JPH1131859A - レーザ光源装置 - Google Patents
レーザ光源装置Info
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- JPH1131859A JPH1131859A JP18654597A JP18654597A JPH1131859A JP H1131859 A JPH1131859 A JP H1131859A JP 18654597 A JP18654597 A JP 18654597A JP 18654597 A JP18654597 A JP 18654597A JP H1131859 A JPH1131859 A JP H1131859A
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- light source
- light
- laser light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 極めて簡単な構成で正確に発光波長を制御で
きるレーザ光源装置を提供すること。 【解決手段】 レーザダイオード1より発光された光を
ビームスプリッタ5に入射し、その反射光を光バンドパ
スフィルタ8に与える。光バンドパスフィルタ8を透過
した光をフォトダイオードPD1で受光する。又光バン
ドパスフィルタ8で反射されビームスプリッタ5を透過
した光をフォトダイオードPD2で受光する。フォトダ
イオードPD1,PD2の受光比が一定となるようにレ
ーザ光源の発光波長を制御することによって正確な波長
のレーザ光を発光させるようにしている。
きるレーザ光源装置を提供すること。 【解決手段】 レーザダイオード1より発光された光を
ビームスプリッタ5に入射し、その反射光を光バンドパ
スフィルタ8に与える。光バンドパスフィルタ8を透過
した光をフォトダイオードPD1で受光する。又光バン
ドパスフィルタ8で反射されビームスプリッタ5を透過
した光をフォトダイオードPD2で受光する。フォトダ
イオードPD1,PD2の受光比が一定となるようにレ
ーザ光源の発光波長を制御することによって正確な波長
のレーザ光を発光させるようにしている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光通信等に使用され
る半導体レーザ等のレーザ光源の波長を安定化して発振
するためのレーザ光源装置に関するものである。
る半導体レーザ等のレーザ光源の波長を安定化して発振
するためのレーザ光源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】現在光通信においては、光ファイバに多
数の波長の光を多重化して通信することにより、伝送量
を単一波長の光を用いた場合に比べて大幅に増加させる
波長多重通信方式が検討されている。波長多重通信を実
現するためには、光信号をそのまま増幅できる比較的狭
い波長の帯域内に、例えば1nm以下の間隔で多数の波長
のレーザ光を伝送するため、レーザ光源の波長を十分安
定化させておく必要がある。又、光情報処理,光計測に
おいては、情報の高密度化や計測の高精度化のためにレ
ーザ光源の波長安定化は重要な課題である。
数の波長の光を多重化して通信することにより、伝送量
を単一波長の光を用いた場合に比べて大幅に増加させる
波長多重通信方式が検討されている。波長多重通信を実
現するためには、光信号をそのまま増幅できる比較的狭
い波長の帯域内に、例えば1nm以下の間隔で多数の波長
のレーザ光を伝送するため、レーザ光源の波長を十分安
定化させておく必要がある。又、光情報処理,光計測に
おいては、情報の高密度化や計測の高精度化のためにレ
ーザ光源の波長安定化は重要な課題である。
【0003】レーザ光源の発光波長を安定化するために
は、例えば基準となる波長特性を有する素子を用い、何
らかの方法で発光波長との誤差を検出してレーザ光源に
帰還する。そのため従来より、原子や分子の吸収を用い
てそれを基準として波長を安定化する装置や、ホログラ
フィ,グレーティング又はマッハツェンダ干渉計やファ
ブリペロー干渉計を用いて基準となる光又は光源の波長
をディザによって変調し、波長を調整するようにした方
法が知られている。ディザとは光の波長を何らかの方法
でわずかに振動させることであり、これによって基準と
なる波長との差及び方向を判別してレーザ光源に帰還す
ることによって、発光波長を安定化している。又多層干
渉光フィルタやエタロン等を用いて波長の基準とし、レ
ーザ光源の発光波長を安定化するようにした方法も用い
られている。
は、例えば基準となる波長特性を有する素子を用い、何
らかの方法で発光波長との誤差を検出してレーザ光源に
帰還する。そのため従来より、原子や分子の吸収を用い
てそれを基準として波長を安定化する装置や、ホログラ
フィ,グレーティング又はマッハツェンダ干渉計やファ
ブリペロー干渉計を用いて基準となる光又は光源の波長
をディザによって変調し、波長を調整するようにした方
法が知られている。ディザとは光の波長を何らかの方法
でわずかに振動させることであり、これによって基準と
なる波長との差及び方向を判別してレーザ光源に帰還す
ることによって、発光波長を安定化している。又多層干
渉光フィルタやエタロン等を用いて波長の基準とし、レ
ーザ光源の発光波長を安定化するようにした方法も用い
られている。
【0004】又特開昭60-74687号では、ディザをかけず
半導体レーザからの光を分離し、わずかに透過する波長
の異なる2つのフィルタを用いて夫々のフィルタを通過
する光のレベルを光電変換素子によって検出し、その光
強度比が一定となるように半導体レーザに帰還する方法
が提案されている。
半導体レーザからの光を分離し、わずかに透過する波長
の異なる2つのフィルタを用いて夫々のフィルタを通過
する光のレベルを光電変換素子によって検出し、その光
強度比が一定となるように半導体レーザに帰還する方法
が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の方法は、ディザにより光源に微妙な変化を与え
て発光波長を変化させ、電気的に方向を判別し、基準に
対する変化分を検出して光源である半導体レーザにフィ
ードバックしているため、光源の光が変調されてしま
う。そのため情報としての変調信号と重なる可能性があ
り、ディザの影響をなくすためにローパスフィルタ等の
電気フィルタ等が必要になるという欠点があった。又デ
ィザを用いるため制御系が複雑となり、ディザが可動部
を伴う場合には、信頼性が低く、寿命が短くなるという
欠点があった。又特開昭60-74687号の方法においては、
光を分岐するためにビームスプリッタ等が必要となる
が、ビームスプリッタは光の偏光の影響を受け、又温度
によって分光比が変わり易く、理想的に所定の比率で光
を安定に分岐する素子を作ることが難しいという欠点が
あった。又フィルタについてもわずかに透過波長の異な
る2つの光フィルタを製造することが難しいという欠点
があった。
な従来の方法は、ディザにより光源に微妙な変化を与え
て発光波長を変化させ、電気的に方向を判別し、基準に
対する変化分を検出して光源である半導体レーザにフィ
ードバックしているため、光源の光が変調されてしま
う。そのため情報としての変調信号と重なる可能性があ
り、ディザの影響をなくすためにローパスフィルタ等の
電気フィルタ等が必要になるという欠点があった。又デ
ィザを用いるため制御系が複雑となり、ディザが可動部
を伴う場合には、信頼性が低く、寿命が短くなるという
欠点があった。又特開昭60-74687号の方法においては、
光を分岐するためにビームスプリッタ等が必要となる
が、ビームスプリッタは光の偏光の影響を受け、又温度
によって分光比が変わり易く、理想的に所定の比率で光
を安定に分岐する素子を作ることが難しいという欠点が
あった。又フィルタについてもわずかに透過波長の異な
る2つの光フィルタを製造することが難しいという欠点
があった。
【0006】更に安定化した光を利用するには、レーザ
光を分岐させるビームスプリッタを用いてその一部を波
長安定化装置に加え、他を安定化されたレーザ光とす
る。このため波長安定化装置とは別にビームスプリッタ
が必要になるという欠点があった。
光を分岐させるビームスプリッタを用いてその一部を波
長安定化装置に加え、他を安定化されたレーザ光とす
る。このため波長安定化装置とは別にビームスプリッタ
が必要になるという欠点があった。
【0007】本発明はこのような従来の問題点に着目し
てなされたものであって、ビームスプリッタと波長安定
化装置とを一体化させて極めて簡単な構成で高精度で安
定化した波長のレーザ光を発光することができるレーザ
光源装置を提供することを目的とする。
てなされたものであって、ビームスプリッタと波長安定
化装置とを一体化させて極めて簡単な構成で高精度で安
定化した波長のレーザ光を発光することができるレーザ
光源装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願の請求項1の発明
は、光の波長を連続的に変化させることができるレーザ
光源と、前記レーザ光源のレーザ光が入射され、その入
射されたレーザ光を透過光と分岐光とに分岐するビーム
スプリッタと、前記ビームスプリッタの分岐光が入射さ
れ、所定波長の光を透過させ、他を反射させて前記ビー
ムスプリッタに再び入射させる光フィルタと、前記光フ
ィルタの透過光を受光する第1の受光素子と、前記光フ
ィルタによって反射された分岐光のうち前記ビームスプ
リッタを透過する光を受光する第2の受光素子と、前記
第1,第2の受光素子の出力比を算出する出力比算出手
段と、前記出力比算出手段による出力比が所定値となる
ように前記光源の発光波長を制御する波長制御手段と、
を具備することを特徴とするものである。
は、光の波長を連続的に変化させることができるレーザ
光源と、前記レーザ光源のレーザ光が入射され、その入
射されたレーザ光を透過光と分岐光とに分岐するビーム
スプリッタと、前記ビームスプリッタの分岐光が入射さ
れ、所定波長の光を透過させ、他を反射させて前記ビー
ムスプリッタに再び入射させる光フィルタと、前記光フ
ィルタの透過光を受光する第1の受光素子と、前記光フ
ィルタによって反射された分岐光のうち前記ビームスプ
リッタを透過する光を受光する第2の受光素子と、前記
第1,第2の受光素子の出力比を算出する出力比算出手
段と、前記出力比算出手段による出力比が所定値となる
ように前記光源の発光波長を制御する波長制御手段と、
を具備することを特徴とするものである。
【0009】本願の請求項2の発明は、請求項1記載の
レーザ光源装置において、前記ビームスプリッタは、2
本の光ファイバの一部を密着して融着させて構成したこ
とを特徴とするものである。
レーザ光源装置において、前記ビームスプリッタは、2
本の光ファイバの一部を密着して融着させて構成したこ
とを特徴とするものである。
【0010】本願の請求項3の発明は、請求項1記載の
レーザ光源装置において、前記光フィルタは、透過波長
λに対してλ/4の光学厚さを有する低屈折率膜及び高
屈折率膜を交互に多重に積層して構成された干渉光フィ
ルタであることを特徴とするものである。
レーザ光源装置において、前記光フィルタは、透過波長
λに対してλ/4の光学厚さを有する低屈折率膜及び高
屈折率膜を交互に多重に積層して構成された干渉光フィ
ルタであることを特徴とするものである。
【0011】本願の請求項4の発明は、請求項3記載の
レーザ光源装置において、前記干渉光フィルタは、透過
波長λが基板の所定方向に対して連続的に変化するよう
にその光学厚さを連続的に変化させたものであり、前記
レーザ光源装置は、前記ビームスプリッタで分岐された
分岐光の前記干渉光フィルタへの入射位置を前記所定方
向に対して連続的に変化させるスライド調整機構を更に
有することを特徴とするものである。
レーザ光源装置において、前記干渉光フィルタは、透過
波長λが基板の所定方向に対して連続的に変化するよう
にその光学厚さを連続的に変化させたものであり、前記
レーザ光源装置は、前記ビームスプリッタで分岐された
分岐光の前記干渉光フィルタへの入射位置を前記所定方
向に対して連続的に変化させるスライド調整機構を更に
有することを特徴とするものである。
【0012】本願の請求項5の発明は、請求項1〜5の
いずれか1項記載のレーザ光源装置において、前記波長
制御手段は、前記出力比算出手段によって算出された出
力比とを所定の基準値との差を検出する誤差検出手段
と、前記誤差検出手段に基準値を設定する基準値設定手
段と、前記誤差検出手段により検出される誤差値が0と
なるように前記レーザ光源の発光波長を制御する光源駆
動手段と、を具備することを特徴とすることを特徴とす
るものである。
いずれか1項記載のレーザ光源装置において、前記波長
制御手段は、前記出力比算出手段によって算出された出
力比とを所定の基準値との差を検出する誤差検出手段
と、前記誤差検出手段に基準値を設定する基準値設定手
段と、前記誤差検出手段により検出される誤差値が0と
なるように前記レーザ光源の発光波長を制御する光源駆
動手段と、を具備することを特徴とすることを特徴とす
るものである。
【0013】本願の請求項6の発明は、請求項1〜5の
いずれか1項記載のレーザ光源装置において、前記レー
ザ光源と前記ビームスプリッタとの間に前記光フィルタ
の透過波長をカットオフ波長とするカットフィルタを更
に設けたことを特徴とするものである。
いずれか1項記載のレーザ光源装置において、前記レー
ザ光源と前記ビームスプリッタとの間に前記光フィルタ
の透過波長をカットオフ波長とするカットフィルタを更
に設けたことを特徴とするものである。
【0014】本願の請求項7の発明は、請求項1〜6の
いずれか1項記載のレーザ光源装置において、前記光フ
ィルタの周囲の温度を測定する温度検出手段を含み、記
出力比算出手段によって算出された出力比を温度補償す
る温度補償手段を更に有する特徴とするものである。
いずれか1項記載のレーザ光源装置において、前記光フ
ィルタの周囲の温度を測定する温度検出手段を含み、記
出力比算出手段によって算出された出力比を温度補償す
る温度補償手段を更に有する特徴とするものである。
【0015】このような特徴を有する本発明によれば、
レーザ光源を発光させて、そのレーザ光をビームスプリ
ッタに入射する。ビームスプリッタは一部の光を透過
し、他を分岐するものであり、分岐したレーザ光を光フ
ィルタに入射する。光フィルタは所定波長の光を透過し
他を反射させる。光フィルタを透過した光と反射して再
びビームスプリッタを透過した光とを夫々第1,第2の
受光素子によって受光し、その出力比を出力比算出手段
によって算出する。そして出力比が所定値となるように
レーザ光源の発光波長を制御することにより、所定の波
長のレーザ光を発光させることができる。請求項3の発
明は、このような光フィルタを多層膜による干渉光フィ
ルタによって実現したものである。又多層膜干渉光フィ
ルタを請求項4に示すように、所定の方向に対して透過
波長が連続的に変化するように構成した波長可変型の干
渉光フィルタを用い、その受光位置を変更するようにす
れば、レーザ光源の発光波長を変化させることができ
る。又請求項5の発明では、基準値設定手段により基準
値を設定しておき、誤差検出手段により出力比算出手段
によって算出された出力比と基準値との差を誤差として
検出する。そして光源駆動手段により誤差が0となるよ
うにレーザ光源を制御することにより、レーザ光源の発
光波長を微調整することができる。更に請求項6の発明
では、光源と光フィルタとの間にカットフィルタを設け
ることにより、光フィルタの特性のうち一方のスロープ
部分のみをロック点として規定するようにしたものであ
る。
レーザ光源を発光させて、そのレーザ光をビームスプリ
ッタに入射する。ビームスプリッタは一部の光を透過
し、他を分岐するものであり、分岐したレーザ光を光フ
ィルタに入射する。光フィルタは所定波長の光を透過し
他を反射させる。光フィルタを透過した光と反射して再
びビームスプリッタを透過した光とを夫々第1,第2の
受光素子によって受光し、その出力比を出力比算出手段
によって算出する。そして出力比が所定値となるように
レーザ光源の発光波長を制御することにより、所定の波
長のレーザ光を発光させることができる。請求項3の発
明は、このような光フィルタを多層膜による干渉光フィ
ルタによって実現したものである。又多層膜干渉光フィ
ルタを請求項4に示すように、所定の方向に対して透過
波長が連続的に変化するように構成した波長可変型の干
渉光フィルタを用い、その受光位置を変更するようにす
れば、レーザ光源の発光波長を変化させることができ
る。又請求項5の発明では、基準値設定手段により基準
値を設定しておき、誤差検出手段により出力比算出手段
によって算出された出力比と基準値との差を誤差として
検出する。そして光源駆動手段により誤差が0となるよ
うにレーザ光源を制御することにより、レーザ光源の発
光波長を微調整することができる。更に請求項6の発明
では、光源と光フィルタとの間にカットフィルタを設け
ることにより、光フィルタの特性のうち一方のスロープ
部分のみをロック点として規定するようにしたものであ
る。
【0016】
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施の形態
によるレーザ光源装置の全体構成を示すブロック図であ
る。本図においてレーザ光源は、この実施の形態では分
布帰還型のレーザダイオード(LD)1を用いるものと
し、1本の線スペクトルのレーザ光を発光する。このレ
ーザ光源の発光波長は電流又は温度制御によって例えば
2〜3nm以内の範囲で外部より制御することができる。
このレーザ光は光ファイバ2に導かれる。
によるレーザ光源装置の全体構成を示すブロック図であ
る。本図においてレーザ光源は、この実施の形態では分
布帰還型のレーザダイオード(LD)1を用いるものと
し、1本の線スペクトルのレーザ光を発光する。このレ
ーザ光源の発光波長は電流又は温度制御によって例えば
2〜3nm以内の範囲で外部より制御することができる。
このレーザ光は光ファイバ2に導かれる。
【0017】光ファイバ2の他端には、光ファイバ2よ
り入射されるレーザビームを平行光とするレンズ3と入
射光の光の一部を遮光するカットフィルタ4が設けら
れ、カットフィルタ4を通過した光はビームスプリッタ
5に与えられる。ビームスプリッタ5は例えばガラス基
板に金属膜や誘電体多数膜を蒸着することにより光を分
岐する光分岐手段であり、入射光の一部を透過し、他を
反射する。透過光はレンズ6を介して光ファイバ7に入
射される。光ファイバ7の他端には安定化されたレーザ
光を光源とする測定装置や光通信機器等が接続される。
さてビームスプリッタ5によって分岐された光は光バン
ドパスフィルタ8に与えられる。この光バンドパスフィ
ルタ8は分岐されたレーザビームに垂直に配置され、一
定の透過波長を有するように構成したものである。そし
て光バンドパスフィルタ8を透過する位置に第1の受光
素子であるフォトダイオードPD1を配置し、これと対
称な位置、即ち光バンドパスフィルタ8の反射光をビー
ムスプリッタ5を越えて受光する位置に第2の受光素子
であるフォトダイオードPD2を配置する。フォトダイ
オードPD1,PD2の出力は出力比算出手段9に与え
られる。出力比算出手段9は2つの入力信号の出力比を
算出してモニタ信号を出力するものであり、その出力は
波長制御手段10に与えられる。波長制御手段10は出
力比算出手段9による出力比が所定値となるようにレー
ザ光源の発光波長を制御するものである。レーザ光源の
発光波長はレーザダイオード1の駆動電流を変化させた
り、周囲温度を変化させることによって調整するものと
する。
り入射されるレーザビームを平行光とするレンズ3と入
射光の光の一部を遮光するカットフィルタ4が設けら
れ、カットフィルタ4を通過した光はビームスプリッタ
5に与えられる。ビームスプリッタ5は例えばガラス基
板に金属膜や誘電体多数膜を蒸着することにより光を分
岐する光分岐手段であり、入射光の一部を透過し、他を
反射する。透過光はレンズ6を介して光ファイバ7に入
射される。光ファイバ7の他端には安定化されたレーザ
光を光源とする測定装置や光通信機器等が接続される。
さてビームスプリッタ5によって分岐された光は光バン
ドパスフィルタ8に与えられる。この光バンドパスフィ
ルタ8は分岐されたレーザビームに垂直に配置され、一
定の透過波長を有するように構成したものである。そし
て光バンドパスフィルタ8を透過する位置に第1の受光
素子であるフォトダイオードPD1を配置し、これと対
称な位置、即ち光バンドパスフィルタ8の反射光をビー
ムスプリッタ5を越えて受光する位置に第2の受光素子
であるフォトダイオードPD2を配置する。フォトダイ
オードPD1,PD2の出力は出力比算出手段9に与え
られる。出力比算出手段9は2つの入力信号の出力比を
算出してモニタ信号を出力するものであり、その出力は
波長制御手段10に与えられる。波長制御手段10は出
力比算出手段9による出力比が所定値となるようにレー
ザ光源の発光波長を制御するものである。レーザ光源の
発光波長はレーザダイオード1の駆動電流を変化させた
り、周囲温度を変化させることによって調整するものと
する。
【0018】次に出力比算出手段9及び波長制御手段1
0について図2を用いて説明する。第1,第2のフォト
ダイオードPD1,PD2からの出力は出力比算出手段
9内のI/V変換器11a,11bに与えられ、電圧信
号に変換される。I/V変換器11bの出力はフォトダ
イオードPD2の出力レベルを補償するために後述する
ビームスプリッタ5の分岐比に対応したゲインを有する
増幅器12に与える。I/V変換器11a及び増幅器1
2の出力は加算器13及び減算器14に与えられ、夫々
の出力は加算及び減算されて割算器15に与えられる。
割算器15はフォトダイオードPD1,PD2に受光さ
れた光を正規化し、これらの出力比に基づいて入力光の
波長を検出するものである。ここでI/V変換器11
a,1b、増幅器12、加算器13、減算器14、割算
器15は第1,第2の受光素子の出力比によってレーザ
光の波長を検出する出力比算出手段9を構成しており、
その出力は誤差検出器16に与えられる。誤差検出器1
6の他方の入力端には基準電圧が与えられている。この
基準電圧は+VCC〜−VDDの間で基準値設定手段17、
例えば可変抵抗器VR1によって調整できるように構成
する。誤差増幅器16はこの基準電圧と入力電圧との差
を誤差信号として検出し、誤差信号をPID制御部18
に与える。PID制御部18は誤差信号が0となるよう
にPID制御するものであり、その出力はレーザダイオ
ード駆動部19を介してレーザダイオード1に帰還する
ように構成されている。レーザダイオード駆動部19は
レーザダイオード1に流す電流、又はレーザダイオード
1の温度を制御することにより、レーザダイオード1の
発光波長を、例えば2〜3nm以下の範囲内で変化するよ
うに制御するものである。ここで誤差検出器16と誤差
検出器16に基準電圧を与える可変抵抗器VR1,PI
D制御部18,レーザダイオード駆動部19は、出力比
算出手段9による出力比が所定値となるようにレーザ光
源の発光波長を制御する波長制御手段10を構成してい
る。
0について図2を用いて説明する。第1,第2のフォト
ダイオードPD1,PD2からの出力は出力比算出手段
9内のI/V変換器11a,11bに与えられ、電圧信
号に変換される。I/V変換器11bの出力はフォトダ
イオードPD2の出力レベルを補償するために後述する
ビームスプリッタ5の分岐比に対応したゲインを有する
増幅器12に与える。I/V変換器11a及び増幅器1
2の出力は加算器13及び減算器14に与えられ、夫々
の出力は加算及び減算されて割算器15に与えられる。
割算器15はフォトダイオードPD1,PD2に受光さ
れた光を正規化し、これらの出力比に基づいて入力光の
波長を検出するものである。ここでI/V変換器11
a,1b、増幅器12、加算器13、減算器14、割算
器15は第1,第2の受光素子の出力比によってレーザ
光の波長を検出する出力比算出手段9を構成しており、
その出力は誤差検出器16に与えられる。誤差検出器1
6の他方の入力端には基準電圧が与えられている。この
基準電圧は+VCC〜−VDDの間で基準値設定手段17、
例えば可変抵抗器VR1によって調整できるように構成
する。誤差増幅器16はこの基準電圧と入力電圧との差
を誤差信号として検出し、誤差信号をPID制御部18
に与える。PID制御部18は誤差信号が0となるよう
にPID制御するものであり、その出力はレーザダイオ
ード駆動部19を介してレーザダイオード1に帰還する
ように構成されている。レーザダイオード駆動部19は
レーザダイオード1に流す電流、又はレーザダイオード
1の温度を制御することにより、レーザダイオード1の
発光波長を、例えば2〜3nm以下の範囲内で変化するよ
うに制御するものである。ここで誤差検出器16と誤差
検出器16に基準電圧を与える可変抵抗器VR1,PI
D制御部18,レーザダイオード駆動部19は、出力比
算出手段9による出力比が所定値となるようにレーザ光
源の発光波長を制御する波長制御手段10を構成してい
る。
【0019】又光バンドパスフィルタ8は膜圧を透過波
長λに対してλ/4の光学膜厚を有する高屈折率膜と低
屈折膜とを交互に積層した多層の光干渉フィルタを用い
る。そしてその中間部にλ/2の光学膜厚のキャビティ
層を設けることによって一定の波長の光を通過させる光
バンドパスフィルタ特性を有するように構成する。
長λに対してλ/4の光学膜厚を有する高屈折率膜と低
屈折膜とを交互に積層した多層の光干渉フィルタを用い
る。そしてその中間部にλ/2の光学膜厚のキャビティ
層を設けることによって一定の波長の光を通過させる光
バンドパスフィルタ特性を有するように構成する。
【0020】次にこの実施の形態によるレーザ光源装置
の動作について説明する。レーザダイオード1で発振す
るレーザ光は光ファイバ2,レンズ3を介してカットフ
ィルタ4に入射される。図3(a)はカットフィルタ4
の特性を示すグラフであり、図3(b),(c)は光バ
ンドパスフィルタ8の透過率,反射率の特性を示すグラ
フである。あらかじめカットフィルタ4はこの光バンド
パスフィルタ8の中心波長λ1をカットオフ波長として
これより長い波長の光を透過し、波長の短い光を遮断す
るような特性を選択する。カットフィルタ4を通過した
光はビームスプリッタ5に入射される。ここでビームス
プリッタ5の分岐・透過比を1:Nとしておく。ビーム
スプリッタ5を透過したレーザ光はレンズ6を介して光
ファイバ7に入射される。一方ビームスプリッタ5によ
って反射された分岐光は光バンドパスフィルタ8に入射
する。そしてその一部のみが光バンドパスフィルタ8を
透過してフォトダイオードPD1に入射する。光バンド
パスフィルタ8は図3(b),(c)に示すように所定
の波長λ1の光を透過させ、その他の光を反射させる特
性を有している。従って光バンドパスフィルタ8で反射
された光は再びビームスプリッタ5に入射し、1:Nの
比率で分岐されて透過光がフォトダイオードPD2に入
射する。このときレーザダイオード1の発光波長λに対
してフォトダイオードPD1,PD2に得られる光出力
は夫々図3(d),(e)に示すものとなる。増幅器1
2はこのときのフォトダイオードPD2の光分岐に伴う
出力レベルの低下を補償するものである。こうすればI
/V変換器11a,増幅器12に得られる出力は、夫々
図3(b)の透過率及び図3(c)の反射率に対応して
いる。
の動作について説明する。レーザダイオード1で発振す
るレーザ光は光ファイバ2,レンズ3を介してカットフ
ィルタ4に入射される。図3(a)はカットフィルタ4
の特性を示すグラフであり、図3(b),(c)は光バ
ンドパスフィルタ8の透過率,反射率の特性を示すグラ
フである。あらかじめカットフィルタ4はこの光バンド
パスフィルタ8の中心波長λ1をカットオフ波長として
これより長い波長の光を透過し、波長の短い光を遮断す
るような特性を選択する。カットフィルタ4を通過した
光はビームスプリッタ5に入射される。ここでビームス
プリッタ5の分岐・透過比を1:Nとしておく。ビーム
スプリッタ5を透過したレーザ光はレンズ6を介して光
ファイバ7に入射される。一方ビームスプリッタ5によ
って反射された分岐光は光バンドパスフィルタ8に入射
する。そしてその一部のみが光バンドパスフィルタ8を
透過してフォトダイオードPD1に入射する。光バンド
パスフィルタ8は図3(b),(c)に示すように所定
の波長λ1の光を透過させ、その他の光を反射させる特
性を有している。従って光バンドパスフィルタ8で反射
された光は再びビームスプリッタ5に入射し、1:Nの
比率で分岐されて透過光がフォトダイオードPD2に入
射する。このときレーザダイオード1の発光波長λに対
してフォトダイオードPD1,PD2に得られる光出力
は夫々図3(d),(e)に示すものとなる。増幅器1
2はこのときのフォトダイオードPD2の光分岐に伴う
出力レベルの低下を補償するものである。こうすればI
/V変換器11a,増幅器12に得られる出力は、夫々
図3(b)の透過率及び図3(c)の反射率に対応して
いる。
【0021】フォトダイオードPD2に入射する透過光
のレベルはビームスプリッタ5の分岐比1:Nによって
決定される。例えば光バンドパスフィルタ8の透過及び
反射比が1:1のときに発光波長を固定するように設定
するものとすれば、ビームスプリッタ5の分岐比が1:
1の場合には、図4に示すようにPD1に対するPD2
の受光比率は0.5で固定されることとなる。同様にし
てビームスプリッタ5の分岐比が1:10の場合には、
PD2の受光比率は0.9、分岐比が1:100では受
光比率は0.99となる。このように分岐比Nを大きく
しておくことによりPD1とPD2の受光レベルは図4
に示すように1に近づいていくこととなる。従って分岐
比Nが十分大きければ増幅器12のゲインは1でよく、
増幅器12をなくするようにしてもよい。
のレベルはビームスプリッタ5の分岐比1:Nによって
決定される。例えば光バンドパスフィルタ8の透過及び
反射比が1:1のときに発光波長を固定するように設定
するものとすれば、ビームスプリッタ5の分岐比が1:
1の場合には、図4に示すようにPD1に対するPD2
の受光比率は0.5で固定されることとなる。同様にし
てビームスプリッタ5の分岐比が1:10の場合には、
PD2の受光比率は0.9、分岐比が1:100では受
光比率は0.99となる。このように分岐比Nを大きく
しておくことによりPD1とPD2の受光レベルは図4
に示すように1に近づいていくこととなる。従って分岐
比Nが十分大きければ増幅器12のゲインは1でよく、
増幅器12をなくするようにしてもよい。
【0022】従ってI/V変換11a,増幅器12の出
力をA,Bとすると、これらを加算及び減算し、割算器
15により割算し、(A−B)/(A+B)を算出す
る。割算することにより正規化したレベルは図5に示す
ものとなる。このようにレーザ光源の発光波長に応じて
波長モニタ信号が連続的に変化する。波長モニタ信号の
レベルと誤差検出器16の基準電圧との差分値を誤差信
号とし、誤差信号が零となるように制御することによっ
て、誤差検出器16に設定された基準電圧と一致するよ
うにレーザダイオード1の波長を制御することができ
る。例えば基準電圧を0Vとすれば、I/V変換器11
aと増幅器12の出力レベルが等しい波長λ2を発光し
たとき、誤差信号は0となり、レーザダイオードの発光
波長をλ2に制御することができる。又基準電圧を図5
のレベルV1に設定すれば、短波長側のλ4に波長がロ
ックされることとなる。このように誤差検出器16の基
準電圧を変化させることによって図3,図5に示す波長
λ1〜λ3の範囲内で発光波長を微調整することができ
る。
力をA,Bとすると、これらを加算及び減算し、割算器
15により割算し、(A−B)/(A+B)を算出す
る。割算することにより正規化したレベルは図5に示す
ものとなる。このようにレーザ光源の発光波長に応じて
波長モニタ信号が連続的に変化する。波長モニタ信号の
レベルと誤差検出器16の基準電圧との差分値を誤差信
号とし、誤差信号が零となるように制御することによっ
て、誤差検出器16に設定された基準電圧と一致するよ
うにレーザダイオード1の波長を制御することができ
る。例えば基準電圧を0Vとすれば、I/V変換器11
aと増幅器12の出力レベルが等しい波長λ2を発光し
たとき、誤差信号は0となり、レーザダイオードの発光
波長をλ2に制御することができる。又基準電圧を図5
のレベルV1に設定すれば、短波長側のλ4に波長がロ
ックされることとなる。このように誤差検出器16の基
準電圧を変化させることによって図3,図5に示す波長
λ1〜λ3の範囲内で発光波長を微調整することができ
る。
【0023】ここでレーザ光を分岐するビームスプリッ
タ5は所定の分岐比を有するものを使用するが、温度や
偏波面等に依存してある範囲で分岐比の変動を生じる。
このような温度や偏波面の変化に依存して分岐比Nが変
化すると、2つのフォトダイオードPD1,PD2に受
光される光のレベルが変化する。しかしビームスプリッ
タ5の分岐比Nを大きくしていけば、2つのフォトダイ
オードPD1,PD2に受光される変動量の比は図6に
示すように小さくなる。図6では分岐比の変動が±0.
1%,±1%,±10%の3つのビームスプリッタ5に
ついて、夫々曲線A,B,CによってPD1とPD2の
変動量の比を示したものである。このようにビームスプ
リッタ5の分岐比Nを大きくすれば、分岐比の変動が大
きいビームスプリッタを用いたとしても変動量の比は小
さくほぼ0%となるため、正確に所定の波長でレーザ光
の波長を固定することができる。
タ5は所定の分岐比を有するものを使用するが、温度や
偏波面等に依存してある範囲で分岐比の変動を生じる。
このような温度や偏波面の変化に依存して分岐比Nが変
化すると、2つのフォトダイオードPD1,PD2に受
光される光のレベルが変化する。しかしビームスプリッ
タ5の分岐比Nを大きくしていけば、2つのフォトダイ
オードPD1,PD2に受光される変動量の比は図6に
示すように小さくなる。図6では分岐比の変動が±0.
1%,±1%,±10%の3つのビームスプリッタ5に
ついて、夫々曲線A,B,CによってPD1とPD2の
変動量の比を示したものである。このようにビームスプ
リッタ5の分岐比Nを大きくすれば、分岐比の変動が大
きいビームスプリッタを用いたとしても変動量の比は小
さくほぼ0%となるため、正確に所定の波長でレーザ光
の波長を固定することができる。
【0024】図7は第1の実施の形態によるレーザ光源
装置のレーザ光源以外の分岐・波長ロック部分を1つの
モジュールとしてケース21に収納した状態を示す斜視
図である。この実施の形態では、光ファイバ2を介して
レーザ光の一部が入射しており、ビームスプリッタの透
過光が光ファイバ7より出力される。又このケースには
電源の供給ラインやモニタ出力ラインが設けられてい
る。ケース21には前述した基準値調整手段の可変抵抗
器VR1の抵抗値を調整することによって発光波長を微
調整するためのつまみ22が設けられている。又このよ
うなつまみを外部に露出させず、ケースを気密に構成し
てもよい。
装置のレーザ光源以外の分岐・波長ロック部分を1つの
モジュールとしてケース21に収納した状態を示す斜視
図である。この実施の形態では、光ファイバ2を介して
レーザ光の一部が入射しており、ビームスプリッタの透
過光が光ファイバ7より出力される。又このケースには
電源の供給ラインやモニタ出力ラインが設けられてい
る。ケース21には前述した基準値調整手段の可変抵抗
器VR1の抵抗値を調整することによって発光波長を微
調整するためのつまみ22が設けられている。又このよ
うなつまみを外部に露出させず、ケースを気密に構成し
てもよい。
【0025】次にこの発明の第2の実施の形態について
図8,図9を用いて説明する。この実施の形態ではロッ
クする光のレーザ光の波長を外部から調整可能としたも
のである。前述した第1の実施の形態と同一部分は同一
符号を付して詳細な説明を省略する。この実施の形態で
は光バンドパスフィルタ8に代えて干渉光フィルタ30
とし、その基板の長手方向(X軸)の入射位置によって
連続的に透過光の波長を変化させることができるように
したものである。そしてスライド機構31はこの干渉光
フィルタ30をレーザビームに対して垂直に保ったまま
機械的にX軸方向に微小距離スライドさせ、入射位置を
変化させるものである。その他の構成は前述した第1の
実施の形態と同一である。
図8,図9を用いて説明する。この実施の形態ではロッ
クする光のレーザ光の波長を外部から調整可能としたも
のである。前述した第1の実施の形態と同一部分は同一
符号を付して詳細な説明を省略する。この実施の形態で
は光バンドパスフィルタ8に代えて干渉光フィルタ30
とし、その基板の長手方向(X軸)の入射位置によって
連続的に透過光の波長を変化させることができるように
したものである。そしてスライド機構31はこの干渉光
フィルタ30をレーザビームに対して垂直に保ったまま
機械的にX軸方向に微小距離スライドさせ、入射位置を
変化させるものである。その他の構成は前述した第1の
実施の形態と同一である。
【0026】次にこの干渉光フィルタは特公平7-92530
号に示されるものであり、次に図9を用いて説明する。
本実施の形態による波長可変型の干渉光フィルタ30
は、例えばガラス,シリコン等のサブストレート41上
に物質を多層蒸着させて構成している。このサブストレ
ート41は使用する波長の範囲で光の透過率が高い材質
を用いて構成するものとし、誘電体や半導体が用いられ
る。本実施の形態では石英ガラスを用いている。そして
このサブストレート41の上部には、使用する波長での
光の透過率の高い蒸着物質、誘電体,半導体等の多層膜
42を蒸着する。ここで多層膜42は図示のように下部
多層膜43,キャビティ層44及び上部多層膜45から
形成されるものとする。又サブストレート41の下面に
は反射防止膜46を蒸着によって形成する。
号に示されるものであり、次に図9を用いて説明する。
本実施の形態による波長可変型の干渉光フィルタ30
は、例えばガラス,シリコン等のサブストレート41上
に物質を多層蒸着させて構成している。このサブストレ
ート41は使用する波長の範囲で光の透過率が高い材質
を用いて構成するものとし、誘電体や半導体が用いられ
る。本実施の形態では石英ガラスを用いている。そして
このサブストレート41の上部には、使用する波長での
光の透過率の高い蒸着物質、誘電体,半導体等の多層膜
42を蒸着する。ここで多層膜42は図示のように下部
多層膜43,キャビティ層44及び上部多層膜45から
形成されるものとする。又サブストレート41の下面に
は反射防止膜46を蒸着によって形成する。
【0027】ここで多層膜42,反射防止膜46の蒸着
材料として用いられる物質は、例えばSi O2 (屈折率
n=1.46),Ta2O5 (n=2.15),Si (n=3.46)
やAl2O3 ,Si2N4 ,Mg F等が用いられる。又本実
施の形態では多層膜43,45は低屈折率膜と高屈折率
膜とを交互に積層して蒸着させている。ここで膜厚dと
透過波長λ,屈折率nとは以下の関係となるようにす
る。 λ=4nd ・・・(1) 即ち各層はその光学厚さndをλ/4とする。そして低
屈折率膜と高屈折率膜とを交互に積み重ねることによっ
て透過率のピークの半値全幅(FWHM)を小さくして
いる。又キャビティ層44の膜厚dc とは透過波長λ,
屈折率nとは以下の関係になるようにする。 λ=2ndc ・・・(2) 即ちキャビティ層44の光学厚さndc はλ/2とす
る。
材料として用いられる物質は、例えばSi O2 (屈折率
n=1.46),Ta2O5 (n=2.15),Si (n=3.46)
やAl2O3 ,Si2N4 ,Mg F等が用いられる。又本実
施の形態では多層膜43,45は低屈折率膜と高屈折率
膜とを交互に積層して蒸着させている。ここで膜厚dと
透過波長λ,屈折率nとは以下の関係となるようにす
る。 λ=4nd ・・・(1) 即ち各層はその光学厚さndをλ/4とする。そして低
屈折率膜と高屈折率膜とを交互に積み重ねることによっ
て透過率のピークの半値全幅(FWHM)を小さくして
いる。又キャビティ層44の膜厚dc とは透過波長λ,
屈折率nとは以下の関係になるようにする。 λ=2ndc ・・・(2) 即ちキャビティ層44の光学厚さndc はλ/2とす
る。
【0028】さて本実施の形態による干渉光フィルタ3
0は、透過波長と膜厚とが式(1),(2)の関係を有
することから、サブストレート41を細長い板状の基板
とし、多層膜42の屈折率を一定とし、膜厚を連続的に
変化させて透過波長λを異ならせるようにしている。そ
してこの波長可変型干渉光フィルタ30の透過波長をλ
a 〜λc (λa <λc )とし、その中心点(x=xb )
での透過波長をλb とする。上下の多層膜43,45
は、夫々第1の屈折率n1 の第1の蒸着物質膜とこれよ
り屈折率の低い第2の屈折率n2 の第2の蒸着物質膜と
を、交互に積層して構成する。即ち図9(a)の円形部
分の拡大図を図9(c)に示すように、夫々の膜厚を連
続的に変化させている。図9(c)において、下部多層
膜43の低屈折率膜を43L,高屈折率膜を43Hと
し、上部多層膜45の高屈折率膜を45H,低屈折率膜
を45Lとする。そして図9(a)のフィルタのX軸上
での端部xa の透過波長λa に対して、夫々低屈折率膜
及び高屈折率膜で上記の式(1),(2)が成り立つよ
うに設定する。又xb ,xc での透過波長λb ,λc に
対しても、その波長λb ,λc で式(1),(2)が成
り立つようにその膜厚を設定する。そしてその間の膜厚
も波長の変化が直線的に変化するように設定する。従っ
て多層膜の各膜厚は図示のようにx軸上の位置xa 〜x
c につれて連続的に変化し、X軸の正方向に向かって膜
厚が大きくなる。
0は、透過波長と膜厚とが式(1),(2)の関係を有
することから、サブストレート41を細長い板状の基板
とし、多層膜42の屈折率を一定とし、膜厚を連続的に
変化させて透過波長λを異ならせるようにしている。そ
してこの波長可変型干渉光フィルタ30の透過波長をλ
a 〜λc (λa <λc )とし、その中心点(x=xb )
での透過波長をλb とする。上下の多層膜43,45
は、夫々第1の屈折率n1 の第1の蒸着物質膜とこれよ
り屈折率の低い第2の屈折率n2 の第2の蒸着物質膜と
を、交互に積層して構成する。即ち図9(a)の円形部
分の拡大図を図9(c)に示すように、夫々の膜厚を連
続的に変化させている。図9(c)において、下部多層
膜43の低屈折率膜を43L,高屈折率膜を43Hと
し、上部多層膜45の高屈折率膜を45H,低屈折率膜
を45Lとする。そして図9(a)のフィルタのX軸上
での端部xa の透過波長λa に対して、夫々低屈折率膜
及び高屈折率膜で上記の式(1),(2)が成り立つよ
うに設定する。又xb ,xc での透過波長λb ,λc に
対しても、その波長λb ,λc で式(1),(2)が成
り立つようにその膜厚を設定する。そしてその間の膜厚
も波長の変化が直線的に変化するように設定する。従っ
て多層膜の各膜厚は図示のようにx軸上の位置xa 〜x
c につれて連続的に変化し、X軸の正方向に向かって膜
厚が大きくなる。
【0029】このように膜厚を連続的に変化させること
は、サブストレート41上に多層膜42を蒸着して形成
する際に、蒸着源との間隔を連続的に変化するようにサ
ブストレートを傾けて配置しておくことにより、実現す
ることができる。
は、サブストレート41上に多層膜42を蒸着して形成
する際に、蒸着源との間隔を連続的に変化するようにサ
ブストレートを傾けて配置しておくことにより、実現す
ることができる。
【0030】又干渉光フィルタ30の膜厚自体を連続し
て変化させるようにしているが、各膜厚は一定とし、多
層膜42の屈折率n1 ,n2 をX軸方向に連続的に変化
させるようにして光学厚さを連続的に可変するようにし
てもよい。
て変化させるようにしているが、各膜厚は一定とし、多
層膜42の屈折率n1 ,n2 をX軸方向に連続的に変化
させるようにして光学厚さを連続的に可変するようにし
てもよい。
【0031】このようにして構成した干渉光フィルタ3
0は狭帯域特性を有し、しかも温度変化等に対して十分
安定した特性を有している。従って干渉光フィルタ30
へ光が入射する位置をスライド調整機構31を用いて機
械的にX軸方向に移動させることによって、透過波長自
体を連続的に変化させることができる。こうすればスラ
イド調整機構31によって分岐光がフォトダイオードP
D1に入射する波長が変化し、ロックする波長を変化さ
せることができる。
0は狭帯域特性を有し、しかも温度変化等に対して十分
安定した特性を有している。従って干渉光フィルタ30
へ光が入射する位置をスライド調整機構31を用いて機
械的にX軸方向に移動させることによって、透過波長自
体を連続的に変化させることができる。こうすればスラ
イド調整機構31によって分岐光がフォトダイオードP
D1に入射する波長が変化し、ロックする波長を変化さ
せることができる。
【0032】次に図10(a)は第2の実施の形態によ
るレーザ光源装置のレーザ光源以外の分岐・波長ロック
部分を1つのモジュールとしてケース32に収納した状
態を示す斜視図である。この実施の形態では、レーザダ
イオード1の発光波長を大きく変化させるためにはスラ
イド調整機構31の調整つまみ33を回転させて干渉光
フィルタ30への入射光の入射位置を変化させる。こう
すれば図3(b),(c)に示す干渉光フィルタ20の
透過波長λ1を変化させることができる。この場合には
カットフィルタ4もこれに応じた特性を有するフィルタ
を用いる必要がある。こうすれば発光可能な波長を大き
く変化させることができる。従って発光波長を干渉光フ
ィルタ30への入射位置によって大まかに調整し、微妙
な波長の調整を基準値設定手段17の基準電圧を変化さ
せることによって調整すれば、使用者が任意の波長に設
定することが可能となる。
るレーザ光源装置のレーザ光源以外の分岐・波長ロック
部分を1つのモジュールとしてケース32に収納した状
態を示す斜視図である。この実施の形態では、レーザダ
イオード1の発光波長を大きく変化させるためにはスラ
イド調整機構31の調整つまみ33を回転させて干渉光
フィルタ30への入射光の入射位置を変化させる。こう
すれば図3(b),(c)に示す干渉光フィルタ20の
透過波長λ1を変化させることができる。この場合には
カットフィルタ4もこれに応じた特性を有するフィルタ
を用いる必要がある。こうすれば発光可能な波長を大き
く変化させることができる。従って発光波長を干渉光フ
ィルタ30への入射位置によって大まかに調整し、微妙
な波長の調整を基準値設定手段17の基準電圧を変化さ
せることによって調整すれば、使用者が任意の波長に設
定することが可能となる。
【0033】尚前述した第2の実施の形態では、スライ
ド調整機構31と可変抵抗器VR1のつまみ33,34
をケースの外部から調整できるようにしているが、図1
0(b)に示すように可変抵抗器VR1による基準値設
定手段を設けることなくスライド調整機構31のつまみ
33のみで波長を変化させるようにしてもよい。又図1
0(c)に示すように、製造時に必要な波長に設定して
おき、スライド調整機構31のつまみ33、及び微調整
のための可変抵抗器VR1のつまみ34をケース外部に
露出させず、レーザ光源の発光波長を調整できないよう
にすることもできる。こうすれば使用者が逐一波長を調
整することなく極めて簡単な構成でレーザ光源の発光波
長を安定化させた安定化装置を実現することができ、気
密封止も容易となる。又スライド調整機構31のつまみ
33をケース32外に露出させることなく、図10
(d)に示すように微調整のための可変抵抗器VR1の
つまみ34のみを調整可能としてもよい。この場合には
製造時にスライド調整機構31によって必要な波長に設
定しておくことより、使用者は設定波長の所定範囲内で
発光波長の微調整をすることができる。
ド調整機構31と可変抵抗器VR1のつまみ33,34
をケースの外部から調整できるようにしているが、図1
0(b)に示すように可変抵抗器VR1による基準値設
定手段を設けることなくスライド調整機構31のつまみ
33のみで波長を変化させるようにしてもよい。又図1
0(c)に示すように、製造時に必要な波長に設定して
おき、スライド調整機構31のつまみ33、及び微調整
のための可変抵抗器VR1のつまみ34をケース外部に
露出させず、レーザ光源の発光波長を調整できないよう
にすることもできる。こうすれば使用者が逐一波長を調
整することなく極めて簡単な構成でレーザ光源の発光波
長を安定化させた安定化装置を実現することができ、気
密封止も容易となる。又スライド調整機構31のつまみ
33をケース32外に露出させることなく、図10
(d)に示すように微調整のための可変抵抗器VR1の
つまみ34のみを調整可能としてもよい。この場合には
製造時にスライド調整機構31によって必要な波長に設
定しておくことより、使用者は設定波長の所定範囲内で
発光波長の微調整をすることができる。
【0034】次に本発明の第3の実施の形態について図
11を用いて説明する。この実施の形態ではビームスプ
リッタ5をガラス上に金属や誘電体多層膜を蒸着したビ
ームスプリッタでなく、2本の光ファイバを融着させて
構成したものである。この実施の形態ではレーザダイオ
ード1から出射されたレーザ光をレンズ3及びカットフ
ィルタ4を介して光ファイバ51に導く。光ファイバ5
1はそのまま測定装置や光通信機器に接続される。そし
て光ファイバ51の一部に他の光ファイバ52を密接し
て配置し、その一部を融着しておく。光ファイバ51を
透過するレーザ光の一部を融着部53で光ファイバ52
に分岐させ、その光を前述したように光バンドパスフィ
ルタ8を介して第1の受光素子であるフォトダイオード
PD1に導く。又光バンドパスフィルタ8で反射した光
を受光するために、光ファイバ52の他端に第2の受光
素子であるフォトダイオードPD2を設ける。こうすれ
ば光バンドパスフィルタ8の反射光の一部をフォトダイ
オードPD2で受光することができる。その他の構成は
前述した第1の実施の形態と同様である。又前述した第
2の実施の形態のように光バンドパスフィルタ8に代え
て干渉光フィルタ30を用いて入射位置をX軸方向にず
らせるように構成してもよい。この場合にはガラス基板
を用いたビームスプリッタ5が不要でレンズを少なくす
ることができるため、光分岐・波長ロックモジュールを
極めて小さく構成することができる。又部品点数も少な
くなり、低価格化が可能となる。
11を用いて説明する。この実施の形態ではビームスプ
リッタ5をガラス上に金属や誘電体多層膜を蒸着したビ
ームスプリッタでなく、2本の光ファイバを融着させて
構成したものである。この実施の形態ではレーザダイオ
ード1から出射されたレーザ光をレンズ3及びカットフ
ィルタ4を介して光ファイバ51に導く。光ファイバ5
1はそのまま測定装置や光通信機器に接続される。そし
て光ファイバ51の一部に他の光ファイバ52を密接し
て配置し、その一部を融着しておく。光ファイバ51を
透過するレーザ光の一部を融着部53で光ファイバ52
に分岐させ、その光を前述したように光バンドパスフィ
ルタ8を介して第1の受光素子であるフォトダイオード
PD1に導く。又光バンドパスフィルタ8で反射した光
を受光するために、光ファイバ52の他端に第2の受光
素子であるフォトダイオードPD2を設ける。こうすれ
ば光バンドパスフィルタ8の反射光の一部をフォトダイ
オードPD2で受光することができる。その他の構成は
前述した第1の実施の形態と同様である。又前述した第
2の実施の形態のように光バンドパスフィルタ8に代え
て干渉光フィルタ30を用いて入射位置をX軸方向にず
らせるように構成してもよい。この場合にはガラス基板
を用いたビームスプリッタ5が不要でレンズを少なくす
ることができるため、光分岐・波長ロックモジュールを
極めて小さく構成することができる。又部品点数も少な
くなり、低価格化が可能となる。
【0035】尚前述した第1,第2の実施の形態では、
信号処理回路として加算器と減算器及びその出力比を算
出する割算器を設けているが、I/V変換器11aと増
幅器12の出力の比を直接算出するようにしてもよいこ
とはいうまでもない。又カットフィルタ4を設けること
なく、図3(b),(c)に示すように透過/反射特性
のスロープの2つの位置でロック点を設定できるように
してもよい。この場合には誤差信号の移動方向によって
2つのロック点のうちの一方の点に発光波長を固定する
ことができる。
信号処理回路として加算器と減算器及びその出力比を算
出する割算器を設けているが、I/V変換器11aと増
幅器12の出力の比を直接算出するようにしてもよいこ
とはいうまでもない。又カットフィルタ4を設けること
なく、図3(b),(c)に示すように透過/反射特性
のスロープの2つの位置でロック点を設定できるように
してもよい。この場合には誤差信号の移動方向によって
2つのロック点のうちの一方の点に発光波長を固定する
ことができる。
【0036】又前述した実施の形態ではレーザ光源とし
てレーザダイオードを用いているが、その他のレーザ光
源を用いてもよい。前述した第1,第2の実施の形態で
はビームスプリッタ5を金属や誘電体多層膜をガラス上
に蒸着したビームスプリッタを用い、第3の実施の形態
では2本の光ファイバを用いてその一部を融着したビー
ムスプリッタとしているが、光平面導波路を用い、交差
又は結合させて二入力二出力の光分岐素子として構成す
るものであれば、他の種々の光分岐素子を用いることが
できることはいうまでもない。
てレーザダイオードを用いているが、その他のレーザ光
源を用いてもよい。前述した第1,第2の実施の形態で
はビームスプリッタ5を金属や誘電体多層膜をガラス上
に蒸着したビームスプリッタを用い、第3の実施の形態
では2本の光ファイバを用いてその一部を融着したビー
ムスプリッタとしているが、光平面導波路を用い、交差
又は結合させて二入力二出力の光分岐素子として構成す
るものであれば、他の種々の光分岐素子を用いることが
できることはいうまでもない。
【0037】尚前述した実施の形態では出力比算出手段
においてI/V変換器11bの出力を増幅する増幅器1
2を設けているが、フォトダイオードPD2の出力レベ
ルがビームスプリッタ5の分岐比により低下している状
態で発光波長を固定してもよい。又ビームスプリッタ5
の分岐比Nが十分大きければフォトダイオードPD1,
PD2の出力レーザはほぼ等しくなるため、増幅器12
を設ける必要はなくなる。
においてI/V変換器11bの出力を増幅する増幅器1
2を設けているが、フォトダイオードPD2の出力レベ
ルがビームスプリッタ5の分岐比により低下している状
態で発光波長を固定してもよい。又ビームスプリッタ5
の分岐比Nが十分大きければフォトダイオードPD1,
PD2の出力レーザはほぼ等しくなるため、増幅器12
を設ける必要はなくなる。
【0038】次に本発明の第4の実施の形態によるレー
ザ光源装置について説明する。この実施の形態では前述
した第1,第2の実施の形態による光フィルタは温度依
存性を有することから、温度を補償し、周囲温度にかか
わらず一定の波長の光源を出力することができるように
したものである。図12は出力比算出手段より算出され
た出力比を温度補償するための温度補償手段60の構成
を示している。温度補償手段60は温度検出手段61と
加算器62を含んで校正される。温度検出手段61は光
バンドパスフィルタ8の周囲温度を検出するものであっ
て、その出力は加算器62に与えられる。加算器62は
図13の曲線Aに示すように出力比算出手段9からの出
力が温度に対してほぼリニアな温度特性を有することか
ら、これを打ち消すように温度検知信号を加算する。こ
うすれば極めて容易に温度補正することができ、図13
の曲線Bに示すように、周囲温度にかかわらずほぼ一定
の波長特性を有するレーザ光を出力することができると
いう効果が得られる。
ザ光源装置について説明する。この実施の形態では前述
した第1,第2の実施の形態による光フィルタは温度依
存性を有することから、温度を補償し、周囲温度にかか
わらず一定の波長の光源を出力することができるように
したものである。図12は出力比算出手段より算出され
た出力比を温度補償するための温度補償手段60の構成
を示している。温度補償手段60は温度検出手段61と
加算器62を含んで校正される。温度検出手段61は光
バンドパスフィルタ8の周囲温度を検出するものであっ
て、その出力は加算器62に与えられる。加算器62は
図13の曲線Aに示すように出力比算出手段9からの出
力が温度に対してほぼリニアな温度特性を有することか
ら、これを打ち消すように温度検知信号を加算する。こ
うすれば極めて容易に温度補正することができ、図13
の曲線Bに示すように、周囲温度にかかわらずほぼ一定
の波長特性を有するレーザ光を出力することができると
いう効果が得られる。
【0039】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本願の請求項
1〜6の発明によれば、ビームスプリッタと光フィルタ
を用い、光フィルタの透過光と反射光との比率から光源
の発光波長を制御するようにしている。従ってビームス
プリッタを内蔵することができ、しかも光分岐手段の分
岐比を大きくしておくことにより、ビームスプリッタの
分岐比や波長依存性等に影響されることなく高精度の波
長精度を得ることができる。又請求項2の発明では、光
ファイバを融着させることによってビームスプリッタを
構成しているため、光学部品点数を少なくすることがで
き、極めて簡単な構成で正確な波長制御が可能となる。
又請求項4の発明では、干渉光フィルタへの入射位置を
制御することによって発光波長を広い範囲内で制御する
ことができるという効果が得られる。又請求項5の発明
では、基準値設定手段により設定する基準値を変化させ
ることによって、レーザ光源の発光周波数を微調整する
ことが可能となる。又請求項6の発明では、カットフィ
ルタを用いてロック点を1つに限定することができるた
め、波長制御手段の構成を容易にすることができるとい
う効果が得られる。又請求項7の発明では、周囲温度を
検出し、出力比算出手段の出力を補償することによっ
て、周囲温度の影響なく一定の波長のレーザ光を出力す
ることができるという効果が得られる。
1〜6の発明によれば、ビームスプリッタと光フィルタ
を用い、光フィルタの透過光と反射光との比率から光源
の発光波長を制御するようにしている。従ってビームス
プリッタを内蔵することができ、しかも光分岐手段の分
岐比を大きくしておくことにより、ビームスプリッタの
分岐比や波長依存性等に影響されることなく高精度の波
長精度を得ることができる。又請求項2の発明では、光
ファイバを融着させることによってビームスプリッタを
構成しているため、光学部品点数を少なくすることがで
き、極めて簡単な構成で正確な波長制御が可能となる。
又請求項4の発明では、干渉光フィルタへの入射位置を
制御することによって発光波長を広い範囲内で制御する
ことができるという効果が得られる。又請求項5の発明
では、基準値設定手段により設定する基準値を変化させ
ることによって、レーザ光源の発光周波数を微調整する
ことが可能となる。又請求項6の発明では、カットフィ
ルタを用いてロック点を1つに限定することができるた
め、波長制御手段の構成を容易にすることができるとい
う効果が得られる。又請求項7の発明では、周囲温度を
検出し、出力比算出手段の出力を補償することによっ
て、周囲温度の影響なく一定の波長のレーザ光を出力す
ることができるという効果が得られる。
【図1】本発明の第1の実施の形態によるレーザ光源装
置の全体構成を示すブロック図である。
置の全体構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態によるレーザ光源装
置の出力比算出手段及び波長制御手段の構成を示すブロ
ック図である。
置の出力比算出手段及び波長制御手段の構成を示すブロ
ック図である。
【図3】カットフィルタと干渉光フィルタ及びフォトダ
イオードPD1,PD2の発光波長に対する特性変化を
示すグラフである。
イオードPD1,PD2の発光波長に対する特性変化を
示すグラフである。
【図4】ビームスプリッタの分岐比に対するフォトダイ
オードの出力比を示す図である。
オードの出力比を示す図である。
【図5】波長に対する誤差信号の変化を示すグラフであ
る。
る。
【図6】ビームスプリッタの分岐比に対するフォトダイ
オードPD1,PD2の出力の変動量の変化を示すグラ
フである。
オードPD1,PD2の出力の変動量の変化を示すグラ
フである。
【図7】第1の実施の形態による光分岐・波長ロックモ
ジュールの構成を示す斜視図である。
ジュールの構成を示す斜視図である。
【図8】本発明の第2の実施の形態によるレーザ光源装
置の全体構成を示すブロック図である。
置の全体構成を示すブロック図である。
【図9】(a)は本発明の第2の実施の形態によるシン
グルキャビティ構造の干渉光フィルタの構成を示す断面
図、(b)はそのX軸上で透過率の変化を示すグラフ、
(c)は(a)の円形部分の拡大断面図である。
グルキャビティ構造の干渉光フィルタの構成を示す断面
図、(b)はそのX軸上で透過率の変化を示すグラフ、
(c)は(a)の円形部分の拡大断面図である。
【図10】第2の実施の形態による光分岐・波長ロック
モジュールの構成を示す斜視図である。
モジュールの構成を示す斜視図である。
【図11】本発明の第3の実施の形態によるレーザ光源
装置の全体構成を示すブロック図である。
装置の全体構成を示すブロック図である。
【図12】本発明の第4の実施の形態によるレーザ光源
装置の出力比算出手段,温度補償手段及び波長制御手段
の構成を示すブロック図である。
装置の出力比算出手段,温度補償手段及び波長制御手段
の構成を示すブロック図である。
【図13】温度補償前及び温度補償後の周囲温度と波長
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
1 レーザダイオード 2,7,51,52 光ファイバ 3,6 レンズ 4 カットフィルタ 5 ビームスプリッタ 8 光バンドパスフィルタ 9 出力比算出手段 10 波長制御手段 11a,11b I/V変換器 12 増幅器 13 加算器 14 減算器 15 割算器 16 誤差検出器 17 基準値設定手段 18 PID制御部 19 レーザダイオード駆動部 21,32 ケース 22,33,34 つまみ 30 干渉光フィルタ 31 スライド調整機構 53 融着部分 PD1,PD2 フォトダイオード 60 温度補償手段 61 温度検出手段 62 加算手段
Claims (7)
- 【請求項1】 光の波長を連続的に変化させることがで
きるレーザ光源と、 前記レーザ光源のレーザ光が入射され、その入射された
レーザ光を透過光と分岐光とに分岐するビームスプリッ
タと、 前記ビームスプリッタの分岐光が入射され、所定波長の
光を透過させ、他を反射させて前記ビームスプリッタに
再び入射させる光フィルタと、 前記光フィルタの透過光を受光する第1の受光素子と、 前記光フィルタによって反射された分岐光のうち前記ビ
ームスプリッタを透過する光を受光する第2の受光素子
と、 前記第1,第2の受光素子の出力比を算出する出力比算
出手段と、 前記出力比算出手段による出力比が所定値となるように
前記光源の発光波長を制御する波長制御手段と、を具備
することを特徴とするレーザ光源装置。 - 【請求項2】 前記ビームスプリッタは、2本の光ファ
イバの一部を密着して融着させて構成したものであるこ
とを特徴とする請求項1記載のレーザ光源装置。 - 【請求項3】 前記光フィルタは、透過波長λに対して
λ/4の光学厚さを有する低屈折率膜及び高屈折率膜を
交互に多重に積層して構成された干渉光フィルタである
ことを特徴とする請求項1記載のレーザ光源装置。 - 【請求項4】 前記干渉光フィルタは、透過波長λが基
板の所定方向に対して連続的に変化するようにその光学
厚さを連続的に変化させたものであり、 前記レーザ光源装置は、前記ビームスプリッタで分岐さ
れた分岐光の前記干渉光フィルタへの入射位置を前記所
定方向に対して連続的に変化させるスライド調整機構を
更に有するものであることを特徴とする請求項3記載の
レーザ光源装置。 - 【請求項5】 前記波長制御手段は、前記出力比算出手
段によって算出された出力比とを所定の基準値との差を
検出する誤差検出手段と、 前記誤差検出手段に基準値を設定する基準値設定手段
と、 前記誤差検出手段により検出される誤差値が0となるよ
うに前記レーザ光源の発光波長を制御する光源駆動手段
と、を具備することを特徴とすることを特徴とする請求
項1〜5のいずれか1項記載のレーザ光源装置。 - 【請求項6】 前記レーザ光源と前記ビームスプリッタ
との間に前記光フィルタの透過波長をカットオフ波長と
するカットフィルタを更に設けたことを特徴とする請求
項1〜5のいずれか1項記載のレーザ光源装置。 - 【請求項7】 前記光フィルタの周囲の温度を測定する
温度検出手段を含み、記出力比算出手段によって算出さ
れた出力比を温度補償する温度補償手段を更に有するも
のである特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の
レーザ光源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18654597A JP3347644B2 (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | レーザ光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18654597A JP3347644B2 (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | レーザ光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1131859A true JPH1131859A (ja) | 1999-02-02 |
JP3347644B2 JP3347644B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=16190388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18654597A Expired - Fee Related JP3347644B2 (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | レーザ光源装置 |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP3347644B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284711A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Hitachi Ltd | 光伝送装置及びこれを用いた光システム |
JP2003289153A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Fujitsu Ltd | 波長安定化機構を備えた光伝送装置 |
JP2005503028A (ja) * | 2001-09-10 | 2005-01-27 | インチューン テクノロジーズ リミテッド | 他区域レーザーダイオードの周波数ロッキング |
US6891995B2 (en) | 2002-03-01 | 2005-05-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wavelength division multiplex transmission system |
JP2006516075A (ja) * | 2002-11-06 | 2006-06-15 | アズナ・エルエルシー | 散乱補償光ファイバ・システム用の電源 |
US7102120B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-09-05 | Fujitsu Limited | Optical module with built-in wavelength locker |
US7127183B2 (en) | 2000-09-29 | 2006-10-24 | Nec Corporation | Output monitor/control apparatus and optical communication system |
US7492976B2 (en) | 2002-10-04 | 2009-02-17 | Finisar Corporation | Flat dispersion frequency discriminator (FDFD) |
US7502532B2 (en) | 2002-11-06 | 2009-03-10 | Finisar Corporation | Multi-ring resonator implementation of optical spectrum reshaper for chirp managed laser technology |
JP2009512199A (ja) * | 2005-10-13 | 2009-03-19 | センシレーザー・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | レーザの位相ノイズを抑制するための方法および装置 |
US7536113B2 (en) | 2002-11-06 | 2009-05-19 | Finisar Corporation | Chirp managed directly modulated laser with bandwidth limiting optical spectrum reshaper |
US7616902B2 (en) | 2002-07-09 | 2009-11-10 | Finisar Corporation | Power source for a dispersion compensation fiber optic system |
US7657179B2 (en) | 2002-07-09 | 2010-02-02 | Finisar Corporation | Wavelength division multiplexing source using multifunctional filters |
-
1997
- 1997-07-11 JP JP18654597A patent/JP3347644B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7164865B2 (en) | 2000-03-31 | 2007-01-16 | Opnext Japan, Inc. | Optical fiber communication equipment and its applied optical systems |
US7127183B2 (en) | 2000-09-29 | 2006-10-24 | Nec Corporation | Output monitor/control apparatus and optical communication system |
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US7616902B2 (en) | 2002-07-09 | 2009-11-10 | Finisar Corporation | Power source for a dispersion compensation fiber optic system |
US7663762B2 (en) | 2002-07-09 | 2010-02-16 | Finisar Corporation | High-speed transmission system comprising a coupled multi-cavity optical discriminator |
US7477851B2 (en) | 2002-07-09 | 2009-01-13 | Finisar Corporation | Power source for a dispersion compensation fiber optic system |
US7657179B2 (en) | 2002-07-09 | 2010-02-02 | Finisar Corporation | Wavelength division multiplexing source using multifunctional filters |
US7492976B2 (en) | 2002-10-04 | 2009-02-17 | Finisar Corporation | Flat dispersion frequency discriminator (FDFD) |
JP2006516075A (ja) * | 2002-11-06 | 2006-06-15 | アズナ・エルエルシー | 散乱補償光ファイバ・システム用の電源 |
US7536113B2 (en) | 2002-11-06 | 2009-05-19 | Finisar Corporation | Chirp managed directly modulated laser with bandwidth limiting optical spectrum reshaper |
US7502532B2 (en) | 2002-11-06 | 2009-03-10 | Finisar Corporation | Multi-ring resonator implementation of optical spectrum reshaper for chirp managed laser technology |
JP4764633B2 (ja) * | 2002-11-06 | 2011-09-07 | フィニサー コーポレイション | 分散補償光ファイバ・システム用の光源 |
US7102120B2 (en) | 2003-09-05 | 2006-09-05 | Fujitsu Limited | Optical module with built-in wavelength locker |
JP2009512199A (ja) * | 2005-10-13 | 2009-03-19 | センシレーザー・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | レーザの位相ノイズを抑制するための方法および装置 |
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