図６は、本発明の光センサーの他の実施例を説
明する図である。FIG. 6 is a view for explaining another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図６】図６は、本発明の光センサーの他の実施例を説
明する図である。FIG. 6 is a diagram illustrating another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図７】図７は、本発明の光センサーの他の実施例を説
明する図である。FIG. 7 is a diagram for explaining another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図８】図８は、本発明の光センサーの他の実施例を説
明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating another embodiment of the optical sensor of the present invention.

【図９】図９は、本発明の光センサーを用いた一空間光
変調素子を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating a one-spatial light modulation element using the optical sensor of the present invention.

【図１０】図１０は、電流測定装置を説明する図であ
る。FIG. 10 is a diagram illustrating a current measuring device.

【図１１】図１１は、本発明の一実施例の光センサーの
特性を説明する図である。FIG. 11 is a diagram illustrating characteristics of an optical sensor according to one embodiment of the present invention.

【図１２】図１２は、本発明の他の実施例の光センサー
の特性を説明する図である。FIG. 12 is a diagram illustrating characteristics of an optical sensor according to another embodiment of the present invention.

【図１３】図１３は、本発明の他の実施例の光センサー
の特性を説明する図である。FIG. 13 is a diagram illustrating characteristics of an optical sensor according to another embodiment of the present invention.

【図１４】図１４は、本発明の他の実施例の光センサー
の特性を説明する図である。FIG. 14 is a diagram illustrating characteristics of an optical sensor according to another embodiment of the present invention.

【図１５】図１５は、本発明の他の実施例の光センサー
の特性を説明する図である。FIG. 15 is a diagram illustrating characteristics of an optical sensor according to another embodiment of the present invention.

【図１６】図１６は、本発明の比較例の光センサーの特
性を説明する図である。FIG. 16 is a diagram illustrating characteristics of an optical sensor according to a comparative example of the present invention.

【図１７】図１７は、本発明の比較例の光センサーの特
性を説明する図である。FIG. 17 is a diagram illustrating characteristics of an optical sensor according to a comparative example of the present invention.

【図１８】図１８は、本発明の比較例の光センサーの特
性を説明する図である。FIG. 18 is a diagram illustrating characteristics of an optical sensor according to a comparative example of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…光センサー、２，２ａ…基材、３，３ａ…電極、４
…電荷発生層、５…液晶性電荷輸送層、５ａ…電荷発生
材料を含む液晶性電荷輸送層、６…電荷注入制御層、７
…上部電極、１０…スペーサー、１２…ネマチック液晶
層、１３…誘電体ミラー層、１４…電源、１５…書き込
み光、１６…読み出し光、３１…光源、３２…シャッタ
ー、３３…シャッター駆動機構、３４…パルスジェネレ
ーター、３５…オシロスコープDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical sensor, 2, 2a ... Substrate, 3, 3a ... Electrode, 4
... Charge generation layer, 5 ... Liquid crystal charge transport layer, 5a ... Liquid crystal charge transport layer containing charge generation material, 6 ... Charge injection control layer,
... upper electrode, 10 ... spacer, 12 ... nematic liquid crystal layer, 13 ... dielectric mirror layer, 14 ... power supply, 15 ... write light, 16 ... readout light, 31 ... light source, 32 ... shutter, 33 ... shutter drive mechanism, 34 ... Pulse generator, 35 ... Oscilloscope

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 光情報を電気情報に変換する光センサー
において、電極に接して可視光域に感度を有する電荷発
生性物質と、液晶性電荷輸送性物質からなる光導電層を
形成したことを特徴とする光センサー。1. An optical sensor for converting optical information into electrical information, wherein a photoconductive layer made of a charge generating substance having sensitivity in a visible light region in contact with an electrode and a liquid crystal charge transporting substance is formed. Light sensor to be characterized. 【請求項２】 光情報を電気情報に変換する光センサー
において、電極に接して、可視光域に感度を有する電荷
発生性物質を液晶性電荷輸送性物質中に溶解または分散
した光導電層を形成したことを特徴とする光センサー。2. An optical sensor for converting optical information into electrical information, comprising: a photoconductive layer in which a charge generating substance sensitive to a visible light region is dissolved or dispersed in a liquid crystal charge transporting substance in contact with an electrode. An optical sensor characterized by being formed. 【請求項３】 光情報を電気情報に変換する光センサー
において、電極に接して、可視光域に感度を有する電荷
発生層と、液晶性電荷輸送性物質を含有する電荷輸送層
を形成した２層からなる光導電層を形成したことを特徴
とする光センサー。3. An optical sensor for converting optical information into electric information, wherein a charge generating layer having sensitivity in a visible light region and a charge transporting layer containing a liquid crystalline charge transporting substance are formed in contact with an electrode. An optical sensor comprising a photoconductive layer formed of a layer. 【請求項４】 電極上に、電荷注入制御層を形成したこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の光
センサー。4. The optical sensor according to claim 1, wherein a charge injection control layer is formed on the electrode. 【請求項５】 少なくとも一方の電極をラビング処理し
たことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載
の光センサー。5. The optical sensor according to claim 1, wherein at least one of the electrodes has been subjected to a rubbing process. 【請求項６】 少なくとも一方の電極を複数の画素にパ
ターン化または分割したことを特徴とする請求項１ない
し５のいずれかに記載の光センサー。6. The optical sensor according to claim 1, wherein at least one of the electrodes is patterned or divided into a plurality of pixels. 【請求項７】 請求項１ないし５のいずれかに記載の光
センサーを用いたことを特徴とする電子写真感光体。7. An electrophotographic photosensitive member using the optical sensor according to claim 1. Description: 【請求項８】 請求項１ないし５のいずれかに記載の光
センサーを用いたことを特徴とする空間光変調素子。8. A spatial light modulator using the optical sensor according to claim 1. Description: 【請求項９】 光情報を電気情報に変換する光センサー
の製造方法において、電極を設けた２枚の基板の少なく
とも一方の電極上に、可視光域に感度を有する電荷発生
層を積層し、両電極をスペーサーを介して対向配置し貼
り合わせた後、液晶性電荷輸送性物質をセル内に注入し
たことを特徴とする光センサーの製造方法。9. A method of manufacturing an optical sensor for converting optical information into electrical information, comprising: laminating a charge generation layer sensitive to a visible light region on at least one of two electrodes provided with electrodes; A method for manufacturing an optical sensor, comprising: arranging two electrodes facing each other with a spacer interposed therebetween, and then injecting a liquid crystalline charge transporting substance into the cell. 【請求項１０】 光情報を電気情報に変換する光センサ
ーの製造方法において、電極を設けた２枚の基板の少な
くとも一方の電極上に、電荷注入制御層、可視光域に感
度を有する電荷発生層を積層し、スペーサーを介して対
向配置し貼り合わせた後、液晶性電荷輸送性物質をセル
内に注入したことを特徴とする光センサーの製造方法。10. A method for manufacturing an optical sensor for converting optical information into electrical information, wherein a charge injection control layer is formed on at least one of the two substrates provided with the electrodes, and a charge generation sensitive to a visible light region. A method for manufacturing an optical sensor, comprising: stacking layers, arranging and opposing each other with a spacer interposed therebetween, and injecting a liquid crystalline charge transporting substance into the cell.