JPH1131706A - 半導体装置のモールド成型方法および半導体装置のモールド成型用金型 - Google Patents
半導体装置のモールド成型方法および半導体装置のモールド成型用金型Info
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- JPH1131706A JPH1131706A JP18652497A JP18652497A JPH1131706A JP H1131706 A JPH1131706 A JP H1131706A JP 18652497 A JP18652497 A JP 18652497A JP 18652497 A JP18652497 A JP 18652497A JP H1131706 A JPH1131706 A JP H1131706A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/1742—Mounting of moulds; Mould supports
- B29C45/1744—Mould support platens
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高品質の樹脂封止型半導体装置を容易に、か
つ歩留まりよく製造できる半導体装置のモールド成型方
法、およびその成型方法の実施に適するモールド成型装
置の提供。 【解決手段】 モールド成型方法の発明は、第１のチェ
イス金型１および第２のチェイス金型３の対向する面間
に被モールド用半導体素子を配置し、かつ両チェイス金
型２，３の裏面側にそれぞれサポートピン6a，6b群を介
して配置した第１のダイセット２および第２のダイセッ
ト４で押圧する工程を含む半導体装置のモールド成型方
法において、前記サポートピン6a，6b群およびダイセッ
ト２，４がそれぞれ対接する面間に、予め検出してある
ダイセット押圧面の変形に対応するプレート8a，8bをそ
れぞれ介挿し、前記ダイセット２，４の押圧面を平坦化
してサポートビン6a，6b群全体をほぼ一様な圧力で加圧
するようにしたことを特徴とする。
つ歩留まりよく製造できる半導体装置のモールド成型方
法、およびその成型方法の実施に適するモールド成型装
置の提供。 【解決手段】 モールド成型方法の発明は、第１のチェ
イス金型１および第２のチェイス金型３の対向する面間
に被モールド用半導体素子を配置し、かつ両チェイス金
型２，３の裏面側にそれぞれサポートピン6a，6b群を介
して配置した第１のダイセット２および第２のダイセッ
ト４で押圧する工程を含む半導体装置のモールド成型方
法において、前記サポートピン6a，6b群およびダイセッ
ト２，４がそれぞれ対接する面間に、予め検出してある
ダイセット押圧面の変形に対応するプレート8a，8bをそ
れぞれ介挿し、前記ダイセット２，４の押圧面を平坦化
してサポートビン6a，6b群全体をほぼ一様な圧力で加圧
するようにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置のモール
ド成型方法および半導体装置のモールド成型用金型に関
する。
ド成型方法および半導体装置のモールド成型用金型に関
する。
【０００２】
【従来の技術】たとえばＩＣ素子，ＩＣ素子を搭載した
薄い基板などの半導体装置は、外界（環境）に対する保
護や安定した機能を確保するため、樹脂類を封止材とし
た樹脂モールド封止が一般的に行われている。すなわ
ち、図３に展開して斜視的に示す構成部材から成るモー
ルド成型用金型を使用し、トランスファモールド法でモ
ールド型半導体装置を製造している。
薄い基板などの半導体装置は、外界（環境）に対する保
護や安定した機能を確保するため、樹脂類を封止材とし
た樹脂モールド封止が一般的に行われている。すなわ
ち、図３に展開して斜視的に示す構成部材から成るモー
ルド成型用金型を使用し、トランスファモールド法でモ
ールド型半導体装置を製造している。
【０００３】図３において、１は第１のチェイス金型、
２は前記第１のチェイス金型１面を露出させて嵌合装着
する第１のダイセット（熱板）、３は前記第１のチェイ
ス金型１に対応・組み合わせられる第２のチェイス金
型、４は前記第２のチェイス金型３面を露出させて嵌合
装着する第２のダイセット（熱板）である。ここで、第
１のダイセット２および第２のダイセット４は、モール
ド成型装置の対向する加圧面に据付られ、この据え付け
られた両ダイセット２，４に第１のチェイス金型１およ
び第２のチェイス金型３を着脱することもできる。
２は前記第１のチェイス金型１面を露出させて嵌合装着
する第１のダイセット（熱板）、３は前記第１のチェイ
ス金型１に対応・組み合わせられる第２のチェイス金
型、４は前記第２のチェイス金型３面を露出させて嵌合
装着する第２のダイセット（熱板）である。ここで、第
１のダイセット２および第２のダイセット４は、モール
ド成型装置の対向する加圧面に据付られ、この据え付け
られた両ダイセット２，４に第１のチェイス金型１およ
び第２のチェイス金型３を着脱することもできる。
【０００４】なお、第１のチェイス金型１および第２の
チェイス金型３は、図４に拡大して斜視的に示すごと
く、相互の金型面を対接させたとき対向面間に、被封止
半導体装置本体を装着配置する型およびモールド樹脂流
路などが設けられており、相互はガイドブロック1a，3a
の係合によって、モールド成型用金型本体を位置決め
し、組み立てる構成と成っている。
チェイス金型３は、図４に拡大して斜視的に示すごと
く、相互の金型面を対接させたとき対向面間に、被封止
半導体装置本体を装着配置する型およびモールド樹脂流
路などが設けられており、相互はガイドブロック1a，3a
の係合によって、モールド成型用金型本体を位置決め
し、組み立てる構成と成っている。
【０００５】また、５は前記両チェイス金型１，３が、
対応する両ダイセット２，４から離脱するのをそれぞれ
防ぐ抑え具（スクリューボルト）を挿着する挿着孔であ
る。そして、最終的に、これらは図５に断面的に示すよ
うに組み立てられ、モールド成型用金型として機能する
構成と成っている。
対応する両ダイセット２，４から離脱するのをそれぞれ
防ぐ抑え具（スクリューボルト）を挿着する挿着孔であ
る。そして、最終的に、これらは図５に断面的に示すよ
うに組み立てられ、モールド成型用金型として機能する
構成と成っている。
【０００６】なお、図５において、6a，6bは、各チェイ
ス金型１，３の裏面側に、両ダイセット２，４側からの
圧力（押圧）を伝達するため、全体的にほぼ一様に配置
された第１，第２のサポートピンである。また、通常、
トランスファモールド成型法では、前記構成のモールド
成型用金型を複数個組み込み一体化した形態で使用され
ている。
ス金型１，３の裏面側に、両ダイセット２，４側からの
圧力（押圧）を伝達するため、全体的にほぼ一様に配置
された第１，第２のサポートピンである。また、通常、
トランスファモールド成型法では、前記構成のモールド
成型用金型を複数個組み込み一体化した形態で使用され
ている。
【０００７】そして、上記モールド成型用金型によるモ
ールドは、次の手順で行われる。
ールドは、次の手順で行われる。
【０００８】予め、第１，第２のサポートピン6a，6b
が固定装着されている第１のチェイス金型１，第２のチ
ェイス金型３を、対応する第１のダイセット２，第２の
ダイセット４に嵌合装着する。
が固定装着されている第１のチェイス金型１，第２のチ
ェイス金型３を、対応する第１のダイセット２，第２の
ダイセット４に嵌合装着する。
【０００９】各チェイス金型１，３を対応するダイセ
ット２，４に、固定に至らない状態で型締めし、前記チ
ェイス金型１，３に付設されているガイドブロック1a，
3aによってそれぞれ位置合わせする。
ット２，４に、固定に至らない状態で型締めし、前記チ
ェイス金型１，３に付設されているガイドブロック1a，
3aによってそれぞれ位置合わせする。
【００１０】スクリューボルト締めにより、各チェイ
ス金型１，３を対応するダイセット２，４に仮止めす
る。
ス金型１，３を対応するダイセット２，４に仮止めす
る。
【００１１】型締めを行い、チェイス金型１，３の位
置合わせを再度行う。
置合わせを再度行う。
【００１２】スクリューボルトを少し締め込む。
【００１３】前記，の操作を 2〜 3回繰り返す。
【００１４】スクリューボルトを強く締め込み、チェ
イス金型１，３を対応するダイセット２，４にそれぞれ
固定する。
イス金型１，３を対応するダイセット２，４にそれぞれ
固定する。
【００１５】リードフレーム付きの半導体装置本体を
配置し、トランスファモールド装置にセットしてトラン
スファモールドする。
配置し、トランスファモールド装置にセットしてトラン
スファモールドする。
【００１６】モールド成型用金型を取り外し、モール
ド成型用金型内からモールド型半導体装置を取り出す。
ド成型用金型内からモールド型半導体装置を取り出す。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】上記構成のモールド成
型用金型を使用するトランスファモールド成型法の場
合、チェイス金型１，３間に配置したリードフレーム付
き半導体装置本体を、全体的にほぼ一様な圧力で挟むこ
とを前提とし、その後に、樹脂封止が行われる。しかし
ながら、実際には、ダイセット２，４の変形が起こり易
く、この変形によって、プレス圧をリードフレーム付き
半導体装置本体に、ほぼ均一に与えられない場合があ
る。すなわち、モールド成型された半導体装置は、樹脂
バリの発生が多い、ボンディングワイヤおよびベッドの
変形・変位が発生する、樹脂封止不良が発生する、モー
ルド成型工程でリード成形の不良が生じやすいなど、信
頼性もしくは製造歩留まりが損なわれるという問題があ
る。
型用金型を使用するトランスファモールド成型法の場
合、チェイス金型１，３間に配置したリードフレーム付
き半導体装置本体を、全体的にほぼ一様な圧力で挟むこ
とを前提とし、その後に、樹脂封止が行われる。しかし
ながら、実際には、ダイセット２，４の変形が起こり易
く、この変形によって、プレス圧をリードフレーム付き
半導体装置本体に、ほぼ均一に与えられない場合があ
る。すなわち、モールド成型された半導体装置は、樹脂
バリの発生が多い、ボンディングワイヤおよびベッドの
変形・変位が発生する、樹脂封止不良が発生する、モー
ルド成型工程でリード成形の不良が生じやすいなど、信
頼性もしくは製造歩留まりが損なわれるという問題があ
る。
【００１８】図６は、上記ダイセット２，４の変形が起
こる態様を模式的に示したものである。この実施態様で
は、モールド成型用金型を複数組み込み、モールド成型
を繰り返し、試験検討を行っった結果、次のようなこと
を確認した。
こる態様を模式的に示したものである。この実施態様で
は、モールド成型用金型を複数組み込み、モールド成型
を繰り返し、試験検討を行っった結果、次のようなこと
を確認した。
【００１９】すなわち、モールド操作に入っていない状
態（加熱および加圧が施されていない状態）では、前記
図５に示すごとく、ダイセット２，４の対向面が平坦性
を採っている。しかし、モールド操作に入った状態（加
熱および加圧が施されている状態）では、図６に示すご
とく、ダイセット２，４の対向面が変形して平坦性を失
うため、サポートピン6a，6bを介して押圧されるチェイ
ス１，３も必然的に変形を生ずる。なお、図６におい
て、7a，7bはダイセット２，４の対向面に植設されてい
る仕切りである。
態（加熱および加圧が施されていない状態）では、前記
図５に示すごとく、ダイセット２，４の対向面が平坦性
を採っている。しかし、モールド操作に入った状態（加
熱および加圧が施されている状態）では、図６に示すご
とく、ダイセット２，４の対向面が変形して平坦性を失
うため、サポートピン6a，6bを介して押圧されるチェイ
ス１，３も必然的に変形を生ずる。なお、図６におい
て、7a，7bはダイセット２，４の対向面に植設されてい
る仕切りである。
【００２０】本発明は、上記のような事情に基づいてな
されたもので、高品質の樹脂封止型半導体装置を容易
に、かつ歩留まりよく製造できる半導体装置のモールド
成型方法、およびその成型方法の実施に適するモールド
成型装置の提供を目的とする。
されたもので、高品質の樹脂封止型半導体装置を容易
に、かつ歩留まりよく製造できる半導体装置のモールド
成型方法、およびその成型方法の実施に適するモールド
成型装置の提供を目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、第１
のチェイス金型および第２のチェイス金型の対向する面
間に被モールド用半導体素子を配置し、かつ両チェイス
金型の裏面側にそれぞれサポートピン群を介して配置し
た第１のダイセットおよび第２のダイセットで押圧する
工程を含む半導体装置のモールド成型方法において、前
記サポートピン群およびダイセットがそれぞれ対接する
面間に、予め検出してあるダイセット押圧面の変形に対
応するプレートをそれぞれ介挿し、前記ダイセットの押
圧面を平坦化してサポートビン群全体をほぼ一様な圧力
で加圧するようにしたことを特徴とする半導体装置のモ
ールド成型方法である。
のチェイス金型および第２のチェイス金型の対向する面
間に被モールド用半導体素子を配置し、かつ両チェイス
金型の裏面側にそれぞれサポートピン群を介して配置し
た第１のダイセットおよび第２のダイセットで押圧する
工程を含む半導体装置のモールド成型方法において、前
記サポートピン群およびダイセットがそれぞれ対接する
面間に、予め検出してあるダイセット押圧面の変形に対
応するプレートをそれぞれ介挿し、前記ダイセットの押
圧面を平坦化してサポートビン群全体をほぼ一様な圧力
で加圧するようにしたことを特徴とする半導体装置のモ
ールド成型方法である。
【００２２】請求項２の発明は、第１のチェイス金型
と、前記第１のチェイス金型面を露出させて嵌合装着し
裏面側を押圧する第１のダイセットと、前記第１のチェ
イス金型の被押圧面側全域にほぼ一様に介挿・配置され
た第１のサポートピン群と、前記第１のダイセットの押
圧面側に介挿・配置され第１のサポートビン群全体にほ
ぼ一様な圧力を加える第１のプレートと、前記第１のチ
ェイス金型に対応した第２のチェイス金型と、前記第２
のチェイス金型面を露出させて嵌合装着し裏面側を押圧
する第２のダイセットと、前記第２のチェイス金型の被
押圧面側全域にほぼ一様に介挿・配置された第２のサポ
ートピン群と、前記第２のダイセットの押圧面側に介挿
・配置され第２のサポートビン群全体にほぼ一様な圧力
を加える第２のプレートとを具備していることを特徴と
する半導体装置のモールド成型用金型である。
と、前記第１のチェイス金型面を露出させて嵌合装着し
裏面側を押圧する第１のダイセットと、前記第１のチェ
イス金型の被押圧面側全域にほぼ一様に介挿・配置され
た第１のサポートピン群と、前記第１のダイセットの押
圧面側に介挿・配置され第１のサポートビン群全体にほ
ぼ一様な圧力を加える第１のプレートと、前記第１のチ
ェイス金型に対応した第２のチェイス金型と、前記第２
のチェイス金型面を露出させて嵌合装着し裏面側を押圧
する第２のダイセットと、前記第２のチェイス金型の被
押圧面側全域にほぼ一様に介挿・配置された第２のサポ
ートピン群と、前記第２のダイセットの押圧面側に介挿
・配置され第２のサポートビン群全体にほぼ一様な圧力
を加える第２のプレートとを具備していることを特徴と
する半導体装置のモールド成型用金型である。
【００２３】請求項３の発明は、ガイドブロックを有す
る第１のチェイス金型と、前記第１のチェイス金型面を
露出させて嵌合装着し裏面側を押圧する第１のダイセッ
トと、前記第１のチェイス金型の被押圧面側全域にほぼ
一様に介挿・配置された第１のサポートピン群と、前記
第１のダイセットの押圧面側に介挿・配置され第１のサ
ポートビン群全体にほぼ一様な圧力を加える第１のプレ
ートと、前記第１のチェイス金型に対応したガイドブロ
ックを有する第２のチェイス金型と、前記第２のチェイ
ス金型面を露出させて嵌合装着し裏面側を押圧する第２
のダイセットと、前記第２のチェイス金型の被押圧面側
全域にほぼ一様に介挿・配置された第２のサポートピン
群と、前記第２のダイセットの押圧面側に介挿・配置さ
れ第２のサポートビン群全体にほぼ一様な圧力を加える
第２のプレートとを具備していることを特徴とする半導
体装置のモールド成型用金型である。
る第１のチェイス金型と、前記第１のチェイス金型面を
露出させて嵌合装着し裏面側を押圧する第１のダイセッ
トと、前記第１のチェイス金型の被押圧面側全域にほぼ
一様に介挿・配置された第１のサポートピン群と、前記
第１のダイセットの押圧面側に介挿・配置され第１のサ
ポートビン群全体にほぼ一様な圧力を加える第１のプレ
ートと、前記第１のチェイス金型に対応したガイドブロ
ックを有する第２のチェイス金型と、前記第２のチェイ
ス金型面を露出させて嵌合装着し裏面側を押圧する第２
のダイセットと、前記第２のチェイス金型の被押圧面側
全域にほぼ一様に介挿・配置された第２のサポートピン
群と、前記第２のダイセットの押圧面側に介挿・配置さ
れ第２のサポートビン群全体にほぼ一様な圧力を加える
第２のプレートとを具備していることを特徴とする半導
体装置のモールド成型用金型である。
【００２４】ここで、第１のダイセットおよび第２のダ
イセットは、モールド成型装置の対向する加圧面に据付
られ、この据え付けられた両ダイセットに第１のチェイ
ス金型および第２のチェイス金型を着脱する分離型を含
むものとする。
イセットは、モールド成型装置の対向する加圧面に据付
られ、この据え付けられた両ダイセットに第１のチェイ
ス金型および第２のチェイス金型を着脱する分離型を含
むものとする。
【００２５】上記各発明は、上下のチェイス金型を対応
する上下の各ダイセットについて、トランスファモール
ド成型時の加熱・加圧に起因するダイセットの位置・場
所ごとの変形量を予め検出しておき、この位置・場所ご
との変形量に対応した面を一主面に形成したプレートを
ダイセット面に配置し、結果的に、ダイセットの押圧面
を平坦面化させ、サポートピン群を介して全体的にほぼ
一様な押圧力をチェイス金型に加えることを骨子とする
ものである。すなわち、基本的な構成もしくは構造を維
持しながら、各ダイセットに対するチェイス金型の嵌合
装着状態の一部を変更し、前記嵌合装着で加熱・加圧の
状態にあっても、チェイス金型がダイセットの変形に影
響されず、常時、設計寸法通りの樹脂モールドが行われ
るようにしたものである。
する上下の各ダイセットについて、トランスファモール
ド成型時の加熱・加圧に起因するダイセットの位置・場
所ごとの変形量を予め検出しておき、この位置・場所ご
との変形量に対応した面を一主面に形成したプレートを
ダイセット面に配置し、結果的に、ダイセットの押圧面
を平坦面化させ、サポートピン群を介して全体的にほぼ
一様な押圧力をチェイス金型に加えることを骨子とする
ものである。すなわち、基本的な構成もしくは構造を維
持しながら、各ダイセットに対するチェイス金型の嵌合
装着状態の一部を変更し、前記嵌合装着で加熱・加圧の
状態にあっても、チェイス金型がダイセットの変形に影
響されず、常時、設計寸法通りの樹脂モールドが行われ
るようにしたものである。
【００２６】本発明において、ダイセットの加熱・加圧
状態における変形量は、ダイセットの構造、寸法・形状
などによって異なるため、各品種ごとに測定・算出され
ることになる。そして、このダイセットの加熱・加圧状
態における変形量は、次のような手段で測定・算出する
ことができる。
状態における変形量は、ダイセットの構造、寸法・形状
などによって異なるため、各品種ごとに測定・算出され
ることになる。そして、このダイセットの加熱・加圧状
態における変形量は、次のような手段で測定・算出する
ことができる。
【００２７】(a)通常の使用状態に近似した状態で測定
する方法。この方法は、チェイスに模擬した測定試料の
サポートピンに歪みゲージを付設し、このサポートピン
の変形量からダイセットの変形量を測定する手段であ
り、ダイセットの変形量を定量的に十分把握できる。
する方法。この方法は、チェイスに模擬した測定試料の
サポートピンに歪みゲージを付設し、このサポートピン
の変形量からダイセットの変形量を測定する手段であ
り、ダイセットの変形量を定量的に十分把握できる。
【００２８】(b)半導体装置本体付きリードフレームの
塑性変形量で測定する方法。ダイセットの変形が半導体
装置本体にどの様に影響しているかを、プレス圧によっ
てリードフレームに起こる塑性変形量（圧痕量）から測
定する手段である。
塑性変形量で測定する方法。ダイセットの変形が半導体
装置本体にどの様に影響しているかを、プレス圧によっ
てリードフレームに起こる塑性変形量（圧痕量）から測
定する手段である。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、図１および図２を参照して
実施例を説明する。
実施例を説明する。
【００３０】上記したように、本発明に係るモールド成
型用金型は、基本的な構造において従来の場合と同様で
ある。すなわち、図１に断面的に示すごとく、第１のチ
ェイス金型１と、前記第１のチェイス金型１面を露出さ
せて嵌合装着する第１のダイセット（熱板）２と、前記
第１のチェイス金型１に対応・組み合わせられる第２の
チェイス金型３と、前記第２のチェイス金型３面を露出
させて嵌合装着する第２のダイセット（熱板）４とを具
備している。
型用金型は、基本的な構造において従来の場合と同様で
ある。すなわち、図１に断面的に示すごとく、第１のチ
ェイス金型１と、前記第１のチェイス金型１面を露出さ
せて嵌合装着する第１のダイセット（熱板）２と、前記
第１のチェイス金型１に対応・組み合わせられる第２の
チェイス金型３と、前記第２のチェイス金型３面を露出
させて嵌合装着する第２のダイセット（熱板）４とを具
備している。
【００３１】ここで、第１のダイセット２および第２の
ダイセット４は、モールド成型装置の対向する加圧面に
据付られ、この据え付けられた両ダイセット２，４に第
１のチェイス金型１および第２のチェイス金型３を着脱
する構成と成っている。
ダイセット４は、モールド成型装置の対向する加圧面に
据付られ、この据え付けられた両ダイセット２，４に第
１のチェイス金型１および第２のチェイス金型３を着脱
する構成と成っている。
【００３２】より具体的に説明すると、ガイドブロック
1aを有する第１のチェイス金型１と、前記第１のチェイ
ス金型１面を露出させて嵌合装着する第１のダイセット
（熱板）２と、前記第１のチェイス金型１のガイドブロ
ック1aに対応，組み合わせられるガイドブロック3aを有
する第２のチェイス金型３と、前記第２のチェイス金型
３面を露出させて嵌合装着する第２のダイセット（熱
板）４を基本的な構成部材としている。
1aを有する第１のチェイス金型１と、前記第１のチェイ
ス金型１面を露出させて嵌合装着する第１のダイセット
（熱板）２と、前記第１のチェイス金型１のガイドブロ
ック1aに対応，組み合わせられるガイドブロック3aを有
する第２のチェイス金型３と、前記第２のチェイス金型
３面を露出させて嵌合装着する第２のダイセット（熱
板）４を基本的な構成部材としている。
【００３３】ここで、第１のチェイス金型１および第２
のチェイス金型３は、前記図４に斜視的に示したごと
く、相互の金型面を対接させたとき対向面間に、被封止
半導体装置本体を装着配置する型およびモールド樹脂流
路などが設けられており、相互のガイドブロック1a，3a
の係合によって、モールド成型用金型本体を位置決め
し、組み立てる構成と成っている。そして、最終的に、
これらは図１に断面的に示すように組み立てられ、モー
ルド成型用金型として機能する構成と成っている。
のチェイス金型３は、前記図４に斜視的に示したごと
く、相互の金型面を対接させたとき対向面間に、被封止
半導体装置本体を装着配置する型およびモールド樹脂流
路などが設けられており、相互のガイドブロック1a，3a
の係合によって、モールド成型用金型本体を位置決め
し、組み立てる構成と成っている。そして、最終的に、
これらは図１に断面的に示すように組み立てられ、モー
ルド成型用金型として機能する構成と成っている。
【００３４】さらに、6a，6bは、各チェイス金型１，３
の裏面側に、両ダイセット２，４側からの圧力（押圧）
を伝達するため、全体的にほぼ一様に配置された第１，
第２のサポートピン、8a，8bは前記サポートピン6a，6b
の端面とダイセット２，４の押圧面間に介挿・配置され
た第１および第２のプレートである。ここで、両プレー
ト8a，8bは、サポートピン6a，6bの端面に対接する面が
平坦面に形成されている。
の裏面側に、両ダイセット２，４側からの圧力（押圧）
を伝達するため、全体的にほぼ一様に配置された第１，
第２のサポートピン、8a，8bは前記サポートピン6a，6b
の端面とダイセット２，４の押圧面間に介挿・配置され
た第１および第２のプレートである。ここで、両プレー
ト8a，8bは、サポートピン6a，6bの端面に対接する面が
平坦面に形成されている。
【００３５】一方、ダイセット２，４の押圧面に対接す
る面は、加熱・加圧時におけるダイセット２，４の変形
量（平坦面の凹凸面化）に対応した凹凸面に形成されて
いる。 そして、最終的には、図１に断面的に示すよう
に組み立てられ、モールド成型用金型として機能する構
成と成っている。ここでは、要部を図示したもので、通
常、トランスファモールド成型法では、前記構成のモー
ルド成型用金型を複数個組み込み一体化した形態で使用
されている。
る面は、加熱・加圧時におけるダイセット２，４の変形
量（平坦面の凹凸面化）に対応した凹凸面に形成されて
いる。 そして、最終的には、図１に断面的に示すよう
に組み立てられ、モールド成型用金型として機能する構
成と成っている。ここでは、要部を図示したもので、通
常、トランスファモールド成型法では、前記構成のモー
ルド成型用金型を複数個組み込み一体化した形態で使用
されている。
【００３６】次に、上記構成のモールド成型用金型によ
る半導体装置のモールド成型方法を説明する。
る半導体装置のモールド成型方法を説明する。
【００３７】先ず、第１のダイセット２，第２のダイセ
ット４に、対応するプレート8a，8b、サポートピン6a，
6b、および第１のチェイス金型１，第２のチェイス金型
３を、それぞれ嵌合装着する一方、それぞれ座付きボル
トを挿着して、各チェイス金型１，３を対応するダイセ
ット２，４にセッティングする。
ット４に、対応するプレート8a，8b、サポートピン6a，
6b、および第１のチェイス金型１，第２のチェイス金型
３を、それぞれ嵌合装着する一方、それぞれ座付きボル
トを挿着して、各チェイス金型１，３を対応するダイセ
ット２，４にセッティングする。
【００３８】次いで、前記ダイセット２，４にそれぞれ
セッティングしたチェイス金型１，３面に、所要の半導
体装置本体（たとえばリードフレームにボンディングし
たＩＣ素子）を配置・装着して、モールド成型用金型を
組み立てる。
セッティングしたチェイス金型１，３面に、所要の半導
体装置本体（たとえばリードフレームにボンディングし
たＩＣ素子）を配置・装着して、モールド成型用金型を
組み立てる。
【００３９】その後、前記組立てたモールド成型用金型
をトランスファモールド装置にセットし、モールド用樹
脂（たとえば溶融させたエポキシ系樹脂）をモールド成
型用金型に注入して、トランスファモールドする。この
トランスファモールド工程におけるモールド成型用金型
の加熱・加圧においては、図２に断面的に示すごとく、
ダイセット２，４の変形が発生するが、このダイセット
２，４の変形量に対応して面加工されているプレート8
a，8bによって、その押圧面の変形・凹凸が吸収された
状態化する。
をトランスファモールド装置にセットし、モールド用樹
脂（たとえば溶融させたエポキシ系樹脂）をモールド成
型用金型に注入して、トランスファモールドする。この
トランスファモールド工程におけるモールド成型用金型
の加熱・加圧においては、図２に断面的に示すごとく、
ダイセット２，４の変形が発生するが、このダイセット
２，４の変形量に対応して面加工されているプレート8
a，8bによって、その押圧面の変形・凹凸が吸収された
状態化する。
【００４０】すなわち、変形・凹凸化したダイセット
２，４の押圧面にそれぞれ対向する各プレート8a，8b面
が嵌合ないし係合して、各プレート8a，8bの他の面（平
面）が、サポートピン6a，6b、およびチェイス金型１，
３の押圧面となるので、全体的に、一様な圧力でチェイ
ス金型１，３が加圧されることになる。
２，４の押圧面にそれぞれ対向する各プレート8a，8b面
が嵌合ないし係合して、各プレート8a，8bの他の面（平
面）が、サポートピン6a，6b、およびチェイス金型１，
３の押圧面となるので、全体的に、一様な圧力でチェイ
ス金型１，３が加圧されることになる。
【００４１】上記、トランスファモールド操作の終了
後、トランスファモールド装置からモールド成型用金型
を取り外し、さらに、モールド成型用金型内からモール
ド型半導体装置を取り出すという手順で行う。
後、トランスファモールド装置からモールド成型用金型
を取り外し、さらに、モールド成型用金型内からモール
ド型半導体装置を取り出すという手順で行う。
【００４２】上記モールド成型方法もしくはモールド成
型装置によれば、モールド成型工程でリード成形の不良
発生が回避されるだけでなく、樹脂バリの発生やボンデ
ィングワイヤの変形・変位の発生が防止され、かつ樹脂
封止も良好な信頼性の高いモールド成型された半導体装
置が歩留まりよく、量産できることになる。
型装置によれば、モールド成型工程でリード成形の不良
発生が回避されるだけでなく、樹脂バリの発生やボンデ
ィングワイヤの変形・変位の発生が防止され、かつ樹脂
封止も良好な信頼性の高いモールド成型された半導体装
置が歩留まりよく、量産できることになる。
【００４３】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの
変形を採ることができる。たとえば、モールド成型方法
において、モールド用樹脂はエポキシ系樹脂に限られ
ず、通常、半導体封止用に使用されている樹脂を使用し
てもよい。また、チェイス金型についても、両者を位置
決めし、組み立て易くするため、相互に係合可能なガイ
ドブロックを付設しておくのが望ましいが、チェイス金
型の構造によっては省略した構成してもよい。
ものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの
変形を採ることができる。たとえば、モールド成型方法
において、モールド用樹脂はエポキシ系樹脂に限られ
ず、通常、半導体封止用に使用されている樹脂を使用し
てもよい。また、チェイス金型についても、両者を位置
決めし、組み立て易くするため、相互に係合可能なガイ
ドブロックを付設しておくのが望ましいが、チェイス金
型の構造によっては省略した構成してもよい。
【００４４】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、対を成すチェ
イス金型が対応するダイセットの変形の発生に影響され
ずに、チェイス金型はほぼ一様に押圧された状態で、モ
ールド成型が行われる。すなわち、リード成形の不良発
生などが確実に回避され、かつ所定の寸法・形状で、高
品質の樹脂封止型半導体装置を容易に提供できる。
イス金型が対応するダイセットの変形の発生に影響され
ずに、チェイス金型はほぼ一様に押圧された状態で、モ
ールド成型が行われる。すなわち、リード成形の不良発
生などが確実に回避され、かつ所定の寸法・形状で、高
品質の樹脂封止型半導体装置を容易に提供できる。
【００４５】請求項２，３の発明によれば、上記作用・
効果を呈する半導体装置のモールド成型を低コストで、
かつ良好な生産性によって達成できる。
効果を呈する半導体装置のモールド成型を低コストで、
かつ良好な生産性によって達成できる。
【図１】半導体装置のモールド成型用金型の一実施例の
要部構成を示す断面図。
要部構成を示す断面図。
【図２】図１に図示したモールド成型用金型のモールド
成型時における状態を模式的に示す断面図。
成型時における状態を模式的に示す断面図。
【図３】半導体装置のモールド成型用金型の要部構成を
展開して示す斜視図。
展開して示す斜視図。
【図４】図３に図示したモールド成型用金型のチェイス
金型の構成を拡大して示す斜視図。
金型の構成を拡大して示す斜視図。
【図５】従来の半導体装置のモールド成型用金型の要部
構成を示す断面図。
構成を示す断面図。
【図６】図５に図示したモールド成型用金型のモールド
成型時における状態を模式的に示す断面図。
成型時における状態を模式的に示す断面図。
１，３……チェイス金型 ２，４……ダイセット 6a，6b……サポートピン 8a，8b……ダイセットの変形を吸収するプレート
Claims (3)
- 【請求項１】 第１のチェイス金型および第２のチェイ
ス金型の対向する面間に被モールド用半導体素子を配置
し、かつ両チェイス金型の裏面側にそれぞれサポートピ
ン群を介して配置した第１のダイセットおよび第２のダ
イセットで押圧する工程を含む半導体装置のモールド成
型方法において、 前記サポートピン群およびダイセットがそれぞれ対接す
る面間に、予め検出してあるダイセット押圧面の変形に
対応するプレートをそれぞれ介挿し、前記ダイセットの
押圧面を平坦化してサポートビン群全体をほぼ一様な圧
力で加圧するようにしたことを特徴とする半導体装置の
モールド成型方法。 - 【請求項２】 第１のチェイス金型と、 前記第１のチェイス金型面を露出させて嵌合装着し裏面
側を押圧する第１のダイセットと、 前記第１のチェイス金型の被押圧面側全域にほぼ一様に
介挿・配置された第１のサポートピン群と、 前記第１のダイセットの押圧面側に介挿・配置され第１
のサポートビン群全体にほぼ一様な圧力を加える第１の
プレートと、 前記第１のチェイス金型に対応した第２のチェイス金型
と、 前記第２のチェイス金型面を露出させて嵌合装着し裏面
側を押圧する第２のダイセットと、 前記第２のチェイス金型の被押圧面側全域にほぼ一様に
介挿・配置された第２のサポートピン群と、 前記第２のダイセットの押圧面側に介挿・配置され第２
のサポートビン群全体にほぼ一様な圧力を加える第２の
プレートと、を具備していることを特徴とする半導体装
置のモールド成型用金型。 - 【請求項３】 ガイドブロックを有する第１のチェイス
金型と、 前記第１のチェイス金型面を露出させて嵌合装着し裏面
側を押圧する第１のダイセットと、 前記第１のチェイス金型の被押圧面側全域にほぼ一様に
介挿・配置された第１のサポートピン群と、 前記第１のダイセットの押圧面側に介挿・配置され第１
のサポートビン群全体にほぼ一様な圧力を加える第１の
プレートと、 前記第１のチェイス金型に対応したガイドブロックを有
する第２のチェイス金型と、 前記第２のチェイス金型面を露出させて嵌合装着し裏面
側を押圧する第２のダイセットと、 前記第２のチェイス金型の被押圧面側全域にほぼ一様に
介挿・配置された第２のサポートピン群と、 前記第２のダイセットの押圧面側に介挿・配置され第２
のサポートビン群全体にほぼ一様な圧力を加える第２の
プレートと、を具備していることを特徴とする半導体装
置のモールド成型用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18652497A JPH1131706A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 半導体装置のモールド成型方法および半導体装置のモールド成型用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18652497A JPH1131706A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 半導体装置のモールド成型方法および半導体装置のモールド成型用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131706A true JPH1131706A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16190011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18652497A Withdrawn JPH1131706A (ja) | 1997-07-11 | 1997-07-11 | 半導体装置のモールド成型方法および半導体装置のモールド成型用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1131706A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012086379A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Kanto Auto Works Ltd | 射出成形用金型の調整方法及び金型装置 |
| KR20190096823A (ko) * | 2018-02-09 | 2019-08-20 | 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 | 몰드 베이스, 금형용 체이스 유닛, 압축 성형용 금형 및 압축 성형 장치 |
| JP2019136944A (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | アピックヤマダ株式会社 | 圧縮成形金型用チェイスユニット及び圧縮成形用金型 |
-
1997
- 1997-07-11 JP JP18652497A patent/JPH1131706A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012086379A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-05-10 | Kanto Auto Works Ltd | 射出成形用金型の調整方法及び金型装置 |
| KR20190096823A (ko) * | 2018-02-09 | 2019-08-20 | 아피쿠 야마다 가부시키가이샤 | 몰드 베이스, 금형용 체이스 유닛, 압축 성형용 금형 및 압축 성형 장치 |
| JP2019136944A (ja) * | 2018-02-09 | 2019-08-22 | アピックヤマダ株式会社 | 圧縮成形金型用チェイスユニット及び圧縮成形用金型 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |