JPH06252426A - Manufacture of photosensor - Google Patents

Manufacture of photosensor

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JPH06252426A
JPH06252426A JP5036993A JP3699393A JPH06252426A JP H06252426 A JPH06252426 A JP H06252426A JP 5036993 A JP5036993 A JP 5036993A JP 3699393 A JP3699393 A JP 3699393A JP H06252426 A JPH06252426 A JP H06252426A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
information recording
layer
recording medium
optical sensor
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP5036993A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Daigo Aoki
大吾 青木
Shinichi Sakano
真一 坂野
Osamu Shimizu
治 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP5036993A priority Critical patent/JPH06252426A/en
Publication of JPH06252426A publication Critical patent/JPH06252426A/en
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    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Optical Head (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain an image of high quality by a method wherein the coating solution of a photoconductive layer, on which fine particles are scattered, is coated after it has been dispersed in a high degree of 50% average particle diameter of specific value or lower using a light scattering diffraction method. CONSTITUTION:An electrode layer 13 is formed on a sub-state 15, and a photoconductive layer 14 is formed on the electrode layer 13. The photoconductive layer 14, on which particles are dispersed to a high degree of 50% average particle diameter of 0.5mum or smaller by a light scattering diffraction method, is coated with a coating solution. On the title photosensor, the field strength or the quantity of charge given to an information recording medium is amplified by the irradiation with light, and when voltage is continuously applied even after the irradiation with light, its conductivity is maintained, and it functions to give an electric field or an electric charge to the information recording medium. As a result, the image noise due to lead of black or white color and the like can be lessened, and an image of high quality can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体へ光情報
を可視情報または静電情報の形で記録することができる
光センサーの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical sensor capable of recording optical information on an information recording medium in the form of visible information or electrostatic information.

【0002】[0002]

【従来の技術】前面に電極層が設けられた光導電層から
なる光センサーと、該光センサーに対向し、後面に電極
層が設けられた電荷保持層からなる情報記録媒体とを光
軸上に配置し、両導電層間に電圧を印加しつつ露光し、
入射光学像に応じて、電荷保持層に静電電荷を記録さ
せ、その静電電荷をトナー現像するかまたは電位読み取
りにより再生する方法は、例えば特開平1−29036
6号公報、特開平1−289975号公報に記載されて
いる。また、上記方法における電荷保持層を熱可塑性樹
脂層とし、静電電荷を熱可塑樹脂層表面に記録した後加
熱し、熱可塑性樹脂層表面にフロスト像を形成すること
により記録された静電電荷を可視化する方法は、例えば
特開平3−192288号公報に記載されている。
2. Description of the Related Art An optical sensor comprising a photoconductive layer having an electrode layer on the front surface and an information recording medium comprising a charge holding layer having an electrode layer provided on the rear surface facing the optical sensor are arranged on the optical axis. And expose while applying voltage between both conductive layers,
A method of recording an electrostatic charge on a charge holding layer according to an incident optical image and reproducing the electrostatic charge by toner development or potential reading is disclosed in, for example, JP-A-1-29036.
No. 6 and Japanese Patent Laid-Open No. 1-289975. Further, the charge retention layer in the above method is a thermoplastic resin layer, electrostatic charges are recorded on the surface of the thermoplastic resin layer and then heated to form a frost image on the surface of the thermoplastic resin layer, thereby recording the electrostatic charge. The method of visualizing the is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 3-192288.

【0003】更に、本出願人等は、上記情報記録媒体に
おける情報記録層を高分子分散型液晶層として、上記同
様に電圧印加時露光し、光センサーにより形成される電
界により液晶層を配向させて情報記録を行い、情報記録
の再生にあたっては透過光あまいは反射光により可視情
報として再生する情報記録再生方法を、先に出願(特願
平2−186023号、特願平3−10847号)し
た。この情報記録再生方法は偏向板を使用しなくとも記
録された情報を可視化できる。
Furthermore, the applicant of the present invention, the information recording layer in the above information recording medium is a polymer dispersion type liquid crystal layer, and is exposed under voltage application similarly to the above, and the liquid crystal layer is aligned by an electric field formed by a photosensor. Information recording / reproducing method in which information recording is performed by reproducing information as visible information by transmitting light or reflected light when reproducing information recording (Japanese Patent Application Nos. 2-186023 and 3-10847) did. This information recording / reproducing method makes it possible to visualize recorded information without using a deflector.

【0004】ところが、光導電層は、一般には光が照射
されると照射部分で光キャリア(電子、正孔)が発生
し、それらのキャリアが層幅を移動することができる機
能を有するものであり、特に電界が存在する場合にその
効果が顕著である層であるが、本発明の光センサーは、
光導電層と電極層とを適宜組合せることにより、光セン
サーへの光照射時において、光センサーに対向して配置
した情報記録媒体に付与される電界強度または電荷量が
光照射につれて増幅され、また光照射を終了した後でも
電圧を印加し続けるとその導電性を持続し、引き続き電
界強度または電荷量を情報記録媒体に付与し続ける作用
があるため高感度である。また、光センサーが電荷のレ
ベルで作動し情報記録媒体への情報を記録し、かつ情報
記録媒体への記録および読み取りは、電荷あるいは液晶
分子のサイズのレベルで行うことができるため、高解像
度を有する。このように、高解像度と高感度であるとい
う特徴を有しているために、通常の光センサーでは問題
とはならない光センサーに起因する画像ノイズが画像の
品質にとって大きな問題となった。
However, the photoconductive layer generally has a function of generating photocarriers (electrons, holes) in the irradiated portion when light is irradiated, and these carriers can move in the layer width. There is a layer, the effect of which is remarkable when an electric field is present.
By appropriately combining the photoconductive layer and the electrode layer, at the time of irradiating light to the photosensor, the electric field strength or the amount of electric charge applied to the information recording medium arranged facing the photosensor is amplified as the light is radiated, Further, even if the light irradiation is completed, if the voltage is continuously applied, the conductivity is maintained, and the electric field strength or the charge amount is continuously applied to the information recording medium, so that the sensitivity is high. Further, since the optical sensor operates at the electric charge level to record information on the information recording medium, and recording and reading on the information recording medium can be performed at the electric charge or liquid crystal molecule size level, high resolution is achieved. Have. As described above, the image noise caused by the optical sensor, which is not a problem in the normal optical sensor, has become a serious problem for the image quality because of the characteristics of high resolution and high sensitivity.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述のごと
き情報記録媒体への情報形成に使用される情報記録媒体
に電界強度または電荷量がを付与するために使用する、
高解像度と高感度である光センサーにおいて顕著な問題
となる、黒抜けあるいは白抜けなどをはじめとする各種
の画像ノイズが少なく高品質の画像が得られる情報形成
能、情報記録感度に優れた光センサーを製造する方法の
提供を課題とする。
The present invention is used to impart an electric field strength or an electric charge to an information recording medium used for forming information on the information recording medium as described above.
Light with excellent information forming ability and information recording sensitivity that can obtain high-quality images with various image noises such as black spots and white spots, which are significant problems in optical sensors with high resolution and high sensitivity An object is to provide a method for manufacturing a sensor.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、光センサーと
情報記録媒体とを間隔を設けて光軸上に対向配置し、光
センサーおよび情報記録媒体の両電極層間に電圧印加を
可能に結線した情報記録装置用の光センサーの製造方法
において、微粒子を分散した光導電層の塗布液を、光散
乱回折法による50%平均粒径が0.5μm以下に高度
に分散した後に塗布する光センサーの製造方法である。
According to the present invention, an optical sensor and an information recording medium are arranged opposite to each other on an optical axis with a space provided therebetween, and a voltage can be applied between both electrode layers of the optical sensor and the information recording medium. In the method for producing an optical sensor for an information recording device, an optical sensor in which a coating liquid for a photoconductive layer in which fine particles are dispersed is highly dispersed to have a 50% average particle diameter of 0.5 μm or less by a light scattering diffraction method. Is a manufacturing method.

【0007】また、本発明の光センサーは、基材上に電
極層、光導電層を積層し、情報記録媒体に付与される電
界強度または電荷量が光照射につれて増幅され、また光
照射を終了した後でも電圧を印加し続けるとその導電性
を持続し、引き続き電界または電荷を情報記録媒体に付
与し続ける作用を有する光センサーの製造方法である。
Further, in the photosensor of the present invention, an electrode layer and a photoconductive layer are laminated on a base material, and the electric field strength or the amount of electric charge applied to the information recording medium is amplified as the light is irradiated, and the light irradiation is terminated. This is a method of manufacturing an optical sensor having a function of continuing its conductivity when a voltage is continuously applied even after the operation and continuously applying an electric field or electric charge to an information recording medium.

【0008】本発明の光センサーは、基材上に電極層、
光導電層を積層したものから構成されている。その光導
電層は単層型のものと電荷発生層及び電荷輸送層を積層
した積層型のものがある。光導電層は、一般には光が照
射されると照射部分で光キャリア(電子、正孔)が発生
し、それらのキャリアが層幅を移動することができる機
能を有するものであり、特に電界強度が存在する場合に
その効果が顕著である層であるが、本発明の光センサー
は、後述する光導電層と電極層とを適宜組合せることに
より、光センサーへの光照射時において情報記録媒体に
付与される電界強度または電荷量が光照射につれて増幅
され、また光照射を終了した後でも電圧を印加し続ける
とその導電性を持続し、引き続き電界強度または電荷量
を情報記録媒体に付与し続ける作用を有するに到るもの
である。
The optical sensor of the present invention comprises an electrode layer on a substrate,
It is composed of a stack of photoconductive layers. The photoconductive layer includes a single layer type and a laminated type in which a charge generation layer and a charge transport layer are laminated. The photoconductive layer generally has a function of generating photocarriers (electrons and holes) in the irradiated portion when light is irradiated, and these carriers can move in the layer width. Is a layer whose effect is remarkable when present, but the photosensor of the present invention is an information recording medium at the time of light irradiation to the photosensor by appropriately combining a photoconductive layer and an electrode layer described later. The electric field strength or the amount of electric charge applied to the recording medium is amplified with the irradiation of light, and the conductivity is maintained when the voltage is continuously applied even after the end of the irradiation of light, and the electric field strength or the amount of electric charge is continuously applied to the information recording medium. It has the effect of continuing.

【0009】本発明の光センサーにおける光電流の増幅
作用について説明すると、測定用光センサーとしては、
透明ガラス基材上にITOすなわち酸化インジウム酸化
錫複合酸化物からなる電極層が設けられ、該電極層上に
光導電層が積層されて形成される光センサーにおいて、
その光導電層上に0.16cm2 の金電極層を積層して
形成する。そして、この両電極間に直流の一定電圧を印
加すると共に、電圧印加開始後0.5秒後に基板側から
0.033秒間光照射し、測定時間中の光センサーにお
ける電流値挙動を、光照射開始時(t=0)から測定す
る。なお、照射光は、キセノンランプ(浜松ホトニクス
社製L2274)を光源に、グリーンフィルター(日本
真空光学社製)により、グリーン光を選択して照射し、
照射光強度を照度計(ミノルタ社製)で測定し、20ル
ックスのものとする。図5にそのフイルター特性を示
す。
Explaining the photocurrent amplification effect of the optical sensor of the present invention, the measuring optical sensor is as follows.
In an optical sensor in which an electrode layer made of ITO, that is, indium oxide / tin oxide composite oxide is provided on a transparent glass substrate, and a photoconductive layer is laminated on the electrode layer,
A 0.16 cm 2 gold electrode layer is laminated on the photoconductive layer. Then, a constant DC voltage is applied between both electrodes, and 0.5 seconds after the start of voltage application, light is irradiated from the substrate side for 0.033 seconds, and the behavior of the current value in the photosensor during the measurement time is measured by light irradiation. Measure from the start (t = 0). It should be noted that the irradiation light is selected by irradiating green light with a xenon lamp (L2274 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) as a light source using a green filter (manufactured by Nippon Vacuum Optical Co., Ltd.).
Irradiation light intensity is measured with an illuminometer (manufactured by Minolta Co., Ltd.) to obtain 20 lux. FIG. 5 shows the filter characteristics.

【0010】この光強度で光照射した時、透明基材、I
TO膜の光透過率、フィルターの分光特性を考慮する
と、光導電層には4.2×1011個/cm2 秒のフォト
ンが入射する。そして、入射したフォトンが全て光キャ
リアに変換されると、理論的には光電流としては単位面
積当たり1.35×10-6A/cm2 の電流が発生す
る。
When irradiated with light of this light intensity, the transparent substrate, I
Considering the light transmittance of the TO film and the spectral characteristics of the filter, 4.2 × 10 11 photons / cm 2 seconds are incident on the photoconductive layer. When all the incident photons are converted into photocarriers, theoretically, a photocurrent of 1.35 × 10 −6 A / cm 2 is generated per unit area.

【0011】ここで、上記測定系により測定する場合
に、理論的光電流に対して、光センサーで実際に発生し
た光誘起電流の割合(光センサーで実際に発生した光誘
起電流値/理論的光電流値)をその光センサーにおける
量子効率と定義する。また光誘起電流とは、光照射部の
電流値から暗電流値を差し引いたものであり、光照射中
あるいは光照射後も光照射に起因する暗電流以上の電流
が流れるものをいい、所謂光電流とは相違する。本発明
の光センサーにおける光電流の増幅作用とは、このよう
な光誘起電流の挙動のことであると定義する。
Here, in the case of measuring with the above-mentioned measurement system, the ratio of the photo-induced current actually generated by the optical sensor to the theoretical photo-current (photo-induced current value actually generated by the optical sensor / theoretical The photocurrent value) is defined as the quantum efficiency of the photosensor. The photo-induced current is the current value of the light irradiation part minus the dark current value, which means that a current equal to or higher than the dark current due to the light irradiation flows during or after the light irradiation. Different from current. The photocurrent amplification action in the photosensor of the present invention is defined as such behavior of photoinduced current.

【0012】本発明における光電流増幅作用を有する光
センサーと、光電流増幅作用を有しない光センサー(以
下、比較センサーという)とを、上記測定系での測定結
果を使用して説明する。まず、比較用センサーについて
の測定結果を図6に示す。図6において(m)線は、上
記理論値(1.35×10-6A/cm2 )を示す参考線
で、光照射を0.033秒間行い、光照射後も電圧印加
を継続した状態を示す。(n)線は光電流増幅作用を有
しない光センサーの実測線で光照射中でも光電流の増加
はなく、一定値をとることがわかり、その一定値にして
も理論値(1.35×10-6A/cm2 )を越えない。
この比較用センサーにおける量子効率はほぼ0.4と一
定である。光照射中の量子効率の変化を図7に示す。
An optical sensor having a photocurrent amplifying action and an optical sensor having no photocurrent amplifying action (hereinafter referred to as a comparative sensor) according to the present invention will be described using the measurement results of the above measurement system. First, FIG. 6 shows the measurement results of the comparative sensor. In FIG. 6 (m) line is a reference line indicating the theoretical value (1.35 × 10- 6 A / cm 2), a state in which performs light irradiation 0.033 seconds after light irradiation was also continued voltage application Indicates. Line (n) is a measured line of a photosensor that does not have a photocurrent amplification effect, and it is found that the photocurrent does not increase even during light irradiation and takes a constant value. Even if the constant value is used, the theoretical value (1.35 × 10 5 -6 A / cm 2 ) is not exceeded.
The quantum efficiency of this comparative sensor is constant at approximately 0.4. The change in quantum efficiency during light irradiation is shown in FIG.

【0013】これに対して、本発明の光センサーは、図
8に示すように光照射時は光電流が増加し、量子効率と
の関係を示す図9から明らかなように、約0.01秒で
量子効率は1を越え、その後も量子効率は増加を続ける
ことがわかる。
On the other hand, in the photosensor of the present invention, as shown in FIG. 8, the photocurrent increases during light irradiation, and as is clear from FIG. 9 showing the relationship with the quantum efficiency, about 0.01 It can be seen that the quantum efficiency exceeds 1 in seconds, and the quantum efficiency continues to increase thereafter.

【0014】また、比較用センサーでは光照射終了と同
時に光電流が零となるため、光照射後継続して電圧印加
しても電流は流れない。これに対して、本発明の光セン
サーにおいては、光照射終了後も電圧印加を継続するこ
とにより光誘起電流が継続して流れ、引き続いて光誘起
電流を取り出すことができる。
Further, in the comparative sensor, the photocurrent becomes zero at the same time when the light irradiation is finished, so that the current does not flow even if the voltage is continuously applied after the light irradiation. On the other hand, in the photosensor of the present invention, the photoinduced current continues to flow by continuing the voltage application even after the end of the light irradiation, and the photoinduced current can be subsequently taken out.

【0015】図10に比較用センサー(理論値)の電流
量の積分値(電荷量)の時間変化を示す。図において
は、量子効率1の理論的な光センサーにおける単位面積
当たりの電流量の積分値の時間変化を(O)線で示し、
比較用センサーにおける単位面積当たり電流の積分値の
時間変化を(P)線で示す。図10の電流の積分値Qは Q=∫(IPHOTO −Idark)dt(C) である。図から、比較用センサーは光照射終了後、光電
流が零になることから、積分値の増加は見られない。
FIG. 10 shows the time change of the integrated value (charge amount) of the current amount of the comparative sensor (theoretical value). In the figure, the time change of the integrated value of the amount of current per unit area in a theoretical optical sensor with quantum efficiency of 1 is shown by the (O) line,
The time change of the integrated value of the current per unit area in the comparative sensor is shown by the (P) line. The integrated value Q of the current in FIG. 10 is Q = ∫ (I PHOTO −I dark ) dt (C). From the figure, since the photocurrent becomes zero after the light irradiation is completed in the comparative sensor, no increase in the integrated value is seen.

【0016】また、図11に本発明の光センサーにおけ
る単位面積当たり電流の積分値の時間変化を同様に示
す。なお、同様に量子効率1の理論的な光センサーにお
ける単位面積当たり電流の積分値の時間変化を(O)線
で示し、本発明の光センサーにおける電流の積分値の時
間変化を(P)線で示す。図に示すように、本発明の光
センサーは、光照射終了後も増加を続けるため、比較用
センサーに比して大きな効果が得られることがわかる。
Further, FIG. 11 similarly shows the time change of the integrated value of the current per unit area in the optical sensor of the present invention. Similarly, the time change of the integrated value of the current per unit area in the theoretical photosensor with quantum efficiency of 1 is indicated by the (O) line, and the time change of the integrated value of the current in the photosensor of the present invention is indicated by the (P) line. Indicate. As shown in the figure, it can be seen that the optical sensor of the present invention continues to increase even after the end of light irradiation, so that a large effect can be obtained as compared with the comparative sensor.

【0017】次に、本発明の光センサーの光導電層が単
層から構成されている場合の単層型光センサーについて
説明する。図1は単層型光センサーを説明する図であ
る。基板15に電極層13が形成されており、電極層上
には光導電層14が形成されている。
Next, a single-layer type photosensor in which the photoconductive layer of the photosensor of the present invention is composed of a single layer will be described. FIG. 1 is a diagram illustrating a single-layer photosensor. The electrode layer 13 is formed on the substrate 15, and the photoconductive layer 14 is formed on the electrode layer.

【0018】基板15は、光センサーによって得られた
情報を記録する情報記録媒体が不透明であれば透明性を
有することが必要であるが、情報記録媒体が透明性を有
する場合には透明、不透明いずれでもよく、カード、フ
ィルム、テープ、ディスク等の形状を有し、光センサー
の支持体となるものであり、光センサーを支持すること
ができるある程度の強度を有していれば、その材質、厚
みは特に制限がない。例えば可撓性のあるプラスチック
フィルム、あるいは青板ガラス、硼珪酸ガラスガラス、
無アルカリガラス等の各種のガラス板、ポリエステル、
ポリカーボネート等のプラスチックシート、カード等の
剛体が使用される。
The substrate 15 needs to be transparent if the information recording medium for recording the information obtained by the optical sensor is opaque, but it is transparent or opaque if the information recording medium is transparent. Any of them may have a shape of a card, a film, a tape, a disc, etc., and serve as a support for the optical sensor, and if the material has a certain strength capable of supporting the optical sensor, its material, The thickness is not particularly limited. For example, flexible plastic film, soda lime glass, borosilicate glass glass,
Various glass plates such as alkali-free glass, polyester,
A rigid body such as a plastic sheet such as polycarbonate or a card is used.

【0019】基板上には電極層13が形成されている。
電極層13は基板と同様に情報記録媒体が不透明であれ
ば透明性を有することが必要であるが、情報記録媒体が
透明性を有する場合には透明、不透明いずれでもよく、
50〜104 Ω/cm2 の表面抵抗率を安定して与える材
料、例えば亜鉛、チタン、銅、鉄、錫等の金属薄膜から
なる導電膜、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化
チタン、酸化タングステン、酸化バナジウム等の金属酸
化物からなる導電膜、四級アンモニウム塩等の有機導電
膜等であり、これらを単独、あるいは二種以上の複合材
料として用いられる。なかでも酸化物半導体が好まし
く、特に酸化インジウム酸化錫複合酸化物(ITO)が
好ましい。
An electrode layer 13 is formed on the substrate.
Like the substrate, the electrode layer 13 needs to be transparent if the information recording medium is opaque, but may be either transparent or opaque if the information recording medium is transparent.
A material that stably provides a surface resistivity of 50 to 10 4 Ω / cm 2 , for example, a conductive film formed of a thin metal film of zinc, titanium, copper, iron, tin, tin oxide, indium oxide, zinc oxide, titanium oxide, A conductive film made of a metal oxide such as tungsten oxide and vanadium oxide, an organic conductive film such as a quaternary ammonium salt, and the like can be used alone or as a composite material of two or more kinds. Of these, oxide semiconductors are preferable, and indium oxide-tin oxide composite oxide (ITO) is particularly preferable.

【0020】電極層13は蒸着、スパッタリング、CV
D、コーティング、メッキ、ディッピング、電解重合等
の方法により形成される。またその膜厚は電極を構成す
る材料の電気特性、および情報記録の際の印加電圧によ
り変化させる必要がある。
The electrode layer 13 is formed by vapor deposition, sputtering, CV.
It is formed by a method such as D, coating, plating, dipping, or electrolytic polymerization. The film thickness must be changed according to the electrical characteristics of the material forming the electrodes and the applied voltage during information recording.

【0021】また、基板の電極層13が設けられる面の
他方の面には、電極層13が透明であれば必要に応じて
反射防止効果を有する層を積層するか、また反射防止効
果を発現しうる膜厚に透明基板を調整するか、更に両者
を組み合わせることにより反射防止性を付与するとよ
い。
If the electrode layer 13 is transparent, a layer having an antireflection effect may be laminated on the other surface of the substrate on which the electrode layer 13 is provided, or an antireflection effect may be exhibited. The antireflection property may be imparted by adjusting the transparent substrate to a possible film thickness or by combining the two.

【0022】光導電層は、無機光導電性物質または有機
光導電性物質から形成される。無機光導電性物質として
はSe、Se−Te、ZnO、TiO2、Si、CdS
等が挙げられ、蒸着、スパッタリング、CVD等により
電極層上に、単独または混合して5〜30μm、好まし
くは20〜30μmの膜厚で積層される。また、前述の
無機光導電体を微粒子として、有機絶縁性合成樹脂、例
えばシリコーン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、スチレン−ブタジエン樹脂、スチレン樹脂、
ポリビニルアセタール樹脂等に分散させて光導電層とし
てもよく、この場合樹脂1重量部に対して光導電性微粒
子を0.1〜10重量部、好ましくは1〜5重量部の割
合で分散させたものとするとよい。
The photoconductive layer is formed of an inorganic photoconductive material or an organic photoconductive material. Examples of the inorganic photoconductive substance Se, Se-Te, ZnO, TiO 2, Si, CdS
Etc., etc., and a single layer or a mixture of layers having a thickness of 5 to 30 μm, preferably 20 to 30 μm is laminated on the electrode layer by vapor deposition, sputtering, CVD or the like. In addition, the above-mentioned inorganic photoconductor as fine particles, organic insulating synthetic resin, for example, silicone resin, polyester resin, polycarbonate resin, styrene-butadiene resin, styrene resin,
It may be dispersed in a polyvinyl acetal resin or the like to form a photoconductive layer. In this case, the photoconductive fine particles are dispersed in an amount of 0.1 to 10 parts by weight, preferably 1 to 5 parts by weight with respect to 1 part by weight of the resin. Good thing.

【0023】また、有機光導電性物質は高分子光導電性
物質、及び低分子光導電物質の絶縁性バインダー中への
分散物がある。高分子光導電性物質としては、例えばポ
リビニルカルバゾール(PVK)、PVKにおけるビニ
ル基の代わりにアリル基、アクリロキシアルキル基のエ
チレン性不飽和基が含まれたポリ−N−エチレン性不飽
和基置換カルバゾール類、また、ポリ−N−アクリルフ
ェノチアジン、ポリ−N−(β−アクリロキシ)フェノ
チアジン等のポリ−N−エチレン性不飽和基置換フェノ
チアジン類、ポリビニルピレン等がある。なかでもポリ
−N−エチレン性不飽和基置換カルバゾール類、特にポ
リビニルカルバゾールが好ましく用いられる。
Further, the organic photoconductive substance includes a polymer photoconductive substance and a dispersion of a low molecular weight photoconductive substance in an insulating binder. As the polymer photoconductive substance, for example, polyvinylcarbazole (PVK), poly-N-ethylenically unsaturated group substitution containing an ethylenically unsaturated group such as an allyl group or an acryloxyalkyl group instead of the vinyl group in PVK There are carbazoles, poly-N-ethylenically unsaturated group-substituted phenothiazines such as poly-N-acrylphenothiazine and poly-N- (β-acryloxy) phenothiazine, and polyvinylpyrene. Among them, poly-N-ethylenically unsaturated group-substituted carbazoles, particularly polyvinylcarbazole are preferably used.

【0024】また、低分子光導電物質としては、アルキ
ルアミノフェニル基等で置換されたオキサジアゾール
類、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、ブ
タジエン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられ、低分
子光導電体1重量部を、例えばシリコーン樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレン−ブタジ
エン共重合体樹脂、スチレン樹脂、ポリビニルアセター
ル樹脂などの電気絶縁性樹脂0.1〜5重量部、好まし
くは0.1〜1重量部中に分散させて、皮膜形成性の有
機光導電物質としてもよい。これらの有機光導電性物質
の乾燥後膜厚は5〜30μm、好ましくは10〜30μ
mで電極上に積層される。
Examples of the low molecular weight photoconductive substance include oxadiazoles substituted with an alkylaminophenyl group and the like, triphenylmethane derivatives, hydrazone derivatives, butadiene derivatives, stilbene derivatives and the like. 1 part by weight is 0.1 to 5 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight of an electrically insulating resin such as a silicone resin, a polyester resin, a polycarbonate resin, a styrene-butadiene copolymer resin, a styrene resin or a polyvinyl acetal resin. It may be dispersed in parts by weight to form a film-forming organic photoconductive substance. The film thickness of these organic photoconductive substances after drying is 5 to 30 μm, preferably 10 to 30 μm.
m on the electrode.

【0025】また、有機光導電性層には、必要に応じて
持続導電性付与剤が添加される。上述の有機光導電層
は、それ自体持続導電性を有するが、この持続導電性付
与剤は、上述の有機光導電層における持続導電性を強化
させることを目的として添加されるものである。このよ
うな持続導電性付与剤としては、特願平5−4721号
に記載されているようなアリールメタン系色素、ジアゾ
ニウム塩類、酸無水物、o−ベンゾスルホイミド、ニン
ヒドリン類、シアノ化合物、ニトロ化合物、塩化スルホ
ニル類、ジフェニルまたはトリフェニルメタン類、o−
ベンゾイル安息香酸、ロイコ色素群が挙げられる。
If desired, a continuous conductivity-imparting agent is added to the organic photoconductive layer. The above-mentioned organic photoconductive layer itself has a persistent conductivity, and this persistent conductivity imparting agent is added for the purpose of enhancing the persistent conductivity in the above-mentioned organic photoconductive layer. Examples of such a persistent conductivity-imparting agent include arylmethane dyes, diazonium salts, acid anhydrides, o-benzosulfoimides, ninhydrins, cyano compounds and nitros as described in Japanese Patent Application No. 5-4721. Compounds, sulfonyl chlorides, diphenyl or triphenylmethanes, o-
Examples thereof include benzoylbenzoic acid and a leuco dye group.

【0026】これらの持続導電性付与剤は、有機光導電
性物質1重量部に対して0.001〜1重量部、好まし
くは0.001〜0.1重量部の割合で添加される。持
続導電性付与剤の添加量が1重量部を越えると、光セン
サーとしての増幅機能が著しく低下するので好ましくな
い。
These persistent conductivity imparting agents are added in an amount of 0.001 to 1 part by weight, preferably 0.001 to 0.1 part by weight, based on 1 part by weight of the organic photoconductive substance. If the added amount of the persistent conductivity imparting agent exceeds 1 part by weight, the amplification function as an optical sensor is significantly deteriorated, which is not preferable.

【0027】また、上記持続導電性付与物質は、分光感
度が可視光領域にないものもあり、可視光領域の光情報
を利用する場合には、可視光領域での感度を付与するた
めに電子受容性物質、増感色素等を更に添加することが
できる。電子受容性物質としては、例えばニトロ置換ベ
ンゼン、ジアノ置換ベンゼン、ハロゲン置換ベンゼン、
キノン類、トリニトロフルオレノン等がある。また増感
色素としてはトリフェニルメタン色素、ピリリウム塩色
素、キサンテン色素などが挙げられる。電子受容性物
質、増感色素等は、有機光導電性物質1重量部に対して
0.001〜1重量部、好ましくは0.01〜1重量部
の割合で添加される。同時に光情報が赤外領域にある場
合には、フタロシアニン等の顔料、ピロール系、シアニ
ン系等の色素を同量程度添加するとよく、逆に紫外領域
にあるいはそれ以下の波長域に情報光がある場合には、
それぞれの波長吸収物質を同量添加することで目的が達
成される。
Some of the above-mentioned substances for imparting continuous conductivity do not have a spectral sensitivity in the visible light region, and when optical information in the visible light region is used, an electron is added to impart sensitivity in the visible light region. Receptive substances, sensitizing dyes and the like can be further added. Examples of the electron accepting substance include nitro-substituted benzene, diano-substituted benzene, halogen-substituted benzene,
There are quinones and trinitrofluorenone. Examples of the sensitizing dye include triphenylmethane dye, pyrylium salt dye and xanthene dye. The electron accepting substance, the sensitizing dye and the like are added in a proportion of 0.001 to 1 part by weight, preferably 0.01 to 1 part by weight, relative to 1 part by weight of the organic photoconductive substance. At the same time, when the optical information is in the infrared region, it is advisable to add a pigment such as phthalocyanine or the like, a pyrrole-based dye, a cyanine-based dye or the like in the same amount, and vice versa. in case of,
The purpose is achieved by adding the same amount of each wavelength absorbing substance.

【0028】次に、積層型光センサーについて説明す
る。図2は積層型の光センサーを説明する図であり、図
中13は電極層、14′は電荷発生層、14″は電荷輸
送層、15は基板である。図2に示すように、積層型光
センサーは電極上の光導電層が電荷発生層、電荷輸送層
の2層を順次積層して形成された光センサーであり、無
機材料系光センサーと有機材料系光センサーとがある。
電極層上に形成する電荷発生層14′としては、Se−
Te、硫黄や酸素等をドープしたSi等を蒸着法、スパ
ッタ法、CVD法等により電極上に、0.05μm〜1
μmの膜厚に積層される。次いで、この電荷発生層上に
電荷輸送層として、Se、As2 Se3 、Si、メタン
等をドープしたSi等を同様にして10μm〜50μm
の膜厚に積層して形成するとよい。
Next, the laminated optical sensor will be described. 2A and 2B are views for explaining a laminated type optical sensor. In the figure, 13 is an electrode layer, 14 'is a charge generation layer, 14''is a charge transport layer, and 15 is a substrate. The type photosensor is a photosensor in which a photoconductive layer on an electrode is formed by sequentially stacking two layers of a charge generation layer and a charge transport layer, and there are an inorganic material photosensor and an organic material photosensor.
As the charge generation layer 14 'formed on the electrode layer, Se-
0.05 μm to 1 of Te, Si doped with sulfur, oxygen or the like is deposited on the electrode by a vapor deposition method, a sputtering method, a CVD method or the like.
It is laminated to a film thickness of μm. Then, on the charge generation layer, as a charge transport layer, Se, As 2 Se 3 , Si, Si doped with methane, or the like is used in the same manner as 10 μm to 50 μm.
It is preferable that the layers are stacked to have the above film thickness.

【0029】有機材料系の電荷発生層14′は電荷発生
物質とバインダーから構成されている。電荷発生物質と
しては、特願平5−4721号に記載されているような
ピリリウム系染料、チアピリリウム系染料、アズレニウ
ム系染料、シアニン系染料、アズレニウム系染料等のカ
チオン系染料、スクアリリウム塩系染料、フタロシアニ
ン系顔料、ペリレン系顔料、ピラントロン系顔料等の多
環キノン系顔料、インジゴ系顔料、キナクリドン系顔
料、ピロール系顔料、アゾ系顔料等の染料、顔料を単独
もしくは複数のものを組み合わせて使用することができ
る。
The organic material type charge generation layer 14 'is composed of a charge generation substance and a binder. Examples of the charge generating material include pyrylium-based dyes, thiapyrylium-based dyes, azurenium-based dyes, cyanine-based dyes, cation-based dyes such as azurenium-based dyes, squarylium salt-based dyes, and the like, as described in Japanese Patent Application No. 5-4721. Dyes such as phthalocyanine pigments, perylene pigments, polycyclic quinone pigments such as pyranthrone pigments, indigo pigments, quinacridone pigments, pyrrole pigments, azo pigments, etc. are used alone or in combination of plural pigments. be able to.

【0030】バインダーとしては、例えばシリコーン樹
脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、飽和または不飽和ポリエステル樹
脂、PMMA樹脂、塩ビ樹脂、酢ビ樹脂、塩ビ−酢ビ混
合樹脂等が挙げられ、上記電荷発生物質をバインダー中
に分散して形成される。電荷発生剤として好ましくはフ
ルオレノンアゾ顔料、ビスアゾ顔料であり、またバイン
ダーとして好ましくはポリエステル樹脂、塩ビ−酢ビ混
合樹脂が挙げられる。
Examples of the binder include silicone resin, styrene-butadiene copolymer resin, epoxy resin, acrylic resin, saturated or unsaturated polyester resin, PMMA resin, vinyl chloride resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride-vinyl acetate mixed resin and the like. For example, the charge generation material is formed by dispersing it in a binder. The charge generating agent is preferably a fluorenone azo pigment or a bisazo pigment, and the binder is preferably a polyester resin or a vinyl chloride-vinyl acetate mixed resin.

【0031】これらの電荷発生剤とバインダーの混合比
は、電荷発生剤1重量部に対してバインダーを0.1〜
10重量部、好ましくは0.1〜1重量部の割合で使用
するとことが望ましい。電荷発生層は乾燥後膜厚として
0.01〜1μmであり、好ましくは0.1〜0.3μ
mとするとよい。
The mixing ratio of the charge generating agent and the binder is 0.1 to 1 part by weight of the charge generating agent.
It is desirable to use 10 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight. The charge generation layer has a thickness after drying of 0.01 to 1 μm, preferably 0.1 to 0.3 μm.
It is good to set m.

【0032】電荷輸送層14″は電荷輸送物質とバイン
ダーとから構成されている。電荷輸送物質は、電荷発生
物質で発生した電荷の輸送特性が良い物質であり、例え
ば下記に化学構造を示すオキサジアゾール系、オキサゾ
ール系、トリアゾール系、チアゾール系、トリフェニル
メタン系、スチリル系、ピラゾリン系、ヒドラゾン系、
芳香族アミン系、カルバゾール系、ポリビニルカルバゾ
ール系、スチルベン系、エナミン系、アジン系、アミン
系、ブタジエン系、オキサゾール系、トリアゾール系、
芳香族アミン系、アミン系、トリフェニルメタン系、ブ
タジエン系、スチルベン系、多環芳香族化合物系等があ
り、ホール輸送性の良い物質とすることが必要である。
The charge transport layer 14 "is composed of a charge transport material and a binder. The charge transport material is a material having a good property of transporting charges generated by the charge generating material, and for example, an oxa having the chemical structure shown below. Diazole, oxazole, triazole, thiazole, triphenylmethane, styryl, pyrazoline, hydrazone,
Aromatic amine, carbazole, polyvinylcarbazole, stilbene, enamine, azine, amine, butadiene, oxazole, triazole,
There are aromatic amine-based, amine-based, triphenylmethane-based, butadiene-based, stilbene-based, polycyclic aromatic compound-based, etc., and it is necessary to use a substance having a good hole-transporting property.

【0033】好ましくは、ブタジエン系、スチルベン系
電荷輸送剤が挙げられ、具体的には特開昭62−287
257号公報、特開昭58−182640号公報、特開
昭48−43942号公報、特公昭34−5466号公
報、特開昭58−198043号公報、特開昭57−1
01844号公報、特開昭59−195660号公報、
特開昭60−69657号公報、特開昭64−6555
5号公報、特開平1−164952号公報、特開昭64
−57263号公報、特開昭64−68761号公報、
特開平1−230055号公報、特開平1−14265
4号公報、特開平1−142655号公報、特開平1−
155358号公報、特開平1−155357号公報、
特開平1−161245号公報、特開平1−14264
3号公報等に記載した電荷輸送材料が挙げられる。
Preferred are butadiene-based and stilbene-based charge transfer agents, specifically, JP-A-62-287.
257, JP-A-58-182640, JP-A-48-43942, JP-B-34-5466, JP-A-58-198043, and JP-A-57-1.
01844, JP-A-59-195660,
JP-A-60-69657 and JP-A-64-6555.
5, JP-A-1-164952, JP-A-64
-57263, JP-A-64-68761,
Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1-230055 and 1-14265
4, JP-A-1-142655, JP-A-1-
155358, JP-A-1-155357,
JP-A-1-161245, JP-A-1-14264
The charge transport materials described in Japanese Patent No. 3 and the like can be mentioned.

【0034】これらの電荷発生物質と電荷輸送物質の組
合せとしては、例えばフルオレノンアゾ顔料(電荷発生
物質)とスチルベン系の電荷輸送剤の組合せ、ビスアゾ
系顔料(電荷発生物質)とブタジエン系、ヒドラゾン系
の電荷輸送剤の組合せ等が良好である。また、以上のよ
うに電荷として正孔を輸送することに代えて電子を輸送
する場合には、電子輸送物質としては、特願平5−47
21号に記載の電子輸送物質を用いることができる。
Examples of combinations of these charge generating substances and charge transporting substances include a combination of fluorenone azo pigment (charge generating substance) and stilbene type charge transporting agent, bisazo type pigment (charge generating substance) and butadiene type, hydrazone type. The combination of the charge-transporting agents described above is preferable. Further, in the case of transporting electrons instead of transporting holes as charges as described above, as an electron transporting substance, Japanese Patent Application No. 5-47 is used.
The electron transport material described in No. 21 can be used.

【0035】電荷輸送層のバインダーとしては、上記し
た電荷発生層におけるバインダーと同様のものが使用で
きるが、好ましくはポリビニルアセタール樹脂、スチレ
ン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂である。バ
インダーは、電荷輸送剤1重量部に対して0〜10重量
部、好ましくは0.1〜1重量部の割合で使用すること
が望ましい。電荷輸送層は乾燥後膜厚として1〜50μ
mであり、好ましくは10〜30μmとするとよい。
As the binder for the charge transport layer, the same binders as those for the charge generating layer described above can be used, but polyvinyl acetal resin, styrene resin and styrene-butadiene copolymer resin are preferred. The binder is used in an amount of 0 to 10 parts by weight, preferably 0.1 to 1 part by weight, based on 1 part by weight of the charge transport material. The thickness of the charge transport layer after drying is 1 to 50 μm.
m, and preferably 10 to 30 μm.

【0036】また、単層型光センサーの項で説明した持
続導電性付与剤、及び電子受容性物をこの積層型光セン
サーにおける電荷発生層、電荷輸送層中にそれぞれ同様
の割合で添加することができるが、好ましくは電荷発生
層中に添加するとよい。
Further, the persistent conductivity-imparting agent and the electron acceptor described in the section of the single-layer type photosensor should be added to the charge generation layer and the charge transport layer in this laminated type photosensor at the same ratios. However, it is preferably added to the charge generation layer.

【0037】また、上述した単層型光センサー、積層型
光センサーを有機光導電層とする場合には、溶剤として
ジクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、モノ
クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサ
ン、ジオキサン、1,2,3−トリクロロプロパン、エ
チルセルソルブ、1,1,1,−トリクロロエタン、メ
チルエチルケトン、クロロホルム、トルエン等を使用し
て塗布溶液とするとよく、塗布方法としては、ブレード
コーティング法、ディッピング法、スピンナーコーティ
ング法等が挙げられる。
When the above-mentioned single-layer photosensor or laminated photosensor is used as an organic photoconductive layer, dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, monochlorobenzene, tetrahydrofuran, cyclohexane, dioxane, 1 , 2,3-trichloropropane, ethyl cellosolve, 1,1,1, -trichloroethane, methyl ethyl ketone, chloroform, toluene and the like may be used as a coating solution. The coating method may be a blade coating method, a dipping method, a spinner. A coating method and the like can be mentioned.

【0038】次に、単層型センサー、積層型センサーに
おける電荷注入制御層について説明する。電荷注入制御
層は、必要に応じて電極13と光導電層14または電荷
発生層14′間に設けられるもので、光センサーにおけ
る電極13から光導電層14または電荷発生層14′へ
の電荷注入性を制御して情報記録媒体に実質的に印加さ
れる電圧を調節するために設けられるものである。
Next, the charge injection control layer in the single layer type sensor and the laminated type sensor will be described. The charge injection control layer is provided between the electrode 13 and the photoconductive layer 14 or the charge generation layer 14 ′ as needed, and the charge injection from the electrode 13 to the photoconductive layer 14 or the charge generation layer 14 ′ in the photosensor is performed. It is provided to control the characteristics and adjust the voltage substantially applied to the information recording medium.

【0039】このような電荷注入制御層は、情報記録媒
体における情報記録層が、特に、後述するような高分子
分散型液晶層である場合に、液晶の動作電圧領域に光セ
ンサーの感度を設定することが必要である。つまり、露
光部において情報記録媒体に印加される電位(明電位)
と未露光部において情報記録媒体に印加される電位(暗
電位)との差(コントラスト電位)を情報記録媒体にお
ける液晶の動作領域において大きく取ることが必要であ
るからである。
Such a charge injection control layer sets the sensitivity of the optical sensor in the operating voltage region of the liquid crystal when the information recording layer in the information recording medium is a polymer dispersed liquid crystal layer as described later. It is necessary to. That is, the potential (bright potential) applied to the information recording medium in the exposed portion
This is because it is necessary to make a large difference (contrast potential) between the potential (dark potential) applied to the information recording medium in the unexposed portion and the liquid crystal operating region in the information recording medium.

【0040】そのため、例えば光センサーの未露光部に
対応する液晶層に印加される暗電位は液晶の動作開始電
位程度に設定する必要がある。そのために光センサーバ
ルクに105 V/cm〜106 V/cmの電界が与えら
れた状態で10-4〜10-8A/cm2 の暗電流が生じる
程度の導電性が要求され、好ましくは10-5〜10-6
/cm2 の範囲が好ましい。暗電流が10-8A/cm2
以下の光センサーでは液晶層が露光状態でも配向せず、
また10-4A/cm2 以上の暗電流の光センサーでは未
露光状態でも電圧印加と同時に電流が多く流れ、液晶が
配向し露光したとしても露光による透過率の差が得られ
ない。電荷注入制御層は、このような情報記録媒体の特
性との関係で適宜設けられる。
Therefore, for example, the dark potential applied to the liquid crystal layer corresponding to the unexposed portion of the photosensor needs to be set to about the operation start potential of the liquid crystal. Therefore, the photosensor bulk is required to have such conductivity that a dark current of 10 −4 to 10 −8 A / cm 2 is generated in a state where an electric field of 10 5 V / cm to 10 6 V / cm is applied. Is 10 -5 to 10 -6 A
The range of / cm 2 is preferable. Dark current of 10 -8 A / cm 2
In the following optical sensors, the liquid crystal layer does not align even when exposed,
Further, in a photosensor having a dark current of 10 −4 A / cm 2 or more, a large amount of current flows simultaneously with voltage application even in an unexposed state, and even if the liquid crystal is aligned and exposed, a difference in transmittance due to exposure cannot be obtained. The charge injection control layer is appropriately provided in relation to the characteristics of such an information recording medium.

【0041】光サンサーにおける暗電位を低く抑えるこ
とが必要な場合には、電荷注入制御層は電荷注入防止性
を有する層とされる。電荷注入防止層は、いわゆるトン
ネル効果を利用した層と整流効果を利用した層との二種
類のものがある。トンネル効果を利用した層の膜厚は電
荷の注入を一定程度防止する絶縁性とトンネル効果の点
を考慮して使用される材質ごとに決められるが、本発明
の光センサーの特性を考慮し、適当な絶縁性とする必要
がある。膜厚は、厚くとも1μm以下とする必要があ
り、1μm以上であると本発明における光センサーの特
徴を有しないものとなる。
When it is necessary to suppress the dark potential in the optical sensor to a low level, the charge injection control layer is a layer having a charge injection preventing property. There are two types of charge injection prevention layers, a layer utilizing a so-called tunnel effect and a layer utilizing a rectifying effect. The film thickness of the layer utilizing the tunnel effect is determined for each material used in consideration of the insulating property and the tunnel effect for preventing charge injection to a certain extent, but considering the characteristics of the optical sensor of the present invention, It must be properly insulated. The film thickness needs to be at most 1 μm or less, and if it is 1 μm or more, the optical sensor of the present invention does not have the characteristics.

【0042】このような電荷注入性を一定程度防止する
層は、例えば無機絶縁性膜、有機絶縁性高分子膜、絶縁
性単分子膜等の単層、或いはこれらを積層して形成さ
れ、無機絶縁性膜としては、例えばAs2O3 、B2O3、Bi2O
3 、CdS 、CaO 、CeO2、Cr2O3、CoO 、GeO2、HfO2、Fe2
O3 、La2O3 、MgO 、MnO2、Nd2O3 、Nb2O5 、PbO 、Sb2
O3 、SiO2、SeO2、Ta2O5 、TiO2、WO3 、V2O5、Y2O5、Y
2O3、ZrO2、BaTiO3、Al2O3 、Bi2TiO5 、CaO-SrO 、CaO
-Y2O3、Cr-SiO、LiTaO3、PbTiO3、PbZrO3、ZrO2-Co 、Z
rO2-SiO2 、AlN 、BN、NbN 、Si3N4 、TaN 、TiN 、V
N、ZrN 、SiC 、TiC 、WC、Al4C3 等をグロー放電、蒸
着、スパッタリング等により形成される。
The layer for preventing the charge injection property to a certain extent is formed of, for example, a single layer such as an inorganic insulating film, an organic insulating polymer film, an insulating monomolecular film, or a laminate of these layers. As the insulating film, for example, As 2 O 3 , B 2 O 3 , Bi 2 O
3 , CdS, CaO, CeO 2 , Cr 2 O 3 , CoO, GeO 2 , HfO 2 , Fe 2
O 3 , La 2 O 3 , MgO, MnO 2 , Nd 2 O 3 , Nb 2 O 5 , PbO, Sb 2
O 3 , SiO 2 , SeO 2 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , WO 3 , V 2 O 5 , Y 2 O 5 , Y
2 O 3 , ZrO 2 , BaTiO 3 , Al 2 O 3 , Bi 2 TiO 5 , CaO-SrO, CaO
-Y 2 O 3 , Cr-SiO, LiTaO 3 , PbTiO 3 , PbZrO 3 , ZrO 2 -Co, Z
rO 2 -SiO 2 , AlN, BN, NbN, Si 3 N 4 , TaN, TiN, V
N, ZrN 2, SiC, TiC 3, WC, Al 4 C 3 etc. are formed by glow discharge, vapor deposition, sputtering or the like.

【0043】また、整流効果を利用した電荷注入防止層
は、整流効果を利用して電極基板の極性と逆極性の電荷
輸送能を有する電荷輸送層を設ける。すなわち、このよ
うな電荷注入防止層は無機光導電層、有機光導電層、有
機無機複合型光導電層で形成され、その膜厚は、厚くと
も5μm以下とする必要があり、5μm以上であると本
発明における光センサーの特徴を有しないものとなる。
The charge injection preventing layer utilizing the rectifying effect is provided with the charge transporting layer having the charge transporting ability of the polarity opposite to that of the electrode substrate by utilizing the rectifying effect. That is, such a charge injection prevention layer is formed of an inorganic photoconductive layer, an organic photoconductive layer, and an organic-inorganic hybrid type photoconductive layer, and the film thickness thereof needs to be 5 μm or less and is 5 μm or more. Therefore, the characteristics of the optical sensor according to the present invention are not provided.

【0044】具体的には、電極に負の電圧が印加される
場合はB、Al、Ga、In等をドープしたアモルファ
スシリコン光導電層、アモルファスセレン、またはオキ
サジアゾール、ピラゾリン、ポリビニルカルバゾール、
スチルベン、アントラセン、ナフタレン、トリジフェニ
ルメタン、トリフェニルメタン、アジン、アミン、芳香
族アミン等を合成樹脂中に分散して形成した有機光導電
層、電極に正の電圧が印加される場合は、P、N、A
s、Sb、Bi等をドープしたアモルファスシリコン光
導電層、ZnO光導電層等をグロー放電、蒸着、スパッ
タリング、CVD、コーティング等の方法により形成さ
れる。これらの光導電層は、電極側の極性を同じ極性の
キャリアーを発生する光導電性材料により形成する必要
がある。電極を負とする場合はB、Al、Ga、In等
をドープしたシリコン光導電層、電極が正の場合は、
P、N、As、Sb、Bi等をドープしたシリコン光導
電層、セレン光導電層、有機光導電層等をグロー放電、
蒸着、スパッタリング、CVD、コーティング等の方法
により形成される。
Specifically, when a negative voltage is applied to the electrodes, an amorphous silicon photoconductive layer doped with B, Al, Ga, In, etc., amorphous selenium, or oxadiazole, pyrazoline, polyvinylcarbazole,
Organic photoconductive layer formed by dispersing stilbene, anthracene, naphthalene, tridiphenylmethane, triphenylmethane, azine, amine, aromatic amine and the like in a synthetic resin, P when positive voltage is applied to the electrode, N, A
An amorphous silicon photoconductive layer doped with s, Sb, Bi or the like, a ZnO photoconductive layer, or the like is formed by a method such as glow discharge, vapor deposition, sputtering, CVD, or coating. These photoconductive layers must be formed of a photoconductive material that generates carriers of the same polarity on the electrode side. When the electrode is negative, a silicon photoconductive layer doped with B, Al, Ga, In, etc., and when the electrode is positive,
Glow discharge of a silicon photoconductive layer doped with P, N, As, Sb, Bi, etc., a selenium photoconductive layer, an organic photoconductive layer, etc.
It is formed by a method such as vapor deposition, sputtering, CVD and coating.

【0045】本発明の光センサーの製造工程について説
明する。 (1)基板の処理 光センサーの基板に凹凸が形成されていると、光センサ
ーの特性に悪影響を及ぼすので、基材となる青板ガラス
等の基板の表面をサンドブラスト等によって表面研磨
し、表面を±0.1μm以下に平滑にする。平滑化した
基材を、アルカリ洗浄剤、中性洗浄剤等の洗浄剤、有機
溶剤等によって基材表面に付着している油脂やその他の
汚染物質を除去し、スクラバー洗浄機等によって、表面
の清浄化を行う。スクラバー洗浄では、ブラシ等によっ
て表面の異物を除去したのちに、純水を噴射し、次いで
乾燥を行う。乾燥は基板を高速で回転して水分の除去の
後に赤外線等によって完全に水分を除去する。
The manufacturing process of the optical sensor of the present invention will be described. (1) Substrate treatment If the substrate of the optical sensor has irregularities, it adversely affects the characteristics of the optical sensor. Therefore, the surface of the substrate such as soda lime glass is polished by sandblasting, etc. Smooth to within ± 0.1 μm. Remove the oil and other contaminants adhering to the surface of the smoothed base material with a cleaning agent such as an alkali cleaner, a neutral cleaner, an organic solvent, etc. Clean it. In the scrubber cleaning, foreign substances on the surface are removed by a brush or the like, then pure water is sprayed and then dried. For drying, the substrate is rotated at a high speed to remove water, and then the water is completely removed by infrared rays or the like.

【0046】(2)電極層の成膜 充分に清浄化された基板上に、電極層の導電膜を形成す
る。導電膜の形成は、蒸着、スパッタリング、CVD、
めっき、ディッピング、該当する化合物の熱分解等によ
って金属、あるいはITO膜等の金属酸化物膜を形成す
る。形成する導電膜は50〜104 Ω/□の表面抵抗を
示す膜が好ましい。また、膜厚は例えばITO膜では1
0〜300nm程度であり、光透過率が80%以上のも
のが好ましい。また、導電膜は光センサーの情報記録層
に対向する全面、或いは光導電層の形成パターンに合わ
せて形成される。
(2) Formation of Electrode Layer A conductive film for an electrode layer is formed on a sufficiently cleaned substrate. The conductive film is formed by vapor deposition, sputtering, CVD,
A metal or a metal oxide film such as an ITO film is formed by plating, dipping, thermal decomposition of a corresponding compound, or the like. The conductive film to be formed is preferably a film having a surface resistance of 50 to 10 4 Ω / □. The film thickness is 1 for an ITO film, for example.
It is preferably about 0 to 300 nm and has a light transmittance of 80% or more. Further, the conductive film is formed on the entire surface facing the information recording layer of the photosensor or according to the pattern of the photoconductive layer.

【0047】(3)電極層のスクラブ処理 ついで、基材の電極層をスクラブ処理する。本発明は、
電極層上に光導電層の形成の前に、電極層のスクラブ処
理を行うことを特徴としている。本発明におけるスクラ
ブ処理とは、ナイロン、アクリル等のブラシあるいは多
孔性合成樹脂等から形成されたロール等による電極層表
面の処理方法である。本発明の光センサーのスクラブ処
理は、市販のスクラバー洗浄装置を使用することができ
る。スクラブ処理工程では、電極層上に純水を噴射した
後に、ブラシによって処理を行った後に、電極層上に純
水を噴射して洗浄し、次いで基板にスピンを与えて基板
上の水分を除去し、次いで赤外線乾燥を行っている。ま
た、スクラブ処理工程は、複数回繰り返し行っても良
い。
(3) Scrub Treatment of Electrode Layer Next, the electrode layer of the base material is scrubbed. The present invention is
It is characterized in that the electrode layer is scrubbed before the photoconductive layer is formed on the electrode layer. The scrub treatment in the present invention is a method of treating the surface of the electrode layer with a brush made of nylon, acrylic or the like, or a roll made of a porous synthetic resin or the like. A commercially available scrubber cleaning device can be used for the scrubbing of the optical sensor of the present invention. In the scrubbing process, after spraying pure water on the electrode layer, the brush is used for processing, and then pure water is sprayed on the electrode layer for cleaning, and then spin is applied to the substrate to remove water on the substrate. Then, infrared drying is performed. Further, the scrubbing process may be repeated a plurality of times.

【0048】(4)乾燥 スクラブ処理の終了した基板の表面から水分を除去す
る。水分の除去が不十分であると光導電層の形成時に付
着特性が低下するので充分に乾燥する必要がある。
(4) Drying Moisture is removed from the surface of the substrate after the scrub treatment. Insufficient removal of water reduces the adhesion properties during the formation of the photoconductive layer, so it is necessary to dry it sufficiently.

【0049】(5)光導電層の作製 電極層上へ形成する光導電層が無機光導電層の場合と有
機光導電層の場合があるが、無機光導電層は、光導電性
物質をスパッタリング、蒸着、CVD等の成膜手段ある
いは、無機光導電物質の微粒子を合成樹脂中に分散して
塗布し形成する。
(5) Preparation of Photoconductive Layer The photoconductive layer formed on the electrode layer may be an inorganic photoconductive layer or an organic photoconductive layer. The inorganic photoconductive layer is formed by sputtering a photoconductive substance. Film formation means such as vapor deposition, CVD or the like, or fine particles of an inorganic photoconductive substance are dispersed and applied in a synthetic resin.

【0050】有機光導電層の場合には、有機光導電性物
質をバインダーとともに有機溶剤中に分散する。とくに
有機光導電性物質として顔料を使用する場合には、サン
ドグラインダー、高強度剪断分散機、コロイドミル、超
音波分散装置等によって顔料の微粒子の分散性を高める
ことが必要となる。
In the case of the organic photoconductive layer, the organic photoconductive substance is dispersed in an organic solvent together with a binder. Particularly when a pigment is used as the organic photoconductive substance, it is necessary to enhance the dispersibility of the pigment fine particles by a sand grinder, a high strength shearing disperser, a colloid mill, an ultrasonic disperser or the like.

【0051】(6)電荷発生層の作製 有機光導電層が単層で形成されている場合には、有機光
導電層の厚さは5〜30μmであるが、有機光導電層が
電荷発生層と電荷輸送層の2層で形成されている場合に
は、電荷発生層の厚さは0.3μm程度の非常に薄いも
のである。
(6) Preparation of charge generation layer When the organic photoconductive layer is formed as a single layer, the thickness of the organic photoconductive layer is 5 to 30 μm, but the organic photoconductive layer is the charge generation layer. In the case where the charge generation layer is formed of two layers, the charge generation layer has a very thin thickness of about 0.3 μm.

【0052】したがって、光導電層が電荷発生層と電荷
輸送層の二層から形成されている電荷発生層用の分散液
は光導電層が単層である場合よりも高度に分散すること
が必要となる。このためには、分散をサンドグラインダ
ー、高強度度剪断分散機、コロイドミル、超音波分散装
置、分散液を高圧としてノズルから噴射した高速の分散
液を衝突させて乳化分散する装置等の乳化分散装置等を
使用することができるが、とくに、分散液を高圧にして
硬度の高い物質で形成した管路中へ吹き出して高速の分
散液として互いに衝突させる乳化分散装置を使用するこ
とが好ましく、光散乱回折法による50%平均粒径が
0.5μm以下に高度に分散させる。次いで、所定の濃
度に調整した塗布液は、ろ過し、電極層上に塗布する
が、塗布はスピンナーコート、ブレードコート、アプリ
ケータコート等によって行う。電荷発生層の塗布は、膜
厚が薄いので、固形分の少ない塗布液を塗布し、塗布膜
を密閉した容器内に収納して溶媒の蒸発速度を制御して
塗布膜の均一性を高めることが好ましく、溶媒の大部分
が蒸発した塗布膜について本乾燥し、所定の電荷発生層
を形成する。
Therefore, the dispersion liquid for the charge generation layer in which the photoconductive layer is composed of the two layers of the charge generation layer and the charge transport layer needs to be dispersed at a higher degree than when the photoconductive layer is a single layer. Becomes For this purpose, emulsification dispersion such as a sand grinder, a high-strength shear disperser, a colloid mill, an ultrasonic dispersion device, a device for emulsifying and dispersing by colliding high-speed dispersion liquid jetted from a nozzle under high pressure Although an apparatus or the like can be used, it is particularly preferable to use an emulsification dispersion apparatus in which the dispersion liquid is blown into a pipeline formed of a substance having high hardness under high pressure to collide with each other as a high-speed dispersion liquid. The 50% average particle diameter by the scattering diffraction method is highly dispersed to 0.5 μm or less. Next, the coating solution adjusted to a predetermined concentration is filtered and applied onto the electrode layer, which is applied by spinner coating, blade coating, applicator coating, or the like. Since the charge generation layer is applied thinly, apply a coating solution with a low solid content and store the coating film in a closed container to control the evaporation rate of the solvent and improve the uniformity of the coating film. It is preferable that the coating film from which most of the solvent is evaporated is dried to form a predetermined charge generation layer.

【0053】(7)電荷輸送層の作製 光導電層を電荷発生層と電荷輸送層の二層で構成した場
合には、電荷発生層上に電荷輸送層の塗布液を作製し、
充分に混合した後にろ過を行い電荷発生層と同様の方法
によって、電荷発生層上に塗布し、膜厚を均一化するた
めに、乾燥雰囲気中の有機溶剤を調整しながら有機溶剤
を除去し、有機溶剤が揮散した後に本乾燥を行う。 (8)保存 本乾燥を行った光センサーは、保存時の明暗、温度、湿
度、雰囲気等を調整して保存する。
(7) Preparation of charge transport layer When the photoconductive layer is composed of two layers, a charge generation layer and a charge transport layer, a coating solution for the charge transport layer is prepared on the charge generation layer,
By sufficiently mixing and then filtering, by the same method as the charge generation layer, applied on the charge generation layer, in order to make the film thickness uniform, the organic solvent is removed while adjusting the organic solvent in the dry atmosphere, Main drying is performed after the organic solvent has evaporated. (8) Storage The optical sensor that has been dried is stored by adjusting the brightness, temperature, humidity, atmosphere, etc. during storage.

【0054】(9)切断および電極出し 得られた光センサーは、所定の大きさに切断するととも
に、露光時の電圧印加用の電極の接続部を形成する。次
に、本発明の情報記録システムについて説明する。図3
は、第1の情報記録システムの態様をその断面により模
式的に説明するための図で、情報記録層11、電極層1
3′を順次積層した情報記録媒体3と上述した光センサ
ー1とをスペーサー19を配置して、光センサーと情報
記録媒体との間に空隙を設けて対向配置し、積層して構
成される。なお、以下の情報記録システムにおいて、光
センサーとして積層型光センサーでもって例示するが、
単層型光センサーも同様に使用される。
(9) Cutting and Electrode Extraction The obtained optical sensor is cut into a predetermined size, and at the same time, a connecting portion of an electrode for voltage application during exposure is formed. Next, the information recording system of the present invention will be described. Figure 3
FIG. 1 is a diagram for schematically explaining the aspect of the first information recording system by its cross section, and shows the information recording layer 11 and the electrode layer 1.
An information recording medium 3 in which 3'is sequentially laminated and the above-mentioned optical sensor 1 are arranged with a spacer 19 and a space is provided between the optical sensor and the information recording medium so as to be opposed to each other and laminated. In the information recording system below, a laminated optical sensor will be exemplified as an optical sensor.
Single layer photosensors are used as well.

【0055】情報記録媒体3について説明する。まず、
本発明における情報記録媒体としては、その情報記録層
が高分子分散型液晶とする場合が挙げられる。本発明に
おける高分子分散型液晶は液晶相中に合成樹脂粒子が分
散した構造を有しているが、液晶材料は、スメクチック
液晶、ネマチック液晶、コレステリック液晶あるいはこ
れらの混合物を使用することができる。液晶としては、
その配向性を保持し、情報を永続的に保持させるメモリ
ー性の観点から、スメクチック液晶を使用するのが好ま
しい。
The information recording medium 3 will be described. First,
Examples of the information recording medium in the present invention include a case where the information recording layer is polymer dispersed liquid crystal. The polymer-dispersed liquid crystal in the present invention has a structure in which synthetic resin particles are dispersed in the liquid crystal phase, and as the liquid crystal material, smectic liquid crystal, nematic liquid crystal, cholesteric liquid crystal, or a mixture thereof can be used. As a liquid crystal,
It is preferable to use a smectic liquid crystal from the viewpoint of a memory property that retains its orientation and permanently retains information.

【0056】スメクチック液晶としては、液晶性を呈す
る物質の末端基の炭素鎖が長いシアノビフェニル系、シ
アノターフェニル系、フェニルエステル系、更にフッ素
系等のスメクチックA相を呈する液晶物質、強誘電性液
晶として用いられるスメクチックC相を呈する液晶物
質、或いはスメクチックH、G、E、F等を呈する液晶
物質等が挙げられる。
As the smectic liquid crystal, a liquid crystal substance exhibiting a smectic A phase such as a cyanobiphenyl system, a cyanoterphenyl system, a phenyl ester system having a long terminal carbon chain of a substance exhibiting liquid crystallinity, or a fluorine system, a ferroelectric substance Examples thereof include a liquid crystal substance exhibiting a smectic C phase used as a liquid crystal, a liquid crystal substance exhibiting smectic H, G, E, F and the like.

【0057】又、ネマチック液晶を使用してもよく、ス
メクチック或いはコレステリック液晶と混合することに
よりメモリー性を向上させることができ、例えば、シッ
フ塩基系、アゾキシ系、アゾ系、安息香酸フェニルエス
テル系、シクロヘキシル酸フェニルエステル系、ビフェ
ニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン系、
フェニルピリジン系、フェニルオキサジン系、多環エタ
ン系、フェニルシクロヘキセン系、シクロヘキシルピリ
ミジン系、フェニル系、トラン系等の公知のネマチック
液晶を使用できる。又、ポリビニルアルコール等と液晶
材料を混合してマイクロカプセル化したものも使用でき
る。なお、液晶材料を選ぶ際には、屈折率の異方向性の
大きい材料の方がコントラストがとれるので好ましい。
A nematic liquid crystal may be used, and the memory property can be improved by mixing it with a smectic or cholesteric liquid crystal. For example, a Schiff base type, an azoxy type, an azo type, a benzoic acid phenyl ester type, Cyclohexyl acid phenyl ester type, biphenyl type, terphenyl type, phenyl cyclohexane type,
Known nematic liquid crystals such as phenyl pyridine type, phenyl oxazine type, polycyclic ethane type, phenyl cyclohexene type, cyclohexyl pyrimidine type, phenyl type and tolan type can be used. Also, a microcapsule obtained by mixing polyvinyl alcohol or the like with a liquid crystal material can be used. When selecting a liquid crystal material, it is preferable to use a material having a large anisotropy in the refractive index because the contrast can be obtained.

【0058】合成樹脂粒子を形成する材料としては、例
えば、紫外線硬化型樹脂であって、モノマー、オリゴマ
ーの状態で液晶材料と相溶性を有するもの、或いはモノ
マー、オリゴマーの状態で液晶材料と共通の溶媒に相溶
性を有するものを好ましく使用できる。このような紫外
線硬化型樹脂としては、例えばアクリル酸エステル、メ
タクリル酸エステル等が挙げられ、モノマー、オリゴマ
ーの状態で、例えばジペンタエリスリトールヘキサアク
リレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、ポリプロピレ
ングリコールジアクリレート、イソシアヌール酸(エチ
レンオキサイド変性)トリアクリレート、ジペンタエリ
スリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトー
ルテトラアクリレート、ネオペンチルグリコールジアク
リレート、ヘキサンジオールジアクリレート等の多官能
性モノマー或いは多官能性ウレタン系、エステル系オリ
ゴマー、更にノニルフェノール変性アクリレート、N−
ビニル−2−ピロリドン、2−ヒドロキシ−3−フェノ
キシプロピルアクリレート等の単官能性モノマー或いは
オリゴマー等が挙げられる。
The material for forming the synthetic resin particles is, for example, an ultraviolet curable resin which is compatible with the liquid crystal material in the monomer or oligomer state, or is common with the liquid crystal material in the monomer or oligomer state. Those having compatibility with the solvent can be preferably used. Examples of such an ultraviolet curable resin include acrylic acid ester, methacrylic acid ester and the like, and in a monomer or oligomer state, for example, dipentaerythritol hexaacrylate, trimethylolpropane triacrylate,
Polyfunctional monomers such as polyethylene glycol diacrylate, polypropylene glycol diacrylate, isocyanuric acid (ethylene oxide modified) triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, neopentyl glycol diacrylate, hexanediol diacrylate Polyfunctional urethane type, ester type oligomer, nonylphenol modified acrylate, N-
Examples include monofunctional monomers or oligomers such as vinyl-2-pyrrolidone and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate.

【0059】溶媒としては、共通の溶媒であれば特に問
題はなく、例えばキシレン等に代表される炭化水素系溶
媒、クロロホルム等に代表されるハロゲン化炭化水素系
溶媒、メチルセロソルブ等に代表されるアルコール誘導
体系溶媒、ジオキサン等に代表されるエーテル系溶媒等
が挙げられる。
The solvent is not particularly limited as long as it is a common solvent. For example, a hydrocarbon solvent represented by xylene or the like, a halogenated hydrocarbon solvent represented by chloroform or the like, or methyl cellosolve is represented. Examples thereof include alcohol derivative solvents and ether solvents represented by dioxane.

【0060】紫外線硬化型樹脂を硬化させる光硬化剤と
しては、例えば2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェ
ニルプロパン−1−オン(メルク社製 ダロキュア11
73)、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
(チバ・ガイギー社製 イルガキュア184)、1−
(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−
メチルプロパン−1−オン(メルク社製 ダロキュア1
116)、ベンジルジメチルケタール(チバ・ガイギー
社製 イルガキュア651)、2−メチル−1−〔4−
(メチルチオ)フェニル〕−2−モルホリノプロパノン
−1(チバ・ガイギー社製 イルガキュア907)、
2,4−ジエチルチオキサントン(日本化薬社製 カヤ
キュアDETX)とp−ジメチルアミノ安息香酸エチル
(日本化薬社製カヤキュアEPA)との混合物、イソプ
ロピルチオキサントン(ワードブレキンソップ社製 ク
ンタキュア・ITX)とp−ジメチルアミノ安息香酸エ
チルとの混合物等が挙げられるが、液状である2−ヒド
ロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン
が液晶材料、重合体形成性モノマー若しくはオリゴマー
との相溶性の面で特に好ましい。
Examples of the photo-curing agent for curing the ultraviolet curable resin include 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one (Darocur 11 manufactured by Merck & Co., Inc.).
73), 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Irgacure 184 manufactured by Ciba-Geigy), 1-
(4-Isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-
Methylpropan-1-one (Merck Darocur 1
116), benzyl dimethyl ketal (Irgacure 651 manufactured by Ciba-Geigy), 2-methyl-1- [4-
(Methylthio) phenyl] -2-morpholinopropanone-1 (Ciba-Geigy Irgacure 907),
A mixture of 2,4-diethylthioxanthone (Kayacure DETX manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and ethyl p-dimethylaminobenzoate (Kayacure EPA manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), isopropylthioxanthone (KuntaCure ITX manufactured by Ward Brekinsop), and Examples thereof include a mixture with ethyl p-dimethylaminobenzoate, but liquid 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one is compatible with a liquid crystal material, a polymer-forming monomer or an oligomer. Is particularly preferable in terms of.

【0061】液晶材料と合成樹脂の使用割合は、液晶の
含有量が10重量%〜90重量%、好ましくは40重量
%〜80重量%となるように使用するとよく、10重量
%未満であると情報記録により液晶相が配向しても光透
過性が低く、また、90重量%を越えると液晶の滲み出
し等の現象が生じ、画像ムラが生じ好ましくない。液晶
は情報記録相中に多く存在させることにより、コントラ
スト比を向上させ、動作電圧を低くすることができる。
The liquid crystal material and the synthetic resin may be used so that the content of the liquid crystal is 10% by weight to 90% by weight, preferably 40% by weight to 80% by weight, and less than 10% by weight. Even if the liquid crystal phase is oriented by information recording, the light transmittance is low, and if it exceeds 90% by weight, a phenomenon such as liquid crystal bleeding occurs, resulting in image unevenness, which is not preferable. A large amount of liquid crystal is present in the information recording phase to improve the contrast ratio and reduce the operating voltage.

【0062】情報記録層の形成方法は、合成樹脂形成用
材料と液晶、光硬化剤等を溶媒に溶解または分散させた
混合溶液を、電極層上にブレードコーター、ロールコー
ター、或いはスピンコーター等の塗布方法により塗布
し、光または熱により合成樹脂形成用材料を硬化させる
ことにより形成される。なお、必要に応じて、溶液の塗
布適性を向上させ、表面性を良くするためにレベリング
剤を添加してもよい。
The information recording layer is formed by mixing a synthetic resin forming material, a liquid crystal, a photo-curing agent and the like in a solvent or mixing the mixed solution with a blade coater, a roll coater or a spin coater. It is formed by applying by a coating method and curing the synthetic resin forming material by light or heat. If necessary, a leveling agent may be added to improve the coating suitability of the solution and improve the surface property.

【0063】情報記録層形成にあたっては、液晶が等方
相を保持する温度以上に混合溶液を加熱し、液晶と紫外
線硬化型樹脂形成材料とを完全に相溶させることが必要
であり、これにより、合成樹脂相と液晶相とが均一に分
散した情報記録層とすることができる。液晶が等方相を
示す温度以下で紫外線硬化させると、液晶と紫外線硬化
型樹脂材料との相分離が大きくなるという問題が生じ
る。すなわち、液晶ドメインが成長しすぎ、情報記録層
表面にスキン層が完全に形成されず、液晶の滲み出し現
象が生じたり、また紫外線硬化型樹脂がマット化し、正
確に情報を取り込むことが困難となり、好ましくなく、
紫外線硬化型樹脂が液晶を保持できず、情報記録層を形
成されないことすらある。他方、溶媒を蒸発させる際
に、等方相を保持するために加熱が必要な場合には、特
に電極層に対する濡れ性が低下し、均一な情報記録層が
得られないという問題がある。
In forming the information recording layer, it is necessary to heat the mixed solution to a temperature at which the liquid crystal maintains an isotropic phase or more so that the liquid crystal and the ultraviolet curable resin forming material are completely compatible with each other. It is possible to form an information recording layer in which the synthetic resin phase and the liquid crystal phase are uniformly dispersed. If the liquid crystal is UV-cured at a temperature below the isotropic phase, there arises a problem that the phase separation between the liquid crystal and the UV-curable resin material becomes large. That is, the liquid crystal domain grows too much, the skin layer is not completely formed on the surface of the information recording layer, the phenomenon of liquid crystal bleeding occurs, and the ultraviolet curable resin becomes matte, making it difficult to accurately capture information. Unfavorable,
The ultraviolet curable resin may not be able to hold the liquid crystal and may not even form the information recording layer. On the other hand, when heating is required to maintain the isotropic phase when the solvent is evaporated, there is a problem that wettability with respect to the electrode layer is particularly lowered and a uniform information recording layer cannot be obtained.

【0064】電極層に対する濡れ性を維持するとともに
合成樹脂の表面に被膜を形成することを目的として、情
報記録層にフッ素系界面活性剤を添加するとよい。この
ようなフッ素系界面活性剤としては、例えば住友スリー
エム(株)製、フロラードFC−430、同フロラード
FC−431、N−(n−プロピル)−N−(β−アク
リロキシエチル)−パーフルオロオクチルスルホン酸ア
ミド(三菱マテリアル(株)製EF−125M)、N−
(n−プロピル)−N−(β−メタクリロキシエチル)
−パーフルオロオクチルスルホン酸アミド(三菱マテリ
アル(株)製EF−135M)、パーフルオロオクタン
スルホン酸(三菱マテリアル(株)製EF−101)、
パーフルオロカプリル酸(三菱マテリアル(株)製EF
−201)、N−(n−プロピル)−N−パーフルオロ
オクタンスルホン酸アミドエタノール(三菱マテリアル
(株)製EF−121)等の特願平5−4721号に記
載のものが挙げられる。フッ素系界面活性剤は、液晶と
合成樹脂形成材料との合計量に対して0.1〜20重量
%の割合で添加される。
A fluorosurfactant may be added to the information recording layer for the purpose of maintaining wettability with respect to the electrode layer and forming a film on the surface of the synthetic resin. Examples of such a fluorinated surfactant include, for example, Sumitomo 3M Co., Ltd., Fluorard FC-430, Fluorard FC-431, N- (n-propyl) -N- (β-acryloxyethyl) -perfluoro. Octyl sulfonic acid amide (EF-125M manufactured by Mitsubishi Materials Corporation), N-
(N-Propyl) -N- (β-methacryloxyethyl)
-Perfluorooctyl sulfonic acid amide (Mitsubishi Materials EF-135M), perfluorooctane sulfonic acid (Mitsubishi Materials EF-101),
Perfluorocaprylic acid (EF manufactured by Mitsubishi Materials Corporation)
-201), N- (n-propyl) -N-perfluorooctane sulfonic acid amide ethanol (EF-121 manufactured by Mitsubishi Materials Corp.), and the like described in Japanese Patent Application No. 5-4721. The fluorinated surfactant is added in a proportion of 0.1 to 20% by weight based on the total amount of the liquid crystal and the synthetic resin forming material.

【0065】また、情報記録層形成における塗布溶液に
おける固形分濃度は10〜60重量%とするとよく、硬
化に際して、合成樹脂の種類、濃度、塗布層温度、また
紫外線照射条件等の硬化条件を適宜に設定することによ
り、外表皮層として液晶相を有しない合成樹脂層のみか
らなるスキン層を良好に形成させることができ、これに
より情報記録層における液晶の使用割合を増大すること
ができ、また液晶の滲み出しを無くすることができる。
The solid content concentration in the coating solution for forming the information recording layer may be 10 to 60% by weight, and the type of the synthetic resin, the concentration, the temperature of the coating layer, the ultraviolet irradiation conditions, and other curing conditions may be appropriately set during curing. By setting to, it is possible to satisfactorily form a skin layer consisting only of a synthetic resin layer having no liquid crystal phase as the outer skin layer, which can increase the proportion of liquid crystal used in the information recording layer, and It is possible to eliminate the seepage.

【0066】以上、合成樹脂材料として紫外線硬化型樹
脂について説明したが、その他、液晶材料と共通の溶媒
に相溶性を有する溶媒可溶型の熱硬化性樹脂、例えばア
クリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
スチレン樹脂、及びこれらを主体とした共重合体等、エ
ポキシ樹脂、シリコーン樹脂等を使用してもよい。
Although the ultraviolet curable resin has been described above as the synthetic resin material, a solvent-soluble thermosetting resin having compatibility with the solvent common to the liquid crystal material, such as an acrylic resin, a methacrylic resin, or a polyester resin, has been described above. A polystyrene resin, a copolymer containing them as a main component, an epoxy resin, a silicone resin, or the like may be used.

【0067】情報記録層の膜厚は解像性に影響を与える
ので、乾燥後膜厚0.1μm〜10μm、好ましくは3
μm〜8μmとするとよく、高解像性を維持しつつ、動
作電圧も低くすることができる。膜厚が薄すぎると情報
記録部のコントラストが低く、また、厚すぎると動作電
圧が高くなるので好ましくない。
Since the film thickness of the information recording layer affects the resolution, the film thickness after drying is 0.1 μm to 10 μm, preferably 3 μm.
The thickness may be set to μm to 8 μm, and the operating voltage can be lowered while maintaining high resolution. If the film thickness is too thin, the contrast of the information recording portion will be low, and if it is too thick, the operating voltage will be high, which is not preferable.

【0068】なお、情報記録層がそれ自体支持性を有
し、支持体を省略する場合には、情報記録層の表面には
スキン層が形成されているので、例えばITO膜を蒸着
法、スパッタ法等により積層してもひび割れが生じな
く、導電性の低下のないものとできる。この場合、仮支
持体上に設けた情報記録層上に電極層を設けた後、仮支
持体を剥離して情報記録媒体とするとよい。
When the information recording layer itself has a supporting property and the support is omitted, a skin layer is formed on the surface of the information recording layer. Therefore, for example, an ITO film is formed by vapor deposition or sputtering. Even if laminated by a method or the like, cracking does not occur and the conductivity is not lowered. In this case, it is advisable to form the information recording medium by peeling off the temporary support after providing the electrode layer on the information recording layer provided on the temporary support.

【0069】情報記録媒体における電極層13′は、上
述の光センサーにおける電極層13と同様の材料、及び
同様の積層方法で基板15上に設けられる。この情報記
録媒体は、図3に示すように上述した光センサーとスペ
ーサー19を介して、対向配置し、両電極層13、1
3′を電圧源Vを介して結線して第1の情報記録システ
ムとされる。このシステムにおける電極層13、13′
は、いずれか一方、または両方が透明性であればよい。
The electrode layer 13 'in the information recording medium is provided on the substrate 15 by using the same material as that of the electrode layer 13 in the above-described photosensor and the same laminating method. As shown in FIG. 3, this information recording medium is arranged so as to face the above-mentioned optical sensor via a spacer 19, and both electrode layers 13 and 1 are provided.
3'is connected via a voltage source V to form a first information recording system. Electrode layers 13, 13 'in this system
It suffices that either one or both of them be transparent.

【0070】スペーサーとしては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリ
ロニトリル、ポリアミド、ポリプロピレン、酢酸セルロ
ース、エチルセルロース、ポリカーボネート、ポリスチ
レン、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂フィルムを
使用して形成するとよく、また、上記各樹脂溶液を塗
布、乾燥させて形成してもよい。また、アルミニウム、
セレン、テルル、金、白金等の金属材料又は無機或いは
有機化合物を蒸着して形成してもよい。スペーサーの膜
厚は、光センサーと情報記録媒体との空隙距離となり、
情報記録層に印加される電圧配分に影響を与えるので、
少なくとも100μm以下とするとよく、好ましくは3
μm〜30μmとするとよい。
As the spacer, a resin film of polyester such as polyethylene terephthalate, polyimide, polyethylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyacrylonitrile, polyamide, polypropylene, cellulose acetate, ethyl cellulose, polycarbonate, polystyrene, polytetrafluoroethylene, etc. It may be formed by using, or may be formed by applying and drying each of the above resin solutions. Also aluminum,
It may be formed by vapor deposition of a metal material such as selenium, tellurium, gold or platinum, or an inorganic or organic compound. The film thickness of the spacer is the gap distance between the optical sensor and the information recording medium,
Since it affects the voltage distribution applied to the information recording layer,
At least 100 μm or less is preferable, and 3 is preferable.
It is good to set it to 30-30 micrometers.

【0071】次に、第2の情報記録システムについて説
明する。図4は、本発明の第2の情報記録システムを断
面図により示す図であり、図中20は誘電体層であり、
また、図2と同一符号は同一内容を示す。第2の情報記
録システムは、第1の情報記録システムにおける光セン
サーと情報記録媒体とを誘電体層20を介して対向配置
し、直接積層したものである。第2の情報記録システム
は、光センサーにおける光導電層が溶媒を使用して塗布
形成される場合に特に適しており、光導電層上に情報記
録層を直接塗布形成すると、それらの相互作用により情
報記録層における液晶が溶出したり、又、情報記録層形
成用の溶媒により光導電材料が溶出することによる画像
ムラを防止することができ、また光センサーと情報記録
媒体との一体化を可能とするものである。
Next, the second information recording system will be described. FIG. 4 is a sectional view showing a second information recording system of the present invention, in which 20 is a dielectric layer,
The same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same contents. In the second information recording system, the optical sensor and the information recording medium in the first information recording system are arranged so as to face each other with the dielectric layer 20 in between, and are directly laminated. The second information recording system is particularly suitable when the photoconductive layer in the photosensor is formed by coating using a solvent, and when the information recording layer is directly formed by coating on the photoconductive layer, the interaction between them causes It is possible to prevent image unevenness due to liquid crystal elution in the information recording layer, or elution of the photoconductive material by the solvent for forming the information recording layer, and it is possible to integrate the optical sensor and the information recording medium. It is what

【0072】誘電体層20は、その形成にあたって、光
導電層形成材料、情報記録層形成材料のいずれに対して
も溶解性を有しないことが必要であり、また導電性を有
しないことが必要である。導電性を有する場合には、空
間電荷の拡散が生じ、解像度の劣化が生じることから絶
縁性が要求される。また、誘電体層は液晶層にかかる分
配電圧を低下させたり、或いは解像性を悪化させるの
で、膜厚は薄い方が好ましく、2μm以下とするとよい
が、逆に薄くすることにより、経時的な相互作用による
画像ノイズの発生ばかりでなく、積層塗布する際にピン
ホール等の欠陥による浸透の問題が生じる。ピンホール
等の欠陥による浸透性は積層塗布する材料の固形分比
率、溶媒の種類、粘度により異なるので、積層塗布され
るものの膜厚は適宜設定されるが、少なくとも10μm
以下の膜厚とするとよく、好ましくは0.1〜3μmと
するとよい。さらに、各層に掛かる電圧分配を考慮した
場合、薄膜化と共に誘電率の高い材料が好ましい。
When forming the dielectric layer 20, it is necessary that the dielectric layer 20 is not soluble in both the photoconductive layer forming material and the information recording layer forming material, and that it is not conductive. Is. In the case of having conductivity, the space charge is diffused and the resolution is deteriorated, so that the insulating property is required. Further, the dielectric layer lowers the distribution voltage applied to the liquid crystal layer or deteriorates the resolution. Therefore, it is preferable that the film thickness is thin, and it is preferable that the film thickness be 2 μm or less. In addition to the generation of image noise due to various interactions, there is a problem of penetration due to defects such as pinholes in the multilayer coating. The penetrability due to defects such as pinholes depends on the solid content ratio of the material to be laminated and coated, the type of solvent, and the viscosity, so the film thickness of the laminated coating is set appropriately, but at least 10 μm
The following film thickness is preferable, and 0.1 to 3 μm is preferable. Further, in consideration of the voltage distribution applied to each layer, it is preferable to use a material having a high dielectric constant as well as a thin film.

【0073】誘電体層を形成する材料としては、無機材
料では SiO2 、TiO2、CeO2、Al2O3、GeO2、Si3N4 、AlN
、TiN 等を使用し、蒸着法、スパッタ法、化学蒸着
(CVD)法等により積層して形成するとよい。また、
有機溶剤に対して相溶性の少ない水溶性合成樹脂、例え
ばポリビニルアルコール、水系ポリウレタン、水ガラス
等の水溶液を使用し、スピンコート法、ブレードコート
法、ロールコート法等により積層してもよい。更に、塗
布可能なフッ素樹脂を使用してもよく、この場合にはフ
ッ素系溶剤に溶解し、スピンコート法により塗布する
か、またブレードコート法、ロールコート法等により積
層してもよい。
As the material for forming the dielectric layer, inorganic materials such as SiO 2 , TiO 2 , CeO 2 , Al 2 O 3 , GeO 2 , Si 3 N 4 and AlN are used.
, TiN, etc., and may be formed by stacking by a vapor deposition method, a sputtering method, a chemical vapor deposition (CVD) method, or the like. Also,
A water-soluble synthetic resin having a low compatibility with an organic solvent, for example, an aqueous solution of polyvinyl alcohol, water-based polyurethane, water glass or the like may be used and laminated by a spin coating method, a blade coating method, a roll coating method or the like. Further, a coatable fluororesin may be used, and in this case, it may be dissolved in a fluorine-based solvent and applied by a spin coating method, or may be laminated by a blade coating method, a roll coating method or the like.

【0074】塗布可能なフッ素樹脂としては、例えば特
開平1−131215号公報等に開示されたフッ素樹
脂、更に真空系で膜形成されるポリパラキシリレン等の
有機材料を好ましく使用することができる。
As the fluororesin which can be applied, for example, the fluororesins disclosed in JP-A-1-131215 and the like, and organic materials such as polyparaxylylene film-formed in a vacuum system can be preferably used. .

【0075】次に、本発明の第1及び第2の情報記録シ
ステムにおける情報記録方法について説明する。図12
は、本発明の第1の情報記録システムにおける情報記録
方法を説明するための図である。第2の情報記録システ
ムにおいても同様である。図中11は情報記録層、13
は光センサー電極、13′は情報記録媒体電極、14は
光導電層、21は光源、22は駆動機構を有するシャッ
ター、23はパルスジェネレーター(電源)、24は暗
箱を示す。
Next, an information recording method in the first and second information recording systems of the present invention will be described. 12
FIG. 6 is a diagram for explaining an information recording method in the first information recording system of the present invention. The same applies to the second information recording system. In the figure, 11 is an information recording layer, 13
Is an optical sensor electrode, 13 'is an information recording medium electrode, 14 is a photoconductive layer, 21 is a light source, 22 is a shutter having a driving mechanism, 23 is a pulse generator (power supply), and 24 is a dark box.

【0076】まず、電源により電極13、13′間に電
圧を印加する。なお、この情報記録媒体への記録に際し
て、情報記録媒体を例えばその支持体中に埋設した抵抗
加熱(図示せず)により加熱し、液晶を液晶相を示す温
度まで加熱すると、より液晶におけるメモリー性を向上
させることができる。
First, a voltage is applied between the electrodes 13 and 13 'by a power source. When recording on the information recording medium, the information recording medium is heated by, for example, resistance heating (not shown) embedded in the support to heat the liquid crystal to a temperature at which the liquid crystal phase is exhibited. Can be improved.

【0077】電極13、13′間に、パルスジェネレー
ター23により電圧を印加しつつ、光源21から情報光
を入射させると、光が入射した部分の光導電層14で発
生した光キャリアは、両電極により形成される電界によ
り情報記録層11側の界面まで移動し、電圧の再配分が
行われ、情報記録層11における液晶相が配向し、情報
光のパターンに応じた記録が行なわれる。また、本発明
の情報記録方法においては、電極13、13′間に電圧
を印加する前に、光センサーにおける光キャリヤーを発
生させるために、例えば1000ルックスの光を30秒
以上の強露光を行う前処理を行い、ついで暗室下での電
圧印加露光してもよい。これにより、光センサーにおけ
る増幅機能を強化することができる。また、液晶によっ
て動作電圧及び範囲が異なるものもあるので、印加電圧
及び印加電圧時間を設定するにあたっては、情報記録媒
体における電圧配分を適宜設定し、情報記録層にかかる
電圧配分を液晶の動作電圧領域に設定するとよい。
When information light is made incident from the light source 21 while applying a voltage by the pulse generator 23 between the electrodes 13 and 13 ', photo carriers generated in the photoconductive layer 14 at the portion where the light is made incident are generated on both electrodes. By the electric field formed by, the electric field moves to the interface on the information recording layer 11 side, the voltage is redistributed, the liquid crystal phase in the information recording layer 11 is aligned, and recording is performed according to the pattern of information light. In addition, in the information recording method of the present invention, before applying a voltage between the electrodes 13 and 13 ', strong light exposure of, for example, 1000 lux is performed for 30 seconds or more in order to generate photocarriers in the photosensor. Pretreatment may be performed, and then voltage application exposure may be performed in a dark room. As a result, the amplification function of the optical sensor can be enhanced. Further, since the operating voltage and range vary depending on the liquid crystal, when setting the applied voltage and the applied voltage time, the voltage distribution in the information recording medium is appropriately set, and the voltage distribution applied to the information recording layer is set to the operating voltage of the liquid crystal. It is recommended to set it in the area.

【0078】本発明の情報記録方法は、面状アナログ記
録が可能であり、液晶レベルでの記録が得られるので、
高解像度の記録となり、また露光パターンは液晶相の配
向により可視像化されて保持される。
According to the information recording method of the present invention, planar analog recording is possible and recording at the liquid crystal level can be obtained.
High-resolution recording is performed, and the exposure pattern is retained as a visible image due to the orientation of the liquid crystal phase.

【0079】情報記録システムの形態としては、カメラ
による方法、またレーザーによる記録方法がある。カメ
ラによる方法としては、通常のカメラに使用されている
写真フィルムの代わりに情報記録媒体が使用され、記録
部材とするもので、光学的なシャッタも使用しうるし、
また電気的なシャッタも使用しうるものである。また、
プリズム及びカラーフィルターにより光情報を、R、
G、B光成分に分離し、平行光として取り出しR、G、
B分解した情報記録媒体3セットで1コマを形成する
か、または1平面上にR、G、B像を並べて1セットで
1コマとすることにより、カラー撮影することもでき
る。
As a form of the information recording system, there are a method using a camera and a recording method using a laser. As a method using a camera, an information recording medium is used instead of a photographic film used in a normal camera, which is used as a recording member, and an optical shutter can also be used.
An electric shutter can also be used. Also,
R, R
G and B light components are separated and extracted as parallel light R, G,
Color photography can also be performed by forming one frame from three sets of information recording media that have been separated into B or by arranging R, G, and B images on one plane to form one frame.

【0080】また、レーザーによる記録方法としては、
光源としてはアルゴンレーザー(514.488n
m)、ヘリウム−ネオンレーザー(633nm)、半導
体レーザー(780nm、810nm等)が使用でき、
画像信号、文字信号、コード信号、線画信号に対応した
レーザー露光をスキャニングにより行うものである。画
像のようなアナログ的な記録は、レーザーの光強度を変
調して行い、文字、コード、線画のようなデジタル的な
記録は、レーザー光のON−OFF制御により行う。ま
た画像において網点形成されるものには、レーザー光に
ドットジェネレーターON−OFF制御をかけて形成す
るものである。なお、光センサーにおける光導電層の分
光特性は、パンクロマティックである必要はなく、レー
ザー光源の波長に感度を有していればよい。
As a recording method using a laser,
Argon laser (514.488n)
m), a helium-neon laser (633 nm), a semiconductor laser (780 nm, 810 nm, etc.) can be used,
Laser exposure corresponding to an image signal, a character signal, a code signal, and a line drawing signal is performed by scanning. An analog recording such as an image is performed by modulating the light intensity of the laser, and a digital recording such as a character, a code or a line drawing is performed by ON / OFF control of the laser light. In the case of halftone dot formation in an image, laser light is subjected to dot generator ON-OFF control. The spectral characteristic of the photoconductive layer in the optical sensor does not need to be panchromatic, and may be sensitive to the wavelength of the laser light source.

【0081】情報記録媒体に記録された露光情報は、図
13に示すように第1の情報記録システムの場合には情
報記録媒体を分離して、また第2の情報記録システムの
場合にはそのまま透過光により情報を再生すると、情報
記録部では液晶が電界方向に配向するために光Aは透過
するのに対して、情報を記録していない部位においては
光Bは散乱し、情報記録部とのコントラストがとれる。
また、光反射層を介して反射光により読み取ってもよ
い。
The exposure information recorded on the information recording medium is separated from the information recording medium in the case of the first information recording system as shown in FIG. 13, or is kept as it is in the case of the second information recording system. When the information is reproduced by the transmitted light, the light A is transmitted because the liquid crystal is oriented in the direction of the electric field in the information recording portion, while the light B is scattered in the portion where the information is not recorded and the information recording portion The contrast can be taken.
Further, it may be read by reflected light through the light reflecting layer.

【0082】この積層体を組み込んだ、図12に示す情
報記録系において、光センサーと情報記録媒体における
両電極層間に850Vの直流電圧を0.05秒印加する
と同時に、撮像用カメラ(マミヤ社製RB67)にて、
グレースケールを1/30秒間、光センサー側から投影
露光した。露光後、情報記録媒体を取り出した。透過光
により情報記録媒体を観察したところ、情報記録層には
グレースケールに応じた光透過部からなる記録部が観察
された。
In the information recording system shown in FIG. 12 in which this laminated body is incorporated, a DC voltage of 850 V is applied for 0.05 seconds between both electrodes of the optical sensor and the information recording medium, and at the same time, an image pickup camera (made by Mamiya Co., Ltd.) is used. At RB67)
The grayscale was projected and exposed from the photosensor side for 1/30 seconds. After the exposure, the information recording medium was taken out. When the information recording medium was observed with transmitted light, a recording portion composed of a light transmitting portion corresponding to gray scale was observed in the information recording layer.

【0083】次いで、情報記録媒体における記録情報
を、図14に示すように構築した情報出力系により再生
した。図中、41はフィルムスキャナー、42はパソコ
ン、43はプリンターである。情報記録媒体を、フィル
ムスキャナー(ニコン社製、LS−3500)51にか
けて記録情報を読み取り、その情報を昇華転写プリンタ
ー(JVC社製、SP−5500)を使用して情報出力
した結果、グレースケールに応じた良好な印刷物が得ら
れた。
Next, the recorded information on the information recording medium was reproduced by the information output system constructed as shown in FIG. In the figure, 41 is a film scanner, 42 is a personal computer, and 43 is a printer. The information recording medium was read by a film scanner (Nikon LS-3500) 51 to read the recorded information, and the information was output using a sublimation transfer printer (JVC SP-5500), resulting in grayscale. A good printed matter was obtained.

【0084】液晶の配向により記録された情報は、目視
による読み取りが可能な可視情報であるが、投影機によ
り拡大して読み取ることもでき、レーザースキャニン
グ、或いはCCDを用いて高精度で情報を読み取ること
ができる。なお必要に応じてシュリーレン光学系を用い
ることにより散乱光を防ぐことができる。
The information recorded by the orientation of the liquid crystal is visible information that can be visually read, but it can also be magnified and read by a projector, and the information can be read with high accuracy using laser scanning or a CCD. be able to. If necessary, scattered light can be prevented by using a Schlieren optical system.

【0085】以上、情報記録媒体として、情報露光によ
る記録を液晶の配向により可視化した状態とするもので
あるが、液晶と合成樹脂との組合せを選ぶことにより、
一旦配向し、可視化した情報は消去せず、メモリ性を付
与することができる。また、等方相転移付近の高温に加
熱すると、メモリーを消去することができるので、再度
の情報記録に使用することができる。
As described above, as the information recording medium, the recording by the information exposure is visualized by the orientation of the liquid crystal. By selecting the combination of the liquid crystal and the synthetic resin,
It is possible to impart memory property without erasing the information that is once oriented and visualized. Further, by heating to a high temperature near the isotropic phase transition, the memory can be erased, so that it can be used for recording information again.

【0086】情報記録システムにおける情報記録媒体と
しては、例えば特開平3−7942号公報等に記載され
る電荷保持層を情報記録層とする静電情報記録媒体を使
用してもよく、この場合には情報は情報記録媒体におい
て静電荷の形で蓄積されるので、その静電電荷をトナー
現像するか、またはその静電電荷を例えば特開平1−2
90366号公報等に記載されるように電位読み取りに
より再生することができる。また、特開平4−4634
7号公報等に記載される、熱可塑性樹脂層を情報記録層
とする情報記録媒体を使用してもよく、この場合には、
上記同様に情報を静電荷の形で表面に蓄積した後、熱可
塑性樹脂層が加熱されることにより、情報をフロスト像
として蓄積し、可視情報として情報再生することが可能
である。
As an information recording medium in the information recording system, for example, an electrostatic information recording medium having a charge holding layer as an information recording layer, which is described in JP-A-3-7942, may be used. Since information is stored in the information recording medium in the form of electrostatic charges, the electrostatic charges are developed by toner, or the electrostatic charges are stored in, for example, JP-A 1-2.
It can be reproduced by potential reading as described in Japanese Patent No. 90366. In addition, JP-A-4-4634
An information recording medium having a thermoplastic resin layer as an information recording layer may be used, which is described in Japanese Patent No. 7 or the like, and in this case,
After the information is accumulated on the surface in the form of electrostatic charge in the same manner as described above, the thermoplastic resin layer is heated, whereby the information is accumulated as a frosted image and can be reproduced as visible information.

【0087】[0087]

【作用】本発明は、光センサーと情報記録媒体とを間隔
を設けて光軸上に対向配置し、光センサーおよび情報記
録媒体の両電極層間に電圧印加を可能に結線した情報記
録装置用の光センサーの製造方法において、微粒子を分
散した光導電層の塗布液を、光散乱回折法による50%
平均粒径が0.5μm以下に高度に分散した後に塗布す
ることによって、画像ノイズのない高品質の画像が得ら
れることを見いだしたものである。
The present invention is intended for an information recording apparatus in which an optical sensor and an information recording medium are arranged facing each other on the optical axis with a gap therebetween, and a voltage can be applied between both electrode layers of the optical sensor and the information recording medium. In a method for manufacturing an optical sensor, a coating liquid for a photoconductive layer in which fine particles are dispersed is 50% by a light scattering diffraction method.
It has been found that a high-quality image free from image noise can be obtained by coating after highly dispersing the average particle size to 0.5 μm or less.

【0088】[0088]

【実施例】以下に、本発明の実施例を示し、本発明を詳
細に説明する。 実施例1 充分に洗浄した厚さ1.1mmのガラス基板上に、スパ
ッタリングによって膜厚100nmのITO膜を成膜し
透明電極層を形成した。電極層をスクラバー洗浄機(商
品名 プレートクリーナー モデル602 ウルトラテ
ック社)にて、純水噴射2秒、スクラバー洗浄20秒、
純水リンス15秒、高速回転による水分の除去25秒、
赤外線乾燥55秒のスクラブ処理を2回行った。スクラ
ブ処理の後に、電荷発生物質として下記構造
EXAMPLES The present invention will be described in detail below by showing Examples of the present invention. Example 1 An ITO film having a film thickness of 100 nm was formed by sputtering on a sufficiently washed glass substrate having a thickness of 1.1 mm to form a transparent electrode layer. The electrode layer was scrubbed with a scrubber cleaning machine (trade name: Plate Cleaner Model 602 Ultratech Co., Ltd.) for 2 seconds with pure water spray, 20 seconds for scrubber cleaning,
Pure water rinse 15 seconds, water removal by high speed rotation 25 seconds,
The infrared scrubbing treatment of 55 seconds was performed twice. After scrubbing, the following structure as a charge generation material

【0089】[0089]

【化1】 [Chemical 1]

【0090】を有するフルオレノンアゾ顔料3重量部と
ポリエステル樹脂(東洋紡社製、バイロン200)1重
量部と、1.4−ジオキサン:シクロヘキサノン=1:
1の混合溶媒196重量部を混合し、ペイントシェーカ
ーによって6時間混合を行った後に、超分散装置(ナノ
マイザーLA31 ナノマイザー社製)を用いて750
kg/cm2 で1回の処理によって高度に分散した。
3 parts by weight of a fluorenone azo pigment having 1 part by weight of polyester resin (Vylon 200 manufactured by Toyobo Co., Ltd.), 1.4-dioxane: cyclohexanone = 1:
196 parts by weight of the mixed solvent of No. 1 was mixed and mixed for 6 hours with a paint shaker, and then 750 using a super dispersion device (Nanomizer LA31 manufactured by Nanomizer).
It was highly dispersed by a single treatment at kg / cm 2 .

【0091】塗布液における顔料の粒径分布を粒度分布
計(MICROTRAC2:日機装製)を用いて光回折
法により求めたところ、図15に示すように累積50%
平均粒径は0.21μmとなり、分布幅も0.1μm〜
0.4μmと狭く、均一な塗布液が得られた。この塗布
液をブレードコーターの間隔を60μmに設定して電極
層上に塗布し、100℃、1時間乾燥して膜厚0.3μ
mの電荷発生層を形成した。得られた電荷発生層の表面
を光学顕微鏡(BH−2 オリンパス光学工業製)を用
いて100倍の倍率で観察したところ、顔料の細かい凝
集箇所はみられなかった。次に、電荷輸送物質として下
記構造
The particle size distribution of the pigment in the coating solution was determined by a light diffraction method using a particle size distribution meter (MICROTRAC2: manufactured by Nikkiso Co., Ltd.). As shown in FIG.
The average particle size is 0.21 μm and the distribution width is 0.1 μm
A coating solution as narrow as 0.4 μm was obtained. This coating solution was applied onto the electrode layer with a blade coater interval set to 60 μm, and dried at 100 ° C. for 1 hour to give a film thickness of 0.3 μm.
m charge generating layer was formed. When the surface of the obtained charge generation layer was observed with an optical microscope (BH-2 manufactured by Olympus Optical Co., Ltd.) at a magnification of 100 times, no fine aggregated portion of the pigment was observed. Next, the following structure as a charge transport material

【0092】[0092]

【化2】 [Chemical 2]

【0093】を有するパラジメチルスチルベン25重量
部とポリスチレン樹脂(商品名 デンカスチロール H
RM−3 電気化学工業(株)製)5重量部とを、ジク
ロロメタン:1,1,2−トリクロロエタン=68:1
02の混合溶媒170重量部と混合溶解し塗布液を作製
した。この溶液を先に形成した電荷発生層上に塗布し、
80℃、2時間乾燥して膜厚20μmの電荷輸送層を形
成して光センサーを作製した。
25 parts by weight of para-dimethyl stilbene having a polystyrene resin (trade name Denkastyrol H
5 parts by weight of RM-3 Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. and dichloromethane: 1,1,2-trichloroethane = 68: 1
A coating solution was prepared by mixing and dissolving 170 parts by weight of the 02 mixed solvent. This solution is applied on the charge generation layer previously formed,
After drying at 80 ° C. for 2 hours, a charge transport layer having a film thickness of 20 μm was formed to prepare an optical sensor.

【0094】次いで、ジペンタエリスリトールヘキサア
クリレート4重量部、スメクチック液晶S6(メルク社
製)6重量部、フッ素系界面活性剤フロラードFC−4
30(住友スリーエム社製)0.2重量部、光重合開始
剤ダロキュア1173(メルク社製)0.2部の混合物
をキシレンにて固形分30重量%に調整した。
Then, 4 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate, 6 parts by weight of Smectic liquid crystal S6 (manufactured by Merck & Co., Inc.), and fluorochemical surfactant Florard FC-4.
A mixture of 0.2 parts by weight of 30 (manufactured by Sumitomo 3M) and 0.2 parts by weight of photopolymerization initiator Darocur 1173 (manufactured by Merck) was adjusted to a solid content of 30% by weight with xylene.

【0095】この溶液を、ガラス基板上にスパッタリン
グによって形成した膜厚50nm、表面抵抗値80Ω/
□のITOからなる透明電極層上に、50μmの間隔に
設定したブレードコーターで塗布し、これを50℃に保
持し、0.3mJ/cm2 の紫外線光を照射して、膜厚
6μmの高分子分散型液晶よりなる情報記録媒体を作製
した。この情報記録媒体から、熱メタノールを用いて、
液晶を抽出し、乾燥の後に走査型電子顕微鏡(日立製作
所製、S−800)によって1万倍で断面構造を観察し
たところ、層の表面は0.6μm厚の紫外線硬化型樹脂
で覆われ、層内部は粒径0.1μmの合成樹脂粒子が充
填している構造を有していることがわかった。以上のよ
うにして得た光センサーおよび情報記録媒体を対向させ
て、両者の周辺部には膜厚9μmのポリイミドフィルム
をスペーサーとして配置し、光センサーと情報記録媒体
との間に9μmの空隙を形成して接地した。
This solution was formed on a glass substrate by sputtering to have a film thickness of 50 nm and a surface resistance value of 80 Ω /
It is coated on a transparent electrode layer made of ITO by □ with a blade coater set at an interval of 50 μm, kept at 50 ° C., and irradiated with an ultraviolet ray of 0.3 mJ / cm 2 to give a high film thickness of 6 μm. An information recording medium made of a molecular dispersion type liquid crystal was prepared. From this information recording medium, using hot methanol,
After the liquid crystal was extracted and dried, the cross-sectional structure was observed with a scanning electron microscope (S-800, manufactured by Hitachi, Ltd.) at a magnification of 10,000, and the surface of the layer was covered with a UV-curable resin having a thickness of 0.6 μm. It was found that the inside of the layer had a structure filled with synthetic resin particles having a particle diameter of 0.1 μm. The optical sensor and the information recording medium obtained as described above are opposed to each other, and a polyimide film having a film thickness of 9 μm is disposed as a spacer in the peripheral portion of both, and a 9 μm gap is provided between the optical sensor and the information recording medium. Formed and grounded.

【0096】次いで、光センサー側からグレースケール
を露光量0.1〜10ルクスで投影露光すると同時に、
直流電圧750Vを光センサー側電極層を正、情報記録
媒体側電極層を負として0.1秒間印加した。その結
果、グレースケールに対応した透過像が情報記録層に形
成され、グレースケールの低露光量側でも十分なコント
ラストが得られる像が透過光により確認できた。更に、
この情報記録媒体をCCDラインセンサーを用いたスキ
ャナーにより読み取り、昇華プリンターで出力した結
果、階調性を有し、高解像度のハードコピーが得られ
た。また、画像全体にノイズが見られず高品質の画像が
得られた。
Next, the gray scale is projected and exposed from the photosensor side at an exposure amount of 0.1 to 10 lux, and at the same time,
A DC voltage of 750 V was applied for 0.1 seconds with the photosensor side electrode layer being positive and the information recording medium side electrode layer being negative. As a result, a transmission image corresponding to a gray scale was formed on the information recording layer, and an image in which sufficient contrast was obtained even on the low exposure amount side of the gray scale was confirmed by the transmitted light. Furthermore,
This information recording medium was read by a scanner using a CCD line sensor and output by a sublimation printer. As a result, a hard copy having gradation and high resolution was obtained. Moreover, no noise was observed in the entire image, and a high-quality image was obtained.

【0097】比較例1 超分散装置を使用しなかった点を除いて実施例1と同様
の方法で光センサーを製造した。塗布液の顔料の分散を
実施例1と同様に測定したところ、図16に示すよう
に、累積50%平均粒径は0.56μmとなった。ま
た、分布幅は0.1μm〜4.0μmであった。実施例
1と同様にして、光学顕微鏡で電荷発生層を観察したと
ころ、顔料の細かい凝集箇所が所々にみられた。また、
実施例1と同様の方法で情報記録媒体を製造するととも
に、光センサーを使用して情報記録媒体に記録した像を
実施例1と同様に昇華プリンターで画像を出力したとこ
ろ、細かい黒点状の画像ノイズが発生し、低品質の画像
であった。
Comparative Example 1 An optical sensor was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the ultra-dispersion device was not used. When the dispersion of the pigment in the coating liquid was measured in the same manner as in Example 1, the cumulative 50% average particle diameter was 0.56 μm, as shown in FIG. The distribution width was 0.1 μm to 4.0 μm. When the charge generation layer was observed with an optical microscope in the same manner as in Example 1, fine aggregates of the pigment were found in some places. Also,
An information recording medium was manufactured by the same method as in Example 1, and an image recorded on the information recording medium by using an optical sensor was output by a sublimation printer in the same manner as in Example 1. As a result, a fine black dot image was obtained. The image was noisy and of poor quality.

【0098】[0098]

【発明の効果】光センサーと情報記録媒体とを間隔を設
けて光軸上に対向配置し、光センサーおよび情報記録媒
体の両電極層間に電圧印加を可能に結線した情報記録装
置用の光センサーの製造方法において、微粒子を分散し
た光導電層の塗布液を、光散乱回折法による50%平均
粒径が0.5μm以下に高度に分散した後に塗布するこ
とにより、最終的に得られる画像のノイズが少なくな
り、より高品質の画像が得られる。とくに、光センサー
として基材上に電極層、光導電層を積層し、情報記録媒
体に付与される電界強度または電荷量が光照射につれて
増幅され、また光照射を終了した後でも電圧を印加し続
けるとその導電性を持続し、引き続き電界または電荷を
情報記録媒体に付与し続ける作用を有する光センサーの
場合に、大きな効果を発揮する。
An optical sensor for an information recording apparatus, in which an optical sensor and an information recording medium are arranged facing each other on the optical axis with a gap therebetween, and a voltage can be applied between both electrode layers of the optical sensor and the information recording medium. In the manufacturing method of 1., the coating liquid of the photoconductive layer in which the fine particles are dispersed is highly dispersed to have a 50% average particle diameter of 0.5 μm or less by a light scattering diffraction method, and then the coating liquid is applied to form a finally obtained image. There is less noise and a higher quality image is obtained. In particular, as an optical sensor, an electrode layer and a photoconductive layer are laminated on a base material, and the electric field strength or the amount of electric charge applied to the information recording medium is amplified as the light is irradiated, and a voltage is applied even after the light irradiation is completed. In the case of an optical sensor having a function of continuously maintaining its conductivity and continuously applying an electric field or an electric charge to the information recording medium, it exerts a great effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明における光センサーをその断面図により
模式的に説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for schematically explaining an optical sensor according to the present invention by its cross-sectional view.

【図2】本発明における他の光センサーをその断面図に
より模式的に説明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for schematically explaining another optical sensor according to the present invention by its cross-sectional view.

【図3】本発明の第1の情報記録システムの態様を模式
的に説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for schematically explaining an aspect of the first information recording system of the present invention.

【図4】本発明の第2の情報記録システムの態様を模式
的に説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for schematically explaining an aspect of a second information recording system of the present invention.

【図5】本発明の光センサーの光電流の増幅作用を説明
するために使用した測定系で使用したグリーンフィルタ
ーの分光特性を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing the spectral characteristics of a green filter used in the measurement system used to explain the photocurrent amplification effect of the photosensor of the present invention.

【図6】比較用センサーの光電流増幅作用の測定結果を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing measurement results of photocurrent amplification effect of a comparative sensor.

【図7】比較用センサーの光照射中における量子効率の
変化を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a change in quantum efficiency of a comparative sensor during light irradiation.

【図8】本発明の光センサーにおける光電流増幅作用の
測定結果を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing measurement results of photocurrent amplification action in the optical sensor of the present invention.

【図9】本発明の光センサーの光照射中における量子効
率の変化を示す図である。
FIG. 9 is a diagram showing changes in quantum efficiency during light irradiation of the photosensor of the present invention.

【図10】比較用センサーにおける電流量の積分値(電
荷量)の時間変化を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a time change of an integrated value (charge amount) of a current amount in a comparative sensor.

【図11】本発明の光センサーにおける電流量の積分値
(電荷量)の時間変化を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a change with time of an integrated value (charge amount) of a current amount in the photosensor of the present invention.

【図12】本発明の情報記録方法を説明するための図で
ある。
FIG. 12 is a diagram for explaining the information recording method of the present invention.

【図13】本発明の情報記録システムにおける記録情報
の再生方法を説明するための図である。
FIG. 13 is a diagram for explaining a method of reproducing recorded information in the information recording system of the present invention.

【図14】本発明の情報記録システムにおける記録情報
の他の再生方法を説明するための図である。
FIG. 14 is a diagram for explaining another reproducing method of recorded information in the information recording system of the present invention.

【図15】本発明の方法による塗布液中の微粒子の分散
を説明する図である。
FIG. 15 is a diagram illustrating dispersion of fine particles in a coating liquid according to the method of the present invention.

【図16】従来の方法による塗布液中の微粒子の分散を
説明する図である。
FIG. 16 is a diagram illustrating dispersion of fine particles in a coating liquid by a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…光センサー、3…情報記録媒体、11…情報記録
層、13、13′…電極層、14′…電荷発生層、1
4″…電荷輸送層、15…基板、19…スペーサー、2
0…誘電体層、21…光源、22…駆動機構を有するシ
ャッター、23…パルスジェネレーター(電源)、24
…暗箱、41…フィルムスキャナー、42…パソコン、
43…プリンター
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Optical sensor, 3 ... Information recording medium, 11 ... Information recording layer, 13, 13 '... Electrode layer, 14' ... Charge generation layer, 1
4 ″ ... charge transport layer, 15 ... substrate, 19 ... spacer, 2
0 ... Dielectric layer, 21 ... Light source, 22 ... Shutter having drive mechanism, 23 ... Pulse generator (power supply), 24
… Dark box, 41… Film scanner, 42… Personal computer,
43 ... Printer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 31/0344 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI technical display location H01L 31/0344

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光センサーと情報記録媒体とを間隔を設
けて光軸上に対向配置し、光センサーおよび情報記録媒
体の両電極層間に電圧印加を可能に結線した情報記録装
置用の光センサーの製造方法において、微粒子を分散し
た光導電層の塗布液を、光散乱回折法による50%平均
粒径が0.5μm以下に高度に分散した後に塗布するこ
とを特徴とする光センサーの製造方法。
1. An optical sensor for an information recording device, wherein an optical sensor and an information recording medium are arranged facing each other on an optical axis with a gap provided therebetween, and a voltage is applied between both electrode layers of the optical sensor and the information recording medium. The method for producing an optical sensor according to claim 1, wherein the coating liquid for the photoconductive layer in which the fine particles are dispersed is highly dispersed to have a 50% average particle diameter of 0.5 μm or less by a light scattering diffraction method, and then applied. .
【請求項2】 光センサーが、基材上に電極層、光導電
層を積層し、情報記録媒体に付与される電界強度または
電荷量が光照射につれて増幅され、また光照射を終了し
た後でも電圧を印加し続けるとその導電性を持続し、引
き続き電界または電荷を情報記録媒体に付与し続ける作
用を有することを特徴とする請求項1記載の光センサー
の製造方法。
2. An optical sensor in which an electrode layer and a photoconductive layer are laminated on a base material, and the electric field strength or the amount of electric charge applied to the information recording medium is amplified with the irradiation of light, and even after the irradiation of light is completed. 2. The method of manufacturing an optical sensor according to claim 1, which has a function of continuing its conductivity when a voltage is continuously applied and continuously applying an electric field or a charge to the information recording medium.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007059515A (en) * 2005-08-23 2007-03-08 Fujifilm Corp Photoelectric conversion film, photoelectric conversion element, image pickup element and method of applying electric field to them
JP2007273945A (en) * 2006-03-06 2007-10-18 Fujifilm Corp Photoelectric conversion element, and solid-state imaging element
JP2012160770A (en) * 2006-03-06 2012-08-23 Fujifilm Corp Solid-state imaging element

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007059515A (en) * 2005-08-23 2007-03-08 Fujifilm Corp Photoelectric conversion film, photoelectric conversion element, image pickup element and method of applying electric field to them
JP2007273945A (en) * 2006-03-06 2007-10-18 Fujifilm Corp Photoelectric conversion element, and solid-state imaging element
JP2012160770A (en) * 2006-03-06 2012-08-23 Fujifilm Corp Solid-state imaging element

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